CN112346108A - 一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置及方法 - Google Patents
一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112346108A CN112346108A CN202011138748.XA CN202011138748A CN112346108A CN 112346108 A CN112346108 A CN 112346108A CN 202011138748 A CN202011138748 A CN 202011138748A CN 112346108 A CN112346108 A CN 112346108A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- scintillation
- ytterbium
- module
- based oxide
- detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 50
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 19
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 16
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical group COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920005372 Plexiglas® Polymers 0.000 claims 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005025 nuclear technology Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002558 medical inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
- G01T1/2023—Selection of materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/208—Circuits specially adapted for scintillation detectors, e.g. for the photo-multiplier section
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
本发明涉及闪烁探测技术领域，提供一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置及方法。基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置包括电源模块、光电探测模块、信号处理模块、内阻调节模块、高速示波器；基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测方法，包括步骤：组装镱基氧化物闪烁晶体、光导器件、光电器件，探测γ光子，将光信号转换为电信号，信号处理模块对供电电源进行各级分压，对信号进行放大、滤波和复用，内阻调节模块调节电路的内阻控制闪烁脉冲信号的幅值，高速示波器对电子学模块输出的信号进行数据采集和脉冲捕捉；基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置及方法，可以实现良好的探测性能，镱基氧化物闪烁晶体可以探测到太阳中微子。
Description
技术领域
本发明涉及一种辐射探测系统和辐射探测领域的实验技术，尤其涉及一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置及方法。
背景技术
当前，核技术快速发展并在人们的日常生活中得到了广泛应用，例如核技术应用于车站、地铁、海关等安检、工业检测、环境检测以及医疗检查等领域，核技术给我们的生活带来便利的同时，也存在着危害——核辐射，辐射不仅仅产生于与核技术相关的技术中，还有一部分来自于太阳辐射，一旦发生高剂量的核辐射事件，会对人体产生巨大的危害并且是不可逆的。因此，对核辐射剂量的探测是尤为重要的，而用于辐射探测的装置中，最重要的部件即是闪烁探测器。现在已有的各种闪烁探测器都能对核辐射进行探测，但是还没有能够对太阳中微子进行探测的闪烁探测器。
针对当前的情况，本发明提供了一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置及方法，所述闪烁探测装置采用镱基氧化物闪烁晶体，探测装置搭建简单，能够对辐射进行探测的同时，还能探测太阳辐射，对太阳中微子进行探测。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置及方法，装置提供一种快速稳定的闪烁探测器测试环境。通过电阻网络复用的方法减少电路的输出通道；采用内阻调节模块对脉冲幅值进行调控；将镱基氧化物闪烁晶体通过光导器件与光电传输器件进行耦合制成闪烁探测器，对核辐射或太阳中微子进行探测，并以波形的形式输出到示波器。
为实现上述目的，本发明提供的基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置及方法采用的方案技术是：
基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，该探测装置包括：
电源模块由输入电压和调节电压构成，用于为闪烁探测器提供高压，保证光电器件的正常工作；
电源模块采用电位器调节，可变电阻与电源模块并联，通过调节可变电阻的阻值对电源电压进行调节。
光电探测模块由镱基氧化物闪烁晶体、光导器件和光电器件构成，用于将入射辐射转换为可见光，通过光电效应将可见光转换成光电子，并将光电子进行倍增放大，得到稳定的模拟电脉冲信号；
信号处理模块由放大滤波电路、分压电路和复用电路构成，用于将电脉冲信号进行放大和滤波，对探测器的多路输出信号进行复用来减少输出通道；
高速示波器包括显示屏、操作按键和连接探头，其中连接探头包括探头头部、电缆和补偿设备，用于采集闪烁脉冲信号。
优选的，电源模块体积小，可以直接焊接在电路板上，通过电压转换插头将市电转换成直流电为电源模块供电。
优选的，光导器件采用的是有机玻璃。
优选的，光电器件采用的是可以将微弱光信号转换为电信号并加以放大的电子真空器件，光电器件选用光电倍增管、硅光电倍增管、雪崩光电二极管中的一种。
优选的，复用电路，采用电阻网络进行复用，减少探测器的输出通道数，并降低对读出电路时间分辨率的要求。
优选的，内阻调节模块由八个不同阻值的电阻并联而成，由四个八脚拨码开关控制电路，不同引脚对应不同的电阻值，拨动开关可以改变电路的内阻，从而改变脉冲幅值，得到不同参数的脉冲波形。
本发明的优点在于：
测试方法操作简单，测试过程没有复杂、难实现的步骤；
采用镱基氧化物闪烁晶体，在能够实现一般闪烁探测器的功能外，还可以对太阳中微子进行探测；
本发明采用信道复用，有效减少信号输出通道数。
附图说明
图1为本发明基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置及方法的结构框图；
图2为本发明基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置及方法的探测原理中伽玛光子对产生过程；
图3为光电倍增管的内部工作原理图；
图4为本发明基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置示意图；
图中：100、电源模块；110、输入电压；120、调节电压；200、光电探测模块；210、闪烁晶体；220、光导器件；230、光电器件；240、前置放大电路；300、信号处理模块；310、放大滤波电路；320、分压电路；330、复用电路；400、内阻调节模块；500、高速示波器；510、显示屏；520、操作按键；530、连接探头；531、探头头部；532、电缆；533、补偿设备；1、质子；2、中微子；3、正电子；4、中子；5、湮灭产生的伽玛光子对；6、可见光；7、光阴极；8、光电子；9、打拿极；10、阳极；11、信号输出端；12、八脚拨码开关；13、电压转换插头。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，其中，该装置包括：电源模块100、光电探测模块200、信号处理模块300、内阻调节模块400和高速示波器500，各个模块之间通过电缆或者电缆连接。
基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，其中电源模块100包括输入电压110和调节电压120，为闪烁探测器提供工作电压，所述电源模块100根据光电器件230的特性来进行电压值的调节。
基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，其中光电探测模块200包括闪烁晶体210、光导器件220、光电器件230和前置放大电路240；所述光电探测模块200利用电离辐射在闪烁晶体210中产生闪光来进行探测的；入射辐射射入闪烁晶体210并在闪烁晶体中损耗能量，引起闪烁原子的电离和激发，受激发电子会激发出可见光6；可见光6的光子经过光导器件220传输到光电器件230的光阴极7上，发生光电效应产生光电子8。光电子8在光电器件230内各个打拿极9之间倍增，最后倍增的电子在阳极10聚集，形成电流信号；进入信号处理电路，形成脉冲幅度与辐射射线的能量成正比电脉冲信号，输出的脉冲个数与入射的辐射射线的强度成正比。此时，形成的电脉冲信号很微弱且不稳定，因此需要前置放大电路对电脉冲信号进行放大处理，形成相对稳定的模拟脉冲信号。
基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，所述闪烁晶体采用镱基氧化物闪烁晶体，所述镱基氧化物闪烁晶体可以对核辐射进行探测，还可以探测太阳中微子；闪烁晶体的尺寸根据光电器件的感光面大小来确定，通常地，闪烁晶体的尺寸小于或等于光电器件的感光面大小，常用的闪烁晶体陈列的尺寸有6mm×6mm、13mm×13mm和26mm×26mm等大小。
基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，其中光导器件220采用的是有机玻璃，放置在闪烁晶体210和光电器件230之间，与光电器件230耦合并保护闪烁晶体210，同时将接收到的闪烁晶体210输出的可见光6输出给光电器件230。
基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，其中光电器件230采用的是可以将微弱光信号转换为电信号并加以放大的电子真空器件，例如光电倍增管、硅光电倍增管、雪崩光电二极管；光电器件230的作用是通过光电效应将光信号转换为电信号，并将微弱的电信号进行倍增。
基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，其中前置放大电路240用于将光电器件230输出的微弱的不稳定的电脉冲信号进行放大，得到稳定的模拟脉冲信号。
基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，其中信号处理模块300包括放大滤波电路310、分压电路320和复用电路330，用于对脉冲信号进行放大滤波；分压电路320根据光电器件230的电压分布特性进行电路设计，实现电阻分压以达到光电器件230各级的工作电压要求；复用电路330对光电器件230的多路输出信号进行复用，有效地减少信号的输出通道。
基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，其中内阻调节模块400是由四组八个不同阻值的电阻并联而成的电路，每组分别由一个八脚拨码开关控制，四个八脚拨码开关串联连接。
所述内阻调节模块400通过拨动八脚开关的不同的引脚来改变电路的内阻，从而改变脉冲的幅值，得到不同参数的脉冲信号。
基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，其中，高速示波器500包括显示屏510、操作按键520和连接探头530；所述高速示波器500通过连接探头530与复用电路330的输出通道相连，信号处理模块300将模拟脉冲信号输出到高速示波器显示闪烁脉冲信号。
基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测方法，其步骤包括：
S1：选择与光电器件230感光面大小相近的镱基氧化物闪烁晶体210，确定光导器件220的大小；
S2：将S1中确定的镱基氧化物闪烁晶体210和光电器件通过光导器件220进行耦合，完成探头的制备，并用黑胶带将三者粘住进行遮光处理；
S3：将电源模块100、光电探测模块200、信号处理模块300、内阻调节模块400和高速示波器500进行电气连接；
S4：根据光电器件230需要的工作电压调节电源模块100的电压值，检查电路连接无误后，打开电源模块，信号处理模块300输出信号给高速示波器500，高速示波器500开始采集脉冲；
S5：实验结束，关闭电源模块，将闪烁探测装置的电气连接线路拆除。
在上述的基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测方法中，所述闪烁晶体210与光电器件230的耦合是为了有效地把光传输给光电器件230的光阴极，减少光在闪烁晶体210与光阴极窗之间的损失。
在上述的基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测方法中，使用黑胶带是为闪烁探测器做避光处理，为了防止外界光线对闪烁探测器产生影响。
实施例1
基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置及方法，探测装置采用位置敏感型的光电倍增管R8900、6×6的镱基氧化物闪烁晶体阵列、玻璃纤维材料的光导、高速混合信号示波器和电源模块；通过专业软件Altium Designer绘制出读出电子学模块的电路板，包括放大滤波电路、分压电路和复用电路，并完成制版和焊接；
R8900的工作电源为800V，通过调节可变电阻的阻值调节电源模块的电压值；R8900的有12路阳极输出，通过电阻网络的复用电路将12路复用成4路阳极输出X-、X+、Y-和Y+，还有一路阴极输出；示波器的最高采样率为6.25GS/s。
具体步骤包括：
S1：采用位置敏感型的光电倍增管R8900与6×6的镱基氧化物闪烁晶体阵列通过光导耦合成探头，光导的材料为玻璃纤维，用黑色绝缘胶带将闪烁晶体、光导和光电倍增管粘合在一起，完成探头的制备；
S2：将探头放进探测器外壳内部，光电倍增管R8900的引脚直径为0.5mm，将光电倍增管R8900的引脚与电路板焊接；
S3：将示波器的探头头部与阳极输出端X-相连，电源模块的输入电压和调节电压与电路的正负极相连，同时检查电路板上元器件以及各个模块之间连接正常；
S4：连接电压转换插头，电源模块为系统供电，闪烁探测器测试平台开始进行测试实验，读出电子学模块将X-端产生的闪烁脉冲信号输出到示波器，示波器采集并显示闪烁脉冲；
S5：实验结束，关闭电源模块，拆除实验线路。
本发明是通过优选实施例进行描述的，本领域技术人员知悉，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对这些特征和实施例进行各种改变或等效替换。本发明不受此处所公开的具体实施例的限制，其他落入本申请的权利要求内的实施例都属于本发明保护的范围。
Claims (10)
1.一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，其特征在于，该探测装置包括：
电源模块：由输入电压和调节电压构成，用于为光电探测模块提供高压，保证光电器件的正常工作；
光电探测模块：由闪烁晶体、光导器件、光电器件和前置放大电路构成，用于将入射辐射转换为可见光，通过光电效应将可见光转换成光电子，并将光电子进行倍增放大，得到稳定的模拟电脉冲信号；
信号处理模块：由放大滤波电路、分压电路和复用电路构成，用于将电脉冲信号进行放大和滤波，对探测器的多路输出信号进行复用来减少输出通道；
内阻调节模块：由四组八个不同阻值的电阻并联而成，用于对闪烁探测装置的内阻进行调节；
高速示波器：包括显示屏、操作按键和连接探头，其中连接探头包括探头头部、电缆和补偿设备，用于采集闪烁脉冲信号。
2.根据权利要求1所述的一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，其特征在于，所述电源模块采用电位器调节电源，可变电阻与电源模块并联，通过调节可变电阻的阻值对电源电压进行调节。
3.根据权利要求2所述的一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，其特征在于，所述电源模块直接焊接在电路板上，通过电压转换插头将市电转换成直流电为光电探测模块供电。
4.根据权利要求1所述的一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，其特征在于，所述闪烁晶体为镱基氧化物闪烁晶体，可以实现良好的探测性能，所述镱基氧化物闪烁晶体能探测到太阳中微子。
5.根据权利要求4所述的一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，其特征在于，所述镱基氧化物闪烁晶体的尺寸根据光电器件的感光面大小来确定，不同的光电器件选用不同大小的镱基氧化物闪烁晶体。
6.根据权利要求5所述的一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，其特征在于，所述光导器件为有机玻璃，所述光导器件的尺寸根据镱基氧化物闪烁晶体的大小确定。
7.根据权利要求1所述的一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，其特征在于，光电器件选用光电倍增管、硅光电倍增管、雪崩光电二极管中的一种，所述光电器件将微弱光信号转换为电信号并加以放大。
8.根据权利要求1所述的一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，其特征在于，所述探测装置有五个输出通道，其中四个通道为阴极信号输出，一个通道为阳极信号输出。
9.根据权利要求1所述的一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置，其特征在于，所述内阻调节模块由八个不同阻值的电阻并联而成，由八脚拨码开关控制电路，通过连通不同阻值的电阻来改变内阻，从而调节闪烁脉冲的幅值。
10.一种应用于权利要求1-9任意一项所述的基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置的闪烁探测方法，其步骤包括：
S1：选择与光电器件感光面大小相近的镱基氧化物闪烁晶体，从而确定光导器件的大小；
S2：将S1中确定的镱基氧化物闪烁晶体和光电器件通过光导器件进行耦合，完成探头的制备，并用黑胶带将三者粘住进行遮光处理；
S3：将电源模块、光电探测模块、信号处理模块、内阻调节模块和高速示波器进行电气连接，将信号处理模块中信号输出端连接高速示波器；
S4：根据光电器件需要的工作电压调节电源模块的电压值，检查电路连接无误后，打开电源模块，信号处理模块输出信号给高速示波器，高速示波器开始采集脉冲；
S5：实验结束，关闭电源模块，将闪烁探测装置的电气连接线路拆除。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011138748.XA CN112346108A (zh) | 2020-10-22 | 2020-10-22 | 一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011138748.XA CN112346108A (zh) | 2020-10-22 | 2020-10-22 | 一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置及方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112346108A true CN112346108A (zh) | 2021-02-09 |
Family
ID=74359709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011138748.XA Pending CN112346108A (zh) | 2020-10-22 | 2020-10-22 | 一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置及方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112346108A (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5144141A (en) * | 1991-08-19 | 1992-09-01 | General Electric Company | Photodetector scintillator radiation imager |
| US20120186061A1 (en) * | 2009-05-15 | 2012-07-26 | Simonetti John J | Scintillator Crystal Materials, Scintillators And Radiation Detectors |
| CN106547017A (zh) * | 2016-11-22 | 2017-03-29 | 清华大学 | 一种复合型闪烁体γ谱仪 |
| CN110344117A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-10-18 | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 | 一种稀土离子掺杂氧化镧镥超快闪烁晶体及其制备方法和应用 |
| US20200318006A1 (en) * | 2019-04-05 | 2020-10-08 | University Of Tennessee Research Foundation | Lutetium based oxyorthosilicate scintillators codoped with transition metals |
| CN111751865A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-10-09 | 南昌大学 | 一种双时步pet扫描仪构造方法 |
| CN111751863A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-10-09 | 南昌大学 | 一种基于勒贝格采样的闪烁探测多参数仪及谱学方法 |
-
2020
- 2020-10-22 CN CN202011138748.XA patent/CN112346108A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5144141A (en) * | 1991-08-19 | 1992-09-01 | General Electric Company | Photodetector scintillator radiation imager |
| US20120186061A1 (en) * | 2009-05-15 | 2012-07-26 | Simonetti John J | Scintillator Crystal Materials, Scintillators And Radiation Detectors |
| CN106547017A (zh) * | 2016-11-22 | 2017-03-29 | 清华大学 | 一种复合型闪烁体γ谱仪 |
| US20200318006A1 (en) * | 2019-04-05 | 2020-10-08 | University Of Tennessee Research Foundation | Lutetium based oxyorthosilicate scintillators codoped with transition metals |
| CN110344117A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-10-18 | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 | 一种稀土离子掺杂氧化镧镥超快闪烁晶体及其制备方法和应用 |
| CN111751865A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-10-09 | 南昌大学 | 一种双时步pet扫描仪构造方法 |
| CN111751863A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-10-09 | 南昌大学 | 一种基于勒贝格采样的闪烁探测多参数仪及谱学方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 赵明冬 等编著: "《电子测量技术》", 31 August 2016 * |
| 钱浚霞 等编著: "《传感技术》", 31 October 1995 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Bellamy et al. | Absolute calibration and monitoring of a spectrometric channel using a photomultiplier | |
| Pichler et al. | Lutetium oxyorthosilicate block detector readout by avalanche photodiode arrays for high resolution animal PET | |
| CN102846328B (zh) | 一种数字摄影自动曝光控制装置及控制方法 | |
| CN101387548B (zh) | 单光子计数成像仪 | |
| CN103430533A (zh) | 具有改进的计数器结构的单光子计数检测器系统 | |
| CN110179485B (zh) | 一种用于pet成像系统增益调整的方法和装置 | |
| CN106501701A (zh) | 一种星敏感器光电探测器抗辐照性能的定量检测装置及方法 | |
| CN103054594B (zh) | 一种平板探测器自动触发曝光电路 | |
| Ambrosi et al. | High-density near-ultraviolet silicon photomultipliers: characterization of photosensors for Cherenkov light detection | |
| Comerma et al. | Front end ASIC design for SiPM readout | |
| CN112346108A (zh) | 一种基于镱基氧化物闪烁晶体的闪烁探测装置及方法 | |
| CN108983282B (zh) | 一种硅光电倍增管测试平台 | |
| CN109884089A (zh) | 一种x射线探测器及自动曝光监测方法 | |
| CN111948694A (zh) | 基于高速示波器的闪烁探测器测试平台及方法 | |
| CN114923590B (zh) | 一种基于光电倍增管对微弱光子的精确测量方法和系统 | |
| Zappa et al. | Single-photon avalanche diode arrays for fast transients and adaptive optics | |
| CN210982762U (zh) | 一种航空伽玛能谱仪器 | |
| CN113639862A (zh) | 一种光子数标定装置及方法 | |
| Christ et al. | Homogenization of the multichannel PM gain by inserting light attenuating masks | |
| CN219657884U (zh) | 读出电子学系统 | |
| Gemmeke et al. | Properties of a new photomultiplier optimized to good time and energy resolution for scintillation counting | |
| CN115291270B (zh) | 基于组合式SiPM阵列的低能高强度射线测量装置 | |
| Hu et al. | A SiPM-Based Wireless Neutron-Gamma Spectrometer for Remote Monitoring | |
| Yin et al. | Study on nonlinearity measurement of photomultiplier tubes by continuous neutral optical attenuator | |
| Opachich et al. | Solid state streak camera prototype electronic performance testing and characterization |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210209 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |