CN112310331A - Oled器件封装结构及其制作方法、金属掩膜板 - Google Patents

Abstract

本申请涉及显示技术领域，具体公开了一种OLED器件封装结构及其制作方法、金属掩膜板，该方法包括：提供OLED器件，OLED器件至少包括显示区域、设置在OLED器件边缘的阻挡结构以及位于显示区域和阻挡结构之间的第一非显示区域；在OLED器件的一个表面上制备第一无机封装层，其中，第一无机封装层覆盖除第一非显示区域以外的其他区域；在第一无机封装层远离OLED器件的一侧制备有机封装层，其中，有机封装层覆盖位于显示区域上的第一无机封装层以及第一非显示区域，且截止于阻挡结构。通过上述方式，本申请能够有效防止有机封装材料在固化之前越过阻挡结构而溢出，进而提升OLED器件封装结构的封装效果。

Description

OLED器件封装结构及其制作方法、金属掩膜板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED器件封装结构及其制作方法、金属掩膜板。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、较低耗电、反应速度快等优点。随着显示技术的不断发展，OLED技术越来越多地应用在各种显示装置中，特别是手机和平板电脑等智能终端产品中。

通常OLED显示面板会使用TFE薄膜封装(Thin Film Encapsulation)，从而隔绝外界的水、氧等，避免外界的水、氧等对OLED显示面板的发光器件进行损坏，从而保证OLED显示面板的品质。

其中，封装层包括有机层，有机层为通过喷墨打印的方式将熔融的有机材料均匀的涂布于柔性屏上制备。但是，熔融状的有机材料流动性较好，为将其限定在特定的区域内，通常会在有机层的边界制备一圈障碍物。若障碍物的高度不足，会导致熔融状的有机材料容易在障碍物的拐角处进行快速聚集而溢出，从而造成OLED显示面板四周厚度不均匀，使得OLED显示面板的封装效果较差，进而影响显示装置的显示效果。

发明内容

本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本申请提出一种OLED器件封装结构及其制作方法、金属掩膜板，该制作方法能够有效防止有机封装材料在固化之前越过阻挡结构而溢出，进而提升OLED器件封装结构的封装效果。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种OLED器件封装结构的制作方法，该方法包括：提供OLED器件，OLED器件至少包括显示区域、设置在OLED器件边缘的阻挡结构以及位于显示区域和阻挡结构之间的第一非显示区域；在OLED器件的一个表面上制备第一无机封装层，其中，第一无机封装层覆盖除第一非显示区域以外的其他区域；在第一无机封装层远离OLED器件的一侧制备有机封装层，其中，有机封装层覆盖位于显示区域上的第一无机封装层以及第一非显示区域，且截止于阻挡结构。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种OLED器件封装结构，OLED器件封装结构包括：OLED器件，OLED器件至少包括显示区域、设置在OLED器件边缘的阻挡结构以及位于显示区域和阻挡结构之间的第一非显示区域；第一无机封装层，设置在OLED器件的一个表面上，且第一无机封装层覆盖除第一非显示区域以外的其他区域；有机封装层，设置在第一无机封装层远离OLED器件的一侧并与第一非显示区域直接接触，其中，有机封装层覆盖位于显示区域上的第一无机封装层以及第一非显示区域，且截止于阻挡结构。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种OLED显示屏，包括前述的OLED器件封装结构。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种电子设备，包括前述的OLED器件封装结构或前述的OLED显示屏。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种金属掩膜板，用于制造前述的OLED器件封装结构的第一无机封装层；金属掩膜板包括镂空区和非镂空区，镂空区离散的设置在非镂空区内，其中，非镂空区对应于OLED器件封装结构的第一非显示区域，用于制备第一无机封装层的镀膜材料从镂空区中通过，并被非镂空区阻挡，最终沉积到除第一非显示区域以外的其他区域，以形成第一无机封装层。

本申请的有益效果是：区别于现有技术，本申请在第一非显示区域并不制作第一无机封装层，通过暴露出第一非显示区域的OLED器件以使第一非显示区域处的OLED器件表面与显示区域处的第一无机封装层之间存在高度差，因此本申请可以在不增加第一非显示区域的面积、不增加阻挡结构的数量以及不增加阻挡结构高度的前提下，增大了位于第一非显示区域处的用于收容有机封装层的空间体积大小，进而收容更多的有机封装材料，能够有效防止有机封装材料在固化之前越过阻挡结构而溢出，进而提升OLED器件封装结构的封装效果。同时，由于本申请增加了位于第一非显示区域处的用于收容有机封装层的空间大小，因此，本申请可以减少位于非显示区域的阻挡结构的数量，从而可以大大缩减OLED显示屏或电子设备的边框宽度，有利于实现OLED显示屏或电子设备的窄边框。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1是本申请OLED器件封装结构的制作方法一实施方式的流程示意图；

图2是图1中步骤S10的流程示意图；

图3是本申请OLED器件封装结构的制作方法另一实施方式的流程示意图；

图4是本申请OLED器件封装结构一实施方式的剖面结构示意图；

图5是图4中OLED器件的TFT结构的剖面结构示意图；

图6是图4中OLED器件的OLED器件层的局部剖面结构示意图；

图7是本申请金属掩膜板与OLED器件贴合后的一实施方式的剖面结构示意图；

图8是本申请OLED器件封装结构另一实施方式的剖面结构示意图；

图9是本申请OLED器件封装结构又一实施方式的剖面结构示意图；

图10是本申请OLED器件封装结构再一实施方式的剖面结构示意图；

图11是本申请电子设备一实施方式的主视图；

图12是本申请电子设备一实施方式的结构框图；

图13是本申请中金属掩膜板一实施方式的俯视图；

图14是本申请中金属掩膜板另一实施方式的俯视图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的一个方面，本申请提出了一种OLED器件封装结构的制作方法。根据本申请的实施例，参照图1，该方法包括：

S10：提供OLED器件11。

其中，OLED器件11至少包括显示区域101、设置在OLED器件11边缘的阻挡结构102以及位于显示区域101和阻挡结构102之间的第一非显示区域103。

需要说明的是，阻挡结构102所在的区域为非显示区域105，第一非显示区域103包围显示区域101。

具体地，参照图4，OLED器件11包括基板111和OLED器件层110，基板111限定出显示区域101和围绕显示区域101的非显示区域105，OLED器件层110设置在显示区域101内，非显示区域105可用于放置走线(图未示出)或驱动电路(图未示出)。

根据本申请的实施例，可以采用的基板111的具体材质不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要灵活选择。在本申请的一些实施例中，可以采用的基板111为玻璃基板111、聚合物基板111或金属基板111，优选情况下，可以采用玻璃基板111。由此，可表现出良好的可弯曲性，具有良好的可见光通透性，对水蒸气和氧气的阻隔性能良好，化学和热稳定性良好，表面光洁度高，并且绝缘，是理想的OLED衬底材料。根据本申请的实施例，该基板111上还可以预先设置有用于OLED的器件结构，例如，在本申请的一些实施例中，参照图5，该基板111上设置有TFT结构。具体地，该TFT结构可以包括：位于基板111上的栅极金属层112、位于栅极金属层112与基板111上的栅极绝缘层113、位于栅极绝缘层113上的半导体层114、位于半导体层114与栅极绝缘层113上的刻蚀阻挡层115、位于刻蚀阻挡层115、半导体层114、及栅极绝缘层113上的源漏极金属层116，以及位于源漏极金属层116和刻蚀阻挡层115上的钝化层117。钝化层117上设有对应于源漏极金属层116上方的过孔118。本领域技术人员可以理解，TFT结构并不限于图所示的结构，本领域技术人员可以根据需要选择具体地TFT结构，例如也可以采用顶栅型TFT等，均在本申请的保护范围之内，在此不再一一赘述。

根据本申请的实施例，OLED器件层110的具体结构也没有特别限制，可以为本领域任何已知的OLED器件，包括但不限于单层器件结构、双层器件结构、三层器件结构或多层器件结构。在本申请的一些实施例中，具体地，参照图6，OLED器件层110还包括：阳极121、空穴注入层122、空穴传输层123、有机发光层124、电子传输层125、电子注入层126、阴极127。有机发光层124对应不同颜色的亚像素，可以包括子有机发光层1241、子有机发光层1242和子有机发光层1243，可以分别对应R、G和B颜色的亚像素。其中，阳极121通过第一过孔118与源漏极金属层116相接触。当然，本领域技术人员可以理解，本申请的OLED器件层110的结构并不限于图所示的结构，其他类似的结构改变或替换仍在本申请的保护范围之内。

需要说明的是，本申请中的阻挡结构102由OLED器件层110中的功能层形成，也就是说，阻挡结构102的高度受限于OLED器件层110的大小。在后续步骤S30中，用于制备有机封装层13的熔融的有机封装材料被阻挡结构102挡住而不会溢出，从而保证有机封装层13的边缘形貌保持平齐，保证封装效果。对于现有技术中存在的技术问题，容易想到的是增高阻挡结构102的高度，虽然高阻挡结构102高度能够有效的改善熔融状的有机材料溢出阻挡结构102的问题，但是，较高的阻挡结构102也会增加OLED器件11的整体高度，这会影响OLED器件11整体的结构强度。

S20：在OLED器件11的一个表面上制备第一无机封装层12。其中，第一无机封装层12覆盖除第一非显示区域103以外的其他区域101、102、104。

具体地，第一无机封装层12的材料的具体种类也没有特别限制，只要能够满足封装要求，本领域技术人员可以根据需要灵活选择。在本申请的一些实施例中，利用等离子体增强化学气相沉积法在OLED器件11的一个表面上沉积第一无机封装层12，其中，第一无机封装层12为无机材料(例如氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛等)。由此，具有良好的水蒸气和氧气隔绝性能，能够有效保证有机发光材料不被氧化，进而延长OLED的使用寿命。

需要说明的是，第一无机封装层12的有效封装区域为显示区域101以及除第一非显示区域103之外的非显示区域105。由于第一无机封装层12并不覆盖第一非显示区域103，因此，第一非显示区域103处的OLED器件11表面与显示区域101处的第一无机封装层12之间存在高度差，可选的，该高度差大于等于4μm(具体可以为4μm、4.5μm、5μm、10μm、100μm等)，该高度差的大小具体根据OLED器件封装结构10的产品要求确定。

相较于现有技术中第一非显示区域103也涂覆有第一无机封装层12的技术方案，本申请技术方案的优势在于：由于本申请第一非显示区域103处的OLED器件11表面与显示区域101处的第一无机封装层12之间存在高度差，因此，本申请可以在不增加第一非显示区域103的面积、不增加阻挡结构102的数量以及不增加阻挡结构102高度的前提下，增大了位于第一非显示区域103处的用于收容有机封装层13的空间体积大小，进而收容更多的有机封装材料，能够有效防止有机封装材料在固化之前越过阻挡结构102而溢出，进而提升OLED器件封装结构10的封装效果。

此外，可以理解的是，阻挡结构102的数量越多，阻挡结构102占用的非显示区域105的面积越多，OLED显示屏941或电子设备900的边框宽度越宽。由于本申请增加了位于第一非显示区域103处的用于收容有机封装层13的空间大小，因此，本申请可以仅仅在非显示区域105形成一个阻挡结构102(即阻挡结构102仅包括1个阻挡物)，从而可以大大缩减OLED显示屏941或电子设备900的边框宽度，有利于实现OLED显示屏941或电子设备900的窄边框。

S30：在第一无机封装层12远离OLED器件11的一侧制备有机封装层13。其中，有机封装层13覆盖位于显示区域101上的第一无机封装层12以及第一非显示区域103，且截止于阻挡结构102。

需要说明的是，有机封装层13的有效封装区域为显示区域101以及第一非显示区域103。

具体地，有机封装层13由熔融的有机封装材料固化后形成，其中，熔融的有机封装材料位于阻挡结构102所限定出特定的区域内，熔融的有机封装材料在该特定的区域内流平并扩散至阻挡结构102靠近显示区域101的内侧。固化后的覆盖位于显示区域101上的第一无机封装层12以及第一非显示区域103，且截止于阻挡结构102靠近显示区域101的内侧，即有机封装层13不会溢流至阻挡结构102背离显示区域101一侧的第二非显示区域104。

根据本申请的实施例，形成有机封装层13的材料可以为在紫外光照射下可固化的材料，例如形成有机封装层13的材料可以包括但不限于聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯、聚硅氧烷、聚硅氮烷中的至少之一，由此，材料来源广泛，释放薄膜封装层应力的效果较佳，且最终获得的薄膜封装层的表面较为平坦。需要说明的是，当形成有机封装层13的材料包括上述材料中的至少两种时，在固化时任意两种材料之间也可以发生聚合反应。根据本申请的实施例，形成有机封装层13的方式可以包括将形成有机封装层13的材料通过喷涂、喷墨打印或者印刷的方式形成在第一无机封装层12远离OLED器件11的一侧，再利用紫外光将其固化。由此，操作简单、方便，封装性能较佳。

区别于现有技术，本申请在第一非显示区域103并不制作第一无机封装层12，通过暴露出第一非显示区域103的OLED器件11以使第一非显示区域103处的OLED器件11表面与显示区域101处的第一无机封装层12之间存在高度差，因此本申请可以在不增加第一非显示区域103的面积、不增加阻挡结构102的数量以及不增加阻挡结构102高度的前提下，增大了位于第一非显示区域103处的用于收容有机封装层13的空间体积大小，进而收容更多的有机封装材料，能够有效防止有机封装材料在固化之前越过阻挡结构102而溢出，进而提升OLED器件封装结构10的封装效果。同时，由于本申请增加了位于第一非显示区域103处的用于收容有机封装层13的空间大小，因此，本申请可以减少位于非显示区域105的阻挡结构102的数量，从而可以大大缩减OLED显示屏941或电子设备900的边框宽度，有利于实现OLED显示屏941或电子设备900的窄边框。

在一实施例中，参照图2，上述步骤S20包括：

S21：提供金属掩膜板20。

其中金属掩膜板20包括镂空区201和非镂空区202，镂空区201离散的设置在非镂空区202内，非镂空区202对应第一非显示区域103，且非镂空区202为一整体结构。

具体地，利用金属掩膜板20在OLED器件11上方制备图案化结构的第一无机封装层12，金属掩膜板20按需求设计成具有相应图案的镂空区201和非镂空区202。在一应用例中，金属掩膜板20上的镂空区201的图案是固定，可以根据需求多次水平移动、竖直移动或旋转该金属掩膜板20，以得到更多不同的图案，制备不同的图案化结构的第一无机封装层12。

S22：利用金属掩膜板20的非镂空区202对第一非显示区域103进行遮挡。

S23：用于制备第一无机封装层12的镀膜材料从镂空区201中通过，并被非镂空区202阻挡，最终沉积到除第一非显示区域103以外的其他区域101、102、104，以形成第一无机封装层12。

具体地，为了更直观地说明通过金属掩膜板20定义出图案化结构的第一无机封装层12的方式，参照图7，本实施方式的金属掩膜板20与OLED器件11的一个表面紧密贴合，采用蒸镀法定义第一无机封装层12时，蒸发的镀膜材料通过镂空区201沉积在除第一非显示区域103以外的区域上，从而形成第一无机封装层12。

通过上述方式，实际第一无机封装层12的横向尺寸与镂空区201的横向尺寸的大小一致，可以最大限度地减小第一无机封装层12外扩的区域。

在一实施例中，参照图3，上述步骤S30之后，该方法还包括：

S40：在有机封装层13以及第一无机封装层12远离OLED器件11的一侧制备第二无机封装层，其中，第二无机封装层覆盖有机封装层13以及位于阻挡结构102上的第一无机封装层12。

具体地，利用PECVD设备在在有机封装层13以及第一无机封装层12远离OLED器件11的一侧沉积第二无机封装层，其中，第二无机封装层为无机材料(例如氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛等)。

第二无机封装层层叠形成于有机封装层13上，且裹覆于有机封装层13、阻挡结构102的外沿。形成第一无机封装层12以及第二无机封装层的材料可以相同，也可以不相同，具体可以根据实际情况进行灵活选择。

需要说明的是，第二无机封装层的有效封装区域为显示区域101、第一非显示区域103以及阻挡结构102。

在本申请的另一个方面，本申请提出了一种OLED器件封装结构10，该OLED器件封装结构10可以采用上述实施例中的方法制作得到。参照图4，该OLED器件封装结构10包括：OLED器件11、第一无机封装层12以及有机封装层13。

OLED器件11，OLED器件11至少包括显示区域101、设置在OLED器件11边缘的阻挡结构102以及位于显示区域101和阻挡结构102之间的第一非显示区域103。第一无机封装层12设置在OLED器件11的一个表面上，且第一无机封装层12覆盖除第一非显示区域103以外的其他区域101、102、104。有机封装层13设置在第一无机封装层12远离OLED器件11的一侧并与第一非显示区域103直接接触，其中，有机封装层13覆盖位于显示区域101上的第一无机封装层12以及第一非显示区域103，且截止于阻挡结构102。OLED器件11包括基板111和OLED器件层110，基板111限定出显示区域101和围绕显示区域101的非显示区域105，OLED器件层110设置在显示区域101内。根据本申请的实施例，该基板111上还可以预先设置有用于OLED的器件结构，例如，在本申请的一些实施例中，该基板111上设置有TFT结构。OLED器件11的相关描述请参阅上述OLED器件封装结构10的制作方法的实施例，在此不做赘述。

需要说明的是，本申请中的阻挡结构102由OLED器件层110中的功能层形成，也就是说，阻挡结构102的高度受限于OLED器件层110的大小。

第一无机封装层12的材料的具体种类也没有特别限制，只要能够满足封装要求，本领域技术人员可以根据需要灵活选择。在本申请的一些实施例中，第一无机封装层12可以由二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝中的至少一种制备。由此，具有良好的水蒸气和氧气隔绝性能，能够有效保证有机发光材料不被氧化，进而延长OLED的使用寿命。

有机封装层13由熔融的有机封装材料固化后形成，其中，熔融的有机封装材料位于阻挡结构102所限定出特定的区域内，熔融的有机封装材料在该特定的区域内流平并扩散至阻挡结构102靠近显示区域101的内侧。固化后的覆盖位于显示区域101上的第一无机封装层12以及第一非显示区域103，且截止于阻挡结构102靠近显示区域101的内侧，即有机封装层13不会溢流至阻挡结构102背离显示区域101一侧的第二非显示区域104。

根据本申请的实施例，形成有机封装层13的材料可以为在紫外光照射下可固化的材料，例如形成有机封装层13的材料可以包括但不限于聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯、聚硅氧烷、聚硅氮烷中的至少之一，由此，材料来源广泛，释放薄膜封装层应力的效果较佳，且最终获得的薄膜封装层的表面较为平坦。需要说明的是，当形成有机封装层13的材料包括上述材料中的至少两种时，在固化时任意两种材料之间也可以发生聚合反应。

区别于现有技术，本申请的有机封装层13设置在第一无机封装层12远离OLED器件11的一侧并与第一非显示区域103直接接触，本申请通过暴露出第一非显示区域103的OLED器件11以使第一非显示区域103处的OLED器件11表面与显示区域101处的第一无机封装层12之间存在高度差，因此本申请可以在不增加第一非显示区域103的面积、不增加阻挡结构102的数量以及不增加阻挡结构102高度的前提下，增大了位于第一非显示区域103处的用于收容有机封装层13的空间体积大小，进而收容更多的有机封装材料，能够有效防止有机封装材料在固化之前越过阻挡结构102而溢出，进而提升OLED器件封装结构10的封装效果。同时，由于本申请增加了位于第一非显示区域103处的用于收容有机封装层13的空间大小，因此，本申请可以减少位于非显示区域105的阻挡结构102的数量，从而可以大大缩减OLED显示屏941或电子设备900的边框宽度，有利于实现OLED显示屏941或电子设备900的窄边框。

在一实施例中，参照图8，OLED器件封装结构10还包括：第二无机封装层，第二无机封装层设置在在有机封装层13以及第一无机封装层12远离OLED器件11的一侧，其中，第二无机封装层覆盖有机封装层13以及位于阻挡结构102上的第一无机封装层12。

具体地，第二无机封装层层叠形成于有机封装层13上，且裹覆于有机封装层13、阻挡结构102的外沿。形成第一无机封装层12以及第二无机封装层的材料可以相同，也可以不相同，具体可以根据实际情况进行灵活选择。第二无机封装层的有效封装区域为显示区域101、第一非显示区域103以及阻挡结构102。

在一实施例中，参照图9，阻挡结构102包括：间隔预设距离的第一阻挡物1021和第二阻挡物1022，第一阻挡物1021与显示区域101的距离小于第二阻挡物1022与显示区域101的距离，且第一阻挡物1021的水平高度小于第二阻挡物1022的水平高度。

具体的，第一阻挡物1021和第二阻挡物1022能够形成阶梯结构，能够更好地阻挡流变性有机材料越过阻挡结构102。在其中的一个实施方式中，第一阻挡物1021和第二阻挡物1022的横截面为梯形。

在一实施例中，参照图10，OLED器件11还包括：第二非显示区域104，第二非显示区域104位于阻挡结构102远离显示区域101的一侧，且第一无机封装层12覆盖第二非显示区域104。

OLED器件11的驱动电路可设置在第二非显示区域104中。其中，第二非显示区域104对应于OLED显示屏941或电子设备900的边框区域。

在本申请的又一个方面，本申请提出了一种OLED显示屏，该OLED显示屏包括上述实施例中的OLED器件封装结构10。

具体的，该显示屏的具体外观结构没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择。在一些实施例中，上述OLED显示屏可以为2D结构、2.5D结构或3D结构。上述OLED显示屏的结构除了前面的OLED器件封装结构10之外，还可以具备常规显示屏应该具备的结构，例如盖板、彩膜基板等。

在本申请的再一个方面，本申请提出了一种电子设备。参照图11-12，该电子设备900包括上述实施例中的OLED器件封装结构10或上述实施例中的OLED显示屏941。本领域技术人员可以理解，该电子设备900具有前面的OLED器件封装结构10或OLED显示屏941的所有特征和优点，在此不再一一赘述。

其中，电子设备900的具体种类没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择，在一些实施例中，电子设备900的具体种类包括但不限于手机、笔记本、iPad、kindle、游戏机等电子设备900，本实施例图示以手机为例。

参照图12，该电子设备900的结构可以包括RF电路910、存储器920、输入单元930、显示单元940(即上述实施例中的显示屏941组件10)、传感器950、音频电路960、wifi模块970、处理器980以及电源990等。其中，RF电路910、存储器920、输入单元930、显示单元940、传感器950、音频电路960以及wifi模块970分别与处理器980连接；电源990用于为整个电子设备900提供电能。

具体而言，RF电路910用于接发信号；存储器920用于存储数据指令信息；输入单元930用于输入信息，具体可以包括触控面板931以及操作按键等其他输入设备932；显示单元940则可以包括上述实施例的OLED器件封装结构10或OLED显示屏941等；传感器950包括红外传感器、激光传感器等，用于检测用户接近信号、距离信号等；扬声器961以及传声器(或者麦克风)962通过音频电路960与处理器980连接，用于接发声音信号；wifi模块970则用于接收和发射wifi信号，处理器980用于处理移动终端设备的数据信息。

在本申请的再一个方面，本申请提出了一种金属掩膜板20，金属掩膜板20用于制造上述实施例中的OLED器件封装结构10的第一无机封装层12。

参照图13和图14，金属掩膜板20包括镂空区201和非镂空区202，镂空区201离散的设置在非镂空区202内，其中，非镂空区202对应于OLED器件封装结构10的第一非显示区域103，镀膜材料从镂空区201中通过，并被非镂空区202阻挡，以制备与镂空区201对应的第一无机封装层12。

本实施例中，镂空区201的形状可以为多个长方形、多个椭圆形或多少多边形。其中，多个多边形由多个宽度不同的长方形交替连接制备。根据镂空区201的形状不同，得到的阻挡层的图案化结构也不同。此外，在制备过程中还可以根据实际需求，通过水平平移或竖直平移该金属掩膜板20，以得到更多形状的图案化结构；可以通过旋转金属掩膜板20得到相互交错的图案化结构。

若显示屏941的左、右边框的宽度比显示屏941的上、下边框的宽度小，则左、右边框处有机封装层13到阻挡结构102的距离比上、下边框处有机封装层13到阻挡结构102的距离小，此时，可以采用图13的金属掩膜板20来制作第一无机封装层12。其中，外围非镂空区203作为支撑结构，不起到遮蔽作用。

若显示屏941的左、右边框的宽度以及显示屏941的上、下边框的宽度都要求尽可能地小，此时，可以采用图14的金属掩膜板20来制作第一无机封装层12。其中，外围非镂空区203对应于第二非显示区以及阻挡结构102。需要说明的是，由于金属掩膜板20的非镂空区202必须为一个整体，因此，需要在上、下两侧的非镂空区202与外围非镂空区203之间设置连接部，连接部的位置和数量可以通过设计来优化，并不限于图14所示。

综上，本申请提出一种OLED器件封装结构及其制作方法、金属掩膜板20、OLED显示屏941以及电子设备900，本申请在第一非显示区域103并不制作第一无机封装层12，通过暴露出第一非显示区域103的OLED器件以使第一非显示区域103处的OLED器件表面与显示区域处的第一无机封装层12之间存在高度差，因此本申请可以在不增加第一非显示区域103的面积、不增加阻挡结构的数量以及不增加阻挡结构高度的前提下，增大了位于第一非显示区域103处的用于收容有机封装层13的空间体积大小，进而收容更多的有机封装材料，能够有效防止有机封装材料在固化之前越过阻挡结构而溢出，进而提升OLED器件封装结构的封装效果。同时，由于本申请增加了位于第一非显示区域103处的用于收容有机封装层13的空间大小，因此，本申请可以减少位于非显示区域105的阻挡结构的数量，从而可以大大缩减OLED显示屏941或电子设备900的边框宽度，有利于实现OLED显示屏941或电子设备900的窄边框。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种OLED器件封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供OLED器件，所述OLED器件至少包括显示区域、设置在所述OLED器件边缘的阻挡结构以及位于所述显示区域和所述阻挡结构之间的第一非显示区域；

在所述OLED器件的一个表面上制备第一无机封装层，其中，所述第一无机封装层覆盖除所述第一非显示区域以外的其他区域；

在所述第一无机封装层远离所述OLED器件的一侧制备有机封装层，其中，所述有机封装层覆盖位于所述显示区域上的所述第一无机封装层以及所述第一非显示区域，且截止于所述阻挡结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述OLED器件的一个表面上制备第一无机封装层，其中，所述第一无机封装层覆盖除所述第一非显示区域以外的其他区域的步骤，包括：

提供金属掩膜板，其中，所述金属掩膜板包括镂空区和非镂空区，所述镂空区离散的设置在所述非镂空区内；

利用所述金属掩膜板的所述非镂空区对所述第一非显示区域进行遮挡；

用于制备所述第一无机封装层的镀膜材料从所述镂空区中通过，并被所述非镂空区阻挡，最终沉积到除所述第一非显示区域以外的其他区域，以形成所述第一无机封装层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一无机封装层远离所述OLED器件的一侧制备有机封装层，其中，所述有机封装层覆盖位于所述显示区域的所述第一无机封装层以及所述第一非显示区域，且截止于所述阻挡结构的步骤之后，所述方法还包括：

在所述有机封装层以及所述第一无机封装层远离所述OLED器件的一侧制备第二无机封装层，其中，所述第二无机封装层覆盖所述有机封装层以及位于所述阻挡结构上的所述第一无机封装层。

4.一种OLED器件封装结构，其特征在于，所述OLED器件封装结构包括：

OLED器件，所述OLED器件至少包括显示区域、设置在所述OLED器件边缘的阻挡结构以及位于所述显示区域和所述阻挡结构之间的第一非显示区域；

第一无机封装层，设置在所述OLED器件的一个表面上，且所述第一无机封装层覆盖除所述第一非显示区域以外的其他区域；

有机封装层，设置在所述第一无机封装层远离所述OLED器件的一侧并与所述第一非显示区域直接接触，其中，所述有机封装层覆盖位于所述显示区域上的所述第一无机封装层以及所述第一非显示区域，且截止于所述阻挡结构。

5.根据权利要求4所述的OLED器件封装结构，其特征在于，所述OLED器件封装结构还包括：

第二无机封装层，设置在在所述有机封装层以及所述第一无机封装层远离所述OLED器件的一侧，其中，所述第二无机封装层覆盖所述有机封装层以及位于所述阻挡结构上的所述第一无机封装层。

6.根据权利要求4所述的OLED器件封装结构，其特征在于，

所述OLED器件还包括：第二非显示区域，所述第二非显示区域位于所述阻挡结构远离所述显示区域的一侧，且所述第一无机封装层覆盖所述第二非显示区域。

7.根据权利要求4所述的OLED器件封装结构，其特征在于，所述阻挡结构包括：间隔预设距离的第一阻挡物和第二阻挡物，所述第一阻挡物与所述显示区域的距离小于所述第二阻挡物与所述显示区域的距离，且所述第一阻挡物的水平高度小于所述第二阻挡物的水平高度。

8.一种OLED显示屏，其特征在于，包括如权利要求4-7任一项所述的OLED器件封装结构。

9.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求4-7任一项所述的OLED器件封装结构或如权利要求8所述的OLED显示屏。

10.一种金属掩膜板，其特征在于，用于制造如权利要求4-7任一项所述的OLED器件封装结构的第一无机封装层；

所述金属掩膜板包括镂空区和非镂空区，所述镂空区离散的设置在所述非镂空区内，其中，所述非镂空区对应于所述OLED器件封装结构的第一非显示区域，用于制备所述第一无机封装层的镀膜材料从所述镂空区中通过，并被所述非镂空区阻挡，最终沉积到除所述第一非显示区域以外的其他区域，以形成所述第一无机封装层。

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