CN112235697A - 敏感膜、mems麦克风及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种敏感膜、MEMS麦克风及其制作方法，该敏感膜包括感测部，用于感测振动信号；连接部，所述连接部环绕所述感测部设置，并用于固定所述感测部；动作部，所述动作部连接所述感测部和所述连接部，所述动作部的刚度小于所述感测部的刚度和/或所述连接部的刚度；以及补强部，所述补强部设于所述动作部。本发明技术方案旨在提高敏感膜的结构强度，降低敏感膜破裂失效的概率。

Description

敏感膜、MEMS麦克风及其制作方法

技术领域

本发明涉及用于测量的敏感膜技术领域，特别涉及一种敏感膜、MEMS麦克风及其制作方法。

背景技术

MEMS(Micro Electro Mechanic System，微型机电系统)麦克风是一种用微机械加工技术制作出来的电能换声器，其具有体积小、频响特性好、噪声低等特点。随着电子设备的小巧化、薄型化发展，MEMS麦克风被越来越广泛地运用到这些设备上。

相关技术中的MEMS麦克风包括硅基底以及由敏感膜和背板组成的平板电容，敏感膜与背板相对并相隔一定距离。敏感膜在声波的作用下产生振动，使得敏感膜和背板之间的距离发生变化，导致平板电容的电容发生改变，从而将声波信号转化为了电信号。为了提高敏感膜的顺性，并释放敏感膜的应力，一般会使得敏感膜的某些地方弹性形变量较大，如此设置使敏感膜相对脆弱，被较大声压或气压急剧变化作用时，敏感膜易发生破裂失效。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种敏感膜，旨在提高敏感膜的结构强度，降低敏感膜破裂失效的概率。

为实现上述目的，本发明提供的敏感膜，包括：

感测部，用于感测振动信号；

连接部，所述连接部环绕所述感测部设置，并用于固定所述感测部；

动作部，所述动作部连接所述感测部和所述连接部，所述动作部的刚度小于所述感测部的刚度和/或所述连接部的刚度；以及

补强部，所述补强部设于所述动作部。

在本发明的一些实施例中，定义所述敏感膜具有振动方向，所述敏感膜于所述振动方向具有第一侧和第二侧，所述敏感膜的所述第一侧和/或所述第二侧设有所述补强部。

在本发明的一些实施例中，所述感测部和所述连接部沿垂直所述振动方向的水平面延伸，所述动作部具有第一折弯段和与所述第一折弯段连接的第二折弯段，至少部分所述第一折弯段与至少部分第二折弯段呈夹角设置，所述第一折弯段或所述第二折弯段的其中一个与所述感测部连接，其中另一个与所述连接部连接，所述补强部设于所述第一折弯段和所述第二折弯段。

在本发明的一些实施例中，所述补强部为薄膜结构，所述薄膜结构贴合于所述第一折弯段的表面和所述第二折弯段的表面。

在本发明的一些实施例中，所述补强部的厚度h的取值范围为：0.1um≤h≤1um。

在本发明的一些实施例中，所述补强部的厚度自所述感测部向所述连接部逐渐减小。

在本发明的一些实施例中，所述动作部环绕所述感测部设置，所述感测部、所述动作部和所述连接部一体成型设置，且均被配置为能够通入电信号。

在本发明的一些实施例中，所述敏感膜设有贯穿孔，所述贯穿孔位于所述连接部和/或所述动作部。

在本发明的一些实施例中，所述补强部的材质包括绝缘材料，或者所述补强部的材质包括导电材料。

本发明还提出一种MEMS麦克风，包括：

衬底，所述衬底具有背腔；

背极和敏感膜，所述敏感膜包括感测部，用于感测振动信号；

连接部，所述连接部环绕所述感测部设置，并用于固定所述感测部；

动作部，所述动作部连接所述感测部和所述连接部，所述动作部的刚度小于所述感测部的刚度和/或所述连接部的刚度；以及

补强部，所述补强部设于所述动作部；所述背极与所述敏感膜位于所述衬底的同一侧，所述背极被配置为能够通入电信号，并与所述敏感膜间隔设置，形成电容器结构。

本发明还提出一种MEMS麦克风的制作方法，包括以下步骤：

在衬底的表面形成具有凹槽的第一支撑层；

在具有凹槽的第一支撑层上沉积敏感膜材料层，形成具有动作部的敏感膜30材料层；

在具有凹陷的敏感膜材料层的凹陷部分沉积形成补强部；

在沉积了补强部的敏感膜材料层上设置背极。

本发明的技术方案通过设置用于感测振动信号的感测部，以及设置用于固定感测部的连接部，再通过设置连接感测部和连接部的动作部，由于动作部的弹性形变量大于感测部的弹性形变量和/或连接部的弹性形变量，从而可以提高感测部的振幅继而提高其感测的灵敏度，进一步在动作部设置补强部，提高动作部的结构强度，从而提高了敏感膜的抗冲击能力，降低敏感膜破裂失效的概率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明MEMS麦克风一实施例的结构示意图；

