CN112313798B - 电路板、半导体器件和电子设备 - Google Patents

电路板、半导体器件和电子设备 Download PDF

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Abstract

本发明涉及能有效地抑制信号中产生的噪声的电路板、半导体器件和电子设备。该电路板包括：至少具有包括其中平面状或网状的第一基本图案在同一平面上重复的形状的导体的第一导体部的第一导体层；至少具有包括其中平面状或网状的第二基本图案在同一平面上重复的形状的导体的第二导体部的第二导体层；和至少具有第三导体部和第四导体部的第三导体层，第三导体部包括其中直线状的第三基本图案在同一平面上重复的形状的导体，第四导体部包括其中直线状的第四基本图案在同一平面上重复的形状的导体，且电路板被构成为使得第一基本图案和第二基本图案形成差分结构，且第三基本图案和第四基本图案形成差分结构。本技术可应用于例如半导体器件的电路板。

Description

电路板、半导体器件和电子设备
技术领域
本技术涉及电路板、半导体器件和电子器件，更具体地说，涉及能够更有效地抑制信号中噪声的发生的电路板、半导体器件和电子器件。
背景技术
在由CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器为代表的固态成像器件中，由于固态成像器件的内部配置，由每个像素生成的像素信号中可能出现噪声。
例如，存在于固态成像器件内的一些有源元件(例如晶体管或二极管)产生微小量的热载流子光，并且当所发射的热载流子光泄漏到在像素中形成的光电转换单元中时，像素信号中出现噪声。
作为抑制由有源元件产生的热载流子光引起的噪声的方法，已知用于使形成在有源元件和光电转换单元之间的配线具有遮光结构的技术(例如，参见专利文献1)。
此外，例如，由于由固态成像器件的内部配置而产生的磁场所导致的感应电动势，像素信号中可能出现噪声(感应噪声)。具体地，在像素阵列上形成包括控制线和信号线的导体回路，在从某个像素读出像素信号时，用于选择从中读出像素信号的像素的控制信号被传送到该控制线，并且从所选像素读出的像素信号被传送到该信号线。
当在包括控制线和信号线的导体回路附近存在配线时，由于流过该配线的电流的变化，可能会产生穿过该导体回路的磁通量，从而在该导体回路中产生感应电动势，并在像素信号中产生感应噪声。在下文中，由于在导体回路附近的配线中流动的电流变化而产生磁通量并因而产生感应电动势的导体回路称为受扰导体回路(victim conductor loop)。
一种抑制电子设备内部感应噪声的方法，包括通过将导致电子设备内的磁通量的配线形成为双层网状配线来抵消发生的磁通量的方法(例如，参见专利文献2)。
[引用文献列表]
[专利文献]
[专利文献1]
WO 2013/115075
[专利文献2]
JP 2014-57426A
发明内容
本发明要解决的问题
然而，在上述专利文献2中描述的发明中，能够抑制感应噪声，但是没有考虑屏蔽发射的热载流子光。
本技术就是针对上述这种情况而提出的，旨在能够更有效地抑制信号中噪声的发生。
问题的解决方案
根据本技术的第一方面的电路板：至少具有第一导体部的第一导体层，所述第一导体部包括具有平面状或网状的第一基本图案在同一平面上重复的形状的导体；至少具有第二导体部的第二导体层，所述第二导体部包括具有平面状或网状的第二基本图案在同一平面上重复的形状的导体；和至少具有第三导体部和第四导体部的第三导体层，所述第三导体部包括具有直线状的第三基本图案在同一平面上重复的形状的导体，所述第四导体部包括具有直线状的第四基本图案在同一平面上重复的形状的导体，其中所述第一基本图案和所述第二基本图案形成差分结构，并且所述第三基本图案和所述第四基本图案形成差分结构。
根据本技术的第二方面的半导体器件包含电路板，所述电路板包括：至少具有第一导体部的第一导体层，所述第一导体部包括具有平面状或网状的第一基本图案在同一平面上重复的形状的导体；至少具有第二导体部的第二导体层，所述第二导体部包括具有平面状或网状的第二基本图案在同一平面上重复的形状的导体；和至少具有第三导体部和第四导体部的第三导体层，所述第三导体部包括具有直线状的第三基本图案在同一平面上重复的形状的导体，所述第四导体部包括具有直线状的第四基本图案在同一平面上重复的形状的导体，其中所述第一基本图案和所述第二基本图案形成差分结构，并且所述第三基本图案和所述第四基本图案形成差分结构。
根据本技术的第三方面的电子装置包含半导体器件，所述半导体器件包含电路板，所述电路板包括：至少具有第一导体部的第一导体层，所述第一导体部包括具有平面状或网状的第一基本图案在同一平面上重复的形状的导体；至少具有第二导体部的第二导体层，所述第二导体部包括具有平面状或网状的第二基本图案在同一平面上重复的形状的导体；和至少具有第三导体部和第四导体部的第三导体层，所述第三导体部包括具有直线状的第三基本图案在同一平面上重复的形状的导体，所述第四导体部包括具有直线状的第四基本图案在同一平面上重复的形状的导体，其中所述第一基本图案和所述第二基本图案形成差分结构，并且所述第三基本图案和所述第四基本图案形成差分结构。
在本技术的第一到第三方面中，设置有：至少具有第一导体部的第一导体层，所述第一导体部包括具有平面状或网状的第一基本图案在同一平面上重复的形状的导体；至少具有第二导体部的第二导体层，所述第二导体部包括具有平面状或网状的第二基本图案在同一平面上重复的形状的导体；和至少具有第三导体部和第四导体部的第三导体层，所述第三导体部包括具有直线状的第三基本图案在同一平面上重复的形状的导体，所述第四导体部包括具有直线状的第四基本图案在同一平面上重复的形状的导体；所述第一基本图案和所述第二基本图案形成差分结构，并且所述第三基本图案和所述第四基本图案形成差分结构。
所述电路板、所述半导体器件和所述电子器件可以是独立的器件，也可以是集成在其它器件中的模块。
发明的有益效果
根据本技术的第一方面到第三方面，能够抑制信号中的噪声的出现。
这里描述的效果不一定是限制性的，而是可以是本公开中描述的任何效果。
附图说明
[图1]
图1是说明由于导体回路的变化而引起的感应电动势的变化的示意图。
[图2]
图2是示出应用本技术的固态成像器件的结构示例的框图。
[图3]
图3是示出像素和模拟处理单元的主要组件的示例的框图。
[图4]
图4是示出像素阵列的详细结构示例的图。
[图5]
图5是示出像素的结构示例的电路图。
[图6]
图6是示出固态成像器件的横截面结构示例的框图。
[图7]
图7是示出包括已经形成了有源元件组的区域的电路块的平面布置示例的示意性配置图。
[图8]
图8是示出遮光结构的遮光目标区域、有源元件组的区域和缓冲区域之间的位置关系的示例的图。
[图9]
图9是示出导体层A和B的第一比较示例的图。
[图10]
图10是示出在第一比较示例中流过的电流的条件的图。
[图11]
图11是示出与第一比较示例相对应的感应噪声的模拟结果的图。
[图12]
图12是示出导体层A和B的第一结构示例的图。
[图13]
图13是示出在第一结构示例中流动的电流的条件的图。
[图14]
图14是示出与第一结构示例相对应的感应噪声的模拟结果的图。
[图15]
图15是示出导体层A和B的第二结构示例的图。
[图16]
图16是示出在第二结构示例中流动的电流的条件的图。
[图17]
图17是示出与第二结构示例相对应的感应噪声的模拟结果的图。
[图18]
图18是示出导体层A和B的第二比较示例的图。
[图19]
图19是示出与第二比较示例相对应的感应噪声的模拟结果的图。
[图20]
图20是示出导体层A和B的第三比较示例的图。
[图21]
图21是示出与第三比较示例相对应的感应噪声的模拟结果的图。
[图22]
图22是示出导体层A和B的第三结构示例的图。
[图23]
图23是示出在第三结构示例中流动的电流的条件的图。
[图24]
图24是示出与第三结构示例相对应的感应噪声的模拟结果的图。
[图25]
图25是示出导体层A和B的第四结构示例的图。
[图26]
图26是示出导体层A和B的第五结构示例的图。
[图27]
图27是示出导体层A和B的第六结构示例的图。
[图28]
图28是示出与第四到第六结构示例相对应的感应噪声的模拟结果的图。
[图29]
图29是示出导体层A和B的第七结构示例的图。
[图30]
图30是示出在第七结构示例中流动的电流的条件的图。
[图31]
图31是示出与第七结构示例相对应的感应噪声的模拟结果的图。
[图32]
图32是示出导体层A和B的第八结构示例的图。
[图33]
图33是示出导体层A和B的第九结构示例的图。
[图34]
图34是示出导体层A和B的第十结构示例的图。
[图35]
图35是示出与第八到第十结构示例相对应的感应噪声的模拟结果的图。
[图36]
图36是示出导体层A和B的第十一结构示例的图。
[图37]
图37是图示了在第十一示例中流动的电流的条件的图。
[图38]
图38是示出与第十一结构示例相对应的感应噪声的模拟结果的图。
[图39]
图39是示出导体层A和B的第十二结构示例的图。
[图40]
图40是示出导体层A和B的第十三结构示例的图。
[图41]
图41是示出与第十二和第十三结构示例相对应的感应噪声的模拟结果的图。
[图42]
图42是图示半导体基板中的焊盘的第一布置示例的平面图。
[图43]
图43是图示半导体基板中的焊盘的第二布置示例的平面图。
[图44]
图44是图示半导体基板中的焊盘的第三布置示例的平面图。
[图45]
图45是示出在Y方向上的电阻值与在X方向上的电阻值不同的导体的示例的图。
[图46]
图46是示出将导体层A和B的第二结构示例的X方向的导体周期减半的变型例及其效果的图。
[图47]
图47是示出将导体层A和B的第五结构示例的X方向的导体周期减半的变型例及其效果的图。
[图48]
图48是示出将导体层A和B的第六结构示例的X方向的导体周期减半的变型例及其效果的图。
[图49]
图49是示出将导体层A和B的第二结构示例的Y方向的导体周期减半的变型例及其效果的图。
[图50]
图50是示出将导体层A和B的第五结构示例的Y方向的导体周期减半的变型例及其效果的图。
[图51]
图51是示出将导体层A和B的第六结构示例的Y方向的导体周期减半的变型例及其效果的图。
[图52]
图52是示出导体层A和B的第二结构示例的X方向的导体宽度加倍的变型例及其效果的图。
[图53]
图53是示出导体层A和B的第五结构示例的X方向的导体宽度加倍的变型例及其效果的图。
[图54]
图54是示出导体层A和B的第六结构示例的X方向的导体宽度加倍的变型例及其效果的图。
[图55]
图55是示出导体层A和B的第二结构示例的Y方向的导体宽度加倍的变型例及其效果的图。
[图56]
图56是示出导体层A和B的第五结构示例的Y方向的导体宽度加倍的变型例及其效果的图。
[图57]
图57是示出导体层A和B的第六结构示例的Y方向的导体宽度加倍的变型例及其效果的图。
[图58]
图58是示出形成导体层A和B的各结构示例的网状导体的变型例的图。
[图59]
图59是示出布局中的自由度的改进的图。
[图60]
图60是示出电压降(IR降)的降低的图。
[图61]
图61是示出电压降(IR降)的降低的图。
[图62]
图62是示出电容性噪声的降低的图。
[图63]
图63是示出导体层的主导体部和引出导体部的图。
[图64]
图64是示出导体层A和B的第十一结构示例的图。
[图65]
图65是示出导体层A和B的第十四结构示例的图。
[图66]
图66是示出导体层A和B的第十四结构示例的第一变型例的图。
[图67]
图67是示出导体层A和B的第十四结构示例的第二变型例的图。
[图68]
图68是示出导体层A和B的第十四结构示例的第三变型例的图。
[图69]
图69是示出导体层A和B的第十五结构示例的图。
[图70]
图70是示出导体层A和B的第十五结构示例的第一变型例的图。
[图71]
图71是示出导体层A和B的第十五结构示例的第二变型例的图。
[图72]
图72是示出导体层A和B的第十六结构示例的图。
[图73]
图73是示出导体层A和B的第十六结构示例的第一变型例的图。
[图74]
图74是示出导体层A和B的第十六结构示例的第二变型例的图。
[图75]
图75是示出导体层A和B的第十七结构示例的图。
[图76]
图76是示出导体层A和B的第十七结构示例的第一变型例的图。
[图77]
图77是示出导体层A和B的第十七结构示例的第二变型例的图。
[图78]
图78是示出导体层A和B的第十八结构示例的图。
[图79]
图79是示出导体层A和B的第十九结构示例的图。
[图80]
图80是示出导体层A和B的第十九结构示例的变型例的图。
[图81]
图81是示出导体层A和B的第二十结构示例的图。
[图82]
图82是示出导体层A和B的第二十一结构示例的图。
[图83]
图83是示出导体层A和B的第二十二结构示例的图。
[图84]
图84是示出第二十二结构示例中的导体层B的另一结构示例的图。
[图85]
图85是示出导体层A和B的第二十三结构示例的图。
[图86]
图86是示出导体层A和B的第二十四结构示例的图。
[图87]
图87是示出导体层A和B的第二十五结构示例的图。
[图88]
图88是示出导体层A和B的第二十六结构示例的图。
[图89]
图89是示出导体层A和B的第二十七结构示例的图。
[图90]
图90是示出导体层A和B的第二十八结构示例的图。
[图91]
图91是示出第二十八结构示例中的导体层A的另一结构示例的图。
[图92]
图92是示出在基板上形成的整个导体层A的平面图。
[图93]
图93是示出焊盘的第四布置示例的平面图。
[图94]
图94是示出焊盘的第五布置示例的平面图。
[图95]
图95是示出焊盘的第六布置示例的平面图。
[图96]
图96是示出焊盘的第七布置示例的平面图。
[图97]
图97是示出焊盘的第八布置示例的平面图。
[图98]
图98是示出焊盘的第九布置示例的平面图。
[图99]
图99是示出焊盘的第十布置示例的平面图。
[图100]
图100是示出焊盘的第十一布置示例的平面图。
[图101]
图101是示出焊盘的第十二布置示例的平面图。
[图102]
图102是示出焊盘的第十三布置示例的平面图。
[图103]
图103是示出焊盘的第十四布置示例的平面图。
[图104]
图104是示出焊盘的第十五布置示例的平面图。
[图105]
图105是示出焊盘的第十六布置示例的平面图。
[图106]
图106是示出焊盘的第十七布置示例的平面图。
[图107]
图107是示出焊盘的第十八布置示例的平面图。
[图108]
图108是示出焊盘的第十九布置示例的平面图。
[图109]
图109是示出受扰导体回路和侵扰导体回路的基板布置示例的横截面图。
[图110]
图110是示出受扰导体回路和侵扰导体回路的基板布置示例的横截面图。
[图111]
图111是示出在其中堆叠了三种类型的基板的结构中的受扰导体回路和侵扰导体回路的布置示例的图。
[图112]
图112是示出在其中堆叠了三种类型的基板的结构中的受扰导体回路和侵扰导体回路的布置示例的图。
[图113]
图113是示出形成固态成像器件的第一半导体基板和第二半导体基板的封装堆叠示例的图。
[图114]
图114是示出其中设置有导电性屏蔽的结构示例的横截面图。
[图115]
图115是示出其中设置有导电性屏蔽的结构示例的横截面图。
[图116]
图116是示出关于导电性屏蔽的信号线的布置以及具有平面形状的第一结构示例的图。
[图117]
图117是示出关于导电性屏蔽的信号线的布置以及具有平面形状的第二结构示例的图。
[图118]
图118是示出关于导电性屏蔽的信号线的布置以及具有平面形状的第三结构示例的图。
[图119]
图119是示出关于导电性屏蔽的信号线的布置以及具有平面形状的第四结构示例的图。
[图120]
图120是示出当导体层包括三层时的布置示例的图。
[图121]
图121是示出当导体层包括三层时的问题的图。
[图122]
图122是示出三层导体层的第一结构示例的图。
[图123]
图123是示出三层导体层的第二结构示例的图。
[图124]
图124是示出三层导体层的第二结构示例的第一变型例的图。
[图125]
图125是示出三层导体层的第二结构示例的第二变型例的图。
[图126]
图126是示出三层导体层的第三结构示例的图。
[图127]
图127是示出三层导体层的第三结构示例的变型例的图。
[图128]
图128是示出三层导体层的第四结构示例的图。
[图129]
图129是示出三层导体层的第四结构示例的第一变型例的图。
[图130]
图130是示出三层导体层的第四结构示例的第二变型例的图。
[图131]
图131是示出三层导体层的第五结构示例的图。
[图132]
图132是示出三层导体层的第六结构示例的图。
[图133]
图133是示出三层导体层的第六结构示例的变型例的图。
[图134]
图134是示出三层导体层的第七结构示例的图。
[图135]
图135是示出三层导体层的第八结构示例的图。
[图136]
图136是示出三层导体层的第八结构示例的第一变型例的图。
[图137]
图137是示出三层导体层的第八结构示例的第二变型例的图。
[图138]
图138是示出三层导体层的第八结构示例的第三变型例的图。
[图139]
图139是示出三层导体层的第八结构示例的第四变型例的图。
[图140]
图140是示出三层导体层的第八结构示例的第五变型例的图。
[图141]
图141是示出三层导体层的第九结构示例的图。
[图142]
图142是示出三层导体层的第九结构示例的第一变型例的图。
[图143]
图143是示出三层导体层的第九结构示例的第二变型例的图。
[图144]
图144是示出三层导体层的第九结构示例的第三变型例的图。
[图145]
图145是示出三层导体层的第九结构示例的第四变型例的图。
[图146]
图146是示出三层导体层的第十结构示例的图。
[图147]
图147是示出三层导体层的第十结构示例的变型例的图。
[图148]
图148是示出三层导体层的第十一结构示例的图。
[图149]
图149是示出三层导体层的第十二结构示例的图。
[图150]
图150是示出三层导体层的第十二结构示例的第一变型例的图。
[图151]
图151是示出三层导体层的第十二结构示例的第二变型例的图。
[图152]
图152是示出三层导体层的第十三结构示例的图。
[图153]
图153是示出三层导体层的第十四结构示例的图。
[图154]
图154是示出三层导体层的第十四结构示例的第一变型例的图。
[图155]
图155是示出三层导体层的第十四结构示例的第二变型例的图。
[图156]
图156是示出三层导体层的第十四结构示例的第三到第五变型例的图。
[图157]
图157是示出三层导体层的第十四结构示例的第六到第八变型例的图。
[图158]
图158是示出三层导体层的第十四结构示例的第九到第十一变型例的图。
[图159]
图159是示出三层导体层的第十四结构示例的第十二到第十四变型例的图。
[图160]
图160是示出三层导体层的第十四结构示例的第十五到第十七变型例的图。
[图161]
图161是示出三层导体层的第十四结构示例的第十八到第二十变型例的图。
[图162]
图162是示出三层导体层的第十四结构示例的第二十一到第二十三变型例的图。
[图163]
图163是示出三层导体层的第十四结构示例的第二十四到第二十六变型例的图。
[图164]
图164是示出摄像装置的结构示例的框图。
[图165]
图165是示出体内信息获取系统的示意性配置的示例的框图。
[图166]
图166是示出内窥镜手术系统的示意性配置的示例的图。
[图167]
图167是示出摄像头和CCU的功能配置的示例的框图。
[图168]
图168是示出车辆控制系统的示意性配置的示例的框图。
[图169]
图169是示出车辆外部检测单元和摄像单元的安装位置的示例的示意图。
具体实施例
在下文中，将参照附图说明用于实施本技术的最佳模式(下文中称为实施例)。将按照以下顺序进行说明。
1.受扰导体回路和磁通量
2.作为本技术的实施例的固态成像器件(半导体器件)的结构示例
3.用于屏蔽发射的热载流子光(hot carrier light)的结构
4.导体层A和B的结构示例
5.其上形成有导体层A和B的半导体基板上的电极的布置示例
6.导体层A和B的结构示例的变型例
7.网状导体(mesh conductor)的变型例
8.各种效果
9.引出部(lead portion)不同的结构示例
10.对焊盘(pad)的连接的结构示例
11.导电性屏蔽(conductive shield)的布置示例
12.包含三层的导体层的结构示例
13.应用示例
14.摄像装置的结构示例
15.体内信息获取系统的应用示例
16.内窥镜手术系统的应用示例
17.移动体的应用示例
<1.受扰导体回路和磁通量>
例如，在诸如CMOS图像传感器等固态成像器件(半导体器件)中，当存在其中在电源配线附近形成受扰导体回路并且穿过受扰导体回路的回路表面的内部的磁通量改变时，受扰导体回路中产生的感应电动势可能会发生变化，像素信号中可能会出现噪声。受扰导体回路可形成为至少在其一部分中包括导体。此外，受扰导体回路可完全由导体构成。
这里，受扰导体回路(第一导体回路)是指在受到在受扰导体回路附近发生的磁场强度变化影响的一侧的导体回路。另一方面，位于受扰导体回路附近的、由于流动电流的变化而引起磁场强度的变化并且对受扰导体回路产生影响的导体回路被称为侵扰导体回路(第二导体回路)。
图1是示出由于受扰导体回路中的变化而引起的感应电动势的变化的示意图。例如，图1所示的诸如CMOS图像传感器等的固态成像器件具有这样的配置：其中，像素基板10和逻辑基板20从顶部依次堆叠。在图1的固态成像器件中，受扰导体回路11(11A和11B)的至少一部分形成在像素基板10的像素区域中，并且用于供应(数字)电源的电源配线21在受扰导体回路11附近形成在堆叠在像素基板10上的逻辑基板20上。
由电源配线21产生的磁通量通过像素基板10上的受扰导体回路11的回路表面的内部，从而在受扰导体回路11中产生感应电动势。
受扰导体回路11中产生的感应电动势Vemf可使用以下公式(1)和(2)进行计算。Φ表示磁通量，H表示磁场强度，μ表示磁导率，S表示受扰导体回路11的面积。
[公式1]
[公式2]
在像素基板10的像素区域中形成的受扰导体回路11的回路路径根据被选作从中读出像素信号的读出目标像素的像素的位置而改变。在图1的示例的情况下，当选择像素A时形成的受扰导体回路11A的回路路径不同于选择在与像素A不同的位置处的像素B时形成的受扰导体回路11B的回路路径。换句话说，导体回路的有效形状根据所选像素的位置而改变。
当受扰导体回路11的回路路径以这种方式变化时，通过受扰导体回路的回路表面内部的磁通量发生变化，并且由于这种变化而在受扰导体回路中产生的感应电动势可能会发生很大变化。由于感应电动势的变化，从像素读出的像素信号中可能出现噪声(感应噪声)。由于感应噪声，在拍摄的图像中可能出现条纹图像噪声。也就是说，所拍摄图像的图像质量可能降低。
因此，本发明提出了一种抑制由受扰导体回路中的感应电动势引起的感应噪声的发生的技术。
<2.作为本技术的实施例的固态成像器件(半导体器件)的结构示例>
图2是示出作为本技术实施例的固态成像器件的主要结构示例的框图。
图2所示的固态成像器件100是光电转换来自被摄体的光并输出图像数据的设备。例如，固态成像器件100被配置为例如使用CMOS的背面照明型CMOS图像传感器。
如图2所示，固态成像器件100具有堆叠第一半导体基板101和第二半导体基板102的结构。
在第一半导体基板101上形成有具有像素、模拟电路等的像素和模拟处理单元111。在第二半导体基板102中形成有包括例如数字电路的数字处理单元112。
第一半导体基板101和第二半导体基板102彼此重叠，同时彼此绝缘。即，像素和模拟处理单元111的结构和第二半导体基板102的结构基本上彼此绝缘。虽然未示出，但是在像素和模拟处理单元111中形成的构造根据需要(所需的部分)通过例如导电通孔(VIA)、通硅通孔(TSV)、相同类型的金属接合(例如Cu-Cu接合、Au-Au接合或Al-Al接合)、不同类型的金属接合(如Cu-Au接合、Cu-Al接合或Au-Al接合)或者键合线等而被电连接到在数字处理单元112中形成的构造。
此外，在图2中作为示例描述了包括两层叠层基板的固态成像器件100，但是形成固态成像器件100的基板的层数是任意的。例如，基板可包括单层或可包含三层或更多层。下文中，将说明如图2的示例中的基板包括两层的情况。
图3是示出在像素和模拟处理单元111中形成的主要组件的示例的框图。
如图3所示，在像素和模拟处理单元111中形成有像素阵列121、A/D转换单元122、垂直扫描单元123等。
在像素阵列121中垂直和水平地布置有多个像素131(图4)，每个像素131具有诸如光电二极管等的光电转换元件。
A/D转换单元122例如对从像素阵列121的每个像素131读取的模拟信号执行A/D转换，并且输出得到的数字像素信号。
垂直扫描单元123控制像素阵列121的每个像素131的晶体管(例如图5中的传输晶体管142)的操作。也就是说，在像素阵列121的每个像素131中累积的电荷由垂直扫描单元123控制和读出，作为像素信号经由针对单位像素的每一列的信号线132(图4)提供给A/D转换单元122，并且经受A/D转换。
A/D转换单元122针对像素131的每一列将A/D转换的结果(数字像素信号)提供给在数字处理单元112中形成的逻辑电路(未示出)。
图4是示出像素阵列121的详细结构示例的图。在像素阵列121中形成像素131-11到131-MN(M和N是任意自然数)。即，M行和N列中的像素131在像素阵列121中排列为矩阵(阵列)。下文中，当不需要单独区分像素131-11至131-MN时，将像素131-11至131-MN称为像素131。
在像素阵列121中形成信号线132-1到132-N和控制线133-1到133-M。以下，当不需要单独区分信号线132-1至132-N时，将信号线132-1至132-N称为信号线132，并且当不需要单独区分控制线133-1至133-M时，将控制线133-1至133-M称为控制线133。
对应于每列的信号线132连接到每列的像素131。此外，与每一行相对应的控制线133连接到每一行的像素131。来自垂直扫描单元123的控制信号经由控制线133发送到像素131。
模拟像素信号经由信号线132从像素131输出到A/D转换单元122。
接下来，图5是示出像素131的结构示例的电路图。像素131包括作为光电转换元件的光电二极管141、传输晶体管142、复位晶体管143、放大晶体管144和选择晶体管145。
光电二极管141将接收到的光光电转换成具有与光量相对应的电荷量的光电荷(这里是光电子)，并累积光电荷。光电二极管141的阳极电极连接到GND，并且其阴极电极经由传输晶体管142连接到浮动扩散部(FD)。当然，光电二极管141的阴极电极可以连接到电源，阳极电极可以经由传输晶体管142连接到浮动扩散部，并且可以将光电荷作为光空穴读出。
传输晶体管142控制来自光电二极管141的光电荷的读出。传输晶体管142具有连接到浮动扩散部的漏极和连接到光电二极管141的阴极电极的源电极。此外，用于传输从垂直扫描单元123(图3)提供的传输控制信号TRG的传输控制线连接到传输晶体管142的栅极电极。当传输控制信号TRG(即，传输晶体管142的栅极电势)处于断开(OFF)状态时，不从光电二极管141传输光电荷(光电荷累积在光电二极管141中)。当传输控制信号TRG(即，传输晶体管142的栅极电势)处于接通(ON)状态时，累积在光电二极管141中的光电荷被传输到浮动扩散部。
复位晶体管143重置浮动扩散的电势。复位晶体管143具有连接到电源电势的漏极和连接到浮动扩散部的源电极。此外，用于传输从垂直扫描单元123提供的复位控制信号RST的复位控制线连接到复位晶体管143的栅极电极。当复位控制信号RST(即，复位晶体管143的栅极电势)处于断开状态时，浮动扩散与电源电势断开连接。当复位控制信号RST(即，复位晶体管143的栅极电势)处于接通状态时，浮动扩散部的电荷被排出至电源电势，并且浮动扩散部被复位。
放大晶体管144根据浮动扩散的电压输出电信号(模拟信号)(使电流流动)。放大晶体管144具有连接到浮动扩散部的栅极电极、连接到(源极跟随器)电源电压的漏极电极和连接到选择晶体管145的漏极电极的源电极。例如，放大晶体管144将作为根据被复位晶体管143复位的浮动扩散部的电压的电信号的复位信号(复位电平)输出到选择晶体管145用作像素信号。此外，放大晶体管144将光积累信号(信号电平)输出到选择晶体管145作为像素信号，所述光累积信号用作根据由传输晶体管142传输来光电荷的浮动扩散部的电压的电信号。
选择晶体管145控制从放大晶体管144供应到信号线(VSL)132(即A/D转换单元122)的电信号的输出。选择晶体管145具有连接到放大晶体管144的源电极的漏极，以及连接到信号线132的源电极。用于传输从垂直扫描单元123提供的选择控制信号SEL的选择控制线连接到选择晶体管145的栅极电极。当选择控制信号SEL(即，选择晶体管145的栅极电势)处于断开状态时，放大晶体管144和信号线132电断开。因此，在该状态下，不从像素131输出用作像素信号的复位信号或光累积信号。当选择控制信号SEL(即，选择晶体管145的栅极电势)处于接通状态时，像素131进入选择状态。即，放大晶体管144和信号线132电连接，并且作为像素信号输出的复位信号或光累积信号经由信号线132从放大晶体管144提供到A/D转换单元122。即，从像素131读出用作像素信号的复位信号或光累积信号。
像素131的结构是任意的，并且不限于图5的示例。
在如上所述配置的像素和模拟处理单元111中，当选择像素131作为用作像素信号的模拟信号的读出目标时，用于控制上述各种晶体管的控制线133、信号线132或电源线(模拟电源线或数字电源线)等形成各种受扰导体回路(回路形状(环形)导体)。感应电动势是由于从受扰导体回路附近的配线等产生的磁通量通过受扰导体回路的回路表面内部而产生的。
控制线133和信号线132中的至少一者的一部分可以被包括作为受扰导体回路。此外，包括控制线133的一部分的受扰导体回路和包括信号线132的一部分的受扰导体回路可以作为独立的受扰导体回路而存在。此外，受扰导体回路的一部分或全部可以被包括在第二半导体基板102中。此外，受扰导体回路可具有可变回路路径或可具有固定回路路径。
优选的是，形成受扰导体回路的控制线133和信号线132的布线方向基本上彼此正交，但是控制线133和信号线132可以基本上相互平行。
存在于其它导体回路附近的导体回路可以是受扰导体回路。例如，不受由于在导体回路附近的攻击回路中流动的电流的改变而导致的磁场强度变化的影响的导体回路也可以是受扰导体回路。
在受扰导体回路中，当高频信号在受扰导体回路附近的配线(侵扰导体回路)中流动，并且在受扰导体回路周围的磁场强度发生变化时，由于这种变化的影响，可能会在受扰导体回路中产生感应电动势，并且在受影响的导体回路中可能会产生噪声。特别是，当电流沿同一方向流动的配线密集地存在于受扰导体回路附近时，磁场强度的变化增大，在受扰导体回路中产生的感应电动势(即噪声)也会增大。
因此，在本发明中，调整从侵扰导体回路的回路表面产生的磁通量的方向，以使磁场不会穿过侵扰导体回路。
<3.用于屏蔽发射的热载流子光的结构>
图6是示出固态成像器件100的横截面结构的示例的图。
如上所述，固态成像器件100具有堆叠第一半导体基板101和第二半导体基板102的结构。
例如，在第一半导体基板101上形成二维地排布有多个像素单元的像素阵列，其中每个像素单元包括用作光电转换单元的光电二极管141和多个像素晶体管(图5中的传输晶体管142到选择晶体管145)。
例如，光电二极管141在形成于半导体基板152中的阱区中的基板前表面侧(图6中的下侧)形成有n型半导体区域和p型半导体区域。在半导体基板152上形成多个像素晶体管(图5中的传输晶体管142到选择晶体管145)。
在半导体基板152的前表面侧形成有多层配线层153，其中布置有多层的配线，在这些配线之间布置有层间绝缘膜。配线例如由铜配线形成。在像素晶体管、垂直扫描单元123等中，不同配线层的配线通过穿过配线层的连接导体在所需位置彼此连接。例如，在半导体基板152的背面(图6中的上表面)上形成有抗反射膜、在预定区域中屏蔽光的遮光膜和在与各光电二极管141相对应的位置处设置的光学部件155(例如，滤色镜或微透镜)。
另一方面，在第二半导体基板102中形成作为数字处理单元112(图2)的逻辑电路。逻辑电路包括例如形成在半导体基板162的p型半导体阱区中的多个MOS晶体管164。
此外，在半导体基板162上形成有包括多个配线层的多层配线层163，其中，在配线层之间具有层间绝缘膜。图6示出了形成多层配线层163的多个配线层之中的两个配线层(配线层165A和配线层165B)。
在固态成像器件100中，由配线层165A和配线层165B形成遮光结构151。
这里，在第二半导体基板102中，形成诸如MOS晶体管164的有源元件的区域是有源元件组167。例如，在第二半导体基板102中，通过组合诸如nMOS晶体管或pMOS晶体管等多个有源元件配置用于实现一种功能的电路。已经形成有源元件组167的区域是电路块(对应于图7中的电路块202至204)。形成在第二半导体基板102中的有源元件除了MOS晶体管164外，还可以包括例如二极管。
在第二半导体基板102的多层配线层163中，包括配线层165A和配线层165B的遮光结构151存在于有源元件组167和光电二极管141之间，从而抑制从有源元件组167产生的热载流子光泄漏到光电二极管141中(细节将在下文中描述)。
在下文中，将形成遮光结构151的配线层165A和配线层165B之中的靠近形成有光电二极管141等的第一半导体基板101的配线层165A称为导体层A(第一导体层)。此外，将靠近有源元件组167的配线层165B称为导体层B(第二导体层)。
然而，靠近已形成有光电二极管141等的第一半导体基板101的配线层165A可以是导体层B，而靠近有源元件组167的配线层165B可以是导体层A。此外，在导体层A和导体层B之间可以设置有绝缘层、半导体层、其它导体层或类似物。绝缘层、半导体层、其它导体层或类似物可以设置在导体层A和B之间的区域以外的区域中。
优选地，导体层A和导体层B是在电路板、半导体基板和电子器件中电流最容易流动的导体层，但本技术不限于此。
优选地，导体层A和导体层B中的一者是电路板、半导体基板和电子器件中的电流最容易在其中流动的导体层，而另一者是电路板、半导体基板和电子器件中的电流第二容易在其中流动的导体层，但本发明技术不限于此。
优选地，导体层A和B中的一者不是电路板、半导体基板和电子器件中的电流最难以在其中流动的导体层，但是本技术不限于此。优选地，导体层A和B都不是电路板、半导体基板和电子器件中的电流最难以在其中流动的导体层，但是本技术不限于此。
例如，导体层A和B中的一者可以是第一半导体基板101中的电流最容易在其中流动的导体层，而另一者可以是第一半导体基板101中的电流第二容易在其中流动的导体层。
例如，导体层A和B中的一者是第二半导体基板102中的电流最容易在其中流动的导体层，而另一者是第二半导体基板102中的电流第二容易在其中流动的导体层。
例如，导体层A和B中的一者是第一半导体基板101中的电流最容易在其中流动的导体层，而另一者是第二半导体基板102中的电流最容易在其中流动的导体层。
例如，导体层A和B中的一者是第一半导体基板101中的电流最容易在其中流动的导体层，而另一者是第二半导体基板102中的电流第二容易在其中流动的导体层。
例如，导体层A和B中的一者是第一半导体基板101中的电流第二容易在其中流动的导体层，而另一者是第二半导体基板102中的电流最容易在其中流动的导体层。
例如，导体层A和B中的一者是第一半导体基板101中的电流第二容易在其中流动的导体层，而另一者是第二半导体基板102中的电流第二容易在其中流动的导体层。
例如，导体层A和导体层B中的一者可以不是第一半导体基板101或第二半导体基板102中的电流最难以在其中流动的导体层。
例如，导体层A和导体层B可以都不是第一半导体基板101或第二半导体基板102中的电流最难以在其中流动的导体层。
上述的“最(第一)”可以替换为第三、第四或第N个(N是正数)，并且上述第二也可以替换为第三、第四或第N(N是正数)。
在上述电路板、半导体基板或电子设备中电流易于在其中流动的导体层可被视为下述导体层之一：在电路板中电流易于在其中流动的导体层、在半导体基板中电流易于在其中流动的导体层、以及在电子设备中电流易于在其中流动的导体层。此外，在上述电路板、半导体基板或电子设备中电流难以在其中流动的导体层可被视为下述导体层之一：在电路板中电流难以在其中流动的导体层、在半导体基板中电流难以在其中流动的导体层、以及在电子设备中电流难以在其中流动的导体层。此外，电流易于在其中流动的导体层可替换为具有低的薄层电阻(sheet resistance)的导体层，并且电流难以在其中流动的导体层可替换为具有高的薄层电阻的导体层。
可以主要使用诸如铜、铝、钨、铬、镍、钽、钼、钛、金、银或铁等金属，或者含有这些金属中的至少一种的混合物、化合物或合金作为用于导体层A和B的导体材料。此外，可以包含如硅、锗等半导体、化合物半导体和有机半导体。此外，可以包含诸如棉、纸、聚乙烯、聚氯乙烯、天然橡胶、聚酯、环氧树脂、三聚氰胺树脂、苯酚树脂、聚氨酯、合成树脂、云母、石棉、玻璃纤维或陶瓷等绝缘体。
形成遮光结构151的导体层A和B可以由当电流通过时的侵扰导体回路形成。
接下来，将说明被遮光结构151屏蔽的区域(遮光目标区域)。
图7是示出半导体基板162中的包括形成有源元件组167的区域的电路块的平面布置示例的示意性配置图。
图7的A示出了一个示例，其中多个电路块202到204被集体设置为遮光结构151的遮光目标区域，并且包括所有电路块202、203和204的区域205是遮光目标区域。
图7的B示出了其中多个电路块202到204单独设置为遮光结构151的遮光目标区域的示例，包括电路块202、203和204的各个区域206、207和208是单独的遮光目标区域，并且区域206到208以外的区域209是非遮光目标区域。
在图7的B所示的示例的情况下，可以避免限制形成遮光结构151的导体层A和B的布局的自由度。然而，由于导体层A和B的布局变得复杂，因此需要大量的人力来设计导体层A和B的布局。
为了容易地设计形成遮光结构151的导体层A和B的布局，优选采用图7的A中所示的示例并且将多个电路块共同设置为遮光目标区域。
因此，本发明提出了一种导体层A和B的结构，其布局可以容易地设计，同时避免导体层A和B的布局自由度受到限制。
此外，在本实施例中的遮光目标区域中，除了指示用作所发射的热载流子光的发光源的有源元件组167的区域的电路块之外，还设置有缓冲区域使得电路块的附近也是遮光目标区域。通过在电路块周围设置缓冲区，能够抑制从电路块倾斜发射的热载流子光泄漏到光电二极管141中。
图8是示出遮光结构151的遮光目标区域、有源元件组的区域和缓冲区域之间的位置关系的示例的图。
在图8所示的示例中，已经形成有源元件组167的区域和有源元件组167周围的缓冲区191是遮光目标区域194，并且遮光结构151被形成为面对遮光目标区域194。
这里，从有源元件组167到遮光结构151的长度是层间距离192。此外，从有源元件组167的端部到由配线形成的遮光结构151的端部的长度被定义为缓冲区宽度193。
遮光结构151被形成为使得缓冲区宽度193大于层间距离192。这使得能够屏蔽作为点光源产生的发射的热载流子光的倾斜分量。
缓冲区宽度193的适当值根据遮光结构151和有源元件组167之间的层间距离192而改变。例如，当层间距离192长时，需要提供大的缓冲区191，以便能够充分屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光的倾斜分量。另一方面，当层间距离192短时，可以在不设置大的缓冲区191的情况下充分屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。因此，当通过使用形成多层配线层163的多个配线层之中的靠近有源元件组167的配线层来形成遮光结构151时，能够提高导体层A和B的布局的自由度。然而，由于例如靠近有源元件组167的配线层的布局约束，使用靠近有源元件组167的配线层来形成遮光结构151通常是困难的。在本技术中，即使在使用远离有源元件组167的配线层形成遮光结构151的情况下，依然能够获得布局中的高度自由度。
<4.导体层A和B的结构示例>
在下文中，将说明形成遮光结构151的导体层A(配线层165A)和导体层B(配线层165B)的结构示例，遮光结构151可以是应用了本技术的固态成像器件100中的侵扰导体回路，但是将首先说明与结构示例进行比较的比较示例。
<第一比较示例>
图9是示出用于与将在下文中说明的形成遮光结构151的导体层A和B的多结构示例进行比较的第一比较示例的平面图。图9的A表示导体层A，图9的B表示导体层B。在图9中的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
在第一比较示例中的导体层A中，在Y方向上延长的直线状导体211以导体周期FXA周期性地布置在X方向上。导体周期FXA是X方向上的导体宽度WXA和X方向上的间隙宽度GXA之和。例如，每个直线状导体211是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
在第一比较示例中的导体层B中，在Y方向上延长的直线状导体212以导体周期FXB周期性地布置在X方向上。导体周期FXB＝X方向上的导体宽度WXB+X方向上的间隙宽度GXB。例如，每个直线状导体212是连接到正电源的配线(Vdd配线)。这里，导体周期FXB＝导体周期FXA。
导体层A和B的连接目的地可以交换，以使每个直线状导体211是Vdd配线，并且每个直线状导体212是Vss配线。
图9的C示出了分别从光电二极管141侧(背面侧)观看图9的a和B中示出的导体层A和B的状态。在第一比较例子中，由于直线状导体211和212的形成为使得当形成导体层A的直线状导体211和形成导体层B的直线状导体212以图9的C所示的重叠方式排列时形成导体部分彼此重叠的重叠部分，所以能够充分屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。重叠部分的宽度也被称为重叠宽度。
图10是示出在第一比较示例(图9)中流动的电流的条件的图。
假设交流电流在形成导体层A的直线状导体211和形成导体层B的直线状导体212的端部中均匀地流动。然而，假定电流方向随时间而变化，并且例如当电流从图10的上侧经过作为Vdd配线的直线状导体212流向下侧时，电流从图10的下侧经过作为Vss配线的直线状导体211流向上侧。
在第一比较示例中，当电流如图10所示流动时，在直接导体211(即Vss配线)和直线状导体212(Vdd配线)之间，很容易由具有基本平行于XY平面的回路表面的导体回路产生基本上在Z方向上的磁通量，所述导体回路被形成为在图10的平面图中包括相邻的直线状导体211和212。
另一方面，在堆叠在其中形成有包括导体层A和B的遮光结构151的第二半导体基板102上的第一半导体基板101的像素阵列121中，如图所示，在XY平面中形成包括信号线132和控制线133的受扰导体回路。在XY平面上形成的受扰导体回路中，很容易由Z方向的磁通量产生感应电动势，并且当感应电动势的变化变得更大时，从固态成像器件100输出的图像劣化(感应噪声增大)。
此外，取决于侵扰导体回路的配置，感应电动势与受扰导体回路的尺寸成正比，因此当由于像素阵列121中所选像素的移动而使包括信号线132和控制线133的受扰导体回路的有效尺寸改变时，感应电动势的变化变得显著。
在第一比较示例中，因为从包括导体层A和B的遮光结构151的侵扰导体回路的回路表面产生的磁通量的方向(通常是Z方向)和在受扰导体回路中容易产生感应电动势的磁通量的方向(Z方向)基本相同，因此预期从固态成像器件100输出的图像劣化(出现感应噪声)。
图11示出了当第一比较示例应用于固态成像器件100时发生的感应噪声的模拟结果。
图11的A示出了从固态成像器件100输出的图像，其中出现了感应噪声。图11的B图示了在图11的A中所示的图像的线段X1-X2中的像素信号的变化。图11的C示出了表示导致图像中的感应噪声的感应电动势的实线L1。图11的C中的水平轴线表示图像的X轴坐标，垂直轴线表示感应电动势的大小。
下文中，图11的C所示的实线L1用于与当形成遮光结构151的导体层A和B的结构示例应用于与固态成像器件100时发生的感应噪声的模拟结果的比较。
<第一结构示例>
图12示出了导体层A和B的第一结构示例。图12的A示出了导体层A，图12的B示出了导体层B。在图12中的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
第一结构示例中的导体层A包括平面状导体213。例如，平面状导体213是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
第一比较示例中的导体层B包括平面状导体214。例如，平面状导体214是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
导体层A和B的连接目的地可以被交换，使得平面状导体213是Vdd配线而平面状导体214是Vss配线。这同样适用于下面将说明的各结构示例。
图12的C图示了如下状态：其中，从光电二极管141侧(背面侧)观察图12的A和B中所示的导体层A和B的各者。然而，图12的C中的对角线相交的阴影区域215表示导体层A的平面状导体213和导体层B的平面状导体214重叠的区域。因此，在图12的C的情况下，示出了导体层A的平面状导体213的整个表面和导体层B的平面状导体214的整个表面重叠。在第一结构示例的情况下，由于导体层A的平面状导体213的整个表面和导体层B的平面状导体214的整个表面彼此重叠，所以能够可靠地屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。
图13是示出在第一结构示例(图12)中流动的电流的条件的图。
假设交流电流在形成导体层A的平面状导体213和形成导体层B的平面状导体214的端部中均匀地流动。然而，假设电流方向随时间而改变，例如当电流从图13的上侧朝着下侧流过作为Vdd配线的平面状导体214时，电流从图13的下侧朝着上侧流过作为Vss配线的平面状导体213。
在第一结构示例中，当电流如图13所示流动时，在作为Vss配线的平面状导体213和作为Vdd配线的平面状导体214之间，在布置有平面状导体213和214的横截面中，很容易由具有基本正交于X轴的回路表面的导体回路和具有基本正交于Y轴的回路表面的导体回路产生基本上X方向和基本Y方向上的磁通量，上述导体回路被形成为包括平面状导体213和214(的横截面)。
另一方面，在堆叠在其中形成有包括导体层A和B的遮光结构151的第二半导体基板102上的第一半导体基板101的像素阵列121中，如图13所示，在XY平面中形成包括信号线132和控制线133的受扰导体回路。在XY平面上形成的受扰导体回路中，Z方向上的磁通量容易产生感应电动势，并且当感应电动势的变化变得更大时，从固态成像器件100输出的图像劣化(感应噪声增大)。
此外，当包括信号线132和控制线133的受扰导体回路的有效尺寸由于像素阵列121中所选像素的移动而改变时，感应电动势的变化变得显著。
在第一结构示例的情况下，从包括导体层A和B的遮光结构151的侵扰导体回路的回路表面产生的磁通量的方向(通常是X方向或通常是Y方向)以及在受扰导体回路中产生感应电动势的磁通量的方向(Z方向)基本上相互正交并且相差约90度。换言之，侵扰导体回路产生磁通量的回路表面的方向与受扰导体回路中产生感应电动势的回路表面的方向相差约90度。因此，从固态成像器件100输出的图像的劣化(感应噪声的出现)预计将小于在第一比较示例的情况下出现的劣化。
图14示出了当第一结构示例(图12)应用于固态成像器件100时发生的感应噪声的模拟结果。
图14的A示出了从固态成像器件100输出的图像，其中可以产生感应噪声。图14的B示出了图14的A所示的图像的线段X1-X2中的像素信号的变化。图14的C示出了实线L11，其指示导致图像中的感应噪声的感应电动势。图14的C中的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。图14的C中的虚线L1对应于第一比较示例(图9)。
从图14的C所示的实线L11与虚线L1的比较中可以清楚地看出，与第一比较示例相比，在第一结构示例中，能够抑制在受扰导体回路中生成的感应电动势的变化。因此，能够抑制从固态成像器件100输出的图像中出现感应噪声。
<第二结构示例>
图15示出了导体层A和B的第二结构示例。图15的A示出了导体层A，图15的B示出了导体层B。在图15中的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
第二结构示例中的导体层A包括网状导体216。在网状导体216中，X方向上的导体宽度为WXA，间隙宽度为GXA，导体周期为FXA(＝导体宽度WXA+间隙宽度GXA)，并且端部宽度为EXA(＝导体宽度WXA/2)。此外，在网状导体216中，Y方向上的导体宽度为WYA，间隙宽度为GYA，导体周期为FYA(＝导体宽度WYA+间隙宽度GYA)，并且端部宽度为EYA(＝导体宽度WYA/2)。例如，网状导体216是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
第二结构示例中的导体层B包括网状导体217。在网状导体217中，X方向上的导体宽度为WXB，间隙宽度为GXB，导体周期为FXB(＝导体宽度WXB+间隙宽度GXB)，并且端部宽度为EXB(＝导体宽度WXB/2)。此外，在网状导体217中，Y方向上的导体宽度为WYB，间隙宽度为GYB，导体周期为FYB(＝导体宽度WYB+间隙宽度GYB)，并且端部宽度为EYB(＝导体宽度WYB/2)。例如，网状导体217是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
优选地，网状导体216和网状导体217满足以下关系。
导体宽度WXA＝导体宽度WYA＝导体宽度WXB＝导体宽度WYB
间隙宽度GXA＝间隙宽度GYA＝间隙宽度GXB＝间隙宽度GYB
端部宽度EXA＝端部宽度EYA＝端部宽度EXB＝端部宽度EYB
导体周期FXA＝导体周期FYA＝导体周期FXB＝导体周期FYB
图15的C示出了从光电二极管141侧(背面侧)观看图15的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。然而，在图15的C中，对角线相交的阴影区域218指示导体层A的网状导体216和导体层B的网状导体217重叠的区域。在第二结构示例的情况下，由于形成导体层A的网状导体216之间的间隙和形成导体层B的网状导体217之间的间隙匹配，因此不能充分屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。但是，如下所述，能够抑制感应噪声的发生。
图16是示出在第二结构示例(图15)中流动的电流的条件的图。
假设交流电流在形成导体层A的网状导体216和形成导体层B的网状导体217的端部均匀地流动。然而，假设电流方向随时间而变化，例如，当电流从图16的上侧朝着下侧流过作为Vdd配线的网状导体217时，电流从图16的下侧朝着上侧流过作为Vss配线的网状导体216。
在第二结构示例中，当电流如图16所示流动时，在作为Vss配线的网状导体216和作为Vdd配线的网状导体217之间，在布置网状导体216和217的横截面中，通过具有基本正交于X轴的回路表面的导体回路和具有与Y轴基本正交的回路表面的导体回路容易地产生基本上X方向和基本Y方向上的磁通量，上述导体回路被形成为包括网状导体216和217(的横截面)。
另一方面，在堆叠在形成有包括导体层A和B的遮光结构151的第二半导体基板102上的第一半导体基板101的像素阵列121中，如图16所示，在XY平面中形成包括信号线132和控制线133的受扰导体回路。在XY平面上形成的受扰导体回路中，在Z方向上的磁通量容易产生感应电动势，并且当感应电动势的变化变得更大时，从固态成像器件100输出的图像劣化(感应噪声增大)。
此外，当包括信号线132和控制线133的受扰导体回路的有效尺寸由于像素阵列121中所选像素的移动而改变时，感应电动势的变化变得显著。
对于第二结构示例，从包括导体层A和B的遮光结构151的侵扰导体回路的回路表面产生的磁通量的方向(通常是X方向或通常是Y方向)与在受扰导体回路中产生感应电动势的磁通量的方向(Z方向)基本上相互正交并且相差约90度。换言之，侵扰导体回路产生磁通量的回路表面的方向与受扰导体回路中产生感应电动势的回路表面方向相差约90度。因此，从固态成像器件100输出的图像的劣化(产生感应噪声)预计将小于在第一比较示例的情况下的劣化。
图17示出了当第二结构示例(图15)应用于固态成像器件100时发生的感应噪声的模拟结果。
图17的A示出了从固态成像器件100输出的图像，其中可以产生感应噪声。图17的B示出了图17的A所示的图像的线段X1-X2中的像素信号的变化。图17的C示出了指示导致图像中的感应噪声的感应电动势的实线L21。图17的C中的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。图17的C中的虚线L1对应于第一比较示例(图9)。
从图17的C所示的实线L21与虚线L1的比较中可以清楚地看出，与第一比较示例相比，在第二结构示例中，能够抑制在受扰导体回路中生成的感应电动势的变化。因此，能够抑制从固态成像器件100输出的图像中出现感应噪声。
<第二比较示例>
在第二结构示例(图15)中，作为形成导体层A的网状导体216和形成导体层B的网状导体217之间的关系，满足：导体周期FXA＝导体周期FYA＝导体周期FXB＝导体周期FYB。
因此，当导体层A在X方向的导体周期FXA、导体层A在Y方向的导体周期FYA、导体层B在X方向的导体周期FXB和导体层B在X方向的导体周期FYB匹配时，能够抑制感应噪声的发生。
图18和19是图示了当导体层A和导体层B的导体周期均匹配时能够抑制感应噪声的发生的图。
图18的A示出了第二比较示例，该第二比较示例是第二结构示例的变型，用于与图15中所示的第二结构示例进行比较，并且在第二比较示例中，第二结构示例中的用于形成导体层A的网状导体216的在X方向上的间隙宽度GXA和在Y方向上的间隙宽度GYA增大，在X方向上的导体周期FXA和在Y方向上的导体周期FYA是在第二结构示例中的在X方向上的导体周期FXA和在Y方向上的导体周期FYA的5倍。假设在第二比较示例中形成导体层B的网状导体217与第二结构示例中的相同。
图18的B以与图18的A中相同的放大倍数示出图15的C中所示的第二结构示例。
图19示出了当第二比较示例(图18的A)和第二结构示例(图18的B)被应用于固态成像器件100时，作为模拟结果的在图像中引起感应噪声的感应电动势的变化。第二比较示例中流动的电流的条件与图16中所示的条件相同。图19的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。
图19中的实线L21对应于第二结构示例，虚线L31对应于第二比较示例。
从实线L21与虚线L31的比较中可以清楚地看出，与第二比较示例相比，在第二结构示例中，能够抑制在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化并抑制感应噪声。
<第三比较示例>
顺便说一句，即使在第二比较示例中形成导体层A的网状导体的导体宽度被加宽，也能够抑制感应噪声的发生。
图20和21图示了当形成导体层A的网状导体的导体宽度被加宽时，能够抑制感应噪声的发生。
图20的A再次示出图18的A中所示的第二比较示例。
图20的B示出了第三比较示例，该第三比较示例是用于与第二比较示例进行比较的第二结构示例的变型，并且在第三比较示例中，在第二结构示例中的形成导体层A的网状导体216的X方向和Y方向上的导体宽度WXA和WYA增大到第二结构示例中的五倍。在第三比较示例中形成导体层B的网状导体217与第二结构示例中的相同。
图21示出了在将第三比较示例和第二比较示例应用于固态成像器件100时作为仿真结果的在图像中引起感应噪声的感应电动势的变化。第三比较示例中流动的电流的条件与图16中所示的条件相同。图21的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。
图21中的实线L41对应于第三比较示例，虚线L31对应于第二比较示例。
从实线L41和虚线L31的比较中可以清楚地看出，与第二比较示例相比，在第三比较示例中，能够抑制在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化并抑制感应噪声。
<第三结构示例>
接着，图22图示了导体层A和B的第三结构示例。图22的A图示了导体层A，图22的B图示了导体层B。在图22的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
第三结构示例中的导体层A包括平面状导体221。例如，平面状导体221是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
第三结构示例中的导体层B包括网状导体222。假设网状导体222的X方向上的导体宽度为WXB，间隙宽度为GXB，导体周期为FXB(＝导体宽度WXB+间隙宽度GXB)。此外，假设网状导体222的Y方向上的导体宽度为WYB，间隙宽度为GYB，导体周期为FYB(＝导体宽度WYB+间隙宽度GYB)，并且端部宽度为EYB。例如，网状导体222是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
优选地，网状导体222满足以下关系。
导体宽度WXB＝导体宽度WYB
间隙宽度GXB＝间隙宽度GYB
端部宽度EYB＝导体宽度WYB/2
导体周期FXB＝导体周期FYB
通过如上述关系那样对准X和Y方向上的导体宽度、导体周期和间隙宽度，网状导体222的配线电阻和配线阻抗在X和Y方向上变得均匀，因此，即使在X方向和Y方向上也能够产生磁场电阻或电压降。
此外，通过将端部宽度EYB设置为导体宽度WYB的1/2，能够抑制由于在网状导体222的端部周围产生的磁场而在受扰导体回路中产生的感应电动势。
图22的C示出了从光电二极管141侧(背面侧)观看图22的A和B中所示的相应的导体层A和B的状态。然而，图22的C中的对角线相交的阴影区域223指示导体层A的平面状导体221和导体层B的网状导体222重叠的区域。在第三结构示例的情况下，由于有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，所以能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。
图23是示出在第三结构示例(图22)中流动的电流的条件的图。
假设交流电流在形成导体层A的平面状导体221和形成导体层B的网状导体222的端部均匀地流动。然而，假定电流方向随时间而变化，例如，当电流从图23的上侧朝着下侧流过作为Vdd配线的网状导体222时，电流从图23的下侧朝着上侧流过作为Vss配线的平面状导体221。
在第三结构示例中，当电流如图23所示流动时，在作为Vss配线的平面状导体221和作为Vdd配线的网状导体222之间，在布置有平面状导体221和网状导体222的横截面中，很容易由具有基本正交于X轴的回路表面的导体回路和具有基本正交于Y轴的回路表面的导体回路产生基本上X方向和基本Y方向上的磁通量，上述导体回路被形成为包括平面状导体221和网状导体222的(横截面)。
另一方面，在堆叠在形成包括导体层A和B的遮光结构151的第二半导体基板102上的第一半导体基板101的像素阵列121中，在XY平面中形成有包括信号线132和控制线133的受扰导体回路。在XY平面上形成的受扰导体回路中，在Z方向上的磁通量容易产生感应电动势，并且当感应电动势的变化变得更大时，从固态成像器件100输出的图像劣化(感应噪声增加)。
此外，当包括信号线132和控制线133的受扰导体回路的有效尺寸由于像素阵列121中所选像素的移动而改变时，感应电动势的变化变得显著。
在第三结构示例的情况下，从包括导体层A和B的遮光结构151的侵扰导体回路的回路表面产生的磁通量的方向(通常是X方向或通常是Y方向)以及在受扰导体回路中产生感应电动势的磁通量的方向(Z方向)基本上相互正交并且相差约90度。换言之，侵扰导体回路产生磁通量的回路表面的方向与受扰导体回路中感应电动势的回路表面的方向相差约90度。因此，从固态成像器件100输出的图像的劣化(感应噪声的出现)预计将小于在第一比较示例的情况下的劣化。
图24示出了当第三结构示例(图22)应用于固态成像器件100时发生的感应噪声的模拟结果。
图24的A示出了从固态成像器件100输出的图像，其中可以产生感应噪声。图24的B示出了图24的A所示的图像的线段X1-X2中的像素信号的变化。图24的C示出了实线L51，该实线表示导致图像中的感应噪声的感应电动势。图24的C中的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。图24的C中的虚线L1对应于第一比较示例(图9)。
从图24的C所示的实线L51与虚线L1的比较中可以清楚地看出，与第一比较示例相比，在第三结构示例中，能够抑制在受扰导体回路中生成的感应电动势的变化。因此，能够抑制从固态成像器件100输出的图像中出现感应噪声。
<第四结构示例>
接下来，图25示出了导体层A和B的第四结构示例。图25的A示出了导体层A，图25的B示出了导体层B。在图25中的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
第四结构示例中的导体层A包括网状导体231。在网状导体231中，X方向上的导体宽度为WXA，间隙宽度为GXA，导体周期为FXA(＝导体宽度WXA+间隙宽度GXA)，并且端部宽度为EXA(＝导体宽度WXA/2)。网状导体231在Y方向上的导体宽度为WYA，间隙宽度为GYA，并且导体周期为FYA(＝导体宽度WYA+间隙宽度GYA)。例如，网状导体231是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
第四结构示例中的导体层B包括网状导体232。假设网状导体232在X方向上的导体宽度为WXB，间隙宽度为GXB，导体周期为FXB(＝导体宽度WXB+间隙宽度GXB)。此外，假设网状导体232在Y方向上的导体宽度为WYB，间隙宽度为GYB，导体周期为FYB(＝导体宽度WYB+间隙宽度GYB)，并且端部宽度为EYB(＝导体宽度WYB/2)。例如，网状导体232是连接至正电源的配线(Vdd配线)。
优选地，网状导体231和网状导体232满足以下关系。
导体宽度WXA＝导体宽度WYA＝导体宽度WXB＝导体宽度WYB
间隙宽度GXA＝间隙宽度GYA＝间隙宽度GXB＝间隙宽度GYB
端部宽度EXA＝端部宽度EYB
导体周期FXA＝导体周期FYA＝导体周期FXB＝导体周期FYB
导体宽度WYA＝2×重叠宽度+间隙宽度GYA，导体宽度WXA＝2×重叠宽度+间隙宽度GXA
导体宽度WYB＝2×重叠宽度+间隙宽度GYB，导体宽度WXB＝2×重叠宽度+间隙宽度GXB
这里，重叠宽度是当导体层A的网状导体231和导体层B的网状导体232以重叠方式布置时，导体部分重叠的重叠部分的宽度。
由于通过如上述关系那样对准网状导体231和网状导体232的X方向和Y方向上的导体周期，使得网状导体231的电流分布和网状导体232的电流分布基本上是均匀的并且具有相反的特性，，因此能够有效地抵消由网状导体231的电流分布产生的磁场和由网状导体232的电流分布产生的磁场。
此外，通过在X和Y方向上对准网状导体231和网状导体232的导体宽度、导体周期和间隙宽度，网状导体231和网状导体232的配线电阻和配线阻抗在X和Y方向上变得均匀，因此，即使在X方向和Y方向上也能够产生磁场电阻或电压降。
此外，通过将网状导体231的端部宽度EXA设置为导体宽度WXA的1/2，能够抑制由于在网状导体231的端部周围产生的磁场而在受扰导体回路中产生的感应电动势。此外，通过将网状导体232的端部宽度EYB设置为导体宽度WYB的1/2，能够抑制由于在网状导体232的端部周围产生的磁场而在受扰导体回路中产生的感应电动势。
可以设置导体层B的网状导体232的在X方向上的端部，来代替设置导体层A的网状导体231的在X方向上的端部。此外，可以设置导体层A的网状导体231的在Y方向上的端部，来代替导体层B的网状导体232的在Y方向上的端部。
图25的C示出了从光电二极管141侧(背面侧)观看图25的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。然而，图25的C中对角线相交的阴影区域233表示导体层A的网状导体231和导体层B的网状导体232重叠的区域。在第四结构示例的情况下，由于有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，所以能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。
这里，为了使用导体层A的网状导体231和导体层B的网状导体232来完全屏蔽发射的热载流子光，必须满足以下关系。
导体宽度WYA≥间隙宽度GYA
导体宽度WXA≥间隙宽度GXA
导体宽度WYB≥间隙宽度GYB
导体宽度WXB≥间隙宽度GXB
在这种情况下，满足以下关系。
导体宽度WYA＝2×重叠宽度+间隙宽度GYA
导体宽度WXA＝2×重叠宽度+间隙宽度GXA
导体宽度WYB＝2×重叠宽度+间隙宽度GYB
导体宽度WXB＝2×重叠宽度+间隙宽度GXB
在第四结构示例中，当电流如图23所示的情况下流动时，在作为Vss配线的网状导体231和作为Vdd配线的网状导体232之间，在布置有网状导体231和232的横截面中，通过具有基本正交于X轴的回路表面的导体回路和具有基本正交于Y轴的回路表面的导体回路容易地产生基本上X方向和基本Y方向上的磁通量，上述导体回路被形成为包括网状导体231和232(的横截面)。
<第五结构示例>
接下来，图26示出了导体层A和B的第五结构示例。图26的A示出了导体层A，图26的B示出了导体层B。在图26中的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
第五结构示例中的导体层A包括网状导体241。网状导体241是通过将第四结构示例(图25)中的形成导体层A的网状导体231沿Y方向移动FYA/2的导体周期而获得的。例如，网状导体241是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
第五结构示例中的导体层B包括网状导体242。由于网状导体242具有与在第四结构示例(图25)中的形成导体层B的网状导体232相同的形状，因此将省略对它的说明。例如，网状导体242是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
网导体241和网导体242优选满足以下关系。
导体宽度WXA＝导体宽度WYA＝导体宽度WXB＝导体宽度WYB
间隙宽度GXA＝间隙宽度GYA＝间隙宽度GXB＝间隙宽度GYB
端部宽度EXA＝端部宽度EYB
导体周期FXA＝导体周期FYA＝导体周期FXB＝导体周期FYB
导体宽度WYA＝2×重叠宽度+间隙宽度GYA，导体宽度WXA＝2×重叠宽度+间隙宽度GXA
导体宽度WYB＝2×重叠宽度+间隙宽度GYB，导体宽度WXB＝2×重叠宽度+间隙宽度GXB
这里，重叠宽度是当导体层A的网状导体241和导体层B的网状导体242以重叠方式布置时导体部重叠的重叠部分的宽度。
图26的C示出了从光电二极管141侧(背面侧)观看图26的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。然而，在图26的C中，对角线相交的阴影区域243指示导体层A的网状导体241和导体层B的网状导体242重叠的区域。在第五结构示例的情况下，由于有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，所以能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。
此外，在第五结构示例的情况下，网状导体241和网状导体242重叠的区域243在X方向上是连续的。在网状导体241和网状导体242重叠的区域243中，由于具有不同极性的电流流过网状导体241和网状导体242，因此从区域243产生的磁场被抵消。因此，能够抑制区域243附近的感应噪声的发生。
在第五结构示例中，当电流如图23所示的情况下流动时，在作为Vss配线的网状导体241和作为Vdd配线的网状导体242之间，在布置有网状导体241和242的横截面中，通过具有基本正交于X轴的回路表面的导体回路和具有基本正交于Y轴的回路表面的导体回路容易地产生基本上X方向和基本Y方向上的磁通量，上述导体回路被形成为包括网状导体241和242(的横截面)。
<第六结构示例>
接下来，图27示出了导体层A和B的第六结构示例。图27的A示出了导体层A，图27的B示出了导体层B。在图27中的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
第六结构示例中的导体层A包括网状导体251。由于网状导体251具有与在第四结构示例(图25)中形成导体层A的网状导体231相同的形状，因此将省略对其的说明。例如，网状导体251是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
第六结构示例中的导体层B包括网状导体252。通过将第四结构示例(图25)中的形成导体层B的网状导体232沿X方向移动导体周期FXB/2来获得网状导体252。例如，网状导体252是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
网导体251和网导体252优选满足以下关系。
导体宽度WXA＝导体宽度WYA＝导体宽度WXB＝导体宽度WYB
间隙宽度GXA＝间隙宽度GYA＝间隙宽度GXB＝间隙宽度GYB
端部宽度EXA＝端部宽度EYB
导体周期FXA＝导体周期FYA＝导体周期FXB＝导体周期FYB
导体宽度WYA＝2×重叠宽度+间隙宽度GYA，导体宽度WXA＝2×重叠宽度+间隙宽度GXA
导体宽度WYB＝2×重叠宽度+间隙宽度GYB，导体宽度WXB＝2×重叠宽度+间隙宽度GXB
这里，重叠宽度是当导体层A的网状导体251和导体层B的网状导体252以重叠方式布置时，导体部重叠的重叠部分的宽度。
图27的C示出了从光电二极管141侧(背面侧)观看图27的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。然而，图27的C中对角线相交的阴影区域253表示导体层A的网状导体251和导体层B的网状导体252重叠的区域。在第六结构示例的情况下，由于有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，所以能屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。
在第六结构示例中，当电流如图23所示的情况下流动时，在作为Vss配线的网状导体251和作为Vdd配线的网状导体252之间，在布置有网状导体251和252的横截面中，通过具有基本正交于X轴的回路表面的导体回路和具有基本正交于Y轴的回路表面的导体回路容易地产生基本上X方向和基本上Y方向上的磁通量，上述导体回路被形成为包括网状导体251和252(的横截面)。
此外，在第六结构示例的情况下，网状导体251和网状导体252重叠的区域253在Y方向上是连续的。在网状导体251和网状导体252重叠的区域253中，由于具有不同极性的电流流过网状导体251和网状导体252，因此从区域253产生的磁场被抵消。因此，能够在253区域附近抑制感应噪声的发生。
<第四到第六结构示例的仿真结果>
图28示出了当第四到第六结构示例(图25到27)应用于固态成像器件100时，作为模拟结果的导致图像中的感应噪声的感应电动势的变化。在第四到第六结构示例中流动的电流的条件与图23中所示的相同。图28的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。
图28的A中的实线L52对应于第四结构示例(图25)，虚线L1对应于第一比较示例(图9)。从实线L52与虚线L1的比较中可以清楚地看出，与第一比较示例相比，在第四结构示例中，能够抑制在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化并抑制感应噪声。
图28的B中的实线L53对应于第五结构示例(图26)，虚线L1对应于第一比较示例(图9)。从实线L53与虚线L1的比较中可以清楚地看出，与第一比较示例相比，在第五结构示例中，能够抑制在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化并抑制感应噪声。
图28的C中的实线L54对应于第六结构示例(图27)，虚线L1对应于第一比较示例(图9)。从实线L54与虚线L1的比较中可以清楚地看出，与第一比较示例相比，在第六结构示例中，能够抑制在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化并抑制感应噪声。
此外，从实线L52到L54的比较中可以清楚地看到，相比于第四结构示例和第五结构示例，在第六结构示例中，能够进一步抑制在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化，并进一步抑制感应噪声。
<第七结构示例>
接下来，图29示出了导体层A和B的第七结构示例。图29的A示出了导体层A，图29的B示出了导体层B。在图29中的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，并且方向与XY正交平面表示Z轴。
第七结构示例中的导体层A包括平面状导体261。例如，平面状导体261是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
第七结构示例中的导体层B包括网状导体262和中继导体(Relay conductor)301。由于网状导体262具有与第三结构示例(图22)中的导体层B的网状导体222相同的形状，因此将省略对它的说明。例如，网状导体262是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
中继导体(其它导体)301设置在除网状导体262的导体之外的间隙区域中，与网状导体262电绝缘，并且连接至与导体层A的平面状导体261相连接的Vss。
中继导体301具有任意形状，并且优选为对称的圆形或多边形，诸如旋转对称的圆形或多边形或镜像对称的圆形或多边形。中继导体301可以设置在网状导体262的间隙区域的中心或任何其它位置。中继导体301可以连接到不同于导体层A的作为Vss配线的导体层。中继导体301可以在更靠近有源元件组167的一侧而不是更靠近导体层B的一侧连接到作为Vss配线的导体层。中继导体301能够通过在Z方向延伸的导体通孔连接至例如与导体层A不同的导体层或更靠近有源元件组167一侧而不是更靠近导体层B一侧的导体层。
图29的C示出了从光电二极管141侧(背面侧)观看图29的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。然而，图29的C中对角线相交的阴影区域263表示导体层A的平面状导体261和导体层B的网状导体262重叠的区域。在第七结构示例的情况下，由于有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，所以能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。
此外，在第七结构示例的情况下，作为Vss配线的平面状导体261可以通过设置中继导体301以基本上最短的距离或短距离连接到有源元件组167。通过将平面状导体261以基本上最短的距离或短距离连接到有源元件组167，能够降低平面状导体261与有源元件组167之间的电压降、能量损失或感应噪声。
图30是示出在第七结构示例(图29)中流动的电流的条件的图。
假设交流电流在形成导体层A的平面状导体261和形成导体层B的网状导体262的端部均匀地流动。然而，假定电流方向随时间而变化，例如，当电流从图30的上侧朝着下侧流过作为Vdd配线的网状导体262时，电流从图30的下侧朝着上侧流过作为Vss配线的平面状导体261。
在第七结构示例中，当电流如图30所示流动时，在作为Vss配线的平面状导体261和作为Vdd配线的网状导体262之间，在布置有平面状导体261和网状导体262的横截面中，通过具有基本正交于X轴的回路表面的导体回路和具有基本正交于Y轴的回路表面的导体回路容易地产生在基本上X方向和基本上Y方向上的磁通量，上述导体回路被形成为包括平面状导体261和网状导体262(的横截面)。
另一方面，在其中形成有包括导体层A和B的遮光结构151的堆叠在第二半导体基板102上的第一半导体基板101的像素阵列121中，在XY平面中形成包括信号线132和控制线133的受扰导体回路。在XY平面上形成的受扰导体回路中，在Z方向上的磁通量容易产生感应电动势，并且当感应电动势的变化变得更大时，从固态成像器件100输出的图像劣化(感应噪声增加)。
此外，当包括信号线132和控制线133的受扰导体回路的有效尺寸由于像素阵列121中所选像素的移动而改变时，感应电动势的变化变得显著。
在第七结构示例的情况下，从包括导体层A和B的遮光结构151的侵扰导体回路的回路表面产生的磁通量的方向(通常是X方向或通常是Y方向)以及在受扰导体回路中产生感应电动势的磁通量的方向(Z方向)基本上相互正交并且相差约90度。换言之，侵扰导体回路产生磁通量的回路表面的方向与受扰导体回路中产生感应电动势的回路表面的方向相差约90度。因此，从固态成像器件100输出的图像的劣化(感应噪声的出现)预计将小于在第一比较示例的情况下的劣化。
图31示出了当第七结构示例(图29)应用于固态成像器件100时发生的感应噪声的模拟结果。
图31的A示出了从固态成像器件100输出的图像，其中可以产生感应噪声。图31的B示出了图31的A所示的图像的线段X1-X2中的像素信号的变化。图31的C示出了实线L61，其指示导致图像中的感应噪声的感应电动势。图31的C中的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。图31的C中的虚线L51对应于第三结构示例(图22)。
从图31的C所示的实线L61与虚线L51的比较中可以清楚地看到，与第三结构示例相比，在第七结构示例中，在受扰导体回路中生成的感应电动势的变化没有劣化。也就是说，即使在将中继导体301布置在导体层B的网状导体262之间的间隙中的第七结构示例中，也能够将从固态成像器件100输出的图像中的感应噪声的发生抑制到与第三结构示例中相同的程度。然而，这些模拟结果是当平面状导体261未连接到有源元件组167并且网状导体262未连接到有源元件组167时的模拟结果。例如，当平面状导体261和有源元件组167的至少一部分通过导体通孔等以基本上最短的距离或短距离彼此连接时，或当网状导体262和有源元件组167的至少一部分通过导体通孔等以基本上最短的距离或短距离彼此连接时，流过平面状导体261或网状导体262的电流量根据位置而逐渐减小。在这种情况下，存在通过设置中继导体301能够使电压降、能量损失或感应噪声大大降低到1/2或更小的条件。
<第八结构示例>
接下来，图32示出了导体层A和B的第八结构示例。图32的A示出了导体层A，图32的B示出了导体层B。在图32中的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，并且方向与XY正交平面表示Z轴。
第八结构示例中的导体层A包括网状导体271。由于网状导体271具有与第四结构示例(图25)中导体层A的网状导体231相同的形状，因此将省略对它的说明。例如，网状导体271是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
第八结构示例中的导体层B包括网状导体272和中继导体302。由于网状导体的形状与第四层网状导体的描述相同，因此省略了对它的说明。例如，网状导体272是连接至正电源的配线(Vdd配线)。
中继导体(其它导体)302布置在间隙区域中并与网状导体272电绝缘，该间隙区域不是网状导体272的导体，并且中继导体302连接到已经连接至导体层A的网状导体271的Vss。
中继导体302具有任意形状，优选对称的圆形或多边形，例如旋转对称的圆形或多边形或镜像对称的圆形或多边形。中继导体302可以设置在网状导体272的间隙区域的中心或任何其它位置。中继导体302可以连接到作为Vss配线的不同于导体层A的导体层。中继导体302可以连接到更靠近有源元件组167而不是更靠近导体层B一侧的作为Vss配线的导体层。中继导体302能够通过在Z方向延伸的导体通孔而被连接到例如与导体层A不同的导体层或更靠近有源元件组167而不是更靠近导体层B一侧的导体层。
图32的C示出了从光电二极管141侧(背面侧)观看图32的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。然而，在图32的C中，对角线相交的阴影区域273表示导体层A的网状导体271和导体层B的网状导体272重叠的区域。在第八结构示例的情况下，由于有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，所以能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。
在第八结构示例中，当电流如图30所示的情况下流动时，作为Vss配线的网状导体271和作为Vdd配线的网状导体272之间，在布置有网状导体271和272的横截面中，通过具有基本正交于X轴的回路表面的导体回路和具有基本正交于Y轴的回路表面的导体回路容易地产生基本上X方向和基本上Y方向上的磁通量，上述导体回路被形成为包括网状导体271和272(的横截面)。
此外，在第八结构示例的情况下，作为Vss配线的网状导体271可以通过提供中继导体302以基本上最短的距离或短距离连接到有源元件组167。通过将网状导体271以基本上最短的距离或短距离连接到有源元件组167，能够降低网状导体271和有源元件组167之间的电压降、能量损失或感应噪声。
<第九结构示例>
接下来，图33示出了导体层A和B的第九结构示例。图33的A示出了导体层A，图33的B示出了导体层B。在图33的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
第九结构示例中的导体层A包括网状导体281。由于网状导体281具有与第五结构示例(图26)中导体层A的网状导体241相同的形状，因此将省略对它的说明。例如，网状导体281是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
第九结构示例中的导体层B包括网状导体282和中继导体303。由于网状导体282具有与第五结构示例(图26)中导体层B的网状导体242相同的形状，因此将省略对它的说明。例如，网状导体282是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
中继导体(其它导体)303布置在不是网状导体282的导体的间隙区域中，与网状导体282电绝缘，并且连接到已经连接至导体层A的网状导体281的Vss。
中继导体303具有任意形状，优选对称的圆形或多边形，例如旋转对称的圆形或多边形或镜像对称的圆形或多边形。中继导体303可以设置在网状导体282的间隙区域的中心或任何其它位置。中继导体303可以连接到不同于导体层A的作为Vss配线的导体层。中继导体303可以连接到更靠近有源元件组167而不是更靠近导体层B一侧的作为Vss配线的导体层。中继导体303可以通过在Z方向延伸的导体通孔连接到例如与导体层A不同的导体层或更靠近有源元件组167而不是更靠近导体层B一侧的导体层。
图33的C示出了从光电二极管141侧(背面侧)观看图33的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。然而，图33的C中对角线相交的阴影区域283指示导体层A的网状导体281和导体层B的网状导体282重叠的区域。在第九结构示例的情况下，由于有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，所以能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。
在第九结构示例中，当电流如图30所示的情况下流动时，在作为Vss配线的网状导体281和作为Vdd配线的网状导体282之间，在布置有网状导体281和282的横截面中，通过具有基本正交于X轴的回路表面的导体回路和具有基本正交于Y轴的回路表面的导体回路容易地产生基本上X方向和基本上Y方向上的磁通量，上述导体回路被形成为包括网状导体281和282(的横截面)。
此外，在第九结构示例的情况下，作为Vss配线的网状导体281可以通过设置中继导体303以基本上最短的距离或短距离连接到有源元件组167。通过将网状导体281以基本上最短的距离或短距离连接到有源元件组167，能够降低网状导体281和有源元件组167之间的电压降、能量损失或感应噪声。
<第十结构示例>
接下来，图34示出了导体层A和B的第十结构示例。图34的A示出了导体层A，而图34的B示出了导体层B。在图34中的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
第十结构示例中的导体层A包括网状导体291。由于网状导体291具有与第六结构示例(图27)中导体层A的网状导体251相同的形状，因此将省略对它的说明。例如，网状导体291是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
第十结构示例中的导体层B包括网状导体292和中继导体304。由于网状导体292具有与第六结构示例(图27)中导体层B的网状导体252相同的形状，因此将省略对它的说明。例如，网状导体292是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
中继导体(其它导体)304布置在不是网状导体292的导体的间隙区域中，与网状导体292电绝缘，并且连接到已经与导体层A的网状导体291连接的Vss。
中继导体304具有任意形状，优选对称的圆形或多边形，例如旋转对称的圆形或多边形或镜像对称的圆形或多边形。中继导体304可以设置在网状导体292的间隙区域的中心或任何其它位置。中继导体304可以连接到不同于导体层A的作为Vss配线的导体层。中继导体304可以连接到在更靠近有源元件组167而不是更靠近导体层B一侧的作为Vss配线的导体层。中继导体304可以通过在Z方向延伸的导体通孔连接到例如与导体层A不同的导体层或更靠近有源元件组167而不是更靠近导体层B一侧的导体层。
图34的C示出了从光电二极管141侧(背面侧)观看图34的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。然而，在图34的C中，对角线相交的阴影区域293表示导体层A的网状导体291和导体层B的网状导体292重叠的区域。在第十结构示例的情况下，由于有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，所以能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。
在第十结构示例中，当电流如图30所示的情况下流动时，在作为Vss配线的网状导体291和作为Vdd配线的网状导体292之间，在布置有网状导体291和292的横截面中，通过具有基本正交于X轴的回路表面的导体回路和具有基本正交于Y轴的回路表面的导体回路容易地产生基本上X方向和基本上Y方向上的磁通量，上述导体回路被形成为包括网状导体291和292(的横截面)。
此外，在第十结构示例的情况下，作为Vss配线的网状导体291可以通过提供中继导体304以基本上最短的距离或短距离连接到有源元件组167。通过将网状导体291以基本上最短的距离或短距离连接到有源元件组167，能够降低网状导体291和有源元件组167之间的电压降、能量损失或感应噪声。
<第八到第十结构示例的仿真结果>
图35示出了在第八到第十结构示例(图32至34)应用于固态成像器件100的情况下作为模拟结果的导致图像中的感应噪声的感应电动势。在第八到第十结构示例中流动的电流的条件与图30中所示的相同。图35的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。
图35的A中的实线L62对应于第八结构示例(图32)，虚线L52对应于第四结构示例(图25)。从实线L62与虚线L52的比较可以清楚地看出，在第八结构示例中，与第四结构示例相比，在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化不会劣化。也就是说，即使在中继导体302被布置在导体层B的网状导体272之间的间隙中的第八结构示例中，也能够将从固态成像器件100输出的图像中的感应噪声的发生抑制到与第四结构示例中相同的程度。然而，模拟的结果是当网状导体271未连接到有源元件组167并且网状导体272未连接到有源元件组167时的模拟结果。例如，当网状导体271和有源元件组167的至少一部分通过导体通孔等以基本上最短的距离或短距离彼此连接时，或当网状导体272和有源元件组167的至少一部分通过导体通孔等以基本上最短的距离或短距离彼此连接时，流过网状导体271或网状导体272的电流量根据位置逐渐减小。在这种情况下，存在通过设置中继导体302能够使电压降、能量损失或感应噪声大大降低到1/2或更小的条件。
图35的B中的实线L63对应于第九结构示例(图33)，虚线L53对应于第五结构示例(图26)。从实线L63与虚线L53的比较中可以清楚地看出，与第五结构示例相比，在第九结构示例中，在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化没有劣化。也就是说，即使在中继导体303被布置在导体层B的网状导体282之间的间隙中的第九结构示例中，也能够将从固态成像器件100输出的图像中的感应噪声的发生抑制到与第五结构示例中相同的程度。然而，模拟的结果是当网状导体281未连接到有源元件组167并且网状导体282未连接到有源元件组167时的模拟结果。例如，当网状导体281和有源元件组167的至少一部分通过导体通孔等以基本上最短的距离或短距离彼此连接时，或当网状导体282和有源元件组167的至少一部分通过导体通孔等以基本上最短的距离或短距离彼此连接时，流过网状导体281或网状导体282的电流量根据位置逐渐减小。在这种情况下，存在通过设置中继导体303能够使电压降、能量损失或感应噪声大大降低到1/2或更小的条件。
图35的C中的实线L64对应于第十结构示例(图34)，虚线L54对应于第六结构示例(图27)。从实线L64与虚线L54的比较中可以清楚地看出，与第六结构示例相比，在第十结构示例中，在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化没有劣化。也就是说，即使在中继导体304被布置在导体层B的网状导体292之间的间隙中的第十结构示例中，也能够将从固态成像器件100输出的图像中的感应噪声的发生抑制到与第六结构示例中相同的程度。然而，模拟的结果是当网状导体291未连接到有源元件组167并且网状导体292未连接到有源元件组167时的模拟结果。例如，当网状导体291和有源元件组167的至少一部分通过导体通孔等以基本上最短的距离或短距离彼此连接时，或当网状导体292和有源元件组167的至少一部分通过导体通孔等以基本上最短的距离或短距离彼此连接时，流过网状导体291或网状导体292的电流量根据位置逐渐减小。在这种情况下，存在通过设置中继导体304可以将电压降、能量损失或感应噪声大大降低到1/2或更小的条件。
此外，从实线L62到L64的比较中可以清楚地看到，与第八结构示例和第九结构示例相比，在第十结构示例中，能够进一步抑制在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化，并进一步抑制感应噪声。
<第十一结构示例>
接下来，图36示出了导体层A和B的第十一结构示例。图36的A示出了导体层A，图36的B示出了导体层B。在图36中的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
第十一结构示例中的导体层A包括网状导体311，其在X方向(第一方向)上的电阻值与在Y方向(第二方向)上的电阻值不同。例如，网状导体311是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
网状导体311的X方向上的导体宽度为WXA，间隙宽度为GXA，导体周期为FXA(＝导体宽度WXA+间隙宽度GXA)，并且端部宽度为EXA(＝导体宽度WXA/2)。此外，假设网状导体311的Y方向上的导体宽度为WYA，间隙宽度为GYA，导体周期为FYA(＝导体宽度WYA+间隙宽度GYA)，并且端部宽度为EYA(＝导体宽度WYA/2)。在网状导体311中，满足：间隙宽度GYA>间隙宽度GXA。因此，网状导体311的间隙区域具有以下形状：在Y方向上的区域比在X方向上的区域长，在X方向和Y方向上的电阻值不同，并且在Y方向上的电阻值小于在X方向上的电阻值。
第十一结构示例中的导体层B包括在X方向和Y方向上具有不同电阻值的网状导体312。例如，网状导体312是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
假设网状导体312的X方向上的导体宽度为WXB，间隙宽度为GXB，导体周期为FXB(＝导体宽度WXB+间隙宽度GXB)。此外，假设网状导体312的Y方向上的导体宽度为WYB，间隙宽度为GYB，导体周期为FYB(＝导体宽度WYB+间隙宽度GYB)，并且端部宽度为EYB(＝导体宽度WYB/2)。在网状导体312中，满足：间隙宽度GYB>间隙宽度GXB。因此，网状导体312的间隙区域具有以下形状：在Y方向上的区域比在X方向上的区域长，在X方向和Y方向上的电阻值不同，并且在Y方向上的电阻值小于在X方向上的电阻值。
当网状导体311的薄层电阻值大于网状导体312的薄层电阻值时，优选网状导体311和网状导体312满足以下关系。
导体宽度WYA≥导体宽度WYB
导体宽度WXA≥导体宽度WXB
间隙宽度GXA≤间隙宽度GXB
间隙宽度GYA≤间隙宽度GYB
另一方面，当网状导体311的薄层电阻值小于网状导体312的薄层电阻值时，优选网状导体311和网状导体312满足以下关系。
导体宽度WYA≤导体宽度WYB
导体宽度WXA≤导体宽度WXB
间隙宽度GXA≥间隙宽度GXB
间隙宽度GYA≥间隙宽度GYB
此外，优选网状导体311和312的薄层电阻值和导体宽度满足以下关系。
(网状导线311的薄层电阻值)/(网状导线312的薄层电阻值)≈导体宽度WYA/导体宽度WYB
(网状导体311的薄层电阻值)/(网状导体312的薄层电阻值)≈导体宽度WXA/导体宽度WXB
在本说明书中公开的尺寸关系不一定受到限制，并且网状导体311的电流分布和网状导体312的电流分布优选是基本相等的、基本相同的或基本相似的电流分布，以及具有逆特性的电流分布。
例如，优选的是，网状导体311在X方向的配线电阻与网状导体311在Y方向的配线电阻的比率基本上与网状导体312在X方向上的配线电阻与网状导体312在Y方向的配线电阻的比率基本相同。
此外，优选的是，网状导体311在X方向上的配线电感与网状导体311在Y方向上的配线电感的比率基本上与网状导体312在X方向上的配线电感与网状导体312在Y方向上的配线电感的比率相同。
此外，优选的是，网状导体311在X方向的配线电容与网状导体311在Y方向的配线电容的比率基本上与网状导体312在X方向上的配线电容与网状导体312在Y方向上的配线电容的比率相同。
此外，优选的是，网状导体311在X方向的配线阻抗与网状导体311在Y方向的配线阻抗的比率基本上与网状导体312在X方向上的配线阻抗与网状导体312在Y方向上的配线阻抗的比率基本相同。
换言之，以下任一个关系是优选的：(网状导体311在X方向的配线电阻×网状导体312在Y方向的配线电阻)≈(网状导体312在X方向的配线电阻×网状导体311在Y方向的配线电阻)，
(网状导体311在X方向的配线电感×网状导体312在Y方向的配线电感)≈(网状导体312在X方向的配线电感×网状导体311在Y方向的配线电感)，
(网状导体311在X方向的配线电容×网状导体312在Y方向的配线电容)≈(网状导体312在X方向的配线电容×网状导体311在Y方向的配线电容)，以及(网状导体311X方向的配线阻抗×网状导体312在Y方向的配线阻抗)≈(网状导体312在X方向的配线阻抗×网状导体311在Y方向的配线阻抗)，但这种关系不是必要的。
上述配线电阻、配线电感、配线电容和配线阻抗可分别替换为导体电阻、导体电感、导体电容和导体阻抗。
上述阻抗Z、电阻R、电感L和电容C具有取决于角频率ω和虚数单位j的如下关系：Z＝R+jωL+1÷(jωC)。
比率之间的关系可以是网状导体311和网状导体312作为整体而被满足，可以在网状导体311和网状导体312的部分范围内满足，或者可以在任何范围内满足。
此外，可以设置电路来调整电流分布，使其基本上相等、基本相同或基本相似，并且具有反向特性。
由于网状导体311的电流分布和网状导体312的电流分布基本上是均匀的，并且通过满足上述关系而具有相反的特性，可以有效地抵消由网状导体311的电流分布产生的磁场和由网状导体312的电流分布产生的磁场。
图36的C示出了从光电二极管141侧(背面侧)观看图36的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。然而，图36的C中对角线相交的阴影区域313指示导体层A的网状导体311和导体层B的网状导体312重叠的区域。在第十一结构示例中，由于有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，所以能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。
此外，在第十一结构示例的情况下，网状导体311和网状导体312重叠的区域313在X方向上是连续的。在网状导体311和网状导体312重叠的区域313中，由于具有不同极性的电流流过网状导体311和网状导体312，因此从区域313产生的磁场被抵消。因此，能够在区域313附近抑制感应噪声的发生。
在第十一结构示例中，网状导体311的Y方向上的间隙宽度GYA和X方向上的间隙宽度GXA彼此不同，并且网状导体312的Y方向上的间隙宽度GYB和在X方向上的间隙宽度GXB彼此不同。
因此，通过形成具有X方向和Y方向上的间隙宽度的差的网状导体311和312，能够在实际设计和制造导体层时保持配线区域的尺寸、间隙区域的尺寸、配线区域在各导体层中的占用率或者类似的约束，并且能够提高配线布局的设计的自由度。此外，与间隙宽度没有差异的情况相比，能够以在电压降(IR降)、感应噪声等方面有利的布局设计配线。
图37是示出在第十一结构示例(图36)中流动的电流的条件的图。
假设交流电流在形成导体层A的网状导体311和形成导体层B的网状导体312的端部均匀地流动。然而，假设电流方向随时间而变化，例如，当电流从图37的上侧朝着下侧流过作为Vdd配线的网状导体312时，电流从图37的下侧朝着上侧流过作为Vss配线的网状导体311。
在第十一结构示例中，当电流如图37所示的情况下流动时，在作为Vss配线的网状导体311和作为Vdd配线的网状导体312之间，在布置有网状导体311和312的横截面中，通过具有基本正交于X轴的回路表面的导体回路和具有基本正交于Y轴的回路表面的导体回路容易地生成在基本上X方向和基本上Y方向上的磁通量，上述导体回路形成为包括网状导体311和312(的横截面)。
另一方面，在堆叠在其中形成有包括导体层A和B的遮光结构151的第二半导体基板102上的第一半导体基板101的像素阵列121中，在XY平面中形成包括信号线132和控制线133的受扰导体回路。在XY平面上形成的受扰导体回路中，在Z方向上的磁通量容易产生感应电动势，并且当感应电动势的变化较大时，从固态成像器件100输出的图像劣化(感应噪声增加)。
此外，当包括信号线132和控制线133的受扰导体回路的有效尺寸由于像素阵列121中所选像素的移动而改变时，感应电动势的变化变得显著。
在第十一结构示例的情况下，从包括导体层A和B的遮光结构151的侵扰导体回路的回路表面产生的磁通量的方向(通常是X方向或通常是Y方向)与在受扰导体回路中产生感应电动势的磁通量的方向(Z方向)基本上相互正交并且相差约90度。换言之，侵扰导体回路产生磁通量的回路表面的方向与受扰导体回路中产生感应电动势的回路表面的方向相差约90度。因此，从固态成像器件100输出的图像的劣化(感应噪声的出现)预计将小于在第一比较示例的情况下的劣化。
图38示出了当第十一结构示例(图36)应用于固态成像器件100时发生的感应噪声的模拟结果。
图38的A示出了从固态成像器件100输出的图像，其中可以产生感应噪声。图38的B示出了图38的A所示的图像的线段X1-X2中的像素信号的变化。图38的C示出了实线L71，该实线表示在导致图像中的感应噪声的感应电动势。图38的C中的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。图38的C中的虚线L1对应于第一比较示例(图9)。
从图38的C中所示的实线L71与虚线L1的比较中可以清楚地看到，与第一比较示例相比，在第十一结构示例中，能够抑制在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化并抑制感应噪声。
第十一结构示例可在XY平面上以90度旋转并使用。此外，第十一结构示例可以以任何角度而不是90度旋转并使用。例如，第十一结构示例可以相对于X轴和Y轴倾斜地配置。
<第十二结构示例>
接下来，图39示出了导体层A和B的第十二结构示例。图39的A示出了导体层A，而图39的B示出了导体层B。在图39中的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，并且方向与XY正交平面表示Z轴。
第十二结构示例中的导体层A包括网状导体321。由于网状导体321具有与第十一结构示例(图36)中的导体层A的网状导体311相同的形状，因此将省略对它的说明。例如，网状导体321是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
第十二结构示例中的导体层B包括网状导体322和中继导体305。由于网状导体322具有与第十一结构示例(图36)中的导体层B的网状导体312相同的形状，因此将省略对它的说明。例如，网状导体322是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
中继导体(其它导体)305布置在在Y方向上延长的矩形间隙区域中，该矩形间隙区域不是网状导体322的导体，中继导体与网状导体322电绝缘并且连接到已经与导体层A的网状导体321连接的Vss。
中继导体305具有任意形状，并且优选为对称的圆形或多边形，例如旋转对称的圆形或多边形或镜像对称的圆形或多边形。中继导体305可以布置在网状导体322的间隙区域的中心或任何其它位置。中继导体305可以连接到不同于导体层A的作为Vss配线的导体层。中继导体305可以连接到在更靠近有源元件组167而不是更靠近导体层B一侧的作为Vss配线的导体层。中继导体305可以通过在Z方向延伸的导体通孔而被连接到例如与导体层A不同的导体层或在更靠近有源元件组167而不是更靠近导体层B一侧的导体层。
图39的C示出了从光电二极管141侧(背面侧)观看图39的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。然而，在图39的C中，对角线相交的阴影区域323指示导体层A的网状导体321和导体层B的网状导体322重叠的区域。在第十二结构示例的情况下，由于有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，所以能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。
在第十二结构示例中，当电流如图37所示的情况下流动时，在作为Vss配线的网状导体321和作为Vdd配线的网状导体322之间，在布置有网状导体321和322的横截面中，通过具有基本正交于X轴的回路表面的导体回路和具有基本正交于Y轴的回路表面的导体回路容易地生成在基本上X方向和基本上Y方向上的磁通量，上述导体回路被形成为包括网状导体321和322(的横截面)。
此外，在第十二结构示例的情况下，网状导体321和网状导体322重叠的区域323在X方向上是连续的。在网状导体321和网状导体322重叠的区域323中，由于具有不同极性的电流流过网状导体321和网状导体322，因此从区域323产生的磁场被抵消。因此，能够在区域323附近抑制感应噪声的发生。
此外，在第十二结构示例的情况下，能够通过设置中继导体305将作为Vss配线的网状导体321以基本上最短的距离或短距离连接到有源元件组167。通过将网状导体321以基本上最短的距离或短距离连接到有源元件组167，能够降低网状导体321和有源元件组167之间的电压降、能量损失或感应噪声。
第十二结构示例可在XY平面上以90度旋转并使用。此外，第十二结构示例可以以任何角度而不是90度旋转并使用。例如，第十二结构示例可以相对于X轴和Y轴倾斜地配置。
<第十三结构示例>
下面，图40图示了导体层A和B的第十三结构示例。图40的A图示了导体层A，图40的B图示了导体层B。在图40中的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
第十三结构示例中的导体层A包括网状导体331。由于网状导体331具有与第十一结构示例(图36)中导体层A的网状导体311相同的形状，因此将省略对它的说明。例如，网状导体331是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
第十三结构示例中的导体层B包括网状导体332和中继导体306。由于网状导体332具有与第十一结构示例(图36)中导体层B的网状导体312相同的形状，因此将省略对它的说明。例如，网状导体332是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
通过将第十二结构示例(图39)中的中继导体305以一定间隔划分为多个导体(图40的情况下为10个)来获得中继导体(其它导体)306。中继导体306布置在在网状导体332的Y方向上延长的矩形间隙区域中，中继导体306与网状导体332电绝缘并且连接到已经与导体层A的网状导体331连接的Vss。中继导体的分区的数量以及是否连接至Vss可以因区域而不同。在这种情况下，由于电流分布可以在设计时进行微调，因此能够抑制感应噪声并降低电压降(IR降)。
中继导体306具有任意形状，优选为对称的圆形或多边形，例如旋转对称的圆形或多边形或镜像对称的圆形或多边形。中继导体306的分段数可以任意改变。中继导体306可以设置在网状导体332的间隙区域的中心或任何其它位置。中继导体306可以连接到不同于导体层A的作为Vss配线的导体层。中继导体306可以连接到在更靠近有源元件组167而不是更靠近导体层B一侧的作为Vss配线的导体层。中继导体306可以通过在Z方向延伸的导体通孔而被连接到例如与导体层A不同的导体层或更靠近有源元件组167而不是更靠近导体层B一侧的导体层。
图40的C示出了从光电二极管141侧(背面侧)观看图40的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。然而，图40的C中对角线相交的阴影区域333指示导体层A的网状导体331和导体层B的网状导体332重叠的区域。在第十三结构示例的情况下，由于有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，所以能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。
在第十三结构示例中，当电流如图37所示的情况下流动时，在作为Vss配线的网状导体331和作为Vdd配线的网状导体332之间，在布置有网状导体331和332的横截面中，通过具有基本正交于X轴的回路表面的导体回路和具有基本正交于Y轴的回路表面的导体回路容易地生成在基本上X方向和基本上Y方向上的磁通量，上述导体回路被形成为包括网状导体331和332(的横截面)。
此外，在第十三结构示例的情况下，网状导体331和网状导体332重叠的区域333在X方向上是连续的。在区域333中，由于具有不同极性的电流流过网状导体331和网状导体332，因此从区域333产生的磁场被抵消。因此，能够在区域333附近抑制感应噪声的发生。
此外，在第十三结构示例的情况下，通过设置中继导体306能够将作为Vss配线的网状导体331以基本上最短的距离或短距离连接到有源元件组167。通过将网状导体331以基本上最短的距离或短距离连接到有源元件组167，能够降低网状导体331和有源元件组167之间的电压降、能量损失或感应噪声。
此外，在第十三结构示例中，由于通过将中继导体306分成多个部分，导体层A中的电流分布和导体层B中的电流分布能够基本上均匀并且具有相反的极性，所以能够抵消从导体层A产生的磁场和从导体层B产生的磁场。因此，在第十三结构示例中，能够使得外部因素难以导致Vdd配线和Vss配线之间的电流分布的差异。因此，第十六结构示例适用于XY平面上的电流分布复杂的情况，或者连接到网状导体331和332的导体的阻抗在Vdd配线和Vss配线之间不同的情况。
第十三结构示例可以在XY平面上以90度旋转并使用。此外，第十三结构示例可以以任何角度而不是90度旋转并使用。例如，第十三结构示例可以相对于X轴和Y轴倾斜地配置。
<第12和第13结构示例的仿真结果>
图41示出了当将第十二结构示例(图39)和第十三结构示例(图40)应用于固态成像设备100时，作为模拟结果的在图像中引起感应噪声的感应电动势的变化。在第十二和第十三结构示例中流动的电流的条件与图37中所示的相同。图41的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。
图41的A中的实线L72对应于第十二结构示例(图39)，虚线L1对应于第一比较示例(图9)。从实线L72与虚线L1的比较中可以清楚地看到，与第一比较示例相比，在第十二结构示例中，在受扰导体回路中生成的感应电动势没有改变。因此，与第一比较示例相比，在第十二结构示例中，能够抑制从固态成像器件100输出的图像中的感应噪声。然而，模拟的结果是当网状导体321未连接到有源元件组167并且网状导体322未连接到有源元件组167时的模拟结果。例如，当网状导体321和有源元件组167的至少一部分通过导体通孔等以基本上最短的距离或短距离彼此连接时，或当网状导体322和有源元件组167的至少一部分通过导体通孔等以基本上最短的距离或短距离彼此连接时，流过网状导体321或网状导体322的电流量根据位置而逐渐减小。在这种情况下，存在通过设置中继导体305能够将电压降、能量损失或感应噪声大大降低到1/2或更小的条件。
图41的B中的实线L73对应于第十三结构示例(图40)，虚线L1对应于第一比较示例(图9)。从实线L73与虚线L1的比较中可以清楚地看出，与第一比较示例相比，第十三结构示例没有改变在受扰导体回路中产生的感应电动势。因此，与第一比较示例相比，第十三结构示例能够抑制从固态成像器件100输出的图像中的感应噪声。然而，模拟的结果是当网状导体331未连接到有源元件组167并且网状导体332未连接到有源元件组167时的模拟结果。例如，当网状导体331和有源元件组167的至少一部分通过导体通孔等以基本上最短的距离或短距离彼此连接时，或当网状导体332和有源元件组167的至少一部分通过导体通孔等以基本上最短的距离或短距离彼此连接时，流过网状导体331或网状导体332的电流量根据位置而逐渐减小。在这种情况下，存在通过设置中继导体306能够将电压降、能量损失或感应噪声大大降低到1/2或更小的条件。
<5.其上形成有导体层A和B的半导体基板上的电极的排布示例>
接下来，将说明在半导体基板中的电极的布置，在该半导体基板上形成有如在上述导体层A和B的第十一到第十三结构示例中那样的在X方向和Y方向上具有不同电阻值的导体。
下文中，将以示例的方式说明在半导体基板上形成包括导体层A和B的第十三结构示例(图40)，所述导体层包括在Y方向上的电阻值小于在X方向上的电阻值的导体(网状导体331和332)。然而，这同样适用于在半导体基板上形成导体层A和B的第十一和第十二结构示例的情况，所述导体层包括在Y方向上的电阻值小于在X方向上的电阻值的导体。
在形成在半导体基板上的导体层A和B的第十三结构示例中，由于导体(网状导体331和332)在Y方向上的电阻值小于在X方向上的电阻值，所以电流容易在Y方向流动。因此，为了使第十三结构示例中的导体层A和B的导体中的电压降(IR降)最小化，优选地，布置在半导体基板上的多个焊盘(电极)沿电阻值大的X方向而不是电阻值小的Y方向密集排布，但是所述焊盘也可以沿Y方向而不是沿X方向密集排布。
<半导体基板上焊盘的第一布置示例>
图42是图示在半导体基板上沿X方向而不是Y方向更密集地布置焊盘的第一布置示例的平面图。在图42的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
图42的A示出了将焊盘布置在配线区域400的一侧的情况，其中形成了多个包括导体层A和B的第十三结构示例(图40)。图42的B示出了在配线区域400的朝向Y方向的两侧布置焊盘的情况，其中形成了多个包括导体层A和B的第十三结构示例(图40)。图42中的虚线箭头表示流经其中的电流的方向的示例，并且由虚线箭头指示的电流生成电流回路411。虚线箭头所示的电流方向随时变化。
图42的C示出了在配线区域400的三个侧面布置焊盘的情况，其中形成了多个包括导体层A和B的第十三结构示例(图40)。图42的D示出了将焊盘布置在配线区域400的四面的情况，其中形成了多个包括导体层A和B的第十三结构示例(图40)。图42的E示出在配线区域400中形成的多个导体层A和B的第十三结构示例的方向。
布置在配线区域400中的焊盘401连接到Vdd配线，并且焊盘402例如是连接到GND或负电源配线(Vss配线)。
在图42所示的第一布置示例的情况下，焊盘401和402中的每一个包括一个或多个(在图42的情况下是两个)被布置成彼此相邻的焊盘。焊盘401和402被布置成彼此相邻。包括一个焊盘的焊盘401和包括一个焊盘的焊盘402布置成彼此相邻，包括两个焊盘的焊盘401和包括两个焊盘的焊盘402布置成彼此相邻。焊盘401和402的极性(连接目的地是Vdd配线或Vss配线)是相反的极性。布置在配线区域400中的焊盘401的数量基本上与焊盘402的数量相同。
因此，由于在配线区域400中形成的各个导体层A和B中流动的电流的分布能够基本上均匀并且具有相反的极性，因此能够有效地抵消由导体层A和B产生的磁场以及基于磁场的感应电动势。
此外，如图42的B、C和D所示，当在配线区域400的两个或多个侧面上形成焊盘时，在相对的两侧上彼此面对的焊盘的极性是彼此相反的。因此，如图42的B中的虚线箭头所示，在配线区域400具有共同的X坐标和不同的Y坐标的各位置处分布相同方向的电流是容易的。
<半导体基板上焊盘的第二布置示例>
接下来，图43是示出在半导体基板上沿X方向而不是Y方向更密集地布置焊盘的第二布置示例的平面图。在图43的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
图43的A示出了在配线区域400的面对Y方向的两侧布置焊盘的情况，其中形成了多个包括导体层A和B的第十三结构示例(图40)。图43中的虚线箭头指示流过该电流的方向，并且由虚线箭头指示的电流生成电流回路412。虚线箭头所示的电流方向随时变化。
图43的B示出了在配线区域400的三个侧面布置焊盘的情况，其中形成了多个包括导体层A和B的第十三结构示例(图40)。图43的C示出了在配线区域400的四个侧面布置焊盘的情况，其中形成了多个包括导体层A和B的第十三结构示例(图40)。图43的D示出在配线区域400中形成的多个导体层A和B的第十三结构示例的方向。
布置在配线区域400中的焊盘401连接到Vdd配线，并且焊盘402例如是连接到GND或负电源配线(Vss配线)。
在图43所示的第二布置示例的情况下，焊盘401和402中的每一个包括布置成彼此相邻的多个(在图43的情况下是两个)焊盘。焊盘401和402被布置成彼此相邻。包括一个焊盘的焊盘401和包括一个焊盘的焊盘402布置成彼此相邻，包括两个焊盘的焊盘401和包括两个焊盘的焊盘402布置成彼此相邻。焊盘401和402的极性(连接目的地是Vdd配线或Vss配线)是相反的极性。布置在配线区域400中的焊盘401的数量基本上与焊盘402的数量相同。
因此，由于在配线区域400中形成的各个导体层A和B中流动的电流的分布能够基本上均匀并且具有相反的极性，因此能够有效地抵消由导体层A和B产生的磁场以及基于磁场的感应电动势。
此外，在第二布置示例中，在相对的两侧上彼此面对的焊盘的极性是相同的极性。然而，在相对的两侧上彼此面对的一部分焊盘可以具有相反的极性。因此，在配线区域400中生成比图42的B中所示的电流回路411小的电流回路412。电流回路的大小影响磁场的分布范围，并且当电场回路越小，磁场分布范围就越窄。因此，在第二布置示例中，磁场的分布范围比在第一布置示例中窄。因此，与第一布置示例相比，第二布置示例能够减少将被产生的感应电动势和基于感应电动势的感应噪声。
<半导体基板上焊盘的第三布置示例>
接下来，图44是图示第三布置示例的平面图，其中焊盘在半导体基板上沿X方向而不是Y方向更密集地布置。在图44的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
图44的A示出了将焊盘布置在配线区域400的一侧的情况，其中形成了多个包括导体层A和B的第十三结构示例(图40)。图44的B示出了在面向配线区域400的Y方向的两侧布置焊盘的情况，其中形成了多个包括导体层A和B的第十三结构示例(图40)。图44中的虚线箭头指示流经其中的电流的方向，并且由虚线箭头指示的电流生成电流回路413。
图44的C示出了在配线区域400的三个侧面布置焊盘的情况，其中形成了多个包括导体层A和B的第十三结构示例(图40)。图44的D示出了在配线区域400的四个侧面布置焊盘的情况，其中形成了多个包括导体层A和B的第十三结构示例(图40)。图44的E示出在配线区域400中形成的多个导体层A和B的第十三结构示例的方向。
布置在配线区域400中的焊盘401连接到Vdd配线，并且焊盘402例如是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
在图44所示的第三布置示例的情况下，形成由布置成彼此相邻的多个焊盘(在图44的情况下是两个)组成的焊盘组的各个焊盘(其连接目的地是Vdd配线或Vss配线)的极性是相反的。布置在配线区域400的一侧或所有侧上的焊盘401的数量基本上与焊盘402的数量相同。
此外，在第三布置示例中，在相对的两侧彼此面对的焊盘的极性是相同的极性。然而，在相对的两侧彼此面对的一部分焊盘可以具有相反的极性。
因此，在配线区域400中生成比图43的A所示的电流回路412小的电流回路413。因此，在第三布置示例中，磁场的分布范围比在第二布置示例中窄。因此，与第二布置示例相比，第三布置示例能够减少将会产生的感应电动势和基于感应电动势的感应噪声。
<Y方向电阻值和X方向电阻值不同的导体示例>
图45是示出形成导体层A和B的导体的其它示例的平面图。也就是说，图45是示出Y方向上的电阻值与X方向上的电阻值不同的导体的示例的平面图。图45的A到C示出了其中Y方向上的电阻值小于X方向上的电阻值的示例，图45中的D到F示出了其中X方向上的电阻值小于Y方向上的电阻值的示例。
图45的A示出了一种网状导体，其中X方向上的导体宽度WX等于Y方向上的导体宽度WY，并且X方向上的间隙宽度GX小于Y方向上的间隙宽度GY。图45的B示出了一种网状导体，其中X方向上的导体宽度WX大于Y方向上的导体宽度WY，并且X方向上的间隙宽度GX比Y方向上的间隙宽度GY窄。图45的C示出了一种网状导体，其中X方向上的导体宽度WX等于Y方向上的导体宽度WY，X方向上的间隙宽度GX等于Y方向上的间隙宽度GY，并且在具有导体宽度WY并且在X方向上延长的部分的如下区域中设置有孔：该区域不与具有导体宽度WX并且在Y方向上延长的部分相交。
图45的D示出了一种网状导体，其中X方向上的导体宽度WX等于Y方向上的导体宽度WY，并且X方向上的间隙宽度GX大于Y方向上的间隙宽度GY。图45的E示出了一种网状导体，其中X方向上的导体宽度WX小于Y方向上的导体宽度WY，并且X方向上的间隙宽度GX大于Y方向上的间隙宽度GY。图45的F示出了一种网状导体，其中X方向上的导体宽度WX等于Y方向上的导体宽度WY，X方向上的间隙宽度GX等于Y方向上的间隙宽度GY，并且在具有导体宽度WX并且在Y方向上延长的部分的如下区域中设置有孔：该区域不与具有导体宽度WY并且在X方向上延长的部分相交。
在图42至44所示的配线区域400中的焊盘的第一到第三布置示例中，如图45的A到C所示的Y方向上的电阻值小于X方向上的电阻值，并且当在配线区域400中形成电流易于在Y方向流动的导体时，具有能够抑制导体中的电压降(IR降)的效果。
在图42至图44所示的配线区域400中的焊盘的第一到第三布置示例中，如图45中的D到F所示的X方向上的电阻值小于Y方向上的电阻值，并且当在配线区域400中形成电流易于在X方向流动的导体时，电流很容易在X方向扩散并且在配线区域400的侧面布置的焊盘附近的磁场难以集中，因此，能够预期抑制感应噪声的发生的效果。
<6.导体层A和B的结构示例的变型例>
接下来，将说明上述导体层A和B的第一到第十三结构示例的一些变型例。
图46是示出导体层A和B的第二结构示例(图15)的X方向上的导体周期减半的变型例及其效果的图。图46的A示出了导体层A和B的第二结构示例，并且图46的B示出了导体层A和B的第二结构示例的变型例。
图46的C示出了当将图46的B中所示的变型例应用于固态成像器件100时，作为模拟结果的引起图像中的感应噪声的感应电动势的变化。在变型例中，电流的流动条件与图13中所示的条件相同。图46的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。
图46的C中的实线L81对应于图46的B中所示的变型例，虚线L21对应于第二结构示例(图15)。从实线L81与虚线L21的比较中可以清楚地看出，在该变型例中，在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化比在第二结构示例中稍小。因此，可以看出，与第二结构示例相比，此变型例能够稍微抑制感应噪声。
图47是示出导体层A和B的第五结构示例(图26)的X方向上的导体周期减半的变型例及其效果的图。图47的A示出了导体层A和B的第五结构示例，图47的B示出了导体层A和B的第五结构示例的变型例。
图47的C示出了当将图47的B中所示的变型例应用于固态成像器件100时，作为模拟结果的导致图像中的感应噪声的感应电动势的变化。在变型例中，电流的流动条件与图23中所示的相同。图47的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。
图47的C中的实线L82对应于图47的B中所示的变型例，虚线L53对应于第五结构示例(图26)。从实线L82与虚线L53的比较中可以清楚地看出，在该变型例中，在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化比在第五结构示例中的变化小得多。因此，可以看出，与第五结构示例相比，此变型例能够进一步抑制感应噪声。
图48是示出导体层A和B的第六结构示例(图27)的X方向上的导体周期减半的变型例及其效果的图。图48的A示出了导体层A和B的第六结构示例，图48的B示出了导体层A和B的第六结构示例的变型例。
图48的C示出了当将图48的B中所示的变型例应用于固态成像器件100时，作为模拟的结果的导致图像中的感应噪声的感应电动势的变化。在变型例中，电流的流动条件与图23中所示的相同。图48的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。
图48的C中的实线L83对应于图48的B中所示的变型例，虚线L54对应于第六结构示例(图27)。从实线L83与虚线L54的比较中可以清楚地看出，在该变型例中，在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化小于在第六结构示例中的变化。因此，可以看出，与第六结构示例相比，在该变型例中能够进一步抑制感应噪声。
图49是示出导体层A和B的第二结构示例(图15)的Y方向上的导体周期减半的变型例及其效果的图。图49的A示出了导体层A和B的第二结构示例，并且图49的B示出了导体层A和B的第二结构示例的变型例。
图49的C示出了当将图49的B中所示的变型例应用于固态成像器件100时，作为模拟结果的导致图像中的感应噪声的感应电动势的变化。在变型例中，电流的流动条件与图13中所示的条件相同。图49的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。
图49的C中的实线L111对应于图49的B中所示的变型例，虚线L21对应于第二结构示例。从实线L111与虚线L21的比较中可以清楚地看出，在这个变型例中，在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化比在第二结构示例中的变化稍小。因此，可以看出，与第二结构示例相比，此变型例能够稍微抑制感应噪声。
图50是示出导体层A和B的第五结构示例(图26)的Y方向上的导体周期减半的变型例及其效果的图。图50的A示出了导体层A和B的第五结构示例，图50的B示出了导体层A和B的第五结构示例的变型例。
图50的C示出了当将图50的B中所示的变型例应用于固态成像器件100时，作为模拟结果的导致图像中的感应噪声的感应电动势的变化。在变型例中，电流的流动条件与图23中所示的相同。图50的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。
图50的C中的实线L112对应于图50的B中所示的变型例，虚线L53对应于第五结构示例。从实线L112和虚线L53的比较中可以清楚地看出，在这个变型例中，在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化比在第五结构示例中的变化小得多。因此，可以看出，与第五结构示例相比，此变型例能够进一步抑制感应噪声。
图51是示出导体层A和B的第六结构示例(图27)的Y方向上的导体周期减半的变型例及其效果的图。此外，图51的A示出了导体层A和B的第六结构示例，并且图51的B示出了导体层A和B的第六结构示例的变型例。
图51的C示出了当将图51的B中所示的变型例应用于固态成像器件100时，作为模拟结果的导致图像中的感应噪声的感应电动势的变化。在变型例中，电流的流动条件与图23中所示的相同。图51的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。
图51的C中的实线L113对应于图51的B中所示的变型例，虚线L54对应于第六结构示例。从实线L113和虚线L54的比较中可以清楚地看出，在这个变型例中，在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化比第六结构示例中的小。因此，可以看出，与第六结构示例相比，在该变型例中能够进一步抑制感应噪声。
图52是示出导体层A和B的第二结构示例(图15)的X方向上的导体宽度加倍的变型例及其效果的图。图52的A示出了导体层A和B的第二结构示例，图52的B示出了导体层A和B的第二结构示例的变型例。
图52的C示出了当将图52的B中所示的变型例应用于固态成像器件100时，作为模拟的结果的导致图像中的感应噪声的感应电动势的变化。在变型例中，电流的流动条件与图13中所示的条件相同。图52的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。
图52的C中的实线L121对应于图52的B中所示的变型例，虚线L21对应于第二结构示例。从实线L121与虚线L21的比较中可以清楚地看出，在这个变型例中，在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化比第二结构示例中的变化稍小。因此，可以看出，与第二结构示例相比，此变型例能够稍微抑制感应噪声。
图53是示出导体层A和B的第五结构示例(图26)的X方向上的导体宽度加倍的变型例及其效果的图。图53的A示出了导体层A和B的第五结构示例，并且图53的B示出了导体层A和B的第五结构示例的变型例。
图53的C示出了当将图53的B中所示的变型例应用于固态成像器件100时，作为模拟结果的导致图像中的感应噪声的感应电动势的变化。变型例中的电流的流动条件与图23中所示的相同。图53的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。
图53的C中的实线L122对应于图53的B中所示的变型例，虚线L53对应于第五结构示例。从实线L122与虚线L53的比较中可以清楚地看出，在该变型例中，在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化比在第五结构示例中的变化小得多。因此，可以看出，与第五结构示例相比，此变型例能够进一步抑制感应噪声。
图54是示出导体层A和B的第六结构示例(图27)的X方向上的导体宽度加倍的变型例及其效果的图。图54的A示出了导体层A和B的第六结构示例，图54的B示出了导体层A和B的第六结构示例的变型例。
图54的C示出了当将图54的B中所示的变型例应用于固态成像器件100时，作为模拟结果的导致图像中的感应噪声的感应电动势的变化。变型例中的电流的流动条件与图23中所示的相同。图54的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。
图54的C中的实线L123对应于图54的B中所示的变型例，虚线L54对应于第六结构示例。从实线L123与虚线L54的比较中可以清楚地看出，在该变型例中，在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化小于在第六结构示例中的变化。因此，可以看出，与第六结构示例相比，在该变型例中能够进一步抑制感应噪声。
图55是示出导体层A和B的第二结构示例(图15)的Y方向上的导体宽度加倍的变型例及其效果的图。图55的A示出了导体层A和B的第二结构示例，图55的B示出了导体层A和B的第二结构示例的变型例。
图55的C示出了当将图55的B中所示的变型例应用于固态成像器件100时，作为模拟结果的导致图像中的感应噪声的感应电动势的变化。变型例中的电流的流动条件与图13中所示的条件相同。图55的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。
图55的C中的实线L131对应于图55的B中所示的变型例，虚线L21对应于第二结构示例。从实线L131与虚线L21的比较中可以清楚地看出，在这个变型例中，在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化比在第二结构示例中稍小。因此，可以看出，与第二结构示例相比，此变型例能够稍微抑制感应噪声。
图56是示出导体层A和B的第五结构示例(图26)的Y方向上的导体宽度加倍的变型例及其效果的图。图56的A示出了导体层A和B的第五结构示例，而图56的B示出了导体层A和B的第五结构示例的变型例。
图56的C示出了当将图56的B中所示的变型例应用于固态成像器件100时，作为模拟结果的导致图像中的感应噪声的感应电动势的变化。变型例中的电流的流动条件与图23中所示的相同。图56的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。
图56的C中的实线L132对应于图56的B中所示的变型例，虚线L53对应于第五结构示例。从实线L132与虚线L53的比较中可以清楚地看出，在该变型例中，在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化比在第五结构示例中的变化小得多。因此，可以看出，与第五结构示例相比，此变型例能够进一步抑制感应噪声。
图57是示出导体层A和B的第六结构示例(图27)的Y方向上的导体宽度加倍的变型例及其效果的图。图57的A示出了导体层A和B的第六结构示例，图57的B示出了导体层A和B的第六结构示例的变型例。
图57的C示出了当将图57的B中所示的变型例应用于固态成像器件100时，作为模拟结果的导致图像中的感应噪声的感应电动势的变化。变型例中的电流的流动条件与图23中所示的相同。图57的水平轴表示图像的X轴坐标，垂直轴表示感应电动势的大小。
图57的C中的实线L133对应于图57的B中所示的变型例，虚线L54对应于第六结构示例。从实线L133与虚线L54的比较中可以清楚地看出，在该变型例中，在受扰导体回路中产生的感应电动势的变化小于在第六结构示例中的变化。因此，可以看出，与第六结构示例相比，在该变型例中，能够进一步抑制感应噪声。
<7.网状导体的变型例>
接下来，图58是示出可应用于上述导体层A和B的各结构示例的网状导体的变型例的平面图。
图58的A是在上述导体层A和B的各结构示例中采用的网状导体的形状的简化图。在上述导体层A和B的各结构示例中采用的网状导体中，间隙区域具有矩形形状，并且相应的矩形间隙区域在X方向和Y方向上以直线形状排列。
图58的B是示出网状导体的第一变型例的简化图。在网状导体的第一变型例中，间隙区域具有矩形，并且相应的间隙区域在X方向上以直线形状排列并且在Y方向上被布置成每段都被偏移。
图58的C是示出网状导体的第二变型例的简化图。在网状导体的第二变型例中，间隙区域具有菱形形状，并且间隙区域在倾斜方向上以直线形状排列。
图58的D是网状导体的第三变型例的简化图。在网状导体的第三变型例中，间隙区域不是具有矩形形状而是具有圆形或多边形(图58中的D的情况是八边形)，并且各个间隙区域在X方向和Y方向上以直线形状排列。
图58的E是网状导体的第四变型例的简化图。在网状导体的第四变型例中，间隙区域不是具有矩形形状而是具有圆形或多边形(图58中的E的情况是八边形)，并且各个间隙区域在X方向上以直线形状排列，并且在Y方向上被布置成每段都被偏移。
图58的F是网状导体的第五变型例的简化图。在网状导体的第五变型例中，间隙区域不是具有矩形形状而是具有圆形或多边形(图58中的F的情况是八边形)，并且各个间隙区域在倾斜方向上以直线形状排列。
可应用于导体层A和B的相应结构示例的网状导体的形状不限于图58中所示的变型例，并且可以是任何网格形状。
<8.各种效果>
<提高布局设计的自由度>
如上所述，在导体层A和B的各个结构示例中，采用平面状导体或网状导体。通常，网状导体(晶格导体)具有在X和Y方向上周期性的配线结构。因此，当设计具有作为周期性结构的单位(一个周期)的基本周期性结构的网状导体时，基本周期性结构在X方向或Y方向重复布置，使得相比于使用直线状导体的情况能够简单地设计配线的布局。换言之，与使用直线状导体的情况相比，当使用网状导体时，布局中的自由度提高。因此，能够减少布局设计所需的工时、时间或成本。
图59是示出当使用直线状导体设计满足预定条件的电路配线布局时的设计工时以及当使用网状导体(晶格导体)设计电路配线布局时的设计工时的模拟结果的图。
在图59的情况下，当使用直线状导体设计布局时的设计工时为100％时，使用网状导体(晶格导体)设计布局时的设计工时约为40％，并且能够大大减少设计工时。
<压降(IR降)降低>
图60是示出对于在XY平面上布置的具有相同材料和不同形状的导体，DC电流在相同条件下沿Y方向流动时的电压变化的图。
图60的A对应于直线状导体，图60的B对应于网状导体，并且图60的C对应于平面状导体，并且颜色的明暗度表示电压。当将图60的A、B和C彼此比较时，可以看出，电压变化在直线状导体中最大，并且在网状导体中次之，在平面状导体中最小。
图61是在相对的图表中示出网状导体和平面状导体的电压降的图，其中图60的A中所示的直线状导体的电压降为100％。
从图61可以清楚地看出，与直线状导体相比，平面状导体和网状导体能够减少可能成为驱动半导体器件的致命障碍的电压降(IR降)。
然而，目前的半导体基板工艺无法制造出平面状导体。因此，采用将网状导体同时用于导体层A和B的结构示例是可行的。然而，当半导体基板工艺已经发展为能够制造平面状导体时，这不适用。对于金属层中的最上层金属或最下层金属，在某些情况下无法制造平面状导体。
<降低电容性噪声>
可以想象，对于包括信号线132和控制线133的受扰导体回路而言，形成导体层A和B的导体(平面状导体或网状导体)不仅产生感应噪声，而且还产生电容性噪声(capacitivenoise)。
这里，电容性噪声意味着，当电压施加到形成导体层A和B的导体上时，由于导体和信号线132或控制线133之间的电容耦合而在信号线132或控制线133中产生电压，并且，由于施加的这种电压的变化，在信号线132或控制线133中发生电压噪声。这种电压噪声成为像素信号的噪声。
可以想象，电容性噪声的大小基本上与形成导体层A和B的导体和诸如信号线132或控制线133的配线之间的电容或电压成比例。关于电容，当两个导体(一个可以是导体，另一个可以是配线)的重叠面积为S时，两个导体以间隔d平行排列，并且在导体之间均匀地填充介电常数为ε的电介质，两个导体之间的电容C为C＝ε*S/d。因此，可以看出，当两个导体的重叠面积S越大，电容性噪声就越大。
图62是示出布置在XY平面上的具有相同材料和不同形状的导体与另一导体(配线)之间的电容的差异的图。
图62的A示出在Y方向上延长的直线状导体，以及具有沿Z方向与直线状导体的间隔的在Y方向上以直线形状形成的配线501和502(对应于信号线132或控制线133)。然而，整个配线501与直线状导体的导体区域重叠，而整个配线502与直线状导体的间隙区域重叠并且没有与导体区域重叠的区域。
图62的B示出了网状导体以及具有沿Z方向与网状导体的间隔的在Y方向上以直线形状形成的配线501和502。这里，整个配线501与网状导体的导体区域重叠，而配线502的几乎一半与网状导体的导体区域重叠。
图62的C示出了平面状导体以及具有沿Z方向与平面状导体的间隔的在Y方向上以直线形状形成的配线501和502。这里，整个配线501和502与平面状导体的导电区域重叠。
当将导体(直线状导体、网状导体或平面状导线)与图62的A、B和C中的配线501之间的电容和导体(直线状导体、网状导体或平面状导线)与配线502之间的电容之间的差异相互比较时，直线状导体的电容量最大，网状导体的电容量次之，平面状导体的电容量最小。
也就是说，在直线状导体中，由于配线的XY坐标之间的差异，直线状导体和配线之间的电容的差异大，并且电容性噪声的出现也有很大的不同。因此，电容性噪声很可能是图像中具有高可见度的像素信号的噪声。
另一方面，在网状导体或平面状导体中，由于配线的XY坐标之间的差异而导致的导体和配线之间的电容差异相比于直线状导体较小，因此，能够进一步减少电容性噪声的发生。因此，能够抑制由电容性噪声引起的像素信号的噪声。
<减少辐射噪声>
在导体层A和B的各个结构示例中的除第一结构示例以外的结构示例中，如上所述地使用网状导体。使用网状导体，能够预期降低辐射噪声的效果。这里，假设辐射噪声包括从固态成像器件100的内部到外部的辐射噪声(不必要的辐射)和从固态成像器件100的外部到内部的辐射噪声(传送噪声)。
由于从固态成像器件100的外部到内部的辐射噪声能够导致信号线132中的电压噪声或者像素信号中的噪声，所以当在导体层A和导体层B的至少一者中采用使用网状导体的结构示例时，能够期望抑制电压噪声或像素信号噪声的效果。
由于网状导体的导体周期影响能够通过网状导体降低的辐射噪声的频带，因此相比于在相应的导体层A和B中使用具有相同的导体频率的网状导体的情况相比，当相应的导体层A和B使用具有不同的导体周期的网状导体时，能够在更宽的频带内降低辐射噪声。
上述效果仅为示例并且不局限于此，还可能存在其它效果。
<9.引出部不同的结构示例>
顺便提及地，例如，当作为导体层A的配线层165A或作为导体层B的配线层165B连接到焊盘401或402时，设置有用于连接到焊盘401或402的配线引出部，如图42到44所示。配线引出部通常根据所述焊盘的尺寸而被形成为具有窄的配线宽度。
因此，例如，如图63的A所示，考虑将配线层165A(导体层A)划分为主导体部165Aa和引出导体部165Ab。主导体部165Aa的主要目的是屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光并抑制感应噪声的发生，并且具有比引出导体部165Ab更大的面积。引出导体部165Ab的主要目的是将主导体部165Aa连接到焊盘402并向主导体部165Aa提供预定电压，例如GND或负电源(Vss)。在引出导体部165Ab中，在X方向(第一方向)或Y方向(第二方向)上的至少一个长度(宽度)比主导体部165Aa的长度(宽度)短(窄)。由图63的A中的交替长短虚线指示的位于主导体部165Aa和引出导体部165Ab之间的连接部分被称为接合部。
类似地，如图63的B所示，考虑将配线层165B(导体层B)划分为主导体部165Ba和引出导体部165Bb。主导体部165Ba是其主要目的是屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光和抑制感应噪声的发生的部分，并且具有比引出导体部165Bb更大的面积。引出导体部165Bb的主要目的是将主导体部165Ba连接到焊盘401并向主导体部165Ba提供预定电压，例如正电源(Vdd)。在引出导体部165Bb中，在X方向(第一方向)或Y方向(第二方向)上的至少一个长度(宽度)比主导体部165Ba的长度(宽度)短(窄)。由图63的B中的交替长短虚线指示的位于主导体部165Ba和引出导体部165Bb之间的连接部分被称为接合部。
当在不区分配线层165A(导体层A)和配线层165B(导体层B)的情况下统称主导体部165Aa和主导体部165Ba时，以及当将引出导体部165Ab和引出导体部165Bb统称时，主导体部和引出导体部分别被称为主导体部165a和引出导体部165b。
虽然为了便于理解，在图63中使用了引出导体部165Ab和引出导体部165Bb连接到焊盘401或402的示例进行了描述，但是引出导体部165Ab和引出导体部165Bb不一定连接到焊盘401或402，并且可以连接到其它配线或电极。
此外，图63示出了其中焊盘401和焊盘402具有基本相同的形状并且布置在基本相同的位置上的示例，但是本技术不限于此。例如，焊盘401和焊盘402可以具有不同的形状，并且可以布置在不同的位置。此外，焊盘401和焊盘402可以被配置成具有比图63所示的示例中的尺寸更小的尺寸，可以被配置成在配线层165A中彼此不接触，或者可以被配置成在配线层165B中彼此不接触，或者可以设置多个焊盘。
此外，在图63中示出了主导体部165Aa和引出导体部165Ab中Y方向上的端部位置基本一致的示例，但本技术不限于此。例如，在主导体部165Aa和引出导体部165Ab中，端部位置可以不一致。类似地，在图63中示出了在主导体部165Ba和引出导体部165Bb中Y方向上的端部位置基本一致的示例，但是本发明的技术是不限于此。例如，在主导体部165Ba和引出导体部165Bb中，端部位置可以不一致。关于主导体部165a和引出导体部165b的形状和位置，以及与焊盘401和402的关系，这同样适用于下面将说明的各结构示例。
在上述第一到第十三结构示例中，配线层165A中的主导体部165Aa和引出导体部165Ab都采用相同的配线图案(例如平面状导体或网状导体)形成，而没有特别区分主导体部165Aa和引出导体部165Ab。
配线层165B中的主导体部165Ba和引出导体部165Bb都采用相同的配线图案(例如平面状导体或网状导体)形成，而没有特别区分主导体部165Ba和引出导体部165Bb。
图64示出了其中使用不同的配线图案将图36所示的第十一结构示例应用于配线层165A和配线层165B的示例，作为上述的第一到第十三结构示例的示例。
图64的A示出了导体层A(配线层165A)，而图64的B示出了导体层B(配线层165B)。在图64的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
在图36所示的第十一结构示例中，图36的A所示的导体层A的网状导体311具有例如在X方向上的导体宽度WXA比间隙宽度GXA宽的形状，而图64的A所示的导体层A的网状导体811具有在X方向上的导体宽度WXA比间隙宽度GXA窄的形状。此外，在Y方向上，例如，图36的A所示的网状导体311具有导体宽度WYA比间隙宽度GYA窄的形状，而图64的A所示的导体层A的网状导体811具有导体宽度WYA比间隙宽度GYA宽的形状。例如，图36的A所示的导体层A的网状导体311具有导体宽度WYA和导体宽度WXA基本相同的形状，而图64的A中所示的导体层A的网状导体811具有导体宽度WYA比导体宽度WXA宽的形状。在图64的导体层A的网状导体811中，在主导体部165Aa和引出导体部165Ab中，沿X方向以导体周期FXA周期性地布置相同的图案，并且沿Y方向以导体周期FYA周期性地布置相同的图案。
导体层B具有以下形状：在图64的B中的导体层B的网状导体812的X方向上，间隙宽度GXB与导体宽度WXB的比率(间隙宽度GXB/导体宽度WXB)大于在图36的B中的导体层B的网状导体312的X方向上的间隙宽度GXB与导体宽度WXB的比率(间隙宽度GXB/导体宽度WXB)。换句话说，在图64的B所示的导体层B的网状导体812中，导体宽度WXB和间隙宽度GXB之间的差变得大于图36的B中所示的导体层B的网状导体312的相应的差。在Y方向，图64的B中导体层B的网状导体812的间隙宽度GYB与导体宽度WYB的比率(间隙宽度GYB/导体宽度WYB)低于图36的B所示的导体层B的网状导体312的间隙宽度GYB与导体宽度WYB的比率(间隙宽度GYB/导体宽度WYB)。图36的B所示的导体层B的网状导体312是其中导体宽度WYB和导体宽度WXB基本上相同的形状的示例，而图64的B中的导体层B的网状导体812具有其中导体宽度WYB比导体宽度WXB宽的形状。在图64的B中的导体层B的网状导体812中，在主导体部165Ba和引出导体部165Bb中，沿X方向以导体周期FXB周期性地布置相同的图案，并且沿Y方向以导体周期FYB周期性地布置相同的图案。
图64的C示出了从导体层A侧(光电二极管141侧)观看图64的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。在图64的C中，没有示出导体层B的由于与导体层A重叠而被隐藏的区域。
如图64的C所示，在第十一结构示例中，由于有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，所以能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光并抑制感应噪声的发生。
因此，上面描述的第一到第十三结构示例是这样的示例，其中在配线层165A(导体层A)中，主导体部165Aa和引出导体部165Ab形成为相同的配线图案，而没有任何特定的区别，并且，类似地，在配线层165B(导体层B)中主导体部165Ba和引出导体部165Bb形成为相同的配线图案，而没有任何特定的区别。
然而，由于引出导体部165b的面积小于主导体部165a的面积，因此引出导体部165b是电流集中的部分，优选地，引出导体部165b被配置成减小配线电阻或使得电流容易在主导体部165a中扩散。
因此，在下文中，将说明如下结构示例：其中，在配线层165A(导体层A)中，引出导体部165Ab的配线图案被设置为与主导体部165Aa的配线图案不同；并且在配线层165B(导体层B)中，引出导体部165Bb的配线图案被设置为与主导体部165Ba的配线图案不同。
<第十四结构示例>
图65示出了导体层A和B的第十四结构示例。图65的A示出了导体层A，而图65的B示出了导体层B。在图65的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
如图65的A所示，第14结构示例中的导体层A包括主导体部165Aa的网状导体821Aa和引出导体部165Ab的网状导体821Ab。例如，网状导体821Aa和网状导体821Ab是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
主导体部165Aa的网状导体821Aa在X方向上具有导体宽度WXAa和间隙宽度GXAa，并且配置有以导体周期FXAa周期性排列的相同图案，并且在Y方向具有导体宽度WYAa和间隙宽度GYAa，并且配置有以导体周期FYAa周期性排列的相同图案。因此，网状导体821Aa具有包括重复图案的形状，其中预定的基本图案沿X方向和Y方向中的至少一个方向以导体周期重复地排列。
引出导体部165Ab的网状导体821Ab在X方向上具有导体宽度WXAb和间隙宽度GXAb，并且配置有以导体周期FXAb周期性排列的相同图案，并且在Y方向上具有导体宽度WYAb和间隙宽度GYAb。因此，网状导体821Ab具有包括重复图案的形状，其中预定的基本图案沿X方向和Y方向中的至少一个方向以导体周期重复地排列。
此外，当比较主导体部165Aa的网状导体821Aa和引出导体部165Ab的网状导体821Ab的相应的导体宽度WXA、间隙宽度GXA、导体宽度WYA和间隙宽度GYA时，它们中的至少一者具有不同的值，并且引出导体部165Ab的网状导体821Ab的重复图案不同于主导体部165Aa的网状导体821Aa的重复图案。
当主导体部165Aa的网状导体821Aa在Y方向的总长度LAa与引出导体部165Ab的网状导体821Ab在Y方向上的总长度LAb进行比较时，网状导体821Aa的总长度LAa比网状导体821Ab的总长度LAb长。因此，与主导体部165Aa的网状导体821Aa相比，在引出导体部165Ab的网状导体821Ab中电流局部集中，因此电压降(尤其是IR降)更大。
这里，引出导体部165Ab的网状导体821Ab的重复图案具有其中电流至少在第一方向(该第一方向是朝向主导体部165Aa的X方向)上流动的形状，并且在与第一方向正交的第二方向(Y方向)上的导体宽度(配线宽度)WYAb大于主导体部165Aa的网状导体821Aa在第二方向上的导体宽度(配线宽度)WYAa。因此，能够降低作为电流集中位置的引出导体部165Ab的网状导体821Ab的配线电阻，因此，能够进一步减小电压降。虽然已经描述了其中导体宽度WYAb大于导体宽度WYAa的示例，但是本技术不限于此，并且例如，导体宽度WXAb可以大于导体宽度WXAa。因此，能够降低网状导体821Ab的配线电阻，因此，能够进一步降低电压降。
此外，主导体部165Aa的网状导体821Aa的至少一部分具有其中容电流容易沿Y方向(第二方向)而不是X方向(第一方向)流动的图案(形状)。具体而言，由于配线宽度(导体宽度WXAa和导体宽度WYAa)和配线间隔(间隙宽度GXAa和间隙宽度GYAa)中的至少一者不同，所以Y方向的配线电阻小于X方向的配线电阻。因此，在具有比网状导体821Ab的总长度Lab更长的总长度LAa的主导体部165Aa中，由于电流容易在Y方向扩散，所以能够减轻主导体部165Aa和引出导体部165Ab的接合部周围的电极集中并能够进一步降低感应噪声。
如图65的B所示，第十四结构示例中的导体层B包括主导体部165Ba的网状导体822Ba和引出导体部165Bb的网状导体822Bb。例如，网状导体822Ba和网状导体822Bb是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
主导体部165Ba的网状导体822Ba在X方向上具有导体宽度WXBa和间隙宽度GXBa，并且配置有以导体周期FXBa周期性排列的相同图案，并且在Y方向上具有导体宽度WYBa和间隙宽度GYBa，并且配置有以导体周期FYBa周期性排列的相同图案。因此，网状导体822Ba具有包括重复图案的形状，其中预定的基本图案沿X方向和Y方向中的至少一个方向以导体周期重复地排列。
引出导体部165Bb的网状导体822Bb在X方向上具有导体宽度WXBb和间隙宽度GXBb，并且配置有以导体周期FXBb周期排列的相同图案，并且在Y方向具有导体宽度wyb和间隙宽度GYBb。因此，网状导体822Bb具有包括重复图案的形状，其中预定的基本图案在导体周期中沿X方向和Y方向中的至少一个方向重复排列。
此外，当比较主导体部165Ba的网状导体822Ba和引出导体部165Bb的网状导体822Bb的相应的导体宽度WXB、间隙宽度GXB、导体宽度WYB和间隙宽度GYB时，它们中的至少一者具有不同的值，并且引出导体部165Bb的网状导体822Bb的重复图案不同于主导体部165Ba的网状导体822Ba的重复图案。
当将主导体部165Ba的网状导体822Ba在Y方向的总长度LBa与引出导体部分165Bb的网状导体822Bb在Y方向上的总长度LBb进行比较时，网状导体822Ba的总长度LBa大于网状导体822Bb的总长度LBb。因此，与主导体部165Ba的网状导体822Ba相比，在引出导体部165Bb的网状导体822Bb中电流局部集中，因此电压降(尤其是IR降)更大。
这里，引出导体部165Bb的网状导体822Bb的重复图案具有其中电流至少在第一方向(该第一方向是朝向主导体部165Ba的X方向)上流动的形状，并且在与第一方向正交的第二方向(Y方向)上的导体宽度(配线宽度)WYBb大于主导体部165Ba的网状导体822Ba在第二方向上的导体宽度(配线宽度)WYBa。因此，能够降低作为电流集中位置的引出导体部165Bb的网状导体822Bb的配线电阻，因此，能够进一步减小电压降。虽然已经描述了其中导体宽度WYBb大于导体宽度WYBa的示例，但是本技术不限于此，并且例如，导体宽度WXBb可以大于导体宽度WXBa。因此，能够降低网状导体822Bb的配线电阻，因此，能够进一步降低电压降。
此外，主导体部165Ba的网状导体822Ba的至少一部分具有使电流容易沿Y方向(第二方向)而不是X方向(第一方向)流动的图案(形状)。具体而言，由于配线宽度(导体宽度WXBa和导体宽度WYBa)和配线间隔(间隙宽度GXBa和间隙宽度GYBa)中的至少一者不同，所以Y方向的配线电阻小于X方向的配线电阻。因此，在具有比网状导体822Bb的总长度LBb更长的总长度LBa的主导体部165Ba中，由于电流容易在Y方向扩散，所以能够缓解主导体部165Ba和引出导体部的接合部周围的电极集中并能够进一步降低感应噪声。
如上所述，根据第十四结构示例，在配线层165A(导体层A)中，引出导体部165Ab的网状导体821Ab的重复图案形成为与主导体部165Aa的网状导体821Aa的重复图案不同的图案，并且主导体部165Aa电连接到引出导体部165Ab，因此，能够减少引出导体部165Ab的配线电阻并能够进一步降低电压降。同样，在配线层165B(导体层B)中，引出导体部165Bb的网状导体822Bb的重复图案形成为与主导体部165Ba的网状导体822Ba的重复图案不同的图案，并且主导体部165Ba电连接到引出导体部165Bb，因此，能够减少引出导体部165Bb的配线电阻并能够进一步降低电压降。
此外，在导体层A和导体层B重叠的状态下，有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，如图65的C所示。即，配线层165A的主导体部165Aa和配线层165B的主导体部165Ba形成遮光结构，配线层165A的引出导体部165Ab和配线层165B的引出导体部165Bb形成遮光结构。因此，类似于上述的第一到第十三结构示例，在第十四结构示例中也能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。
<第十四结构示例的变型例>
图66到68示出了第十四结构示例的第一到第三变型例。图66至68的A到C对应于图65的A到C并且由相同的附图标记表示，将适当地省略对相同部分的描述，并且将说明不同的部分。
在图65所示的第十四结构示例中，在配线层165A(导体层A)中，主导体部165Aa和引出导体部165Ab之间的接合部被布置在围绕主导体部165Aa的外周的矩形的一个侧边，但本技术并不局限于此。
例如，如图66的A所示，主导体部165Aa和引出导体部165Ab被连接为使得引出导体部165Ab的网状导体821Ab进入围绕主导体部165Aa的外周的矩形。
此外，例如，如图67的A和图68的A所示，主导体部165Aa和引出导体部165Ab可以被连接为使得只有引出导体部165Ab的网状导体821Ab的向着主导体部165Aa延伸的具有导体宽度WYAb的多个配线的一部分进入围绕主导体部165Aa的外周的矩形。图67的C中的引出导体部165Ab的网状导体821Ab延伸，使得具有导体宽度WYAb的两个配线之中的上部配线进入围绕主导体部165Aa的外周的矩形，以及图68的A中的引出导体部165Ab的网状导体821Ab延伸以使得下部配线进入围绕主导体部165Aa的外周的矩形。
这同样适用于配线层165B(导体层B)。也就是说，在图65所示的第十四结构示例中，主导体部165Ba和引出导体部165Bb之间的接合部被布置在围绕主导体部165Ba的外周的矩形的一个侧边，但是本技术不限于此。
例如，如图66的B所示，主导体部165Ba和引出导体部165Bb被连接为使得引出导体部165Bb的网状导体822Bb进入围绕主导体部165Ba的外周的矩形。
此外，例如，如图67的B和图68的B所示，主导体部165Ba和引出导体部165Bb可以被连接为使得只有引出导体部165Bb的网状导体822Bb的朝着主导体部165Ba延伸的具有导体宽度WYBb的多个配线的一部分进入围绕主导体部165Ba的外周的矩形。图67的B中的引出导体部165Bb的网状导体822Bb延伸，使得具有导体宽度WYBb的两个配线之中的上部配线进入围绕主导体部165Ba的外周的矩形，以及图68的B中的引出导体部165Bb的网状导体822Bb延伸，使得下部配线进入围绕主导体部165Ba的外周的矩形。
如图66到68所示，主导体部165a和引出导体部165b在其中连接的部分的形状可以以复杂的方式构造。
虽然在图66至68所示的第十四结构示例的第一至第三变型例中，主导体部165Aa和引出导体部165Ab被连接为使得引出导体部165Ab的网状导体821Ab进入围绕主导体部165Aa的外周的矩形，但是主导体部165Aa的网状导体821Aa可以突出至围绕主导体部165Aa的外周的矩形的外部，并进入引出导体部165Ab侧。此外，主导体部165Ba的网状导体822Ba可以突出至围绕主导体部165Ba的外周的矩形之外并且进入引出导体部165Bb侧。
<第十五结构示例>
图69示出了导体层A和B的第十五结构示例。图69的A示出了导体层A，图69的B示出了导体层B。在图69中的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
如图69的A所示，第十五结构示例中的导体层A包括主导体部165Aa的网状导体831Aa和引出导体部165Ab的网状导体831Ab。例如，网状导体831Aa和网状导体831Ab连接到GND或负极电源。
主导体部165Aa的网状导体831Aa与图65所示的第十四结构示例中的主导体部165Aa的网状导体821Aa相同。另一方面，引出导体部165Ab的网状导体831Ab不同于图65所示的第十四结构示例中的引出导体部165Ab的网状导体821Ab。
具体地，引出导体部165Ab的网状导体831Ab在Y方向上的间隙宽度GYAb小于主导体部165Aa的网状导体831Aa在Y方向上的间隙宽度GYAa。在图65所示的第十四结构示例中，引出导体部165Ab的网状导体821Ab在Y方向上的间隙宽度GYAb与主导体部165Aa的网状导体821Aa在Y方向的间隙宽度GYAa相同。
因此，引出导体部165Ab的网状导体831Ab在Y方向上的间隙宽度GYAb小于主导体部165Aa的网状导体831Aa在Y方向的间隙宽度GYAa，因此，能够降低作为电流集中位置的引出导体部165Ab的网状导体831Ab的配线电阻，并进一步减小电压降。已经说明了其中间隙宽度GYAb小于间隙宽度GYAa的示例，但是本技术不限于此，并且例如，间隙宽度GXAb可以小于间隙宽度GXAa。因此，能够降低网状导体831Ab的配线电阻，因此，能够进一步降低电压降。
如图69的B所示，第十五结构示例中的导体层B包括主导体部165Ba的网状导体832Ba和引出导体部165Bb的网状导体832Bb。例如，网状导体832Ba和网状导体832Bb是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
主导体部165Ba的网状导体832Ba与图65所示的第十四结构示例中的主导体部165Ba的网状导体822Ba相同。另一方面，引出导体部165Bb的网状导体832Bb不同于图65所示的第十四结构示例中的引出导体部165Bb的网状导体822Bb。
具体地，引出导体部165Bb的网状导体832Bb在Y方向上的间隙宽度GYBb小于主导体部165Ba的网状导体832Ba在Y方向上的间隙宽度GYBa。在图65所示的第十四结构示例中，引出导体部165Bb的网状导体822Bb在Y方向上的间隙宽度GYBb与主导体部165Ba的网状导体822Ba在Y方向的间隙宽度GYBa相同。
因此，引出导体部165Bb的网状导体832Bb在Y方向上的间隙宽度GYBb小于主导体部165Ba的网状导体832Ba在Y方向上的间隙宽度GYBa，并且因此，能够降低作为电流集中位置的引出导体部165Bb的网状导体832Bb的配线电阻，并能够进一步减小电压降。已经描述了其中间隙宽度GYBb小于间隙宽度GYBa的示例，但是本技术不限于此，并且例如，间隙宽度GXBb可以小于间隙宽度GXBa。因此，能够降低网状导体832Bb的配线电阻，因此，能够进一步降低电压降。
此外，如图69的C所示，在导体层A和导体层B重叠的状态下，有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖。即，配线层165A的主导体部165Aa和配线层165B的主导体部165Ba形成遮光结构，配线层165A的引出导体部165Ab和配线层165B的引出导体部165Bb形成遮光结构。因此，同样在第十五结构示例中，能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。
<第十五结构示例的第一变型例>
图70示出了第十五结构示例的第一变型例。此外，图70的A示出了导体层A，图70的B示出了导体层B。图70的C示出了从导体层A侧观看图70的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。在图70的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
第十五结构示例的第一变型例与图69所示的第十五结构示例的不同之处在于，配线层165A的引出导体部165Ab的在Y方向上的所有间隙宽度GYAb是不一致的。具体地，如图70的A所示，配线层165A的引出导体部165Ab的网状导体831Ab具有两种间隙宽度GYAb，包括小间隙宽度GYAb1和大间隙宽度GYAb2。
此外，第十五结构示例的第一变型例与图69所示的第十五结构示例的不同之处在于，配线层165B的引出导体部165Bb的在Y方向上的所有间隙宽度GYBb是不一致的。具体地，如图70的B所示，配线层165B的引出导体部165Bb的网状导体832Bb具有两种间隙宽度GYBb，包括小间隙宽度GYBb1和大间隙宽度GYBb2。
在第十五结构示例的第一变型例中，如图70的C所示，配线层165A的引出导体部165Ab和配线层165B的引出导体部165Bb在导体层A和导体层B重叠的状态下形成遮光结构。
<第十五结构示例的第二变型例>
图71示出了第十五结构示例的第二变型例。图71的A示出了导体层A，而图71的B示出了导体层B。图71的C示出了从导体层A侧观看图71的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。在图71的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
第十五结构示例的第二变型例与图69所示的第十五结构示例的不同之处在于，配线层165A的引出导体部165Ab在Y方向上的所有导体宽度WYAb都不相等。具体地说，如图71的A所示，配线层165A的引出导体部165Ab的网状导体831Ab具有两种导体宽度WYAb，包括小导体宽度WYAb1和大导体宽度WYAb2。
此外，第二变型例与图69所示的第十五结构示例的不同之处在于，配线层165B的引出导体部165Bb在Y方向上的所有导体宽度WYBb都不相等。具体地说，如图71的B所示，配线层165B的引出导体部165Bb的网状导体832Bb具有两种导体宽度WYBb，包括小导体宽度WYBb1和大导体宽度WYBb 2。
在第十五结构示例的第二变型例中，如图71的C所示，配线层165A的引出导体部165Ab和配线层165B的引出导体部165Bb在导体层A和导体层B重叠的状态下形成遮光结构。
如在第十五结构示例的第一变型例和第二变型例中那样，配线层165A的引出导体部165Ab的间隙宽度GYAb或导体宽度WYAb不等于配线层165B的引出导体部165Bb的间隙宽度GYBb或导体宽度WYBb，使得能够增加布线的自由度。在每个导体层中，通常存在导体区域的占用率的约束，但是由于布线的自由度的增加，能够在占用率的约束内使引出导体部165Ab和165Bb的配线电阻最小化，因此，能够进一步降低电压降。使用所有间隙宽度GYAb不相等的示例、所有间隙宽度GYBb不相等的示例、所有导体宽度WYAb不相等的示例以及所有导体宽度WYBb不相等的示例进行了说明，但是本技术不限于此。例如，X方向上的所有间隙宽度GXAb、X方向上的所有间隙宽度GXBb、X方向上的所有导体宽度WXAb或X方向上的所有导体宽度WXBb可以不相等。在这些情况下，类似地，基于上述相同的原因，能够增加配线的自由度，并因此能够进一步降低电压降。
<第十六结构示例>
图72示出了导体层A和B的第十六结构示例。图72的A示出了导体层A，图72的B示出了导体层B。在图72中的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
由于图72的A中所示的第十六结构示例的导体层A与图65所示的第十四结构示例的导体层A相同，因此将省略对它的说明。
图72的B中所示的第16结构示例的导体层B具有如下结构：其中，图65中所示的第十四结构示例的导体层B进一步添加有中继导体841。更具体地说，主导体部165Ba包括网状导体822Ba和多个中继导体841，并且引出导体部165Bb包括如第十四结构示例中所示的网状导体822Bb。
在主导体部165Ba中，中继导体841布置在矩形间隙区域中，该矩形间隙区域不是网状导体822Ba的导体并且在Y方向上延长，并且中继导体841与网状导体822Ba电绝缘并且连接到已经与导体层A的网状导体821Aa连接的Vss配线。一个或多个中继导体841布置在网状导体822Ba的间隙区域中。图72的B示出了在网状导体822Ba的间隙区域中共布置有2行1列的两个中继导体841的示例。
在图72的B中，中继导体841仅布置在主导体部165Ba的整个区域中的网状导体822Ba的一部分的间隙区域中。
然而，中继导体841可以布置在主导体部165Ba的整个区域的间隙区域中。此外，在第十六结构示例的导体层B中，中继导体841未被布置在引出导体部165Bb的网状导体822Bb的间隙区域中，但是中继导体841可以被布置在网状导体822Bb的间隙区域中。
<第十六结构示例的第一变型例>
图73示出了第十六结构示例的第一变型例。
在图73的第十六结构示例的第一变型例中，中继导体841被布置在导体层B的主导体部165Ba的整个区域的间隙区域中，并且中继导体841也被布置在引出导体部165Bb的网状导体822Bb的间隙区域中。图73的第一变型例中的其它结构与图72所示的第十六结构示例中的结构相同。
<第十六结构示例的第二变型例>
图74示出了第十六结构示例的第二变型例。
图74的第十六结构示例的第二变型例与第一变型例的相同之处在于，中继导体841布置在导体层B的主导体部165Ba的整个区域的间隙区域中。另一方面，第十六结构示例的第二变型例与第一变型例的不同之处在于，与中继导体841不同的中继导体842被布置在引出导体部165Bb的网状导体822Bb的间隙区域中。图74的第二变型例的其它结构与图72所示的第十六结构示例的结构相同。
如在第二变型例中，布置在导体层B的主导体部165Ba的网状导体822Ba的间隙区域中的中继导体841和布置在引出导体部165Bb的网状导体822Bb的间隙区域中的中继导体842的数量或形状可以不同。
当中继导体841如图72所示的第十六结构示例的导体层B中那样不布置在引出导体部165Bb的网状导体822Bb的间隙区域中时，能够增加配线(网状导体822Bb)的自由度。在每个导体层中，通常存在导体区域的占用率的约束，但是由于布线的自由度的增加，能够在占用率的约束内使引出导体部165 165Bb的配线电阻最小化，并且因此能够进一步降低电压降。
另一方面，当中继导体841或中继导体842等被布置在引出导体部165Bb的网状导体822Bb的间隙区域中时，并且诸如MOS晶体管或二极管之类的有源元件被布置在引出导体部165Bb的区域中或布置在与引出导体部165Bb处于相同平面位置的上下层中，能够进一步减小电压降。
此外，由于布置在导体层B的主导体部165Ba的网状导体822Ba的间隙区域中的中继导体841和布置在引出导体部165Bb的网状导体822Bb的间隙区域中的中继导体842在数量或形状上不同，所以能够最大限度地利用主导体部165Ba和引出导体部165Bb中每个导体层的导体区域的占用率，因此，能够降低配线电阻并进一步降低压降。
中继导体841具有任意形状，并且优选对称的圆形或多边形，例如旋转对称的圆形或多边形或镜像对称的圆形或多边形。中继导体841可以布置在网状导体822Ba的间隙区域的中心或任何其它位置。中继导体841可以连接到不同于导体层A的作为Vss配线的导体层。中继导体841可以连接到在更靠近有源元件组167而不是更靠近导体层B一侧的作为Vss配线的导体层。中继导体841可以通过在Z方向上延伸的导体通孔连接到例如与导体层A不同的导体层或更靠近有源元件组167而不是更靠近导体层B一侧的导体层。这同样适用于中继导体842。
虽然在图72至74的第十六结构示例中，中继导体841或842被布置在导体层B的网状导体822Ba和822Bb的间隙区域中，但是相同或不同的中继导体也可以布置在导体层A的网状导体821Aa和821Ab的间隙区域中。
<第十七结构示例>
图75示出了导体层A和B的第十七结构示例。图75的A示出了导体层A，图75的B示出了导体层B。在图75的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
当将图75的A所示的第十七结构示例中的导体层A与图65的A中所示的第十四结构示例中的导体层A进行比较时，主导体部165Aa的网状导体851Aa的形状与引出导体部165Ab的网状导体851Ab的形状不同。
换句话说，图65的A所示的第十四结构示例中的网状导体821Aa的间隙区域具有垂直延长的矩形形状，而图75的A中所示的第十七结构示例中的网状导体851Aa的间隙区域是水平延长的矩形。此外，图65的A中的网状导体821Ab的间隙区域具有垂直延长的矩形形状，而图75的a中的网状导体851Ab的间隙区域具有水平延长的矩形形状。
图75的A中的引出导体部165Ab的网状导体851Ab与图65的A中的第14结构示例中的网状导体821Ab的相同之处在于，电流容易沿X方向(第一方向)而不是与X方向正交的Y方向(第二方向)流向主导体部165Aa。
另一方面，图75的A中的主导体部165Aa的网状导体851Aa具有这样的形状：其中，电流容易沿X方向而不是Y方向流动。然而，在图65的A中的第十四结构示例中，主导体部165Aa的网状导体821Aa具有电流容易沿Y方向流动的形状。
也就是说，图75的A所示的第十七结构示例中的导体层A与图65的A中的第十四结构示例中的导体层A在电流容易在主导体部165Aa中流动的方向上不同。
此外，在第十七结构示例中，导体层A的主导体部165Aa包括加强导体853，加强后的导体853使得电流容易沿Y方向而不是X方向流动。优选地，将加强导体853的导体宽度WXAc形成为大于网状导体851Aa在X方向上的导体宽度WXAa和在Y方向上的导体宽度WYAa的一者或两者。加强导体853的导体宽度WXAc被形成为大于网状导体851Aa在X方向上的导体宽度WXAa和在Y方向上的导体宽度WYAa中的较小者。在图75的示例中，形成加强导体853的在X方向上的位置是在主导体部165Aa的区域中的最接近引出导体部165Ab的位置，但是也可以是靠近接合部的位置。
由于主导体部165Aa的网状导体851Aa可以形成为电流容易沿X方向流动的形状，因此能够使用最少数量的基本图案重复来创建布局，并且因此，在配线布局的设计中增加了自由度。此外，根据诸如MOS晶体管或二极管之类的有源元件的布置，能够进一步减小电压降。
通过设置加强导体853，使得电流容易在Y方向流动，这就使电流在主导体部165Aa中容易在Y方向上扩散，因此，在主导体部165Aa和引出导体部165Ab之间的接合部附近能够减轻电流集中。当电流局部集中时，集中位置会导致感应噪声增大。但是，由于能够降低电流集中，因此能够进一步降低感应噪声。
当将图75的B所示的第十七结构示例中的导体层B与图65的B中所示的第14结构示例中的导体层B进行比较时，主导体部165Ba的网状导体852Ba的形状与引出导体部165Bb的网状导体852Bb的形状不同。
换句话说，图65的B所示的第十四结构示例中的网状导体822Ba的间隙区域具有垂直延长的矩形形状，而图75的B中所示的第十七结构示例中的网状导体852Ba的间隙区域是水平延长的矩形。此外，图65的B中的网状导体822Bb的间隙区域具有垂直延长的矩形形状，而图75的B中的网状导体852Bb的间隙区域具有水平延长的矩形形状。
图75的B中的引出导体部165Bb的网状导体852Bb与图65的B中的第14结构示例中的网状导体822Bb相同之处在于，电流容易沿X方向(第一方向)而不是与X方向正交的Y方向(第二方向)流向主导体部165Ba。
另一方面，图75的B中的主导体部165Ba的网状导体852Ba具有这样的形状：其中，电流容易沿X方向而不是Y方向流动。然而，在图65的B的第十四结构示例中，主导体部165Ba的网状导体822Ba具有电流在其中容易在Y方向流动的形状。
也就是说，图75的B所示的第十七结构示例中的导体层B与图65的B中的第14结构示例中的导体层B的不同之处在于电流在主导体部165Ba中容易流动的方向。
此外，在第十七结构示例中，导体层B的主导体部165Ba包括加强导体854，其被加强以使得电流容易沿Y方向而不是X方向流动。优选将加强导体854的导体宽度WXBc形成为大于网状导体852Ba的在X方向上的导体宽度WXBa和在Y方向上的导体宽度WYBa中的一者或两者。加强导体854的导体宽度WXBc形成为大于网状导体852Ba的在X方向上的导体宽度WXBa和在Y方向上的导体宽度WYBa中的较小者。在图75的示例中，形成加强导体854的在X方向上的位置是在主导体部165Ba的区域中最接近引出导体部165Bb的位置，但是也可以是靠近接合部的位置。
如图75的C所示，在重叠位置形成导体层A的加强导体853和导体层B的加强导体854。由于在导体层A和导体层B彼此重叠的状态下，有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，所以在第十七结构示例中也可以屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。例如，当在加强导体853或加强导体854附近不需要遮光时，加强导体853和加强导体854可以不形成在重叠位置处。此外，例如，根据主导体部165a的电流分布，可以不设置加强导体853和加强导体854中的至少一者。
由于主导体部165Ba的网状导体852Ba可以形成电流容易在X方向上流动的形状，因此可以用最少数量的基本图案重复来创建布局，并且因此，增大了配线布局的设计中的自由度。此外，根据诸如MOS晶体管或二极管之类的有源元件的布置，能够进一步减小电压降。
由于能够通过设置加强导体854使电流易于在Y方向上流动来使得电流能够在主导体部165Ba中容易在第二方向上扩散，因此能够减轻主导体部165Ba和引出导体部165Bb之间的接合部周围的电流集中。当电流局部集中时，电流集中的位置会导致感应噪声增大。但是由于能够减轻电流集中，所以能够进一步降低感应噪声。
此外，图75的B中所示的第十七结构示例中的导体层B与图65的B中的第十四结构示例中的导体层B的不同之处在于，中继导体855被布置在主导体部165Ba的网状导体852Ba的至少一部分的间隙区域中。该中继导体855可以布置，也可以不布置。
<第十七结构示例的第一变型例>
图76示出了第十七结构示例的第一变型例。
第十七结构示例的第一变型例的导体层A与图75的A中所示的第十七结构示例的导体层A的不同之处在于，图76的A中所示的导体层A的加强导体853不是形成在主导体部165Aa的在Y方向上的全部总长度上，而是形成在主导体部165Aa的在Y方向上的部分长度上。更具体地说，在图76的第一变型例中，导体层A的加强导体853形成在Y方向上的除了接合部的在Y方向上的位置之外的位置。第一变型例中的导体层A的其它结构与图75的A所示的第十七结构示例中的导体层A的结构相同。
类似地，导体层B与图75的B中所示的第十七结构示例的导体层B的不同之处在于，图76的B中所示的导体层B的加强导体854不是形成在主导体部165Ba的在Y方向上的全部的总长度上，而是形成在Y方向上的部分长度上。更具体地说，在图76的第一变型例中，导体层B的加强导体854形成在Y方向上的除了接合部的在Y方向上的位置之外的位置。第一变型例中的导体层B的其它结构与图75的A中所示的第十七结构示例中的导体层B的结构相同。
<第十七结构示例的第二个变型例>
图77示出了第十七结构示例的第二变型例。
第十七结构示例的第二变型例的导体层A与图75的A中所示的第十七结构示例的导体层A的不同之处在于，图77的A中所示的导体层A的加强导体853没有形成在主导体部165Aa的在Y方向上的全部的总长度上，而是形成在Y方向上的部分长度上。更具体地说，在图77的第二变型例中，导体层A的加强导体853仅形成在接合部的在Y方向上的位置。第二变型例中的导体层A的其它结构与图75的A所示的第十七结构示例中的导体层A的结构相同。
类似地，导体层B与图75的B中所示的第十七结构示例的导体层B的不同之处在于，图77的B中所示的导体层B的加强导体854没有形成在主导体部165Ba的在Y方向上的全部的总长度上，而是形成在Y方向的部分长度上。更具体地说，在图77的第二变型例中，导体层B的加强导体854仅形成在接合部的在Y方向上的位置。第二变型例中的导体层B的其它结构与图75的A中所示的第十七结构示例中的导体层B的结构相同。
导体层A的加强导体853和导体层B的加强导体854不是必须如第十七结构示例的第一变型例和第二变型例中那样形成在主导体部165Aa的在Y方向上的总长度上，而是可以形成在Y方向上的预定的部分区域中。
<第十八结构示例>
图78示出了导体层A和B的第十八结构示例。图78的A示出了导体层A，图78的B示出了导体层B。图78的C示出了从导体层A侧观看图78的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。在图78的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
图78所示的第十八结构示例具有图75所示的第十七结构示例部分修改后的结构。在图78中，与图75中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示，并且将适当地省略对这些部分的说明。
图78的A中所示的第十八结构示例的导体层A与图75所示的第十七结构示例的导体层A相同之处在于：第十八结构示例的导体层A包括网状导体851Aa，其形状使得电流容易在X方向上流动，并且包括加强导体853，其被加强以使电流容易沿Y方向流动。
另一方面，第十八结构示例的导体层A与图75所示的第十七结构示例的导体层A的不同之处在于：导体层A还包括加强的导体856，其被加强以使得电流更容易在X方向上而不是在Y方向上流动。优选地，加强导体856的导体宽度WYAc大于网状导体851Aa在X方向上的导体宽度WXAa和在Y方向上的导体宽度WYAa中的一者或两者。加强导体856的导体宽度WYAc大于网状导体851Aa在X方向上的导体宽度WXAa和在Y方向上的导体宽度WYAa中的较小的那一个。多个加强导体856可以在Y方向上以预定间隔布置在主导体部165Aa的区域中，或者可以在Y方向上的预定位置处布置一个加强导体856。
通过设置加强导体856以使电流易于在X方向上流动，能够使得电流不仅容易通过加强导体853沿Y方向流动，而且也容易在X方向上流动，并且减轻主导体部165Aa和引出导体部165Ab之间的接合部周围的电流集中。当电流局部集中时，集中位置导致感应噪声增大，但是，由于能够降低电流集中度，因此能够进一步降低感应噪声。
图78的B所示的第十八结构示例的导体层B与图75所示的第十七结构示例的导体层B的相同之处在于，第十八结构示例的导体层B包括网状导体852Ba，其形状使得电流容易在X方向上流动，并且包括加强导体854，其被加强以使电流易于沿Y方向流动。
另一方面，第十八结构示例的导体层B与图75中所示的第十七结构示例的导体层B的不同之处在于，第十八结构示例的导体层B还包括加强导体857，其被加强以使得电流容易在X方向上而不是在Y方向上流动。优选地，加强导体857的导体宽度WYBc大于网状导体852Ba的在X方向上的导体宽度WXBa和在Y方向上的导体宽度WYBa中的一者或两者。加强导体857的导体宽度WYBc大于网状导体852Ba的在X方向上的导体宽度WXBa和在Y方向上的导体宽度WYBa中的较小的一者。多个加强导体857可以在Y方向上以预定间隔布置在主导体部165Ba的区域中，或者可以在Y方向上的预定位置处布置一个加强导体857。
如图78的C所示，导体层A的加强导体856和导体层B的加强导体857形成在重叠位置。由于在导体层A和导体层B彼此重叠的状态下有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，所以在第十八结构示例中也可以屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。例如，当在加强导体856或加强导体857附近不需要遮光时，加强导体856和加强导体857可以不形成在重叠位置处。此外，例如，根据主导体部165a的电流分布，可以不设置加强导体856和加强导体857中的至少一者。
通过设置被加强为使得电流易于在X方向上流动的加强导体857，能够使电流不仅通过加强导体854容易在Y方向上流动，而且能够使电流容易地在X方向上流动，并且能够减轻主导体部165Ba和引出导体部165Bb之间的接合部周围的电流集中。当电流局部集中时，电流集中的位置会导致感应噪声增加，但是由于可以减轻电流集中，所以能够进一步降低感应噪声。
在图75中的第十七结构示例中，示出了包括被加强为使得电流易于在Y方向上流动的加强导体853和854的结构，并且在图78的第十八结构示例中，示出了包括被加强为使得电流易于在X方向上流动的加强导体856和857的结构。
尽管省略了图示，但其中导体层A不包括加强导体853并且包括加强导体856，并且导体层B不包括加强导体854并且包括加强导体857的结构可以被采用为第十七结构示例或第十八结构示例的变型例。换言之，可以采用仅包括加强导体856和857作为加强导体的结构。
通过设置被加强为使得电流易于在X方向上流动的加强导体856，即使在不包括加强导体853的情况下，根据与配线电阻的关系，电流能够容易地在Y方向上扩散，并且能够减轻主导体部165Aa和引出导体部165Ab之间的接合部周围的电流集中。当电流局部集中时，电流集中的位置会导致感应噪声增大，但是由于能够减轻电流集中，所以能够进一步降低感应噪声。
通过设置被加强为使得电流易于在X方向上流动的加强导体857，即使在不包括加强导体854的情况下，根据与配线电阻的关系，电流能够容易地在Y方向上扩散，并且能够减轻主导体部165Ba和引出导体部165Bb之间的接合部周围的电流集中。当电流局部集中时，电流集中的位置会导致感应噪声增大，但是由于能够减轻电流集中，所以能够进一步降低感应噪声。
<第十九结构示例>
图79示出了导体层A和B的第十九结构示例。图79的A示出了导体层A，图79的B示出了导体层B。图79的C示出了从导体层A侧观看图79的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。在图79的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
图79所示的第十九结构示例具有通过部分地修改图75所示的第十七结构示例而获得的结构。在图79中，与图75中的那些部分相对应的部分用相同的附图标记表示，并且将适当地省略对这些部分的说明。
图79的A中所示的第十九结构示例的导体层A的不同之处在于，图75所示的第十七结构示例的加强导体853被替换为加强导体871，并且在其它方面是相同的。加强导体871包括沿Y方向延伸的多个配线。形成加强导体871的每一配线以间隙宽度GXAd沿X方向均匀地间隔并且排列。间隙宽度GXAd小于主导体部165Aa的网状导体851Aa的间隙宽度GXAa。
图79的B中所示的第十九结构示例的导体层B的不同之处在于，图75所示的第十七结构示例的加强导体854被替换为加强导体872，并且在其它方面是相同的。加强导体872包括沿Y方向延伸的多个配线。形成加强导体872的每条配线以间隙宽度GXBd沿X方向均匀地间隔并排列。间隙宽度GXBd小于主导体部165Ba的网状导体852Ba的间隙宽度GXBa。
如图79的C所示，导体层A的加强导体871和导体层B的加强导体872形成在重叠位置。由于在导体层A和导体层B彼此重叠的状态下有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，所以在第十九结构示例中也可以屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。例如，当不需要在加强导体871或加强导体872附近进行遮光时，加强导体871和加强导体872可以不形成在重叠位置处。此外，例如，根据主导体部165a的电流分布，可以不设置加强导体871和加强导体872中的至少一者。
<第十九结构示例的变型例>
图80示出了第十九结构示例的变型例。
在图79所示的第十九结构示例中，形成导体层A的加强导体871的多个配线以间隙宽度GXAd沿X方向均匀地间隔并且排列。形成导体层B的加强导体872的多个配线也以间隙宽度GXAd在X方向上等距地排列。
