CN112239847A - 用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法，镀膜设备包括阴极镀膜源及载盘，载盘包括追盘部件及承载台阶；通过阴极镀膜源，在同一真空腔内、无需翻转的情况下进行双面镀膜；通过追盘部件，遮挡多个载盘之间的缝隙，实现阴极镀膜源的隔离式布局，避免阴极镀膜源的相互影响；通过承载台阶承载待镀膜件并对待镀膜件进行遮挡，避免透明导电氧化物薄膜的导通，避免引起SHJ太阳电池的短路；通过加固部件，防止载盘的变形，提高产品质量。本发明实现了“无应力”双面同位连续镀膜，减小镀膜设备的占地面积、避免待镀膜件的翻转、提高产品质量、具有低成本、高稳定性、广泛的应用前景和经济价值。

Description

用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法
技术领域
本发明属于硅基异质结太阳电池领域，涉及用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法。
背景技术
硅基异质结太阳电池(晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池)是一种高效太阳电池，简称HITR太阳电池(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer)或SHJ太阳电池(SiliconHetero Junction)，在中国多使用后者。SHJ太阳电池的基本结构如图1所示，该电池以N型晶体硅101为基板，首先对其进行表面制绒和化学清洗，形成提高光吸收的金字塔限光结构，再经过化学清洗后形成清洁的表面。然后利用等离子体化学气相沉积(PECVD)、金属热催化化学气相沉积(Cat-CVD)、热丝化学气相沉积(Hot-wire CVD)等方法在N型晶体硅101的上表面形成本征非晶硅薄膜102和N型掺杂非晶硅薄膜103的叠层，在N型晶体硅101的下表面形成本征非晶硅薄膜102和P型掺杂非晶硅薄膜104的叠层，然后在N型掺杂非晶硅薄膜103及P型掺杂非晶硅薄膜104的表面沉积透明导电氧化物(TCO)薄膜105，再通过丝网印刷或电镀等金属化技术，在透明导电氧化物薄膜105的表面制作金属电极106，形成具有对称结构的双面受光的SHJ太阳电池。
在SHJ太阳电池中，常用的TCO薄膜制备技术有磁控溅射镀膜技术和反应等离子体沉积镀膜技术。其中，磁控溅射镀膜技术可以使待镀膜件面朝下镀膜或面朝上镀膜，可以在不破坏真空的条件下，单面依次制备TCO薄膜，实现双面镀膜，是目前传统光电半导体器件的TCO薄膜制备的主要技术。反应等离子体沉积镀膜技术需要使待镀膜件面朝下镀膜，因此必须在完成一面镀膜后，破坏真空，进行待镀膜件的翻面，才能完成另一面的镀膜，以单面依次形成双面镀膜，这种镀膜方式设备制造成本较高，而且翻转会增加SHJ太阳电池表面污染、机械损伤甚至破损的概率，造成SHJ太阳电池性能下降，影响成品率。与其他高效太阳电池相比，SHJ太阳电池最大的优点是薄片化、柔性化，据国际光伏技术线路图发布和预测，到2025年，SHJ太阳电池用硅片的原始厚度将减小到120μm以下，湿化学表面制绒后，硅片厚度将减小到100μm，甚至小于100μm。硅片厚度越小，制备的SHJ太阳电池的柔性越高，但目前的镀膜设备所采用的单面依次制备TCO薄膜的工艺技术，随着硅片厚度的减小，因应力问题而导致的硅片弯曲量较大，镀膜传输过程中待镀膜件的移位、掉片或者卡片的概率增加，因而制造难度较大。
因此，提供一种新型的用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法，以解决SHJ太阳电池因厚度的减小，由单面依次制备薄膜，所引起的上述镀膜应力的问题，实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法，用于解决上述镀膜过程中，因应力问题而导致的一系列制备及质量的问题。
