CN112378882A - 一种基于微流通道的太赫兹超材料液相折射率传感器 - Google Patents
一种基于微流通道的太赫兹超材料液相折射率传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112378882A CN112378882A CN202011230101.XA CN202011230101A CN112378882A CN 112378882 A CN112378882 A CN 112378882A CN 202011230101 A CN202011230101 A CN 202011230101A CN 112378882 A CN112378882 A CN 112378882A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- hollowed
- refractive index
- out structure
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 43
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 14
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 16
- 210000000438 stratum basale Anatomy 0.000 description 5
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 210000003491 skin Anatomy 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3581—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation
- G01N21/3586—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation by Terahertz time domain spectroscopy [THz-TDS]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/41—Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length
Abstract
本发明属于相折射率传感器技术领域，具体涉及一种基于微流通道的太赫兹超材料液相折射率传感器，包括基底层、金属薄膜层、介质层、混合结构层、顶层薄膜层，基底层的上设置有金属薄膜层，金属薄膜层上设置有介质层，介质层上设置有混合结构层，混合结构层上设置有顶层薄膜层。本发明能在太赫兹波段实现无标记、快速响应、高精度、高灵敏度的生物液体检测。由于中心对称的结构，在电磁波以不同极化态或者大射角度入射传感结构时具有完全相同的电磁波吸收特性，并展现出极强的带宽、吸收稳定性、极化不敏感和宽角度入射的优点，能够满足各种复杂环境下生物液相传感。本发明用于生物液体的检测。
Description
技术领域
本发明属于相折射率传感器技术领域，具体涉及一种基于微流通道的太赫兹超材料液相折射率传感器。
背景技术
太赫兹波(THz)通常是指频率范围在0.1THz-10THz(波长范围在0.03mm-30mm)频段内的电磁波，与毫米波相比，太赫兹波不仅拥有更高频率，还具有贯穿能力越强、不被烟尘、微颗粒阻挡等特性，又由于太赫兹波可以提高通信的速率，有助于实现通讯、探测器件和设备的小型化、轻量化，以及它的强抗干扰能力，使电子设备在恶劣环境下的仍然能正常运行，因此，太赫兹技术在通信、成像、雷达、生物医学等方面得到了广泛的应用。
随着现代微纳制作工艺以及激光技术的飞速发展，诞生了太赫兹激发光源，而太赫兹波不仅具有微波的穿透性和光波的良好操控性，还具有瞬态性、宽带性、相干性、低能量性和强穿透性等不同于传统光源的独特性质。因此，太赫兹技术也获得了飞速的发展，成为当代科技的研究热点之一，在成像、频谱学等多个领域得到了广泛的应用。
超材料是经过设计的金属微结构按照一定的排布镶嵌在某介质材料中从而构成的亚波长人工周期性复合结构或复合材料，它的单元结构尺寸远远小于工作波长，其电磁参数主要与单元结构的谐振特性有关，具有超常的物理特性。利用电磁波在电磁超材料中的损耗制备成的吸波体因体积与质量较小、电磁参数可设计、吸收频域可靠调节等特点，广泛应用于探测、成像和电磁隐身等领域。近年来，学者纷纷尝试将太赫兹技术与超材料结构的优点相结合，成功设计了各种单频、双/多频、宽带、可调谐等太赫兹超材料结构，为通信、检测、军事等领域的发展做出了巨大贡献。
在目前的生物传感方面，对于生物目标物的识别检测方法仍然较为传统，大多都是利用标记测定的手段来实现生物液体样品的分析。这些传统的检测分析手段需要预先对样品进行修饰、标记，这种样品的预处理过程相对较为复杂、耗时较长、检测响应速度较慢，并且还有极大的风险会破坏、污染待测样品，严重影响了检测精度，从而大大限制了其应用的范围。
发明内容
针对上述目前的生物传感相对较为复杂、耗时较长、检测响应速度较慢并且还有极大的风险会破坏、污染待测样品，严重影响了检测精度的技术问题，本发明提供了一种灵敏度高、精度高、结构简易紧凑的基于微流通道的太赫兹超材料液相折射率传感器。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：