另一方面，在示出第十九结构示例的变型例的图80中，在形成导体层A的加强导体871的多个配线中，相邻配线的间隙宽度GXAd彼此不同。间隙宽度GXAd中的至少一个小于主导体部165Aa的网状导体851Aa的间隙宽度GXAa。在形成导体层B的加强导体872的多个配线中，相邻配线的间隙宽度GXBd彼此不同。至少一个间隙宽度GXBd小于主导体部165Ba的网状导体852Ba的间隙宽度GXBa。
在图80的示例中，多个间隙宽度GXAd和间隙宽度GXBd被形成为以从左侧逐渐减小，但是本技术不限于此，并且间隙宽度GXAd和间隙宽度GXBd可以形成为从右侧逐渐减小，或者可以是随机宽度。
如上所述，除了间隙宽度GXAd和GXBd不相等并且被改变之外，图80的第十九结构示例的变型例与图79中所示的第十九结构示例相同。
如图79和80所示的第十九结构示例及其变型例，导体层A的加强导体871和导体层B的加强导体872可以由具有预定间隙宽度GXAd或GXBd的多个配线构成。
通过设置被加强为使得电流易于在Y方向上流动的加强导体871和872，电流变得容易在Y方向上扩散，因此，能够减轻接合部周围的电流集中。当电流局部集中时，电流集中的位置会导致感应噪声增大，但是由于可以减轻电流集中，所以能够进一步降低感应噪声。在图79和80所示的第十九结构示例及其变型例中，示出了其中至少包括在X方向上的小于间隙宽度GXAa或间隙宽度GXBa的间隙宽度并且包括被加强为使得电流易于在Y方向上流动的加强导体871和872的结构，但本技术不限于此。例如，虽然没有图解说明，如图78的第十八结构示例所示，可以采用其中至少包括在Y方向上的小于间隙宽度GYAa或间隙宽度GYBa的间隙宽度并且包括被加强为使得电流易于在X方向上流动的加强导体的结构。此外，可以采用下述结构中的任意一个：包括被加强为使得电流易于在X方向上流动的加强导体的结构、包括被加强为使得电流易于在Y方向上流动的加强导体的结构、以及包括被加强为使得电流易于在X方向上流动的加强导体和被加强为使得电流易于在Y方向上流动的加强导体的结构。在这些情况下，由于可以根据配线电阻的关系来减轻电流集中，因此能够进一步降低感应噪声。
<第二十结构示例>
图81示出了导体层A和B的第二十结构示例。图81的A示出了导体层A，图81的B示出了导体层B。图81的C示出了从导体层A侧观看图81的A和B中所示的各个导体层A和B的状态。在图81的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
图81所示的第二十结构示例具有图72所示的第十六结构示例被部分地修改的结构。在图81中，与图72中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示，并且将适当地省略对这些部分的说明。
图81的A所示的第二十结构示例的导体层A与图72所示的第十六结构示例的导体层A的相同之处在于，主导体部165Aa包括网状导体821Aa。另一方面，第二十结构示例的导体层A与图72所示的第十六结构示例的导体层A的不同之处在于，引出导体部165Ab包括不同于网状导体821Ab的网状导体881Ab。
图81的B所示的第二十结构示例的导体层B与图72所示的第十六结构示例的导体层B的相同之处在于，主导体部165Ba具有网状导体822Ba和布置在间隙区域中的中继导体841。第二十结构示例的导体层B与图72所示的第十六结构示例的导体层B的不同之处在于，引出导体部165Bb包括与网状导体822Bb不同的网状导体882Bb。
也就是说，第二十结构示例与图72所示的第十六结构示例在引出导体部165b的重复图案的形状上是不同的。
如图81的C所示，引出导体部165b的一部分的区域是导体层A和导体层B彼此重叠的状态下的开口区域。
因此，不是必须在导体层A和导体层B的区域中均采用遮光结构，并且例如，在没有布置诸如MOS晶体管或二极管之类的有源元件的区域中可以不进行遮光。
尽管图81的第二十结构示例是其中导体层A和导体层B的引出导体部165b的一部分的区域不屏蔽光的结构，但是导体层A和导体层B的主导体部165a的一部分的区域也可以不屏蔽光。由于通过在不需要遮光的区域不采用遮光结构而进一步增加了配线布局设计的自由度，因此能够采用进一步降低感应噪声或电压降的配线图案。
<第二十一结构示例>
在上述第14到第20结构示例中，连接到主导体部165a的引出导体部165b的导体层由网状导体形成。
然而，引出导体部165b的导体层不限于网状导体，并且可以像主导体部165a那样由平面状导体或直线状导体形成。
在下面的第21到24结构示例中将说明其中引出导体部165b的导体层由平面状导体或直线状导体形成的结构示例。
图82示出了导体层A和B的第二十一结构示例。图82的A示出了导体层A，图82的B示出了导体层B。图82的C示出了从导体层A侧观看图82的A和B中所示的各个导体层A和B的状态。在图82的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
图82所示的第二十一结构示例具有图72中所示的第十六结构示例的引出导体部165b的导体层被改变的结构。在图82中，与图72中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示，并且将适当地省略对这些部分的说明。
在图82的A中所示的第二十一结构示例的导体层A的引出导体部165Ab中，在Y方向上以导体周期FYAb周期性地布置有在X方向上延长的直线状导体891Ab，而不是第十六结构示例的网状导体821Ab。导体周期FYAb等于Y方向上的导体宽度WYAb和Y方向上的间隙宽度GYAb之和(导体周期FYAb＝Y方向的导体宽度WYAb+Y方向的间隙宽度GYAb)。
在图82的B所示的第二十一结构示例的导体层B的引出导体部165Bb中，在Y方向上以导体周期FYBb周期性地布置有在X方向上延长的直线状导体892Bb，而不是第十六结构示例的网状导体822Bb。导体周期FYBb等于Y方向上的导体宽度WYBb和Y方向上的间隙宽度GYBb之和(导体周期FYBb＝Y方向的导体宽度WYBb+Y方向的间隙宽度GYBb)。
由于如图82的C所示，在导体层A和导体层B彼此重叠的状态下有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，在第二十一结构示例中也可以屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。
<第二十二结构示例>
图83示出了导体层A和B的第二十二结构示例。图83的A示出了导体层A，图83的和B示出了导体层B。图83的C示出了从导体层A侧观看图83的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。在图83的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
图83所示的第二十二结构示例具有图72所示的第十六结构示例的引出导体部165b的导体层被改变的结构。在图83中，与图72中的部分相对应的那些部分用相同的附图标记表示，并且将适当地省略对这些部分的说明。
在图83的A所示的第二十二结构示例的导体层A的引出导体部165Ab中，布置有平面状导体901Ab而不是第十六结构示例的网状导体821Ab。平面状导体901Ab在Y方向具有导体宽度WYAb。
在图83的B所示的第二十二结构示例的导体层B的引出导体部165Bb中，布置有平面状导体902Bb而不是第十六结构示例的网状导体822Bb。平面状导体902Bb在Y方向具有导体宽度WYBb。
由于如图83的C中所示，在导体层A和导体层B彼此重叠的状态下有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，所以在第二十二结构示例中也可以屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光结构示例。
在第二十二结构示例中，可以采用图84的A或B所示的导体层B来代替图83的B中所示的导体层B。
图84的A和B所示的导体层B与图83的B中所示的导体层B仅在引出导体部165b中不同。
在图84的A所示的导体层B的引出导体部165Bb中，在Y方向上以导体周期FYBb中周期性地布置有在X方向上延长的直线状导体903Bb，而不是图83的B中所示的平面状导体901Ab。导体周期FYBb＝Y方向的导体宽度WYBb+Y方向的间隙宽度GYBb)。
在图84的B中的导体层B的引出导体部165Bb中，设置网状导体904Bb而不是图83的B中所示的平面状导体901Ab。网状导体904Bb在X方向上具有导体宽度WXBb和间隙宽度GXBb并且配置有以导体周期FXBb周期性排列的相同图案，并且在Y方向上具有导体宽度WYBb和间隙宽度GYBb并且配置有以导体周期FYBb周期性排列的相同图案。因此，网状导体904Bb具有包括重复图案的形状，其中预定的基本图案在X方向和Y方向中的至少一个方向上以导体周期重复排列。
图84的A或B的导体层B和图83的A中所示的导体层A彼此重叠的状态下的平面图类似于图83的C。
<第二十三结构示例>
图85示出了导体层A和B的第二十三结构示例。图85的A示出了导体层A，图85的B示出了导体层B。图85的C示出了从导体层A侧观看图85的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。在图85的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
图85所示的第二十三结构示例具有图72所示的第十六结构示例的引出导体部165b的导体层被改变后的结构。在图85中，与图72中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示，并且将适当地省略对这些部分的说明。
在图85的A所示的第二十三结构示例的导体层A的引出导体部165Ab中，在Y方向上以导体周期FYAb周期性地布置在X方向上延长的直线状导体911Ab，并且在Y方向上以导体周期FYAb周期性地布置在X方向上延长的直线状导体912Ab，而不是第十六结构示例中的网状导体821Ab。例如，直线状导体911Ab是连接到正电源的配线(Vdd配线)。例如，直线状导体912Ab是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。导体周期FYAb等于Y方向上的导体宽度WYAb和Y方向上的间隙宽度GYAb之和(导体周期FYAb＝导体宽度WYAb+间隙宽度GYAb)。
在图85的B所示的第二十三结构示例的导体层B的引出导体部165Bb中，在Y方向上以导体周期FYBb周期性地布置在X方向上延长的直线状导体913Bb而不是第十六结构示例的网状导体822Bb，在Y方向上以导体周期FYBb周期性地布置在X方向上延长的直线状导体914Bb。例如，直线状导体913Bb是连接到正电源的配线(Vdd配线)。例如，直线状导体914Bb是连接到GND或负极电源的配线(Vss配线)。导体周期FYBb等于Y方向上的导体宽度wyb和Y方向上的间隙宽度GYBb之和(导体周期FYBb＝导体宽度WYBb+间隙宽度GYBb)。
导体层A的引出导体部165Ab的直线状导体912Ab与主导体部165Aa的网状导体821Aa电连接，并且例如通过在Z方向上延伸的导体通孔电连接至导体层B的引出导体部165Bb的直线状导体914Bb。
导体层B的引出导体部165Bb的直线状导体913Bb与主导体部165Ba的网状导体822Ba电连接，并且例如通过在Z方向上延伸的导体通孔与导体层A的引出导体部165Ab的直线状导体911Ab电连接。
由于如图85的C所示，在导体层A和导体层B彼此重叠的状态下有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，在第二十三结构示例中也可以屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。
尽管在上述第十四到第二十二结构示例中，在引出导体部165b中具有不同极性的Vdd配线和Vss配线被布置成在相同的平面区域中彼此重叠，但是如图85的第二十三结构示例中所示，具有不同极性的Vdd配线和Vss配线可以偏移并布置在不同的平面区域中，使得使用导体层A和导体层B两者来传输GND、负电压和正电压。
导体层A的引出导体部165Ab的直线状导体911Ab可以是伪配线，而不与导体层B的引出导体部165Bb的直线状导体913Bb电连接。导体层B的引出导体部165Bb的直线状导体914Bb可以是伪配线，而不与导体层A的引出导体部165Ab的直线状导体912Ab电连接。
此外，在图85中示出了一组直线状导体911Ab和一组直线状导体912Ab被布置成彼此相邻的示例，但本技术不限于此。例如，可以设置多组直线状导体911Ab和多组直线状导体912Ab，并且可以交替地布置一组直线状导体911Ab和一组直线状导体912Ab。
此外，在图85中示出了其中包括多个直线状导体的直线状导体911Ab和包括多个直线状导体的直线状导体912Ab被布置成彼此相邻的示例，但本技术不限于此。例如，可以交替地布置一个直线状导体911Ab和一个直线状导体912Ab。
此外，在图85中示出了一组直线状导体913Bb和一组直线状导体914Bb被布置成彼此相邻的示例，但是本技术不限于此。例如，可以设置多组直线状导体913B和多组直线状导体914Bb，并且可以交替地布置一组直线状导体913B和一组直线状导体914Bb。
此外，在图85中示出了包括多个直线状导体的直线状导体913Bb和包括多个直线状导体的直线状导体914Bb布置为彼此相邻的示例，但本技术不限于此。例如，可以交替地布置一个直线状导体913Bb和一个直线状导体914Bb。
<第二十四结构示例>
图86示出了导体层A和B的第二十四结构示例。图86的A示出了导体层A，图86的B示出了导体层B。图86的C示出了从导体层A侧观看图86的A和B中所示的各个导体层A和B的状态。在图86的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
图86所示的第二十四结构示例具有图72所示的第十六结构示例的引出导体部165b的导体层被改变后的结构。在图86中，与图72中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示，并且将适当地省略对这些部分的说明。
在图86的A所示的第二十四结构示例的导体层A的引出导体部165Ab中，作为第十六结构示例的网状导体821Ab的替代，在X方向上以导体周期FXAb周期性地布置在Y方向上延长的直线状导体921Ab，并且在X方向上以导体周期FXAb周期性地布置在Y方向上延长的直线状导体922Ab。例如，直线状导体921Ab是连接到正电源的配线(Vdd配线)。例如，直线状导体922Ab是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。导体周期FXAb等于X方向上的导体宽度WXAb和X方向上的间隙宽度GXAb之和(导体周期FXAb＝导体宽度WXAb+间隙宽度GXAb)。
在图86的B所示的第二十四结构示例的导体层B的引出导体部165Bb中，作为第十六结构示例的网状导体822Bb的替代，在X方向上以导体周期FXBb周期性地布置在Y方向上延长的直线状导体923Bb，并且在X方向上以导体周期FXBb周期性地布置在Y方向上延长的直线状导体924Bb。例如，直线状导体923Bb是连接到正电源的配线(Vdd配线)。例如，直线状导体924Bb是连接到GND或负极电源的配线(Vss配线)。导体周期FXBb等于X方向上的导体宽度WXBb和X方向上的间隙宽度GXBb之和(导体周期FXBb＝导体宽度WXBb+间隙宽度GXBb)。
导体层A的引出导体部165Ab的直线状导体922Ab通过例如在Z方向延伸的导体通孔与导体层B的引出导体部165Bb的直线状导体924Bb电连接，并且经由直线状导体924Bb与主导体部165Aa的网状导体821Aa电连接。
也即是，例如，在引出导体部165b中，GND或负电压在导体层A的直线状导体922Ab和导体层B的直线状导体924Bb上被交替地传送，并且到达主导体部165Aa的网状导体821Aa。
导体层B的引出导体部165Bb的直线状导体923Bb通过例如在Z方向上延伸的导体通孔与导体层A的引出导体部165Ab的直线状导体921Ab电连接，并且经由直线状导体921Ab与主导体部165Ba的网状导体822Ba电连接。
也就是说，例如，在引出导体部165b中，正电压在导体层A的直线状导体921Ab和导体层B的直线状导体923Bb上被交替地传送，并且到达主导体部165Ba的网状导体823Ba。
由于如图86的C所示，在导体层A和导体层B彼此重叠的状态下有源元件组167被导体层A和导体层B中的至少一者覆盖，所以在第二十四结构示例中也能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。
尽管在上述第十四到第二十二结构示例中，在引出导体部165b中具有不同极性的Vdd配线和Vss配线被布置成在相同平面区域中彼此重叠，但是如图86的第二十四结构示例中所示，具有不同极性的Vdd配线和Vss配线可以偏移并被布置在不同的平面区域中，使得使用导体层A和导体层B两者来传输GND、负电压和正电压。
引出导体部165b的导体层不限于网状导体，并且可以由平面状导体或直线状导体形成，如图82至86所示的第二十一到第二十四结构示例中所示。此外，不仅可以使用导体层A或B的一层，而且可以使用导体层A和B的两层。
利用这样的结构，能够实现下述任一效果：满足配线布局约束的效果、进一步提高配线布局设计的自由度的效果、进一步降低感应噪声的效果和进一步减小电压降的效果。
<第二十五结构示例>
图87示出了导体层A和B的第二十五结构示例。图87的A示出了导体层A，图87的B示出了导体层B。图87的C示出了从导体层A侧观看图87的A和B中所示的各个导体层A和B的状态。在图87的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
图87所示的第二十五结构示例具有将一些部件添加到图72所示的第十六结构示例中的结构。在图86中，与图72中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示，并且将适当地省略对这些部分的说明。
图87的A所示的第二十五结构示例的导体层A包括被添加到网状导体821Aa和网状导体821Ab之间的具有下述形状的导体941，其形状任意地包含与图72中所示的第十六结构示例的主导体部165Aa的网状导体821Aa和引出导体部165Ab的网状导体821Ab的重复图案不同的重复图案。尽管为了有效地设计配线布局，导体941最好具有包括重复图案的形状，但是导体941可以具有不包括重复图案的形状。由于导体941的图案可以具有任何形状，所以图87的A中的导体941的图案没有特别指定，而是由平面形状表示。导体941与网状导体821Aa和网状导体821Ab电连接。换句话说，主导体部165Aa的网状导体821Aa和引出导体部165Ab的网状导体821Ab通过导体941电连接。
图87的B所示的第二十五结构示例的导体层B包括被添加到网状导体822Ba和网状导体822Bb之间的具有下述形状的导体942，其形状任意地包含与图72中所示的第十六结构示例的主导体部165Ba的网状导体822Ba和引出导体部165Bb的网状导体822Bb的重复图案不同的重复图案。尽管为了有效地设计配线布局，导体942优选地具有包括重复图案的形状，但是导体942可以具有不包括重复图案的形状。由于导体942的图案可以具有任何形状，所以没有特别指定导体942的图案，而是由图87的B中的导体942中的平面形状表示。导体942电连接到网状导体822Ba和网状导体822Bb。换句话说，主导体部165Ba的网状导体822Ba和引出导体部165Bb的网状导体822Bb经由导体942电连接。
根据第二十五结构示例，在导体层A中，通过经由预定的导体941将主导体部165Aa的网状导体821Aa连接到引出导体部165Ab的网状导体821Ab，能够进一步提高配线布局设计的自由度，特别是提高焊盘附近的自由度。
在导体层B中，通过经由预定的导体942将主导体部165Ba的网状导体822Ba连接到引出导体部165Bb的网状导体822Bb，能够进一步提高配线布局设计的自由度，特别是提高焊盘附近的自由度。
<第二十六结构示例>
图88示出了导体层A和B的第二十六结构示例。图88的A示出了导体层A，图88的B示出了导体层B。图88的C示出了从导体层A侧观看图88的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。在图88的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
图88所示的第二十六结构示例具有图87所示的第二十五结构示例被部分修改后的结构。在图86中，与图87中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示，并且将适当地省略对这些部分的说明。
图88的A所示的第二十六结构示例的导体层A的主导体部165Aa包括与在图87中所示的第二十五结构示例中的网状导体相同的网状导体821Aa。此外，关于引出导体部165Ab，第二十六结构示例的导体层A包括在Y方向上以预定间隔布置的多个与第二十五结构示例中相同的网状导体821Ab和导体941。换句话说，图88的A中的第二十六结构示例的导体层A具有如下构造：其中，图87所示的第二十五结构示例被变形为使得图87中所示的第二十五结构示例中的引出导体部165Ab的网状导体821Ab和导体941在Y方向上以预定间隔设置为多个。所有多个导体941可以是相同的，也可以不是相同的。
图88的B中所示的第二十六结构示例的导体层B的主导体部165Ba包括与图87中所示的第二十五结构示例中的网状导体相同的网状导体822Ba。此外，关于引出导体部165Bb，第二十六结构示例的导体层B包括在Y方向上以预定间隔布置的多个与第二十五结构示例中相同的网状导体822Bb和导体942。换句话说，图88的B中的第二十六结构示例的导体层B具有如下构造：其中，图87所示的第二十五结构示例被变形为使得图87中所示的第二十五结构示例中的引出导体部165Bb的网状导体822Bb和导体942在Y方向上以预定间隔设置为多个。所有多个导体942可以是相同的，也可以不是相同的。
利用这样的结构，能够实现下述任一效果：满足配线布局约束的效果、进一步提高配线布局设计的自由度的效果、进一步降低感应噪声的效果和进一步减小电压降的效果。
<第二十七结构示例>
图89示出了导体层A和B的第二十七结构示例。图89的A示出了导体层A，图89的B示出了导体层B。图89的C示出了从导体层A侧观看图89的A和B中所示的相应导体层A和B的状态。在图89的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
图89中所示的第二十七结构示例具有图88所示的第二十六结构示例被部分修改后的结构。在图89中，与图88中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示，并且将适当地省略对这些部分的说明。
图89的A中所示的第二十七结构示例的导体层A的主导体部165Aa包括与图88所示的第二十六结构示例中的网状导体相同的网状导体821Aa。第二十七结构示例的导体层A的引出导体部165Ab包括网状导体951Ab和网状导体952Ab。网状导体951Ab和网状导体952Ab的各者的形状包括X方向上的导体宽度WXAb和间隙宽度GXAb，以及Y方向上的导体宽度WYAb和间隙宽度GYAb。然而，网状导体952Ab例如是连接到正电源的配线(Vdd配线)，而网状导体951Ab例如是连接到GND或负极电源的配线(Vss配线)。
在主导体部165Aa的网状导体821Aa与引出导体部165Ab的网状导体951Ab之间布置有具有下述形状的导体961，该形状任意地包括与主导体部165Aa的网状导体821Aa和引出导体部165Ab的网状导体951Ab的重复图案不同的重复图案。在主导体部165Aa的网状导体821Aa与引出导体部165Ab的网状导体952Ab之间布置有具有下述形状的导体962，该形状任意地包括与主导体部165Aa的网状导体821Aa和引出导体部165Ab的导体952Ab的重复图案不同的重复图案。尽管为了有效地设计配线布局，导体961或962最好具有包括重复图案的形状，但是导体961或962可以具有不包括重复图案的形状。由于导体961或962的图案可以具有任何形状，所以图89的A中的导体961或962的图案没有特别指定，而是用平面形状表示。
图89的B所示的第二十七结构示例的导体层B的主导体部165Ba包括与图88所示的第二十六结构示例相同的网状导体822Ba。第二十七结构示例的导体层B的引出导体部165Bb包括网状导体953Bb和网状导体954Bb。网状导体953Bb和网状导体954Bb的各者的形状具有X方向上的导体宽度WXBb和间隙宽度GXBb，以及Y方向上的导体宽度WYBb和间隙宽度GYBb。然而，网状导体954Bb例如是连接到正极电源的配线(Vdd配线)，而网状导体953B例如是连接到GND或负极电源的配线(Vss配线)。
在主导体部165Ba的网状导体822Ba和引出导体部165Bb的网状导体953Bb之间设置具有下述形状的导体963，该形状包括与主导体部165Ba的网状导体822Ba和引出导体部165Bb的网状导体953Bb的重复图案不同的重复图案。在主导体部165Ba的网状导体822Ba和引出导体部165Bb的网状导体954Bb之间设置具有下述形状的导体964，该形状包括与主导体部165Ba的网状导体822Ba和引出导体部165Bb的网状导体954Bb的重复图案不同的重复图案。尽管为了有效地设计配线布局，导体963或964优选具有包括重复图案的形状，但是导体963或964可以具有不包括重复图案的形状。由于导体963或964的图案可以具有任何形状，所以图89的B中的导体963或964的图案没有特别指定，而是用平面形状表示。
导体层A的导体961直接地或例如通过诸如导体963的至少一部分等导体间接地电连接到主导体部165Aa的网状导体821Aa和引出导体部165b的网状导体951Ab或953Bb中的至少一者。换句话说，主导体部165Aa的网状导体821Aa和引出导体部165b的网状导体951Ab和953Bb中的至少一个经由导体961电连接。此外，例如通过在Z方向延伸的导体通孔，引出导体部165Ab的网状导体951Ab电连接至导体层B的引出导体部165Bb的网状导体953Bb。导体961和导体963也可以通过例如在Z方向上延伸的导体通孔彼此电连接。
导体层B的导体964直接地或例如通过诸如导体962的至少一部分等导体间接地电连接到主导体部165Ba的网状导体822Ba和引出导体部165b的网状导体952Ab或954Bb中的至少一者。换句话说，主导体部165Ba的网状导体822Ba和引出导体部165b的网状导体952Ab和954Bb中的至少一者经由导体964电连接。此外，例如，通过在Z方向延伸的导体通孔，引出导体部165Ab的网状导体952Ab与导体层B的引出导体部165Bb的网状导体954Bb电连接。导体962和导体964也可以通过例如在Z方向上延伸的导体通孔彼此电连接。
例如，在上面说明的图88的第二十六结构示例中，观察在主导体部165a和引出导体部165b的各者中的导体层A和导体层B的在相同平面位置处的极性，在Vss配线和Vdd配线之间，导体层A的主导体部165Aa和导体层B的主导体部165Ba的极性不同，并且导体层A的引出导体部165Ab和导体层B的引出导体部165Bb的极性不同。
另一方面，在图89的第二十七结构示例中，观察主导体部165a和引出导体部165b中的各者中的导体层A和导体层B的在相同平面位置处的极性，在Vss配线和Vdd配线之间，导体层A的主导体部165Aa和导体层B的主导体部165Ba的极性不同，并且导体层A的引出导体部165Ab和导体层B的引出导体部165Bb的极性相同。当通过这样的电极布置构成上下的导体层A和导体层B时，电连接至上下的导体层A和导体层B引出导体部165b能够被用作焊盘。
根据第二十七结构示例，能够实现下述任一效果：满足配线布局约束的效果、进一步提高配线布局设计的自由度的效果、进一步降低感应噪声的效果和进一步减小压降的效果。
<第二十八结构示例>
图90示出了导体层A和B的第二十八结构示例。图90的A示出了导体层A，图90的B示出了导体层B。图90的C示出了从导体层A侧观看图90的A和B中所示的各个导体层A和B的状态。在图90的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
图90所示的第二十八结构示例具有图89所示的第二十七结构示例部分修改后的结构。在图90中，与图89中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示，并且将适当地省略对这些部分的说明。
图90所示的第二十八结构示例与图89的第二十七结构示例仅在导体层A的引出导体部165Ab的形状上不同，并且在其它方面与图89的第二十七结构示例相同。
具体地，在图89的第二十七结构示例中，在导体层A的引出导体部165Ab中形成包括X方向上的导体宽度WXAb和间隙宽度GXAb以及Y方向上的导体宽度WYAb和间隙宽度GYAb的形状的网状导体951Ab和网状导体952Ab。
另一方面，在图90的第二十八结构示例中，在导体层A的引出导体部165Ab中形成包括X方向上的导体宽度WXAb和Y方向上的导体宽度WYAb的形状的平面状导体971Ab和平面状导体972Ab。
换句话说，在图90的第二十八结构示例中，在导体层A的引出导体部165Ab中，设置平面状导体971Ab而不是图89的第二十七结构示例的网状导体951Ab，并且设置平面状导体972Ab而不是网状导体952Ab。
尽管图89所示的第二十七结构示例是其中上部和下部的导体层A和导体层B的引出导体部165b具有相同形状的示例，但是引出导体部165b可以具有如图90的第二十八结构示例中那样的不同的形状。
此外，尽管在图90的第二十八结构示例中，导体层A的引出导体部165Ab具有平面形状，但可以采用下述结构：其中，即使当引出导体部165Ab具有与图91的A所示的导体层A的网状导体973Ab和引出导体部165Ab的网状导体974Ab相同的网状形状时，通过图91的A中的导体层A的网状导体973Ab和图90的导体层B的网状导体953Bb形成遮光结构，并且通过图91的A中的导体层A的网状导体974Ab和图90的B中的导体层B的网状导体954Bb形成遮光结构。此外，X方向上的导体宽度WXAb或间隙宽度GXAb或者Y方向上的导体宽度WYAb或间隙宽度GYAb可以与导体层B的引出导体部165Bb的网状导体953Bb或网状导体954Bb的大致相同。
可替代地，如在图91的B中所示的导体层A的引出导体部165Ab的网状导体975Ab和网状导体976Ab中那样，X方向上的导体宽度WXAb或间隙宽度GXAb可以小于图90的B中的导体层B的引出导体部165Bb的网状导体953Bb或网状导体954Bb的相应宽度。此外，图91的B中的导体层A的网状导体975Ab和图90的B中的导体层B的网状导体953Bb可以形成遮光结构，并且图91的B中的导体层A中的网状导体976Ab和图90的导体层B的网状导体954Bb可以形成遮光结构。此外，尽管未示出，但导体层A的引出导体部165Ab的Y方向上的导体宽度WYAb或间隙宽度GYAb可以小于导体层B的引出导体部165Bb的网状导体953Bb或网状导体954Bb的相应宽度，且导体层A的引出导体部165Ab的X方向上的导体宽度WXAb或间隙宽度GXAb或者Y方向上的导体宽度WYAb或间隙宽度GYAb可以大于导体层B的引出导体部165Bb的网状导体953Bb或网状导体954Bb。
图91的A和B示出了图90的第二十八结构示例中的导体层A的其它结构示例。
<第十四到二十八结构示例的总结>
在图65至90所示的第十四至第二十八结构示例中，导体层A和导体层B中的主导体部165a和引出导体部165b的重复图案是不同的图案(形状)。
导体层A(第一导体层)包括主导体部165Aa(第一导体部)和引出导体部165Ab(第四导体部)，主导体部165Aa(第一导体部)包括具有以下形状的导体：其该形状中，在单个平面上在X方向或Y方向上重复地布置有平面、直线或网格被重复的图案(第一基本图案)；引出导体部165Ab(第四导体部)包括具有以下形状的导体：其该形状中，在单个平面上在X方向或Y方向上重复地布置有平面、直线或网格被重复的图案(第四基本图案)。这里，主导体部165Aa的导体的重复图案和引出导体部165Ab的导体的重复图案可以具有不同的形状，并且具有与主导体部165Aa的导体和引出导体部165Ab的导体的图案不同的图案的导体可以存在于主导体部165Aa的导体与引出导体部165Ab的导体之间。
导体层B(第二导体层)包括主导体部165Ba(第二导体部)和引出导体部165Bb(第三导体部)，主导体部165Ba(第二导体部)包括具有以下形状的导体：在该形状中，在单个平面上在X方向或Y方向上重复地布置有平面、直线或网格被重复的图案(第二基本图案)；引出导体部165Bb(第三导体部)包括具有以下形状的导体：在该形状中，在单个平面上在X方向或Y方向上重复地布置有平面、直线或网格被重复的图案(第三基本图案)。这里，主导体部165Ba的导体的重复图案和引出导体部165Bb的导体的重复图案可以具有不同的形状，并且在主导体部165Ba的导体和引出导体部165Bb的导体之间可以存在具有上述图案和不同图案的导体。
在上述每个结构示例中，例如，被说明为连接到GND或负电源的配线(Vss配线)的导体可以是例如连接到正电源的配线(Vdd配线)，并且例如，被说明为连接到正电源的配线(Vdd配线)的导体可以是例如连接到GND或负极电源的配线(Vss配线)。
尽管在上述各结构示例中，主导体部165Aa的导体的在Y方向上的总长度LAa大于引出导体部165Ab中的导体的在Y方向上的总长度LAb，但是总长度LAa和总长度LAb可以相同或基本相同，或者总长度LAa可以短于总长度LAb。
类似地，虽然主导体部165Ba的Y方向上的总长度LBa大于引出导体部165Bb的Y方向上的总长度LBb，但是总长度LBa和总长度LBb可以相同或基本相同，或者总长度LBa可以短于总长度LBb。
在上述结构示例之中的使用电流容易沿Y方向而不是X方向流动的重复图案的结构示例中，主导体部165Aa和主导体部165Ba的重复图案的示例可以是其中电流容易沿X方向流动的重复图案示例；或者另一方面，在使用电流容易沿X方向而不是Y方向流动的重复图案的结构示例中，主导体部165Aa和主导体部165Ba的重复图案的示例可以是其中电流容易沿Y方向流动的重复图案示例。此外，可以使用其中电流在X方向和Y方向以相同容易程度流动的重复图案的示例。
在上述每个结构示例中，导体层A(配线层165A)的主导体部165Aa的导体的图案和导体层B(配线层165B)的主导体部165Ba的导体的图案可以具有在第一到第十三结构示例中描述的任何一种图案的结构。在上述的一些相应结构示例中，已经使用所有的导体周期、所有的导体宽度或所有的间隙宽度是相等的示例给出了说明，但是本技术不限于此。例如，导体周期、导体宽度或间隙宽度可能是不相等的，或者导体周期、导体宽度或间隙宽度可以根据位置而改变。此外，在上述的一些结构示例中，已经使用在Vdd配线和Vss配线中的导体周期、导体宽度、间隙宽度、配线形状、配线位置或配线数量基本相同的示例给出了说明，但本技术并不局限于此。例如，在Vdd配线和Vss配线中，导体周期可以不同，导体宽度可以不同，间隙宽度可以不同，配线形状可以不同，配线位置可以不同，配线位置可以移位或不对准，以及配线数量可以不同。
<10.连接至焊盘的连接结构示例>
接下来，将参考图92和108说明导体层A和B与焊盘之间的关系。
图92是示出在基板上形成的整个导体层A的平面图。
如上所述，导体层A(配线层165A)包括主导体部165Aa和引出导体部165Ab。
当焊盘与导体层A分别设置时，引出导体部165Ab设置在靠近焊盘1001的位置处，并将主导体部165Aa连接到焊盘1001，如图92的A所示。另一方面，如图92的B所示，引出导体部165Ab可以形成焊盘1001。
主导体部165Aa形成在基板1000的主区域(例如基板的中心区域)中，并且具有比引出导体部165Ab更大的面积，并且屏蔽在主导体部165Aa的区域中或在Z方向上与该区域的表面正交的其它层中形成的诸如MOMS晶体管或二极管等有源元件中的光。
图92示出了导体层A的布置和形状的示例，并且导体层A的布置和形状不限于此。因此，在基板1000中形成主导体部165Aa、引出导体部165Ab和焊盘1001的位置和区域是任意的，并且有源元件可以不形成在主导体部165Aa和引出导体部165Ab的区域中或在Z方向上与该区域的表面正交的其它层中。引出导体部165Ab可以不设置在靠近焊盘1001的位置处。此外，引出导体部165Ab和焊盘1001相对于主导体部165Aa的布置可以位于主导体部165Aa的四个边中的Y方向侧的边，而不是如图92所示的X方向侧的边，或者可以既在X方向侧的边又在Y方向侧的边。此外，焊盘1001的数量可以是每边一个或三个或更多个而不是如图92所示的两个。
图92示出了导体层A(配线层165A)的示例，并且该示例也适用于导体层B(配线层165B)。
利用这样的配置，可以实现下述任一效果：满足配线布局约束的效果、进一步提高配线布局设计的自由度的效果、进一步降低感应噪声的效果和进一步减小电压降的效果。
在图92中，没有特别区分焊盘1001是否是连接到正电源的电极(Vdd电极)以及焊盘1001是否是连接到GND或负电源的电极(Vss电极)，但是，下面将说明当区分焊盘1001是连接到正电源的电极(Vdd电极)还是焊盘1001是连接到GND或负电源的电极(Vss电极)时焊盘1001的布置。
<焊盘的第四布置示例>
图93示出了焊盘的第四布置示例。
图93的A是示出导体层A(配线层165A)及其连接的焊盘1001s的布置示例的平面图。
图93的B是示出导体层B(配线层165B)及其连接的焊盘1001d的布置示例的平面图。
图93的C是图93的A和B中所示的导体层A和B以及焊盘1001s和1001d被堆叠的状态下的平面图。
在图93中，焊盘1001s表示例如供有GND或负电源(Vss)的焊盘1001，并且焊盘1001d表示供有正电压(Vdd)的焊盘1001。
如图93的A所示，多个焊盘1001s通过具有任意地包括的预定重复图案的形状的导体1011以预定的间隔连接到矩形的主导体部165Aa的预定侧。每个焊盘1001s可以如图89所示的第二十七结构示例中那样由引出导体部165Ab形成，或者导体1011可以由引出导体部165Ab形成。当焊盘1001s是引出导体部165Ab时，可以省略导体1011或者可以设置导体1011。
如图93的B所示，多个焊盘1001d经由具有任意地包括预定重复图案的形状的导体1012以预定的间隔连接到矩形的主导体部165Ba的预定侧，该侧与导体层A中布置焊盘1001s的一侧相同。例如，每个焊盘1001d可以如图89所示的第二十七结构示例中那样由引出导体部165Bb形成，或者导体1012可以由引出导体部165Bb形成。当焊盘1001d是引出导体部165Bb时，可以省略导体1012或可以设置导体1012。
如图93的C所示，在导体层A和B被堆叠的状态下，焊盘1001s和焊盘1001d的布置是其中焊盘1001s和焊盘1001d在Y方向交替地布置的交替布置。在这种情况下，如参考图42到44所述，由于能够有效地抵消由导体层A和B产生的磁场和基于磁场的感应电动势，所以能够进一步降低感应噪声。然而，在Y方向上焊盘不是对称地布置的，因此，当焊盘1001布置在宽的范围内时，即当主导体部165Aa或165Ba、引出导体部165Ab或165Bb，或者导体1011或1012在焊盘1001的布局方向上较长时(当导体在图93中的Y方向上比在X方向上更长时)，存在不可抵消的磁场，当受扰导体回路较大时，磁场累积，感应电动势增大，并且噪音可能会增加。
<焊盘的第五布置示例>
图94示出了焊盘的第五布置示例。
图94的A是示出导体层A(配线层165A)及其连接的焊盘1001s的布置示例的平面图。
图94的B是示出导体层B(配线层165B)及其连接的焊盘1001d的布置示例的平面图。
图94的C是图94的A和B中所示的导体层A和B以及焊盘1001s和1001d被堆叠的状态下的平面图。
在图94中，焊盘1001s表示例如供有GND或负电源(Vss)的焊盘1001，并且焊盘1001d表示供有正电压的焊盘1001。
如图94的A所示，多个焊盘1001s经由具有任意地包括预定重复图案的形状的导体1011以预定的间隔连接到矩形的主导体部165Aa的预定侧。每个焊盘1001s可以由引出导体部165Ab形成，或者导体1011可以由引出导体部165Ab形成。当焊盘1001s是引出导体部165Ab时，可以省略导体1011或者可以设置导体1011。
如图94的B所示，多个焊盘1001d经由具有任意地包括预定重复图案的形状的导体1012以预定的间隔连接到矩形的主导体部165Ba的预定侧，该侧与导体层A中布置焊盘1001s的一侧相同。例如，每个焊盘1001d可以由引出导体部165Bb形成，或者导体1012可以由引出导体部165Bb形成。当焊盘1001d是引出导体部165Bb时，可以省略导体1012或可以设置导体1012。
如图94的C所示，在导体层A和导体层B重叠的状态下，焊盘1001s和1001d的布置是镜像对称布置，其中在Y方向上连续的四个焊盘1001s和1001d被设置为一组，并且一组焊盘1001沿Y方向折回并顺序排列。在这种情况下，由于从相应的导体层A和B产生的磁场和基于上述磁场的感应电动势能够被更有效地抵消，因此与图93中所示的交替布置相比，能够根据除焊盘之外的布局进一步降低感应噪声。
<焊盘的第六布置示例>
图95示出了焊盘的第六布置示例。
图95的A是示出导体层A(配线层165A)及其连接的焊盘1001s的布置示例的平面图。
图95的B是示出导体层B(配线层165B)及其连接的焊盘1001d的布置示例的平面图。
图95的C是图95的A和B所示的导体层A和B以及焊盘1001s和1001d被堆叠的状态下的平面图。
在图95中，焊盘1001s表示例如被提供有GND或负电源(Vss)的焊盘1001，并且焊盘1001d表示被提供有正电压的焊盘1001。
如图95的A所示，多个焊盘1001s经由具有任意地包括预定重复图案的形状的导体1011以预定的间隔连接到矩形的主导体部165Aa的预定侧。每个焊盘1001s可以由引出导体部165Ab形成，或者导体1011可以由引出导体部165Ab形成。当焊盘1001s是引出导体部165Ab时，可以省略导体1011或者可以设置导体1011。
如图95的B所示，多个焊盘1001d经由具有任意地包括预定重复图案的形状的导体1012以预定的间隔连接到矩形的主导体部165Ba的预定侧，该侧与导体层A中布置焊盘1001s的一侧相同。例如，每个焊盘1001d可以由引出导体部165Bb形成，或者导体1012可以由引出导体部165Bb形成。此外，当焊盘1001d是引出导体部165Bb时，可以省略导体1012或可以设置导体1012。
如图95的C所示，在导体层A和导体层B重叠的状态下，焊盘1001s和1001d的布置是镜像对称布置，其中在Y方向上连续的四个焊盘1001s和1001d设置为一组，并且一组焊盘1001沿Y方向折回并顺序排列。此外，构成一组的四个焊盘1001s和焊盘1001d也具有镜对称布置，其中一侧的两个焊盘1001以Y方向上的中心线为基准沿Y方向折回并排布。相比于图94中所示的一级镜面结构的镜像布置，在这样的两级结构的镜像布置的情况下，由于累积剩余磁场的范围窄，因此能够更有效地抵消感应电动势，并且能够根据除焊盘之外的布局进一步降低感应噪声。
<焊盘的第七布置示例>
图96示出了焊盘的第七布置示例。
96的A是示出导体层A(配线层165A)及其连接的焊盘1001s的布置示例的平面图。
图96的B是示出导体层B(配线层165B)及其连接的焊盘1001d的布置示例的平面图。
图96的C是图96的A和B中所示的导体层A和B以及焊盘1001s和1001d被堆叠的状态下的平面图。
在图96中，焊盘1001s表示例如被提供有GND或负电源(Vss)的焊盘1001，并且焊盘1001d表示被提供有正电压的焊盘1001。
如图96的A所示，多个引出导体部165Ab连接到具有矩形的主导体部165Aa的预定侧，并且多个焊盘1001s经由具有任意地包含预定重复图案的形状的导体1011以预定的间隔连接到每个引出导体部165Ab的外周部。可以省略导体1011或者可以设置导体1011。导体1011可以位于主导体部165Aa和引出导体部165Ab之间。
如图96的B所示，多个引出导体部165Bb连接到具有矩形的主导体部165Ba的预定侧，并且多个焊盘1001d经由具有任意地包含预定重复图案的形状的导体1012以预定的间隔连接到每个引出导体部165Bb的外周部。可以省略导体1012或者可以设置导体1012。导体1012可以位于主导体部165Ba和引出导体部165Bb之间。
如图96的C所示，在导体层A和B被堆叠的状态下，焊盘1001s和焊盘1001d的布置是其中焊盘1001s和焊盘1001d在Y方向交替地布置的交替布置。在这种情况下，由于能够有效地抵消由导体层A和B产生的磁场以及基于磁场的感应电动势，因此能够进一步降低感应噪声。然而，在Y方向上焊盘不是对称地布置的，因此，当焊盘1001布置在宽的范围内时，即当主导体部165Aa或165Ba、引出导体部165Ab或165Bb，或者导体1011或1012在焊盘1001的布局方向上较长时(当导体在图96中在Y方向上比在X方向上更长时)，存在不可抵消的磁场，当受扰导体回路较大时，磁场累积，感应电动势增加，并且感应噪音可能会增加。
<焊盘的第八布置示例>
图97示出了焊盘的第八布置示例。
图97的A是示出导体层A(配线层165A)及其连接的焊盘1001s的布置示例的平面图。
图97的B是示出导体层B(配线层165B)及其连接的焊盘1001d的布置示例的平面图。
图97的C是图97的A和B所示的导体层A和B以及焊盘1001s和1001d被堆叠的状态下的平面图。
在图97中，焊盘1001s表示例如被提供有GND或负电源(Vss)的焊盘1001，并且焊盘1001d表示被提供有正电压的焊盘1001。
如图97的A所示，多个引出导体部165Ab连接到具有矩形的主导体部165Aa的预定侧，并且多个焊盘1001s经由具有任意地包含预定重复图案的形状的导体1011以预定的间隔连接到每个引出导体部165Ab的外周部。可以省略导体1011或者可以设置导体1011。导体1011可以位于主导体部165Aa和引出导体部165Ab之间。
如图97的B所示，多个引出导体部165Bb连接到具有矩形的主导体部165Ba的预定侧，并且多个焊盘1001d经由具有任意地包含预定重复图案的形状的导体1012以预定的间隔连接到每个引出导体部165Bb的外周部。可以省略导体1012或者可以设置导体1012。导体1012可以位于主导体部165Ba和引出导体部165Bb之间。
如图97的C所示，在导体层A和导体层B重叠的状态下，焊盘1001s和1001d的布置是镜像对称布置，其中在Y方向上连续的四个焊盘1001s和1001d被设置为一组，并且一组焊盘1001沿Y方向折回并顺序地排列。在这种情况下，由于从相应的导体层A和B产生的磁场和基于该磁场的感应电动势能够被更有效地抵消，因此与图96中所示的交替布置相比，能够根据除焊盘之外的布局进一步降低感应噪声。
<焊盘的第九布置示例>
图98示出了焊盘的第九布置示例。
图98的A是示出导体层A(配线层165A)及其连接的焊盘1001s的布置示例的平面图。
图98的B是示出导体层B(配线层165B)及其连接的焊盘1001d的布置示例的平面图。
图98的C是图98的A和B所示的导体层A和B以及焊盘1001s和1001d被堆叠的状态下的平面图。
在图98中，焊盘1001s表示例如被提供有GND或负电源(Vss)的焊盘1001，并且焊盘1001d表示被提供有正电压的焊盘1001。
如图98的A所示，多个引出导体部165Ab连接到具有矩形的主导体部165Aa的预定侧，并且多个焊盘1001s经由具有任意地包含预定重复图案的形状的导体1011以预定的间隔连接到每个引出导体部165Ab的外周部。可以省略导体1011或者可以设置导体1011。导体1011可以位于主导体部165Aa和引出导体部165Ab之间。
如图98的B所示，多个引出导体部165Bb连接到具有矩形的主导体部165Ba的预定侧，并且多个焊盘1001d经由具有任意地包含预定重复图案的形状的导体1012以预定的间隔连接到每个引出导体部165Bb的外周部。可以省略导体1012或者可以设置导体1012。导体1012可以位于主导体部165Ba和引出导体部165Bb之间。
如图98的C所示，在导体层A和导体层B重叠的状态下，焊盘1001s和1001d的布置是镜像对称布置，其中在Y方向上连续的四个焊盘1001s和1001d设置为一组，并且一组焊盘1001沿Y方向折回并顺序排列。此外，构成一组的四个焊盘1001s和焊盘1001d也具有镜对称布置，其中一侧的两个焊盘1001以Y方向上的中心线为基准沿Y方向折回并排布。相比于图97中所示一级结构的镜像布置，在这样的两级结构的镜像布置的情况下，由于累积剩余磁场的范围窄，因此能够更有效地抵消感应电动势，并且能够根据除焊盘之外的布局进一步降低感应噪声。
<焊盘的第十布置示例>
图99示出了焊盘的第十布置示例。
图99的A是示出导体层A(配线层165A)及其连接的焊盘1001s的布置示例的平面图。
图99的B是示出导体层B(配线层165B)及其连接的焊盘1001d的布置示例的平面图。
图99的C是图99的A和B所示的导体层A和B以及焊盘1001s和1001d堆叠的状态下的平面图。
在图99中，焊盘1001s表示例如被提供有GND或负电源(Vss)的焊盘1001，并且焊盘1001d表示被提供有正电压的焊盘1001。
如图99的A所示，多个引出导体部165Ab连接到具有矩形的主导体部165Aa的预定侧，并且一个焊盘1001s经由具有任意地包含预定重复图案的形状的导体1011以预定的间隔连接到每个引出导体部165Ab的外周部。可以省略导体1011或者可以设置导体1011。导体1011可以位于主导体部165Aa和引出导体部165Ab之间。
如图99的B所示，多个引出导体部165Bb连接到具有矩形的主导体部165Ba的预定侧，并且一个焊盘1001d经由具有任意地包含预定重复图案的形状的导体1012以预定的间隔连接到每个引出导体部165Bb的外周部。可以省略导体1012或者可以设置导体1012。导体1012可以位于主导体部165Ba和引出导体部165Bb之间。
如图99的C所示，在导体层A和B堆叠的状态下，焊盘1001s和焊盘1001d的布置是其中焊盘1001s和焊盘1001d在Y方向上交替地布置的交替布置。在这种情况下，由于能够有效地抵消由导体层A和B产生的磁场以及基于该磁场的感应电动势，因此能够进一步降低感应噪声。然而，由于在Y方向上焊盘不是对称地布置的，因此，当焊盘1001布置在宽的范围内时，即当主导体部165Aa或165Ba、引出导体部165Ab或165Bb，或者导体1011或1012在焊盘1001的布局方向上较长时(当导体在图99中在Y方向上比在X方向上更长时)，存在不可被抵消的磁场，当受扰导体回路较大时，磁场累积，感应电动势增加，并且噪音可能会增加。
<焊盘的第十一布置示例>
图100示出了焊盘的第十一布置示例。
图100的A是示出导体层A(配线层165A)及其连接的焊盘1001s的布置示例的平面图。
图100的B是示出导体层B(配线层165B)及其连接的焊盘1001d的布置示例的平面图。。
图100的C是图100的A和B所示的导体层A和B以及焊盘1001s和1001d堆叠的状态下的平面图。
在图100中，焊盘1001s表示例如被提供有GND或负电源(Vss)的焊盘1001，并且焊盘1001d表示被提供有正电压的焊盘1001。
如图100的A所示，多个引出导体部165Ab连接到具有矩形的主导体部165Aa的预定侧，并且一个焊盘1001s经由具有任意地包含预定重复图案的形状的导体1011以预定的间隔连接到每个引出导体部165Ab的外周部。可以省略导体1011或者可以设置导体1011。导体1011可以位于主导体部165Aa和引出导体部165Ab之间。
如图100的B所示，多个引出导体部165Bb连接到具有矩形的主导体部165Ba的预定侧，并且一个焊盘1001d经由具有任意地包含预定重复图案的形状的导体1012以预定的间隔连接到每个引出导体部165Bb的外周部。可以省略导体1012或者可以设置导体1012。导体1012可以位于主导体部165Ba和引出导体部165Bb之间。
如图100的C所示，在导体层A和导体层B重叠的状态下，焊盘1001s和1001d的布置是镜像对称布置，其中在Y方向上连续的四个焊盘1001s和1001d被设置为一组，并且一组焊盘1001沿Y方向折回并顺序地排列。在这种情况下，由于从相应的导体层A和B产生的磁场和基于该磁场的感应电动势能够被更有效地抵消，因此与图99中所示的交替布置相比，能够根据除焊盘之外的布局进一步降低感应噪声。
<焊盘的第十二布置示例>
图101示出了焊盘的第十二布置示例。
图101的A是示出导体层A(配线层165A)及其连接的焊盘1001s的布置示例的平面图。
图101的B是示出导体层B(配线层165B)及其连接的焊盘1001d的布置示例的平面图。
图101的C是图101的A和B所示的导体层A和B以及焊盘1001s和1001d堆叠的状态下的平面图。
在图101中，焊盘1001s表示例如被提供有GND或负电源(Vss)的焊盘1001，并且焊盘1001d表示被提供有正电压的焊盘1001。
如图101的A所示，多个引出导体部165Ab连接到具有矩形的主导体部165Aa的预定侧，并且一个焊盘1001s经由具有任意地包含预定重复图案的形状的导体1011以预定的间隔连接到每个引出导体部165Ab的外周部。可以省略导体1011或者可以设置导体1011。导体1011可以位于主导体部165Aa和引出导体部165Ab之间。
如图101的B所示，多个引出导体部165Bb连接到具有矩形的主导体部165Ba的预定侧，并且一个焊盘1001d经由具有任意地包含预定重复图案的形状的导体1012以预定的间隔连接到每个引出导体部165Bb的外周部。可以省略导体1012或者可以设置导体1012。导体1012可以位于主导体部165Ba和引出导体部165Bb之间。
如图101的C所示，在导体层A和导体层B重叠的状态下，焊盘1001s和1001d的布置是镜像对称布置，其中在Y方向上连续的四个焊盘1001s和1001d设置为一组，并且一组焊盘1001沿Y方向折回并顺序排列。此外，构成一组的四个焊盘1001s和焊盘1001d也具有镜对称布置，其中一侧的两个焊盘1001以Y方向上的中心线为基准沿Y方向折回并排布。相比于图100中所示的一级结构的镜像布置，在这样的两级结构的镜像布置的情况下，由于累积剩余磁场的范围窄，因此能够更有效地抵消感应电动势，并且能够根据除焊盘之外的布局进一步降低感应噪声。
<焊盘的第十三布置示例>
图102示出了焊盘的第十三布置示例。
图102的A是示出导体层A(配线层165A)及其连接的焊盘1001s的布置示例的平面图。
图102的B是示出导体层B(配线层165B)及其连接的焊盘1001d的布置示例的平面图。
图102的C是图102的A和B所示的导体层A和B以及焊盘1001s和1001d被堆叠的状态下的平面图。
在图102中，焊盘1001s表示例如被提供有GND或负电源(Vss)的焊盘1001，并且焊盘1001d表示被提供有正电压的焊盘1001。
如图102的A所示，多个引出导体部165Ab连接到具有矩形的主导体部165Aa的预定侧，并且具有任意地包括预定重复图案的形状的导体1011连接到每个引出导体部165Ab的外周部。此外，多个引出导体部165Ab中的一部分经由导体1011连接至一个焊盘1001s。可以省略导体1011或可以提供导体1011。此外，导体1011可以位于主导体部165Aa和引出导体部165Ab之间。
如图102的B所示，多个引出导体部165Bb连接到具有矩形的主导体部165Ba的预定侧，并且具有任意地包括预定重复图案的形状的导体1012连接到每个引出导体部165Bb的外周部。此外，多个引出导体部165Bb中的一部分经由导体1012连接至一个焊盘1001d。可以省略导体1012或可以提供导体1012。此外，导体1012可以位于主导体部165Ba和引出导体部165Bb之间。
如图102的C所示，在导体层A和B被堆叠的状态下，焊盘1001s和焊盘1001d的布置是其中焊盘1001s和焊盘1001d在Y方向上交替地布置的交替布置。在这种情况下，由于能够有效地抵消由导体层A和B产生的磁场以及基于该磁场的感应电动势，因此能够进一步降低感应噪声。然而，由于焊盘在Y方向上不是对称地布置的，因此，当焊盘1001布置在宽的范围内时，即，当主导体部165Aa或165Ba、引出导体部165Ab或165Bb、或者导体1011或1012在焊盘1001的布局方向上较长时(当导体在图102中在Y方向上比在X方向上更长时)，存在不可抵消的磁场，当受扰导体回路较大时磁场累积，感应电动势增加，并且感应噪音可能会增大。
<焊盘的第十四布置示例>
图103示出了焊盘的第十四布置示例。
图103的A是示出导体层A(配线层165A)及其连接的焊盘1001s的布置示例的平面图。
图103的B是示出导体层B(配线层165B)及其连接的焊盘1001d的布置示例的平面图。
图103的C是图103的A和B所示的导体层A和B以及焊盘1001s和1001d被堆叠的状态下的平面图。
在图103中，焊盘1001s表示例如被提供有GND或负电源(Vss)的焊盘1001，并且焊盘1001d表示被提供有正电压的焊盘1001。
如图103的A所示，多个引出导体部165Ab连接到具有矩形的主导体部165Aa的预定侧，并且具有任意地包括预定重复图案的形状的导体1011连接到每个引出导体部165Ab的外周部。此外，多个引出导体部165Ab中的一部分经由导体1011连接至一个焊盘1001s。可以省略导体1011或可以提供导体1011。此外，导体1011可以位于主导体部165Aa和引出导体部165Ab之间。
如图103的B所示，多个引出导体部165Bb连接到具有矩形的主导体部165Ba的预定侧，并且具有任意地包括预定重复图案的形状的导体1012连接到每个引出导体部165Bb的外周部。此外，多个引出导体部165Bb中的一部分经由导体1012设置有一个焊盘1001d。可以省略导体1012或可以提供导体1012。此外，导体1012可以位于主导体部165Ba和引出导体部165Bb之间。
如图103的C所示，在导体层A和导体层B重叠的状态下，焊盘1001s和1001d的布置是镜像对称布置，其中在Y方向上连续的四个焊盘1001s和1001d被设置为一组，一组焊盘1001沿Y方向折回并顺序地排列。在这种情况下，由于从相应的导体层A和B产生的磁场和基于这样的磁场的感应电动势能够被更有效地抵消，因此相比于图102中所示的交替布置，能够根据除焊盘之外的布局进一步降低感应噪声。
<焊盘的第十五布置示例>
图104示出了焊盘的第十五布置示例。
图104的A是示出导体层A(配线层165A)及其连接的焊盘1001s的布置示例的平面图。
图104的B是示出导体层B(配线层165B)及其连接的焊盘1001d的布置示例的平面图。
图104的C是图104的A和B所示的导体层A和B以及焊盘1001s和1001d被堆叠的状态下的平面图。
在图104中，焊盘1001s表示例如被提供有GND或负电源(Vss)的焊盘1001，并且焊盘1001d表示被提供有正电压的焊盘1001。
如图104的A所示，多个引出导体部165Ab连接到具有矩形的主导体部165Aa的预定侧，并且具有任意地包括预定重复图案的形状的导体1011连接到每个引出导体部165Ab的外周部。此外，多个引出导体部165Ab中的一部分经由导体1011连接至一个焊盘1001s。可以省略导体1011或可以提供导体1011。此外，导体1011可以位于主导体部165Aa和引出导体部165Ab之间。
如图104的B所示，多个引出导体部165Bb连接到具有矩形的主导体部165Ba的预定侧，并且具有任意地包括预定重复图案的形状的导体1012连接到每个引出导体部165Bb的外周部。此外，多个引出导体部165Bb中的一部分经由导体1012设置有一个焊盘1001d。可以省略导体1012或可以提供导体1012。此外，导体1012可以位于主导体部165Ba和引出导体部165Bb之间。
如图104的C所示，在导体层A和导体层B重叠的状态下，焊盘1001s和1001d的布置是镜像对称布置，其中在Y方向上连续的四个焊盘1001s和1001d被设置为一组，一组焊盘1001沿Y方向折回并顺序地排列。此外，构成一组的四个焊盘1001s和焊盘1001d也具有镜像对称布置，其中一侧的两个焊盘1001以Y方向上的中心线为基准沿Y方向折回并排布。相比于图103中所示的一级结构的镜像布置，在这样的两级结构的镜像布置的情况下，由于累积剩余磁场的范围窄，因此能够更有效地抵消感应电动势，并且能够根据除焊盘之外的布局进一步降低感应噪声。
在参考图93到104的焊盘布置示例中，已经说明了如下示例：其中，连接到导体层A和B的主导体部165a的预定侧的焊盘总数为8，并且在Y方向上连续的八个焊盘1001的布置是交替布置、一级结构的镜像布置和二级结构的镜像布置。所述布置可以是焊盘的总数量不是八个的交替布置、一级结构的镜像布置以及两级结构的镜像布置。在交替布置或镜像布置中，一组中的焊盘数量不限于上述两个或四个，而是任意的。
此外，连接到一个引出导体部165b的焊盘的数量不限于图93至104中所示的一个或两个，而可以是三个或更多。
此外，在图93到104中，为了简单起见，图示了如下示例：其中，多个焊盘1001仅连接到具有矩形的导体层A和B的主导体部165a的一个预定侧。多个焊盘1001可以连接到除了图93至104中所示的侧以外的一侧，或者可以连接到任意两侧、三侧或四侧。
已经描述了总焊盘数为8的情况作为示例，但其数量不限于此。焊盘的数量可以增加，或者焊盘的数量也可以减少。
可以省略作为焊盘布置示例而示出的各个组件中的一部分或全部，可以改变其中的一部分或全部，可以修改其中的一部分或全部，可以用其它组件替换其中的一部分或全部，并且可以将其它组件添加到其中的一部分或全部中。此外，作为焊盘布置示例所示的各个组件的一部分或全部可以被划分为多个部分或者可以被分离成多个部分，并且在被划分或分离的多个组件中的至少一些部分中，功能或特性可以不同。此外，作为焊盘布置示例所示的各个部件中的至少一部分可以针对不同的焊盘布局而任意地组合。此外，作为焊盘布置示例所示的各个部件中的至少一些可以针对不同的焊盘布局而被移动。此外，对于不同的焊盘布局，耦接元件或中继元件可以被添加到作为焊盘布置示例而被示出的各个元件的至少一部分的组合中。此外，对于不同的焊盘布局，可以将切换元件或切换功能添加到作为焊盘布置示例所示的各个元件的至少一部分的组合中。
<焊盘的第十六布置示例>
接下来，将参考图105至108说明当多个焊盘1001布置在导体层A和B的具有矩形的主导体部165a的两个相邻侧上时的正交焊盘布局的示例。
图105示出了焊盘的第十六布置示例。
图105的A是示出了导体层A(配线层165A)及其连接的焊盘1001s的布置示例的平面图。
图105的B是示出导体层B(配线层165B)及其连接的焊盘1001d的布置示例的平面图。
图105的C是图105的A和B所示的导体层A和B以及焊盘1001s和1001d被堆叠的状态下的平面图。
在图105中，焊盘1001s表示例如被提供有GND或负电源(Vss)的焊盘1001，并且焊盘1001d表示被提供有正电压的焊盘1001。
如图105的A所示，多个焊盘1001经由任意地包括预定重复图案的导体1011以预定间隔连接到具有矩形形状的主导体部165Aa的两个相邻侧。每个焊盘1001s可以由引出导体部165Ab形成，或者导体1011可以由引出导体部165Ab形成。当焊盘1001s是引出导体部165Ab时，可以省略导体1011或可以设置导体1011。
如图105的B所示，多个焊盘1001d经由任意地包括预定重复图案的导体1012以预定间隔连接到具有矩形形状的主导体部165Ba的两个相邻侧。每个焊盘1001d可以由引出导体部165Bb形成，或者导体1012可以由引出导体部165Bb形成。当焊盘1001d是引出导体部165Bb时，可以省略导体1012或可以设置导体1012。
如图105的C所示，在导体层A和B被堆叠的状态下，焊盘1001s和焊盘1001d的布置是交替布置，其中焊盘1001s和焊盘1001d交替地布置在具有矩形形状的主导体部165a的两个相邻侧。此外，两侧的交替地布置的焊盘1001s和焊盘1001d之中的位于每侧的端部的所有焊盘1001的极性都是连接到GND或负电源的焊盘1001s。因此，在交替地布置有焊盘1001s和焊盘1001d的两侧上的多个焊盘1001之中，位于与基板1000的角部最接近的端部处的焊盘1001的极性是相同的，并且都是焊盘1001s(其是具有高ESD(静电放电)耐性一侧的极性)，从而能够提高ESD耐性。
考虑到ESD耐性，位于交替地布置有焊盘1001s和焊盘1001d的两侧的端部处的焊盘1001的极性优选为例如连接到GND或负极电源的焊盘1001s，但是极性也可以例如是连接到正电源的焊盘1001d。
<焊盘的第十七布置示例>
图106示出了焊盘的第十七布置示例。
图106的A是示出导体层A(配线层165A)及其连接的焊盘1001s的布置示例的平面图。
图106的B是示出导体层B(配线层165B)及其连接的焊盘1001d的布置示例的平面图。
图106的C是图106的A和B所示的导体层A和B以及焊盘1001s和1001d堆叠的状态下的平面图。
在图106中，焊盘1001s表示例如被提供有GND或负电源(Vss)的焊盘1001，并且焊盘1001d表示被提供有正电压的焊盘1001。
如图106的A所示，多个焊盘1001经由任意地包括预定重复图案的导体1011以预定间隔连接到具有矩形形状的主导体部165Aa的两个相邻侧。每个焊盘1001s可以由引出导体部165Ab形成，或者导体1011可以由引出导体部165Ab形成。当焊盘1001s是引出导体部165Ab时，可以省略导体1011或可以设置导体1011。
如图106的B所示，多个焊盘1001d经由任意地包括预定重复图案的导体1012以预定间隔连接到具有矩形形状的主导体部165Ba的两个相邻侧。每个焊盘1001d可以由引出导体部165Bb形成，或者导体1012可以由引出导体部165Bb形成。当焊盘1001d是引出导体部165Bb时，可以省略导体1012或可以设置导体1012。
如图106的C所示，在导体层A和B堆叠的状态下，布置是如下图95的C中所示的焊盘布置示例那样的镜像对称布置，其中，四个连续的焊盘1001s和1001d设置为一组，并且一组焊盘1001在Y方向上折回并顺序地排列。此外，在两侧的以镜像对称布置的焊盘1001s和焊盘1001d之中，位于每侧的端部的所有焊盘1001的极性都是连接到GND或负极电源的焊盘1001s。因此，在焊盘1001s和焊盘1001d呈镜像对称布置的两侧的多个焊盘1001之中，在与基板1000的角部最靠近的端部处的焊盘1001的极性具有相同的相位，并且是具有高静电放电(ESD)耐性一侧的极性的焊盘1001s，以此能够提高ESD耐性。此外，与图105的第16布置示例相比，通过在镜像对称中布置焊盘，Vss配线和Vdd配线之间的阻抗差和电流差变小，因此，能够进一步降低感应噪声。
考虑到ESD耐性，位于以镜像对称的方式布置有焊盘1001s和焊盘1001d的两侧的端部处的焊盘1001的极性优选是例如连接到GND或负极电源的焊盘1001s，但是极性也可以例如是连接到正电源的焊盘1001d。
<焊盘的第十八布置示例>
图107示出了焊盘的第十八布置示例。
图107的A是示出导体层A(配线层165A)及其连接的焊盘1001s的布置示例的平面图。
图107的B是示出导体层B(配线层165B)及其连接的焊盘1001d的布置示例的平面图。
图107的C是图107的A和B所示的导体层A和B以及焊盘1001s和1001d被堆叠的状态下的平面图。
在图107中，焊盘1001s表示例如被提供有GND或负电源(Vss)的焊盘1001，并且焊盘1001d表示被提供有正电压的焊盘1001。
如图107的A所示，多个焊盘1001经由任意地包括预定重复图案的导体1011以预定间隔连接到具有矩形形状的主导体部165Aa的两个相邻侧。每个焊盘1001s可以由引出导体部165Ab形成，或者导体1011可以由引出导体部165Ab形成。当焊盘1001s是引出导体部165Ab时，可以省略导体1011或可以设置导体1011。
如图107的B所示，多个焊盘1001d经由任意地包括预定重复图案的导体1012以预定间隔连接到具有矩形形状的主导体部165Ba的两个相邻侧。每个焊盘1001d可以由引出导体部165Bb形成，或者导体1012可以由引出导体部165Bb形成。当焊盘1001d是引出导体部165Bb时，可以省略导体1012或可以设置导体1012。
如图107的C所示，在导体层A和B被堆叠的状态下，焊盘1001s和pad 1001d的布置是如图105中所示的焊盘布置示例中那样的交替布置，其中焊盘1001s和焊盘1001d交替地布置。这里，该焊盘布置示例与图105所示的焊盘布置示例的不同之处在于，在布置于两侧的焊盘1001s和焊盘1001d之中的位于每侧的端部的焊盘1001的极性是对于焊盘1001s和焊盘1001d的相反极性。因此，在焊盘1001s和焊盘1001d交替地布置的两侧的多个焊盘1001之中，最靠近基板1000的角部的端部处的焊盘1001的极性被设置为是相反的，使得能够进一步减小Vss配线和Vdd配线之间的阻抗差，并且进一步减小Vss配线和Vdd配线之间的电流差，因此，与图106的第十七布置示例相比，能够进一步减小感应噪声。
<焊盘的第十九布置示例>
图108示出了焊盘的第十九布置示例。
图108的A是示出导体层A(配线层165A)及其连接的焊盘1001s的布置示例的平面图。
图108的B是示出导体层B(配线层165B)及其连接的焊盘1001d的布置示例的平面图。
图108的C是图108的A和B所示的导体层A和B以及焊盘1001s和1001d被堆叠的状态下的平面图。
在图108中，焊盘1001s表示例如被提供有GND或负电源(Vss)的焊盘1001，并且焊盘1001d表示被提供有正电压的焊盘1001。
如图108的A所示，多个焊盘1001经由任意地包括预定重复图案的导体1011以预定间隔连接到具有矩形形状的主导体部165Aa的两个相邻侧。每个焊盘1001s可以由引出导体部165Ab形成，或者导体1011可以由引出导体部165Ab形成。当焊盘1001s是引出导体部165Ab时，可以省略导体1011或可以设置导体1011。
如图108的B所示，多个焊盘1001d经由任意地包括预定重复图案的导体1012以预定间隔连接到具有矩形形状的主导体部165Ba的两个相邻侧。每个焊盘1001d可以由引出导体部165Bb形成，或者导体1012可以由引出导体部165Bb形成。当焊盘1001d是引出导体部165Bb时，可以省略导体1012或可以设置导体1012。
如图108的C所示，在导体层A和B被堆叠的状态下，如图106所示的焊盘布置示例中那样，焊盘1001s和焊盘1001d的布置是镜像对称布置，其中焊盘1001s和焊盘1001d以镜像对称的方式排列。这里，该焊盘布置示例与图106所示的焊盘布置示例的不同之处在于，在布置于两侧的焊盘1001s和焊盘1001d之中的位于每侧的端部的焊盘1001的极性是对于焊盘1001s和焊盘1001d的相反极性。因此，在焊盘1001s和焊盘1001d以镜像对称的方式布置的两侧上的多个焊盘1001中，最靠近基板1000的角部的端部处的焊盘1001的极性被设置为是相反的，从而能够进一步减小Vss配线和Vdd配线之间的阻抗差，并且进一步减小了Vss配线和Vdd配线之间的电流差，并且因此相比于图106的第十七布置示例，能够进一步降低感应噪声。
虽然在参考图105至108说明的焊盘的第十六到第十九布置示例中描述了其中多个焊盘1001经由导体1011或1012以预定间隔布置在具有矩形形状的主导体部165a的两个相邻侧上的示例，但是设置焊盘1001的侧不限于两侧，并且可以是三侧或四侧。
此外，虽然已在参考图105至108说明的焊盘的第十六到第十九布置示例中示出了图93中的交替布置和图95中的两级结构的镜像布置被采用为布置在一侧的焊盘1001的形式的示例，但是可以采用图94中所示的一级结构的镜像布置，并且在最靠近角部的端部中的焊盘1001的极性可以是相同的或相反的。
此外，参照图105到108所述的焊盘的第十六到第十九布置示例具有省略引出导体部165b的形式，但是具有如下结构：其中，如图96至104所示地引出导体部165b被包括在具有矩形的主导体部165Aa的一侧，然而，可以采用图93的交替布置、图94的一级结构的镜像布置或图95的两级结构的镜像布置，并且在最靠近角部的端部处的焊盘1001的极性可以是相同的或相反的。
引出导体部165Ab和165Bb以及导体1011和1012优选被设置为例如使得从焊盘1001s向主导体部165Aa提供GND或负电压，并且从焊盘1001d向主导体部165Ba提供具有相反极性的正电源，但本技术不限于此。换言之，优选的是，引出导体部165Ab和165Bb以及导体1011和1012被设置为使得例如由焊盘1001提供的GND或负电源以及具有相反极性的正电源不被完全短路，但是本发明的技术不限于此。在图92至108的至少一部分中示出了设置多个焊盘1001s的示例、布置多个焊盘1001d的示例、布置多个导体1011的示例、布置多个导体1012的示例、布置多个引出导体部165Ab的示例以及布置多个引出导体部165Bb的示例，在相应的图中，所有的焊盘1001s可以是相同的，所有的焊盘1001s可以是不相同的，所有的焊盘1001d可以是相同的，所有的焊盘1001d可以是不相同的，所有的导体1011可以是相同的，所有的导体1011可以是不相同的，所有的导体1012可以是相同的，所有的导体1012可以是不相同的，所有引出导体部165Ab可以是相同的，所有引出导体部165Ab可以是不相同的，所有引出导体部165Bb可以是相同的，或者所有引出导体部165Bb可以是不相同的。优选地，满足下述关系中的至少一个：直接或间接连接到基板1000中的主导体部165a的焊盘1001s的总数量与焊盘1001d的总数量相同或基本相同，直接或间接连接到基板1000的两个预定的相邻侧的主导体部165a的焊盘1001s的总数量与焊盘1001d的总数量相同或基本相同，直接或间接连接到基板1000的两个预定的相对侧的主导体部165a的焊盘1001s的总数量与焊盘1001d的总数量相同或基本相同，直接或间接连接到基板1000的一个预定侧的至少主导体部165a的焊盘1001s的总数量与焊盘1001d的总数量相同或基本相同，直接或间接连接到基板1000的两个预定的相邻侧的至少两个引出导体部165b的焊盘1001s的总数量与焊盘1001d的总数量相同或基本相同，直接或间接连接到基板1000的两个预定的相对侧的至少两个引出导体部165b的焊盘1001s的总数量与焊盘1001d的总数量相同或基本相同，直接或间接连接到基板1000的一个预定侧的至少一个引出导体部165b的焊盘1001的总数量与焊盘1001d的总数量相同或基本相同，直接或间接连接到基板1000的两个预定的相邻侧的至少两组导体1011和1012的焊盘1001s的总数量与焊盘1001d的总数量相同或基本相同，直接或间接连接到基板1000的两个预定的相对侧的至少两组导体1011和1012的焊盘1001s的总数量与焊盘1001d的总数量相同或基本相同，以及直接或间接连接到基板1000的一个预定侧的至少一组导体1011和1012的焊盘1001s的总数量与焊盘1001d的总数量相同或基本相同。但本技术不限于此。例如，焊盘1001s的总数量可以与焊盘1001d的总数量不相同，并且焊盘1001s的总数量可以与焊盘1001d的总数量不是基本相同。
<受扰导体回路和侵扰导体回路的基板布置的示例>
图109示出了受扰导体回路和侵扰导体回路的基板布置的示例。
图109的A是示意性地示出上述受扰导体回路和侵扰导体回路的基板布置的示例的横截面图。
在上述每个结构示例中，如图109的A所示，已经说明了：受扰导体回路1101被包括在第一半导体基板101中，侵扰导体回路1102A和1102B被包括在第二半导体基板102中，并且第一半导体基板101和第二半导体基板102堆叠。
然而，该结构可以是下述结构：其中，如图109的B所示，第一半导体基板101和第二半导体基板102未堆叠且第一半导体基板101与第二半导体基板102布置成彼此相邻；或者如图109的C所示，第一半导体基板101以及第二半导体基板102可以以预定间隔布置在单个平面上。
此外，对于受扰导体回路和侵扰导体回路的基板布置，可以采用如图110的A到I中所示的各种布置结构。
图110的A示出了下述结构：其中，受扰导体回路1101被包括在第一半导体基板101中，侵扰导体回路1102A和1102B被包括在第二半导体基板102中，第三半导体基板103插入第一半导体基板101与第二半导体基板102之间，且堆叠第一半导体基板101至第三半导体基板103。
图110的B示出了下述结构：其中，受扰导体回路1101被包括在第一半导体基板101中，侵扰导体回路1102A被包括在第二半导体基板102中，侵扰导体回路1102B被包括在第三半导体基板103中，并且第一半导体基板101到第三半导体基板103按此顺序堆叠。
图110的C示出了下述结构：其中，受扰导体回路1101被包括在第一半导体基板101中，侵扰导体回路1102A和1102B被包括在第二半导体基板102中，支撑基板104插入在第一半导体基板101与第二半导体基板102之间，且第一半导体基板101、支撑基板104及第二半导体基板102按此顺序堆叠。可省略支撑基板104，且第一半导体基板101及第二半导体基板102可布置为具有预定间隙。
图110的D示出了如下结构：其中，受扰导体回路1101被包括在第一半导体基板101中，侵扰导体回路1102A和1102B被包括在第二半导体基板102中，并且第一半导体基板101及第二半导体基板102放置于支撑基板104上且以预定间隙布置在同一平面上。可以省略支撑基板104，并且第一半导体基板101和第二半导体基板102可被支撑以布置在同一平面上的不同位置处。
图110的E示出了如下结构：其中，受扰导体回路1101和侵扰导体回路1102A被包括在第一半导体基板101中，侵扰导体回路1102B被包括在第二半导体基板102中，第一半导体基板101和第二半导体基板102堆叠。这里，在XY平面上的形成有第一半导体基板101中的受扰导体回路1101的区域可以完全不同于XY平面上的形成有第二半导体基板102中的侵扰导体回路1102A和1102B的区域，或者在XY平面上的形成有第一半导体基板101中的受扰导体回路1101的区域与XY平面上的形成有第二半导体基板102中的侵扰导体回路1102A和1102B的区域可以至少部分地重叠。
图110的F示出了下述结构：其中，受扰导体回路1101被包括在第一半导体基板101中，侵扰导体回路1102A和1102B被包括在第二半导体基板102中，并且第一半导体基板101和第二半导体基板102堆叠。这里，这里，在XY平面上的形成有第一半导体基板101中的受扰导体回路1101的区域可以完全不同于XY平面上的形成有第二半导体基板102中的侵扰导体回路1102A和1102B的区域，或者在XY平面上的形成有第一半导体基板101中的受扰导体回路1101的区域与XY平面上的形成有第二半导体基板102中的侵扰导体回路1102A和1102B的区域可以至少部分地重叠。
图110的G示出了下述结构：其中，受扰导体回路1101和侵扰导体回路1102A被包括在第一半导体基板101中，侵扰导体回路1102B被包括在第二半导体基板102中，并且第一半导体基板101及第二半导体基板102堆叠。这里，在XY平面上的形成有第一半导体基板101中的受扰导体回路1101的区域可以完全不同于XY平面上的形成有侵扰导体回路1102A和1102B的区域，或者在XY平面上的形成有第一半导体基板101中的受扰导体回路1101的区域与XY平面上的形成有侵扰导体回路1102A和1102B的区域可以至少部分地重叠。
图110的H示出了下述结构：其中，受扰导体回路1101和侵扰导体回路1102A和1102B被包括在一个半导体基板105中。这里，XY平面上的在一个半导体基板105中形成有受扰导体回路1101的区域可以完全不同于XY平面上的形成有侵扰导体回路1102A和1102B的区域，或者XY平面上的在一个半导体基板105中形成有受扰导体回路1101的区域与XY平面上的形成有侵扰导体回路1102A和1102B的区域可以至少部分地重叠。
图110的I示出了下述结构：其中，受扰导体回路1101和侵扰导体回路1102A和1102B被包括在一个半导体基板105中。这里，XY平面上的在一个半导体基板105中形成有受扰导体回路1101的区域可以不同于XY平面上的形成有侵扰导体回路1102A和1102B的区域。
图110的A到I中所示的各个基板的堆叠顺序可以颠倒，并且受扰导体回路1101和侵扰导体回路1102A和1102B的位置可以上下颠倒。
如上所述，其中包括受扰导体回路1101和侵扰导体回路1102A和1102B的半导体基板的数量和布置以及是否存在支持基板，均可以采用各种结构。
产生穿过受扰导体回路的回路表面的磁通量的侵扰导体回路可以与受扰导体回路重叠，也可以不重叠。此外，侵扰导体回路可以形成在堆叠在形成受扰导体回路的半导体基板上的多个半导体基板上，或者可以形成在与形成受扰导体回路的半导体基板相同的半导体基板上。
此外，侵扰导体回路可形成于各种基板上，例如作为半导体基板的替代的印刷电路板、柔性印刷电路板、插入式基板(interposer substrate)、封装基板、无机基板或有机基板，但也可形成于包含导体或其上能够形成导体回路的任何基板上，并且侵扰导体可以存在于半导体基板以外的电路中，例如密封有半导体基板的封装体(package)。一般来说，侵扰导体回路与受扰导体回路之间的距离在下述情况下依次变短：侵扰导体回路形成在半导体基板上的情况、侵扰导体回路形成在封装体上的情况、以及侵扰导体回路形成在印刷电路板上。由于当侵扰导体回路与受扰导体回路之间的距离变短时，在受扰导体回路中可能产生的感应噪声或电容性噪声变得容易增大，因此，当干扰导体回路与受扰导体回路之间的距离越短，则本技术越有效。此外，本发明不仅限于基板，而且本技术还可应用于由导线或导体板为代表的导体本身，例如接合线、引线、天线配线、电源线、GND线、同轴线、伪线、金属板等。
接下来，将说明如下布置示例：其中，如图111所示，作为受扰导体回路的至少一部分的导体1101(以下称为受扰导体回路1101)以及作为侵扰导体回路的至少一部分的导体1102A和1102B(以下称为侵扰导体回路1102A和1102B)被设置在层叠有包括半导体基板1121、封装基板1122和印刷电路板1123的三种类型的基板的结构中。尽管未示出，但上述的受扰导体回路或侵扰导体回路可以至少包括布置在半导体基板1121、封装基板1122和印刷电路板1123中的两者或更多上的导体。半导体基板1121可替换为封装基板、插入式基板、印刷电路板、挠性印刷电路板、无机基板、有机基板、包含导体的基板或可在其上形成导体的基板中的任一者。此外，封装基板1122可替换为半导体基板、插入式基板、印刷电路板、挠性印刷电路板、无机基板、有机基板、包含导体的基板或可在其上形成导体的基板中的任一者。此外，印刷电路板1123可替换为半导体基板、封装基板、插入式基板、挠性印刷电路板、无机基板、有机基板、包含导体的基板或可在其上形成导体的基板中的任一者。
图112的A至R图示了在堆叠有图111所示的三种基板的堆叠结构中的受扰导体回路和侵扰导体回路的布置的示例。
图112的A示出了堆叠结构的示意图，其中，受扰导体回路1101和侵扰导体回路1102A和1102B都包括在半导体基板1121中。可以省略其中既没有形成受扰导体回路1101也没有形成侵扰导体回路1102A和1102B的封装基板1122和印刷电路板1123。
图112的B示出了堆叠结构的示意图，其中，受扰导体回路1101和侵扰导体回路1102A被包括在半导体基板1121中，并且侵扰导体回路1102B被包括在封装基板1122中。可以省略其中既没有形成受扰导体回路1101也没有形成侵扰导体回路1102A和1102B的印刷电路板1123。
图112的C示出了堆叠结构的示意图，其中，受扰导体回路1101和侵扰导体回路1102A被包括在半导体基板1121中，并且侵扰导体回路1102B被包括在印刷电路板1123中。可以省略其中既没有形成受扰导体回路1101也没有形成侵扰导体回路1102A和1102B的封装基板1122。
图112的D示出了堆叠结构的示意图，其中，受扰导体回路1101被包括在半导体基板1121中，而侵扰导体回路1102A和1102B被包括在封装基板1122中。可以省略其中既没有形成受扰导体回路1101也没有形成侵扰导体回路1102A和1102B的印刷电路板1123。
图112的E示出了堆叠结构的示意图，其中受扰导体回路1101被包括在半导体基板1121中，侵扰导体回路1102A被包括在封装基板1122中，并且侵扰导体回路1102B被包括在印刷电路板1123中。
图112的F示出了堆叠结构的示意图，其中，受扰导体回路1101被包括在半导体基板1121中，并且侵扰导体回路1102A和1102B被包括在印刷电路板1123中。可以省略其中既没有形成受扰导体回路1101也没有形成侵扰导体回路1102A和1102B的封装基板1122。
图112的G示出了堆叠结构的示意图，其中，侵扰导体回路1102A和1102B被包括在半导体基板1121中，而受扰导体回路1101被包括在封装基板1122中。可以省略其中既没有形成受扰导体回路1101也没有形成侵扰导体回路1102A和1102B的印刷电路板1123。
图112的H示出了堆叠结构的示意图，其中，侵扰导体回路1102A被包括在半导体基板1121中，并且侵扰导体回路1102B和受扰导体回路1101被包括在封装基板1122中。可以省略其中既没有形成受扰导体回路1101也没有形成侵扰导体回路1102A和1102B的印刷电路板1123。
图112的I示出了堆叠结构的示意图，其中侵扰导体回路1102A被包括在半导体基板1121中，受扰导体回路1101被包括在封装基板1122中，并且侵扰导体回路1102B被包括在印刷电路板1123中。
图112的J示出了堆叠结构的示意图，其中，受扰导体回路1101和侵扰导体回路1102A和1102B均被包括在封装基板1122中。可以省略其中既没有形成受扰导体回路1101也没有形成侵扰导体回路1102A和1102B的半导体基板1121和印刷电路板1123。
图112的K示出了叠层结构的示意图，其中，受扰导体回路1101和侵扰导体回路1102A被包括在封装基板1122中，并且侵扰导体回路1102B被包括在印刷电路板1123中。可以省略其中既没有形成受扰导体回路1101也没有形成侵扰导体回路1102A和1102B的半导体基板1121。
图112中的L示出了叠层结构的示意图，其中，受扰导体回路1101被包括在封装基板1122中，并且侵扰导体回路1102A和1102B被包括在印刷电路板1123中。可以省略其中既没有形成受扰导体回路1101也没有形成侵扰导体回路1102A和1102B的半导体基板1121。
图112的M示出了堆叠结构的示意图，其中，侵扰导体回路1102A和1102B被包括在半导体基板1121中，而受扰导体回路1101被包括在印刷电路板1123中。可以省略其中既没有形成受扰导体回路1101也没有形成侵扰导体回路1102A和1102B的封装基板1122。
图112的N示出了堆叠结构的示意图，其中侵蚀导体回路1102A被包括在半导体基板1121中，侵扰导体回路1102B被包括在封装基板1122中，并且受扰导体回路1101被包括在印刷电路板1123中。
图112中的O示出了堆叠结构的示意图，其中，侵蚀导体回路1102A被包括在半导体基板1121中，并且侵蚀导体回路1102B和受扰导体回路1101被包括在印刷电路板1123中。可以省略其中既没有形成受扰导体回路1101也没有形成侵扰导体回路1102A和1102B的封装基板1122。
图112中的P示出了堆叠结构的示意图，其中，侵扰导体回路1102A和1102B被包括在封装基板1122中，而受扰导体回路1101被包括在印刷电路板1123中。可以省略其中既没有形成受扰导体回路1101也没有形成侵扰导体回路1102A和1102B的半导体基板1121。
图112的Q示出了堆叠结构的示意图，其中侵扰导体回路1102A被包括在封装基板1122中，并且侵扰导体回路1102B和受扰导体回路1101被包括在印刷电路板1123中。可以省略其中既没有形成受扰导体回路1101也没有形成侵扰导体回路1102A和1102B的半导体基板1121。
图112中的R示出了堆叠结构的示意图，其中受扰导体回路1101和侵扰导体回路1102A和1102B均被包括在印刷电路板1123中。可以省略其中既没有形成受扰导体回路1101，也没有形成侵扰导体回路1102A和1102B的半导体基板1121和封装基板1122。
图112的A到R中所示的各个基板的堆叠顺序可以颠倒，并且受扰导体回路1101和侵扰导体回路1102A或侵扰导体回路1102B的位置可以上下颠倒。
如上所述，受扰导体回路1101和侵扰导体回路1102A和1102B可以形成在半导体基板1121、封装基板1122和印刷电路板1123的任何区域中。
<形成固态成像器件100的第一半导体基板101和第二半导体基板102的封装堆叠的示例>
图113是示出形成固态成像器件100的第一半导体基板101和第二半导体基板102的封装堆叠的示例的图。
第一半导体基板101及第二半导体基板102可以以任何方式堆叠成封装体。
例如，如图113的A所示，第一半导体基板101和第二半导体基板102分别用密封材料密封，并且可以堆叠所得的封装体601和602。
可替代地，如图113的B或C所示，第一半导体基板101和第二半导体基板102可以在第一半导体基板101和第二半导体基板102被堆叠的状态下用密封材料密封，从而形成封装体603。在这种情况下，键合线604可以如图113的B所示地连接到第二半导体基板102，或者可以如图113的C所示地连接到第一半导体基板101。
此外，封装体可以具有任何形式。例如，可以使用CSP(芯片尺寸封装)或WL-CSP(晶圆级芯片尺寸封装)，并且可以在封装中使用插入式基板或再配线层。此外，可以使用没有封装体的任何形式。例如，半导体基板可以被安装为板上芯片(COB)。例如，可以使用下述形式中的任一个：BGA(球状网格阵列)、COB(板上芯片)、COT(带式载体上芯片)、CSP(芯片尺寸封装/芯片规模封装)、DIMM(双列直插式存储模块)、DIP(双列直插式封装)、FBGA(微间距球栅阵列)、FLGA(微间距连接盘网格阵列)、FQFP(微间距四面扁平封装)、HSIP(带散热片的单列直插式封装)、LCC(无引线芯片载体)、LFLGA(低剖面微间距连接盘网格阵列)、LGA(连接盘网格阵列)、LQFP(低剖面四面扁平封装)、MC-FBGA(多芯片微间距球栅阵列)、MCM(多芯片模块)、MCP(多芯片封装)、M-CSP(模制芯片尺寸封装)，MFP(微型扁平封装)、MQFP(公制四面扁平封装)、MQUAD(金属四面封装)、MSOP(微小外形封装)、PGA(引脚网格阵列)、PLCC(塑料引线芯片载体)、PLCC(塑料无引线芯片载体)、QFI(四面I形引线扁平封装)、QFJ(四面J形引线扁平封装)、QFN(四面无引线扁平封装)、QFP(四面扁平封装)、QTCP(四面带式载体封装)、QUIP(四列直插封装)、SDIP(收缩型双列直插式封装)、SIMM(单列直插式存储模块)、SIP(单列直插式封装)、S-MCP(堆叠式多芯片封装)、SNB(小外形无引线板)、SOI(小外形I形引线封装)、SOJ(小外形J形引线封装)、SON(小外形无引线封装)、SOP(小外形封装)、SSIP(收缩型单列直插式封装)、SSOP(收缩型小外形封装)、SZIP(收缩型锯齿形排线直插式封装)、TAB(带式自动接合)、TCP(带式载体封装)、TQFP(薄型四面扁平封装)、TSOP(薄型小外形封装)、TSSOP(薄型收缩式小外形封装)、UCSP(超芯片尺寸封装)、UTSOP(超薄型小外形封装)、VSO(极短间距小外形封装)、VSOP(极小外形封装)、WL-CSP(晶圆级芯片尺寸封装)、ZIP(锯齿形排线直插式封装)和μMCP(微型多芯片封装)。
此外，本技术还可应用于例如CCD(电荷耦合器件)图像传感器、CCD传感器、CMOS传感器、MOS传感器、IR(红外)传感器、紫外(UV)传感器、ToF(飞行时间)传感器和距离测量传感器中的任何一个传感器、电路板、设备和电子设备。
此外，本技术适用于其中诸如晶体管、二极管或天线等一些设备布置在阵列中的传感器、电路板、设备或电子设备，并且适合于其中一些装置在大致一个平面上布置在阵列中的传感器、电路板、设备或电子设备，但本技术不限于此。
例如，本技术可应用于与存储器装置相关的各种存储器传感器、用于存储器的电路板、存储器装置或包含存储器的电子设备、与CCD有关的各种CCD传感器、用于CCD的电路板、CCD装置或包含CCD的电子设备、与CMOS相关的各种CMOS传感器、用于CMOS的电路板、CMOS装置或包含CMOS的电子设备、与MOS相关的各种MOS传感器、用于MOS的电路板、MOS装置或包含MOS的电子设备、与发光器件相关的各种显示传感器、用于显示器的电路板、显示装置或包含显示器的电子设备、与发光器件有关的各种激光传感器、用于激光器的电路板、激光装置或包含激光器的电子设备、与天线装置有关的各种天线传感器、用于天线的电路板、天线装置、包含天线的电子设备等等。其中，本技术适用于包括具有可变回路路径的受扰导体回路的传感器、电路板、设备或电子设备，包括控制线或信号线的传感器、电路板、设备或电子设备，包括水平控制线或垂直信号线的传感器、电路板、设备或电子设备等等，但本技术不限于此。
<11.导电性屏蔽的布置示例>
在上述结构示例中，虽然已经说明了通过设计导体层A(配线层165A)和导体层B(配线层165B)的结构来降低感应噪声的示例，但是还将说明通过进一步设置导电性屏蔽来进一步降低感应噪声的结构。
图114和115是图示为固态成像器件100设置导电性屏蔽的结构示例的截面图，其中，图6所示的第一半导体基板101和第二半导体基板102堆叠在固态成像器件100中。
在图114和115中，除导电性屏蔽之外的配置与图6中所示的结构相同，因此，将适当地省略其说明。
图114的A是示出在图6所示的固态成像设备100中设置导电性屏蔽的第一结构示例的横截面图。
在图114的A中，在第一半导体基板101的多层配线层153中形成导电性屏蔽1151。
图114的B是示出在图6所示的固态成像设备100中设置导电性屏蔽的第二结构示例的横截面图。
在图114的B中，导电性屏蔽1151形成在第二半导体基板102的多层配线层163内。
图114的C是示出在图6所示的固态成像设备100中设置导电性屏蔽的第三结构示例的横截面图。
在图114的C中，导电性屏蔽1151形成在第一半导体基板101和第二半导体基板102的各者的多层配线层中。更具体地说，在第一半导体基板101的多层配线层153中形成导电性屏蔽1151A，并且在第二半导体基板102的多层配线层163内形成导电性屏蔽1151B。
图115的A是示出在图6所示的固态成像设备100中设置导电性屏蔽的第四结构示例的横截面图。
在图115的A中，导电性屏蔽1151形成在第一半导体基板101和第二半导体基板102的各自的多层配线层中并且被接合。更具体地，导电性屏蔽1151A形成在第一半导体基板101的多层配线层153内的与第二半导体基板102的多层配线层163的接合表面上，导电性屏蔽1151B形成在第二半导体基板102的多层配线层163内的与第一半导体基板101的多层配线层153的接合表面上，并且导电性屏蔽1151A和1151B例如通过相同类型的金属接合(例如Cu-Cu接合、Au-Au接合或Al-Al接合)而被接合，或者通过不同类型的金属接合(如Cu-Au接合、Cu-Al接合或Au-Al接合)而被接合。
图114的C和图115的A示出了导电性屏蔽1151A和1151B的平面区域一致的示例，但是这些平面区域可以至少部分重叠并且被粘合。
图115的B是示出在图6所示的固态成像设备100中设置导电性屏蔽的第五结构示例的横截面图。
在图115的B中，作为导体层A的配线层165A也具有导电性屏蔽1151的功能。配线层165A的一部分可以是导电性屏蔽1151。
图115的C是示出在图6所示的固态成像设备100中设置导电性屏蔽的第六结构示例的横截面图。
在图115的C中的第六结构示例中，如在图114的A中所示的第一结构示例中那样，在多层配线层153内形成导电性屏蔽1151，但是，形成导电性屏蔽1151的平面区域小于作为导体层A的配线层165A和作为导体层B的配线层165B的平面区域。
优选的是，如图114的A中的第一结构示例那样，形成导电性屏蔽1151的平面区域的面积等于或大于作为导体层A的配线层165A和作为导体层B的配线层165B的平面区域的面积，但是，如图115的C所示，形成导电性屏蔽1151的平面区域的面积可以小于配线层165A和配线层165B的平面区域的面积。
通过设置如图114和115的第一到第六结构示例中的导电性屏蔽1151能够进一步降低感应噪声。
在图114和115的第一到第六结构示例中，被导电性屏蔽1151屏蔽的配线层是包括配线层165A和配线层165B的两层的示例，但是配线层可以是一层。
在图114和115的第一到第六结构示例中，可使用磁性屏蔽来代替导电性屏蔽1151。磁性屏蔽可以是导电的，也可以是不导电的。当磁性屏蔽导电时，能够进一步降低感应噪声和电容性噪声。
接下来，将参考图116到119说明导电性屏蔽1151相对于形成在第一半导体基板101中的信号线132的布置和平面形状。
图116到119示出了导电性屏蔽1151相对于信号线132的布置和平面形状的第一到第四结构示例。图116至119的第一到第四结构示例除了导电性屏蔽1151的平面形状之外都是相同的。
图116的A是图示了第一半导体基板101中的其上传送模拟像素信号的信号线132与导电性屏蔽1151和配线层165A之间在Z方向上的位置关系的横截面图。图116的B是示出导电性屏蔽1151的平面形状的平面图。
如图116的A所示，导电性屏蔽1151布置在信号线132和配线层165A之间。如图116的B所示，导电性屏蔽1151的平面形状可以被形成为面状。
或者，如图117的A和B的第二结构示例中所示，导电性屏蔽1151的平面形状可以被形成为直线形状，并且每个直线区域可以被形成为以一一对应的方式与信号线132重叠。
或者，导电性屏蔽1151的每个直线区域不必如图117的A和B的第二结构示例中那样与信号线132一一对应，并且如在图118的A和B的第三结构示例中那样，一个直线区域可以被形成为与多个信号线132重叠。尽管图118示出了其中导电性屏蔽1151的一个直线区域对应于两条信号线132的平面形状，但是可以图示其中直线区域对应于三条或更多条信号线132的平面形状。
或者，导电性屏蔽1151的平面形状可以不形成为直线形状，而是如图119的A和B的第四结构示例中那样，可以被形成为网格形状。在网状导电性屏蔽1151的垂直方向(Y方向)上延伸的垂直导体和在水平方向(X方向)上延伸的水平导体的导体宽度、间隙宽度和导体周期可以不同或者可以相同。
虽然导电性屏蔽1151在图116至119的第一到第四结构示例中具有一层，但是导电性屏蔽1151可具有如图114的C和图115的A中所示的两层。此外，图116至119中所示的配线层165A与配线层165B相同。
尽管导电性屏蔽1151被形成在与信号线132的整个区域重叠的位置处，但是导电性屏蔽1151可以被形成在与上述区域的一部分重叠的位置处或者被形成在不与上述区域重叠的位置处。然而，由于噪声通常经由信号线传播，所以优选在与信号线132重叠的位置形成导电性屏蔽1151。
尽管已经说明了相对于在第一半导体基板101中传输模拟像素信号的信号线132形成导电性屏蔽1151的位置，但是可以使用用于传输其它信号的信号线而不是用于传输像素信号的信号线132，或者可以使用控制线、配线、导体或GND。优选将导电性屏蔽1151连接到GND或负电源以有效地降低噪声，但是导电性屏蔽1151可以连接至其它控制线、其它信号线、其它导体或其它配线。或者，导电性屏蔽1151可以不被连接至其它控制线、其它信号线、其它导体或其它配线等。
通过设置导电性屏蔽1151，能够进一步降低感应噪声和电容性噪声。
<12.导体层包含三层的结构示例>
<导体层包括三层时的布置示例>
在上述各结构示例中，说明了包括作为配线层165A的导体层A和作为配线层165B的导体层B的两层导体层的配线模式。
然而，第三导体层可进一步布置在包括配线层165A(导体层A)和配线层165B(导体层B)的两层导体层附近。
例如，第三导体层可以用作用于将GND或负电源中继到作为配线层165A的导体层A的Vss配线的配线、用于将正电源中继到作为配线层165B的导体层B的Vdd配线的配线，或用于最小化导体层A或导体层B的电压降(IR降)的加强配线。
当与上述各结构示例中的配线层165A和配线层165B或导体层A和B的名称相对应地将第三导体层称为配线层165C或导体层C时，以图120的A到C中的任一者的位置关系相对于配线层165A和配线层165B布置作为第三导体层的配线层165C。
图120的A到C是示出配线层165C相对于配线层165A和配线层165B的布置示例的示意性横截面图。
在第一半导体基板101上形成有配线层170(第四导体层)，配线层170包括控制像素131的晶体管的控制线133的至少一部分或传输像素信号的信号线132的至少一部分，以及在第二半导体基板102中形成有包括诸如MOS晶体管164等有源元件的有源元件层171。控制线133的至少一部分或信号线132的至少一部分可以形成上述受扰导体回路(受扰导体回路11或受扰导体回路1101)的至少一部分，但本技术不限于此。
如参考图6等所述，配线层165A布置在第一半导体基板101的配线层170侧，并且配线层165B布置在有源元件层171侧。
相对于配线层165A和配线层165B的布置，如图120的A所示，配线层165C(导体层C)可以布置在配线层165B与有源元件层171之间。在这种情况下，从第一半导体基板101侧开始，各个配线层按照配线层170、配线层165A、配线层165B、配线层165C和有源元件层171的顺序堆叠。
或者，如图120的B所示，配线层165C(导体层C)可以布置在配线层165A与配线层165B之间。在这种情况下，从第一半导体基板101侧起，各配线层按照配线层170、配线层165A、配线层165C、配线层165B和有源元件层171的顺序堆叠。
此外，如图120的C所示，配线层165C(导体层C)可以布置在配线层170与配线层165A之间。在这种情况下，从第一半导体基板101侧开始，各个配线层按照配线层170、配线层165C、配线层165A、配线层165B和有源元件层171的顺序堆叠。
图120是示出包括配线层165A到165C的三个导体层之间的位置关系的图，并且第一半导体基板101的配线层170或第二半导体基板102的有源元件层171的布置可以颠倒。此外，第一半导体基板101可以不包括信号线132或控制线133，并且即使在第一半导体基板101可以包括信号线132和控制线133两者的情况下，也可以在配线层170中形成信号线132或控制线133的至少一部分。此外，信号线132或控制线133可以被包括在第二半导体基板102中而不是被包括在第一半导体基板101中。此外，信号线132或控制线133的至少一部分可以被包括在第一半导体基板101和第二半导体基板102中，并且例如，信号线132或控制线133可以被构造为跨越至少第一半导体基板101和第二半导体基板102。此外，配线层165A、配线层165B和配线层165C中的至少一者可以设置在第二半导体基板102中而不是第一半导体基板101中。此外，可以省略第一半导体基板101的配线层170或第二半导体基板102的有源元件层171。此外，第一半导体基板101及第二半导体基板102可以一体地被构造为一个半导体基板，而不是分离的单体。此外，配线层170可以被解释为受扰导体环路1101，配线层165A可以解释为侵扰导体回路1102A，并且配线层165B可以被解释为侵扰导体回路1102B，配线层165C可以被布置在图109到112中所示的基板布置示例中的任何位置处，并且配线层165A到165C的三个导体层之间的位置关系优选为图120所示的位置关系，但是本技术不限于此。
<导体层包括三层时的问题>
在上述的各结构示例中，在包括导体层A(配线层165A)和导体层B(配线层165B)的两层导体层中，已经提出了屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光并至少降低感应噪声、电容性噪声或电压降的配线布局，但是，取决于第三导体层的配线布局，感应噪声可能会增大。
图121是示出配线层165C的配线图案的示例的图。
图121的A示出了导体层C(配线层165C)，图121的B示出了导体层A(配线层165A)，而图121的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图121的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图121的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图121的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
在图121的坐标系中，水平方向表示X轴，垂直方向表示Y轴，与XY平面正交的方向表示Z轴。
在图121中的导体层A(配线层165A)和导体层B(配线层165B)中，采用已经参考图36说明的使用网状导体的第十一结构示例，该网状导体在X方向(第一方向)上的电阻值与在Y方向(第二方向)上的电阻值不同。
图121的B中的导体层A包括网状导体1201。网状导体1201在X方向上具有导体宽度WXA、间隙宽度GXA和导体周期FXA，并且在Y方向上具有导体宽度WYA、间隙宽度GYA和导体周期FYA。网状导体1201是具有其中导体周期FXA和导体周期FYA的基本图案(第一基本图案)在单个平面上重复排列的形状的导体。例如，网状导体1201是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
在网状导体1201中，导体宽度WXA>导体宽度WYA并且间隙宽度GYA>间隙宽度GXA。网状导体1201的间隙区域具有以下形状：其中，在Y方向上的区域比在X方向上的区域长，在X方向和Y方向上的电阻值不同，并且在Y方向上的电阻值小于在X方向上的电阻值。因此，在网状导体1201中，电流沿Y方向流动比沿X方向流动容易。
图121的C中的导体层B包括网状导体1202。网状导体1202在X方向上具有导体宽度WXB、间隙宽度GXB和导体周期FXB，并且在Y方向上具有导体宽度WYB、间隙宽度GYB和导体周期FYB。网状导体1202是具有其中导体周期FXB和导体周期FYB的基本图案(第二基本图案)在单个平面上重复排列的形状的导体。例如，网状导体1202是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
在网状导体1202中，导体宽度WXB>导体宽度WYB并且间隙宽度GYB>间隙宽度GXB。网状导体1202的间隙区域具有以下形状：其中，在Y方向上的区域比在X方向上的区域长，在X方向和Y方向上的电阻值不同，并且在Y方向上的电阻值小于在X方向上的电阻值。因此，在网状导体1202中，电流沿Y方向流动比沿X方向流动容易。
导体层A的网状导体1201和导体层B的网状导体1202具有差分结构。也就是说，如第十一结构示例等所述，导体层A的网状导体1201的电流分布和导体层B的网状导体1202的电流分布具有基本相同和相反的特性。这里，“基本相同”是指在可以被视为相等的范围内的差异，但可以是例如不超过至少两倍的范围内的差异。更具体地说，基本相同的交流电流在导体层A的网状导体1201和导体层B的网状导体1202的端部流动，并且电流方向在网状导体1201和网状导体1202中是相反的方向。结果，由网状导体1201的电流分布产生的磁场和由网状导体1202的电流分布产生的磁场被有效地抵消。因此，能够抑制感应噪声。
此外，如图121的F所示，由于导体层A和导体层B的堆叠而没有被开口的区域，所以能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。
另一方面，图121的A中的导体层C是具有易于电流流动的较低的薄层电阻的导体层，并且在Y方向上周期性地交替布置在X方向上延长的直线状导体1211A和在X方向上延长的直线状导体1211B。例如，直线状导体1211A是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。例如，直线状导体1211B是连接到正电源的配线(Vdd配线)。直线状导体1211A例如连接到半导体基板的外周部中的焊盘(未示出)，并且与导体层A的网状导体1201电连接。导体层A的网状导体1201和导体层C的直线状导体1211A可以通过例如在Z方向上延伸的导体通孔电连接。直线状导体1211B例如连接到半导体基板的外周部中的焊盘(未示出)，并且与导体层B的网状导体1202电连接。例如，导体层B的网状导体1202和导体层C的直线状导体1211B可以通过在Z方向上延伸的导体通孔电连接。
直线状导体1211A在Y方向上具有导体宽度WYCA，直线状导体1211B在Y方向上具有导体宽度WYCB，并且直线状导体1211A的导体宽度WYCA大于直线状导体1211B的导体宽度WYCB(导体宽度WYCA>导体宽度WYCB)。在Y方向上在直线状导体1211A与直线状导体1211B之间形成有具有间隙宽度GYC的间隙。一个直线状导体1211A和一个直线状导体1211B在Y方向上以导体周期FYC(＝导体宽度WYCA+导体宽度WYCB+2×间隙宽度GYC)周期性地布置。
当在预定的平面范围(平面区域)中观看以导体周期FYC沿Y方向周期性地布置有直线状导体1211A和直线状导体1211B的导体层C时，直线状导体1211A的导体宽度WYCA和直线状导体1211B的导体宽度WYCB不同，并且因此，预定平面范围内的多个直线状导体1211A的导体宽度WYCA之和与多个直线状导体1211B的导体宽度WYCB之和相差很大。在此情况下，由于直线状导体1211A的电流分布与直线状导体1211B的电流分布大不相同，因此无法抑制感应噪声的发生，并且感应噪声增大。具体地说，由于直线状导体1211A和直线状导体1211B之间在X方向上的电阻值相差很大，所以在直线状导体1211A和直线状导体1211B之间的电流分布大不相同，并且流过直线状导体1211A的电流总量大于在直线状导体1211B中流动的电流总量。此外，根据电流守恒定律(基尔霍夫第一定律)，流经网状导体1202的电流总量大于流经网状导体1201的电流总量。因此，由于网状导体1201和网状导体1202之间的电流分布大不相同，因此无法抑制感应噪声的发生，并且增加了感应噪声。
因此，取决于导体层C的配线布局，会降低抑制导体层A和导体层B的两层导体层中的感应噪声的效果。
因此，在下文中，将说明当配线层165A到165C具有三个导体层的堆叠结构时有效地降低感应噪声的结构。由于图121的结构示例可以根据感应噪声的大小而能够适用，因此不排除图121的结构示例。
<三层导体层的第一结构示例>
图122示出了三层导体层的第一结构示例。
图122的A示出了导体层C(配线层165C)，图122的B示出了导体层A(配线层165A)，而图122的C示出了导体层B(配线层165B)。
图122的D是导体层A和导体层C堆叠的状态下的平面图，图122的E是导体层B和导体层C堆叠的状态下的平面图，图122的F是导体层A和导体层B堆叠状态下的平面图。
图122的B中的导体层A包括如图121所示的网状导体1201。即，网状导体1201在X方向上具有导体宽度WXA、间隙宽度GXA和导体周期FXA，并且在Y方向具有导体宽度WYA、间隙宽度GYA和导体周期FYA。网状导体1201是具有其中导体周期FXA和导体周期FYA的基本图案(第一基本图案)在同一个平面上重复排列的形状的导体。例如，网状导体1201是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
图122的C中的导体层B包括如图121所示的网状导体1202。即，网状导体1202在X方向上具有导体宽度WXB、间隙宽度GXB和导体周期FXB，并且在Y方向具有导体宽度WYB、间隙宽度GYB和导体周期FYB。网状导体1202是其中具有导体周期FXB和导体周期FYB的基本图案(第二基本图案)在同一个平面上重复排列的形状的导体。例如，网状导体1202是连接到正电源的配线(Vdd配线)。网状导体1201和网状导体1202的导体周期相同。也就是说，导体周期FXA＝导体周期FXB，导体周期FYA＝导体周期FYB。导体周期可以基本相同。这里，“基本相同”是指在可以被视为相同的范围内的差异，但可以是例如不超过至少两倍的范围内的差异。
图122的A中的导体层C是具有较低的薄层电阻的导体层，电流很容易从中流过，并且导体层C包括在X方向上延长的直线状导体1221A(第三基本图案)和在X方向上延长的直线状导体1221B(第四基本图案)，直线状导体1221A和直线状导体1221B沿Y方向周期性地交替排列。
直线状导体1221A例如是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。直线状导体1221B例如是连接到正电源的配线(Vdd配线)。直线状导体1221A和直线状导体1221B是电流方向彼此相反的差分导体(差分结构)。直线状导体1221A例如连接到半导体基板的外周部中的焊盘(未示出)，并且与导体层A的网状导体1201电连接。导体层A的网状导体1201和导体层C的直线状导体1221A可以通过例如在Z方向上延伸的导体通孔来电连接。直线状导体1221B例如连接到半导体基板的外周部中的焊盘(未示出)，并且与导体层B的网状导体1202电连接。导体层B的网状导体1202和导体层C的直线状导体1221B可以通过例如在Z方向上延伸的导体通孔来电连接。
直线状导体1221A在Y方向上具有导体宽度WYCA，直线状导体1221B在Y方向上具有导体宽度WYCB，并且直线状导体1221A的导体宽度WYCA和直线状导体1221B的导体宽度WYCB相同(导体宽度WYCA＝导体宽度WYCB)。导体宽度WYCA和导体宽度WYCB可以不相同或可以基本相同(导体宽度WYCA≈导体宽度WYCB)。在Y方向上在直线状导体1221A和直线状导体1221B之间形成具有间隙宽度GYC的间隙。
一个直线状导体1221A和一个直线状导体1221B在Y方向上以导体周期FYC(＝导体宽度WYCA+导体宽度WYCB+2×间隙宽度GYC)周期性地布置。直线状导体1221A的导体周期FYC和直线状导体1221B的导体周期FYC相同或基本相同。
此外，作为导体层C的直线状导体1221A的重复周期的导体周期FYC是导体层A的网状导体1201在Y方向上的重复周期FYA的整数倍。图122示出了其中导体周期FYC是导体周期FYA的两倍的示例。
作为导体层C的直线状导体1221B的重复周期的导体周期FYC是导体层B的网状导体1202在Y方向上的重复周期FYB的整数倍。图122示出了其中导体周期FYC是导体周期FYB的两倍的示例。
导体宽度WYCA、导体宽度WYCB和间隙宽度GYC可以设计为具有任意值。
当在预定的平面范围(平面区域)中观看以导体周期FYC沿Y方向周期性地布置有直线状导体1221A和直线状导体1221B的导体层C时，直线状导体1221A的导体宽度WYCA与直线状导体1221B的导体宽度WYCB相同或基本相同，并且因此，预定平面范围内的多个直线状导体1221A的导体宽度WYCA之和与多个直线状导体1221B的导体宽度WYCB之和相同或基本相同，直线状导体1221A的电流分布与直线状导体1221B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
此外，例如，当导体层C如图120的C所示布置在配线层170附近时，可能产生由于导体层C的直线状导体1221A和直线状导体1221B与配线层170的信号线132或控制线133之间的电容耦合而导致的容性噪声，但是由于直线状导体1221A和直线状导体1221B具有在Y方向上重复的相同的配线图案，因此在Y方向上能够完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
如图122的F所示，导体层A和B的堆叠具有遮光结构，并且能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光，并且导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠也具有如图122的D和E中所示的遮光结构，并且保持遮光特性。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且能够降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局中的自由度。
此外，当导体层A的网状导体1201电连接到导体层C的直线状导体1221A，并且导体层B的网状导体1202电连接到导体层C的直线状导体1221B，能够减少导体层A和B中的电流量，从而能够进一步降低来自导体层A或B的感应噪声或电压降。
<三层导体层的第二结构示例>
图123示出了三层导体层的第二结构示例。
图123的A示出了导体层C(配线层165C)，图123的B示出了导体层A(配线层165A)，而图123的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图123的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图123的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图123的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
由于图123的B中的导体层A是与图122的第一结构示例相同的网状导体1201，并且图123的C中的导体层B是与图122的第一结构示例相同的网状导体1202，因此省略对它的说明。
图123的A中的导体层C具有下述结构：其中，在X方向上延长的直线状导体1222A和在X方向上延长的直线状导体1222B以两个导体为单位在Y方向上交替地布置。
例如，直线状导体1222A是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。例如，直线状导体1222B是连接到正电源的配线(Vdd配线)。直线状导体1222A和直线状导体1222B是电流方向相反的差分导体。直线状导体1222A例如连接到半导体基板的外周部中的焊盘(未示出)，并且与导体层A的网状导体1201电连接。导体层A的网状导体1201和导体层C的直线状导体1222A可以通过例如在Z方向上延伸的导体通孔进行电连接。直线状导体1222B例如连接到半导体基板的外周部中的焊盘(未示出)，并且与导体层B的网状导体1202电连接。导体层B的网状导体1202和导体层C的直线状导体1222B可以通过例如在Z方向上延伸的导体通孔进行电连接。
直线状导体1222A在Y方向具有导体宽度WYCA，直线状导体1222B在Y方向具有导体宽度WYCB，并且直线状导体1222A的导体宽度WYCA和直线状导体1222B的导体宽度WYCB相同(导体宽度WYCA＝导体宽度WYCB)。导体宽度WYCA和导体宽度WYCB可能不相同或可能基本相同(导体宽度WYCA≈导体宽度WYCB)。在Y方向相邻的直线状导体1222A之间、直线状导体1222B之间或直线状导体1222A和直线状导体1222B之间形成具有间隙宽度GYC的间隙。
两根直线状导体1222A和两根直线状导体1222B在Y方向上以导体周期FYC(＝2×导体宽度WYCA+2×导体宽度WYCB+4×间隙宽度GYC)周期性地排列。换言之，两条直线状导体1222A的导体周期FYC和两条直线状导体1222B的导体周期FYC相同或基本相同。
导体宽度WYCA、导体宽度WYCB和间隙宽度GYC可以被设计为具有任意值。虽然图123示出了其中两个直线状导体1222A和1222B被周期性地布置的示例，但是本技术不限于此，并且例如，可以周期性地布置三个或更多个直线状导体。此外，图123示出了在直线状导体1222A和直线状导体1222B中周期性地布置相同数量的直线状导体的示例，但是本技术不限于此，并且在直线状导体1222A和直线状导体1222B导体中可以周期性地布置不同数量的直线状导体。
当在预定的平面范围(平面区域)中观看以导体周期FYC沿Y方向周期性地布置有直线状导体1222A和直线状导体1222B的导体层C时，直线状导体1222A的导体宽度WYCA与直线状导体1222B的导体宽度WYCB相同或基本相同，因此，预定平面范围内的多个直线状导体1222A的导体宽度WYCA之和与多个直线状导体1222B的导体宽度WYCB之和是相同或基本相同的。因此，直线状导体1222A的电流分布与直线状导体1222B的电流分布是相同或基本相同的，并且因此能够抑制感应噪声的发生。
此外，例如，当导体层C如图120的C所示布置在配线层170附近时，可能产生由于导体层C的直线状导体1222A和直线状导体1222B与配线层170的信号线132或控制线133之间的电容耦合而导致的电容性噪声，但是由于直线状导体1222A和直线状导体1222B具有在Y方向上重复的相同的配线图案，所以能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
如图123的F所示，导体层A和B的堆叠具有遮光结构，其能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光，并且，如图123的D和E所示，即使在导体层A和C以及导体层B和C的堆叠中，也保持一定范围内的遮光特性。因此，由于能够减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且能够降低配线电阻并降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局中的自由度。
此外，当导体层A的网状导体1201电连接到导体层C的直线状导体1222A，并且导体层B的网状导体1202电连接到导体层C的直线状导体1222B，能够减少导体层A和B中的电流量，从而能够进一步降低来自导体层A或B的感应噪声或电压降。
<三层导体层的第二结构示例的变型例>
图124示出了三层导体层的第二结构示例的第一变型例。
图124中的A到F分别对应于图123中的A到F，将适当地省略由相同附图标记表示的公共部分的说明，并且将说明不同的部分。
在图123的第二结构示例中，在导体层C中，在Y方向上彼此相邻的两个导体1222A在Y方向上具有相同的导体宽度WYCA。另一方面，在图124的第一变型例中，在Y方向上相邻的两个直线状导体1222A的导体宽度是不同的导体宽度WYCA1和导体宽度WYCA2(导体宽度WYCA1<导体宽度WYCA2)。导体宽度WYCA1和导体宽度WYCA2可以设计为具有任何值。
类似地，在图123的第二结构示例中，在导体层C中，在Y方向相邻的两个直线状导体1222B在Y方向具有相同的导体宽度WYCB。另一方面，在图124的第一变型例中，在Y方向上相邻的两个直线状导体1222B的导体宽度是不同的导体宽度WYCB1和导体宽度WYCB2(导体宽度WYCB1<导体宽度WYCB2)。导体宽度WYCB1和导体宽度WYCB2可以设计为具有任何值。
除了直线状导体1222A和1222B的导体宽度彼此不同之外，图124的第一变型例与图123的第二结构示例相同。
图125示出了三层导体层的第二结构示例的第二变型例。
图125的A到F分别对应于图123的A到F，将适当地省略由相同附图标记表示的公共部分的说明，并且将说明不同的部分。
图125的第二变型例与图123的第二结构示例的不同之处以及与图124的第一变型例的相同之处在于，导体层C中在Y方向上相邻的两个直线状导体1222A的导体宽度是不同的。此外，图125的第二变型例与图123的第二结构示例的不同之处以及与图124的第一变型例的相同之处在于，在Y方向上彼此相邻的两个直线状导体1222B的导体宽度彼此不同。
另一方面，在图124所示的第一变型例中，具有不同导体宽度的两个直线状导体1222A的布置与两个直线状导体1222B的布置相同。具体地，当两个直线状导体1222A在Y方向上按照具有小导体宽度(导体宽度WYCA1)的直线状导体1222A和具有大导体宽度(导体宽度WYCA2)的直线状导体1222A的顺序排列时，两个直线状导体1222B在Y方向上也按照具有小导体宽度(导体宽度WYCB1)的直线状导体1222B具有和具有大导体宽度(导体宽度WYCB2)的直线状导体1222B的顺序排列。
另一方面，在图125的第二变型例中，具有不同导体宽度的两个直线状导体1222A的布置与两个直线状导体1222B的布置不同。具体地说，当两个直线状导体1222A在Y方向上按照具有小导体宽度(导体宽度WYCA1)的直线状导体1222A和具有大导体宽度(导体宽度WYCA2)的直线状导体1222A的顺序排列时，两个直线状导体1222B在Y方向上按照具有大导体宽度(导体宽度WYCB1)的直线状导体1222B和具有小导体宽度(导体宽度WYCB2)的直线状导体1222B的顺序排列。换言之，具有不同导体宽度的两个直线状导体1222A和1222B在Y方向上呈镜像对称布置。
除了直线状导体1222A和1222B的导体宽度彼此不同之外，图125的第二变型例与图123的第二结构示例相同。
即使在图124和125的第一变型例和第二变型例中，当在预定平面范围(平面区域)中观看导体层C时，预定平面范围内的多个直线状导体1222A的导体宽度WYCA1和WYCA2的总和与多个直线状导体1222B的导体宽度WYCB1和WYCB2的总和是相同或基本相同的。因此，直线状导体1222A的电流分布与直线状导体1222B的电流分布是相同或基本相同的，能够抑制感应噪声的发生。
即使在图124和125的第一变型例和第二变型例中，也能够极大地降低电容性噪声并减轻导体层A和B的光屏蔽约束。此外，也能够降低配线电阻并降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
<三层导体层的第三结构示例>
图126示出了三层导体层的第三结构示例。
图126的A示出了导体层C(配线层165C)，图126的B示出了导体层A(配线层165A)，而图126的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图126的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图126的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图126的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
由于图126的B中的导体层A是与图122的第一结构示例中相同的网状导体1201，并且图126的C中的导体层B是与图122的第一结构示例中的相同的网状导体1202，因此省略对它的说明。
图126的A中的导体层C与图122的第一结构示例中的导体层C的相同之处在于，在X方向上延长的直线状导体1223A和在X方向上延长的直线状导体1223B在Y方向上周期性地排列。然而，在图122的第一结构示例中，在Y方向上顺序排列的直线状导体1221A的导体宽度都是与导体宽度WYCA相同的。
另一方面，在图126的第三结构示例中，对于在Y方向上周期性地交替布置的直线状导体1223A和直线状导体1223B之中的直线状导体1223A而言，具有不同导体宽度WYCA1和导体宽度WYCA2的直线状导体1223A在Y方向上交替地布置，而对于直线状导体1223B而言，布置具有相同导体宽度WYCB的直线状导体1223A。
除了直线状导体1223A和1223B的导体宽度彼此不同之外，图126的第三结构示例与图122的第一结构示例相同。
也就是说，直线状导体1223A例如是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。例如，直线状导体1223B是连接到正电源的配线(Vdd配线)。直线状导体1223A和1223B是电流方向彼此相反的差分导体。直线状导体1223A例如连接到半导体基板的外周部中的焊盘(未示出)，并且与导体层A的网状导体1201电连接。例如，导体层A的网状导体1201和导体层C的直线状导体1223A可以通过在Z方向上延伸的导体通孔来电连接。直线状导体1223B例如连接到半导体基板的外周部中的焊盘(未示出)，并且与导体层B的网状导体1202电连接。导体层B的网状导体1202和导体层C的直线状导体1223B可以通过例如在Z方向上延伸的导体通孔来电连接。
在Y方向上相邻的直线状导体1223A和直线状导体1223B之间形成有具有间隙宽度GYC的间隙。两根直线状导体1223A和两根直线状导体1223B在Y方向上以导体周期FYC(＝导体宽度WYCA1+导体宽度WYCA2+2×导体宽度WYCB+4×间隙宽度GYC)周期性地排列。导体宽度可以设计为任意宽度的导体宽度。此外，图126示出了其中两个直线状导体1223A和1223B被周期性地布置的示例，但是本技术不限于此，并且例如，可以周期性地布置三个或更多个直线状导体。此外，图126示出了在直线状导体1223A和直线状导体1223B中周期性地布置相同数量的直线状导体的示例，但是本技术不限于此，在直线状导体1223A和直线状导体1223B中可以周期性地设置不同数量的直线状导体。
当在预定的平面范围(平面区域)中观察沿Y方向以导体周期FYC周期性地布置有直线状导体1223A和直线状导体1223B的导体层C时，预定平面范围内的多个导体1223A的导体宽度WYCA1和WYCA2之和与多个直线状导体1223B的导体宽度WYCB之和是相同或基本相同的。因而，由于直线状导体1223A的电流分布与直线状导体1223B的电流分布相同或基本相同，并因此能够抑制感应噪声的发生。
即使在图126的第三结构示例中，也能够极大地降低电容性噪声并减轻导体层A和B的光屏蔽约束。此外，还能够降低配线电阻和降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局中的自由度。
<三层导体层第三结构示例的变型例>
图127示出了三层导体层的第三结构示例的变型例。
图127的A到F分别对应于图126中的A到F，并且将适当地省略由相同附图标记表示的相同部分的说明，并且将说明不同的部分。
在图126的第三结构示例中，在导体层C中沿Y方向周期性交替布置的直线状导体1223A和直线状导体1223B中，直线状导体1223A的导体宽度包括两种类型，包括导体宽度WYCA1和导体宽度WYCA2，并且各个直线状导体1223B具有相同的导体宽度WYCB。
另一方面，在图127的第三结构示例的变型例中，在导体层C中沿Y方向周期性地交替布置的直线状导体1223A和直线状导体1223B中，直线状导体1223A具有相同的导体宽度WYCA，直线状导体1223B的导体宽度包括导体宽度WYCB1和导体宽度WYCB2两种类型。在图127的第三结构示例的变型例中，关于直线状导体1223B，在Y方向上交替地布置有具有不同导体宽度WYCB1和WYCB2的直线状导体1223B。
除了直线状导体1223A和1223B的导体宽度彼此不同之外，图127的第三结构示例的变型例与图126的第三结构示例相同。
当在预定的平面范围(平面区域)中观察沿Y方向上以导体周期FYC周期性地布置有直线状导体1223A和直线状导体1223B的导体层C时，预定平面范围内的多个直线状导体1223A的导体宽度WYCA之和与多个直线状导体1223B的导体宽度WYCB1和WYCB2的总和是相同或基本相同的。因而，直线状导体1223A的电流分布与直线状导体1223B的电流分布相同或基本相同，并且因此能够抑制感应噪声的发生。
即使在图127的第三结构示例的变型例中，也能够极大地降低电容性噪声并减轻导体层A和B的光屏蔽约束。此外，还能够降低配线电阻和降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
<三层导体层的第四结构示例>
图128示出了三层导体层的第四结构示例。
图128的A示出了导体层C(配线层165C)，图128的B示出了导体层A(配线层165A)，而图128的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图128的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图128的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图128的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
在图128的第四结构示例中，与图122中所示的第一结构示例的那些部分相对应的部分由相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且说明将会集中于不同的部分。
图128的A中的导体层C与图122所示的第一结构示例的导体层C相同。也就是说，导体层C具有如下结构：其中，，在X方向上延长的直线状导体1221A和在X方向上延长的直线状导体1221B在Y方向上以导体周期FYC交替地排列。
图128的B中的导体层A具有与图121中相同的网状导体1201。此外，导体层A包括位于网状导体1201的间隙中的中继导体1241(第一中继导体)，所述间隙具有在X方向上的间隙宽度GXA和在Y方向上的间隙宽度GYA。中继导体1241以一对一的方式布置在网状导体1201的所有间隙中。中继导体1241之间的间隔，换句话说，中继导体1241的周期也包括导体周期FXA和FYA。
例如，中继导体1241是连接到正电源的配线(Vdd配线)，并且在图120的C中所示的堆叠顺序的情况下，导体层B的网状导体1202例如通过在Z方向延伸的导体通孔电连接到导体层C的直线状导体1221B。换言之，导体层B的网状导体1202经由导体层A的中继导体1241与导体层C的直线状导体1221B电连接。此外，在中继导体1241中，例如，在图120的A中所示的堆叠顺序的情况下，导体层B的网状导体1202例如可以通过在Z方向延伸的导体通孔与不同于导体层A至C的导体层的导体电连接。此外，在中继导体1241中，例如，在图120的B中所示的堆叠顺序的情况下，导体层C的直线状导体1221B例如可以通过在Z方向上延伸的导体通孔与不同于导体层A到C的导体层的导体电连接。此外，所有中继导体1241可不用于电气连接，所有中继导体1241可用于电气连接，并且部分中继导体1241可用于电气连接。
通过提供中继导体1241，能够以基本上最短的距离或短的距离将网状导体1202连接到直线状导体1221B以引出电源电压，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
图128的C中的导体层B具有与图121相同的网状导体1202。此外，导体层B包括在网状导体1202的间隙中的中继导体1242(第二中继导体)，该间隙具有在X方向上的间隙宽度GXB和在Y方向上的间隙宽度GYB。中继导体1242以一对一的方式布置在网状导体1202的所有间隙中。中继导体1242之间的间隔，换句话说，中继导体1242的周期也是导体周期FXB和FYB。
例如，中继导体1242是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)，并且在图120的A所示的堆叠顺序的情况下，导体层A的网状导体1201例如通过在Z方向上延伸的导体通孔电连接到导体层C的直线状导体1221A。换言之，导体层A的网状导体1201经由导体层B的中继导体1242与导体层C的直线状导体1221A电连接。此外，在中继导体1242中，例如，在图120的C所示的堆叠顺序的情况下，导体层A的网状导体1201可以例如通过在Z方向上延伸的导体通孔与不同于导体层A到C的导体层的导体电连接。此外，在中继导体1242中，例如，在图120的B中所示的堆叠顺序的情况下，导体层C的直线状导体1221A可以例如通过在Z方向上延伸的导体通孔与不同于导体层A到C的导体层的导体电连接。此外，所有中继导体1242可不用于电气连接，所有中继导体1242可用于电气连接，并且部分中继导体1242可用于电气连接。
通过设置中继导线1242，网状导体1201和直线状导体1221A能够以基本上最短的距离或短距离彼此连接，并且能够降低电压降、能量损失或感应噪声。
此外，由于图128的A中的直线状导体1221A和直线状导体1221B是在X方向上延长的导体，所以电流容易流动的方向是X方向。此外，电流容易在图128的B和C的网状导体1201和1202中流动的方向是Y方向。因此，电流在导体层C中容易流动的方向和电流在导体层A和B中容易流动的方向基本上是正交的，并且彼此相差约90度。因此，由于电流容易扩散(电流难以集中)，所以能够进一步降低感应噪声。
如图128的F所示，导体层A和B的堆叠具有遮光结构。此外，如图128的D和E所示，导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠也具有遮光结构，并且保持遮光特性。因此，能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。此外，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局中的自由度。
<三层导体层的第四结构示例的变型例>
图129示出了三层导体层的第四结构示例的第一变型例。
图129的A示出了导体层C(配线层165C)，图129的B示出了导体层A(配线层165A)，而图129的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图129的D是导体层A和导体层C堆叠的状态下的平面图，图129的E是导体层B和导体层C堆叠的状态下的平面图，图129的F是导体层A和导体层B堆叠状态下的平面图。
在图129中，与图128所示的第四结构示例的相对应的那些部分用相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且将集中说明不同的部分。
在第四结构示例的第一变型例中，只有图129的A中的导体层C的结构与图128中的结构不同。
在图128的A中的导体层C中，在X方向上延长的直线状导体1221A和在X方向上延长的直线状导体1221B在Y方向上以导体周期FYC周期性地交替布置。此外，电流在导体层C中容易流动的方向和电流容易在导体层A和B中流动的方向基本上正交并且相差约90度。
另一方面，在图129的A的导体层C中，沿Y方向延长的直线状导体1251A和沿Y方向延长的直线状导体1251B在X方向上周期性地交替布置。
此外，由于图129的A中的直线状导体1251A和直线状导体1251B是在Y方向上延长的导体，因此电流容易流向的方向是Y方向。此外，电流容易在图128的B和C的网状导体1201和1202中流动的方向是Y方向。因此，电流在导体层C中容易流动的方向与电流在导体层A和B中容易流动的方向相同或基本相同。在这种情况下，能够根据配线布局进一步降低电压降。大约90度并且方向基本相同可以是两个方向之间的差能够被视为是90度或相同角度的范围，但是其是相对于90度或相同角度而言没有至少45度或以上的差的状态。
例如，直线状导体1251A是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。例如，直线状导体1251B是连接到正电源的配线(Vdd配线)。直线状导体1251A和直线状导体1251B是电流方向彼此相反的差分导体。直线状导体1251A例如连接到半导体基板的外周部中的焊盘(未示出)，并且与导体层A的网状导体1201电连接。导体层A的网状导体1201和导体层C的直线状导体1251A可以通过例如在Z方向延伸的导体通孔进行电连接。直线状导体1251B例如连接到半导体基板的外周部中的焊盘(未示出)，并且与导体层B的网状导体1202电连接。导体层B的网状导体1202和导体层C的直线状导体1251B可以通过例如在Z方向上延伸的导体通孔进行电连接。
直线状导体1251A在X方向具有导体宽度WXCA，直线状导体1251B在X方向具有导体宽度WXCB，直线状导体1251A的导体宽度WXCA与直线状导体1251B的导体宽度WXCB相同或基本相同(导体宽度WXCA＝导体宽度WXCB，导体宽度WXCA≈导体宽度WXCB)。Y方向的直线状导体1251A和直线状导体1251B之间形成具有间隙宽度GXC的间隙。
此外，一个直线状导体1251A和一个直线状导体1251B在X方向上以导体周期FXC(＝导体宽度WXCA+导体宽度WXCB+2×间隙宽度GXC)周期性地布置。换句话说，直线状导体1251A的导体周期FXC与直线状导体1251B的导体周期FXC相同或基本相同。
作为导体层C的直线状导体1251A的重复周期的导体周期FXC是导体层A的网状导体1201在X方向上的重复周期FXA的整数倍。图129示出了其中导体周期FXC是导体周期FYA的两倍的示例。
作为导体层C的直线状导体1251B的重复周期的导体周期FXC是导体层B的网状导体1202在X方向上的重复周期FXB的整数倍。图129示出了其中导体周期FXC是导体周期FXB的两倍的示例。
导体宽度WXCA、导体宽度WXCB和间隙宽度GXC可以被设计为具有任何值。
当在预定的平面范围(平面区域)中观看沿X方向以导体周期FXC周期性地布置有直线状导体1251A和直线状导体1251B的导体层C时，直线状导体1251A的导体宽度WXCA与直线状导体1251B的导体宽度WXCB相同或基本相同，因此，在预定的平面范围内，多个直线状导体1251A的导体宽度WXCA之和与多个直线状导体1251B的导体宽度WXCB之和相同或基本相同。因此，直线状导体1251A的电流分布与直线状导体1251B的电流分布相同或基本相同，并且因此，能够抑制感应噪声的发生。
此外，例如，当导体层C如图120的C所示布置在配线层170附近时，可能产生由于导体层C的直线状导体1251A和直线状导体1251B与配线层170的信号线132或控制线133之间的电容耦合而导致的电容性噪声，但是由于直线状导体1251A和直线状导体1251B具有相同的在X方向上重复的配线图案，所以能够在X方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
导体层A和B的堆叠具有如图129的F所示的遮光结构，使得从有源元件组167发射的热载流子光能够被屏蔽，并且导体层A和C的堆叠也具有如图129的D所示的遮光结构，使得遮光特性得以保持。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且能够降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
此外，当导体层A的网状导体1201和导体层C的直线状导体1251A彼此电连接并且导体层B的网状导体1202和导体层C的直线状导体1251B彼此电连接时，能够减少流过导体层A和B的电流量，因此，能够进一步降低导体层A或B的感应噪声或电压降。
图130示出了三层导体层的第四结构示例的第二变型例。
图130的A到F分别对应于图129中的A到F，将适当地省略由相同附图标记表示的公共部分的说明，并且将说明不同的部分。
在图129的第一变型例中，在导体层A的网状导体1201和导体层B的网状导体1202的间隙的位置之中，在X方向上的位置彼此不同并且在Y方向上的位置一致。
另一方面，在图130的第二变型例中，在导体层A的网状导体1201和导体层B的网状导体1202的间隙的位置之中，X方向上的位置一致并且Y方向上的位置彼此不同。
换句话说，当将与配线层170的信号线132延伸的方向(Y方向)相同或基本相同方向上的导体层A的网状导体1201的导体和导体层B的网状导体1202的导体进行相互比较时，从堆叠方向看，所有导体重叠。具有这种配置的导体层A和导体层B对应于图27中所示的导体层A和B的第六结构示例，并且能够如图28的C中的模拟结果所示，极大地降低感应噪声。
当将导体层A的中继导体1241的位置与导体层B的中继导体1242的位置进行比较时，在图129的第一变型例中，X方向上的位置不同并且Y方向上的位置相同。另一方面，在图130的第二变型例中，X方向上的位置相同并且Y方向上的位置不同。
在图129的第一变型例中，导体层A和B的堆叠以及导体层A和C的堆叠具有遮光结构，并且保持遮光特性。另一方面，在图130的第二变型例中，导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠具有遮光结构，并且保持遮光特性。
除上述各点之外，图130的第二变型例与图129的第一变型例相同。
即使在图130的第二变型例中，当在预定平面范围(平面区域)中观看导体层C时，直线状导体1251A的电流分布与直线状导体1251B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
此外，由于电容性噪声能够在X方向上被完全抵消，所以能够大大降低电容性噪声。由于导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠具有遮光结构，因此能够显著减轻导体层A和B的光屏蔽约束。此外，还能够降低配线电阻和降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
<三层导体层的第五结构的示例>
图131示出了三层导体层的第五结构示例。
图131的A示出了导体层C(配线层165C)，图131的B示出了导体层A(配线层165A)，而图131的C示出了导体层B(配线层165B)。
图131的D是导体层A和导体层C堆叠的状态下的平面图，图131的E是导体层B和导体层C堆叠的状态下的平面图，图131的F是导体层A和导体层B堆叠状态下的平面图。
在图131的第五结构示例中，与图128中所示的第四结构示例的那些相对应的部分用相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且说明将关注于不相同的部分。
图131中的导体层A包括网状导体1261。网状导体1261与图128所示的第四结构示例的网状导体1201的不同之处在于X方向上的间隙宽度GXA与Y方向上的间隙宽度GYA的比率。具体地说，在图128所示的第四结构示例的导体层A的网状导体1201中，(间隙宽度GYA/间隙宽度GXA)>1，而在图131的B的第五结构示例中的导体层A的网状导体1261中，(间隙宽度GYA/间隙宽度GXA)<1。
换言之，图128所示的第四结构示例的导体层A的网状导体1201是其中导体宽度WXA>导体宽度WYA和间隙宽度GYA>间隙宽度GXA的导体，并且电流容易在Y方向流动，而图131的B中所示的第五结构示例的导体层A的网状导体1261是其中导体宽度WXA<导体宽度WYA和间隙宽度GYA<间隙宽度GXA的导体，并且电流容易在X方向流动。
此外，换言之，图128所示的第四结构示例的导体层C中的电流容易流动的方向与导体层A和B中电流容易流动的方向基本上正交并相差约90度，而在图131的第五结构示例中的导体层C中电流容易流动的方向与在导体层A和B中电流容易流动的方向相同或基本相同。在图131的第五结构示例的情况下，根据配线布局，能够进一步降低电压降。
在图128所示的第四结构示例中，当比较导体层A的网状导体1201和导体层B的网状导体1202的间隙的位置时，在X方向上的位置不同并且在Y方向上的位置一致。
另一方面，在图131的B的第五结构示例中，导体层A的网状导体1261和导体层B的网状导体1262的间隙在X方向上的位置一致并且在Y方向上的位置不同。
换句话说，当将与配线层170的信号线132延伸的方向(Y方向)相同或基本相同的导体层A的网状导体1261的导体和导体层B的网状导体1262的导体相互比较时，从堆叠方向看，所有导体重叠。具有这种配置的导体层A和导体层B对应于图27中所示的导体层A和B的第六结构示例，并且能够如图28的C中的模拟结果所示，极大地降低感应噪声。
除了上述方面之外，图130的第二变型例与图128中所示的第四结构示例相同。
图131的A中的导体层C与图128所示的第四结构示例的导体层C相同。因此，当在预定平面范围(平面区域)观看导体层C时，直线状导体1221A的电流分布与直线状导体1221B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1221A和直线状导体1221B具有在Y方向上重复的相同配线图案，所以能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
导体层A和B的堆叠具有如图131的F所示的遮光结构，使得从有源元件组167发射的热载流子光能够被屏蔽，并且导体层A和C的堆叠还具有如图131的D所示的遮光结构，使得遮光特性得以保持。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且能够降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
此外，当导体层A的网状导体1261与导体层C的直线状导体1221A电连接并且导体层B的网状导体1262电连接到导体层C的直线状导体1221B时，能够减小流过导体层A和B的电流量，并因此能够进一步降低导体层A或B的感应噪声或电压降。
<三层导体层的第六结构示例>
图132示出了三层导体层的第六结构示例。
图132的A示出了导体层C(配线层165C)，图132的B示出了导体层A(配线层165A)，而图132的C示出了导体层B(配线层165B)。
图132的D是导体层A和导体层C堆叠的状态下的平面图，图132的E是导体层B和导体层C堆叠的状态下的平面图，图132的F是导体层A和导体层B堆叠状态下的平面图。
在图132的第六结构示例中，与图128中所示的第四结构示例的那些相对应的部分由相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且说明将关注于不相同的部分。
图132的第六结构示例下述结构：其中，省略了图128所示的第四结构示例中的导体层A的一部分中继导体1241。具体地，在图128的第四结构示例中，中继导体1241以矩阵形式形成在网状导体1201的所有间隙中，而在图132的第六结构示例中，形成有中继导体1241的行和没有中继导体1241的行在Y方向上以行为单位交替地排列。导体层A的中继导体1241位于导体层C的直线状导体1221B的XY平面区域中。
因此，在网状导体1201的各个间隙中形成的中继导体1241可以被稀疏化并且被布置在一部分间隙中，而不是被布置在所有间隙中。能够在导体层A等中保持对于配线区域的占用率的约束，并且增大了配线布局的设计的自由度。
除上述方面之外，图132的第六结构示例与图128中所示的第四结构示例相同。
图132的A中的导体层C与图128所示的第四结构示例的导体层C相同。因此，当在预定平面范围(平面区域)观看导体层C时，直线状导体1221A的电流分布与直线状导体1221B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1221A和直线状导体1221B具有在Y方向上重复的相同配线图案，所以能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
导体层A和B的堆叠具有如图132的F所示的遮光结构，使得从有源元件组167发射的热载流子光能够被屏蔽，并且导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠还具有如图132的D和E中所示的遮光结构，使得遮光特性得以保持。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
通过在导体层A中设置中继导体1241，能够以基本上最短的距离或短距离将网状导体1202连接到直线状导体1221B以引出电源电压，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B上设置中继导体1242，网状导体1201和直线状导体1221A能够以基本上最短的距离或短距离彼此连接，并且能够降低电压降、能量损失或感应噪声。
在图132的第六结构示例中，导体层C中电流容易流动的方向和导体层A和B中电流容易流动的方向基本上正交并且彼此相差约90度。因此，由于电流容易扩散(电流难以集中)，所以能够进一步降低感应噪声。
<三层导体层的第六结构示例的变型例>
图133示出了三层导体层的第六结构示例的变型例。
图133的A示出了导体层C(配线层165C)，图133的B示出了导体层A(配线层165A)，而图133的C示出了导体层B(配线层165B)。
图133的D是导体层A和导体层C堆叠的状态下的平面图，图133的E是导体层B和导体层C堆叠的状态下的平面图，图133的F是导体层A和导体层B堆叠状态下的平面图。
在图133中，与图132中所示的第六结构示例的那些相对应的部分用相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且将集中说明不同的部分。
在第六结构示例的变型例中，导体层A和C的配置不同于图132的第六结构示例中的配置。
在图132的A的导体层C中，在X方向上延长的直线状导体1221A和在X方向上延长的直线状导体1221B在Y方向上周期性地交替排列。因此，在导体层C中电流容易流动的方向和在导体层A和B中电流容易流动的方向基本上正交并且相差约90度。
另一方面，在图133的A的导体层C中，在Y方向上延长的直线状导体1251A和在Y方向上延长的直线状导体1251B在X方向上周期性地交替排列。因此，在导体层C中电流容易流动的方向与在导体层A和B中电流容易流动的方向是相同或基本相同的。在这种情况下，能够根据配线布局进一步降低电压降。
此外，在图132的B中的导体层A中，在网状导体1201中的矩阵形式的间隙中，在Y方向上以行为单位交替地布置形成有中继导体1241的行和未形成有中继导体1241的行。
另一方面，在图133的B中的导体层A中，在网状导体1201中的矩阵形式的间隙中，在X方向上以列为单位交替地布置形成有中继导体1241的列和未形成有中继导体1241的列。导体层A的中继导体1241位于导体层C的直线状导体1251B的XY平面区域中。
除了上述方面之外，图133的第六结构示例的变型例与图132中所示的第六结构示例相同。
图133的A中的导体层C与图129所示的第四结构示例的第一变型例的导体层C相同。因此，直线状导体1251A的电流分布与直线状导体1251B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1251A和直线状导体1251B具有在X方向上重复的相同的配线图案，所以能够在X方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
导体层A和B的堆叠具有如图133的F所示的遮光结构，使得从有源元件组167发射的热载流子光能够被屏蔽，并且导体层A和C的堆叠还具有如图133的D所示的遮光结构，使得遮光特性得以保持。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且能够降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
此外，当导体层A的网状导体1201和导体层C的直线状导体1251A彼此电连接并且导体层B的网状导体1202和导体层C的直线状导体1251B彼此电连接时，能够减少流过导体层A和B的电流量，并因此，能够进一步降低导体层A或B的感应噪声或电压降。
虽然在图133的第六结构示例的变型例中，导体层A的中继导体1241被稀疏化，并且导体层B的中继导体1242没有被稀疏化，但是可以采用下述结构：其中，导体层A的中继导体1241没有被稀疏化，而导体层B的中继导体1242被稀疏化。
<三层导体层的第七结构示例>
图134示出了三层导体层的第七结构示例。
图134的A示出了导体层C(配线层165C)，图134的B示出了导体层A(配线层165A)，而图134的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图134的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图134的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图134的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
在图134的第七结构示例中，与图131中所示的第五结构示例的那些相对应的部分由相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且说明将关注于不相同的部分。
第七结构示例与图131的第五结构示例仅在图134的B中的导体层A的结构上是不同的。第七结构示例的导体层B和C与图131的第五结构示例的导体层B和C相同。
第七结构示例中的图134的B中的导体层A包括网状导体1271。此外，在导体层A中，在网状导体1271的具有X方向上的间隙宽度GXA和具有Y方向上的间隙宽度GYA的间隙中未形成有中继导体1241。
换句话说，图134的B中的网状导体1271的间隙宽度GXA和间隙宽度GYA小于图131的B中的网状导体1261的间隙宽度GXA和间隙宽度GYA，并且没有足够的空间来形成中继导体1241。
除了上述方面之外，图134的第七结构示例与图131中示出的第五结构示例相同。
图134的A中的导体层C与图131所示的第五结构示例的导体层C相同。因此，当在预定平面范围(平面区域)观看导体层C时，直线状导体1221A的电流分布与直线状导体1221B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1221A和直线状导体1221B具有在Y方向上重复的相同配线图案，所以能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
导体层A和B的堆叠具有如图134的F所示的遮光结构，使得从有源元件组167发射的热载流子光能够被屏蔽，并且导体层A和C的堆叠还具有如图134的D中所示的遮光结构，使得遮光特性得以保持。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且能够降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
图134的第七结构示例特别适合于其中包括导体层A到C的三层能够电连接的堆叠顺序，具体地，图120的B中所示的堆叠顺序。在图120的B所示的导体层A、C和B的堆叠顺序的情况下，导体层A的网状导体1271和导体层C的直线状导体1221A可以在平面区域彼此重叠的区域的一部分中通过在Z方向上的导体通孔而彼此连接，并且导体层B的网状导体1262和中继导体1242可以分别连接到导体层C的直线状导体1221B和1221A，使得具有相同电流特性的导体在平面区域彼此重叠的区域的一部分中通过在Z方向上的导体通孔而彼此连接。
<三层导体层的第八结构示例>
图135示出了三层导体层的第八结构示例。
图135的A示出了导体层C(配线层165C)，图135的B示出了导体层A(配线层165A)，而图135的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图135的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图135的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图135的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
图135的第八结构示例具有改变图128所示的第四结构示例的一部分的结构，并且将通过与第四结构示例的比较来说明图135的第八结构示例。在图135中，与图128中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示。
图135的A中的导体层C与图128的A中所示的第四结构示例的导体层C相同。也就是说，导体层C具有下述结构：其中，在X方向上延长的直线状导体1221A和在X方向上延长的直线状导体1221B在Y方向上周期性地交替布置。
图135的B中的导体层A具有省略了图128所示的第四结构示例中的导体层A的一些中继导体1241的结构。具体地说，在图128的第四结构示例中，中继导体1241形成在网状导体1201的矩阵形式的所有间隙中，而在图135的第八结构示例中，形成有中继导体1241的行和未形成中继导体1241的行在Y方向上以行为单位交替地排列。
类似地，图135的C中的导体层B具有省略了图128所示的第四结构示例中的导体层B的一些中继导体1242的结构。具体地说，在图128的第四结构示例中，中继导体1242形成在网状导体1202的矩阵形式的所有间隙中，而在图135的第八结构示例中，形成有中继导体1242的行和未形成中继导体1242的行在Y方向上以行为单位交替地排列。
因此，图135的第八结构示例具有下述结构：其中，对于导体层A，布置在网状导体1201的矩阵形式的间隙中的中继导体1241基于图128所示的第四结构示例以行为单位每隔一行进行稀疏化，并且对于导体层B，布置在网状导体1202的矩阵形式的间隙中的中继导体1242以行为单位每隔一行进行稀疏化。
除了上述方面之外，图135的第八结构示例与图128中所示的第四结构示例相同。
当在预定平面范围(平面区域)中观看图135的A中的导体层C时，直线状导体1221A的电流分布与直线状导体1221B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1221A和直线状导体1221B具有在Y方向上重复的相同的配线图案，所以能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
导体层A和B的堆叠具有如图135的F所示的遮光结构，使得从有源元件组167发射的热载流子光能够被屏蔽，并且导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠还具有如图135的D和E中所示的遮光结构，使得遮光特性得以保持。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
通过在导体层A中设置中继导体1241，能够以基本上最短的距离或短距离将网状导体1202连接到直线状导体1221B以引出电源电压，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B中设置中继导体1242，网状导体1201和直线状导体1221A能够以基本上最短的距离或短距离彼此连接，并且能够降低电压降、能量损失或感应噪声。
在图135的第八结构示例中，在导体层C中电流容易流动的方向和在导体层A和B中电流容易流动的方向基本上正交并且彼此相差约90度。因此，由于电流容易扩散(电流难以集中)，所以能够进一步降低感应噪声。
<三层导体层的第八结构示例的第一变型例>
图136示出了三层导体层的第八结构示例的第一变型例。
图136的A示出了导体层C(配线层165C)，图136的B示出了导体层A(配线层165A)，而图136的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图136的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图136的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图136的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
在图136中，与图135所示的第八结构示例的那些相对应的部分用相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且说明将关注于不相同的部分。
在第八结构示例的第一变型例中，导体层A到C的结构不同于图135的第八结构示例。
在图135的A所示的导体层C中，在X方向上延长的直线状导体1221A和在X方向上延长的直线状导体1221B在Y方向上周期性的交替排列。因此，在导体层C中电流容易流动的方向和在导体层A和B中电流容易流动的方向基本上正交并且相差约90度。
另一方面，在图136的A的导体层C中，在Y方向上延长的直线状导体1251A和在Y方向上延长的直线状导体1251B在X方向上周期性地交替排列。因此，在导体层C中电流容易流动的方向与在导体层A和B中电流容易流动的方向相同或基本相同。在这种情况下，能够根据配线布局进一步降低电压降。
接着，在图135的B所示的导体层A中，在网状导体1201的矩阵形式的间隙中，形成有中继导体1241的行和未形成中继导体1241的行在Y方向上以行为单位交替排列。
另一方面，在图136的B中的导体层A中，在网状导体1201的矩阵形式的间隙中，形成有中继导体1241的列和未形成中继导体1241的列在X方向上以列为单位交替排列。导体层A的中继导体1241位于导体层C的直线状导体1251B的XY平面区域中。
此外，在图135的C所示的导体层B中，在网状导体1202的矩阵形式的间隙中，在Y方向上以行为单位交替地布置形成有中继导体1242的行和未形成中继导体1242的行。
另一方面，在图136的C中的导体层B中，在网状导体1202的矩阵形式的间隙中，在X方向上以列为单位交替地布置形成有中继导体1242的列和未形成中继导体1242的列。
除了上述方面之外，图136的第八结构示例的第一变型例与图135中所示的第八结构示例相同。
当在预定平面范围(平面区域)中观看图136的A中的导体层C时，直线状导体1251A的电流分布与直线状导体1251B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1251A和直线状导体1251B具有在X方向上重复的相同的配线图案，所以能够在X方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
导体层A和B的堆叠具有如图136的F所示的遮光结构，使得从有源元件组167发射的热载流子光能够被屏蔽，并且导体层A和C的堆叠还具有如图136的D所示的遮光结构，使得遮光特性得以保持。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且能够降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
此外，当导体层A的网状导体1201和导体层C的直线状导体1251A彼此电连接并且导体层B的网状导体1202和导体层C的直线状导体1251B彼此电连接时，能够减少流过导体层A和B的电流量，因此，能够进一步降低导体层A或B的感应噪声或电压降。
通过在导体层A中设置中继导体1241，能够以基本上最短的距离或短距离连接网状导体1202和直线状导体1251B以引出电源，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B上设置中继导体1242，网状导体1201和直线状导体1251A能够以基本上最短的距离或短距离彼此连接，并且能够降低电压降、能量损失或感应噪声。
<三层导体层的第八结构示例的第二变型例>
图137示出了三层导体层的第八结构示例的第二变型例。
图137的A示出了导体层C(配线层165C)，图137的B示出了导体层A(配线层165A)，而图137的C示出了导体层B(配线层165B)。
图137的D是导体层A和导体层C堆叠的状态下的平面图，图137的E是导体层B和导体层C堆叠的状态下的平面图，图137的F是导体层A和导体层B堆叠状态下的平面图。
在图137中，与图135所示的第八结构示例的那些相对应的部分用相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且说明将关注于不相同的部分。
在第八结构示例的第二变型例中，导体层A和B的配置不同于图135的第八结构示例。
当将图137的B中的导体层A与图135中所示的第八结构示例进行比较时，在其中没有形成网状导体1201的中继导体1241的间隙中新添加了具有Y方向上的导体宽度WYAd1的加强导体1281。加强导体1281是直线状导体，其在X方向上的导体宽度为间隙宽度GXA并且在X方向上延长。
当将图137的C中的导体层B与图135中所示的第八结构示例进行比较时，在其中没有形成网状导体1202的中继导体1242的间隙中新添加了具有Y方向上的导体宽度WYBd1的加强导体1282。加强导体1282是直线状导体，其在X方向上的导体宽度为间隙宽度GXB并且在X方向上延长。
除上述方面之外，图137的第八结构示例的第二变型例与图135中所示的第八结构示例相同。
当在预定平面范围(平面区域)中观看图137的A中的导体层C时，直线状导体1221A的电流分布与直线状导体1221B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1221A和直线状导体1221B具有在Y方向上重复的相同的配线图案，所以能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
导体层A和B的堆叠具有如图137的F所示的遮光结构，使得从有源元件组167发射的热载流子光能够被屏蔽，并且导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠还具有如图137的D和E中所示的遮光结构，使得遮光特性得以保持。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
通过在导体层A中设置中继导体1241，能够以基本上最短的距离或短距离将网状导体1202连接到直线状导体1221B以引出电源电压，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B上设置中继导体1242，网状导体1201和直线状导体1221A能够以基本上最短的距离或短距离彼此连接，并且能够降低电压降、能量损失或感应噪声。
在图137的第八结构示例的第二变型例中，在导体层C中电流容易流动的方向和在导体层A和B中电流容易流动的方向基本上正交并且彼此相差约90度。因此，由于电流容易扩散(电流难以集中)，所以能够进一步降低感应噪声。
通过在导体层A中的中继导体1241被稀疏化的位置处布置在X方向上延长的加强导体1281，能够降低配线电阻，并因此能够进一步降低电压降。也能够通过降低电压降来降低感应噪声。
通过在导体层B中的中继导体1242被稀疏化的位置处布置在X方向上延长的加强导体1282，能够降低配线电阻，从而能够进一步降低电压降。也可以通过降低电压降来降低感应噪声。
<三层导体层的第八结构示例的第三变型例>
图138示出了三层导体层的第八结构示例的第三变型例。
图138的A示出了导体层C(配线层165C)，图138的B示出了导体层A(配线层165A)，而图138的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图138的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图138的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图138的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
在图138中，与图135所示的第八结构示例的那些相对应的部分由相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且说明将关注于不相同的部分。
在第八结构示例的第三变型例中，导体层A和B的结构不同于图135的第八结构示例的结构。
首先，在导体层A的情况下，在图135所示的第八结构示例中，网状导体1201的矩阵形式的各个间隙共同地具有Y方向上的间隙宽度GYA。换句话说，在网状导体1201的矩阵形式的所有间隙中，Y方向上的间隙宽度GYA是相同的。
另一方面，在图138的B中的导体层A中，其中形成有中继导体1241的间隙具有Y方向上的间隙宽度GYA，并且其中未形成中继导体1241的间隙具有Y方向上的小于间隙宽度GYA的间隙宽度GYAd1(间隙宽度GYA>间隙宽度GYAd1)。
此外，在导体层B的情况下，在图135所示的第八结构示例中，网状导体1202的矩阵形式的间隙共同地具有Y方向上的间隙宽度GYB。换句话说，在网状导体1202的矩阵形式的所有间隙中，Y方向上的间隙宽度GYB是相同的。
另一方面，在图138的C中的导体层B中，其中形成有中继导体1242的间隙具有Y方向上的间隙宽度GYB，并且其中未形成中继导体1242的间隙具有Y方向上的小于间隙宽度GYB的间隙宽度GYBd1(间隙宽度GYB>间隙宽度GYBd1)。
除上述方面之外，图138中的第八结构示例的第三变型例与图135中所示的第八结构示例相同。
当在预定平面范围(平面区域)中观看图138的A中的导体层C时，直线状导体1221A的电流分布与直线状导体1221B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1221A和直线状导体1221B具有在Y方向上重复的相同的配线图案，所以能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
导体层A和B的堆叠具有如图138的F所示的遮光结构，使得从有源元件组167发射的热载流子光能够被屏蔽，并且导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠还具有如图138的D和E中所示的遮光结构，使得遮光特性得以保持。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
通过在导体层A中设置中继导体1241，能够以基本上最短的距离或短距离将网状导体1202连接到直线状导体1221B以引出电源电压，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B上设置中继导体1242，网状导体1201和直线状导体1221A能够以基本上最短的距离或短距离彼此连接，并且能够降低电压降、能量损失或感应噪声。
在图138的第八结构示例的第三变型例中，在导体层C中电流容易流动的方向和在导体层A和B中电流容易流动的方向基本上正交并且彼此相差约90度。因此，由于电流容易扩散(电流难以集中)，所以能够进一步降低感应噪声。
在导体层A中，通过使在中继导体1241被稀疏化的位置处的间隙宽度GYAd1小于在形成中继导体1241的位置处的间隙宽度GYA，能够减小配线电阻，从而能够进一步减小电压降。通过降低电压降也能够降低感应噪声。
在导体层B中，通过使在中继导体1242被稀疏化的位置处的间隙宽度GYBd1小于在形成中继导体1242的位置处的间隙宽度GYB，能够减小配线电阻，从而能够进一步减小电压降。通过降低电压降也能够降低感应噪声。
在图138的第八结构示例的第三变型例中，当导体层A的网状导体1201在Y方向上的导体宽度WYA增加时，在中继导体1241被稀疏化的位置处的间隙宽度GYAd1可以小于在形成中继导体1241的位置处的间隙宽度GYA，并且Y方向上的导体宽度WYA可以与图135中的第八结构示例中的相同。这同样适用于导体层B的网状导体1202。
<三层导体层的第八结构示例的第四变型例>
图139示出了三层导体层的第八结构示例的第四变型例。
图139的A示出了导体层C(配线层165C)，图139的B示出了导体层A(配线层165A)，而图139的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图139的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图139的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图139的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
图139的第八结构示例的第四变型例具有图136的第八结构示例的第一变型例被部分修改的结构。在图139中，与图136中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示，将适当地省略这部分的说明，并且将说明不相同的部分。
在图136的第一变型例中，当导体层A的网状导体1201和导体层B的网状导体1202的间隙的位置彼此比较时，X方向上的位置不同并且Y方向上的位置一致。
另一方面，在图139的第四变型例中，当比较导体层A的网状导体1201和导体层B的网状导体1202的间隙的位置时，在X方向上的位置一致并且在Y方向上的位置彼此不同。
除上述方面之外，图139的第八结构示例的第四变型例与图136的第一变型例相同。例如，第四变型例与第一变型例的相同之处在于，在导体层A中，在网状导体1201的矩阵形式的间隙中，形成有中继导体1241的列和未形成中继导体1241的列在X方向上以列为单位交替地布置，并且在导体层B中，在网状导体1202的矩阵形式的间隙中，形成有中继导体1242的列和未形成中继导体1242的列在X方向上以列为单位交替地布置。
此外，图139的第八结构示例的第四变型例对应于下述结构：基于图130所示的第四结构示例的第二变型例在导体层A中以列为单位每隔一列将中继导体1241稀疏化，并且，基于图130所示的第四结构示例的第二变型例在导体层B中以列为单位每隔一列将中继导体1242稀疏化。
当在预定平面范围(平面区域)中观看图139的A中的导体层C时，直线状导体1251A的电流分布与直线状导体1251B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1251A和直线状导体1251B具有在X方向上重复的相同的配线图案，所以能够在X方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
如图139的D和E所示，导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠具有遮光结构，使得遮光特性得以保持。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且能够降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
此外，当导体层A的网状导体1201和导体层C的直线状导体1251A彼此电连接并且导体层B的网状导体1202和导体层C的直线状导体1251B彼此电连接时，能够减少流过导体层A和B的电流量，因此，能够进一步降低导体层A或B的感应噪声或电压降。
在图139的A的导体层C中，电流在导体层C中容易流动的方向与电流在导体层A和B中容易流动的方向相同或基本相同。在这种情况下，能够根据配线布局进一步减小电压降。
通过在导体层A中设置中继导体1241，能够以基本上最短的距离或短距离连接网状导体1202和直线状导体1251B以引出电源，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B上设置中继导体1242，网状导体1201和直线状导体1251A能够以基本上最短的距离或短距离彼此连接，并且能够降低电压降、能量损失或感应噪声。
<三层导体层的第八结构示例的第五变型例>
图140示出了三层导体层的第八结构示例的第五变型例。
图140的A示出了导体层C(配线层165C)，图140的B示出了导体层A(配线层165A)，而图140的C示出了导体层B(配线层165B)。
图140的D是导体层A和导体层C堆叠的状态下的平面图，图140的E是导体层B和导体层C堆叠的状态下的平面图，图140的F是导体层A和导体层B堆叠状态下的平面图。
图140的第八结构示例的第五变型例具有图136所示的第八结构示例的第一变型例的一部分被改变的结构。在图140中，与图136中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且将说明不相同的部分。
第八结构示例的第五变型例与图136中的第八结构示例的第一变型例仅在导体层B的结构上不同。
在图136的第一变型例中，在导体层B中，在网状导体1202的矩阵形式的间隙中，形成有中继导体1242的列和未形成中继导体1242的列在X方向上以列为单位交替地排列。换句话说，中继导体1242以列为单位每隔一列被稀疏化。
另一方面，在图140的导体层B中，在网状导体1202的矩阵形式的间隙中，形成有中继导体1242的列和未形成中继导体1242的列在X方向上以两列为单位交替地布置。换句话说，中继导体1242以两列为单位每两列被稀疏化。
除上述方面之外，图140的第八结构示例的第五变型例与图136的第八结构示例的第一变型例相同。
当在预定平面范围(平面区域)中观看图140的A中的导体层C时，直线状导体1251A的电流分布与直线状导体1251B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1251A和直线状导体1251B具有在X方向上重复的相同的配线图案，所以能够在X方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
导体层A和B的堆叠具有如图140的F所示的遮光结构，使得从有源元件组167发射的热载流子光能够被屏蔽，并且导体层A和C的堆叠也具有如图140的D所示的遮光结构，使得遮光特性得以保持。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且能够降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
此外，当导体层A的网状导体1201和导体层C的直线状导体1251A彼此电连接并且导体层B的网状导体1202和导体层C的直线状导体1251B彼此电连接时，能够减少流过导体层A和B的电流量，因此，能够进一步降低导体层A或B的感应噪声或电压降。
在图140的A的导体层C中，电流在导体层C中容易流动的方向与电流在导体层A和B中容易流动的方向相同或基本相同。在这种情况下，能够根据配线布局进一步减小电压降。
通过在导体层A中设置中继导体1241，能够以基本上最短的距离或短距离连接网状导体1202和直线状导体1251B以引出电源，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B上设置中继导体1242，网状导体1201和直线状导体1251A能够以基本上最短的距离或短距离彼此连接，并且能够降低电压降、能量损失或感应噪声。
<三层导体层的第九结构示例>
图141示出了三层导体层的第九结构示例。
图141的A示出了导体层C(配线层165C)，图141的B示出了导体层A(配线层165A)，而图141的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图141的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图141的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图141的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
图141中的第九结构示例具有图132中的第六结构示例被部分变型的结构。在图141中，与图132中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且将说明不相同的部分。
第九结构示例与图132中的第六结构示例仅在导体层A的结构上不同。
在图132中的第六结构示例的导体层A中，在网状导体1201的矩阵形式的间隙中，形成有中继导体1241的行和没有形成中继导体1241的行在Y方向上以行为单位交替地排列。
图141的第九结构示例的导体层A具有下述结构：其中，在未形成图132的第六结构示例的导体层A的中继导体1241的行的间隙中新设置有中继导体1243(第三中继导体)。例如，中继导体1243是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
即，图141的第九结构示例的导体层A包括网状导体1201，并且具有下述结构：其中，在网状导体1201的矩阵形式的间隙中，形成有中继导体1241的行和形成有中继导体1243的行在Y方向上以行为单位交替地排列。
例如，当图141的第九结构示例的导体层A到C以导体层B、导体层C和导体层A的堆叠顺序布置时，其中导体层C被布置在中间，导体层B的中继导体1242能够通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1221A，导体层B的网状导体1202能够通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1221B。此外，导体层A的中继导体1241能够通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1221B，并且中继导体1243能够通过在Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1221A。此外，导体层A的网状导体1201能够通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1221A。此外，中继导体1243可以通过Z方向上的导体通孔连接到与导体层A到C不同的导体层中的导体。此外，所有中继导体1243可不用于电气连接，所有中继导体1243可用于电气连接，或者部分中继导体1243可用于电气连接。
通过在导体层A中设置中继导体1241，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1221B，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层A上设置中继导体1243，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1221A，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B上设置中继导体1242，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1221A，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
除上述方面之外，图141的第九结构示例与图132的第六结构示例相同。
图141的A中的导体层C与图132中的第六结构示例的导体层C相同。因此，当在预定平面范围(平面区域)观看导体层C时，直线状导体1221A的电流分布与直线状导体1221B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1221A和直线状导体1221B具有在Y方向上重复的相同的配线图案，所以能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
导体层A和B的堆叠具有如图141的F所示的遮光结构，使得从有源元件组167发射的热载流子光能够被屏蔽，并且导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠也具有如图141的D和E中所示的遮光结构，使得遮光特性得以保持。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
在图141的第九结构示例中，电流在导体层C中容易流动的方向和电流在导体层A和B中容易流动的方向基本上正交并且彼此相差约90度。因此，由于电流容易扩散(电流难以集中)，所以能够进一步降低感应噪声。
<三层导体层的第九结构示例的第一变型例>
图142示出了三层导体层的第九结构示例的第一变型例。
图142的A示出了导体层C(配线层165C)，图142的B示出了导体层A(配线层165A)，而图142的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图142的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图142的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图142的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
第九结构示例的第一变型例具有图133的第六结构示例的第一变型例的一部分被改变的结构。在图142中，与图133中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且将说明不相同的部分。
第九结构示例的第一变型例与图133中的第六结构示例的第一变型例仅在导体层A的结构上是不同的。
在图133的第六结构示例的第一变型例的导体层A中，在网状导体1201的矩阵形式的间隙中，形成有中继导体1241的列和未形成中继导体1241的列在X方向上以列为单位交替地布置。
图142的第九结构示例的第一变型例的导体层A具有下述结构：其中，在没有形成图133的第六结构示例的第一变型例的导体层A的中继导体1241的列的间隙中，新形成有中继导体1243。
即，图142的第九结构示例的第一变型例的导体层A具有下述结构：其中，导体层A具有网状导体1201，并且其中形成有中继导体1241的列和形成有中继导体1243的列在网状导体1201的矩阵形式的间隙中在X方向上以列为单位交替地布置。
例如，当图142的第九结构示例的导体层A到C以导体层B、导体层C和导体层A的堆叠顺序布置时，其中导体层C被布置在中间，则导体层B的中继导体1242连接到导体层C的直线状导体1251A，导体层B的网状导体1202可以通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1251B。此外，导体层A的中继导体1241可以连接到导体层C的直线状导体1251B，并且中继导体1243可以连接到导体层C的直线状导体1251A。此外，导体层A的网状导体1201和导体层C的直线状导体1251A可以通过Z方向上的导体通孔连接。
通过在导体层A中设置中继导体1241，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1251B，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层A上设置中继导体1243，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1251A，并且能够降低电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B上设置中继导体1242，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1251A，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
除上述各方面之外，图142的第九结构示例的第一变型例与图133的第六结构示例的第一变型例相同。
图142的A中的导体层C与图132中的第六结构示例的导体层C相同。因此，当在预定的平面范围(平面区域)观看导体层C时，直线状导体1251A的电流分布与直线状导体1251B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1251A和直线状导体1251B具有在X方向上重复的相同的配线图案，所以能够在X方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
导体层A和B的堆叠具有如图142的F所示的遮光结构，使得从有源元件组167发射的热载流子光能够被屏蔽，并且导体层A和C的堆叠还具有如图142的D所示的遮光结构，使得遮光特性得以保持。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且能够降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
在图142的第九结构示例的第一变型例中，电流在导体层C中容易流动的方向与电流在导体层A和B中容易流动的方向相同或基本相同。在这种情况下，能够进一步降低电压下降取决于配线布局。
<三层导体层的第九结构示例的第二变型例>
图143示出了三层导体层的第九结构示例的第二变型例。
图143的A示出了导体层C(配线层165C)，图143的B示出了导体层A(配线层165A)，而图143的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图143的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图143的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图143的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
第九结构示例的第二变型例具有图141的第九结构示例被部分地修改的结构。在图143中，与图141中的部分相对应的部分由相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且将说明不相同的部分。
第九结构示例的第二变型例仅在导体层B的结构上与图141的第九结构示例不同。
图141的第九结构示例的导体层B具有网状导体1202，并且中继导体1242形成在网状导体1202的矩阵形式的所有间隙中。
另一方面，在图143的第九结构示例的第二变型例中，在网状导体1202的相应间隙中形成有中继导体1242的行和形成有中继导体1244(第四中继导体)的行在Y方向上以行为单位交替地布置。例如，中继导体1244是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
例如，当图143的第九结构示例的第二变型例的导体层A到C以导体层B、导体层A和导体层C的堆叠顺序布置时，其中导体层A被布置在中间，导体层B的中继导体1242通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的网状导体1201，导体层B的中继导体1244通过不同于导电层A至C的导体层的导体连接到导体层B的网状导体1202。此外，导体层B的网状导体1202可以通过Z方向上的导体通孔连接到导体层A的中继导体1241。导体层A的中继导体1241可以通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1221B，并且中继导体1243可以通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1221A。此外，导体层A的网状导体1201可以通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1221A。此外，所有中继导体1244可不用于电气连接，所有中继导体1244可用于电气连接，或者部分中继导体1244可用于电气连接。在图143的第九结构示例的第二变型例中，尽管存在位移，但是导体层A和B中的Vdd配线和Vss配线具有相同或基本相同的形状。因此，能够容易地设计导体层A到C的布局，并且在某些情况下，Vdd配线和Vss配线容易具有合适的电流关系或电压关系。
通过在导体层A中设置中继导体1241，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1221B，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层A上设置中继导体1243，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1221A，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B上设置中继导体1242，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1221A，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B上设置中继导体1244，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1221B，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
除了上述方面之外，图143的第九结构示例的第二变型例与图141的第九结构示例相同。
图143的A中的导体层C与图141中的第九结构示例的导体层C相同。因此，当在预定平面范围(平面区域)观看导体层C时，直线状导体1221A的电流分布与直线状导体1221B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1221A和直线状导体1221B具有在Y方向上重复的相同的配线图案，所以能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
导体层A和B的堆叠具有如图143的F所示的遮光结构，使得从有源元件组167发射的热载流子光能够被屏蔽，并且导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠还具有如图143的D和E中所示的遮光结构，使得遮光特性得以保持。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
在图143的第九结构示例中，电流在导体层C中容易流动的方向和电流容易在导体层A和B中流动的方向基本上正交并且彼此相差约90度。因此，由于电流容易扩散(电流难以集中)，所以能够进一步降低感应噪声。
<三层导体层的第九结构示例第三变型例>
图144示出了三层导体层的第九结构示例的第三变型例。
图144的A示出了导体层C(配线层165C)，图144的B示出了导体层A(配线层165A)，而图144的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图144中的D是导体层A和导体层C堆叠的状态下的平面图，图144的E是导体层B和导体层C堆叠的状态下的平面图，图144的F是导体层A和导体层B堆叠状态下的平面图。
第九结构示例的第三变型例具有改变了图142的第九结构示例的第一变型例的一部分的结构。在图144中，与图142中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且将说明不相同的部分。
第九结构示例的第三变型例与图142中的第九结构示例的第一变型例仅在导体层B的结构上有所不同。
图142的第九结构示例的第一变型例的导体层B具有网状导体1202，并且在网状导体1202的矩阵形式的所有间隙中形成有中继导体1242。
另一方面，图144的第九结构示例的第三变型例的导体层B下述结构：其中，导体层B具有网状导体1202的配置，并且形成有中继导体1242的列和形成有中继导体1244的列在网状导体1202的矩阵形式的间隙中在X方向上以列为单位交替地布置。
例如，当图144的第九结构示例的第三变型例的导体层A到C以导体层B、导体层A和导体层C的堆叠顺序布置时，其中导体层A被布置在中间，导体层B的中继导体1242通过Z方向上的导体通孔连接到导体层A的网状导体1201，并且，导体层B的中继导体1244经由与导体层A到C不同的导体层的导体连接到导体层B的网状导体1202。此外，导体层B的网状导体1202可以通过Z方向上的导体通孔连接到导体层A的中继导体1241。导体层A的中继导体1241可以通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1251B，并且中继导体1243可以通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1251A。此外，导体层A的网状导体1201可以通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1251A。在图144的第九结构示例的第三变型例中，虽然存在位移，但是导体层A和B中的Vdd配线和Vss配线具有相同或基本相同的形状。因此，可以容易地设计导体层A到C的布局，并且可以容易地使Vdd配线和Vss配线具有合适的电流关系或电压关系。
通过在导体层A中设置中继导体1241，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1251B，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层A上设置中继导体1243，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1251A，并且能够降低电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B上设置中继导体1242，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1251A，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B上设置中继导体1244，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1251B，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
除上述方面之外，图144的第九结构示例的第三变型例与图142的第九结构示例的第一变型例相同。
图144的A中的导体层C与图142的第九结构示例的第一变型例的导体层C相同。因此，当在预定的平面范围(平面区域)观看导体层C时，直线状导体1251A的电流分布与直线状导体1251B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1251A和直线状导体1251B具有在X方向上重复的相同的配线图案，所以能够在X方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
导体层A和B的堆叠具有如图144的F所示的遮光结构，使得从有源元件组167发射的热载流子光能够被屏蔽，并且导体层A和C的堆叠还具有如图144的D所示的遮光结构，使得遮光特性得以保持。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且能够降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局中的自由度。
在图144的第九结构示例的第三变型例中，电流在导体层C中容易流动的方向与电流在导体层A和B中容易流动的方向相同或基本相同。在这种情况下，能够取决于配线布局进一步降低电压下降。
<三层导体层的第九结构示例的第四变型例>
图145示出了三层导体层的第九结构示例的第四变型例。
图145的A示出了导体层C(配线层165C)，图145的B示出了导体层A(配线层165A)，而图145的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图145中的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图145的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图145的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
第九结构示例的第四变型例具有图144的第九结构示例的第三变型例的一部分被改变的结构。在图145中，与图144中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且将说明不相同的部分。
在图144的第三变型例中，当将导体层A的网状导体1201和导体层B的网状导体1202的间隙位置相互比较时，X方向上的位置不同并且Y方向上的位置匹配。
另一方面，在图145的第四变型例中，当比较导体层A的网状导体1201和导体层B的网状导体1202的间隙的位置时，在X方向上的位置一致并且在Y方向上的位置不同。
此外，例如，当将导体层A的中继导体1241的位置与导体层B的中继导体1244的位置进行比较时，在图144的第三变型例中，X方向上的位置不同并且Y方向上的位置一致。另一方面，在图145的第四变型例中，X方向上的位置一致并且Y方向上的位置不同。
此外，例如，当将导体层A的中继导体1243的位置与导体层B的中继导体1242的位置进行比较时，在图144的第三变型例中，X方向上的位置不同并且Y方向上的位置一致。另一方面，在图145的第四变型例中，X方向上的位置一致并且Y方向上的位置不同。
在图144的第三变型例中，导体层A和B的堆叠以及导体层A和C的堆叠具有遮光结构，并且保持遮光特性。另一方面，在图145的第四变型例中，导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠具有遮光结构，并且保持遮光特性。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且能够降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
此外，例如，当图145的第九结构示例的第四变型例的导体层A到C以导体层B、导体层C和导体层A的堆叠顺序布置时，其中导体层C被布置在中间，导体层B的中继导体1242通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1251A，导体层B的中继导体1244通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1251B，导体层B的网状导体1202可以通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1251B。导体层A的中继导体1241可以通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1251B，并且中继导体1243可以通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1251A。此外，导体层A的网状导体1201可以通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1251A。此外，中继导体1244可以通过Z方向上的导体通孔连接至与导体A至C都不同的导体层的导体。
除上述方面之外，图145的第四变型例与图144的第三变型例相同。
当在预定平面范围(平面区域)中观看图145的A中的导体层C时，直线状导体1251A的电流分布与直线状导体1251B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1251A和直线状导体1251B具有在X方向上重复的相同的配线图案，所以能够在X方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
在图145的第九结构示例的第四变型例中，电流在导体层C中容易流动的方向与电流在导体层A和B中容易流动的方向相同或基本相同。在这种情况下，能够进一步降低电压下降取决于配线布局。
通过在导体层A中设置中继导体1241，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1251B，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层A上设置中继导体1243，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1251A，并且能够降低电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B上设置中继导体1242，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1251A，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B上设置中继导体1244，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1251B，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
<三层导体层的第十结构示例>
图146示出了三层导体层的第十结构示例。
图146的A示出了导体层C(配线层165C)，图146的B示出了导体层A(配线层165A)，而图146的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图146的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图146的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图146的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
第十结构示例具有图128的第四结构示例被部分地修改的结构。在图146中，与图128中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且将说明不相同的部分。
在第十结构示例中，只有导体层C的结构与图128中的第四结构示例不同。
图146的A中的导体层C具有下述结构：其中，在X方向上延长的直线状导体1291A和在X方向上延长的直线状导体1291B在Y方向上交替地布置。例如，直线状导体1219A是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。例如，直线状导体1291B是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
在图128的第四结构示例中，作为图128的导体层C的直线状导体1221A的重复周期的导体周期FYC是作为图128的导体层A的网状导体1201的Y方向上的重复周期的导体周期FYA的两倍。
另一方面，作为图146的A中的导体层C的直线状导体1291A的重复周期的导体周期FYC是作为图146的导体层A的网状导体1201的Y方向上的重复周期的导体周期FYA的一倍。
类似地，在图128的第四结构示例中，图128的A中导体层C的直线状导体1221B的导体周期FYC是图128的导体层B中的网状导体1202的导体周期FYB的两倍，而图146的A中导体层C的直线状导体1291B的导体周期FYC是图146的导体层B中的网状导体1202的导体周期FYB的一倍。
除了上述方面之外，图146的第十结构示例与图128的第四结构示例相同。
当在预定平面范围(平面区域)中观看图146的A中的导体层C时，直线状导体1291A的电流分布与直线状导体1291B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1291A和直线状导体1291B具有在Y方向上重复的相同的配线图案，所以可以完全抵消Y方向上的电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
导体层A和B的堆叠具有如图146的F所示的遮光结构，使得从有源元件组167发射的热载流子光能够被屏蔽，并且在导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠中，如图132的D和E所示，遮光性能也在一定范围内得以保持。因此，由于能够减轻导体层A和B的光屏蔽约束，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且能够降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
在图146的第十结构示例中，电流在导体层C中容易流动的方向和电流容易在导体层A和B中流动的方向基本上正交并且彼此相差约90度。因此，由于电流容易扩散(电流难以集中)，所以能够进一步降低感应噪声。
通过在导体层A中设置中继导体1241，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1291B，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B上设置中继导体1242，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1291A，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
<三层导体层的第十结构示例的变型例>
图147示出了三层导体层的第十结构示例的变型例。
图147的A示出了导体层C(配线层165C)，图147的B示出了导体层A(配线层165A)，而图147的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图147的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图147的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图147的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
第十结构示例的变型例具有图128的第四结构示例被部分地修改的结构。在图147中，与图128中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且将说明不相同的部分。
在第十结构示例的变型例中，只有导体层C的结构与图128的第四结构示例不同。
图147的A中的导体层C具有下述结构：其中，在X方向上延长的直线状导体1301A和在X方向上延长的直线状导体1301B在Y方向上周期性地交替布置。例如，直线状导体1301A是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。例如，直线状导体1301B是连接到正电源的配线(Vdd配线)。直线状导体1301A和直线状导体1301B之间的间隔以间隙宽度GYC1和间隙宽度GYC2中交替地布置。
在图128的第四结构示例中，作为图128的A中的导体层C的直线状导体1221A的重复周期的导体周期FYC是作为图128的导体层A的网状导体1201的Y方向上的重复周期的导体周期FYA的两倍。
另一方面，作为图147的导体层C的直线状导体1301A的重复周期的导体周期FYC是作为图147的导体层A的网状导体1201的在Y方向上的重复周期的导体周期FYA的(1/整数)倍。图147示出了其中导体周期FYC是导体周期FYA的1/2倍的示例。
类似地，在图128的第四结构示例中，图128的A中导体层C的直线状导体1221B的导体周期FYC是图128的导体层A中C的网状导体1202的导体周期FYB的两倍，而图147的A中的导体层C的直线状导体1301B的导体周期FYC是图147的导体层B中的网状导体1202的导体周期FYB的(1/整数)倍。图147示出了其中导体周期FYC是导体周期FYB的1/2倍的示例。
除了上述方面之外，图147的第十结构示例的变型例与图128的第四结构示例相同。
当在预定平面范围(平面区域)中观看图147的A中的导体层C时，直线状导体1301A的电流分布与直线状导体1301B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1301A和直线状导体1301B具有在Y方向上重复的相同的配线图案，所以能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
导体层A和B的堆叠具有如图147的F所示的遮光结构，使得从有源元件组167发射的热载流子光能够被屏蔽，并且在导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠中，如图132的D和E所示，遮光性能也在一定范围内得以保持。因此，由于能够减轻导体层A和B的光屏蔽约束，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且能够减小配线电阻并进一步减小电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
在图147的第十结构示例的变型例中，电流在导体层C中容易流动的方向和电流容易在导体层A和B中流动的方向基本上正交并且彼此相差约90度。因此，由于电流容易扩散(电流难以集中)，所以能够进一步降低感应噪声。
通过在导体层A中设置中继导体1241，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1301B，并且能够降低电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B上设置中继导体1242，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1301A，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
<三层导体层的第十一结构示例>
已经说明了三层导体层的第一到第十结构示例，其中采用X方向上的电阻值和Y方向上的电阻值不同的网状导体的第十一结构示例作为导体层A和B的结构。换言之，已经说明了：如图128的第四结构示例的网状导体1201和1202或图131的第五结构示例的网状导体1261和1262那样，采用其中X方向上的间隙宽度GXA不同于Y方向的间隙宽度GYA并且X方向上的间隙宽度GXB不同于Y方向上的间隙宽度GYB的结构作为导体层A和导体层B。
然而，对于导体层A和B，能够采用图12～41中描述的导体层A和B的第一到第十三结构示例中的任何一个。
接下来，将参照图148到152说明下述结构：其中，导体层C(配线层165C)具有图122等中所采用的结构，并且导体层A和导体层B采用X方向上的电阻值与Y方向上的电阻值相同的网状导体。
图148示出了三层导体层的第十一结构示例。
图148的A示出了导体层C(配线层165C)，图148的B示出了导体层A(配线层165A)，而图148的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图148的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图148的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图148的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
在图148的第十一结构示例中，与图128中所示的第四结构示例的那些相对应的部分用相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且说明将关注于不相同的部分。
图148的A中的导体层C具有下述结构：其中，在X方向上延长的直线状导体1221A和在X方向上延长的直线状导体1221B在Y方向上以导体周期FYC周期性地交替布置。
图148的B中的导体层A包括网状导体1311。网状导体1311在X方向上具有导体宽度WXA、间隙宽度GXA和导体周期FXA，并且在Y方向上具有导体宽度WYA、间隙宽度GYA和导体周期FYA。这里，导体宽度WXA＝导体宽度WYA，间隙宽度GXA＝间隙宽度GYA，导体周期FXA＝导体周期FYA。中继导线1241布置在网状导体1201的每个间隙中。中继导体1241之间的间隔，换句话说，中继导体1241的周期也包括导体周期FXA和FYA。例如，网状导体1311是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
图148的C中的导体层B包括网状导体1312。网状导体1312在X方向上具有导体宽度WXB、间隙宽度GXB和导体周期FXB，并且在Y方向上具有导体宽度WYB、间隙宽度GYB和导体周期FYB。这里，导体宽度WXB＝导体宽度WYB，间隙宽度GXB＝间隙宽度GYB，导体周期FXB＝导体周期FYB。此外，在网状导体1312的每个间隙中设置有中继导体1242。中继导体1242之间的间隔，换句话说，中继导体1242的周期也包括导体周期FXB和FYB。例如，网状导体1312是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
如图148的B和C所示，形成在导体层A上的中继导体1241的平面位置与形成在导体层B上的中继导体1242的平面位置相同。换句话说，当从堆叠方向观看时，导体层A的网状导体1311和导体层B的网状导体1312都重叠。具有这样的结构的导体层A和导体层B对应于图15中所示的导体层A和B的第二结构示例，并且能够如图17的模拟结果中所示的那样极大地降低感应噪声。
因此，这适合于如图120的B所示的导体层C(配线层165C)被布置在导体层A(配线层165A)和导体层B(配线层165B)之间的堆叠顺序，导体层A的网状导体1311和导体层C的直线状导体1221A通过Z方向上的导体通孔连接，导体层B的平面状导体1312和导体层C的直线状导体1221B通过Z方向上的导体通孔连接。
当在预定平面范围(平面区域)观察导体层C时，直线状导体1221A的电流分布与直线状导体1221B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于导体层C的直线状导体1221A和直线状导体1221B具有在Y方向上重复的相同的配线图案，所以能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
如图148的F所示，导体层A和B的堆叠不具有遮光结构；但是通过如图148的D和E所示的导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠形成了遮光结构，并且遮光特性得以保持。因此，能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光。此外，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且能够降低配线电阻并进一步降低电压降。能够提高导体层A和B的布局中的自由度。
<三层导体层的第十二结构示例>
图149示出了三层导体层的第十二结构示例。
图149的A示出了导体层C(配线层165C)，图149的B示出了导体层A(配线层165A)，而图149的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图149的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图149的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图149的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
在图149的第十二结构示例中，与图128中所示的第四结构示例的那些相对应的部分用相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且将重点描述不同的部分。
图149的A中的导体层C具有下述结构：其中，在X方向上延长的直线状导体1221A和在X方向上延长的直线状导体1221B在Y方向上以导体周期FYC交替地布置。
图149的B中的导体层A包括平面状导体1321。例如，平面状导体1321是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。
图149的C中的导体层B包括平面状导体1322。例如，平面状导体1322是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
当在预定平面范围(平面区域)观察导体层C时，直线状导体1221A的电流分布与直线状导体1221B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1222A和直线状导体1222B具有在Y方向上重复的相同的配线图案，所以能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
导体层A和B的堆叠具有遮光结构，并且可以如图149的F所示地屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光，并且导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠也具有如图149的D和E中所示的遮光结构，并且遮光特性得以保持。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
三层导体层的第十二结构示例适合于如下堆叠顺序：其中，如图120的B种所示的导体层C(配线层165C)布置在导体层A(配线层165A)和导体层B(配线层165B)之间，导体层A的平面状导体1321和导体层C的直线状导体1221A通过Z方向上的导体通孔连接，导体层B的平面状导体1322和导体层C的直线状导体1221B通过Z方向上的导体通孔连接。
<三层导体层的第十二结构示例的变型例>
图150示出了三层导体层的第十二结构示例的第一变型例。
图150的A示出了导体层C(配线层165C)，图150的B示出了导体层A(配线层165A)，而图150的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图150的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图150的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图150的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
在图150中，与图148和149中所示的第十一和第十二结构示例相对应的部分用相同的附图标记表示，这些部分的说明将被适当地省略，并且说明将关注于不相同的部分。
第十二结构示例的第一变型例仅在图150的C中的导体层B的结构上与图149中的不同。
图150的C中的导体层B包括网状导体1312和在网状导体1312的间隙中形成的中继导体1242。
在图149所示的第十二结构示例中，对于导体层A，图148所示的三层导体层的第十一结构示例的网状导体1311和中继导体1241被更改为平面状导体1321，并且对于导体层B，图148中所示的三层导体层的第十一结构示例的网状导体1312和中继导体1242被更改为平面状导体1322。
另一方面，在图150的第十二结构示例的第一变型例中，对于导体层A，图148所示的三层导体层的第十一结构示例的网状导体1311和中继导体1241被更改为平面状导体1321，导体层B包括与图148所示的三层导体层的第十一结构示例中相同的网状导体1312和中继导体1242。
图151示出了三层导体层的第十二结构示例的第二变型例。
图151的A示出了导体层C(配线层165C)，图151的B示出了导体层A(配线层165A)，而图151的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图151的D是导体层A和导体层C堆叠的状态下的平面图，图151的E是导体层B和导体层C堆叠的状态下的平面图，图151的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
在图151中，与图148和149中所示的第十一和第十二结构示例相对应的部分用相同的附图标记表示，这些部分的说明将被适当地省略，并且说明将关注于不相同的部分。
第十二结构示例的第二变型例仅在图151的导体层A的结构上与图149中的不同。
在图149所示的第十二结构示例中，对于导体层A，图148所示的三层导体层的第十一结构示例的网状导体1311和中继导体1241被更改为平面状导体1321，并且对于导体层B，图148所示的三层导体层的第十一结构示例的网状导体1312和中继导体1242被更改为平面状导体1322。
另一方面，在图151的第十二结构示例的第二变型例中，导体层A包括网状导体1311和中继导体1241，它们与图148中所示的三层导体层的第十一结构示例中的相同，并且对于导体层B，图148所示的三层导体层的第十一结构示例的网状导体1312和中继导体1242被更改为平面状导体1322。
即使在第一变型例和第二变型例中，也实现了与图149所示的第十二结构示例中相同的操作和效果。
即，当在预定的平面范围(平面区域)中观看导体层C时，直线状导体1221A的电流分布与直线状导体1221B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1222A和直线状导体1222B具有在Y方向上重复的相同的配线图案，所以能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
导体层A和B的堆叠具有遮光结构，并且能够屏蔽从有源元件组167发射的热载流子光，并且导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠也具有遮光结构，并且遮光性能得以保持。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
图150的第一变型例特别适合于其中包括导体层A到C的三层能够被电连接的堆叠顺序，具体地，特别适合于图120的A和B中所示的堆叠顺序。例如，在图120的A所示的导体层A、B和C的堆叠顺序的情况下，导体层A的平面状导体1321和导体层B的中继导体1242可以彼此连接，并且导体层B的网状导体1312和中继导体1242可以分别连接到导体层C的直线状导体1221B和1221A，使得具有相同电流特性的这些导体在平面区域相互重叠的区域的一部分中通过Z方向上的导体通孔而彼此连接。
图151的第二变型例特别适合于其中包括导体层A到C的三层能够被电连接的堆叠顺序，具体地，特别适合于图120的B和C中所示的堆叠顺序。例如，在图120的B所示的导体层A、C和B的堆叠顺序的情况下，导体层A的网状导体1311和中继导体1241可以通过Z方向上的导体通孔分别连接到导体层C的直线状导体1221A和1221B，使得具有相同电流特性的这些导体在平面区域重叠的区域的一部分彼此连接，并且导体层B的平面状导体1322和导体层C的直线状导体1221B可以彼此连接。
<三层导体层的第十三结构示例>
图152示出了三层导体层的第十三结构示例。
图152的A示出了导体层C(配线层165C)，图152的B示出了导体层A(配线层165A)，而图152的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图152的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图152的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图152的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
在图152的第十二结构示例中，与图148中所示的第十一结构示例相对应的部分由相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且说明将关注于不相同的部分。
第十三结构示例与图148的不同之处仅在于图152的B中的导体层A的结构。
图152的B中的导体层A包括网状导体1331。例如，网状导体1331是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。网状导体1331在X方向上具有导体宽度WXA、间隙宽度GXA和导体周期FXA，并且在Y方向具有导体宽度WYA、间隙宽度GYA和导体周期FYA。这里，导体宽度WXA＝导体宽度WYA，间隙宽度GXA＝间隙宽度GYA，导体周期FXA＝导体周期FYA。然而，网状导体1331的间隙宽度GXA和间隙宽度GYA小于导体层B的网状导体1312的间隙的间隙宽度GXB和间隙宽度GYB(间隙宽度GXA＝间隙宽度GYA<间隙宽度GXB＝间隙宽度GYB)。此外，在网状导体1331之间的间隙中没有形成中继导线。
除上述方面之外，图152的第十三结构示例与图148的第十一结构示例相同。
当在预定平面范围(平面区域)中观看图152的A中的导体层C时，直线状导体1221A的电流分布与直线状导体1221B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于直线状导体1221A和直线状导体1221B具有在Y方向上重复的相同的配线图案，所以能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
如图152的D和E所示，导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠中的每一个具有遮光结构，并且保持遮光特性。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且能够降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
通过在导体层B上设置中继导体1242，能够以基本上最短的距离或短距离连接到直线状导体1221A，并且能够减少电压降、能量损失或感应噪声。
图152的第十三结构示例特别适合于其中包括导体层A到C的三层可以被电连接的堆叠顺序，具体地，特别适合于图120的B中所示的堆叠顺序。例如，在图120的B所示的导体层A、C和B的堆叠顺序的情况下，导体层A的网状导体1331可以通过Z方向上的导体通孔连接到导体层C的直线状导体1221A，并且导体层B的网状导体1312和中继导体1242可以连接到导体层C的直线状导体1221B和1221A，使得具有相同电流特性的这些导体在平面区域彼此重叠的区域中通过Z方向上的导体通孔而被彼此连接。
<三层导体层的第十四结构示例>
在上述的三层导体层的第一到第十三结构示例中，采用了其中在X方向上延长的直线状导体或在Y方向上延长的直线状导体(即所谓的垂直条纹或水平条纹配线图案)的结构作为导体层C的结构并且进行了说明。
然而，导体层C不限于垂直条纹或水平条纹的配线图案。
接下来，将说明下述情况：其中，图153到163中的导体层C具有垂直条纹或水平条纹之外的配线图案。
图153示出了三层导体层的第十四结构示例。
图153的A示出了导体层C(配线层165C)，图153的B示出了导体层A(配线层165A)，而图153的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图153的D是导体层A和导体层C堆叠的状态下的平面图，图153的E是导体层B和导体层C堆叠的状态下的平面图，图153的F是导体层A和导体层B堆叠状态下的平面图。
在图153的第十四结构示例中，与图148中所示的第十一结构示例的那些相对应的部分用相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且说明将关注于不相同的部分。
在第十四结构示例中，只有图153的A中的导体层C的结构与图148中的结构不同。
图153的A中的导体层C下述结构：其中，多个矩形导体1341A和1341B以预定的重复周期重复地布置在同一平面上。例如，矩形导体1341A是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。例如，矩形导体1341B是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
具体而言，在X方向上以间隙宽度GXC重复布置有矩形导体1341A的行和在X方向上以间隙宽度GXC重复布置有矩形导体1341B的行在Y方向上周期性地交替布置。矩形导体1341A和1341B在X方向上以导体周期FXC重复地布置，并且在Y方向上以导体周期FYC重复地布置。在Y方向上在矩形导体1341A和矩形导体1341B之间存在具有间隙宽度GYC的间隙。矩形导体1341A具有X方向上的导体宽度WXCA和Y方向上的导体宽度WYCA，矩形导体1341B具有X方向上的导体宽度WXCB和Y方向上的导体宽度WYCB。这里，导体宽度WXCA、WYCA、WXCB和WYCB是相同的(导体宽度WXCA＝导体宽度WYCA＝导体宽度WXCB＝导体宽度WYCB)。
除上述方面之外，图153的第十四结构示例与图148的第十一结构示例相同。
当在预定平面范围(平面区域)中观看图153的A中的导体层C时，矩形导体1341A的电流分布与矩形导体1341B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
由于矩形导体1341A和矩形导体1341B具有在Y方向上重复的相同的配线图案，所以能够完全抵消Y方向上的电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
如图153的D和E所示，导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠中的每一个具有遮光结构，并且保持遮光特性。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且能够降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
通过在导体层A中设置中继导体1241，能够以基本上最短的距离或短距离连接到矩形导体1341B，并且能够降低电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B上设置中继导体1242，能够以基本上最短的距离或短距离连接到矩形导体1341A，并且能够降低电压降、能量损失或感应噪声。
<三层导体层的第十四结构示例的变型例>
图154示出了三层导体层的第十四结构示例的第一变型例。
图154的A示出了导体层C(配线层165C)，图154的B示出了导体层A(配线层165A)，而图154的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图154的D是导体层A和导体层C堆叠的状态下的平面图，图154的E是导体层B和导体层C堆叠的状态下的平面图，图154的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
在图154中，与图153所示的第十四结构示例中的那些相对应的部分用相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且说明将关注于不相同的部分。
在第十四结构示例的第一变型例中，只有图154的A中的导体层C的结构与图153的结构不同，并且导体层A和B的结构与图153的结构相同。
图154的A中的导体层C与图153中的导体层C的相同之处在于，导体层C具有其中多个矩形导体1341A和1341B以预定的重复周期重复地布置在同一平面上的结构；但与图153中的不同之处在于，在相邻列中，布置在Y方向上偏移了导体周期FYC的1/4。作为X方向上的重复周期的导体周期FXC是以两列为单位的。
图155示出了三层导体层的第十四结构示例的第二变型例。
图155的A示出了导体层C(配线层165C)，图155的B示出了导体层A(配线层165A)，而图155的C示出了导体层B(配线层165B)。
此外，图155的D是导体层A和C堆叠的状态下的平面图，图155的E是导体层B和C堆叠的状态下的平面图，图155的F是导体层A和导体层B堆叠的状态下的平面图。
在图155中，与图153所示的第十四结构示例中的那些相对应的部分用相同的附图标记表示，将适当地省略对这些部分的说明，并且说明将关注于不相同的部分。
在第十四结构示例的第二变型例中，只有图155的A中的导体层C的结构与图149的结构不同，并且导体层A和B的结构与图149的结构相同。
图155的A中的导体层C与图149中的导体层C的相同之处在于，导体层C具有其中多个矩形导体1341A和1341B以预定的重复周期重复地布置在同一平面上的结构；但与图149中的不同之处在于，在相邻列中，布置在Y方向上偏移了导体周期FYC的1/2。作为X方向上的重复周期的导体周期FXC是以两列为单位的。相邻列中的矩形导体1341A和1341B在Y方向上的偏移量可以被设计为任意值。
在图154和155的第十四结构示例的第一变型例和第二变型例中，当在预定的平面范围(平面区域)中观看导体层C时，矩形导体1341A的电流分布与矩形导体1341B的电流分布相同或基本相同，因此，能够抑制感应噪声的发生。
此外，在第十四结构示例的第一变型例和第二变型例中，由于矩形导体1341A和矩形导体1341B具有在Y方向上重复的相同的配线图案，所以能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
在图155的第十四结构示例的第二变型例中，此外，由于矩形导体1341A和矩形导体1341B具有在X方向上重复的相同的配线图案，所以能够在X方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
在图154的第十四结构示例的第一变型例中，通过导体层A和B的堆叠、导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠，在一定范围内保持遮光特性。因此，由于能够稍微减轻导体层A和B的遮光约束，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并降低配线电阻且进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
在图155的第十四结构示例的第二变型例中，导体层A和C的堆叠以及导体层B和C的堆叠中的每一个都具有遮光结构，并且保持遮光特性。因此，由于能够大大减轻导体层A和B的光屏蔽限制，所以能够最大限度地利用导体层A和B的导体面积，并且能够降低配线电阻并进一步降低电压降。此外，能够提高导体层A和B的布局的自由度。
通过在导体层A中设置中继导体1241，能够以基本上最短的距离或短距离连接到矩形导体1341B，并且能够降低电压降、能量损失或感应噪声。
通过在导体层B上设置中继导体1242，能够以基本上最短的距离或短距离连接到矩形导体1341A，并且能够降低电压降、能量损失或感应噪声。
<三层导体层的第十四结构示例的其它变型例>
以下，将参考图156到163说明图153中所示的三层导体层的第十四结构示例的其它变型例。
在第十四结构示例的变型例中，由于如图154和155的第一和第二变型例中那样仅改变了导体层C的结构，所以图156到163中仅示出了导体层C的结构。此外，在图156到163中，将通过与图153的A中所示的第十四结构示例的导体层C的比较来说明导体层C的结构。
图156的A示出了三层导体层的第十四结构示例的第三变型例的导体层C。
图156的A中的导体层C具有其中多个矩形导体1342A和1342B以预定的重复周期重复地布置在同一平面上的结构。例如，矩形导体1342A是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。例如，矩形导体1342B是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
图156的A中的导体层C与图153的A中的导体层C的不同之处在于矩形导体1342A和1342B的导体尺寸，即，导体宽度WXCA、WYCA、WXCB和WYCB。导体宽度WXCA、WYCA、WXCB和WYCB相同(导体宽度WXCA＝导体宽度WYCA＝导体宽度WXCB＝导体宽度WYCB)。
图156的A中的导体层C能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
此外，通过使矩形导体1342A和1342B的导体尺寸大于图153的A中所示的第14结构示例中的导体尺寸，能够进一步减小配线电阻。
图156的B示出了三层导体层的第十四结构示例的第四变型例的导体层C。
在图156的B中的导体层C与图156的A中的导体层C的相同之处在于，导体层C具有其中多个矩形导体1342A和1342B以预定的重复周期重复地布置在同一平面上的结构；但与图156的A中的导体层C的不同之处在于，在相邻的列中，上述布置在Y方向上偏移了导体周期FYC的1/4。作为X方向上的重复周期的导体周期FXC是以两列为单位的。
图156的B中的导体层C能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
图156的C示出了三层导体层的第十四结构示例的第五变型例的导体层C。
在图156的C中的导体层C与图156的A中的导体层C的相同之处在于，导体层C具有其中多个矩形导体1342A和1342B以预定的重复周期重复地布置在同一平面上的结构；但与图156的A中的导体层C的不同之处在于，在相邻的列中，上述布置在Y方向上偏移了导体周期FYC的1/2。也可以说，在相邻的行中，上述布置在X方向上偏移了导体周期FXC的1/2。X方向上的导体周期FXC是以两列为单位的，Y方向上的导体周期FYC是以两行为单位的。相邻的列中的矩形导体1342A和1342B在Y方向上的偏移量可以被设计为具有任意值。
图156的C中的导体层C能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
此外，图156的C中的导体层C能够在X方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
图157的A示出了三层导体层的第十四结构示例的第六变型例的导体层C。
图157的A中的导体层C具有其中多个矩形导体1343A和1343B以预定的重复周期重复地布置在同一平面上的结构。例如，矩形导体1343A是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。例如，矩形导体1343B是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
图157的A中的导体层C与图153的A中的导体层C在矩形导体1343A和1343B的导体尺寸(具体地，导体宽度WXCA和WXCB)上是不同的。矩形导体1343A和1343B具有矩形，并且导体宽度WXCA>导体宽度WYCA，以及导体宽度WXCB>导体宽度WYCB。此外，导体宽度WXCA等于导体宽度WXCB，导体宽度WYCA等于导体宽度WYCB(导体宽度WXCA＝导体宽度WXCB，导体宽度WYCA＝导体宽度WYCB)。
图157的A中的导体层C能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
图157的B示出了三层导体层的第十四结构示例的第七变型例的导体层C。
图157的B中的导体层C与图157的A中的导体层C的相同之处在于，导体层C具有多个矩形导体1343A和1343B以预定的重复周期重复地布置在同一平面上的结构；但不同之处在于，在相邻行中所述布置在X方向上偏移了导体周期的1/2。导体周期FYC是Y方向上的重复周期并且以两行为单位。相邻行中的矩形导体1343A和1343B在X方向上的偏移量可以被设计为具有任意值。
在图157的B中的导体层C中，由于矩形导体1343A和矩形导体1343B没有在Y方向上重复的相同配线图案，因此存在电容性噪声不能在Y方向上被完全抵消的X位置。
因此，当X方向上的导体周期FXC偏移1/2时，可以如图157的C所示地构造导体层C。
图157的C示出了三层导体层的第十四结构示例的第八变型例的导体层C。
图157的C中的导体层C具有下述结构：其中，以在Y方向上彼此相邻的两行矩形导体1343A和1343B为单位在X方向上偏移了导体周期FXC的1/2，并且以预定的重复周期在同一平面上重复地布置。
图157的C中的导体层C能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
以矩形导体1343A和1343B的两个相邻行为单位的X方向上的位移量可以被设计为具有任意值。此外，矩形导体1343A和1343B的在X方向上的以两行为单位的偏移可以是两行中的非相邻的矩形导体的偏移，而不是两行中的相邻矩形导体的偏移。此外，矩形导体1343A和1343B的在X方向上的以两行为单位的偏移不是必须以两行为单位，因为当在预定平面范围(平面区域)中观看时若矩形导体1343A的Y方向上的导体宽度之和等于矩形导体1343B的Y方向上的导体宽度之和，则能够完全抵消电容性噪声。换言之，矩形导体1343A和1343B可以以多个行为单位在X方向上偏移被设置为任意值的偏移量，所述多个行是两行或更多行，而不用管这些行是否彼此相邻。本发明适用于在预定的平面范围(平面区域)观察时，矩形导体1343A的Y方向上的导体宽度之和与矩形导体1343B的Y方向上的导体宽度之和相同或基本相同的情况，但不限于此。
图158的A示出了三层导体层的第十四结构示例的第九变型例的导体层C。
图158的A中的导体层C具有多个矩形导体1344A和1344B以预定的重复周期重复地布置在同一平面上的结构。例如，矩形导体1344A是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。例如，矩形导体1344B是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
图158的A中的导体层C与图157的A中的导体层C在矩形导体1344A和1344B的导体尺寸(具体地，导体宽度WXCA和WXCB)上是不同的。图158的A中的矩形导体1344A和1344B的导体宽度WXCA和WXCB大于图157的A中矩形导体1343A和1343B的导体宽度WXCA和WXCB。
矩形导体1344A和1344B具有矩形，并且导体宽度WXCA>导体宽度WYCA且导体宽度WXCB>导体宽度WYCB。此外，导体宽度WXCA等于导体宽度WXCB，导体宽度WYCA等于导体宽度WYCB(导体宽度WXCA＝导体宽度WXCB，导体宽度WYCA＝导体宽度WYCB)。
在图158的A中的导体层C能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
图158的B示出了三层导体层的第十四结构示例的第十变型例的导体层C。
图158的B中的导体层C与图158的A中的导体层C的相同之处在于，导体层C具有多个矩形导体1344A和1344B以预定的重复周期重复地布置在同一平面上的结构；但不同之处在于，所述布置在相邻行中在X方向上偏移了导体周期的1/3。导体周期FYC是Y方向上的重复周期并且以6行为单位。
图158的B中的导体层C能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
图158的C示出了三层导体层的第十四结构示例的第十一变型例的导体层C。
图158的C中的导体层C具有下述结构：其中，布置为以Y方向上彼此相邻的两行矩形导体1344A和1344B为单位在X方向上偏移了导体周期FXC的1/3，并且以预定的重复周期在同一平面上重复地布置。
图158的C中的导体层C能够在Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
图159的A示出了三层导体层的第十四结构示例的第十二变型例的导体层C。
图159的A中的导体层C具有多个矩形导体1341A和1341B以预定的重复周期重复地布置在同一平面上的结构。
图159的A中的导体层C与图153的A中的导体层C在矩形导体1341A和1341B的布置方向上是不同的。具体地说，在图153的A中的导体层C中，矩形导体1341A和1341B中的每一个以导体周期FXC沿X方向重复地布置，并且矩形导体1341A和1341B在Y方向上周期性地交替布置。另一方面，在图159的A的导体层C中，矩形导体1341A和1341B中的每一个以导体周期FYC在Y方向上重复地布置，并且矩形导体1341A和1341B在X方向上周期性地交替布置。
图159的A中的导体层C能够在X方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
图159的B示出了三层导体层的第十四结构示例的第十三变型例的导体层C。
图159的B中的导体层C具有下述结构：其中，多个矩形导体1361A和1361B以预定的重复周期在同一平面上重复地布置。例如，矩形导体1361A是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。例如，矩形导体1361B是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
图159的B中的导体层C与图159的A中的导体层C在矩形导体1361A和1361B的导体尺寸(具体地，导体宽度WYCA和WYCB)上是不同的。矩形导体1361A和1361B呈矩形，导体宽度WXCA<导体宽度WYCA，导体宽度WXCB<导体宽度WYCB。此外，导体宽度WXCA等于导体宽度WXCB，导体宽度WYCA等于导体宽度WYCB(导体宽度WXCA＝导体宽度WXCB，导体宽度WYCA＝导体宽度WYCB)。
图159的B中的导体层C能够在X方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
虽然图中没有示出，但也能够采用下述结构：其中，矩形导体1361A和1361B在Y方向上偏移导体周期FYC的1/2并且在相邻列中以预定的重复周期重复地布置在同一平面上；或者，矩形导体1361A和1361B在相邻列中在Y方向上偏移导体周期的1/3。此外，矩形导体1361A和1361B在相邻列中在Y方向上的偏移量可以被设计为任意值。此外，矩形导体1361A和1361B可以以多个列(两个或更多个列)为单位在Y方向上偏移被设计为任意值的偏移量，而不用管矩形导体1361A和1361B是否彼此相邻，并且本发明适合于当在预定平面范围(平面区域)观看时，矩形导体1361A在X方向上的导体宽度之和与矩形导体1361B在X方向上的导体宽度之和相同或基本相同的情况，但不限于此。
图159的C示出了三层导体层的第十四结构示例的第十四变型例的导体层C。
图159的C中的导体层C具有下述结构：其中，以在X方向上彼此相邻的两列矩形导体1361A和1361B为单位在Y方向上偏移了导体周期FYC的1/2，并且以预定的重复周期在同一平面上重复地布置。
图159的C中的导体层C能够在X方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
图160的A示出了三层导体层的第十四结构示例的第十五变型例的导体层C。
图160的A中的导体层C具有下述结构：其中，两个矩形导体1341A和两个矩形导体1341B在X方向和Y方向上以预定的重复周期布置在同一个平面上。相邻的矩形导体1341A之间的间隙、相邻的矩形导体1341B之间的间隙以及相邻的矩形导体1341A和1341B之间的间隙具有X方向上的间隙宽度GXC和Y方向上的间隙宽度GYC。两个矩形导体1341A和两个矩形导体1341B以X方向上的导体周期FXC和Y方向上的导体周期FYC重复地布置。
图160的B示出了三层导体层的第十四结构示例的第十六变型例的导体层C。
图160的B中的导体层C与图157的A中的导体层C的相同之处在于，导体层C具有多个矩形导体1343A和1343B以预定的重复周期重复地布置在同一平面上的结构；但与图157的A中的不同之处在于，在相邻的列中，上述布置在Y方向上偏移了导体周期FYC的1/2。也可以说，在相邻的行中，上述布置在X方向上偏移了导体周期FXC的1/2。X方向上的导体周期FXC以两列为单位，Y方向的导体周期FYC以两行为单位。
图160的C示出了三层导体层的第十四结构示例的第十七变型例的导体层C。
图160的C中的导体层C与图158的A中的导体层C的相同之处在于，导体层C具有多个矩形导体1344A和1344B以预定的重复周期重复地布置在同一平面上的结构；但与图158的A中的导体层C的不同之处在于，在相邻的列中，上述布置在Y方向上偏移了导体周期FYC的1/2。也可以说，在相邻的行中，上述布置在X方向上偏移了导体周期FXC的1/2。X方向上的导体周期FXC以两列为单位，Y方向上的导体周期FYC以两行为单位。图160的B中的导体层C和图160的C中的导体层C的不同之处仅在于X方向上的导体宽度WXCA和WXCB。
图160的A到C中的导体层C能够在X方向和Y方向上完全抵消电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
图161的A示出了三层导体层的第十四结构示例的第十八变型例的导体层C。
图161的A中的导体层C与图156的A中的导体层C的相同之处在于，导体层C具有两个矩形导体1341A和两个矩形导体1341B在X方向和Y方向上以预定的重复周期布置在同一平面上的结构；但不同之处在于，上述布置在Y方向上以两列为单位偏移了导体周期FYC的1/4。
图161的B示出了三层导体层的第十四结构示例的第十九变型例的导体层C。
图161的B中的导体层C与图157的A中的导体层C的相同之处在于，导体层C具有多个矩形导体1343A和1343B以预定的重复周期重复地布置在同一平面上的结构；但与图157的A中的不同之处在于，在相邻的列中，上述布置在Y方向上偏移了导体周期FYC的1/4。
图161的C示出了三层导体层的第十四结构示例的第二十变型例的导体层C。
图161的C中的导体层C具有下述结构：其中，导体1381A和1381B在Y方向上以预定的重复周期布置在同一平面上。例如，导体1381A是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。例如，导体1381B是连接到正电源的配线(Vdd配线)。
导体1381A具有下述形状：其中，在图161的B中沿X方向布置的所有矩形导体1343A通过最短路径连接。导体1381B具有下述形状：其中，在图161的B中沿X方向布置的所有矩形导体1343B通过最短路径连接。图161的C中的间隙宽度GXC和间隙宽度GYC对应于相邻导体之间在X和Y方向上的最小宽度。导体1381A和导体1381B可以不具有图161的B中沿X方向布置的所有矩形导体通过最短路径连接的形状，并且可以具有例如蜿蜒的形状或曲折的形状。
图161的A到C中的导体层C能够在Y方向上完全抵消电容性噪声并且能够在X方向上抵消部分的电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
图162的A示出了三层导体层的第十四结构示例的第二十一变型例的导体层C。
图162的A中的导体层C与图153的A中的导体层C的相同之处在于，导体层C具有多个矩形导体1341A和1341B以预定的重复周期重复地布置在同一平面上的结构；但与图153的A中的导体层C的不同之处在于，在相邻的列中，上述布置在Y方向上偏移了导体周期FYC的1/4。
图162的B示出了三层导体层的第十四结构示例的第二十二变型例的导体层C。
图162的B中的导体层C具有下述结构：其中，导体1382A和1382B以X方向上的导体周期FXC和Y方向上的导体周期FYC周期性地布置在同一平面上。例如，导体1382A是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。例如，导体1382B是连接到正电源的配线(Vdd配线)。导体1382A具有X方向上的导体宽度WXCA和Y方向上的导体宽度WYCA，并且导体1382B具有X方向上的导体宽度WXCB和Y方向上的导体宽度WYCB。图162的B中的间隙宽度GXC和间隙宽度GYC对应于相邻导体之间的在X和Y方向上的最小宽度。
导体1382A具有下述形状：在图162的A中沿X方向布置的两个矩形导体1341A通过最短路径连接。导体1382B具有下述形状：在图162的A中沿X方向布置的两个矩形导体1341B通过最短路径连接。导体1382A和导体1382B可以不具有导体通过最短路径连接的形状，并且可以具有下述形状：其中，图162的A中沿X方向布置的两个或更多矩形导体被电连接。
图162的C示出了三层导体层的第十四结构示例的第二十三变型例的导体层C。
图162的C中的导体层C具有下述结构：其中，导体1383A和1383B在Y方向上以预定的重复周期布置在同一平面上。例如，导体1383A是连接到GND或负电源的配线(Vss配线)。例如，导体1383B是连接到正电源的配线(Vdd配线)。导体1383A具有Y方向上的导体宽度WYCA，并且导体1382B具有Y方向上的导体宽度WYCB。图162的C中的间隙宽度GXC和间隙宽度GYC对应于相邻导体之间的在X和Y方向上的最小宽度。
导体1383A具有下述形状：其中，图162的A中的沿X方向布置的所有矩形导体1341A通过最短路径连接。导体1383B具有下述形状：其中，图162的A中的沿X方向布置的所有矩形导体1341B通过最短路径连接。导体1383A和导体1383B可以不具有图162的A中的沿X方向布置的所有矩形导体通过最短路径连接的形状，并且可以具有例如蜿蜒的形状或曲折的形状。
图162的A到C中的导体层C能够在Y方向上完全抵消电容性噪声并且能够在X方向上抵消部分电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。
图163的A示出了三层导体层的第十四结构示例的第二十四变型例的导体层C。
图163的A中的导体层C与图153的A中的导体层C的相同之处在于，导体层C具有矩形导体1341A和1341B以预定的重复周期重复地布置在同一平面上的结构；但与图153的A中的导体层C的不同之处在于存在以下两种区域，即，其中在相邻列中上述布置在Y方向上偏移了导体周期FYC的1/4的区域以及其中上述布置没有发生偏移的区域。图163的A中的导体层C具有下述结构：其中，以在Y方向上没有偏移的两个矩形导体1341A和1341B的在X方向上的中心为基准，导体在X方向上折回并且重复地布置。
图163的B示出了三层导体层的第十四结构示例的第二十五变型例的导体层C。
图163的B中的导体层C具有下述结构：其中，布置有矩形导体1371A和1371B，并且导体1382A和1382B以预定的重复周期重复地布置在同一平面上。
图163的B中的导体层C具有下述结构：其中，导体1382A和1382B在矩形导体1371A和1371B在X方向上的中心处折回，并且导体1382A和1382B在X方向上以导体周期FXC重复地布置。
图163的C示出了三层导体层的第十四结构示例的第二十六变型例的导体层C。
图163的C中的导体层C具有下述结构：其中，导体1391A和1391B在Y方向上以预定的重复周期布置在同一平面上。例如，导体1391A是连接到GND或负极电源的配线(Vss配线)。例如，导体1391B是连接到正电源的配线(Vdd配线)。导体1391A具有Y方向上的导体宽度WYCA，并且导体1391B具有Y方向上的导体宽度WYCB。图163的C中的间隙宽度GXC和间隙宽度GYC对应于相邻导体之间的在X和Y方向上的最小宽度。
导体1391A具有下述形状：其中，在图163的B中沿X方向布置的所有矩形导体1371A和导体1382A通过最短路径连接。导体1391B具有下述形状：其中，在图163的B中沿X方向布置的所有矩形导体1371B和导体1382B通过最短路径连接。导体1391A和导体1391B可以不具有图163的B中沿X方向布置的所有矩形导体通过最短路径连接的形状，并且可以具有例如曲折的形状或蜿蜒的形状。
图163的C中的导体层C具有下述结构：其中，导体以与图163的B中的导体层C的区域相同的区域为单位在X方向上折回并且重复地布置。
图163的A到C中的导体层C具有在X方向上镜像对称的导体布置。
图163的A到C中的导体层C能够在Y方向上完全抵消电容性噪声并且能够在X方向上抵消部分电容性噪声。当导体层C更靠近配线层170时，能够大大降低电容性噪声。尽管上面已经说明了一些具体示例，但是第一到第十四结构示例或它们的变型例(图122至163)特别适用于其中导体层A至C的三层能够通过在Z方向上延伸的导体通孔电连接的堆叠顺序。具体地说，图122到127、134、148、149和152到163中所示的结构示例及其变型例适合于图120的B中所示的堆叠顺序。此外，图150中所示的结构示例及其变型例适合于图120的A和B中所示的堆叠顺序。此外，图129、131、133、135至138、140、142至144、146、147和151中所示的结构示例及其变型例适合于图120的B和C中所示的堆叠顺序。此外，图128、130、132、139、141和145所示的结构示例及其变型例适合于图120的A到C中所示的堆叠顺序。
<三层导体的其它变型例>
在上述各结构示例中，例如，被描述为连接到GND或负电源的配线(Vss配线)的导体可以是例如连接到正电源的配线(Vdd配线)，并且例如，被描述为连接到正电源的配线(Vdd配线)的导体可以是例如连接到GND或负极电源的配线(Vss配线)。电压Vdd或Vss可以是GND和电源，或者可以是具有不同电压的两种类型的电源。优选地，电压Vdd和Vss具有两个不同的极性，但是本技术不限于此。优选的是，在Z方向延伸并且将导体层A、B和C连接至的Vdd和Vss之中的同一者的导体通孔的数量或总面积在预定的平面范围(平面区域)中是相同的，但是本技术不限于此。当布置在间隙中的中继导体被稀疏化时，可以使用上述示例以外的稀疏化方法，并且例如，可以随机地将中继导体稀疏化。
导体层C是电流在其中容易流动的具有低的薄层电阻的导体层，但是可以是电流难以在其中流动的具有高的薄层电阻的导体层。优选地，导体层C不是电路板、半导体基板和电子器件中流动最难以流动的导体层，但本技术不限于此。优选地，导体层C是电路板、半导体基板和电子器件中电流最容易流动的导体层，但本技术不限于此。优选的是，与导体层A和导体层B中的至少一个相比，导体层C是电流容易在其中流动的导体层，但是本技术不限于此。优选地，导体层C是电路板、半导体基板或电子设备中的次于导体层A的电流在其中易于流动的导体层，但不限于此。优选地，导体层C是电路板、半导体基板或电子设备中的次于导体层B的电流在其中易于流动的导体层，但不限于此。例如，导体层C可以是第一半导体基板101或第二半导体基板102中的电流在其中最难流动的导体层。例如，导体层C可以是第一半导体基板101或第二半导体基板102中的电流在其中最容易流动的导体层。例如，导体层C可以是第一半导体基板101或第二半导体基板102中的电流在其中第二容易流动的导体层。例如，导体层C可以是第一半导体基板101或第二半导体基板102中的电流在其中第三容易流动的导体层。例如，导体层C可以是第一半导体基板101或第二半导体基板102中的次于导体层A的电流在其中易于流动的导体层。例如，导体层C可以是第一半导体基板101或第二半导体基板102中的次于导体层B的电流在其中易于流动的导体层。
上述电路板、半导体基板或电子设备中的电流易于在其中流动的导体层可被视为电路板中的电流易于在其中流动的导体层、半导体基板中的电流易于在其中流动的导体层和电子设备中的电流易于在其中流动的导体层之中的一种。此外，上述电路板、半导体基板或电子设备中的电流难以在其中流动的导体层可被视为电路板中的电流难以在其中流动的导体层、半导体基板中的电流难以在其中流动的导体层和电子设备中的电流难以在其中流动的导体层之中的一种。此外，电流易于在其中流动的导体层可替换为具有低的薄层电阻的导体层，并且电流难以在其中流动的导体层可替换为具有高的薄层电阻的导体层。
诸如铜、铝、钨、铬、镍、钽、钼、钛、金、银或铁等金属或者含有这些金属中的至少一种的混合物、化合物或合金可以主要用作用于导体层C的导体材料。此外，可以包含诸如硅、锗、化合物半导体、有机半导体等半导体。此外，可以包含诸如棉、纸、聚乙烯、聚氯乙烯、天然橡胶、聚酯、环氧树脂、三聚氰胺树脂、苯酚树脂、聚氨酯、合成树脂、云母、石棉、玻璃纤维或陶瓷等绝缘材料。此外，导体层C可以是最上面的金属层或最下面的金属层的导体层，也就是说，可以是最上面的层或最下面的层，并且可以是用于相同类型的金属接合(例如Cu-Cu接合、Au-Au接合，或Al-Al接合)或不同类型的金属键合(例如Cu-Au接合、Cu-Al接合或Au-Al接合)的导体层。
各个导体层A到C的平面布局可以在X方向上反转或者可以在Y方向上反转。此外，平面布局可以顺时针旋转预定角度(例如，90度)，或者可以逆时针旋转预定角度(例如，-90度)。此外，已经使用在上述各个结构示例中的一部分示例中所有导体周期、所有导体宽度和所有间隙宽度都相等的示例给出了说明，但是本技术不限于此。例如，导体周期、导体宽度或间隙宽度可以不相等，或者导体周期、导体宽度或间隙宽度可以根据位置而变化。此外，已经使用在上述的一些结构示例中导体周期、导体宽度、间隙宽度、配线形状、配线位置或配线数量在Vdd配线和Vss配线中是基本相同的示例给出了说明，但本技术并不局限于此。例如，在Vdd配线和Vss配线中，导体周期可以不同、导体宽度可以不同、间隙宽度可以不同、配线形状可以不同、配线位置可以不同、配线位置可以偏移或未对准，以及配线数量可以不同。
<13.应用示例>
根据本发明的技术不限于对上述实施例及其变型例或应用示例的描述，并且可以进行各种修改。可以省略各个实施例及其变型例或应用示例中的相应的组件中的一部分，可以更改这些组件中的一部分或全部，可以对这些组件中的一部分或全部进行变型，可以用其它组件替换这些组件中的一部分或全部，并且可以将其它组件添加至这些组件中的一部分或全部。此外，各实施例及其变型例或应用示例中的一部分或全部的相应的组件可以被划分为多个部分或者可以被分离为多个部分，并且在多个被分割或分离的组件中的至少一部分中功能或特性可以不同。此外，对于不同的实施例，可以组合上述实施例及其变型例或应用示例中的相应的组件的至少一部分。此外，对于不同的实施例，可以移动上述实施例及其变型例或应用示例中的相应的组件的至少一部分。此外，对于不同的实施例，连结元件或中继元件可被添加到上述实施例及其变型例或应用示例的中的相应的组件的至少一部分的组合中。此外，对于不同的实施例，切换元件或切换功能可以被添加到上述实施例及其变型例或应用示例的中的相应的组件的至少一部分的组合中。
在根据本实施例的固态成像设备100中，形成导体层A和B的导体(可能是侵扰导体回路)是Vdd配线或Vss配线。也就是说，在导体层A和B中，在其区域的至少一部分中电流以相反的方向流动，并且在特定的时间，当电流在导体层A中从图中的顶部流向底部时，电流在导体层B中从图中的底部流向顶部。优选的是，电流的大小是相同的。已经使用在第二半导体基板中构成形成导体层A和B的导体的示例给出了说明，但是本技术不限于此。例如，导体可以被构造在第一半导体基板中，或者导体的一部分或全部可以被形成在第二半导体基板以外的位置。
流经导体层A和B的信号可以是Vdd或Vss以外的任何信号，只要这些信号是电流方向在时间方向上改变的差分信号。也就是说，电流I随时间t变化(微小时间dt中的微小电流变化为dI)的信号流过导体层A和B。即使直流电流基本上流过导体层A和B，在电流上升，电流的时间转变或者电流下降等情况下，电流I也会随着时间t而变化。
例如，流过导体层A的电流的大小可以与流过导体层B的电流的大小不同。另一方面，流过导体层A的电流的大小可以与流过导体层B的电流的大小相同(随时间而变化的电流以基本相同的时序流过导体层A和B)。通常，与当导体层A中流动的电流的大小与导体层B中流动的电流的大小不相同时相比，当随时间变化的电流以基本相同的时序流过导体层A和B时，能够进一步抑制在受扰导体回路中产生的感应电动势的大小。另一方面，流过导体层A和B的信号可以不是差分信号。例如，两者可以是Vdd配线、Vss配线、GND配线、相同类型的信号线或不同类型的信号线等等。此外，形成导体层A和B的导体可以是未连接到电源或信号源的导体。在这些情况下，虽然抑制感应噪声的效果减弱了，但是能够获得其它的发明效果。
此外，诸如时钟信号等具有预定频率的频率信号可以在导体层A和B中流动。此外，例如，交流电源电流可以在导体层A和B中流动。此外，例如，相同频率的信号可以在导体层A和B中流动。此外，包括多个频率分量的信号可以在导体层A和B中流动。另一方面，电流I完全不随时间t变化的DC信号可以流动。在这种情况下，无法获得能够抑制感应噪声的效果，但是可以获得其它发明效果。另一方面，可以没有信号流动。在这种情况下，不能获得抑制感应噪声、抑制电容性噪声和降低电压降(IR-Drop)的效果，但是可以获得其它发明效果。
<14.摄像装置的结构示例>
上述固态成像器件100例如可应用于诸如数码相机或摄像机的摄像系统、具有成像功能的移动电话、具有成像功能的其它设备或者包括具有诸如闪存等高灵敏度模拟元件的半导体器件的电子设备。
图164是示出了作为电子设备的示例的摄像装置700的结构示例的框图。
摄像装置700包括固态成像元件701、将入射光引导到固态成像元件701的光学系统702、设置在固态成像元件701和光学系统702之间的快门机构703以及驱动固态成像元件701的驱动电路704。此外，摄像装置700包括处理固态成像元件701的输出信号的信号处理电路705。
固态成像元件701对应于上述固态成像器件100。光学系统702例如包括光学透镜组，并且使来自对象的图像光(入射光)入射到固态成像元件701上。因此，在固态成像元件701中累积一定时间的信号电荷。快门机构703控制相对于固态成像元件701的入射光的光照周期和遮光周期。
驱动电路704向固态成像元件701和快门机构703提供驱动信号。驱动电路704根据提供的驱动信号对固态成像元件701向信号处理电路705输出信号的操作和快门机构703的快门操作进行控制。也就是说，在该示例中，通过从驱动电路704提供的驱动信号(时序信号)来执行将信号从固态成像元件701传输到信号处理电路705的操作。
信号处理电路705对从固态成像元件701传送来的信号执行各种信号处理。经过各种信号处理后的信号(视频信号)被存储在诸如存储器等存储介质(未示出)中或被输出到监视器(未示出)。
根据如上所述的诸如摄像装置700的电子设备，能够抑制固态成像元件701中的由于在外围电路部中的操作时由诸如从诸如MOS晶体管或二极管之类的有源元件发射的热载流子光等的光泄漏到光接收元件中而导致产生的噪声。因此，能够提供具有改进的图像质量的高质量电子设备。
<15.体内信息采集系统的应用示例>
根据本发明的技术(本技术)能够适用于多种产品。例如，根据本发明的技术可以应用到使用胶囊式内窥镜的用于患者的体内信息采集系统。
图165是示出了使用能够应用根据本发明的技术的胶囊式内窥镜的用于患者的体内信息采集系统的示意性构造的框图。
体内信息采集系统10001包括胶囊式内窥镜10100和外部控制装置10200。
在检查时，病人吞咽胶囊式内窥镜10100。胶囊式内窥镜10100具有摄像功能和无线通信功能，并且当胶囊式内窥镜10100通过蠕动等在器官内部移动的同时，其以预定时间间隔连续拍摄诸如胃或肠等器官内部的图像(下文中称为体内图像)直到其被患者自然排出。然后，胶囊式内窥镜10100将体内图像的信息连续地无线传输至体外的外部控制装置10200。
外部控制装置10200集成地控制体内信息采集系统10001的操作。另外，外部控制装置10200接收从胶囊式内窥镜10100向其传递的体内图像的信息，并且基于收到的体内图像的信息生成用于在显示装置(未示出)上显示体内图像的图像数据。
因此，体内信息采集系统10001在从胶囊式内窥镜10100被吞咽到被排出的时间段内能够随时获取通过对患者的体内的状态成像而获得的体内图像。
下文将详细说明胶囊式内窥镜10100和外部控制装置10200的构造和功能。
胶囊式内窥镜10100包括胶囊型外壳10101，并且胶囊型外壳10101中容纳有光源单元10111、摄像单元10112、图像处理单元10113、无线通信单元10114、供电单元10115、电源单元10116和控制单元10117。
光源单元10111例如包括诸如发光二极管(LED)等的光源，并且用光照射摄像单元10112的摄像视野。
摄像单元10112包括摄像元件和光学系统。光学系统包括多个设置在摄像元件的前段的透镜。照射在作为观察目标的身体组织上的光的反射光(以下称为观察光)由光学系统聚集并且入射至摄像元件。在摄像单元10112中，由摄像元件对入射的观察光进行光电转换，由此产生对应于观察光的图像信号。由摄像单元10112产生的图像信号被提供给图像处理单元10113。
图像处理单元10113包括诸如中央处理单元(CPU)或图像处理单元(GPU)等处理器，并且对由摄像单元10112产生的图像信号进行各种图像处理。图像处理单元10113向无线通信单元10114提供已经过了信号处理的图像信号作为RAW数据。
无线通信单元10114对已经由图像处理单元10113进行了信号处理的图像信号进行诸如调制处理等预定处理，并且通过天线10114A将处理后的图像信号发送至外部控制装置10200。另外，无线通信单元10114通过天线10114A接收来自外部控制装置10200的与胶囊式内窥镜10100的驱动控制相关的控制信号。无线通信单元10114将从外部控制装置10200接收的控制信号提供给控制单元10117。
供电单元10115例如包括用于接收电力的天线线圈、用于从天线线圈中产生的电流再生电力的电力再生电路和升压电路等。供电单元10115利用非接触充电原理产生电力。
电源单元10116包括蓄电池，并且存储由供电单元10115产生的电力。在图165中，为了避免复杂的图示，省略了指示来自电源单元10116的电力的供应目的地的箭头等。然而，电源单元10116中存储的电力被供给至光源单元10111、摄像单元10112、图像处理单元10113、无线通信单元10114和控制单元10117并且能够被用来驱动上述部件。
控制单元10117包括诸如CPU等处理器，并且根据从外部控制装置10200向其发送的控制信号恰当地控制光源单元10111、摄像单元10112、图像处理单元10113、无线通信单元10114和供电单元10115的驱动。
外部控制装置10200包括诸如CPU或GPU等处理器或者微型计算机或其中装载了处理器和诸如存储器等存储元件的控制板等。外部控制装置10200通过天线10200A将控制信号发送至胶囊式内窥镜10100的控制单元10117以控制胶囊式内窥镜10100的操作。在胶囊式内窥镜10100中，例如，可以根据来自外部控制装置10200的控制信号改变光源单元10111中的用于观察目标的光照条件。另外，可以根据来自外部控制装置10200的控制信号改变摄像条件(例如，摄像单元10112的帧率、曝光值等)。另外，可以根据来自外部控制装置10200的控制信号改变图像处理单元10113中的处理内容或者从无线通信单元10114传输图像信号的条件(例如，传输间隔、传输图像数目等)。
另外，外部控制装置10200对从胶囊式内窥镜10100向其传送的图像信号进行各种图像处理并且生成用于在显示装置上显示拍摄的体内图像的图像数据。作为图像处理，例如可以执行各种信号处理，诸如显影处理(去马赛克处理)、高图像质量处理(例如带宽增强处理、超分辨率处理、降噪(NR)处理和/或相机抖动校正处理)和/或放大处理(电子变焦处理)。外部控制装置10200控制显示装置的驱动，使得显示装置基于产生的图像数据显示拍摄的体内图像。或者，外部控制装置10200还可以使产生的图像数据被记录在记录装置(未示出)中，或者可以使图像数据被打印装置(未示出)打印并输出。
以上说明了可以应用根据本发明的技术的体内信息采集系统的示例。根据本发明的技术例如可以应用到上述结构中的摄像单元10112。具体地，上述固态成像元件100能够被应用为摄像单元10112。通过将根据本发明的技术应用至摄像单元10112，能够抑制噪声的产生并且获得更清晰的手术部位图像，并且因此提高检测的精准度。
<16.内窥镜手术系统的应用示例>
根据本发明的技术(本技术)可以应用于各种产品。例如，根据本发明的技术可以应用于内窥镜手术系统。
图166是示出了可以应用根据本发明的技术(本技术)的内窥镜手术系统的示意性配置的示例的视图。
图166示出了外科大夫(医生)11131正在使用内窥镜手术系统11000为在病床11133上的患者11132执行手术的状态。如图所示，内窥镜手术系统11000包括内窥镜11100、其它手术工具11110(例如气腹管11111和能量装置11112)、支撑臂装置11120(其支撑内窥镜11100)和推车11200(用于内窥镜手术的各种装置装载在推车11200上)。
内窥镜11100包括镜筒11101和连接至镜筒11101的基底端的摄像头11102，镜筒11101的从其远端起具有预定长度的区域被插入患者11132的体腔。虽然在图示的示例中示出了内窥镜11100被构造为具有硬型镜筒11101的所谓的刚性内窥镜，但内窥镜11100也可以被构造为具有柔性的镜筒的所谓的柔性内窥镜。
镜筒11101在其远端设置有安装物镜的开口部。光源装置11203连接至内窥镜11100，并且由光源装置11203产生的光通过在镜筒11101内部延伸的光导而被引导至镜筒的远端并且通过物镜向患者11132的体腔中的观察目标照射。需要注意的是，内窥镜11100可以是前视内窥镜，或者可以是斜视内窥镜或者侧视内窥镜。
在摄像头11102的内部设置有光学系统和摄像元件，使得来自观察目标的反射光(观察光)被光学系统聚集在摄像元件上。摄像元件对观察光进行光电转换，以产生与观察光相对应的电信号，即与观察图像相对应的图像信号。图像信号被作为原始数据(RAWdata)传输到相机控制单元(CCU)11201。
CCU 11201包括中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)等，并且集中地控制内窥镜11100和显示装置11202的操作。另外，CCU 11201从摄像头11102接收图像信号，并且针对图像信号执行用于基于图像信号显示图像的各种图像处理，例如显影处理(去马赛克处理)。
显示装置11202在CCU 11201的控制下显示基于已由CCU 11201进行了图像处理的图像信号的图像。
光源装置11203包括诸如例如发光二极管(LED)等光源，并且为内窥镜11100提供照射光以对手术区域等成像。
输入装置11204是用于内窥镜手术系统11000的输入接口。使用者可以通过输入装置11204将各种类型的信息或指令输入到内窥镜手术系统11000。例如，使用者输入指令以改变内窥镜11100的图像拍摄条件(照射光的类型、放大率或焦距等)。
治疗工具控制装置11205控制用于烧灼或切开组织、密封血管等的能量装置11112的驱动。气腹装置11206通过气腹管11111将气体送入患者11132的体腔内以便对患者11132的体腔充气，以确保内窥镜11100的操作者的视野和工作空间。记录器11207是能够记录与手术有关的各种类型的信息的装置。打印机11208是能够以各种形式(例如文本、图像或图形)打印与手术有关的各种类型的信息的装置。
将用于对手术区域成像的照射光提供至内窥镜11100的光源装置11203可以包括例如LED、激光光源或者它们的组合的白光源。在白光源通过RGB激光光源的组合而形成的情况下，能够高精度地控制各种颜色(各个波长)的输出强度和输出时序，所以光源装置11203能够调整拍摄图像的白平衡。另外，在这种情况下，如果来自各个RGB激光光源的激光束分时地照射观察目标，并且与照射时序同步地控制摄像头11102的摄像元件的驱动，则也能够以分时的方式拍摄对应于R、G和B各者的图像。根据此方法，能够在没有为摄像元件设置滤色器的情况下获得彩色图像。
另外，可以控制光源装置11203的驱动，从而以预定的时间间隔改变输出光的强度。通过与光强度的改变的时序同步地控制摄像头11102的摄像元件的驱动，能够以分时的方式获取图像，并且通过合成所述图像能够生成没有所谓的曝光不足阴影和过曝高光的高动态范围图像。
另外，光源装置11203可以被构造为能够提供与特殊光观察相对应的预定波长带的光。在特殊光观察中，例如进行所谓的窄带光观察(窄带光成像)，其中，通过利用人体组织中光吸收的波长依赖性，用与普通观察的照射光(即，白光)相比更窄波段的光照射人体组织，使得以高对比度对预定组织(例如粘膜的表面的血管等)成像。或者，在特殊光观察中，可以进行荧光观察，其中，使用通过用激发光照射而产生的荧光获得图像。在荧光观察中，例如，可以通过将激发光照射到身体组织上来观察来自身体组织的荧光(自体荧光观察)，或者将试剂(诸如吲哚菁绿(ICG))局部地注射入人体并且用与试剂的荧光波长对应的激发光照射人体组织，从而获得荧光图像。光源装置11203可以被构造为能够提供与上述的特殊光观察相对应的窄带光和/或激发光。
图167是示出了图166中说明的摄像头11102和CCU 11201的功能结构的示例的框图。
摄像头11102包括透镜单元11401、摄像单元11402、驱动单元11403、通信单元11404和摄像头控制单元11405。CCU 11201包括通信单元11411、图像处理单元11412和控制单元11413。摄像头11102和CCU 11201通过传输电缆11400以能够通信的方式彼此连接。
透镜单元11401是设置在与镜筒11101的连接部的光学系统。从镜筒11101的远端摄取的观察光被引导到摄像头11102并且入射至透镜单元11401。透镜单元11401包括包含变焦透镜和聚焦透镜的多个透镜的组合。
摄像单元11402包含摄像元件。构成摄像单元11402的摄像元件的数量可以是一个(所谓的单板型)或者是多个(所谓的多板型)。例如，在摄像单元11402被构成为多板型的摄像单元的情况下，通过各个摄像元件生成与R、G和B的各者相对应的图像信号，并且可以合成图像信号以获得彩色图像。或者，摄像单元11402可以被构造为具有用于分别获取与三维(3D)显示相对应的用于右眼的图像信号和用于左眼的图像信号的一对摄像元件。如果执行3D显示，则使得外科大夫11131能够更准确地理解手术区域中活体组织的深度。当摄像单元11402被构成为多板型的摄像单元时，可以与各个摄像元件相对应地设置透镜单元11401的多个系统。
此外，摄像单元11402可以不设置在摄像头11102上。例如，可以在镜筒11101内部的紧挨着物镜后面设置摄像单元11402。
驱动单元11403包含致动器，并且在摄像头控制单元11405的控制下，沿光轴以预定距离移动透镜单元11401的变焦透镜和聚焦透镜。因此，能够适当地调整由摄像单元11402拍摄的图像的放大率和焦点。
通信单元11404包括用于发送各种类型的信息到CCU 11201和接收来自CCU 11201的各种类型信息的通信装置。通信单元11404通过传输电缆11400将从摄像单元11402获取的图像信号作为RAW数据发送到CCU 11201。
通信单元11404也从CCU 11201接收用于控制摄像头11102的驱动的控制信号，并将该控制信号提供给摄像头控制单元11405。控制信息包括例如与摄像条件相关的信息，诸如指定拍摄图像的帧率的信息、指定拍摄图像时的曝光值的信息和/或指定拍摄图像的放大倍数和焦点的信息。
应当注意的是，诸如帧率、曝光值、放大倍数或焦点等的图像拍摄条件可以由用户适当地指定或者可以由CCU 11201的控制单元11413基于获得的图像信号自动设定。在后一种情况下，内窥镜11100具有自动曝光(AE)功能、自动聚焦(AF)功能和自动白平衡(AWB)功能。
摄像头控制单元11405基于通过通信单元11404接收到的来自CCU 11201的控制信号控制摄像头11102的驱动。
通信单元11411包含用于发送各种类型的信息到摄像头11102和接收来自摄像头11102的各种类型的信息的通信装置。通过传输电缆11400，通信单元11411接收从摄像头11102发送的图像信号。
此外，通信单元11411向摄像头11102发送用于控制摄像头11102的驱动的控制信号。图像信号和控制信号可以通过电通信、光通信等传输。
图像处理单元11412对从摄像头11102发送的RAW数据形式的图像信号执行各种图像处理。
控制单元11413执行与使用内窥镜11100对手术部位等的摄像和通过对手术部位等的摄像而获得的拍摄图像的显示相关的各种类型的控制。例如，控制单元11413生成用于控制摄像头11102的驱动的控制信号。
此外，控制单元11413基于已经由图像处理单元11412进行了图像处理的图像信号令显示装置11202显示通过对手术部位等进行成像而获得的被摄图像。在此情况下，控制单元11413可以使用各种图像识别技术来识别所拍摄图像中的各种对象。例如，控制单元11413能够检测包含在拍被摄图像中的对象的边缘的形状或颜色等，由此识别例如镊子等手术工具、特定的活体部位、出血、当使用能量装置11112时的雾等等。当控制单元11413令显示装置11202显示被摄图像时，控制单元11413可以使用识别的结果使得各种类型的手术支持信息被叠加并显示在手术部位的图像上。通过以交叠的方式显示手术支持信息并且呈现给外科大夫11131时，能够减轻外科大夫11131的负担，并且外科医生11131能够可靠地进行手术。
将摄像头11102连接至CCU 11201的传输电缆11400是能够用于电信号通信的电信号电缆、能够用于光通信的光纤或者能够用于电通信和光通信的复合电缆。
这里，虽然在所说明的示例中，通过使用传输电缆11400进行有线通信，但是也可以通过无线通信来执行摄像头11102和CCU 11201之间的通信。
上文已经说明了能够应用根据本发明的技术的内窥镜手术系统的示例。根据本发明的技术可以应用于上述结构中的摄像头11102的摄像单元11402。具体地，上述固态成像器件100能够被应用为摄像单元11402。通过将根据本发明的技术应用至摄像单元11402，能够抑制噪声的产生并且获得更清晰的手术部位的图像，并且因此外科大夫能够可靠地确认手术部位。
这里虽然将内窥镜手术系统作为示例进行了说明，但是根据本发明的技术例如可以应用于例如显微手术系统等。
<17.移动体的应用示例>
此外，根据本发明的技术可以实现为安装在诸如汽车、电动车、混合动力车辆、摩托车、自行车、个人移动设备、飞机、无人机、船舶或机器人等任意类型的移动体上的装置。
图168是示出了作为可以应用根据本发明的技术的移动体控制系统的示例的车辆控制系统的示意性结构示例的框图。
车辆控制系统12000包含通过通信网络12001彼此连接的多个电控制单元。在图168中图示的例子中，车辆控制系统12000包括驱动系统控制单元12010、车身系统控制单元12020、车外信息检测单元12030、车内信息检测单元12040和集成控制单元12050。此外，示出了作为集成控制单元12050的功能性结构的微型计算机12051、声音图像输出单元12052和车载网络接口(I/F)12053。
驱动系统控制单元12010根据各种程序控制与车辆的驱动系统相关的装置的操作。例如，驱动系统控制单元12010用作下述装置的控制装置：诸如内燃机或驱动马达等用于产生车辆的驱动力的驱动力产生装置、将驱动力传递到车轮的驱动力传递机构、调整车辆转向角的转向机构、产生车辆的制动力的制动装置等。
车身系统控制单元12020根据各种程序控制设置在车身上的各种类型的装置的操作。例如，车身系统控制单元12020用作无钥匙进入系统、智能钥匙系统、电动车窗装置或诸如车前灯、倒车灯、刹车灯、转向灯、雾灯等各种灯的控制装置。在这种情况下，可以向车身系统控制单元12020输入从替代钥匙的移动装置发送的无线电波或者各种开关的信号。车身系统控制单元12020接收这些无线电波或者信号的输入，并且控制车辆的门锁装置、电动车窗装置或车灯等。
车外信息检测单元12030检测关于装载有车辆控制系统12000的车辆的外部的信息。例如，车外信息检测单元12030连接至摄像单元12031。车外信息检测单元12030使摄像单元12031拍摄车辆外部的图像，并且接收被摄图像。基于所接收到的图像，车外信息检测单元12030可以进行针对人、车辆、障碍物、标志或路面上的字符等的物体检查处理或者距离检查处理。
摄像单元12031是接收光线并且输出与接收到光的光量相对应的电信号的光学传感器。摄像单元12031可以将电信号作为图像输出，或者可以将电信号作为距离测量信息输出。此外，由摄像单元12031接收的光可以是可见光，或者可以是诸如红外线等不可见光。
车内信息检测单元12040检测车辆内部的信息。车内信息检测单元12040例如与检测驾驶员状态的驾驶员状态检测单元12041连接。驾驶员状态检测单元12041例如包括拍摄驾驶员的相机，并且基于从驾驶员状态检测单元12041输入的检测信息，车内信息检测单元12040可以计算驾驶员的疲劳程度或者驾驶员的集中程度，或者可以确定驾驶员是否在打瞌睡。
微型计算机12051可以基于由车外信息检测单元12030或车内信息检测单元12040获取的关于车辆内部或外部的信息来计算驱动力产生装置、转向机构或者制动装置的控制目标值，并且向驾驶系统控制单元12010输出控制命令。例如，微型计算机12051可以执行旨在实现高级驾驶员辅助系统(ADAS)的功能的协同控制，ADAS功能包括车辆碰撞避免或冲击减缓、基于车间距离的跟车行驶、车速保持行驶、车辆碰撞警告、车道偏离警告等。
此外，微型计算机12051能够基于由车外信息检测单元12030或车内信息检测单元12040获取的关于车辆附近的信息控制驱动力产生装置、转向机构或制动装置等，以执行旨在实现例如自动驾驶等的协同控制，所述自动驾驶使得车辆能够在不依赖驾驶员的操作的情况下自主地行驶。
此外，基于由车外信息检测单元12030获取的关于车辆外部的信息，微型计算机12051可以向车身系统控制单元12020输出控制命令。例如，微型计算机12051可以例如根据由车外信息检测单元12030检测到的前方车辆或迎面而来的车辆的位置控制车前灯，以进行诸如从远光切换为近光的旨在实在防止炫光的协同控制。
声音图像输出单元12052将声音或者图像中的至少一者的输出信号发送到能够将信息在视觉或者听觉上通知车辆的乘客或车辆外部的输出装置。在图168的示例中，输出装置的示例包括音频扬声器12061、显示单元12062和仪表板12063。显示单元12062例如可以包括车载显示器和抬头显示器中的至少一者。
图169是说明摄像单元12031的安装位置的示例的示意图。
在图169中，车辆12100包括摄像单元12101、摄像单元12102、摄像单元12103、摄像单元12104和摄像单元12105作为摄像单元12031。
摄像单元12101、摄像单元12102、摄像单元12103、摄像单元12104和摄像单元12105例如设置在车辆12100的前鼻、侧视镜、后保险杠和后门以及车内的挡风玻璃的上部等位置处。设置在前鼻的摄像单元12101和设置在车内的挡风玻璃上部的摄像单元12105主要获取车辆12100的前方区域的图像。设置在侧视镜的摄像单元12102和摄像单元12103主要获取车辆12100的两侧的图像。设置在后保险杠或后门上的摄像单元12104主要获取车辆12100的后方区域的图像。设置在车内的挡风玻璃上部的摄像单元12105主要用于检测前方车辆、行人、障碍物、交通信号、交通标志和车道等。
图169示出了摄像单元12101至摄像单元12104的摄像范围的示例。摄像范围12111代表设置在前鼻的摄像单元12101的摄像范围。摄像范围12112和12113分别代表设置在侧视镜的摄像单元12102和摄像单元12103的摄像范围。摄像范围12114代表设置在后保险杠或后盖上的摄像单元12104的摄像范围。例如，通过叠加由摄像单元12101至摄像单元12104拍摄的图像数据，能够获得从上方观察的车辆12100的鸟瞰图像。
摄像单元12101至摄像单元12104中的至少一者可以具有获取距离信息的功能。例如，摄像单元12101至摄像单元12104中的至少一个可以是包含多个摄像元件的立体相机，或者可以是具有用于相位差检测的像素的摄像元件。
例如，基于从摄像单元12101至摄像单元12104获取的距离信息，微型计算机12051能够获得到摄像范围12111至12114内的各个三维物体的距离和所述距离的时间变化(相对于车辆12100的相对速度)，从而提取特别是在车辆12100的行驶路径上的以预定速度(例如，等于或大于0千米/小时)沿着与车辆12100大致相同的方向行驶的最靠近的三维物体作为前方车辆。此外，微型计算机12051可以预先设定要在前行车辆前方确保的车间距离，并且进行自动制动控制(包括跟车停止控制)、自动加速控制(包括跟车启动控制)等。因此，能够执行旨在例如使车辆不依赖于驾驶员的操作而自动行驶的自动驾驶等的协同控制。
例如，基于从摄像单元12101至摄像单元12104获取的距离信息，微型计算机12501能够将关于三维物体的三维物体数据分类为两轮车辆、标准车辆、大型车辆、行人、电线杆和其它三维物体等，提取分类后的三维对象数据，并且将所述三维物体用于障碍物的自动躲避。例如，微型计算机12051将车辆12100周围的障碍物分类为车辆12100的驾驶员能够看见的障碍物和车辆12100的驾驶员难以看见的障碍物。微型计算机12051能够确定用于指示与各个障碍物碰撞的风险等级的碰撞风险，并且在碰撞风险等于或者高于设定值并且因此存在碰撞可能性的情况下，微型计算机12051能够经由音频扬声器12061或者显示单元12062向驾驶员发出警告，或者通过驱动系统控制单元12010执行强制减速或者规避转向，从而进行用于避免碰撞的驾驶辅助。
摄像单元12101至摄像单元12104中的至少一者可以是检测红外线的红外相机。例如，微型计算机12051能够判断摄像单元12101至摄像单元12104的被摄图像中是否存在行人，以识别出行人。例如，这样的行人识别是通过如下步骤执行的：提取作为红外相机的摄像单元12101至摄像单元12104的被摄图像中的特征点；以及对一系列表示物体轮廓的特征点进行模式匹配处理以判定物体是否是行人。如果微型计算机12051判定在摄像单元12101至摄像单元12104的被摄图像中存在行人并识别出了行人，则声音图像输出单元12052控制显示单元12062以使显示单元12062显示其上叠加有用于强调的矩形轮廓线的被识别的行人。此外，声音图像输出单元12052还可以控制显示单元12062，以使显示单元12062例如在需要的位置显示代表行人的图标等。
上文已经说明了可应用根据本公开的技术的车辆控制系统的示例。根据本公开的技术可以应用于例如上述的结构中的摄像单元12031。具体地，上述固态成像器件100可应用为摄像单元12031。通过将根据本公开的技术应用于摄像单元12031，能够抑制噪声的发生，并且能够获得更容易查看的被摄图像，并因此能够实现对驾驶员的驾驶的适当辅助。
本技术的实施例不限于上述实施例，并且能够在不脱离本技术要点的情况下进行各种变型。
本说明书中描述的效果只是示例并且不应受到限制，并且可能存在本说明书中所描述的效果之外的效果。
本技术也可以具有以下结构。
(1)
一种电路板，其包括：
至少具有第一导体部的第一导体层，所述第一导体部包括具有平面状或网状的第一基本图案在同一平面上重复的形状的导体；
至少具有第二导体部的第二导体层，所述第二导体部包括具有平面状或网状的第二基本图案在同一平面上重复的形状的导体；和
至少具有第三导体部和第四导体部的第三导体层，所述第三导体部包括具有直线状的第三基本图案在同一平面上重复的形状的导体，所述第四导体部包括具有直线状的第四基本图案在同一平面上重复的形状的导体，其中
所述第一基本图案和所述第二基本图案形成差分结构，并且所述第三基本图案和所述第四基本图案形成差分结构。
(2)
根据(1)所述的电路板，包括：
第四导体层，其包括控制线或信号线的至少一部分，
其中，所述第一导体层至所述第四导体层按照所述第四导体层、所述第一导体层、所述第二导体层和所述第三导体层的顺序堆叠。
(3)
根据(1)或(2)所述的电路板，包括：
第四导体层，其包括控制线或信号线的至少一部分，
其中，所述第一导体层至所述第四导体层按照所述第四导体层、所述第一导体层、所述第三导体层和所述第二导体层的顺序堆叠。
(4)
根据(1)至(3)中任一项所述的电路板，包括：
第四导体层，其包括控制线或信号线的至少一部分，
其中，所述第一导体层至所述第四导体层按照所述第四导体层、所述第三导体层、所述第一导体层和所述第二导体层的顺序堆叠。
(5)
根据(1)至(4)中任一项所述的电路板，其中，所述第三基本图案的导体宽度的总和与所述第四基本图案的导体宽度的总和基本上彼此相等。
(6)
根据(1)至(5)中任一项所述的电路板，其中，所述第一基本图案的重复周期和所述第二基本图案的重复周期基本上彼此相等。
(7)
根据(1)至(6)中任一项所述的电路板，其中，所述第三基本图案的重复周期和所述第四基本图案的重复周期基本上彼此相等。
(8)
根据(1)至(7)中任一项所述的电路板，其中，所述第一基本图案、所述第二基本图案、所述第三基本图案和所述第四基本图案在它们的区域的至少一部分中形成遮光结构。
(9)
根据(1)至(8)中任一项所述的电路板，其中，所述第一基本图案、所述第三基本图案和所述第四基本图案在它们的区域的至少一部分中形成遮光结构。
(10)
根据(1)至(9)中任一项所述的电路板，其中，所述第二基本图案、所述第三基本图案和所述第四基本图案在它们的区域的至少一部分中形成遮光结构。
(11)
根据(1)至(10)中任一项所述的电路板，其中，所述第一基本图案和所述第三基本图案彼此电连接，并且所述第二基本图案和所述第四基本图案彼此电连接。
(12)
根据(1)至(11)中任一项所述的电路板，
其中，所述第一导体层包括位于所述网状的间隙中的一个或多个第一中继导体，
所述第二基本图案和所述第四基本图案经由所述第一中继导体彼此电连接，
所述第二导体层包括位于所述网状的间隙中的一个或多个第二中继导体，并且
所述第一基本图案和所述第三基本图案经由所述第二中继导体彼此电连接。
(13)
根据(1)至(12)中任一项所述的电路板，其中，所述第三基本图案的在至少一个方向上的重复周期是所述第一基本图案的在至少一个方向上的重复周期的整数倍。
(14)
根据(1)至(12)中任一项所述的电路板，其中，所述第三基本图案的在至少一个方向上的重复周期是所述第一基本图案的在至少一个方向上的重复周期的1/整数倍。
(15)
根据(1)至(14)中任一项所述的电路板，其中，所述第一基本图案或所述第二基本图案的电流趋向于流动的方向与所述第三基本图案或所述第四基本图案的电流趋向于流动的方向相差大约90度。
(16)
根据(1)至(15)中任一项所述的电路板，其中，所述第一基本图案或所述第二基本图案的电流趋向于流动的方向与所述第三基本图案或所述第四基本图案的电流趋向于流动的方向基本上彼此相同。
(17)
根据(1)至(16)中任一项所述的电路板，包括：
第四导体层，其包括信号线的至少一部分，其中，
在所述第一基本图案和所述第二基本图案中，当从堆叠方向观看时，在与所述信号线延伸的方向基本相同的方向上的所有导体重叠。
(18)
根据(1)至(17)中任一项所述的电路板，其中，至少所述第一基本图案中包含的网状图案和至少所述第二基本图案中包含的网状图案在堆叠方向上重叠。
(19)
一种半导体器件，其包含电路板，所述电路板包括：
至少具有第一导体部的第一导体层，所述第一导体部包括具有平面状或网状的第一基本图案在同一平面上重复的形状的导体；
至少具有第二导体部的第二导体层，所述第二导体部包括具有平面状或网状的第二基本图案在同一平面上重复的形状的导体；和
至少具有第三导体部和第四导体部的第三导体层，所述第三导体部包括具有直线状的第三基本图案在同一平面上重复的形状的导体，所述第四导体部包括具有直线状的第四基本图案在同一平面上重复的形状的导体，其中
所述第一基本图案和所述第二基本图案形成差分结构，并且所述第三基本图案和所述第四基本图案形成差分结构。
(20)
一种包含半导体器件的电子设备，所述半导体器件包含电路板，所述电路板包括：
至少具有第一导体部的第一导体层，所述第一导体部包括具有平面状或网状的第一基本图案在同一平面上重复的形状的导体；
至少具有第二导体部的第二导体层，所述第二导体部包括具有平面状或网状的第二基本图案在同一平面上重复的形状的导体；和
至少具有第三导体部和第四导体部的第三导体层，所述第三导体部包括具有直线状的第三基本图案在同一平面上重复的形状的导体，所述第四导体部包括具有直线状的第四基本图案在同一平面上重复的形状的导体，其中
所述第一基本图案和所述第二基本图案形成差分结构，并且所述第三基本图案和所述第四基本图案形成差分结构。
附图标记列表
10 像素基板
11 受扰导体回路
20 逻辑基板
21 电源配线
100 固态成像器件
101 第一半导体基板
102 第二半导体基板
111 像素和模拟处理单元
112 数字处理单元
121 像素阵列
122 A/D转换单元
123 垂直扫描单元
131 像素
132 信号线
133 控制线
141 光电二极管
142 传输晶体管
143 复位晶体管
144 放大晶体管
145 选择晶体管
151 遮光结构
152 半导体基板
153 多层配线层
155 光学部件
162 半导体基板
163 多层配线层
164 MOS晶体管
165(165A至165C) 配线层
165a(165Aa，165Ba) 主导体部
165b(165Ab，165Bb) 引出导体部
167 有源元件组
170 配线层
171 有源元件层
191 缓冲区
192 层间距离
193 缓冲区宽度
194 遮光目标区域
202至204 电路块
205至208 遮光目标区域
209 非遮光目标区域
211、212 直线状导体
213、214 平面状导体
216、217 网状导体
221 平面状导体
222 网状导体
231、232 网状导体
241、242 网状导体
251、252 网状导体
261 平面状导体
262 网状导体
271、272 网状导体
281、282 网状导体
291、292 网状导体
301至306 中继导体
311、312 网状导体
321、322 网状导体
331、332 网状导体
400 配线区域
401、402 焊盘
501、502 配线
601至603 封装体
604 接合线
700 摄像装置
701 固态成像元件
702 光学系统
703 快门机构
704 驱动电路
705 信号处理电路
811、812 网状导体
821Aa、821Ab 网状导体
822Ab、822Ba、822Bb 网状导体
831Aa、831Ab 网状导体
832Ba、832Bb 网状导体
841、842 中继导体
851Aa、851Ab 网状导体
852Ba、852Bb 网状导体
853、854 加强导线
855 中继导体
856、857 加强导体
871、872 加强导体
1000 基板
1001(1001d，1001s) 焊盘
1101 受扰导体回路
1102A、1102B 侵扰导体回路
1121 半导体基板
1122 封装基板
1123 印制电路板
1151(1151A，1151B) 导电性屏蔽
1201、1202 网状导体
1221A、1221B 直线状导体
1222A、1222B 直线状导体
1241、1242 中继导体
1251A、1251B 直线状导体
1261、1262 网状导体
1281、1282 加强导线
1291A、1291B 直线状导体
1301A、1301B 直线状导体
1311、1312 网状导体

Claims (19)

1.一种电路板，其包括：
至少具有第一导体部的第一导体层，所述第一导体部包括具有平面状或网状的第一基本图案在同一平面上重复的形状的导体；
至少具有第二导体部的第二导体层，所述第二导体部包括具有平面状或网状的第二基本图案在同一平面上重复的形状的导体；和
至少具有第三导体部和第四导体部的第三导体层，所述第三导体部包括具有直线状的第三基本图案在同一平面上重复的形状的导体，所述第四导体部包括具有直线状的第四基本图案在同一平面上重复的形状的导体，其中
所述第一基本图案和所述第二基本图案形成电流方向彼此相反的差分结构，并且所述第三基本图案和所述第四基本图案形成电流方向彼此相反的差分结构，
所述第一导体部电连接至所述第三导体部，且所述第二导体部电连接至所述第四导体部，且
所述第一导体层、所述第二导体层和所述第三导体层堆叠。
2.根据权利要求1所述的电路板，包括：
第四导体层，其包括控制线或信号线的至少一部分，
其中，所述第一导体层至所述第四导体层按照所述第四导体层、所述第一导体层、所述第二导体层和所述第三导体层的顺序堆叠。
3.根据权利要求1所述的电路板，包括：
第四导体层，其包括控制线或信号线的至少一部分，
其中，所述第一导体层至所述第四导体层按照所述第四导体层、所述第一导体层、所述第三导体层和所述第二导体层的顺序堆叠。
4.根据权利要求1所述的电路板，包括：
第四导体层，其包括控制线或信号线的至少一部分，
其中，所述第一导体层至所述第四导体层按照所述第四导体层、所述第三导体层、所述第一导体层和所述第二导体层的顺序堆叠。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电路板，其中，所述第三基本图案的导体宽度的总和与所述第四基本图案的导体宽度的总和彼此相等。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的电路板，其中，所述第一基本图案的重复周期和所述第二基本图案的重复周期彼此相等。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的电路板，其中，所述第三基本图案的重复周期和所述第四基本图案的重复周期彼此相等。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的电路板，其中，所述第一基本图案、所述第二基本图案、所述第三基本图案和所述第四基本图案在它们的区域的至少一部分中形成遮光结构。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的电路板，其中，所述第一基本图案、所述第三基本图案和所述第四基本图案在它们的区域的至少一部分中形成遮光结构。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的电路板，其中，所述第二基本图案、所述第三基本图案和所述第四基本图案在它们的区域的至少一部分中形成遮光结构。
11.根据权利要求1至4中任一项所述的电路板，
其中，所述第一导体层包括位于所述网状的间隙中的一个或多个第一中继导体，
所述第二基本图案和所述第四基本图案经由所述第一中继导体彼此电连接，
所述第二导体层包括位于所述网状的间隙中的一个或多个第二中继导体，并且
所述第一基本图案和所述第三基本图案经由所述第二中继导体彼此电连接。
12.根据权利要求1至4中任一项所述的电路板，其中，所述第三基本图案的在至少一个方向上的重复周期是所述第一基本图案的在至少一个方向上的重复周期的整数倍。
13.根据权利要求1至4中任一项所述的电路板，其中，所述第三基本图案的在至少一个方向上的重复周期是所述第一基本图案的在至少一个方向上的重复周期的1/整数倍。
14.根据权利要求1至4中任一项所述的电路板，其中，所述第一基本图案或所述第二基本图案的电流趋向于流动的方向与所述第三基本图案或所述第四基本图案的电流趋向于流动的方向相差90度。
15.根据权利要求1至4中任一项所述的电路板，其中，所述第一基本图案或所述第二基本图案的电流趋向于流动的方向与所述第三基本图案或所述第四基本图案的电流趋向于流动的方向彼此相同。
16.根据权利要求1所述的电路板，包括：
第四导体层，其包括信号线的至少一部分，其中，
在所述第一基本图案和所述第二基本图案中，当从堆叠方向观看时，在与所述信号线延伸的方向相同的方向上的所有导体重叠。
17.根据权利要求1至4中任一项所述的电路板，其中，当从堆叠方向观看时，至少所述第一基本图案中包含的网状图案和至少所述第二基本图案中包含的网状图案重叠。
18.一种半导体器件，其包含电路板，所述电路板是如权利要求1至17中任一项所述的电路板。
19.一种包含半导体器件的电子设备，所述半导体器件包含电路板，所述电路板是如权利要求1至17中任一项所述的电路板。
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