为实现上述目的，本发明提供一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备，所述镀膜设备包括：
阴极镀膜源，所述阴极镀膜源包括对应设置于真空腔内的第一阴极镀膜源及第二阴极镀膜源，其中，所述第一阴极镀膜源位于所述真空腔上方，所述第二阴极镀膜源位于所述真空腔下方；
载盘，包括追盘部件及承载台阶，通过所述追盘部件遮挡多个所述载盘之间的缝隙，以隔开所述第一阴极镀膜源及第二阴极镀膜源；通过所述承载台阶承载待镀膜件，且遮挡所述待镀膜件的第二表面的边缘区域；所述载盘通过传动机构在所述第一阴极镀膜源下方及第二阴极镀膜源上方运行，以在所述待镀膜件的第一表面上形成第一透明导电氧化物薄膜及在所述待镀膜件的第二表面上形成第二透明导电氧化物薄膜，且所述第一透明导电氧化物薄膜与所述第二透明导电氧化物薄膜通过所述承载台阶的遮挡而隔开。
可选地，所述第一阴极镀膜源及第二阴极镀膜源的中心线重合，以同时在所述待镀膜件上形成所述第一透明导电氧化物薄膜及第二透明导电氧化物薄膜。
可选地，所述第一阴极镀膜源及第二阴极镀膜源的中心线平行，且所述第一阴极镀膜源与所述第二阴极镀膜源的中心所在的方向与垂直方向的夹角介于0°～60°之间，包括60°。
可选地，所述第一阴极镀膜源及第二阴极镀膜源包括一个阴极源或者多个阴极源。
可选地，沿所述载盘的运行方向，所述追盘部件的位置包括位于所述载盘的前端及后端中的一种或组合。
可选地，所述追盘部件的宽度范围包括20mm～50mm，厚度范围包括1mm～5mm；所述承载台阶的宽度范围包括0.3mm～2mm。
可选地，所述传动机构包括设置于所述真空腔两侧的滚轮，所述滚轮位于所述第一阴极镀膜源与所述第二阴极镀膜源的对称轴上，且所述滚轮沿水平方向运行。
可选地，所述载盘还包括加固部件，以通过所述加固部件防止所述载盘的变形。
可选地，所述阴极镀膜源包括射频磁控溅射源及直流磁控溅射中的一种或组合，所述射频磁控溅射包括中频、高频、甚高频中的一种或者多种，所述直流磁控溅射源包括直流、直流脉冲、直流偏压、直流脉冲偏压中的一种或者多种。
可选地，所述透明导电氧化物薄膜包括氧化铟薄膜、氧化锡薄膜、氧化镉薄膜、氧化钨薄膜、氧化钼薄膜、氧化钒薄膜、氧化钛薄膜、掺锡氧化铟薄膜、掺铝氧化铟薄膜、掺钨氧化铟薄膜、掺钛氧化铟薄膜、掺铯氧化铟薄膜、掺铝氧化锌薄膜、掺镓氧化锌薄膜及掺铝镓氧化锌薄膜中的一种或多种。
本发明还提供一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜方法，包括以下步骤：
提供上述镀膜设备，提供待镀膜件；
将所述待镀膜件置于所述载盘的承载台阶上，通过所述追盘部件遮挡多个所述载盘之间的缝隙，通过所述传动机构的运行传输所述载盘，以在所述待镀膜件的第一表面上形成所述第一透明导电氧化物薄膜及在所述待镀膜件的第二表面上形成所述第二透明导电氧化物薄膜，且所述第一透明导电氧化物薄膜与所述第二透明导电氧化物薄膜通过所述承载台阶的遮挡而隔开。
可选地，所述阴极镀膜源的功率密度包括3kW/m～15kW/m，镀膜压力包括0.1Pa～2.0Pa，镀膜温度包括20℃～220℃。
如上所述，本发明的用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法，在同一真空腔内，在无需翻转的情况下，通过位于载盘上方的第一阴极镀膜源及位于载盘下方的第二阴极镀膜源，在待镀膜件的第一表面制备第一透明导电氧化物薄膜及在待镀膜件的第二表面制备第二透明导电氧化物薄膜，以进行双面镀膜。其中，通过载盘的追盘部件，遮挡多个载盘之间的缝隙，实现阴极镀膜源的隔离式布局，避免第一阴极镀膜源及第二阴极镀膜源的相互影响；通过承载台阶承载待镀膜件并对待镀膜件进行遮挡，从而避免第一透明导电氧化物薄膜与第二透明导电氧化物薄膜的相互导通，避免引起SHJ太阳电池的短路；通过加固部件，可防止载盘的变形，提高制备的产品质量。本发明结合薄片、超薄片的SHJ太阳电池自身的弯曲特性以及镀膜应力特性，实现了“无应力”双面同位连续镀膜，减小了传统双面镀膜设备的占地面积及待镀膜件的翻转问题，降低了由单面镀膜的应力弯曲所引起的待镀膜件的位移、掉落、卡片及碎片的概率，具有低成本、高稳定性的优势、且有与现有的SHJ太阳电池的透明导电氧化物薄膜的制备方法具有完全兼容的特点，因而在太阳电池制备领域具有广泛的应用前景和经济价值。
附图说明
图1显示为现有技术中的SHJ太阳电池的结构示意图。
图2显示为本发明中的用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备在制备透明导电氧化物薄膜时的结构示意图。
图3显示为图2中载盘的结构示意图。
图4显示为图3中B区域的放大结构示意图。
图5显示为本发明中用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜方法的工艺流程示意图。
图6显示为本发明制备的SHJ太阳电池的结构示意图。
元件标号说明
101 N型晶体硅
102 本征非晶硅薄膜
103 N型掺杂非晶硅薄膜
104 P型掺杂非晶硅薄膜
105 透明导电氧化物薄膜
106 金属电极
200 镀膜设备
211 第一阴极镀膜源
212 第二阴极镀膜源
220 载盘
221 追盘部件
222 承载台阶
110 待镀膜件
111 N型晶体硅
112 本征非晶硅薄膜
113 N型掺杂非晶硅薄膜
114 P型掺杂非晶硅薄膜
120 透明导电氧化物薄膜
121 第一透明导电氧化物薄膜
122 第二透明导电氧化物薄膜
130 金属电极
A 运行方向
B 区域
W1 追盘部件宽度
W2 承载台阶宽度
D 边缘区域宽度
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示设备的结构示意图会不依一般比例作局部放大或缩小，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图2～图4，本实施例提供一种用于制作透明导电氧化物薄膜的(TCO)的镀膜设备200，所述镀膜设备200包括：阴极镀膜源及载盘220。本实施例结合薄片、超薄片的SHJ太阳电池自身的弯曲特性以及镀膜应力特性，实现了“无应力”双面同位连续镀膜，减少了传统双面镀膜设备的占地面积及待镀膜件的翻转问题，降低了由单面镀膜的应力弯曲所引起的待镀膜件的位移、掉落、卡片及碎片的概率，具有低成本、高稳定性的优势、且有与现有的SHJ太阳电池的TCO薄膜的制备方法具有完全兼容的特点，因而在太阳电池制备领域具有广泛的应用前景和经济价值。
如图2，所述阴极镀膜源包括对应设置于真空腔内的第一阴极镀膜源211及第二阴极镀膜源212，其中，所述第一阴极镀膜源211位于所述真空腔上方，所述第二阴极镀膜源212位于所述真空腔下方。
作为示例，所述第一阴极镀膜源211及第二阴极镀膜源212可包括一个阴极源或者多个阴极源。
具体的，所述第一阴极镀膜源211可包括1个或多个所述阴极源，所述第二阴极镀膜源212中的阴极源与所述第一阴极镀膜源211中的所述阴极源对应设置，以形成至少一组阴极源，具体组数此处不作过分限制。
作为示例，所述第一阴极镀膜源211及第二阴极镀膜源212的中心线重合，以同时在待镀膜件110上形成第一透明导电氧化物薄膜121及第二透明导电氧化物薄膜122或所述第一阴极镀膜源211及第二阴极镀膜源212的中心线平行，且所述第一阴极镀膜源211与所述第二阴极镀膜源212的中心所在的方向与垂直方向的夹角介于0°～60°之间，包括60°。
具体的，如图4及图6，提供待镀膜件110，所述待镀膜件110的厚度包括≤120μm，如100μm。所述待镀膜件110可包括具有掺杂类相反且成分或者结构不同的半导体材料，所述半导体材料的制程温度不超过250℃。本实施例中，所述待镀膜件110包括N型晶体硅111，所述N型晶体硅111的上表面沉积有本征非晶硅薄膜112和N型掺杂非晶硅薄膜113，所述N型晶体硅11的下表面沉积有所述本征非晶硅薄膜112和P型掺杂非晶硅薄膜114，所述待镀膜件110的结构并非局限于此。所述待镀膜件110的制备方法，此处不作限制。其中，通过所述第一阴极镀膜源211及第二阴极镀膜源212，可在同一所述真空腔内，实现对所述待镀膜件110的双面镀膜，而无需翻转所述待镀膜件110，从而减少制备透明导电氧化物薄膜120的时间，提高所述透明导电氧化物薄膜120的质量，且对应设置的所述第一阴极镀膜源211及第二阴极镀膜源212还可减小所述镀膜设备200的占地面积。其中，可使所述第一阴极镀膜源211及第二阴极镀膜源212的中心线重合，以同时在所述待镀膜件110上形成所述第一透明导电氧化物薄膜121及第二透明导电氧化物薄膜122，实现“无应力”双面同位连续镀膜，但并非局限于此，如也可使所述第一阴极镀膜源211及第二阴极镀膜源212的中心线平行，且所述第一阴极镀膜源211与所述第二阴极镀膜源212的中心所在的方向与垂直方向的夹角介于0°～60°之间，包括30°，45°，60°等，以实现对所述待镀膜件110的双面镀膜。本实施例中优选所述第一阴极镀膜源211及第二阴极镀膜源212的中心线重合，以进一步减少制备所述透明导电氧化物薄膜120的时间，提高所述透明导电氧化物薄膜120的质量，减小所述镀膜设备200的占地面积，实现“无应力”双面同位连续镀膜。
其中，在所述镀膜设备200中放置至少两个所述载盘220，所述载盘220的具体数量此处不作限制，本实施例中仅以2个所述载盘220作为示例，其数量不作过分限制，可根据需要进行选择，如1个、4个等。其中，所述第一阴极镀膜源211位于所述载盘220上方，所述第二阴极镀膜源212位于所述载盘220下方，所述载盘220包括追盘部件221及承载台阶222。其中两个所述载盘220通过所述追盘部件221以遮挡2个所述载盘220之间所形成的缝隙，从而实现所述第一阴极镀膜源211与所述第二阴极镀膜源212的隔离式布局，避免所述第一阴极镀膜源211及第二阴极镀膜源212的相互影响，从而提高镀膜质量。所述待镀膜件110置于所述载盘220中的所述承载台阶222上，通过所述承载台阶222的支撑，以便于所述待镀膜件110随所述载盘220的运行而传输，其中，所述待镀膜件110的下表面由于所述承载台阶222的遮挡，可使所述承载台阶222作为所述待镀膜件110的隔离掩模版，从而可避免所述第一透明导电氧化物薄膜121与所述第二透明导电氧化物薄膜122的导通，避免引起制备的SHJ太阳电池的短路。
作为示例，沿所述载盘220的运行方向A，所述追盘部件221包括位于所述载盘220的前端及后端中的一种或组合，具体位置此处不作过分限制。
作为示例，所述追盘部件221的宽度W1范围包括20mm～50mm，厚度范围包括1mm～5mm；所述承载台阶222的宽度W2范围包括0.3mm～2mm。
具体的，如图3及图4，所述追盘部件221位于所述载盘220的后端，但并非局限于此，其中，所述追盘部件221的长度与所述载盘220的长度相同，宽度W1可采用20mm、30mm、40mm、50mm等，厚度可包括1mm、2mm、3mm、4mm、5mm等，具体参数可根据需要进行选择。所述承载台阶222的宽度W2可包括0.3mm、0.5mm、1mm、1.5mm、2mm等，具体参数可根据需要进行选择。其中，所述承载台阶222的宽度W2与后续形成的所述第二透明导电氧化物薄膜122相关，通过所述承载台阶222的遮挡，以使所述第二透明导电氧化物薄膜122具有边缘区域宽度D，从而实现与所述第一透明导电氧化物薄膜121的隔离，避免所述第一透明导电氧化物薄膜121与所述第二透明导电氧化物薄膜122的导通，避免引起制备的所述SHJ太阳电池的短路。
作为示例，所述镀膜设备200中包括传动机构(未图示)，所述传动机构包括设置于所述真空腔两侧的滚轮，所述滚轮位于所述第一阴极镀膜源211与所述第二阴极镀膜源212的对称轴上，且所述滚轮沿水平方向运行。
具体的，所述载盘220的边缘与所述滚轮相接触，通过所述滚轮的运行，带动所述载盘220进行传输，其中优选所述滚轮位于所述第一阴极镀膜源211与所述第二阴极镀膜源212的对称轴上，且所述滚轮沿水平方向运行，以形成具有均匀厚度的所述透明导电氧化物薄膜120。所述传动机构的种类并非局限于此，可根据需要进行选择。
作为示例，所述载盘220还可包括加固部件(未图示)，以通过所述加固部件防止所述载盘220的变形。
具体的，为实现双面镀膜，所述载盘220按所述待镀膜件110的形状大小进行切割加工，形成镂空状，通过所述承载台阶222承载所述待镀膜件110，并遮挡所述待镀膜件110的部分边缘区域。同时，为提高效率，所述载盘220在横向及纵向上可分别独立的包括多个所述承载台阶222，所述载盘220具有多个镂空的孔洞，因此，所述载盘220在传输过程中，极易引起形变，本实施例通过在所述镂空的孔洞之间设置所述加固部件，可提高所述载盘220的牢固度，以通过所述加固部件防止所述载盘220的变形，提高制备的所述SHJ太阳电池的质量。
作为示例，所述阴极镀膜源可包括射频磁控溅射源及直流磁控溅射中的一种或组合，所述射频磁控溅射包括中频、高频、甚高频中的一种或者多种，所述直流磁控溅射源包括直流、直流脉冲、直流偏压、直流脉冲偏压中的一种或者多种；所述透明导电氧化物薄膜包括氧化铟薄膜、氧化锡薄膜、氧化镉薄膜、氧化钨薄膜、氧化钼薄膜、氧化钒薄膜、氧化钛薄膜、掺锡氧化铟薄膜、掺铝氧化铟薄膜、掺钨氧化铟薄膜、掺钛氧化铟薄膜、掺铯氧化铟薄膜、掺铝氧化锌薄膜、掺镓氧化锌薄膜及掺铝镓氧化锌薄膜中的一种或多种。
具体的，所述第一阴极镀膜源211与所述第二阴极镀膜源212可各自独立的采用具有相同材料的多个阴极源，也可采用具有不同材料的多个阴极源，以在所述待镀膜件110上各自独立的形成包括单层或多层的所述第一透明导电氧化物薄膜121及第二透明导电氧化物薄膜122。其中，所述阴极镀膜源可包括射频磁控溅射源及直流磁控溅射中的一种或组合，所述射频磁控溅射可包括中频、高频、甚高频中的一种或者多种，所述直流磁控溅射源可包括直流、直流脉冲、直流偏压、直流脉冲偏压中的一种或者多种，使得所述镀膜设备200与现有的SHJ太阳电池的透明导电氧化物薄膜的制备方法具有完全兼容的特点，因而在太阳电池制备领域具有广泛的应用前景和经济价值。所述第一透明导电氧化物薄膜121及第二透明导电氧化物薄膜122可各自独立的包括氧化铟薄膜、氧化锡薄膜、氧化镉薄膜、氧化钨薄膜、氧化钼薄膜、氧化钒薄膜、氧化钛薄膜、掺锡氧化铟薄膜、掺铝氧化铟薄膜、掺钨氧化铟薄膜、掺钛氧化铟薄膜、掺铯氧化铟薄膜、掺铝氧化锌薄膜、掺镓氧化锌薄膜及掺铝镓氧化锌薄膜中的一种或多种。
如图5，本实施例提供一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜方法，具体包括：
提供所述镀膜设备200，提供所述待镀膜件110，将所述待镀膜件110置于所述载盘220中的所述承载台阶222上，将所述载盘220置于所述镀膜设备200中的传动机构上，通过所述镀膜设备200中的所述第一阴极镀膜源211及第二阴极镀膜源212，在所述待镀膜件110上制作所述透明导电氧化物薄膜120。其中，通过所述追盘部件221遮挡多个所述载盘220之间的缝隙，通过所述传动机构的运行传输所述载盘220，以在所述待镀膜件110的第一表面上形成所述第一透明导电氧化物薄膜121及在所述待镀膜件110的第二表面上形成所述第二透明导电氧化物薄膜122，且所述第一透明导电氧化物薄膜121与所述第二透明导电氧化物薄膜122通过所述承载台阶222的遮挡而隔开。
作为示例，所述阴极镀膜源的功率密度包括3kW/m～15kW/m，镀膜压力包括0.1Pa～2.0Pa，镀膜温度包括20℃～220℃。
具体的，如图6，所述第二透明导电氧化物薄膜122通过所述承载台阶222的遮挡，从而使得所述第二透明导电氧化物薄膜122具有边缘区域宽度D，以隔开所述第一透明导电氧化物薄膜121与所述第二透明导电氧化物薄膜122，其中，所述边缘区域宽度D小于等于所述承载台阶宽度W2，以避免所述第一透明导电氧化物薄膜121与所述第二透明导电氧化物薄膜122的导通，避免引起制备的所述SHJ太阳电池的短路。在形成所述透明导电氧化物薄膜120之后，还可采用丝网印刷或电镀等金属化技术，在所述透明导电氧化物薄膜120的表面制作金属电极130，从而形成具有对称结构的双面受光的所述SHJ太阳电池。
综上所述，本发明的用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法，在同一真空腔内，在无需翻转的情况下，通过位于载盘上方的第一阴极镀膜源及位于载盘下方的第二阴极镀膜源，在待镀膜件的第一表面制备第一透明导电氧化物薄膜及在待镀膜件的第二表面制备第二透明导电氧化物薄膜，以进行双面镀膜。其中，通过载盘的追盘部件，遮挡多个载盘之间的缝隙，实现阴极镀膜源的隔离式布局，避免第一阴极镀膜源及第二阴极镀膜源的相互影响；通过承载台阶承载待镀膜件并对待镀膜件进行遮挡，从而避免第一透明导电氧化物薄膜与第二透明导电氧化物薄膜的相互导通，避免引起SHJ太阳电池的短路；通过加固部件，可防止载盘的变形，提高制备的产品质量。本发明结合薄片、超薄片的SHJ太阳电池自身的弯曲特性以及镀膜应力特性，实现了“无应力”双面同位连续镀膜，减小了传统双面镀膜设备的占地面积及待镀膜件的翻转问题，降低了由单面镀膜的应力弯曲所引起的待镀膜件的位移、掉落、卡片及碎片的概率，具有低成本、高稳定性的优势、且有与现有的SHJ太阳电池的透明导电氧化物薄膜的制备方法具有完全兼容的特点，因而在太阳电池制备领域具有广泛的应用前景和经济价值。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (12)

1.一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备，其特征在于，所述镀膜设备包括：
阴极镀膜源，所述阴极镀膜源包括对应设置于真空腔内的第一阴极镀膜源及第二阴极镀膜源，其中，所述第一阴极镀膜源位于所述真空腔上方，所述第二阴极镀膜源位于所述真空腔下方；
载盘，包括追盘部件及承载台阶，通过所述追盘部件遮挡多个所述载盘之间的缝隙，以隔开所述第一阴极镀膜源及第二阴极镀膜源；通过所述承载台阶承载待镀膜件，且遮挡所述待镀膜件的第二表面的边缘区域；所述载盘通过传动机构在所述第一阴极镀膜源下方及第二阴极镀膜源上方运行，以在所述待镀膜件的第一表面上形成第一透明导电氧化物薄膜及在所述待镀膜件的第二表面上形成第二透明导电氧化物薄膜，且所述第一透明导电氧化物薄膜与所述第二透明导电氧化物薄膜通过所述承载台阶的遮挡而隔开。
2.根据权利要求1所述的用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备，其特征在于：所述第一阴极镀膜源及第二阴极镀膜源的中心线重合，以同时在所述待镀膜件上形成所述第一透明导电氧化物薄膜及第二透明导电氧化物薄膜。
3.根据权利要求1所述的用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备，其特征在于：所述第一阴极镀膜源及第二阴极镀膜源的中心线平行，且所述第一阴极镀膜源与所述第二阴极镀膜源的中心所在的方向与垂直方向的夹角介于0°～60°之间，包括60°。
4.根据权利要求1所述的用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备，其特征在于：所述第一阴极镀膜源及第二阴极镀膜源包括一个阴极源或者多个阴极源。
5.根据权利要求1所述的用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备，其特征在于：沿所述载盘的运行方向，所述追盘部件的位置包括位于所述载盘的前端及后端中的一种或组合。
6.根据权利要求1所述的用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备，其特征在于：所述追盘部件的宽度范围包括20mm～50mm，厚度范围包括1mm～5mm；所述承载台阶的宽度范围包括0.3mm～2mm。
7.根据权利要求1所述的用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备，其特征在于：所述传动机构包括设置于所述真空腔两侧的滚轮，所述滚轮位于所述第一阴极镀膜源与所述第二阴极镀膜源的对称轴上，且所述滚轮沿水平方向运行。
8.根据权利要求1所述的用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备，其特征在于：所述载盘还包括加固部件，以通过所述加固部件防止所述载盘的变形。
9.根据权利要求1所述的用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备，其特征在于：所述阴极镀膜源包括射频磁控溅射源及直流磁控溅射中的一种或组合，所述射频磁控溅射包括中频、高频、甚高频中的一种或者多种，所述直流磁控溅射源包括直流、直流脉冲、直流偏压、直流脉冲偏压中的一种或者多种。
10.根据权利要求1所述的用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备，其特征在于：所述透明导电氧化物薄膜包括氧化铟薄膜、氧化锡薄膜、氧化镉薄膜、氧化钨薄膜、氧化钼薄膜、氧化钒薄膜、氧化钛薄膜、掺锡氧化铟薄膜、掺铝氧化铟薄膜、掺钨氧化铟薄膜、掺钛氧化铟薄膜、掺铯氧化铟薄膜、掺铝氧化锌薄膜、掺镓氧化锌薄膜及掺铝镓氧化锌薄膜中的一种或多种。
11.一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供权利要求1～10中任一所述镀膜设备，提供待镀膜件；
将所述待镀膜件置于所述载盘的承载台阶上，通过所述追盘部件遮挡多个所述载盘之间的缝隙，通过所述传动机构的运行传输所述载盘，以在所述待镀膜件的第一表面上形成所述第一透明导电氧化物薄膜及在所述待镀膜件的第二表面上形成所述第二透明导电氧化物薄膜，且所述第一透明导电氧化物薄膜与所述第二透明导电氧化物薄膜通过所述承载台阶的遮挡而隔开。
12.根据权利要求11所述的用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜方法，其特征在于：所述阴极镀膜源的功率密度包括3kW/m～15kW/m，镀膜压力包括0.1Pa～2.0Pa，镀膜温度包括20℃～220℃。
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CN113430497A (zh) * 2021-07-28 2021-09-24 中威新能源(成都)有限公司 一种柔性基材双面镀膜方法及双面镀膜设备

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