图2为本发明MEMS麦克风在敏感膜单侧设置补强部一实施例的结构示意图；

图3为本发明MEMS麦克风在敏感膜两侧设置补强部一实施例的结构示意图；

图4为本发明MEMS麦克风具有第二凹陷部一实施例的结构示意图；

图5为本发明补强部一实施例的结构示意图；

图6为本发明MEMS麦克风制作方法的流程步骤图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				100	MEMS麦克风	322	第二折弯段
10	衬底	33	连接部
				11	背腔	34	补强部
12	第一支撑层	35	贯穿孔
				20	背极	40	振动间隙
21	背极孔	50	第二支撑层
				30	敏感膜	60	电连接点
31	感测部	70	第二凹陷部
				32	动作部	80	第一侧
321	第一折弯段	90	第二侧

本发明目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出一种敏感膜30。该敏感膜30可以应用于麦克风或者传感器，例如麦克风中的敏感膜30或者其它压阻式、压电式、光学式传感器的敏感膜30。

参照图1至图5，本发明技术方案提出的敏感膜30包括：

感测部31，用于感测振动信号；

固定部33，所述固定部33环绕所述感测部31设置，并用于固定所述感测部31；

连接部32，所述连接部32连接所述感测部31和所述固定部33，所述连接部32的刚度小于所述感测部31的刚度和/或所述固定部33的刚度；以及

补强部34，所述补强部34设于所述连接部32。

在本发明的一些实施例中，敏感膜30的外轮廓可以为多边形、椭圆形或者圆形，具体的形状可以根据实际需要进行设定。以及，该补强部34的材质包括可形变的柔性材料，如此设置，可以使得补强部34一方面可以加强连接部32的结构强度，另一方面不会过于提高连接部32的刚度，通过连接部32可以使得敏感膜30的感测部31进行振动或者发生平面位移等，从而测量相应的数据信息，保证检测的效果。该敏感膜30的厚度可以位于1um-10um，当敏感膜30的厚度较大时对细微的振动激励不敏感，检测效果较差，当敏感膜30的厚度较小时结构强度降低，当敏感膜30的厚度可以位于1um-10um时，一方面可以保证具有较好的结构强度，另一方面可以保证对细微振动激励的检测敏感度。可以理解的是，敏感膜30的厚度取值还可以为3um、5um、7um、9um等，均可一方面可以保证具有较好的结构强度，另一方面可以保证对细微振动激励的检测敏感度。

在一些实施例中，为了使得连接部32的刚度小于固定部33和感测部31的刚度，可以将连接部32的厚度做薄，或者通过设置波纹状或矩形齿状结构，使得其结构强度降低，或者将连接部32的材质设置为质地更柔软的材质，而固定部33和感测部31设置质地较坚固的材质等方式，在此不做赘述。

本发明的技术方案通过设置用于感测振动信号的感测部31，以及设置用于固定感测部31的固定部33，再通过设置连接感测部31和固定部33的连接部32，由于连接部32的弹性形变量大于感测部31的弹性形变量和/或固定部33的弹性形变量，从而可以提高感测部31的振幅继而提高其感测的灵敏度，进一步在连接部32设置补强部34，提高连接部32的结构强度，从而提高了敏感膜30的抗冲击能力，降低敏感膜30破裂失效的概率。

参照图1至图4，在本发明的一些实施例中，定义所述敏感膜30具有振动方向，所述敏感膜30于所述振动方向具有第一侧80和第二侧90，所述敏感膜30的所述第一侧80和/或所述第二侧90设有所述补强部34；本实施例中，将补强部34设置在敏感膜30振动方向的一侧，从而使得补强部34可以对敏感膜30形变较大的地方进行补强，提高结构强度。

在本发明的一些实施例中，所述补强部34的数量为多个，至少一所述补强部34设于所述第一侧80，至少一所述补强部34设于所述第二侧90。本实施例中，将补强部34设置在敏感膜30振动方向的两侧，从而使得敏感膜30在多处得到结构的加强，大大提高了结构强度，降低了失效的概率，并且将补强部34设置在敏感膜30振动方向，从而使得补强部34可以对敏感膜30形变较大的地方进行补强，进一步有效提高结构强度。

参照图2、图3，在本发明的一些实施例中，所述感测部31和所述固定部33沿垂直所述振动方向的水平面延伸，所述连接部32具有第一折弯段321和与所述第一折弯段321连接的第二折弯段322，至少部分所述第一折弯段321与至少部分第二折弯段322呈夹角设置，所述第一折弯段321或所述第二折弯段322的其中一个与所述感测部31连接，其中另一个与所述固定部33连接，所述补强部34设于所述第一折弯段321和所述第二折弯段322。需要说明的是，本实施例中的第一折弯段321和第二折弯段322可以为直线型的结构也可以为弧线型的结构或者是前述二者结合的结构。

