CN112342528A - 半导体制程机台及其应用的方法 - Google Patents

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Abstract

一种半导体制程机台及其应用的方法。半导体制程机台包含壳体、载台、气体分配喷头以及气流导引元件。壳体用以环绕反应室。载台设置于反应室且用以支撑基板。气体分配喷头设置于载台的上方且用以提供至少一第一气体，其中第一气体用以在基板上沉积而形成薄膜。气流导引元件设置于载台的下方且用以提供第二气体，其中第二气体不同于第一气体且不与第一气体反应。

Description

半导体制程机台及其应用的方法
技术领域
本揭露是关于半导体制程机台及其应用的方法。
背景技术
在半导体制程中，薄膜透过利用适当沉积方法，沉积在晶圆表面上。这些沉积方法一般用于生长氧化硅、氮化硅或多晶硅(polycrystalline silicon)，近来也用来生长金属层，如钨、钛、铜、铝与其合金，以及阻障层如氮化钛与氮化钽等。此类制程可再具有多重反应室的群集工具(cluster tools)下执行，将不同的制程整合在一个系统中，使制程之间的闲歇时间减少，以增加产能。
然而，在运行群集工具时，群集工具的反应室与缓冲室的气压可能存在差异，此差异造成晶圆转移时气体流向，进而影响群集工具中尘粒的流向。举例而言，尘粒可能累积在操作气压较低的反应室中，进而在薄膜沉积过程中造成薄膜缺陷。
发明内容
本揭露的部分实施方式提供一种半导体制程机台，包含壳体、载台、气体分配喷头以及气流导引元件。壳体用以环绕反应室。载台设置于反应室且用以支撑基板。气体分配喷头设置于载台的上方且用以提供至少一第一气体，其中第一气体用以在基板上沉积而形成薄膜。气流导引元件设置于载台的下方且用以提供第二气体，其中第二气体不同于第一气体且不与第一气体反应。
本揭露的部分实施方式提供一种半导体制程机台，包含壳体、载台、气体分配喷头、环形抽气元件以及气流导引元件。壳体用以环绕反应室，其中壳体具有晶圆通道。载台设置于反应室且用以支撑基板。气体分配喷头设置于载台的上方且用以提供至少一第一气体，其中第一气体用以在基板上沉积而形成薄膜。环形抽气元件设置于气体分配喷头的下方且位晶圆通道的上方。气流导引元件设置于晶圆通道的下方且用以提供第二气体，其中第二气体不同于第一气体且不与第一气体反应。
本揭露的部分实施方式提供一种半导体制程机台的应用方法，包含开启一反应室中的一晶圆通道的一阀件，其中该反应室中设置有一载台；在开启该晶圆通道的该阀件后，从该载台的下方导入一第一气体；以及经由该晶圆通道传送一晶圆进入或离开该反应室。
附图说明
图1是根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台的配置示意图；
图2是根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台的缓冲室与反应室的立体示意图；
图3是根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台的缓冲室与反应室的剖面示意图；
图4是根据本揭露的部分实施方式的反应室的爆炸示意图；
图5是根据本揭露的部分实施方式的反应室的部分元件的立体示意图；
图6A与图6B是根据本揭露的部分实施方式的气流导引元件的上视示意图；
图7是根据本揭露的部分实施方式的沉积薄膜的方法；
图8A至图8I为根据本揭露的部分实施方式的沉积薄膜方法的过程的示意图。
【符号说明】
100：半导体制程机台
210：壳体
212O1：开口
212O2：开口
214：晶圆通道
216：抽气口
220：晶圆载台
222：支撑柱
230：气体分配喷头
232：气体控制盘
232C：气体通道
234：阻滞板
236：气体分配板
240：抽气元件
240O：抽气环型管路
242：环件
244：底衬件
246：中衬件
248：顶衬件
248O：开口
250：气流导引元件
252C：气体通道
252：壁面
252O：出气口
260：盖体
290：控制器
310：壳体
320：抽气元件
330：气流注入元件
900：薄膜
LP：装载端口
TC：设备前端模组
LC：负载锁定室
BC：缓冲室
R1～R4：反应室
WI：晶圆进入室
WO：晶圆送出室
A1、A2：机械手臂
V1～V4：阀件
AG：反应气体
NG：气体
GL：气体管线
GS：气体供应源
GC：流量控制器
M：方法
S1～S13：步骤
W1：第一晶圆
W2：第二晶圆
具体实施方式
以下本揭露将提供许多个不同的实施方式或实施例以实现所提供的专利标的的不同特征。许多元件与设置将以特定实施例在以下说明，以简化本揭露。当然这些实施例仅用以示例而不应用以限制本揭露。举例而言，叙述「第一特征形成于第二特征上」包含多种实施方式，其中涵盖第一特征与第二特征直接接触，以及额外的特征形成于第一特征与第二特征之间而使两者不直接接触。此外，于各式各样的实施例中，本揭露可能会重复标号以及/或标注字母。此重复是为了简化并清楚说明，而非意图表明这些讨论的各种实施方式以及/或配置之间的关系。
更甚者，空间相对的词汇，例如“下层的”、“低于”、“下方”、“之下”、“上层的”、“上方”等相关词汇，于此用以简单描述元件或特征与另一元件或特征的关系，如图所示。在使用或操作时，除了图中所绘示的转向之外，这些空间相对的词汇涵盖装置的不同的转向。或者，这些装置可旋转(旋转90度或其他角度)，且在此使用的空间相对的描述语可作对应的解读。
图1是根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台100的配置示意图。半导体制程机台100可以是一群集工具(cluster tool)，包含装载端口(load port)LP、设备前端模组(Equipment Front-End Module；EFCM)TC、负载锁定(load-lock)室LC、缓冲室BC以及制程反应室R1～R4。
装载端口LP用以承载晶圆传送盒WP。晶圆传送盒WP可以装载多个晶圆，并被适当自动化搬动系统运送，例如空中单轨无人搬送系统(Overhead Hoist Transfer；OHT)。
负载锁定室LC可用以装载或卸载晶圆，举例而言，负载锁定室LC包含晶圆进入室WI、晶圆送出室WO。设备前端模组TC连接装载端口LP以及负载锁定室LC。设备前端模组TC中可设有机械手臂A1，以将晶圆从装载端口LP所承载的晶圆传送盒WP中取出而传送至负载锁定室LC的晶圆进入室WI中，也可以将晶圆从负载锁定室LC的晶圆送出室WO中取出传送到装载端口LP所承载的晶圆传送盒WP中。缓冲室BC连接负载锁定室LC以及反应室R1～R4。缓冲室BC可设有机械手臂A2，以使晶圆在负载锁定室LC以及反应室R1～R4之间传送。
于部分实施方式中，反应室R1～R4可用以进行化学气相沉积、原子层沉积、溅镀、清洗等步骤，其中化学气相沉积可以是低压化学气相沉积、电浆化学气相沉积或其他适当的制程。反应室R1～R4的数量仅为示意，不应以此数量为限。于部分实施方式中，可以设置有六个反应室连接缓冲室BC。
在制程中，为了减少不必要的气相反应，以增加晶圆上薄膜的一致性，至少部分的反应室R1～R4设计处于低压(低于环境的大气压力)的状态，下称第一预定气压，例如真空。于部分实施方式中，缓冲室BC的气压可配合反应室R1～R4的气压亦处于低压状态，下称第二预定气压。为了配合其他腔室的气压，缓冲室BC的第二预定气压可高于部分反应室R1～R4的第一预定气压。反应室R1～R4与缓冲室BC之间以真空阀件V1～V4来连接，其控制缓冲室与反应室之间的开关。举例而言，真空阀件V1～V4可以是狭缝活门(slit valve)、弹簧箱(bellow)或其他适当元件。真空阀件V1～V4可以包含适当的弹性垫片，例如橡胶垫片。
成长薄膜的步骤如下：晶圆传送盒WP中的硅晶圆经由设备前端模组TC配置到晶圆进入室WI，再由晶圆进入室WI进入缓冲室BC中，然后缓冲室BC内的机械手臂A2将晶圆送至负责薄膜沉积的制程反应室R1中。接着，缓冲室BC与制程反应室R1之间真空控制的真空阀件V1会关上，将制程反应室R1密闭，再于晶圆上进行薄膜沉积。薄膜沉积完毕后，真空阀件V1会开启，机械手臂A2将晶圆从制程反应室R1夹回缓冲室BC中，依制程需要再进入制程反应室R2、制程反应室R3或制程反应室R4，进行其他制程步骤。
在真空阀件V1开启的瞬间，由于缓冲室BC的第二预定气压高于反应室R1的第一预定气压，会产生由缓冲室BC往反应室R1的气流，此气流可能会因反应室R1内部压差而吹往反应室R1底部，造成尘粒停留在反应室R1底部而难以抽除，进而污染晶圆。这些尘粒可能是来自沉积制程副产物或真空阀件V1的弹性垫片。本揭露多个实施方式中，通过在反应室R1配置气流导引元件，以在反应室R1与缓冲室BC之间的真空阀件V1开启的瞬间，在反应室R1中由下往上供气，而形成流场向上的气流，以免尘粒累积在反应室R1的底部。
图2是根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台100的缓冲室BC与反应室R1、R2的立体示意图。半导体制程机台100包含壳体210以及壳体310。壳体210用以容纳反应室R1、R2。壳体310用以容纳缓冲室BC，壳体210、310之间设有多个晶圆通道(未绘示)以连接缓冲室BC以及各个反应室R1～R4。
图3是根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台100的缓冲室BC与反应室R1的剖面示意图。
在缓冲室BC中，半导体制程机台100包含抽气元件320以及气流注入元件330，以使缓冲室BC大致维持一稳定的气压状态，例如在例如前述的第二预定气压。抽气元件320可以经由壳体310的适当开口或通道而连接外部抽气系统(未绘示)，例如真空抽气系统。气流注入元件330经由壳体310的适当开口或通道而连接外部的气体供应源(未绘示)。
图4是根据本揭露的部分实施方式的反应室R1的爆炸示意图。同时参照图3与图4，在反应室R1中，半导体制程机台100包含晶圆载台220、气体分配喷头230、抽气元件240以及气流导引元件250。这些元件或组件受到壳体210围绕。
晶圆载台220用以承载晶圆。晶圆载台220可以包含加热板，而作为加热台使用。晶圆载台220可设置于支撑柱222上。支撑柱222可上下移动而控制晶圆载台220。举例而言，支撑柱222可穿过壳体210的开口212O1而延伸至反应室R1外，进而连接适当的机械移动装置(例如马达)。
气体分配喷头230可以设置于晶圆载台220的上方。在沉积制程中，气体分配喷头230可以向下喷射一或多种反应气体，以在晶圆上沉积形成薄膜。举例而言，当欲形成的薄膜是二氧化硅(SiO2)时，反应气体可以是硅烷(SiH4)与氧(O2)，其中硅烷可以与适当的载送气体(carrier gas)混和。举例而言，载送气体可以是氢气(H2)、氮气(N2)、氩气(Ar)等。在沉积制程之后，移除晶圆后，气体分配喷头230也可用以分配清洁气体，例如含氟气体、惰性气体或其组合，以清洁反应室R1。
具体而言，气体分配喷头230包含气体控制盘(Gax Box)232、阻滞板234以及气体分配板236。气体控制盘232具有一气体通道232C，以供应反应气体。气体控制盘232可电性连接制程控制模组，并透过质流控制器进行反应气体的流量与混合比例的控制。阻滞板234与气体分配板236可分别具有多个开口。阻滞板234的开口尺寸可相同或不同于气体分配板236的开口尺寸。阻滞板234与气体分配板236的配置使反应气体受到轻微的流量限制，使得反应气体在进入反应室R1之前进一步在阻滞板234与气体分配板236上径向地扩散。
抽气元件240设置于晶圆载台220的周围，用以抽气，以使反应室R1大致维持一稳定的气压状态。抽气元件240可以包含多个开口248O，其以环状排列设置。具体而言，抽气元件240包含环件242、底衬件244、中衬件246以及顶衬件248，这些元件装设后可形成抽气环型管路240O于其中。举例而言，顶衬件248构成此抽气环型管路240O的内壁，环件242构成此抽气环型管路240O的外壁。顶衬件248具有前述的开口248O，以使抽气元件240能大致以水平方向抽气。
于部分实施方式中，气流导引元件250设置于晶圆载台220以及抽气元件240的下方。气流导引元件250可以是一环状管路，以环绕支撑柱222。气流导引元件250可以具有适当的进气口以及出气口252O，其中气流导引元件250的进气口经由气体管线GL连接至气体供应源GS，气流导引元件250的出气口252O用以将气体排放到反应室R1。气流导引元件250可以完全位于晶圆载台220下方。举例而言，气流导引元件250的环状管路的半径小于晶圆载台220的半径。
于部分实施方式中，气流导引元件250可以接触壳体210的底壁并直接设置于壳体210的底壁上。可以透过适当的定位元件(例如凹槽、突起等)固定气流导引元件250与壳体210的位置关系。于部分实施方式中，气流导引元件250可以不直接接触壳体210的底壁，并透过其他支撑元件固定气流导引元件250与壳体210的位置关系。气流导引元件250可大致平行于壳体210的底壁，举例而言，气流导引元件250的各个出气口252O与壳体210的底壁之间的距离大致相同。于部分实施方式中，气流导引元件250可由金属(例如铝或不锈钢)、石英、陶瓷材料以及/或其他材料制成，上述材料可以承受沉积制程中的热能以及化学试剂的侵蚀。
于部分实施方式中，气流导引元件250提供的气体可以采用不易与前述反应气体发生反应的气体，例如氢气(H2)、氮气(N2)、氩气(Ar)、氦气(He)等。于部分实施方式中，气流导引元件250提供的气体可以与前述反应气体中的载送气体相同或不同。
于本实施方式中，气体管线GL穿过壳体210的开口212O2而连接气体供应源GS。于本实施方式中，开口212O2位于壳体210的底壁上。于部分其他实施方式中，开口212O2可位于壳体210的侧壁上。于部分其他实施方式中，气流导引元件250以及气体管线GL可分别连接开口212O2的两端，而使气流导引元件250以及气体管线GL不直接互相连接。于部分实施方式中，流量控制器GC可以设置于气体管线GL上，以控制供应的气体的流速，其中流量控制器GC可例如为质量流量控制器(Mass Flow Controller；MFC)。半导体制程机台100还可包含盖体260，装设于壳体210上，其可用以支撑气体分配喷头230。
半导体制程机台100可还包含控制器290。控制器290用以控制沉积制程中的多个制程条件。举例而言，控制器290连接至流量控制器GC或其他的流量控制器以控制气流导引元件250、气体分配组件230以及气流注入元件330的操作；控制器290连接至适当的抽气系统以控制抽气元件240、抽气元件320的操作；控制器290连接至适当的机械移动装置以控制晶圆载台220升降；控制器290连接至加热板以控制晶圆载台220的温度等。在部分实施方式中，控制器290为包含一或多个处理单元以及一或多个记忆体设备的电脑设备。处理单元可以以多种方式实行，例如：使用微代码或软体指令的专属硬体或通用硬体(例如：单处理器、多处理器或能够平行计算的圆形处理单元等等)以执行在此所述的功能。每一个记忆体设备可为随机存取记忆体、唯独记忆体等等。
图5是根据本揭露的部分实施方式的反应室R1的部分元件的立体示意图。壳体210可以包含抽气口216。抽气元件240可以经由壳体210的抽气口216连接一外部抽气系统(例如真空抽气系统)，以经由壳体210的抽气口216将气体排出反应室R1。具体而言，同时参照图4与图5，抽气元件240的中衬件246具有一开口，以使抽气元件240的抽气环型管路240O(参考图3)能与壳体210的抽气口216相通。于部分实施方式中，壳体210可以包含晶圆通道214以连接缓冲室BC(参考图3)。
图6A与图6B是根据本揭露的部分实施方式的气流导引元件250的上视示意图。气流导引元件250具有壁面252以构成环状气体通道252C，气体可以在环状气体通道252C中流通，并透过出气口252O而释放至反应室中。气流导引元件250的出气口252O可设置于壁面252朝外的一侧，以使气流导引元件250大致以水平方向向外喷气。出气口252O的数量可以在大约5个至大约50个之间，此数量不应用以限制本揭露的范围。出气口252O的数量若小于5个，气体分布较为不均匀，包覆范围较窄；出气口252O的数量若大于50个，则不容易设置出气口252O，可能会导致出气口252O的孔径被限缩。
在图6A中，出气口252O以均匀的分布密度设置于壁面252。两相邻的出气口252O具有夹角，其为一出气口252O的中心至气流导引元件250的中心的直线以及另一相邻的出气口252O的中心至气流导引元件250的中心的直线的夹角。举例而言，出气口252O可以采用夹角角度等差方式分布，例如以等差大约1度至大约90度的方式分布。此等差角度与出气口252O的数量相关。举例而言，当出气口252O的数量为5个时，等差夹角为72度；当出气口252O的数量为50个时，等差夹角为7.2度。
在图6B中，出气口252O在邻近壳体210的抽气口216处的分布密度较高，出气口252O在远离壳体210的抽气口216处的分布密度较低。根据抽气口216的位置调整出气口252O的分布密度，可以使反应室R1中的压力分布较为一致。举例而言，于部分实施例中，出气口252O可以采用夹角角度等比方式分布，其中相邻出气口252O的夹角角度差异由邻近抽气口216往远离抽气口216等比降低。或者，于部分实施例中，出气口252O可以采用夹角角度多阶等差方式分布，例如二阶等差方式，其中相邻出气口252O的夹角角度差异由邻近抽气口216往远离抽气口216递减。
图7是根据本揭露的部分实施方式的沉积薄膜的方法M。方法M包含步骤S1～S11。图8A至图8G为根据本揭露的部分实施方式的沉积薄膜方法的过程的示意图。
参照图7以及图8A，方法M来到步骤S1，气体分配喷头230喷出反应气体AG，以晶圆载台220所承载的第一晶圆W上，沉积完成一薄膜900。在沉积过程中，在反应室R1与缓冲室BC之间的阀件V1关闭，抽气元件240持续抽气。在沉积过程中，缓冲室BC中的气流注入元件330持续供气，缓冲室BC中的抽气元件320持续抽气，以维持缓冲室BC的气压稳定。
参照图7以及图8B，方法M来到步骤S2，将晶圆载台220向下移动至一适当位置，以准备晶圆转移。接着，进行方法M的步骤S3，使缓冲室BC中的抽气元件320停止抽气。此步骤仅为简化后续晶圆通道开启时产生的气流的可能扰乱因子。于其他部分实施方式中，可以使抽气元件320持续抽气。
参照图7以及图8C，进行方法M的步骤S4，开启控制晶圆通道214的阀件V1，与此几乎同时，通过前述流量控制器GC(参考图3)的控制，使反应室R1中的气流导引元件250开始供应气体NG。此时，会产生由缓冲室BC向反应室R1的气流。举例而言，气流由缓冲室BC中的气流注入元件330供气至被抽气元件240抽离。在此过程中，通过气流导引元件250供应气体NG，使此气流不会被带到反应室R1的底部，进而防止尘粒累积在反应室R1中。
参照图7以及图8D，进行方法M的步骤S5，通过流量控制器GC的控制，使反应室R1中的气流导引元件250停止供应气体NG(参照图8C)。在此，步骤S5可以在步骤S4后大约1至大约5秒内进行。换句话说，此气流导引元件250供应气体NG(参照图8C)的时间可能仅有大约1至大约5秒。在此时间范围内，即可达到反应室R1以及缓冲室BC之间的气流稳定而不需要再继续供气。
参照图7以及图8E，进行方法M的步骤S6，经由晶圆通道214，使用机械手臂A2从反应室R1中的晶圆载台220上取出第一晶圆W1(参照图8D)，并将其传送至缓冲室BC。接着，关闭控制晶圆通道214的阀件V1，以使缓冲室BC与反应室R1隔绝。其后，进行方法M的步骤S7，可以开启缓冲室BC中的抽气元件320，以稳定缓冲室BC内的气流。在此，机械手臂A2将第一晶圆W1(参照图8D)传送至适当位置后，可以再取得一第二晶圆，以准备传送至反应室R1。
参照图7以及图8F，进行方法M的步骤S8，待机械手臂A2准备好第二晶圆后，使缓冲室BC中的抽气元件320停止抽气，以简化后续晶圆通道开启时产生的气流的可能扰乱因子。接着，进行方法M的步骤S9，开启控制晶圆通道214的阀件V1，与此几乎同时，通过前述流量控制器GC(参考图3)的控制，使反应室R1中的气流导引元件250开始供应气体NG。此时，会产生由缓冲室BC向反应室R1的气流。举例而言，气流由缓冲室BC中的气流注入元件330供气至被抽气元件240抽离。在此过程中，通过气流导引元件250供应气体NG，使此气流不会被带到反应室R1的底部，进而防止尘粒累积在反应室R1中。
参照图7以及图8G，进行方法M的步骤S10，通过流量控制器GC的控制，使反应室R1中的气流导引元件250停止供应气体NG。如前所述，步骤S10可以在步骤S9后大约1至大约5秒内进行。在此时间范围内，即可达到反应室R1以及缓冲室BC之间的气流稳定而不需要再继续供气。
参照图7以及图8H，进行方法M的步骤S11，经由晶圆通道214，使用机械手臂A2将第二晶圆W2从缓冲室BC传送至反应室R1的晶圆载台220上。接着，关闭控制晶圆通道214的阀件V1，以使缓冲室BC与反应室R1隔绝。其后，进行方法M的步骤S12，可透过适当的抽气控制系统，使缓冲室BC中的抽气元件320开始抽气，以使缓冲室BC的气压恢复稳定。
参照图7以及图8I，进行方法M的步骤S13，将晶圆载台220向上移动至一适当位置，以在第二晶圆W2上沉积一薄膜。此沉积制程大致如同图8A的步骤S1所示，在此不再赘述。
本揭露的多个实施方式中，通过在反应室配置气流导引元件，以在反应室与缓冲室之间的真空阀件开启的瞬间，气流导引元件在反应室中由下往上供气，而形成流场向上的气流，以免尘粒累积在反应室的底部。借此，可以降低晶圆线上(inline)或离线(offline)检测的缺陷，也可以延长半导体制程机台的保养周期。
本揭露的部分实施方式提供一种半导体制程机台，包含壳体、载台、气体分配喷头以及气流导引元件。壳体用以环绕反应室。载台设置于反应室且用以支撑基板。气体分配喷头设置于载台的上方且用以提供至少一第一气体，其中第一气体用以在基板上沉积而形成薄膜。气流导引元件设置于载台的下方且用以提供第二气体，其中第二气体不同于第一气体且不与第一气体反应。
于部分实施方式中，半导体制程机台还包含支撑柱，连接该载台的下表面，其中气流导引元件环绕支撑柱。
于部分实施方式中，气流导引元件具有壁面以构成气体通道，气体通道环绕开口，气流导引元件具有多个出气口，出气口设置于壁面远离气体通道所环绕的开口的一侧。
于部分实施方式中，壳体具有抽气口，抽气口设置于气体分配喷头的下方且位于气流导引元件的上方，其中气流导引元件具有多个出气口，第一部分的出气口的密度高于第二部分的出气口的密度，其中第一部分的出气口相较第二部分的出气口更靠近壳体的抽气口。
于部分实施方式中，半导体制程机台环形抽气元件，设置于气体分配喷头的下方且位于气流导引元件的上方。
本揭露的部分实施方式提供一种半导体制程机台，包含壳体、载台、气体分配喷头、环形抽气元件以及气流导引元件。壳体用以环绕反应室，其中壳体具有晶圆通道。载台设置于反应室且用以支撑基板。气体分配喷头设置于载台的上方且用以提供至少一第一气体，其中第一气体用以在基板上沉积而形成薄膜。环形抽气元件设置于气体分配喷头的下方且位晶圆通道的上方。气流导引元件设置于晶圆通道的下方且用以提供第二气体，其中第二气体不同于第一气体且不与第一气体反应。
于部分实施方式中，气流导引元件以实质平行于该载台的上表面的方向提供该第二气体。
本揭露的部分实施方式提供一种方法，包含开启一反应室中的一晶圆通道的一阀件；在开启该晶圆通道的该阀件后，从该载台的下方导入一第一气体；以及经由该晶圆通道传送一晶圆进入或离开该反应室。
于部分实施方式中，半导体制程机台的应用方法还包含在经由晶圆通道传送晶圆进入或离开反应室之前，停止导入第一气体。
于部分实施方式中，半导体制程机台的应用方法还包含在反应室中，从载台的上方导入第二气体，以在晶圆上沉积薄膜，其中第二气体不同于第一气体，且第一气体不与第二气体反应。
以上概述多个实施方式的特征，该技术领域具有通常知识者可较佳地了解本揭露的多个态样。该技术领域具有通常知识者应了解，可将本揭露作为设计或修饰其他程序或结构的基础，以实行实施方式中提到的相同的目的以及/或达到相同的好处。该技术领域具有通常知识者也应了解，这些相等的结构并未超出本揭露的精神与范围，且可以进行各种改变、替换、转化，在此，本揭露精神与范围涵盖这些改变、替换、转化。

Claims (10)

1.一种半导体制程机台，其特征在于，包含：
一壳体，用以环绕一反应室；
一载台，设置于该反应室中且用以支撑一基板；
一气体分配喷头，设置于该载台的上方且用以提供至少一第一气体，其中该第一气体用以在该基板上沉积而形成一薄膜；以及
一气流导引元件，设置于该载台的下方且用以提供一第二气体，其中该第二气体不同于该第一气体且不与该第一气体反应。
2.根据权利要求1所述的半导体制程机台，其特征在于，还包含：
一支撑柱，连接该载台的一下表面，其中该气流导引元件环绕该支撑柱。
3.根据权利要求1所述的半导体制程机台，其特征在于，其中该气流导引元件具有一壁面以构成一气体通道，该气体通道环绕一开口，该气流导引元件具有多个出气口，所述多个出气口设置于该壁面远离该气体通道所环绕的该开口的一侧。
4.根据权利要求1所述的半导体制程机台，其特征在于，其中该壳体具有一抽气口，该抽气口设置于该气体分配喷头的下方且位于该气流导引元件的上方，其中该气流导引元件具有多个出气口，一第一部分的所述多个出气口的密度高于一第二部分的所述多个出气口的密度，其中该第一部分的所述多个出气口相较该第二部分的所述多个出气口更靠近该壳体的该抽气口。
5.根据权利要求1所述的半导体制程机台，其特征在于，还包含：
一环形抽气元件，设置于该气体分配喷头的下方且位于该气流导引元件的上方。
6.一种半导体制程机台，其特征在于，包含：
一壳体，用以环绕一反应室，其中该壳体具有一晶圆通道；
一载台，设置于该反应室中且用以支撑一基板；
一气体分配喷头，设置于该载台的上方且用以提供至少一第一气体，其中该第一气体用以在该基板上沉积而形成一薄膜；
一环形抽气元件，设置于该气体分配喷头的下方且位于于该晶圆通道的上方；以及
一气流导引元件，设置于该晶圆通道的下方且用以提供一第二气体，其中该第二气体不同于该第一气体且不与该第一气体反应。
7.根据权利要求6所述的半导体制程机台，其特征在于，其中该气流导引元件以实质平行于该载台的上表面的方向提供该第二气体。
8.一种半导体制程机台的应用方法，其特征在于，包含：
开启一反应室中的一晶圆通道的一阀件，其中该反应室中设置有一载台；
在开启该晶圆通道的该阀件后，从该载台的下方导入一第一气体；以及
经由该晶圆通道传送一晶圆进入或离开该反应室。
9.根据权利要求8所述的半导体制程机台的应用方法，其特征在于，还包含：
在经由该晶圆通道传送该晶圆进入或离开该反应室之前，停止导入该第一气体。
10.根据权利要求8所述的半导体制程机台的应用方法，其特征在于，还包含：
在该反应室中，从该载台的上方导入一第二气体，以在该晶圆上沉积一薄膜，其中该第二气体不同于该第一气体，且该第一气体不与该第二气体反应。
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