一种基于微流通道的太赫兹超材料液相折射率传感器，包括基底层、金属薄膜层、介质层、混合结构层、顶层薄膜层，所述基底层的上设置有金属薄膜层，所述金属薄膜层上设置有介质层，所述介质层上设置有混合结构层，所述混合结构层上设置有顶层薄膜层。
所述基底层的材料采用硅，所述金属薄膜层的材料采用铜，所述金属薄膜层通过磁控溅射镀膜工艺将致密的金属薄膜沉积在基底层的上表面。
所述介质层的材料采用FR-环氧玻璃板，所述介质层通过RTM闭模低压成型的方式构建在金属薄膜层的上表面。
所述混合结构层包括微流通道层、谐振金属阵列层，所述微流通道层设置在介质层与顶层薄膜层之间，所述谐振金属阵列层设置在介质层的上表面。
所述谐振金属阵列层上设置有大十字镂空结构、中十字镂空结构、小十字镂空结构，所述大十字镂空结构、中十字镂空结构、小十字镂空结构均通过磁控溅射技术与电子束光刻技术设置在谐振金属阵列层上，所述大十字镂空结构将谐振金属阵列层分成四个象限，所述大十字镂空结构的四个象限内分别设有中十字镂空结构，所述中十字镂空结构分别将大十字镂空结构的四个象限分成四个部分，所述中十字镂空结构的四个部分内分别设有小十字镂空结构。
所述顶层薄膜层的材料采用聚酰亚胺，所述聚酰亚胺采用二步法制备，所述顶层薄膜层通过流延拉伸的方式制成。
本发明与现有技术相比，具有的有益效果是：
本发明能在太赫兹波段实现无标记、快速响应、高精度、高灵敏度的生物液体检测。由于中心对称的结构，在电磁波以不同极化态或者大射角度入射传感结构时具有完全相同的电磁波吸收特性，并展现出极强的带宽、吸收稳定性、极化不敏感和宽角度入射的优点，能够满足各种复杂环境下生物液相传感，由于微流通道的存在，使得液相分析物与谐振结构在三维空间充分接触，进一步提高了传感的灵敏度与传感精度。并且本发明结构简易紧凑，对加工工艺要求较低，易于大规模集成生产。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明的俯视图；
图3为本发明在不同极化模式的电磁波吸收特性频谱图；
图4为本发明在不同入射角的电磁波吸收特性频谱图；
图5为本发明在不同折射率的液相分析物下的电磁波吸收率频谱图；
图6为本发明在不同折射率的液相分析物下的谐振频率位移图；
图7为本发明在不同折射率的液相分析物下的吸收率波动图谱；
图8为本发明在不同折射率的液相分析物下的吸收频率带宽波动图谱。
其中：1为基底层，2为金属薄膜层，3为介质层，4为混合结构层，5为顶层薄膜层，401为微流通道层，402为谐振金属阵列层，4021为大十字镂空结构，4022为中十字镂空结构，4023为小十字镂空结构。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一种基于微流通道的太赫兹超材料液相折射率传感器，如图1所示，包括基底层1、金属薄膜层2、介质层3、混合结构层4、顶层薄膜层5，基底层1的上设置有金属薄膜层2，金属薄膜层2上设置有介质层3，介质层3上设置有混合结构层4，混合结构层4上设置有顶层薄膜层5。
进一步，优选的，基底层1的材料采用硅，金属薄膜层2的材料采用铜，金属薄膜层2通过磁控溅射镀膜工艺将致密的金属薄膜沉积在基底层1的上表面。
进一步，优选的，介质层3的材料采用FR-4环氧玻璃板，介质层3通过RTM闭模低压成型的方式构建在金属薄膜层2的上表面。
进一步，混合结构层4包括微流通道层401、谐振金属阵列层402，微流通道层401设置在介质层3与顶层薄膜层5之间，谐振金属阵列层402设置在介质层3的上表面。
进一步，如图2所示，谐振金属阵列层402上设置有大十字镂空结构4021、中十字镂空结构4022、小十字镂空结构4023，大十字镂空结构4021、中十字镂空结构4022、小十字镂空结构4023均通过磁控溅射技术与电子束光刻技术设置在谐振金属阵列层402上，大十字镂空结构4021将谐振金属阵列层402分成四个象限，大十字镂空结构4021的四个象限内分别设有中十字镂空结构4022，中十字镂空结构4022分别将大十字镂空结构4021的四个象限分成四个部分，中十字镂空结构4022的四个部分内分别设有小十字镂空结构4023。
进一步，顶层薄膜层5的材料采用聚酰亚胺，聚酰亚胺采用二步法制备，顶层薄膜层5通过流延拉伸的方式制成。
本发明的工作原理为：根据等效媒质理论，传感器的层理结构具有一个等效折射率neff和等效固有频率weff，当太赫兹波入射到传感器上时，频率与等效固有频率相等的空间电磁波与传感器实现阻抗匹配，与传感器的谐振结构发生强烈的耦合，产生电磁共振，电磁波的吸收大大增强。在输出的频谱图中，吸收率最强时对应的频率为特征频率，当微流通道内的待测分析物物理状态发生变化时，其折射率的细微变化会引起传感器的等效折射率与等效固有频率的变化，阻抗重新匹配，导致特征频率发生位移，从而实现生物检测、分析的无标记、高精度、高灵敏度的目标。由于金属薄膜层的厚度远远大于电磁波趋肤深度，使得电磁波的透射几乎为零，这也简化了频谱分析，一定层度上提升了检测精度与灵敏度。
实施例
本发明的具体物理尺寸参数如下：
基底层1厚度为h1＝0.4um，金属薄膜层2厚度为h2＝0.4um，介质层厚度3为h3＝4.5um，混合结构层4厚度为h4＝1um，顶层薄膜层5厚度h5＝0.1um，混合结构层4厚度为h4的边长p＝70um，谐振金属阵列层402边缘为边长为a＝40um，谐振金属阵列层402厚度为h6＝0.4um，大十字镂空结构4021、中十字镂空结构4022、小十字镂空结构4023的镂空深度为h6＝0.4um，大十字镂空结构4021的边长b＝30um，中十字镂空结构4022的边长c＝10um，小十字镂空结构4023的边长d＝5um，所有十字镂空结构的线宽w＝2um。
使用电磁仿真软件CST STUDIO SUITE对该单元结构进行吸波仿真，分别在TE和TM极化模式下得出的吸收率曲线如图3所示，在1THz-2THz频段内出现了完美吸收峰，TE模式下的特征频率为1.426THz，吸收率为99.99％，带宽为127.6GHz，TM模式下的特征频率为1.430THz，吸收率为99.99％，带宽为126.15GHz，在不同极化模式下，传感器的吸收特性几乎没有波动，说明该传感器具有优秀的极化不敏感特性。
如图4所示，当电磁波以不同的入射角入射到传感器上时，电磁波吸收特性曲线依旧重合度高，说明在入射角范围为0°至60°之间，传感器的吸收特性对入射角变化并不敏感，因此具有优秀的宽角度入射特性，非常适用于各种极化条件和宽角度入射的电磁波环境。
如图5所示，当微流通道内的生物待测分析物的物理状态变化时，其折射率会在1-2之间的范围变化，此时，传感器平均吸收率较高，为99.98％，均在对应的谐振频率达到了完美吸收，折射率分别为1.0、1.2、1.4、1.6、1.8、2.0时，相应的特征频率分别产生了一定量的位移。
如图6所示，折射率分别为1.0、1.2、1.4、1.6、1.8、2.0时，传感器的吸收频谱中的特征频率从1.426GHz朝着低频方向位移至1.324GHz，位移量达到了102GHz，分析得到位移灵敏度为51GHz/RIU，能够实现极小的折射率变化量的检测，特征频率的位移与折射率变化呈良好的线性关系，线性拟合度为98.788％。
如图7所示，随着折射率的增加，传感器在特征频率频段一直处于完美吸收的工作状态，吸收率随着折射率的增加略微下降，折射率为1时，吸收率最大，为99.99％，折射率为2时，吸收率最小，为99.85％，吸收率的最大变化量为0.14％，在传感过程中展现了极强的吸收稳定性。
如图8所示，在生物液相分析物的折射率变化范围中，电磁波吸收带宽随折射率的增加也呈衰减趋势，但衰减幅度较小，其中折射率为1时带宽最大，为0.1276THz，折射率为2时带宽最小，为0.1102THz，带宽最大变化量为17.4GHz，说明该传感器具有超强的带宽稳定性。
综上，本发明具有高吸收率，高传感精度，高传感灵敏度的特点，在传感过程中，不会受到太赫兹波的极化模式与入射角的影响与限制，具有极化不敏感与宽角度入射的优点，能够适应各种复杂的电磁波环境并实现生物液相传感。
上面仅对本发明的较佳实施例作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变化，各种变化均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种基于微流通道的太赫兹超材料液相折射率传感器，其特征在于：包括基底层(1)、金属薄膜层(2)、介质层(3)、混合结构层(4)、顶层薄膜层(5)，所述基底层(1)的上设置有金属薄膜层(2)，所述金属薄膜层(2)上设置有介质层(3)，所述介质层(3)上设置有混合结构层(4)，所述混合结构层(4)上设置有顶层薄膜层(5)。
2.根据权利要求1所述的一种基于微流通道的太赫兹超材料液相折射率传感器，其特征在于：所述基底层(1)的材料采用硅，所述金属薄膜层(2)的材料采用铜，所述金属薄膜层(2)通过磁控溅射镀膜工艺将致密的金属薄膜沉积在基底层(1)的上表面。
3.根据权利要求1所述的一种基于微流通道的太赫兹超材料液相折射率传感器，其特征在于：所述介质层(3)的材料采用FR-4环氧玻璃板，所述介质层(3)通过RTM闭模低压成型的方式构建在金属薄膜层(2)的上表面。
4.根据权利要求1所述的一种基于微流通道的太赫兹超材料液相折射率传感器，其特征在于：所述混合结构层(4)包括微流通道层(401)、谐振金属阵列层(402)，所述微流通道层(401)设置在介质层(3)与顶层薄膜层(5)之间，所述谐振金属阵列层(402)设置在介质层(3)的上表面。
5.根据权利要求4所述的一种基于微流通道的太赫兹超材料液相折射率传感器，其特征在于：所述谐振金属阵列层(402)上设置有大十字镂空结构(4021)、中十字镂空结构(4022)、小十字镂空结构(4023)，所述大十字镂空结构(4021)、中十字镂空结构(4022)、小十字镂空结构(4023)均通过磁控溅射技术与电子束光刻技术设置在谐振金属阵列层(402)上，所述大十字镂空结构(4021)将谐振金属阵列层(402)分成四个象限，所述大十字镂空结构(4021)的四个象限内分别设有中十字镂空结构(4022)，所述中十字镂空结构(4022)分别将大十字镂空结构(4021)的四个象限分成四个部分，所述中十字镂空结构(4022)的四个部分内分别设有小十字镂空结构(4023)。
6.根据权利要求1所述的一种基于微流通道的太赫兹超材料液相折射率传感器，其特征在于：所述顶层薄膜层(5)的材料采用聚酰亚胺，所述聚酰亚胺采用二步法制备，所述顶层薄膜层(5)通过流延拉伸的方式制成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011230101.XA CN112378882A (zh) | 2020-11-06 | 2020-11-06 | 一种基于微流通道的太赫兹超材料液相折射率传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011230101.XA CN112378882A (zh) | 2020-11-06 | 2020-11-06 | 一种基于微流通道的太赫兹超材料液相折射率传感器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112378882A true CN112378882A (zh) | 2021-02-19 |
Family
ID=74578962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011230101.XA Pending CN112378882A (zh) | 2020-11-06 | 2020-11-06 | 一种基于微流通道的太赫兹超材料液相折射率传感器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112378882A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113030003A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-06-25 | 厦门大学 | 一种基于厚度复用薄层宽带太赫兹指纹痕量检测传感器 |
| CN113030006A (zh) * | 2021-03-08 | 2021-06-25 | 西南科技大学 | 具有不规则u型金属微结构的反射型太赫兹微流传感器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103499534A (zh) * | 2013-07-25 | 2014-01-08 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 高灵敏太赫兹微流通道传感器及其制备方法 |
| CN106645016A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-05-10 | 电子科技大学 | 基于l形结构超材料的透射型太赫兹微流通道传感器 |
| CN107942418A (zh) * | 2017-11-14 | 2018-04-20 | 郑州大学 | 一种基于十字形石墨烯材料的太赫兹双波带吸收器及其应用 |
| CN110854545A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-28 | 南京邮电大学 | 一种基于水银热胀冷缩调控的频带转移吸波器 |
| CN111812059A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-10-23 | 桂林电子科技大学 | 一种超材料太赫兹生物传感器及其制备方法 |
-
2020
- 2020-11-06 CN CN202011230101.XA patent/CN112378882A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103499534A (zh) * | 2013-07-25 | 2014-01-08 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 高灵敏太赫兹微流通道传感器及其制备方法 |
| WO2015010545A1 (zh) * | 2013-07-25 | 2015-01-29 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 高灵敏太赫兹微流通道传感器及其制备方法 |
| CN106645016A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-05-10 | 电子科技大学 | 基于l形结构超材料的透射型太赫兹微流通道传感器 |
| CN107942418A (zh) * | 2017-11-14 | 2018-04-20 | 郑州大学 | 一种基于十字形石墨烯材料的太赫兹双波带吸收器及其应用 |
| CN110854545A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-28 | 南京邮电大学 | 一种基于水银热胀冷缩调控的频带转移吸波器 |
| CN111812059A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-10-23 | 桂林电子科技大学 | 一种超材料太赫兹生物传感器及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| QI LI-MEI 等: "Single-layer dual-band terahertz filter with weak coupling between two neighboring cross slots", CHIN. PHYS. B, vol. 24, no. 10, pages 10782 - 1 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113030006A (zh) * | 2021-03-08 | 2021-06-25 | 西南科技大学 | 具有不规则u型金属微结构的反射型太赫兹微流传感器 |
| CN113030003A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-06-25 | 厦门大学 | 一种基于厚度复用薄层宽带太赫兹指纹痕量检测传感器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108572162B (zh) | 一种基于类电磁诱导透明效应的太赫兹波段超材料传感器 | |
| CN112378882A (zh) | 一种基于微流通道的太赫兹超材料液相折射率传感器 | |
| CN108828321B (zh) | 一种用于测量介电常数的差分微波传感器 | |
| CN112082968A (zh) | 一种太赫兹微流控传感器 | |
| CN112326589B (zh) | 一种太赫兹微流传感器 | |
| Zhang et al. | High sensitivity refractive index sensor based on metamaterial absorber | |
| CN112525852B (zh) | 一种基于开口谐振环结构的太赫兹生物传感器 | |
| CN108375556A (zh) | 一种新型高灵敏度和无标记测量单分子层的太赫兹传感器 | |
| CN111551521B (zh) | 基于太赫兹波段的超材料传感器及其使用方法 | |
| Amiri et al. | Remote water salinity sensor using metamaterial perfect absorber | |
| CN103033271B (zh) | 一种基于平面光传感与超材料的太赫兹热辐射计 | |
| CN111899820A (zh) | 一种电介质型复合吸收剂快速设计方法 | |
| CN113058668B (zh) | 一种基于电容性超材料结构的人工表面等离激元的微流控检测芯片结构及其制备、检测方法 | |
| Wan et al. | A variable refractive index sensor based on epsilon-near-zero spatial selection structure and its potential in biological detection | |
| CN106842227A (zh) | 基于零折射率超材料的精密光学测距方法 | |
| Deng et al. | A metamaterial-based absorber for liquid sensing in terahertz regime | |
| CN114778481B (zh) | 一种基于太赫兹超材料的测微传感器及检测方法 | |
| Zhang et al. | High sensitivity refractive index sensor based on frequency selective surfaces absorber | |
| CN114062301B (zh) | 一种双频带超材料太赫兹微流传感器 | |
| CN113108902B (zh) | 一种基于超材料的可调谐太赫兹探测器 | |
| CN111141686B (zh) | 物质指纹谱传感装置及测量方法 | |
| CN210269695U (zh) | 一种高灵敏度人工等离激元传感器 | |
| CN110707408A (zh) | 一种双层金属薄膜太赫兹波分器 | |
| Arbabi et al. | A terahertz plasmonic metamaterial structure for near-field sensing applications | |
| CN214703325U (zh) | 开口环阵列的GHz多频带高Q值透射型传感器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20221202 Address after: No. 3, Xueyuan Road, Taiyuan, Shanxi 030006 Applicant after: NORTH University OF CHINA Applicant after: Nantong Institute for Advanced Study Address before: 226000 building w-9, Zilang science and Technology City, central innovation District, Nantong City, Jiangsu Province Applicant before: Nantong Institute of intelligent optics, North China University |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |