CN112329218A - 芯片稳态温度计算方法、装置及电子设备 - Google Patents

芯片稳态温度计算方法、装置及电子设备 Download PDF

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CN112329218A CN202011153919.6A CN202011153919A CN112329218A CN 112329218 A CN112329218 A CN 112329218A CN 202011153919 A CN202011153919 A CN 202011153919A CN 112329218 A CN112329218 A CN 112329218A
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Abstract

本公开实施例中提供了一种芯片稳态温度计算方法、装置及电子设备，属于数据处理技术领域。所述方法包括：获取芯片的损耗信号对应的损耗波形；建立芯片对应的热模型；在周期内对热模型进行时域迭代计算，得到对应的所述热模型中各个热容上的温度；取周期的最后时刻，根据预设算法得到计算结果；将计算结果作为热模型中各个热容的初始值，在另一个周期内进行时域迭代计算，获取芯片的稳态时温度波形。通过在损耗信号的一个周期内，对热模型进行时域迭代计算，并将计算结果作为热模型的个时间常数环节的热容的初始值之后，重新在另一个周期内进行时域迭代计算，从而得到芯片的稳态时温度波形，在不需要占用大内存的函数库支持下，提高了计算效率。

Description

芯片稳态温度计算方法、装置及电子设备
技术领域
本公开涉及数据处理技术领域，尤其涉及一种芯片稳态温度计算方法、装置及电子设备。
背景技术
目前，随着社会的发展，绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor，简称IGBT)作为一种常见的电力电子器件，广泛用于各种电力转换场合，包括电机驱动、电源转换、新能源发电等。在设计过程中，需要根据应用场合的负载特性，通过芯片稳态温度计算方法计算IGBT芯片的温度波形，得到IGBT芯片能够耐受的最高温度，以防止超过芯片耐受最高温度而损坏 IGBT器件，但是现有的芯片稳态温度计算方法为了同时兼顾小步长和大窗口，需要在多个时间窗口内设置采样点，导致计算效率低下，或者需要程序熟悉函数库支持计算，导致内存占用变大。
可见，现有的芯片稳态温度计算方法存在计算效率较低或者内存占用较大的问题。
发明内容
有鉴于此，本公开实施例提供一种芯片稳态温度计算方法、装置及电子设备，至少部分解决现有技术中存在的问题。
第一方面，本公开实施例提供了一种芯片稳态温度计算方法，包括：
获取芯片的损耗信号对应的损耗波形；
建立所述芯片对应的热模型，并将所述热模型的初始值设置为0；
根据所述损耗波形选取一个周期，在所述周期内对所述热模型进行时域迭代计算，得到所述周期对应的所述热模型中各个热容上的温度；
取所述周期的最后时刻，根据预设算法对所述最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度进行计算，得到所述计算结果；
将所述计算结果作为所述热模型中各个热容的初始值，在另一个所述周期内进行时域迭代计算，获取所述芯片的稳态时温度波形。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述在所述周期内对所述热模型进行时域迭代计算，得到所述周期对应的所述热模型中各个热容上的温度的步骤，包括：
在所述周期内均匀设置多个采样点；
时域迭代计算每个所述采样点对应的所述热模型中各个热容上的温度。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述时域迭代计算每个所述采样点对应的所述热模型中各个热容上的温度的步骤，包括：
根据所述损耗信号对应的损耗波形提取每个所述采样点对应的损耗值；
根据每个所述采样点对应的损耗值以及每两个相邻所述采样点之间的时长，从所述周期的0时刻开始时域迭代计算每个所述采样点对应的所述热模型中各个热容上温度。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述取所述周期的最后时刻，根据预设算法对所述最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度进行计算，得到所述计算结果的步骤，包括：
根据所述每个采样点对应的所述热模型中各个热容上的温度获取所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度；
对所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度进行指数运算，得到所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度的计算结果。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述对所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度进行指数运算，得到所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度的计算结果的步骤，包括：
根据
Figure RE-GDA0002859265940000031
计算得到所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度，其中，τ为各个热容自身的热时间常数。
第二方面，本公开实施例提供了一种芯片稳态温度计算装置，包括：
第一获取模块，用于获取芯片的损耗信号对应的损耗波形；
建立模块，用于建立所述芯片对应的热模型，并将所述热模型的初始值设置为0；
第一计算模块，用于根据所述损耗波形选取一个周期，在所述周期内对所述热模型进行时域迭代计算，得到所述周期对应的所述热模型中各个热容上的温度；
第二计算模块，用于取所述周期的最后时刻，根据预设算法对所述最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度进行计算，得到所述计算结果；
第二获取模块，用于将所述计算结果作为所述热模型中各个热容的初始值，在另一个所述周期内进行时域迭代计算，获取所述芯片的稳态时温度波形。
根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述第一计算模块用于：
在所述周期内均匀设置多个采样点；
时域迭代计算每个所述采样点对应的所述热模型中各个热容上的温度。
第三方面，本公开实施例还提供了一种电子设备，该电子设备包括：
至少一个处理器；以及，
与该至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
该存储器存储有可被该至少一个处理器执行的指令，该指令被该至少一个处理器执行，以使该至少一个处理器能够执行前述第一方面或第一方面的任一实现方式中的芯片稳态温度计算方法。
第四方面，本公开实施例还提供了一种非暂态计算机可读存储介质，该非暂态计算机可读存储介质存储计算机指令，该计算机指令用于使该计算机执行前述第一方面或第一方面的任一实现方式中的芯片稳态温度计算方法。
第五方面，本公开实施例还提供了一种计算机程序产品，该计算机程序产品包括存储在非暂态计算机可读存储介质上的计算程序，该计算机程序包括程序指令，当该程序指令被计算机执行时，使该计算机执行前述第一方面或第一方面的任一实现方式中的芯片稳态温度计算方法。
本公开实施例中的芯片稳态温度计算方案，包括：获取芯片的损耗信号对应的损耗波形；建立所述芯片对应的热模型，并将所述热模型的初始值设置为 0；根据所述损耗波形选取一个周期，在所述周期内对所述热模型进行时域迭代计算，得到所述周期对应的所述热模型中各个热容上的温度；取所述周期的最后时刻，根据预设算法对所述最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度进行计算，得到所述计算结果；将所述计算结果作为所述热模型中各个热容的初始值，在另一个所述周期内进行时域迭代计算，获取所述芯片的稳态时温度波形。通过在损耗信号的一个周期内，对热模型进行时域迭代计算，并将计算结果作为热模型的个时间常数环节的热容的初始值之后，重新在另一个周期内进行时域迭代计算，从而得到芯片的稳态时温度波形，在不需要占用大内存的函数库支持下，提高了计算效率。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本公开实施例提供的一种芯片稳态温度计算方法的流程示意图；
图2为本公开实施例提供的一种芯片稳态温度计算方法涉及的热模型的结构示意图；
图3为一种现有的芯片稳态温度计算方法的稳态温度波形示意图；
图4为本公开实施例提供的一种芯片稳态温度计算方法涉及的稳态温度波形示意图；
图5为本公开实施例提供的一种芯片稳态温度计算装置的结构示意图；
图6为本公开实施例提供的电子设备示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本公开实施例进行详细描述。
以下通过特定的具体实例说明本公开的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本公开的其他优点与功效。显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。本公开还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本公开的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
需要说明的是，下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。应显而易见，本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中，且本文中所描述的任何特定结构及/或功能仅为说明性的。基于本公开，所属领域的技术人员应了解，本文中所描述的一个方面可与任何其它方面独立地实施，且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说，可使用本文中所阐述的任何数目个方面来实施设备及/或实践方法。另外，可使用除了本文中所阐述的方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性实施此设备及/或实践此方法。
还需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本公开的基本构想，图式中仅显示与本公开中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
另外，在以下描述中，提供具体细节是为了便于透彻理解实例。然而，所属领域的技术人员将理解，可在没有这些特定细节的情况下实践所述方面。
目前，随着社会的发展，绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor，简称IGBT)作为一种常见的电力电子器件，广泛用于各种电力转换场合，包括电机驱动、电源转换、新能源发电等。在设计过程中，需要根据应用场合的负载特性，通过芯片稳态温度计算方法计算IGBT芯片的温度波形，得到IGBT芯片能够耐受的最高温度，以防止超过芯片耐受最高温度而损坏 IGBT器件，但是现有的芯片稳态温度计算方法为了同时兼顾小步长和大窗口，需要在多个时间窗口内设置采样点，导致计算效率低下，或者需要程序熟悉函数库支持计算，导致内存占用变大。本公开实施例提供一种可以用于电力电子器件生产场景中检测芯片耐受最高温度过程的芯片稳态温度计算方法。本实施例提供的芯片稳态温度计算方法可以由一计算装置来执行，该计算装置可以实现为软件，或者实现为软件和硬件的组合，该计算装置可以集成设置在服务器、终端设备等中。
参见图1，为本公开实施例提供的一种芯片稳态温度计算方法的流程示意图。如图1所示，所述方法主要包括以下步骤：
S101，获取芯片的损耗信号对应的损耗波形；
根据应用场合的负载特性，例如根据电压或者电路，并结合调制方式，可以计算得到所述芯片的损耗信号对应的波形。例如，损耗信号频率为交流电输出频率的周期函数，则可以计算所述损耗信号在一秒内的波形。
S102，建立所述芯片对应的热模型，并将所述热模型的初始值设置为0；
可以通过数据手册或者预设的实验样本建立所述芯片对应的热模型，并将所述热模型的初始值设置为0，以便于后续针对所述芯片的稳态温度进行计算时得到的数据准确。例如，如图2所示，可以采用若干热阻、热容组合成所述热模型。
S103，根据所述损耗波形选取一个周期，在所述周期内对所述热模型进行时域迭代计算，得到所述周期对应的所述热模型中各个热容上的温度；
得到所述损耗波形之后，根据所述损耗波形选取一个周期，在所述周期内对所述热模型进行时域迭代计算，得到所述周期对应的芯片热容上的温度。
例如，损耗信号频率为交流电输出频率的周期函数，则所述损耗信号的一个周期为20毫秒，则可以在20毫秒的时间内，对所述热模型进行时域迭代计算，得到0至20毫秒内对应的所述热模型中各个热容上的温度变化。需要说明的是，所述周期的时间可以为所述损耗上任意选取的一个周期。同时，所述热模型中通常含有多个时间常数的环节，假定τ1<τ2<…<τN。τ1计通常用于描述所述芯片处的热模型，常见1毫秒。最大的τN通常用于描述散热器处的时间常数，水冷散热器一般为秒数量级，空冷散热器一般为百秒数量级。假定此处有τ1，τ22个时间常数的环节，假定τ1＝1毫秒，τ2＝1000毫秒。
S104，取所述周期的最后时刻，根据预设算法对所述最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度进行计算，得到计算结果；
每个所述芯片对应的热模型可以有对应的预设算法，在所述周期的最后时刻，根据预设算法对所述最后时刻对应的热模型的热容上的温度进行计算，得到计算结果。需要说明的是，所述热模型中通常含有多个时间常数的环节，在计算时需要分别计算各个时间常数环节的热容上的温度，得到所述计算结果。
S105，将所述计算结果作为所述热模型中各个热容的初始值，在另一个所述周期内进行时域迭代计算，获取所述芯片的稳态时温度波形。
考虑到现有的稳态温度计算方法，进行时域迭代计算的时间长度由所述热模型的最大时间常数环节决定，导致计算量增大，如图3所示，若所述热模型的最大时间常数环节为1000毫秒，则需要对0至1000毫秒内的所述热模型的各个时间常数环节的各个热容上的温度进行计算。
如图4所示，在对所述热模型上各个时间常数环节的热容对应的温度进行计算，得到所述计算结果后，将每个所述计算结果作为所述热模型中对应的热容的初始值，然后重新选取一个周期时间，在另一个所述周期内进行时域迭代计算，获取所述芯片的稳态时温度波形。
本公开实施例提供的芯片稳态温度计算方法，通过在损耗信号的一个周期内，对热模型进行时域迭代计算，并将计算结果作为热模型的个时间常数环节的热容的初始值之后，重新在另一个周期内进行时域迭代计算，从而得到芯片的稳态时温度波形，在不需要占用大内存的函数库支持下，提高了计算效率。
在上述实施例的基础上，步骤S103所述的，在所述周期内对所述热模型进行时域迭代计算，得到所述周期对应的所述热模型中各个热容上的温度，包括：
在所述周期内均匀设置多个采样点；
时域迭代计算每个所述采样点对应的所述热模型中各个热容上的温度。
考虑到在对所述周期内进行时域迭代计算得到对应的所述热模型中各个热容上的温度，需要多次计算才能保证精确度，可以在所述周期内均匀设置多个采样点，以保证全部所述采样点之间的时间间隔相同，再时域迭代计算每个所述采样点对应的芯片热容上的温度，并根据全部所述采样点对应的所述热模型中各个热容上的温度形成温度波形。
例如，所述周期为20毫秒，为了保证计算精度，可以在所述周期内设置 10个所述采样点，则全部采样点之间的时间间隔为2毫秒，当然，也可以根据实际需要增加或减少所述采样点。
可选的，所述时域迭代计算每个所述采样点对应的所述热模型中各个热容上的温度的步骤，包括：
根据所述损耗信号对应的损耗波形提取每个所述采样点对应的损耗值；
根据每个所述采样点对应的损耗值以及每两个相邻所述采样点之间的时长，从所述周期的0时刻开始时域迭代计算每个所述采样点对应的所述热模型中各个热容上温度。
在一个所述周期内设置好所述采样点后，根据每个所述采样点对应的时间点，从所述损耗信号对应的损耗波形内提取与每个所述采样点对应的时间点对应的损耗值，然后将所述损耗值作为激励，代入所述热模型内，并根据根据每个所述采样点对应的损耗值以及每两个相邻所述采样点之间的时长，从所述周期的0时刻开始时域迭代计算每个所述采样点对应的所述热模型中各个热容上温度，并可以根据计算得到的全部所述采样点对应的所述热模型中各个热容上温度形成温度波形。
在一种具体实施方法中，从0时刻开始时域迭代计算，按照
Figure RE-GDA0002859265940000091
具体地可以用离散方式积分获得，取当前时刻的损耗值，令为power(n)，则
Figure RE-GDA0002859265940000092
Figure RE-GDA0002859265940000093
当前时刻的半导体温度为V(n)＝Vc1(n)+Vc2(n)+Vref(n)，根据全部所述采样点之间的间隔时长，计算到本时间窗口结束，从而得到全部所述采样点对应的芯片热容上温度形成温度波形。
在上述实施例的基础上，步骤S104所述的，取所述周期的最后时刻，根据预设算法对所述最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度进行计算，得到计算结果，包括：
根据所述每个采样点对应的所述热模型中各个热容上的温度获取所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度；
对所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度进行指数运算，得到所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度的计算结果。
可选的，所述对所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度进行指数运算，得到所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度的计算结果的步骤，包括：
根据
Figure RE-GDA0002859265940000094
计算得到所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度，其中，τ为各个热容自身的热时间常数。
在计算得到全部所述采样点对应的芯片热容上的温度波形之后，可以获取所述周期的最后时刻对应的芯片各个时间常数环节的热容上的温度，然后根据公式
Figure RE-GDA0002859265940000095
计算得到所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度，得到所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度的计算结果。
在一种具体实施方式中，可以在所述损耗信号的一个所述周期T内，对所述热模型进行时域迭代计算，在t＝T的时刻，取各个时间常数环节的热容上的温度，其中，Yn(T),N＝1,2,3，……，n，做指数运算
Figure RE-GDA0002859265940000101
然后将 Yn(∞)代入作为各时间常数环节的热容的初始值，再对所述热模型时域迭代计算一个所述周期时间，在此所述周期内得到的波形即为稳态时温度的波形。
例如，若所述热模型的最大时间常数环节为1000毫米，所述损耗信号的周期为20毫秒，一个所述周期内设置的采样点为10个，取热容C1上的T时刻的温度，Y1(T)＝104，计算得到Y1(∞)＝120，取热容C2上的T时刻的温度， Y2(T)＝39，计算得到Y2(∞)＝216，然后将Y1(∞)，Y2(∞)分别作为C1，C2 的初始值，重新代入1个T＝20毫秒的时间窗口的时域迭代计算，得到的波形。此波形和完整计算全时长0～1000毫秒时间窗口的980毫秒～1000毫秒的波形一致，即为稳态温度波形。
与上面的方法实施例相对应，参见图5，本公开实施例还提供了一种芯片稳态温度计算装置50，包括：
第一获取模块501，用于获取芯片的损耗信号对应的损耗波形；
建立模块502，用于建立所述芯片对应的热模型，并将所述热模型的初始值设置为0；
第一计算模块503，用于根据所述损耗波形选取一个周期，在所述周期内对所述热模型进行时域迭代计算，得到所述周期对应的所述热模型中各个热容上的温度；
第二计算模块504，用于取所述周期的最后时刻，根据预设算法对所述最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度进行计算，得到所述计算结果；
第二获取模块505，用于将所述计算结果作为所述热模型中各个热容的初始值，在另一个所述周期内进行时域迭代计算，获取所述芯片的稳态时温度波形。
在上述实施例的基础上，所述第一计算模块503用于：
在所述周期内均匀设置多个采样点；
时域迭代计算每个所述采样点对应的所述热模型中各个热容上的温度。
图5所示装置可以对应的执行上述方法实施例中的内容，本实施例未详细描述的部分，参照上述方法实施例中记载的内容，在此不再赘述。
参见图6，本公开实施例还提供了一种电子设备60，该电子设备包括：
至少一个处理器；以及，
与该至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
该存储器存储有可被该至少一个处理器执行的指令，该指令被该至少一个处理器执行，以使该至少一个处理器能够执行前述方法实施例中的芯片稳态温度计算方法。
本公开实施例还提供了一种非暂态计算机可读存储介质，该非暂态计算机可读存储介质存储计算机指令，该计算机指令用于使该计算机执行前述方法实施例中的芯片稳态温度计算方法。
本公开实施例还提供了一种计算机程序产品，该计算机程序产品包括存储在非暂态计算机可读存储介质上的计算程序，该计算机程序包括程序指令，当该程序指令被计算机执行时，使该计算机执行前述方法实施例中的芯片稳态温度计算方法。
下面参考图6，其示出了适于用来实现本公开实施例的电子设备60的结构示意图。本公开实施例中的电子设备可以包括但不限于诸如移动电话、笔记本电脑、数字广播接收器、PDA(个人数字助理)、PAD(平板电脑)、PMP (便携式多媒体播放器)、车载终端(例如车载导航终端)等等的移动终端以及诸如数字TV、台式计算机等等的固定终端。图6示出的电子设备仅仅是一个示例，不应对本公开实施例的功能和使用范围带来任何限制。
如图6所示，电子设备60可以包括处理装置(例如中央处理器、图形处理器等)601，其可以根据存储在只读存储器(ROM)602中的程序或者从存储装置608加载到随机访问存储器(RAM)603中的程序而执行各种适当的动作和处理。在RAM 603中，还存储有电子设备60操作所需的各种程序和数据。处理装置601、ROM 602以及RAM 603通过总线604彼此相连。输入/输出(I/O) 接口605也连接至总线604。
通常，以下装置可以连接至I/O接口605：包括例如触摸屏、触摸板、键盘、鼠标、图像传感器、麦克风、加速度计、陀螺仪等的输入装置606；包括例如液晶显示器(LCD)、扬声器、振动器等的输出装置607；包括例如磁带、硬盘等的存储装置608；以及通信装置609。通信装置609可以允许电子设备60与其他设备进行无线或有线通信以交换数据。虽然图中示出了具有各种装置的电子设备60，但是应理解的是，并不要求实施或具备所有示出的装置。可以替代地实施或具备更多或更少的装置。
特别地，根据本公开的实施例，上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如，本公开的实施例包括一种计算机程序产品，其包括承载在计算机可读介质上的计算机程序，该计算机程序包含用于执行流程图所示的方法的程序代码。在这样的实施例中，该计算机程序可以通过通信装置609 从网络上被下载和安装，或者从存储装置608被安装，或者从ROM 602被安装。在该计算机程序被处理装置601执行时，执行本公开实施例的方法中限定的上述功能。
需要说明的是，本公开上述的计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM 或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本公开中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。而在本公开中，计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质，该计算机可读信号介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。计算机可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于：电线、光缆、RF(射频)等等，或者上述的任意合适的组合。
上述计算机可读介质可以是上述电子设备中所包含的；也可以是单独存在，而未装配入该电子设备中。
上述计算机可读介质承载有一个或者多个程序，当上述一个或者多个程序被该电子设备执行时，使得该电子设备可以执行上述方法实施例的相关步骤。
或者，上述计算机可读介质承载有一个或者多个程序，当上述一个或者多个程序被该电子设备执行时，使得该电子设备可以执行上述方法实施例的相关步骤。
可以以一种或多种程序设计语言或其组合来编写用于执行本公开的操作的计算机程序代码，上述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如 Java、Smalltalk、C++，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络——包括局域网(LAN)或广域网(WAN)—连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
附图中的流程图和框图，图示了按照本公开各种实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分，该模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
描述于本公开实施例中所涉及到的单元可以通过软件的方式实现，也可以通过硬件的方式来实现。
应当理解，本公开的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种芯片稳态温度计算方法，其特征在于，包括：
获取芯片的损耗信号对应的损耗波形；
建立所述芯片对应的热模型，并将所述热模型的初始值设置为0；
根据所述损耗波形选取一个周期，在所述周期内对所述热模型进行时域迭代计算，得到所述周期对应的所述热模型中各个热容上的温度；
取所述周期的最后时刻，根据预设算法对所述最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度进行计算，得到所述计算结果；
将所述计算结果作为所述热模型中各个热容的初始值，在另一个所述周期内进行时域迭代计算，获取所述芯片的稳态时温度波形。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述周期内对所述热模型进行时域迭代计算，得到所述周期对应的所述热模型中各个热容上的温度的步骤，包括：
在所述周期内均匀设置多个采样点；
时域迭代计算每个所述采样点对应的所述热模型中各个热容上的温度。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述时域迭代计算每个所述采样点对应的所述热模型中各个热容上的温度的步骤，包括：
根据所述损耗信号对应的损耗波形提取每个所述采样点对应的损耗值；
根据每个所述采样点对应的损耗值以及每两个相邻所述采样点之间的时长，从所述周期的0时刻开始时域迭代计算每个所述采样点对应的所述热模型中各个热容上温度。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述取所述周期的最后时刻，根据预设算法对所述最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度进行计算，得到所述计算结果的步骤，包括：
根据所述每个采样点对应的所述热模型中各个热容上的温度获取所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度；
对所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度进行指数运算，得到所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度的计算结果。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度进行指数运算，得到所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度的计算结果的步骤，包括：
根据
Figure FDA0002742046300000021
计算得到所述周期的最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度，其中，τ为各个热容自身的热时间常数。
6.一种芯片稳态温度计算装置，其特征在于，包括：
第一获取模块，用于获取芯片的损耗信号对应的损耗波形；
建立模块，用于建立所述芯片对应的热模型，并将所述热模型的初始值设置为0；
第一计算模块，用于根据所述损耗波形选取一个周期，在所述周期内对所述热模型进行时域迭代计算，得到所述周期对应的所述热模型中各个热容上的温度；
第二计算模块，用于取所述周期的最后时刻，根据预设算法对所述最后时刻对应的所述热模型中各个热容上的温度进行计算，得到所述计算结果；
第二获取模块，用于将所述计算结果作为所述热模型中各个热容的初始值，在另一个所述周期内进行时域迭代计算，获取所述芯片的稳态时温度波形。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第一计算模块用于：
在所述周期内均匀设置多个采样点；
时域迭代计算每个所述采样点对应的所述热模型中各个热容上的温度。
8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
至少一个处理器；以及，
与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行前述权利要求1-5中任一项所述的芯片稳态温度计算方法。
9.一种非暂态计算机可读存储介质，该非暂态计算机可读存储介质存储计算机指令，该计算机指令用于使该计算机执行前述利要求1-5中任一项所述的芯片稳态温度计算方法。
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