CN112331694B - 一种有机发光装置及其制造方法 - Google Patents

一种有机发光装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112331694B
CN112331694B CN201910715501.0A CN201910715501A CN112331694B CN 112331694 B CN112331694 B CN 112331694B CN 201910715501 A CN201910715501 A CN 201910715501A CN 112331694 B CN112331694 B CN 112331694B
Authority
CN
China
Prior art keywords
organic light
emitting device
layer
junction
type doped
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910715501.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112331694A (zh
Inventor
未治奎
亢澎涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd
Original Assignee
EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd filed Critical EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd
Priority to CN201910715501.0A priority Critical patent/CN112331694B/zh
Publication of CN112331694A publication Critical patent/CN112331694A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112331694B publication Critical patent/CN112331694B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供了一种有机发光装置及其制造方法，在的PD层部分或全部沉积半导体层并掺杂成PN结。本发明在有效减少环境光干扰、提升显示效果的同时减低了功耗。

Description

一种有机发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机发光体领域，具体地说，涉及一种有机发光装置及其制造方法。
背景技术
有机发光二极体(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是一种光电半导体，该技术若被用在显示应用上，亦可称为有机电激发光显示(Organic ElectroluminescenceDisplay，缩写同样是OLED)。
OLED与薄膜电晶体液晶显示器为不同类型的产品，前者具有自发光性、广视角、高对比、低耗电、高反应速率、全彩化及制程简单等优点。有机发光二极体显示器的种类可分为单色、多彩及全彩等，而其中以全彩制作技术最为困难。
有机发光二极体显示器依驱动方式的不同又可分为被动式(Passive Matrix；PMOLED)与主动式。OLED的特性是自发光，不像薄膜电晶体液晶显示器需要背光，因此可视度和亮度均高，且无视角问题，其次是驱动电压低且省电效率高，加上反应快、重量轻、厚度薄、构造简单、成本低等，被视为21世纪最具发展潜力的产品之一。
OLED显示屏在户外或其他光线较强状态下，射入面板内部的杂散光无法被有效吸收，影响显示效果。面板内的PD(pixel design，像素显示)区域的作用是定义RGB的发光材料之区域，目前主流的PD层采用有机大分子材料，仅作为像素定义区域，无法消除杂散光，更无法提供额外电能，降低功耗。
为此，本领域的技术人员致力于开发一种能有利于光的吸收，有效减少环境光干扰、提升显示效果，同时减低功耗的有机发光装置及其制造方法。
发明内容
针对现有技术中的问题，本发明的目的在于提供一种有机发光装置及其制造方法，能有效减少环境光干扰、提升显示效果，同时减低功耗。
根据本发明的一方面，提供了一种有机发光装置，所述有机发光装置的外表面包括发光区域和非发光区域，所述非发光区域上还设有光伏效应电池。
优选的：所述光伏效应电池的覆盖面积等于所述有机发光装置外表面的非发光区域的面积。
优选的：所述光伏效应电池包括相互连接形成PN结的N型掺杂的多晶硅层和P型掺杂的多晶硅层。
优选的：所述PN结的两边通过导线与负载或储能装置连接。
优选的：所述光伏效应电池的外表面上还设有若干的沟槽。
优选的：所述若干的沟槽排列呈阵列结构。
优选的：所述沟槽的宽度为0.1μm～20nm。
优选的：所述有机发光装置包括发光层和有机光阻层，所述光伏效应电池设在所述有机光阻层上。
根据本发明的另一方面，一种如上述有机发光装置的制造方法，包括以下步骤：
步骤1，在所述有机发光装置上沉积非晶硅，退火后进行P型掺杂；
步骤2，在P型掺杂的多晶硅层上沉积非晶硅，退火后进行N型掺杂，并形成PN结；
步骤3，通过光刻在N型掺杂的多晶硅层和P型掺杂的多晶硅层上得到开孔，所述开孔作为发光区域；
步骤4，在PN结的两边连接导线，在光照下便可将电能导出。
优选的：所述步骤3中还包括在N型掺杂的多晶硅层的外表面通过刻蚀制作出若干的沟槽。
本发明的一种有机发光装置及其制造方法，在有机发光装置的外表面的PD层部分或全部沉积半导体层并掺杂成PN结，在保持其像素定义功能且不影响OLED出光的同时，可以由PN结产生光生电流，可将电能进行存储或直接用于显示以及其他功能，降低功耗。同时，微纳米阵列结构相较于平面结构，具有超高的比表面积，有利于光的吸收，减少环境光干扰，提升显示效果。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显。
图1是本发明的实施例的有机发光装置的结构示意图；
图2是本发明的实施例的有机发光装置的光伏效应电池的结构示意图；
图3是本发明的实施例的有机发光装置的制造方法的步骤1和2的示意图；
图4是本发明的实施例的有机发光装置的制造方法的步骤3的示意图。
附图标记
1          发光区域
2          非发光区域
3          光伏效应电池
4          N型掺杂的多晶硅层
5          P型掺杂的多晶硅层
6          负载或储能装置
7          微纳米阵列结构
8          有机光阻层
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。
如图1中所示，在本发明的实施例中，提供了一种有机发光装置，有机发光装置的外表面包括发光区域1和非发光区域2，非发光区域2上还设有光伏效应电池3。
“光生伏特效应”，简称“光伏效应”，英文名称：Photovoltaic effect。指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。它首先是由光子(光波)转化为电子、光能量转化为电能量的过程；其次，是形成电压过程。有了电压，就像筑高了大坝，如果两者之间连通，就会形成电流的回路。太阳光或光照照在半导体p-n结上，形成新的空穴-电子对，在p-n结电场的作用下，空穴由n区流向p区，电子由p区流向n区，接通电路后就形成电流。这就是光电效应太阳能电池的工作原理。
本发明实施例中的光伏效应电池3即通过吸收光照产生电流的装置。此外，在本发明的实施例中，本发明的实施例中的“外表面”即有机发光装置的最外面的一层，可以为有机光阻层，也可以为像素定义区域。“PN结的两边”即PN结的底面和顶面，“顶”即如图1中所述的PN结的上方，“底”即如图1中所示的PN结的下方。
如图1中所示，在本发明的实施例中，光伏效应电池3部分或全部沉积在非发光区域2上，即光伏效应电池3的覆盖面积小于或等于有机发光装置外表面的非发光区域2的面积。
并结合如图2中所示，在本发明的实施例中，光伏效应电池3包括相互连接形成PN结的N型掺杂的多晶硅层4和P型掺杂的多晶硅层5，即通过PN结实现吸收光照并形成电流。
另如图1和图2中所示，在本发明的实施例中，PN结的两边通过导线与负载或储能装置6连接，通过负载或储能装置6将电流导出利用。优选与N型掺杂的多晶硅层4连接的导线为导电的透明ITO(氧化铟锡)层，与P型掺杂的多晶硅层5连接的导线为背电极。
此外，如图1和图2中所示，在本发明的实施例中，光伏效应电池3的外表面上还设有若干的沟槽，呈微纳米阵列结构7，优选沟槽的宽度为0.1μm～20nm。
如图3和图4中所示，在本发明的实施例中，一种有机发光装置的制造方法，包括以下步骤：
步骤1，如图3中所示，在有机发光装置的有机光阻层8上沉积非晶硅，退火后进行P型掺杂；优选通过ELA(excimer laser anneal，准分子激光退火)进行退火；
步骤2，如图3中所示，在P型掺杂的多晶硅层上沉积非晶硅，退火后进行N型掺杂，并形成PN结；
步骤3，如图4中所示，通过光刻在N型掺杂的多晶硅层和P型掺杂的多晶硅层上得到开孔，开孔作为发光区域1；
在N型掺杂的多晶硅层的外表面通过刻蚀制作出若干的沟槽，并形成微纳米阵列结构；优选通过金属辅助化学刻蚀法进行刻蚀。
步骤4，在PN结的两边连接导线，在光照下便可将电能导出。
本发明的实施例主要是在PD层部分或全部沉积一层半导体层，并对半导体层进行掺杂，形成PN结，同时可将PN结的上方一层刻蚀成微纳结构，并在PN结的两边加上电极，由导线连接引入负载。屏幕在太阳光照射下，PN结光伏效应产生电流，流过负载将电能进行存储或直接发电，同时降低户外环境下屏幕反射。
下面以具体的实施例描述本发明：
实施例1
如图1和图2中所示，一种有机发光装置，有机发光装置外表面的非发光区域2上设有光伏效应电池3。光伏效应电池3包括相互连接形成PN结的N型掺杂的多晶硅层4和P型掺杂的多晶硅层5。
N型掺杂的多晶硅层4通过导电的透明ITO层与负载或储能装置6连接，P型掺杂的多晶硅层5通过背电极与负载或储能装置6连接。
光伏效应电池3的外表面上，即N型掺杂的多晶硅层4上设有若干的沟槽，呈微纳米阵列结构7。
如图3和图4中所示，一种有机发光装置的制造方法，包括以下步骤：
步骤1，如图3中所示，在有机发光装置的有机光阻层8上沉积非晶硅，通过ELA退火后进行P型掺杂；
步骤2，如图3中所示，在P型掺杂的多晶硅层上沉积非晶硅，退火后进行N型掺杂，并形成PN结；
步骤3，如图4中所示，通过光刻在N型掺杂的多晶硅层和P型掺杂的多晶硅层上得到开孔，开孔作为发光区域1；
在N型掺杂的多晶硅层的外表面通过通过金属辅助化学刻蚀法刻蚀制作出若干的沟槽，并形成微纳米阵列结构；
步骤4，在PN结的两边连接导线，在光照下便可将电能导出。
综上，本发明的实施例的一种有机发光装置及其制造方法，在有机发光装置的外表面的PD层部分或全部沉积半导体层并掺杂成PN结，在保持其像素定义功能且不影响OLED出光的同时，可以由PN结产生光生电流，可将电能进行存储或直接用于显示以及其他功能，降低功耗。同时，微纳米阵列结构相较于平面结构，具有超高的比表面积，有利于光的吸收，减少环境光干扰，提升显示效果。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种有机发光装置，所述有机发光装置的外表面包括发光区域和非发光区域，其特征在于，所述非发光区域上还设有光伏效应电池，所述有机发光装置包括发光层和有机光阻层，所述光伏效应电池设在所述有机光阻层上，所述光伏效应电池包括相互连接形成PN结的N型掺杂的多晶硅层和P型掺杂的多晶硅层，所述PN结的两边通过导线与负载或储能装置连接，所述光伏效应电池的外表面上还设有若干的沟槽，所述PN结和沟槽通过在所述有机光阻层上沉积半导体层后掺杂、刻蚀后形成，所述沟槽的宽度为0.1μm～20nm。
2.根据权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于：所述光伏效应电池的覆盖面积等于所述有机发光装置外表面的非发光区域的面积。
3.根据权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于：所述若干的沟槽排列呈阵列结构。
4.一种如权利要求1所述有机发光装置的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1，在所述有机发光装置上沉积非晶硅，退火后进行P型掺杂；
步骤2，在P型掺杂的多晶硅层上沉积非晶硅，退火后进行N型掺杂，并形成PN结；
步骤3，通过光刻在N型掺杂的多晶硅层和P型掺杂的多晶硅层上得到开孔，所述开孔作为发光区域；
步骤4，在PN结的两边连接导线，在光照下便可将电能导出。
5.根据权利要求4所述的有机发光装置的制造方法，其特征在于：所述步骤3中还包括在N型掺杂的多晶硅层的外表面通过刻蚀制作出若干的沟槽。
CN201910715501.0A 2019-08-05 2019-08-05 一种有机发光装置及其制造方法 Active CN112331694B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910715501.0A CN112331694B (zh) 2019-08-05 2019-08-05 一种有机发光装置及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910715501.0A CN112331694B (zh) 2019-08-05 2019-08-05 一种有机发光装置及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112331694A CN112331694A (zh) 2021-02-05
CN112331694B true CN112331694B (zh) 2023-05-12

Family

ID=74319965

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910715501.0A Active CN112331694B (zh) 2019-08-05 2019-08-05 一种有机发光装置及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112331694B (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101226955A (zh) * 2008-01-29 2008-07-23 昆山维信诺显示技术有限公司 一种有机电致发光器件
TW200919758A (en) * 2007-10-22 2009-05-01 Univ Nat Taiwan An organic light emitting diode display device with energy-recycling capability
CN101777573A (zh) * 2009-12-25 2010-07-14 友达光电(厦门)有限公司 太阳能发光装置
CN104037189A (zh) * 2013-03-08 2014-09-10 联胜（中国）科技有限公司 具有太阳能电池的有机发光显示器
CN106409878A (zh) * 2016-11-30 2017-02-15 昆山国显光电有限公司 集成太阳能电池的oled显示装置及其制造方法及oled手表
KR20180024097A (ko) * 2016-08-26 2018-03-08 삼성디스플레이 주식회사 태양전지 복합형 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
CN109713025A (zh) * 2019-02-12 2019-05-03 北京京东方技术开发有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI290006B (en) * 2002-05-03 2007-11-11 Ritdisplay Corp A method for fabricating LTPS-OLED
US8853524B2 (en) * 2011-10-05 2014-10-07 International Business Machines Corporation Silicon solar cell with back surface field

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200919758A (en) * 2007-10-22 2009-05-01 Univ Nat Taiwan An organic light emitting diode display device with energy-recycling capability
CN101226955A (zh) * 2008-01-29 2008-07-23 昆山维信诺显示技术有限公司 一种有机电致发光器件
CN101777573A (zh) * 2009-12-25 2010-07-14 友达光电(厦门)有限公司 太阳能发光装置
CN104037189A (zh) * 2013-03-08 2014-09-10 联胜（中国）科技有限公司 具有太阳能电池的有机发光显示器
KR20180024097A (ko) * 2016-08-26 2018-03-08 삼성디스플레이 주식회사 태양전지 복합형 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
CN106409878A (zh) * 2016-11-30 2017-02-15 昆山国显光电有限公司 集成太阳能电池的oled显示装置及其制造方法及oled手表
CN109713025A (zh) * 2019-02-12 2019-05-03 北京京东方技术开发有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112331694A (zh) 2021-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2020024858A1 (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
US8194197B2 (en) Integrated display and photovoltaic element
KR100840098B1 (ko) 유기전계발광 소자 및 그의 제조 방법
CN103928474B (zh) 一种阵列基板及其制备方法和显示面板
CN110048005A (zh) 一种oled显示器件及其制备方法
JP2016105377A (ja) 表示装置
US20160181330A1 (en) Transparent display device and manufacturing method thereof
EP1865560B1 (en) Organic light-emitting display device
KR101176132B1 (ko) 고효율 실리콘 박막형 태양전지
CN105070218A (zh) 太阳能显示屏以及太阳能手机
CN103700691B (zh) 显示基板及显示装置
KR20110070167A (ko) 유기전계 발광소자
US9831826B2 (en) Display substrate and display device
CN112331694B (zh) 一种有机发光装置及其制造方法
CN210325840U (zh) 全集成硅显示器中的反向发光器件
US11315984B2 (en) Color filter substrate, manufacturing method thereof, and OLED display device
KR101649229B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
CN111293154A (zh) 显示面板及显示装置
CN110071122B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
KR101060024B1 (ko) 반도체 장치
CN111146233B (zh) 显示装置
CN108550613B (zh) 一种显示模组
CN101707220B (zh) 平面式排布的pn结阵列器件
CN221043682U (zh) 显示面板装置及电子设备
CN203760477U (zh) 一种阵列基板和显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 1568 Jiugong Road, Jinshan Industrial Zone, Jinshan District, Shanghai, 201506

Applicant after: Shanghai Hehui optoelectronic Co.,Ltd.

Address before: 1568 Jiugong Road, Jinshan District, Shanghai, 201506

Applicant before: EVERDISPLAY OPTRONICS (SHANGHAI) Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant