CN112366447A - 天线单元和天线单元制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种天线单元和天线单元制作方法，涉及天线制作技术领域，天线单元包括天线层、芯片控制层、电磁带隙结构和馈电带线；所述天线层位于所述芯片控制层的一侧；所述电磁带隙结构位于所述天线层靠近所述芯片控制层的一侧；所述馈电带线位于所述天线层的内部，通过上述方案的设置，能够得到一种性能稳定的天线单元。

Description

天线单元和天线单元制作方法

技术领域

本申请涉及天线制作技术领域，具体而言，涉及一种天线单元和天线单元制作方法。

背景技术

在天线制作过程中，一般是将多个介质层通过压合工艺逐步形成天线层、芯片控制层等，在压合好相应的功能介质层后，一般需要对其进行打孔，以便形成能够使用的天线单元。而在现有技术中，形成天线单元的各个介质层并不具备任何实际功能，仅作为元器件的封装设置，为了防止出现耦合等情况，需要对形成的孔进行多次加工，以通过为不同的孔设置不同的深度来解决耦合等问题，而多次制孔工艺会造成天线单元的损坏，进而影响天线单元的性能。

有鉴于此，如何提供一种性能稳定的天线单元，使本领域技术人员需要解决的。

发明内容

本申请提供了一种天线单元和天线单元制作方法。

本申请的实施例可以这样实现：

第一方面，本申请提供一种天线单元，包括天线层、芯片控制层、电磁带隙结构和馈电带线；

天线层位于芯片控制层的一侧；

电磁带隙结构位于天线层靠近芯片控制层的一侧；

馈电带线位于天线层的内部。

在可选的实施方式中，电磁带隙结构包括电磁带隙接地孔和电磁带隙贴片，天线层包括第一天线介质层、第二天线介质层和第三天线介质层；

第一天线介质层、第二天线介质层和第三天线介质层依次远离芯片控制层设置；

馈电带线位于第二天线介质层和第三天线介质层之间；

电磁带隙接地孔开设于第一天线介质层；

电磁带隙贴片沿电磁带隙接地孔的边缘，设置在第一天线介质层靠近第二天线介质层的一侧；

第三天线介质层远离第一天线介质层的一侧设置有金属层。

在可选的实施方式中，天线层还包括第四天线介质层，第四天线介质层位于第三天线介质层远离第一天线介质层的一侧；

第四天线介质层开设有耦合隔离孔。

在可选的实施方式中，天线单元还包括类同轴结构，类同轴结构位于第一天线介质层和芯片控制层之间，类同轴结构用于实现天线单元的通信交互。

在可选的实施方式中，类同轴结构包括类同轴信号孔和类同轴外导体；

类同轴信号孔开设于芯片控制层、第一天线介质层和第二天线介质层；

类同轴外导体沿类同轴信号孔的开设方向贯穿芯片控制层。

在可选的实施方式中，馈电带线包括第一馈电带线和第二馈电带线，天线单元还包括天线贴片、第一耦合缝隙和第二耦合缝隙；

第一耦合缝隙与第一馈电带线、以及第二耦合缝隙与第二馈电带线，用于实现双圆极化馈电；

天线贴片位于天线层远离芯片控制层的一侧，天线贴片的贴片切角用于实现圆极化。

第二方面，本申请提供一种天线单元制作方法，用于制作形成前述实施方式中任一项的天线单元，方法包括：

提供天线层；

将馈电带线设置在天线层内部；

将电磁带隙结构设置在天线层的一侧；

将芯片控制层设置在电磁带隙结构所在的天线层的一侧。

在可选的实施方式中，将电磁带隙结构设置在天线层的一侧的步骤，包括：

在第一天线介质层上开设电磁带隙接地孔，其中，天线层包括第一天线介质层；

将电磁带隙贴片沿电磁带隙接地孔的边缘与馈电带线接触的设置在第一天线介质层的一侧，其中，电磁带隙结构包括电磁带隙接地孔和电磁带隙贴片；

将馈电带线设置在天线层内部的步骤，包括：

将第二天线介质层通过压合工艺压合至第一天线介质层上电磁带隙贴片所在的一侧；

将馈电带线设置在第二天线介质层远离第一天线介质层的一侧；提供第三天线介质层，并在第三天线介质层的一侧设置金属层，其中，天线层还包括第二天线介质层和第三天线介质层；

将第三天线介质层通过压合工艺压合至第二天线介质层远离第一天线介质层的一侧，以使馈电带线位于第二天线介质层和第三天线介质层之间。

在可选的实施方式中，在将第三天线介质层通过压合工艺压合至第二天线介质层远离第一天线介质层的一侧的步骤之后，方法还包括：

提供第四天线介质层；

通过压合工艺将第四天线介质层压合至第三天线介质层远离第二天线介质层的一侧，其中，天线层还包括第四天线介质层；

在第四天线介质层远离第三天线介质层的一侧开设耦合隔离孔。

在可选的实施方式中，在将芯片控制层设置在电磁带隙结构所在的天线层的一侧的步骤之后，方法还包括：

在芯片控制层远离第一天线介质层的一侧开设类同轴信号孔，类同轴信号孔穿过芯片控制层、第一天线介质层和第二天线介质层；

将类同轴外导体沿类同轴信号孔的开设方向贯穿设置于芯片控制层，其中，类同轴结构包括类同轴信号孔和类同轴外导体。

本申请实施例的有益效果包括，例如：采用本申请实施例提供的天线单元和天线单元制作方法，天线单元包括天线层、芯片控制层、电磁带隙结构和馈电带线；天线层位于芯片控制层的一侧；电磁带隙结构位于天线层靠近芯片控制层的一侧；馈电带线位于电磁带隙结构远离芯片控制层的一侧，通过上述方案的设置，巧妙地利用了电磁带隙结构和馈电带线，能够得到一种性能稳定的天线单元。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例提供的天线单元的一种结构示意图；

图2为本申请实施例提供的天线单元的另一种结构示意图；

图3为本申请实施例提供的天线单元的另一种视角下的局部结构示意图；

图4为本申请实施例提供的天线单元的另一种结构示意图；

图5为本申请实施例提供的天线单元的另一种视角下的另一种局部结构示意图；

图6为本申请实施例提供的天线单元的另一种结构示意图；

图7为本申请实施例提供的天线单元的另一种视角下的另一种结构示意图；

图8为本申请实施例提供的天线单元的另一种结构示意图；

图9为本申请实施例提供的天线单元制作方法的步骤流程示意图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本申请的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的特征可以相互结合。

随着通信技术的发展，天线的应用也越来越广泛，为了能满足日益增加的需求，具备轻小型、高性能、低成本等特点的相控阵天线随之出现。而相控阵天线由成千上万个天线单元组成，为了更高的集成度，往往将无源天线单元同芯片集成在一起可实现超轻薄有源相控阵，芯片贴在多层PCB板（ Printed Circuit Board，简称印制电路板）背面，因此阵面有多层PCB板实现，多层PCB板中若干层实现无源天线单元，另外若干层实现天芯片所需的控制和电源信号走线，各层之间信号连接由不同的孔完成，孔类型越多加工难度越大。

多层PCB工艺是通过先将穿过相同层几层压合在一起打通孔然后在和其他有穿过不同孔的几层压合，孔的类型越多压合次数多，但是由于压合次数不能无限加多最多建议不超过四次，所以为了降低压合次数并不是所有孔都能打通孔，而是由控深孔、背钻、铜浆烧结等工艺代替，或者一个孔分多次打，但这些工艺都由一定的缺陷，如控深孔对厚径比有要求一般为0.8，也就是说厚度越厚孔就越大，但是孔的大小是会影响天线性能，一般要求不能过大；背钻会留有一定的残桩，残桩会影响天线匹配而降低天线性能；铜浆烧结孔具有不规则性，而多次打孔会有对位不准的问题，所有这些问题都对天线性能有影响，尤其高频天线，甚至会使天线根本不能实现。且加工工艺越多成本越高。

基于此，为了解决上述问题，请参考图1，图1为本申请实施例提供的一种天线单元1的结构示意图，天线单元1包括天线层10、芯片控制层20、电磁带隙结构30和馈电带线40。

天线层10位于芯片控制层20的一侧。

电磁带隙结构30位于天线层10靠近芯片控制层20的一侧。

馈电带线40位于天线层10内部。

应当理解的是，之所以需要如前所描述的存在打孔困难的问题，其原因在于现有技术中的各个介质层（PCB板的每一层）不能对降低不同天线单元1之间的耦合现象。而在本申请实施中，提供的电磁带隙结构30可以理解为PMC（perfect magnetic conductor，简称理想磁导体），相应的，馈电带线40可以理解为PEC（Perfect Electric Conductor，简称理想电导体），PMC和PEC相结合阻止了电磁波的传递，进而抑制了不同天线单元1之间耦合现象。通过上述天线单元1，在进行后续基于多个天线单元1制作相控阵天线的过程中，不同天线单元1之间的耦合现象都会减弱，上述结构比普通的馈电结构具有更宽的带宽，因此可以提升天线性能。

在前述基础上，请结合参考图2和图3，为了能够清楚地表述本申请提供的方案，电磁带隙结构30包括电磁带隙接地孔301和电磁带隙贴片302，天线层10包括第一天线介质层101、第二天线介质层102和第三天线介质层103。

第一天线介质层101、第二天线介质层102和第三天线介质层103依次远离芯片控制层20设置。

馈电带线40位于第二天线介质层102和第三天线介质层103之间。

电磁带隙接地孔301开设于第一天线介质层101。

电磁带隙贴片302沿电磁带隙接地孔301的边缘，设置在第一天线介质层101靠近第二天线介质层102的一侧。

第三天线介质层103远离第一天线介质层101的一侧设置有金属层。

在前述基础上，第三天线介质层103远离第一天线介质层101的一侧设置有金属层，而金属层也可以理解为理想导电体，基于此，在第三天线介质层103远离第一天线介质层101的一侧至电磁带隙贴片302之间的介质层不存在电磁波的传输，因此能够后续制作各个功能的孔时无需考虑各个天线单元1之间的耦合问题，解决了现有技术中带状线结构馈电带线40上下两层均为理想导电体，由于多层介质板的每一层都很薄，形成了平板传输线结构，电磁波会在两层理想导电体之间传输，使不同天线单元1的馈电信号相互耦合，因此必须在天线之间加隔离孔的问题。

在前述基础上，请参考图4和图5，天线层10还包括第四天线介质层104，第四天线介质层104位于第三天线介质层103远离第一天线介质层101的一侧；

第四天线介质层104开设有耦合隔离孔50。

应当理解的是，如前所描述的，可以通过上述的多个天线单元1构建得到相控阵天线，而为了防止每个天线单元1之间相互影响，因此可以设置耦合隔离孔50，又由于天线单元1设置了上述电磁带隙贴片302、电磁带隙接地孔301以及金属层，因此在制作耦合隔离孔50的过程中，无需考虑耦合情况，可以再压合耦合隔离孔50后直接开设耦合隔离孔50，无需多次操作。

在前述基础上，作为一种可替换的具体实施方式，请结合参考图6，天线单元1还包括类同轴结构，类同轴结构位于第一天线介质层101和芯片控制层20之间，类同轴结构用于实现天线单元1的通信交互。

在此基础上，为了能够更加清楚的描述本方案，类同轴结构包括类同轴信号孔601和类同轴外导体602。

类同轴信号孔601开设于芯片控制层20、第一天线介质层101和第二天线介质层102。

类同轴外导体602沿类同轴信号孔601的开设方向贯穿芯片控制层20。

在本申请实施例中，为了实现芯片与天线之间的通信连接，可以设置类同轴外导体602和类同轴信号孔601构成的类同轴结构，应当理解的是，如前所描述的，芯片大多设置在整个天线单元1的背面，而天线一般设置在天线单元1的正面。在设置了前述电磁带隙贴片302、电磁带隙接地孔301以及金属层的基础上，无需担心会出现耦合问题，因此在进行制作的过程中，可以直接进行类同轴信号孔601和类同轴外导体602的设置，可选的，在压合得到芯片控制层20时，便可以直接进行类同轴外导体602的设置，无需考虑耦合情况，同时可以开设类同轴信号孔601穿过芯片控制层20、第一天线介质层101和第二天线介质层102，整个过程无需多次的压合开设，极大的减少了工艺复杂程度。

在前述基础上，请结合参考图7和图8，馈电带线40包括第一馈电带线401和第二馈电带线402，天线单元1还包括天线贴片70、第一耦合缝隙801和第二耦合缝隙802。

第一耦合缝隙801与第一馈电带线401、以及第二耦合缝隙802与第二馈电带线402，用于实现双圆极化馈电。

天线贴片70位于天线层10远离芯片控制层20的一侧，天线贴片70的贴片切角701用于实现圆极化。

应当理解的是，在本申请实施中，该天线单元1可以作为双圆极化缝隙耦合天线，可选的，可以利用第一耦合缝隙801与第一馈电带线401、以及第二耦合缝隙802与第二馈电带线402两组结合实现双圆极化馈电。如前描述的，芯片一般设置在天线单元1的背面，在此不再赘述。应当理解的是，除了实现双圆极化馈电，通过上述结构，还能够实现单元极化、单线极化、双线极化等缝隙耦合馈电天线，在此不做限制。

采用上述天线单元1，在设置了电磁带隙贴片302和电磁带隙接地孔301构成的电磁带隙结构30以及金属层组成的结构后，在后续制作天线单元1一般情况下需要配置的耦合隔离孔50、类同轴信号孔601和类同轴外导体602的过程中，不会存在各个孔之间出现耦合的情况，因此无需分多次进行加工打孔，解决了现有技术中打孔将不同天线单元1的馈电带线40围起来防止耦合，将同一天线不同极化的馈电带线40用孔隔离的问题。

本申请实施例提供一种天线单元1制作方法，用于制作形成前述的天线单元1，下面对该天线单元1制作方法进行详细的描述，请结合参考图9。

步骤S201，提供天线层10。

步骤S202，将馈电带线40设置在天线层10内部。

步骤S203，将电磁带隙结构30设置在天线层10的一侧。

步骤S204，将芯片控制层20设置在电磁带隙结构30所在的天线层10的一侧。

在前述基础上，为了能够更加清楚地描述本申请提供的方案，前述步骤S203可以由以下的方式实施。

子步骤S203-1，在第一天线介质层101上开设电磁带隙接地孔301。

其中，天线层10包括第一天线介质层101。

子步骤S203-2，将电磁带隙贴片302沿电磁带隙接地孔301的边缘与馈电带线40接触的设置在第一天线介质层101的一侧。

其中，电磁带隙结构30包括电磁带隙接地孔301和电磁带隙贴片302。

相应的，前述步骤S202可以通过以下步骤实现。

子步骤S202-1，将第二天线介质层102通过压合工艺压合至第一天线介质层101上电磁带隙贴片302所在的一侧。

子步骤S202-2，将馈电带线40设置在第二天线介质层102远离第一天线介质层101的一侧。

子步骤S202-3，提供第三天线介质层103，并在第三天线介质层103的一侧设置金属层。

其中，天线层10还包括第二天线介质层102和第三天线介质层103。

子步骤S202-4，将第三天线介质层103通过压合工艺压合至第二天线介质层102远离第一天线介质层101的一侧，以使馈电带线40位于第二天线介质层102和第三天线介质层103之间。

在前述基础上，作为一种可替换的具体实施方式，在子步骤S202-4之后，方法还包括。

子步骤S202-5，提供第四天线介质层104。

子步骤S202-6，通过压合工艺将第四天线介质层104压合至第三天线介质层103远离第二天线介质层102的一侧。

其中，天线层10还包括第四天线介质层104。

子步骤S202-7，在第四天线介质层104远离第三天线介质层103的一侧开设耦合隔离孔50。

在前述基础上，在步骤S203之后，作为一种可替换的具体实施方式，本申请实施例还提供以下实施方式。

步骤S204，在芯片控制层20远离第一天线介质层101的一侧开设类同轴信号孔601。

类同轴信号孔601穿过芯片控制层20、第一天线介质层101和第二天线介质层102。

步骤S205，将类同轴外导体602沿类同轴信号孔601的开设方向贯穿设置于芯片控制层20。

其中，类同轴结构包括类同轴信号孔601和类同轴外导体602。

除了前述步骤，本申请实施例还提供以下制作双圆极化馈电天线的示例。

在第一馈电带线401上设置第一耦合缝隙801，在第二馈电带线402上设置第二耦合缝隙802，以实现双圆极化馈电。

提供天线贴片70，对天线贴片70进行切角。

将切角后的天线贴片70装贴在天线层10远离芯片控制层20的一侧。

通过上述步骤，在设置了电磁带隙贴片302、电磁带隙接地孔301以及金属层形成的结构后，无需多次的压合、打孔操作便能够制作得到具备耦合隔离孔50、类同轴信号孔601和类同轴外导体602的天线单元1，无需考虑耦合情况，能够解决现有技术中需要多次压合加工、容易对天线结构造成损坏进而降低天线性能的问题。

作为一种可替换的具体实施方式，在制作前述制作双圆极化馈电天线的过程中，还可以先对芯片控制层20进行打孔，得到类同轴外导体602，同时对第一天线介质层101打孔得到电磁带隙接地孔301并制作电磁带隙贴片302图形，然后可以将第二天线介质层102、第一天线介质层101和芯片控制层20通过压合工艺压在在一起，并通过打孔工艺得到类同轴信号孔601，并制作第一馈电带线401图形和第二馈电带线402图形，同时在第四天线介质层104打孔，并制作第一耦合缝隙801和第二耦合缝隙802，以及天线贴片70图形。最终可以将压合好的第四天线介质层104和第三天线介质层103依次通过压合工艺再次压合得到前述的双圆极化馈电天线。应当理解的是，在本申请实施例中，所有涉及的孔仅需一次即可打造完成，也可以采取其他顺序进行制备。

综上，本申请实施例提供了一种天线单元和天线单元制作方法，天线单元包括天线层、芯片控制层、电磁带隙结构和馈电带线；天线层位于芯片控制层的一侧；电磁带隙结构位于天线层靠近芯片控制层的一侧；馈电带线位于天线层的内部，通过上述方案的设置，巧妙地利用了电磁带隙结构和馈电带线，能够降低天线加工难度,天线结构中所用孔在可接受的压合次数内均可由通孔形式实现，加工简单易实现; 降低天线成本, 降低天线加工难度可减少工艺类型，同时提高成品率，因此可降低天线成本; 提高天线性能, 所有孔在可接受的压合次数范围内都可为通孔形式进行加工，加工简单，也不会有采用其他形式孔或者工艺引起的加工误差和寄生参数，从而保证天线高性能。

以上，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种天线单元，其特征在于，包括天线层、芯片控制层、电磁带隙结构和馈电带线；

所述天线层位于所述芯片控制层的一侧；

所述电磁带隙结构位于所述天线层靠近所述芯片控制层的一侧；

所述馈电带线位于所述天线层的内部。

2.根据权利要求1所述的天线单元，其特征在于，所述电磁带隙结构包括电磁带隙接地孔和电磁带隙贴片，所述天线层包括第一天线介质层、第二天线介质层和第三天线介质层；

所述第一天线介质层、所述第二天线介质层和所述第三天线介质层依次远离所述芯片控制层设置；

所述馈电带线位于所述第二天线介质层和所述第三天线介质层之间；

所述电磁带隙接地孔开设于所述第一天线介质层；

所述电磁带隙贴片沿所述电磁带隙接地孔的边缘，设置在所述第一天线介质层靠近所述第二天线介质层的一侧；

所述第三天线介质层远离所述第一天线介质层的一侧设置有金属层。

3.根据权利要求2所述的天线单元，其特征在于，所述天线层还包括第四天线介质层，所述第四天线介质层位于所述第三天线介质层远离所述第一天线介质层的一侧；

所述第四天线介质层开设有耦合隔离孔。

4.根据权利要求2所述的天线单元，其特征在于，所述天线单元还包括类同轴结构，所述类同轴结构位于所述第一天线介质层和所述芯片控制层之间，所述类同轴结构用于实现所述天线单元的通信交互。

5.根据权利要求4所述的天线单元，其特征在于，所述类同轴结构包括类同轴信号孔和类同轴外导体；

所述类同轴信号孔开设于所述芯片控制层、第一天线介质层和第二天线介质层；

所述类同轴外导体沿所述类同轴信号孔的开设方向贯穿所述芯片控制层。

6.根据权利要求4所述的天线单元，其特征在于，所述馈电带线包括第一馈电带线和第二馈电带线，所述天线单元还包括天线贴片、第一耦合缝隙和第二耦合缝隙；

所述第一耦合缝隙与所述第一馈电带线、以及所述第二耦合缝隙与所述第二馈电带线，用于实现双圆极化馈电；

所述天线贴片位于所述天线层远离所述芯片控制层的一侧，所述天线贴片的贴片切角用于实现圆极化。

7.一种天线单元制作方法，其特征在于，用于制作形成权利要求1-6中任一项所述的天线单元，所述方法包括：

提供天线层；

将馈电带线设置在所述天线层内部；

将电磁带隙结构设置在所述天线层的一侧；

将芯片控制层设置在所述电磁带隙结构所在的所述天线层的一侧。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述将电磁带隙结构设置在所述天线层的一侧的步骤，包括：

在第一天线介质层上开设电磁带隙接地孔，其中，所述天线层包括所述第一天线介质层；

将电磁带隙贴片沿所述电磁带隙接地孔的边缘与所述馈电带线接触的设置在所述第一天线介质层的一侧，其中，所述电磁带隙结构包括所述电磁带隙接地孔和所述电磁带隙贴片；

所述将馈电带线设置在所述天线层内部的步骤，包括：

将第二天线介质层通过压合工艺压合至第一天线介质层上所述电磁带隙贴片所在的一侧；

将所述馈电带线设置在所述第二天线介质层远离所述第一天线介质层的一侧；提供第三天线介质层，并在所述第三天线介质层的一侧设置金属层，其中，所述天线层还包括所述第二天线介质层和所述第三天线介质层；

将所述第三天线介质层通过压合工艺压合至所述第二天线介质层远离所述第一天线介质层的一侧，以使所述馈电带线位于所述第二天线介质层和所述第三天线介质层之间。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述将所述第三天线介质层通过压合工艺压合至所述第二天线介质层远离所述第一天线介质层的一侧的步骤之后，所述方法还包括：

提供第四天线介质层；

通过压合工艺将所述第四天线介质层压合至所述第三天线介质层远离所述第二天线介质层的一侧，其中，所述天线层还包括所述第四天线介质层；

在所述第四天线介质层远离所述第三天线介质层的一侧开设耦合隔离孔。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述将芯片控制层设置在所述电磁带隙结构所在的所述天线层的一侧的步骤之后，所述方法还包括：

在所述芯片控制层远离所述第一天线介质层的一侧开设类同轴信号孔，所述类同轴信号孔穿过所述芯片控制层、第一天线介质层和第二天线介质层；

将类同轴外导体沿所述类同轴信号孔的开设方向贯穿设置于所述芯片控制层，其中，类同轴结构包括所述类同轴信号孔和所述类同轴外导体。

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