CN112256076A - 用于开关晶体管的驱动电路及包括其的驱动装置 - Google Patents

用于开关晶体管的驱动电路及包括其的驱动装置 Download PDF

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CN112256076A CN202011124650.9A CN202011124650A CN112256076A CN 112256076 A CN112256076 A CN 112256076A CN 202011124650 A CN202011124650 A CN 202011124650A CN 112256076 A CN112256076 A CN 112256076A
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Abstract

本发明提供了一种用于开关晶体管的驱动电路及包括其的驱动装置，所述驱动电路包括：功率放大器，其包括连接在第一直流电压端子和第二直流电压端子之间以推挽电路布置的第一和第二功率晶体管；第一稳压器件，其连接在功率放大器的输入端子和第一功率晶体管的控制端子之间；第三功率晶体管，其连接在功率放大器的输出端子与第二直流电压端子或接地端子之间；第一分压器件，其连接在功率放大器的输入端子和输出端子之间；晶体管控制电路，其用于当开关晶体管处于短路路径中时控制第三功率晶体管导通，以及当开关晶体管被控制为导通且未处于短路路径中时控制第三功率晶体管截止。本发明的驱动电路降低开关晶体管的功耗且延长了短路保护时间。

Description

用于开关晶体管的驱动电路及包括其的驱动装置
技术领域
本发明涉及驱动电路领域，具体涉及一种用于开关晶体管的驱动电路及包括其的驱动装置。
背景技术
驱动电路位于主电路和控制电路之间，是一种用来对控制电路输出的脉宽调制信号进行放大并输出功率放大的脉宽调制驱动信号的电路。驱动电路输出的脉宽调制驱动信号能够驱动主电路的开关晶体管。
图1是现有技术中的驱动电路与驱动器芯片和开关晶体管相连接的电路图。如图1所示，驱动器芯片10的内部电路模块为本领域所公知，在此不再详细描述，其两个供电端子分别连接至直流电压端子Vcc(其具有第一直流电压V1，例如15伏特或18伏特)和直流电压端子Vdd(其具有第二直流电压V2，例如-5伏特)，一个端子接地G，另一个输出端子用于输出脉宽调制信号PWM，其中脉宽调制信号PWM的高电平和低电平分别等于第一直流电压和第二直流电压。
驱动电路1包括连接在直流电压端子Vcc和直流电压端子Vdd之间的NPN型三极管Q11和PNP型三极管Q12，其中NPN型三极管Q11的集电极连接至直流电压端子Vcc，PNP型三极管Q12的集电极连接至直流电压端子Vdd，NPN型三极管Q11的基极和PNP型三极管Q12的基极相连接且作为驱动电路1的输入端子，其连接至驱动器芯片10的输出端子，NPN型三极管Q11的发射极和PNP型三极管Q12的发射极连接且作为驱动电路1的输出端子。
驱动电路1构成了一个功率放大器，其用于对驱动器芯片10输出的脉宽调制信号PWM进行功率放大(具体而言实现电流放大)，且通过驱动电阻Rg给绝缘栅双极型晶体管Q13的门极提供功率放大的脉宽调制驱动信号，从而控制绝缘栅双极型晶体管Q13导通和截止，其中绝缘栅双极型晶体管Q13与另一个绝缘栅双极型晶体管(图1未示出)连接在同一个桥臂中，即绝缘栅双极型晶体管Q13的集电极连接至另一个绝缘栅双极型晶体管的发射极或直流母线。
具体而言，当驱动器芯片10输出的脉宽调制信号是高电平(即第一直流电压V1)，NPN型三极管Q11导通，PNP型三极管Q12截止，此时驱动电路1输出的电压等于第一直流电压V1减去NPN型三极管Q11的导通压降，其略小于第一直流电压V1，且通过驱动电阻Rg提供给绝缘栅双极型晶体管Q13的门极从而控制其导通。当驱动器芯片10输出的脉宽调制信号是低电平(即第二直流电压V2)，NPN型三极管Q11截止，且PNP型三极管Q12导通，此时驱动电路1输出的电压等于第二直流电压V2减去PNP型三极管Q12的导通压降，且通过驱动电阻Rg提供给绝缘栅双极型晶体管Q13的门极从而控制其截止。
现有技术的驱动电路1输出的脉宽调制驱动信号的高电平约等于第一直流电压V1，其通常为15伏特或18伏特。当驱动电路1输出的驱动电压为较高的18伏特时，绝缘栅双极型晶体管Q13的集电极和发射极之间的导通压降较小，因此功率损失较小，且效率较高。由于开关晶体管中的短路电流与其驱动电压正相关，当驱动电压较大且绝缘栅双极型晶体管Q13处于短路路径(即绝缘栅双极型晶体管Q13和与其连接在同一个桥臂上的绝缘栅双极型晶体管同时导通)中时，其中的短路电流较大且短路电流较快地上升，因此来不及对绝缘栅双极型晶体管Q13进行短路保护，从而导致其损坏。然而，当驱动电路1输出的驱动电压为15伏特时，绝缘栅双极型晶体管Q13中的短路电流上升较慢，能够对其进行短路保护，但是其导通损耗较大，效率较低。
发明内容
针对现有技术存在的上述技术问题，本发明提供了一种用于开关晶体管的驱动电路，所述开关晶体管包括控制端子、第一电极和第二电极，所述驱动电路包括：
功率放大器，其包括连接在第一直流电压端子和第二直流电压端子之间以推挽电路布置的第一功率晶体管和第二功率晶体管，所述功率放大器的输入端子用于接收脉宽调制信号，且输出端子输出功率放大的脉宽调制驱动信号并通过驱动电阻连接至所述开关晶体管的控制端子，所述脉宽调制信号的高电平等于所述第一直流电压端子的电位；
第一稳压器件，其连接在所述功率放大器的输入端子和所述第一功率晶体管的控制端子之间，且其两端具有第一预定电压；
第三功率晶体管，其连接在所述功率放大器的输出端子与所述第二直流电压端子或接地端子之间；
第一分压器件，其连接在所述功率放大器的输入端子和输出端子之间，且用于当所述第三功率晶体管导通时使得所述第一功率晶体管导通；以及
晶体管控制电路，其用于当所述开关晶体管处于短路路径中时控制所述第三功率晶体管导通，以及当所述开关晶体管被控制为导通且未处于短路路径中时控制所述第三功率晶体管截止。
优选的，所述晶体管控制电路包括：第二分压器件，其一端连接至所述第一直流电压端子；以及二极管，其负极连接至所述开关晶体管的所述第一电极，其正极与所述第二分压器件的另一端相连接形成的节点电连接至所述第三功率晶体管的控制端子。
优选的，所述晶体管控制电路还包括第二稳压器件，其连接在所述第三功率晶体管的控制端子和所述节点之间，且用于使得所述节点和所述第三功率晶体管的控制端子之间具有第二预定电压，其中当所述开关晶体管被控制为导通且未处于短路路径中时，所述节点到所述第二直流电压端子或接地端子之间的电压减去所述第二预定电压小于所述第三功率晶体管的开启电压。
优选的，所述第一分压器件是第一电阻，所述第二分压器件是第二电阻。
优选的，所述驱动电路还包括与所述第三功率晶体管串联的第三电阻，其一端连接至所述功率放大器的输出端子或所述开关晶体管的控制端子，其另一端通过所述第三功率晶体管连接至所述第二直流电压端子或接地端子，所述第三电阻被配置为当所述第三功率晶体管导通时使得所述第一分压器件两端的电压不小于所述第一预定电压和所述第一功率晶体管的开启电压之和。
优选的，所述第一稳压器件为第一稳压二极管，其正极连接至所述第一功率晶体管的控制端子，其负极连接至所述功率放大器的输入端子。
优选的，所述第一稳压器件为第一二极管组件，其包括串联的多个二极管，所述第一二极管组件的正极连接至所述功率放大器的输入端子，其负极连接至所述第一功率晶体管的控制端子。
优选的，所述第二稳压器件为第二稳压二极管，其正极连接至所述第三功率晶体管的控制端子，其负极连接至所述节点。
优选的，所述第二稳压器件为第二二极管组件，其包括串联的多个二极管，所述第二二极管组件的正极连接至所述节点，其负极连接至所述第三功率晶体管的控制端子。
优选的，所述第三功率晶体管包括电连接至所述功率放大器的输出端子或所述开关晶体管的控制端子的第一电极，电连接至所述第二直流电压端子或接地端子的第二电极，以及电连接至所述节点的控制端子。
优选的，所述第一直流电压端子的电位大于地电位，所述第二直流电压端子的电位小于或等于地电位。
优选的，所述第一功率晶体管为NPN型三极管，所述第二功率晶体管为PNP型三极管，所述NPN型三极管的集电极和PNP型三极管的集电极分别连接至所述第一直流电压端子和第二直流电压端子，所述NPN型三极管的发射极和PNP型三极管的发射极相连接并作为所述功率放大器的输出端子，所述NPN型三极管的基极通过所述第一稳压器件连接至所述PNP型三极管的基极并作为所述功率放大器的输入端子。
本发明还提供了一种用于开关晶体管的驱动装置，包括：
驱动器芯片，其用于输出脉宽调制信号；以及
如上所述的驱动电路，其用于接收所述脉宽调制信号，并输出功率放大的脉宽调制驱动信号至所述开关晶体管。
本发明的驱动电路能够降低开关晶体管的功率损耗，提高其工作效率，同时延长了开关晶体管的短路保护时间。
附图说明
以下参照附图对本发明实施例作进一步说明，其中：
图1是现有技术中的驱动电路与驱动器芯片和开关晶体管相连接的电路图。
图2是根据本发明第一个实施例的驱动电路与驱动器芯片和开关晶体管相连接的电路图。
图3是根据本发明第二个实施例的驱动电路与驱动器芯片和开关晶体管相连接的电路图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图通过具体实施例对本发明进一步详细说明。
图2是根据本发明第一个实施例的驱动电路与驱动器芯片和开关晶体管相连接的电路图，驱动电路2被设计用于驱动绝缘栅双极型晶体管Q24。如图2所示，驱动器芯片20与图1所示的驱动器芯片10相同，在此不再赘述。
驱动电路2包括由NPN型三极管Q21和PNP型三极管Q22构成的功率放大器、稳压二极管ZD21、电阻R21、串联的电阻R22和NPN型三极管Q23、以及用于控制NPN型三极管Q23的晶体管控制电路24。
NPN型三极管Q21和PNP型三极管Q22连接形成推挽电路，即NPN型三极管Q21的集电极连接至直流电压端子Vcc，PNP型三极管Q22的集电极优选连接至直流电压端子Vdd，NPN型三极管Q21的基极通过稳压二极管ZD21连接至PNP型三极管Q22的基极且连接至驱动器芯片20的输出端子，NPN型三极管Q21和PNP型三极管Q22的发射极连接在一起且作为功率放大器的输出端子，且通过驱动电阻Rg21连接至绝缘栅双极型晶体管Q24的门极。
电阻R21连接在稳压二极管ZD21的负极(即功率放大器的输入端子)和NPN型三极管Q21的发射极(即功率放大器的输出端子)之间。串联的电阻R22和NPN型三极管Q23连接在NPN型三极管Q21的发射极和直流电压端子Vdd之间。
晶体管控制电路24包括稳压二极管ZD22、电阻R23和二极管D21。电阻R23的一端连接至直流电压端子Vcc，其另一端与二极管D21的正极相连接形成节点N21，二极管D21的负极连接至绝缘栅双极型晶体管Q24的集电极，稳压二极管ZD22的正极连接至NPN型三极管Q23的基极，其负极连接至节点N21。
下面将根据绝缘栅双极型晶体管Q24的不同工作状态分别介绍驱动电路2的工作原理。
当绝缘栅双极型晶体管Q24处于正常工作(即未处于短路路径中)，且驱动器芯片20输出的脉宽调制信号PWM为高电平时，电阻R21的两端具有电压降，使得NPN型三极管Q21的发射结正向偏置，从而使得NPN型三极管Q21导通，同时PNP型三极管Q22截止。此时NPN型三极管Q21的发射极的电压为V1-Vzd-Vbe，其中V1是直流电压端子Vcc的电压(例如18伏特)，Vzd是稳压二极管ZD21的稳定电压(即反向击穿电压)，例如3伏特，Vbe是NPN型三极管Q21的发射结导通电压，例如为0.7伏特。NPN型三极管Q21的发射极提供的脉宽调制驱动信号通过驱动电阻Rg21传输至绝缘栅双极型晶体管Q24的门极且使其导通。直流电压端子Vcc通过电阻R23、二极管D21和导通的绝缘栅双极型晶体管Q24形成一个导电路径，由此节点N21的电压等于二极管D21的导通电压和绝缘栅双极型晶体管Q24的导通电压之和(略大于0.7伏特)。通过选择合适参数的稳压二极管ZD22，例如稳压二极管ZD22的稳定电压大于节点N21和直流电压端子Vdd之间的电压，由此晶体管控制电路24使得此时三极管Q23处于截止状态。由于三极管Q23截止且绝缘栅双极型晶体管Q24处于导通状态，绝缘栅双极型晶体管Q24的门极电流几乎为零，此时电阻R21和驱动电阻Rg21中几乎无电流，由此绝缘栅双极型晶体管Q24的门极的电压值将从V1-Vzd-Vbe逐渐升高至V1，较高的驱动电压V1降低了绝缘栅双极型晶体管Q24的导通损耗。
当绝缘栅双极型晶体管Q24处于正常工作(即未处于短路路径)，且驱动器芯片20输出的脉宽调制信号PWM为低电平时，NPN型三极管Q21截止，且PNP型三极管Q22导通，PNP型三极管Q22的发射极的电压约为第二直流电压V2，绝缘栅双极型晶体管Q24的门极的电压为第二直流电压V2，由此控制绝缘栅双极型晶体管Q24截止。
当驱动器芯片20输出的脉宽调制信号PWM为高电平，同时绝缘栅双极型晶体管Q24处于短路路径中(即绝缘栅双极型晶体管Q24和与其连接在同一个桥臂上的开关晶体管同时导通)时，缘栅双极型晶体管Q24中的短路电流急剧增加且其集电极和发射极之间的电压Vce上升。当电压Vce超过稳压二极管ZD22的稳定电压时，晶体管控制电路24给NPN型三极管Q23的发射结提供正向偏置电压且立即使得NPN型三极管Q23导通。此时驱动器芯片20的输出端子、电阻R21、电阻Rg21、电阻R22和导通的NPN型三极管Q23到直流电压端子Vdd形成导电路径，使得电阻R21中的电流增加，且其两端的电压降大于稳压二极管ZD21的稳定电压和NPN型三极管Q21的发射结导通电压之和，由此NPN型三极管Q21导通，且其发射极的电压等于V1-Vzd-Vbe，其中V1是直流电压端子Vcc的电压，Vzd是稳压二极管ZD21的稳定电压(即反向击穿电压)，Vbe是NPN型三极管Q21的发射结导通电压。NPN型三极管Q23导通后瞬间(例如300纳秒内)使得NPN型三极管Q21的发射极的电压降低Vzd+Vbe。
NPN型三极管Q21的发射极的电压通过驱动电阻Rg21提供给绝缘栅双极型晶体管Q24的门极。由于绝缘栅双极型晶体管Q24的短路电流与其驱动电压正相关，且绝缘栅双极型晶体管Q24的驱动电压降低了Vzd+Vbe，从而限制了绝缘栅双极型晶体管Q24中的最大短路电流，以便有足够的时间对其进行短路保护。
驱动电路2能够在不依赖软件控制的前提下自动地提供电压为V1或电压为V1-Vzd-Vbe的两个驱动电压至绝缘栅双极型晶体管Q24，并且能够根据绝缘栅双极型晶体管Q24的工作状态，在纳秒级的时间内自动地切换输出两个不同的驱动电压，同时实现了低功耗、高效率且延长了短路保护时间。
在本发明的实施例中，绝缘栅双极型晶体管Q24处于短路路径中时，驱动电路2能够使得绝缘栅双极型晶体管Q24的驱动电压降低值等于稳压二极管ZD21的稳定电压和NPN型三极管Q21的发射结导通电压之和。可以根据实际需要来选择稳压二极管ZD21的稳定电压，在此并不意欲对其进行限定。
选择合适阻值的电阻R22，使得当NPN型三极管Q23导通时，电阻R21两端的电压值不小于Vzd+Vbe，从而使得NPN型三极管Q21导通。
当驱动器芯片20输出的脉宽调制信号PWM为高电平且控制绝缘栅双极型晶体管Q24导通时，晶体管控制电路24中的电阻R23用于分压，使得节点N21的电压等于二极管D21的正向导通电压和绝缘栅双极型晶体管Q24的导通电压之和，此时晶体管控制电路24用于控制NPN型三极管Q23截止，进而使得绝缘栅双极型晶体管Q24的驱动电压逐渐上升至V1。当绝缘栅双极型晶体管Q24正常导通时，选择具有第二稳定电压的稳压二极管ZD22以使得节点N21和直流电压端子Vdd之间的电压减去第二稳定电压小于NPN型三极管Q23的开启电压(例如0.7伏特)，进一步确保NPN型三极管Q23保持截止状态；以及当绝缘栅双极型晶体管Q24处于短路路径中时，使得NPN型三极管Q23导通。
晶体管控制电路24中的二极管D21优选耐压较高的二极管，当绝缘栅双极型晶体管Q24导通时，电阻R23、二极管D21和导通的绝缘栅双极型晶体管Q24形成导电路径，使得节点N21的电压略大于0.7伏特，从而确保NPN型三极管Q23截止。另外，当绝缘栅双极型晶体管Q24截止时，绝缘栅双极型晶体管Q24的集电极的电压约等于母线，二极管D21反向截止，能够阻止绝缘栅双极型晶体管Q24的集电极的电压通过电阻R23提供至NPN型三极管Q21和驱动器芯片20，避免损坏驱动器芯片20和驱动电路2。
图3是根据本发明第二个实施例的驱动电路与驱动器芯片和开关晶体管相连接的电路图。如图3所示，其与图2基本相同，区别在于，驱动电路3采用绝缘栅双极型晶体管Q33代替驱动电路2中的NPN型三极管Q23，且采用二极管组件32代替驱动电路2中的稳压二极管ZD21，且晶体管控制电路34采用二极管组件33代替稳压二极管ZD22，且电阻R32的一端连接至NPN型三极管Q31的发射极(即功率放大器的输出端子)，其另一端连接至绝缘栅双极型晶体管Q33的集电极。
二极管组件32包括串联的多个二极管(图3示出了三个)，其正极连接至驱动器芯片30的输出端子，其负极连接至NPN型三极管Q31的基极；二极管组件33的正极连接至电阻R33和二极管D31的正极相连接形成的节点N31，其负极连接至绝缘栅双极型晶体管Q33的门极(及其控制端子)。
驱动电路3的工作原理与图2所示的驱动电路2相同，在此不再赘述。根据不同的实际需求，通过选择二极管组件32中串联的二极管的数量，从而使得二极管组件32的两端具有预定的电压降，当绝缘栅双极型晶体管Q34处于短路路径中时，能够使得其驱动电压降低V32+Vbe，其中V32是二极管组件32的导通压降，Vbe是NPN型三极管Q31的发射结的导通电压。当绝缘栅双极型晶体管Q34导通时，根据节点N31和绝缘栅双极型晶体管Q33的发射极之间的电压来选择二极管组件33中串联的二极管的数量，从而使得二极管组件33两端具有预定的电压降。本发明并不意欲限定二极管组件32、33中的二极管的数量是3个，可以是多于或少于3个。
在本发明的其他实施例中，还可以采用效应晶体管等开关晶体管代替上述实施例中的绝缘栅双极型晶体管Q33或NPN型三极管Q23，其中该场效应晶体管的栅极(即其控制极)电连接至节点N31或节点N21。
在本发明的另一个实施例中，NPN型三极管Q21和PNP型三极管Q22分别被替换为N沟道场效应晶体管和P沟道场效应晶体管等功率晶体管。
本发明并不意欲限定第一直流电压端子的电位为18伏特，第二直流电压端子的电位为-5伏特，根据实际需要可以选择具有其他电位值的高电平和低电平。
在本发明的其他实施例中，功率放大器包括连接在第一直流电压端子和第二直流电压端子之间以推挽电路布置的第一功率晶体管和第二功率晶体管，第三功率晶体管的第一电极连接在功率放大器的输出端子，其第二电极连接第二直流电压端子或接地端子，其中第一直流电压端子的电位等于驱动器芯片输出的脉宽调制信号的高电平，第二直流电压端子的电位等于或小于地电位，且其可以等于或不等于脉宽调制信号的低电平。例如，PNP型三极管Q22的集电极和NPN型三极管Q23的发射极的电位等于或小于地电位。
在本发明的其他实施例中，可以采用其他的能够对直流电压进行分压功能的电子器件代替上述实施例中的电阻R21或电阻R23，还可以采用其两端具有适当的稳定或预定电压值的稳压器件代替上述实施例中稳压二极管ZD21、稳压二极管ZD22、二极管组件32或二极管组件33。
本发明的驱动电路能够给绝缘栅双极型晶体管或金氧半场效应晶体管等开关晶体管的控制电极提供脉宽调制驱动信号。
本发明还提供了一种用于开关晶体管的驱动装置，包括驱动器芯片，其用于输出脉宽调制信号；以及如上所述的驱动电路，其用于接收驱动器芯片输出的脉宽调制信号，并输出功率放大的脉宽调制驱动信号至开关晶体管。
虽然本发明已经通过优选实施例进行了描述，然而本发明并非局限于这里所描述的实施例，在不脱离本发明范围的情况下还包括所作出的各种改变以及变化。

Claims (13)

1.一种用于开关晶体管的驱动电路，所述开关晶体管包括控制端子、第一电极和第二电极，其特征在于，所述驱动电路包括：
功率放大器，其包括连接在第一直流电压端子和第二直流电压端子之间以推挽电路布置的第一功率晶体管和第二功率晶体管，所述功率放大器的输入端子用于接收脉宽调制信号，且输出端子输出功率放大的脉宽调制驱动信号并通过驱动电阻连接至所述开关晶体管的控制端子，所述脉宽调制信号的高电平等于所述第一直流电压端子的电位；
第一稳压器件，其连接在所述功率放大器的输入端子和所述第一功率晶体管的控制端子之间，且其两端具有第一预定电压；
第三功率晶体管，其连接在所述功率放大器的输出端子与所述第二直流电压端子或接地端子之间；
第一分压器件，其连接在所述功率放大器的输入端子和输出端子之间，且用于当所述第三功率晶体管导通时使得所述第一功率晶体管导通；以及
晶体管控制电路，其用于当所述开关晶体管处于短路路径中时控制所述第三功率晶体管导通，以及当所述开关晶体管被控制为导通且未处于短路路径中时控制所述第三功率晶体管截止。
2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述晶体管控制电路包括：
第二分压器件，其一端连接至所述第一直流电压端子；以及
二极管，其负极连接至所述开关晶体管的所述第一电极，其正极与所述第二分压器件的另一端相连接形成的节点电连接至所述第三功率晶体管的控制端子。
3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述晶体管控制电路还包括第二稳压器件，其连接在所述第三功率晶体管的控制端子和所述节点之间，且用于使得所述节点和所述第三功率晶体管的控制端子之间具有第二预定电压，其中当所述开关晶体管被控制为导通且未处于短路路径中时，所述节点到所述第二直流电压端子或接地端子之间的电压减去所述第二预定电压小于所述第三功率晶体管的开启电压。
4.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述第一分压器件是第一电阻，所述第二分压器件是第二电阻。
5.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括与所述第三功率晶体管串联的第三电阻，其一端连接至所述功率放大器的输出端子或所述开关晶体管的控制端子，其另一端通过所述第三功率晶体管连接至所述第二直流电压端子或接地端子，所述第三电阻被配置为当所述第三功率晶体管导通时使得所述第一分压器件两端的电压不小于所述第一预定电压和所述第一功率晶体管的开启电压之和。
6.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第一稳压器件为第一稳压二极管，其正极连接至所述第一功率晶体管的控制端子，其负极连接至所述功率放大器的输入端子。
7.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第一稳压器件为第一二极管组件，其包括串联的多个二极管，所述第一二极管组件的正极连接至所述功率放大器的输入端子，其负极连接至所述第一功率晶体管的控制端子。
8.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述第二稳压器件为第二稳压二极管，其正极连接至所述第三功率晶体管的控制端子，其负极连接至所述节点。
9.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述第二稳压器件为第二二极管组件，其包括串联的多个二极管，所述第二二极管组件的正极连接至所述节点，其负极连接至所述第三功率晶体管的控制端子。
10.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述第三功率晶体管包括电连接至所述功率放大器的输出端子或所述开关晶体管的控制端子的第一电极，电连接至所述第二直流电压端子或接地端子的第二电极，以及电连接至所述节点的控制端子。
11.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第一直流电压端子的电位大于地电位，所述第二直流电压端子的电位小于或等于地电位。
12.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第一功率晶体管为NPN型三极管，所述第二功率晶体管为PNP型三极管，所述NPN型三极管的集电极和PNP型三极管的集电极分别连接至所述第一直流电压端子和第二直流电压端子，所述NPN型三极管的发射极和PNP型三极管的发射极相连接并作为所述功率放大器的输出端子，所述NPN型三极管的基极通过所述第一稳压器件连接至所述PNP型三极管的基极并作为所述功率放大器的输入端子。
13.一种用于开关晶体管的驱动装置，其特征在于，包括：
驱动器芯片，其用于输出脉宽调制信号；以及
如权利要求1至12中任一项所述的驱动电路，其用于接收所述脉宽调制信号，并输出功率放大的脉宽调制驱动信号至所述开关晶体管。
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