CN112379834A - 存储卡管理装置及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种存储卡管理装置及方法，所述装置包括：上电模块，给存储卡初始上电以及在接收到重新上电信号时重新给存储卡上电；初始化模块，在上电后初始化读写端口和设定读写速度为第一预定速度，在接收到状态异常信号时再次初始化读写端口和设定读写速度为第二预定速度，第一预定速度大于第二预定速度；数据读写模块，分别按照第一预定速度和第二预定速度与存储卡进行数据读写交互；状态判断模块，实时判断存储卡在第一预定速度和第二预定速度下的读写状态是否正常，并对应输出状态异常信号和重新上电信号；异常报警模块，接收到状态异常信号的实时次数达到预定阈值时对应进行存储卡异常报警。本实施例能避免被误判为异常的状况。

Description

存储卡管理装置及方法
技术领域
本发明实施例涉及存储卡技术领域，尤其涉及一种存储卡管理装置及方法。
背景技术
在诸如行车记录仪等各类移动终端中大多通过安装储存卡来保存相关数据信息。但是，现有的存储卡的性能的稳定性较差，经常出现移动终端无法识别出存储卡以及与存储卡数据交互失败的情况，因此，移动终端的存储卡管理方法应运而生。
现有的存储卡管理方法通常是移动终端首先通过内部软件初始化存储卡的读写端口并配置相关参数(例如：读写速度)，然后与存储卡进行数据读写交互，并在读写过程中判断读写是否正常，一旦出现异常后，则内部再次循环初始化存储卡的读写端口并配置相关参数、进行数据读写交互以及判断读写是否正常，通过至少两次循环判断后，若仍然判断存储卡的读写异常，则进行相应的报警和上报异常。但是，上述方法通过内部软件初始化存储卡，无法针对存储卡出现重新上电可恢复的有关故障，而且，当存储卡工作在相对恶劣的环境下(例如：低温)或者存储卡在长期使用后，储存卡的读写性能都会显著下降，若此时仍然在以原始读写速度下读写数据并判断存储卡的数据读写状态，很明显会被判定为异常，因此，上述方法会出现误判。
发明内容
本发明实施例要解决的技术问题在于，提供一种存储卡管理装置，能有效避免存储卡被误判为异常的状况。
本发明实施例进一步要解决的技术问题在于，提供一种存储卡管理方法，能有效避免存储卡被误判为异常的状况。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供以下技术方案：一种存储卡管理装置，包括：
上电模块，与存储卡相连，用于给所述存储卡初始上电以及在接收到重新上电信号时重新给所述存储卡上电；
初始化模块，与存储卡相连，用于在上电后初始化存储卡的读写端口和设定存储卡的读写速度为第一预定速度，以及在接收到状态异常信号时再次初始化所述读写端口和设定存储卡的读写速度为第二预定速度，所述第一预定速度大于第二预定速度；
数据读写模块，与存储卡相连，用于分别按照所述第一预定速度和第二预定速度与所述存储卡进行数据读写交互；
状态判断模块，与所述上电模块、初始化模块和数据读写模块相连，用于分别实时判断存储卡在第一预定速度和第二预定速度下的数据读写状态是否正常，并在第一预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述状态异常信号和在第二预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述重新上电信号；以及
异常报警模块，与所述上电模块和所述状态判断模块相连，用于在所述存储卡初始上电后开始实时接收所述状态异常信号及从零开始实时累计接收到所述状态异常信号的次数，并在累计次数达到预定阈值时进行存储卡异常报警，然后将所述累计次数清零进入下一统计周期。
进一步的，所述状态判断模块包括：
预存单元，用于预存所述存储卡分别在第一预定速度和第二预定速度下标准的状态参数；对比单元，用于分别比较第一预定速度和第二预定速度下标准的状态参数与对应存储卡返回的实际的状态参数，当标准的状态参数和实际的状态参数不同时判断数据读写状态为异常；以及
信号发生单元，用于在第一预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述状态异常信号和在第二预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述重新上电信号，所述状态参数为以下参数中的至少一种：内存空间申请参数、数据读写时长参数以及操作命令反应参数。
进一步的，所述异常报警模块包括：
接收单元，用于接收所述状态异常信号；
计数单元，与所述接收单元相连，用于在每个统计周期内从零开始实时累计接收到所述状态异常信号的次数；
报警单元，与所述计数单元相连，用于在所述累计次数达到预定阈值时进行存储卡异常报警；以及
清零单元，与所述计数单元和报警单元相连，用于在报警单元进行存储卡异常报警后将所述计数单元统计的累计次数清零。
另一方面，为了解决进一步的上述技术问题，本发明实施例提供以下技术方案：一种存储卡管理方法，包括以下步骤：
给存储卡初始上电以及在接收到重新上电信号时重新给所述存储卡上电；
在上电后初始化存储卡的读写端口和设定存储卡的读写速度为第一预定速度，以及在接收到状态异常信号时再次初始化所述读写端口和设定存储卡的读写速度为第二预定速度，所述第一预定速度大于第二预定速度；
分别按照所述第一预定速度和第二预定速度与所述存储卡进行数据读写交互；
分别实时判断存储卡在第一预定速度和第二预定速度下的数据读写状态是否正常，并在第一预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述状态异常信号和在第二预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述重新上电信号；以及
在所述存储卡初始上电后开始实时接收所述状态异常信号及从零开始实时累计接收到所述状态异常信号的次数，并在累计次数达到预定阈值时进行存储卡异常报警，然后将所述累计次数清零进入下一统计周期。
进一步的，所述分别实时判断存储卡在第一预定速度和第二预定速度下的数据读写状态是否正常，并在第一预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述状态异常信号和在第二预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述重新上电信号具体包括：
预存所述存储卡分别在第一预定速度和第二预定速度下标准的状态参数；
分别比较第一预定速度和第二预定速度下标准的状态参数与对应存储卡返回的实际的状态参数，当标准的状态参数和实际的状态参数不同时判断数据读写状态为异常；以及
在第一预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述状态异常信号和在第二预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述重新上电信号，所述状态参数为以下参数中的至少一种：内存空间申请参数、数据读写时长参数以及操作命令反应参数。
进一步的，所述在所述存储卡初始上电后开始实时接收所述状态异常信号及从零开始实时累计接收到所述状态异常信号的次数，并在累计次数达到预定阈值时进行存储卡异常报警，然后将所述累计次数清零进入下一统计周期具体包括：
接收所述状态异常信号；
每个统计周期内从零开始实时累计接收到所述状态异常信号的次数；
在所述累计次数达到预定阈值时进行存储卡异常报警；以及
在进行存储卡异常报警后将统计的累计次数清零。
采用上述技术方案后，本发明实施例至少具有如下有益效果：本发明实施例通过首先给存储卡初始上电，再上电后初始化存储卡的读写端口和设定存储卡的读写速度为第一预定速度，再按照第一预定速度与存储卡进行数据读写交互，当在第一预定速度下判断为异常时输出状态异常信号，随即再次初始化读写端口和设定读写速度为第二预定速度，而且第一预定速度大于第二预定速度，并重复进行数据读写交互，并第二次判断，避免由于储存卡的读写性能显著下降，而被误判为异常的状况，若降速后仍判断为异常，则输出重新上电信号给存储卡上电，然后第三次判断，避免由于存储卡出现重新上电可恢复的有关故障，以尝试修复异常状况，依次循环，并最终进行存储卡异常报警，并在异常报警完成后将累计次数清零，避免后续的重复报警，能有效避免存储卡被误判为异常的状况。
附图说明
图1为本发明存储卡管理装置一个可选实施例的结构原理框图。
图2为本发明存储卡管理装置一个可选实施例状态判断模块的结构原理框图。
图3为本发明存储卡管理装置一个可选实施例异常报警模块的结构原理框图。
图4为本发明存储卡管理方法一个可选实施例的步骤流程图。
图5为本发明存储卡管理方法一个可选实施例步骤S4具体的流程图。
图6为本发明存储卡管理方法一个可选实施例步骤S5具体的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本申请作进一步详细说明。应当理解，以下的示意性实施例及说明仅用来解释本发明，并不作为对本发明的限定，而且，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合。
如图1所示，本发明一个可选实施例提供一种存储卡管理装置1，包括：
上电模块10，与存储卡3相连，用于给所述存储卡3初始上电以及在接收到重新上电信号时重新给所述存储卡3上电；
初始化模块12，与存储卡3相连，用于在上电后初始化存储卡3的读写端口和设定存储卡3的读写速度为第一预定速度，以及在接收到状态异常信号时再次初始化所述读写端口和设定存储卡3的读写速度为第二预定速度，所述第一预定速度大于第二预定速度；
数据读写模块14，与存储卡3相连，用于分别按照所述第一预定速度和第二预定速度与所述存储卡3进行数据读写交互；
状态判断模块16，与所述上电模块10、初始化模块12和数据读写模块14相连，用于分别实时判断存储卡3在第一预定速度和第二预定速度下的数据读写状态是否正常，并在第一预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述状态异常信号和在第二预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述重新上电信号；以及
异常报警模块18，与所述状态判断模块16相连，用于在所述存储卡3初始上电后开始实时接收所述状态异常信号及从零开始实时累计接收到所述状态异常信号的次数，并在累计次数达到预定阈值时进行存储卡异常报警，然后将所述累计次数清零进入下一统计周期。
本发明实施例通过首先给存储卡3初始上电，再上电后初始化存储卡3的读写端口和设定存储卡3的读写速度为第一预定速度，再按照第一预定速度与存储卡3进行数据读写交互，当在第一预定速度下判断为异常时输出状态异常信号，随即再次初始化读写端口和设定读写速度为第二预定速度，而且第一预定速度大于第二预定速度，并重复进行数据读写交互，并第二次判断，避免由于储存卡3的读写性能显著下降，而被误判为异常的状况，若降速后仍判断为异常，则输出重新上电信号给存储卡3上电，然后第三次判断，避免由于存储卡3出现重新上电可恢复的有关故障，以尝试修复异常状况，若还是判断为异常，则进行存储卡3异常报警，并在异常报警完成后将累计次数清零，避免后续的重复报警，能有效避免存储卡3被误判为异常的状况。
在本发明又一个可选实施例中，如图2所示，所述状态判断模块16包括：
预存单元161，用于预存所述存储卡3分别在第一预定速度和第二预定速度下标准的状态参数；
对比单元163，用于分别比较第一预定速度和第二预定速度下标准的状态参数与对应存储卡3返回的实际的状态参数，当标准的状态参数和实际的状态参数不同时判断数据读写状态为异常；以及
信号发生单元165，用于在第一预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述状态异常信号和在第二预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述重新上电信号，所述状态参数为以下参数中的至少一种：内存空间申请参数、数据读写时长参数以及操作命令反应参数。
本实施例通过根据所述存储卡3返回的实际的状态参数，作为判断依据，可通过将预定参数与相应的标准的状态参数进行比较，可有效的确定出存储卡3的读写状态；其中，内存空间申请参数表示存储卡的内存空间申请状态以反映存储卡的写入状态，数据读写时长参数表示存储卡数据的读取和写入是否在正常时长内以反映存储卡数据读写速度是否正常，操作命令反应参数则表示存储卡能有效的根据相应的外部指令作出的反应是否正常。
在本发明又一个可选实施例中，如图3所示，所述异常报警模块18包括：
接收单元181，用于接收所述状态异常信号；
计数单元183，与所述接收单元181相连，用于在每个统计周期内从零开始实时累计接收到所述状态异常信号的次数；
报警单元185，与所述计数单元183相连，用于在所述累计次数达到预定阈值时进行存储卡异常报警；以及
清零单元187，与所述计数单元183和报警单元185相连，用于在报警单元185进行存储卡异常报警后将所述计数单元183统计的累计次数清零。
本实施例首先通过计数单元183实时统计接收单元181接收到所述状态异常信号的实时次数，进一步通过报警单元185在累计次数达到预定阈值(例如：两次或三次等)时对应进行存储卡异常报警，可有效的在存储卡3最终被判断为异常时实现报警反馈，方便用户发现并及时维护，最后清零单元187在所述异常报警完成后将累计次数清零，避免报警完成后再次使用时次数持续累计。
另一方面，如图4所示，本发明实施例提供一种存储卡管理方法，包括以下步骤：
S1：给存储卡3初始上电以及在接收到重新上电信号时重新给所述存储卡3上电；
S2：在上电后初始化存储卡3的读写端口和设定存储卡3的读写速度为第一预定速度，以及在接收到状态异常信号时再次初始化所述读写端口和设定存储卡3的读写速度为第二预定速度，所述第一预定速度大于第二预定速度；
S3：分别按照所述第一预定速度和第二预定速度与所述存储卡3进行数据读写交互；
S4：分别实时判断存储卡3在第一预定速度和第二预定速度下的数据读写状态是否正常，并在第一预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述状态异常信号和在第二预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述重新上电信号；以及
S5：在所述存储卡3初始上电后开始实时接收所述状态异常信号及从零开始实时累计接收到所述状态异常信号的次数，并在累计次数达到预定阈值时进行存储卡异常报警，然后将所述累计次数清零进入下一统计周期。
本发明实施例通过上述方法，首先给存储卡3初始上电，再上电后初始化存储卡3的读写端口和设定存储卡3的读写速度为第一预定速度，再按照第一预定速度与存储卡3进行数据读写交互，当在第一预定速度下判断为异常时输出状态异常信号，随即再次初始化读写端口和设定读写速度为第二预定速度，而且第一预定速度大于第二预定速度，并重复进行数据读写交互，并第二次判断，避免由于储存卡3的读写性能都会显著下降，而被误判为异常的状况，若降速后仍判断为异常，则输出重新上电信号给存储卡3上电，然后第三次判断，避免由于存储卡3出现重新上电可恢复的有关故障，以尝试修复异常状况，依次循环，并最终进行存储卡3异常报警，并在异常报警完成后将累计次数清零，避免后续的重复报警，能有效避免存储卡3被误判为异常的状况。
在本发明再一个可选实施例中，如图5所示，所述步骤S4具体包括：
S41：预存所述存储卡3分别在第一预定速度和第二预定速度下标准的状态参数；
S42：分别比较第一预定速度和第二预定速度下标准的状态参数与对应存储卡3返回的实际的状态参数，当标准的状态参数和实际的状态参数不同时判断数据读写状态为异常；以及
S43：在第一预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述状态异常信号和在第二预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述重新上电信号，所述状态参数为以下参数中的至少一种：内存空间申请参数、数据读写时长参数以及操作命令反应参数。
本实施例通过上述方法，根据所述存储卡3返回的实际的状态参数，作为判断依据，可通过将预定参数与相应的标准的状态参数进行比较，可有效的确定出存储卡3的读写状态；其中，内存空间申请参数表示存储卡的内存空间申请状态以反映存储卡的写入状态，数据读写时长参数表示存储卡数据的读取和写入是否在正常时长内以反映存储卡数据读写速度是否正常，操作命令反应参数则表示存储卡能有效的根据相应的外部指令作出的反应是否正常。
在本发明另一个可选实施例中，如图6所示，所述步骤S5具体包括：
S51：接收所述状态异常信号；
S52：每个统计周期内从零开始实时累计接收到所述状态异常信号的次数；
S53：在所述累计次数达到预定阈值时进行存储卡异常报警；以及
S54：在进行存储卡异常报警后将统计的累计次数清零。
本实施例通过上述方法，首先实时统计接收到所述状态异常信号的实时次数，进一步通过在所述实时次数大于或等于两次时对应进行存储卡异常报警，可有效的在存储卡3最终被判断为异常时实现报警反馈，方便用户发现并及时维护，最后在所述异常报警完成后将累计次数清零，避免报警完成后再次使用时次数持续累计。
本发明实施例所述的功能如果以软件功能模块或单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算设备可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明实施例对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算设备(可以是个人计算机，服务器，移动计算设备或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种存储卡管理装置，其特征在于，所述装置包括：
上电模块，与存储卡相连，用于给所述存储卡初始上电以及在接收到重新上电信号时重新给所述存储卡上电；
初始化模块，与存储卡相连，用于在上电后初始化存储卡的读写端口和设定存储卡的读写速度为第一预定速度，以及在接收到状态异常信号时再次初始化所述读写端口和设定存储卡的读写速度为第二预定速度，所述第一预定速度大于第二预定速度；
数据读写模块，与存储卡相连，用于分别按照所述第一预定速度和第二预定速度与所述存储卡进行数据读写交互；
状态判断模块，与所述上电模块、初始化模块和数据读写模块相连，用于分别实时判断存储卡在第一预定速度和第二预定速度下的数据读写状态是否正常，并在第一预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述状态异常信号和在第二预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述重新上电信号；以及
异常报警模块，与所述上电模块和所述状态判断模块相连，用于在所述存储卡初始上电后开始实时接收所述状态异常信号及从零开始实时累计接收到所述状态异常信号的次数，并在累计次数达到预定阈值时进行存储卡异常报警，然后将所述累计次数清零进入下一统计周期。
2.如权利要求1所述的存储卡管理装置，其特征在于，所述状态判断模块包括：
预存单元，用于预存所述存储卡分别在第一预定速度和第二预定速度下标准的状态参数；
对比单元，用于分别比较第一预定速度和第二预定速度下标准的状态参数与对应存储卡返回的实际的状态参数，当标准的状态参数和实际的状态参数不同时判断数据读写状态为异常；以及
信号发生单元，用于在第一预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述状态异常信号和在第二预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述重新上电信号，所述状态参数为以下参数中的至少一种：内存空间申请参数、数据读写时长参数以及操作命令反应参数。
3.如权利要求1所述的存储卡管理装置，其特征在于，所述异常报警模块包括：
接收单元，用于接收所述状态异常信号；
计数单元，与所述接收单元相连，用于在每个统计周期内从零开始实时累计接收到所述状态异常信号的次数；
报警单元，与所述计数单元相连，用于在所述累计次数达到预定阈值时进行存储卡异常报警；以及
清零单元，与所述计数单元和报警单元相连，用于在报警单元进行存储卡异常报警后将所述计数单元统计的累计次数清零。
4.一种存储卡管理方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
给存储卡初始上电以及在接收到重新上电信号时重新给所述存储卡上电；
在上电后初始化存储卡的读写端口和设定存储卡的读写速度为第一预定速度，以及在接收到状态异常信号时再次初始化所述读写端口和设定存储卡的读写速度为第二预定速度，所述第一预定速度大于第二预定速度；
分别按照所述第一预定速度和第二预定速度与所述存储卡进行数据读写交互；
分别实时判断存储卡在第一预定速度和第二预定速度下的数据读写状态是否正常，并在第一预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述状态异常信号和在第二预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述重新上电信号；以及
在所述存储卡初始上电后开始实时接收所述状态异常信号及从零开始实时累计接收到所述状态异常信号的次数，并在累计次数达到预定阈值时进行存储卡异常报警，然后将所述累计次数清零进入下一统计周期。
5.如权利要求4所述的存储卡管理方法，其特征在于，所述分别实时判断存储卡在第一预定速度和第二预定速度下的数据读写状态是否正常，并在第一预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述状态异常信号和在第二预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述重新上电信号具体包括：
预存所述存储卡分别在第一预定速度和第二预定速度下标准的状态参数；
分别比较第一预定速度和第二预定速度下标准的状态参数与对应存储卡返回的实际的状态参数，当标准的状态参数和实际的状态参数不同时判断数据读写状态为异常；以及
在第一预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述状态异常信号和在第二预定速度下的数据读写状态为异常时输出所述重新上电信号，所述状态参数为以下参数中的至少一种：内存空间申请参数、数据读写时长参数以及操作命令反应参数。
6.如权利要求4所述的存储卡管理方法，其特征在于，所述在所述存储卡初始上电后开始实时接收所述状态异常信号及从零开始实时累计接收到所述状态异常信号的次数，并在累计次数达到预定阈值时进行存储卡异常报警，然后将所述累计次数清零进入下一统计周期具体包括：
接收所述状态异常信号；
每个统计周期内从零开始实时累计接收到所述状态异常信号的次数；
在所述累计次数达到预定阈值时进行存储卡异常报警；以及
在进行存储卡异常报警后将统计的累计次数清零。
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