该实施例中，当敏感膜30振动时，由于至少部分第一折弯段321与至少部分第二折弯段322呈夹角设置，在振动激励的作用下，至少部分第一折弯段321与至少部分第二折弯段322的夹角变大，从而使得敏感膜30得到伸展。以及，为了简化敏感膜30的成型步骤和加工工艺，第一折弯段321和第二折弯段322为一体结构。具体的，所述第一折弯段321沿振动方向延伸，所述第二折弯段322沿垂直所述振动方向的水平面延伸，从而第一折弯段321和第二折弯段322之间形成90度的夹角，如此设置，便于生产(因为刻蚀第一支撑层12的刻蚀效果一般是垂直的)，并且能保证敏感膜30的振动效果。

进一步地，所述连接部32的横截面呈“V”形、“N”形、“M”形、“U”形、“S”形、“L”形、“W”形、“凵”字形设置。上述几个实施例中，连接部32包括不同数量的第一折弯段321和第二折弯段322，能使延敏感膜30在需要振动时而得到不同程度的延展，且第一折弯段321和第二折弯段322弯折形成的段数越多，该敏感膜30在有限的空间内延展的程度更大。具体的，定义一第一折弯段321和一第二折弯段322为一组折弯结构(或者两个第一折弯段321和一个第二折弯段322为一组)，敏感膜30上可以设置3组或6组折弯结构，从而便于敏感膜30的振动。

可以理解地，该连接部32还可以包括更多的第一折弯段321和第二折弯段322，也可以为上述不同形状的第一折弯段321和第二折弯段322之间的各种组合，具体可以根据实际情况进行选取。

进一步地，相邻的至少部分第一折弯段321和至少部分第二折弯段322之间形成的夹角的取值范围在大于5°，且小于180°的范围内，从而使得该相邻至少部分第一折弯段321和至少部分第二折弯段322在敏感膜30振动时能进行延展。可以理解的是，至少部分第一折弯段321和至少部分第二折弯段322之间的夹角的取值还可以为20°、30°、50°、60°、80°、90°、120°、150°等，均可以使得在敏感膜30振动时能进行延展。

需要说明的是，该第一折弯段321和第二折弯段322的夹角可以是在水平方向的夹角，也可以是在竖直方向的夹角，或者同时在水平方向和竖直方向弯折形成的夹角，只要使敏感膜30在振动时，具有一定的形变均在本申请的保护范围之内。

优选地，至少相邻两第一折弯段321和第二折弯段322之间圆弧过渡。圆弧过渡的两第一折弯段321和第二折弯段322可以使受力更加均匀，避免应力集中，在敏感膜30振动时，延展过程更加平稳。

在本发明的一些实施例中，所述补强部34为薄膜结构，所述薄膜结构贴合于所述第一折弯段321的表面和所述第二折弯段322的表面。薄膜状的补强部34由于厚度方向的分量较小，可以在提高连接部32结构强度的前提下，不会过度提高敏感膜30的质量，从而保证敏感膜30的振动能量不会受到较大损耗，保证敏感膜30的振动灵敏度。以及，薄膜结构在敏感膜30的成型工艺中利于制作，保证了生产效率。可以理解的是，为了贴合于第一折弯段321的表面和第二折弯段322的表面，该补强部34的截面轮廓与连接部32一致，例如，当所述连接部32的横截面呈“V”形设置时，补强部34的横截面也呈“V”形设置；当所述连接部32的横截面呈“U”形设置时，补强部34的横截面也呈“U”形设置；当所述连接部32的横截面呈“凵”形设置时，补强部34的横截面也呈“凵”形设置。

参照图2，在本发明的一些实施例中，所述补强部34的厚度h的取值范围为：0.1um≤h≤1um。当补强部34的厚度小于0.1um时，容易导致补强部34的结构强度过低，无法实现对连接部32的有效补强，仍会导致敏感膜30具有失效的概率；当补强部34的厚度大于1um时，一方面会使连接部32的刚度被提高较多，从而降低敏感膜30的振幅，降低敏感膜30的感测灵敏度，另一方面，在有限的空间内，补强部34的厚度较大容易使得敏感膜30轻易就触碰到了空间的极限位置，不利于敏感膜30的感测；当补强部34的厚度h的取值范围为：0.1um≤h≤1um时，一方面可以提高连接部32的刚度，使得敏感膜30具有较高的结构强度，另一方面便于保证敏感膜30的感测灵敏度。可以理解的是，当补强部34的取值为0.2um、0.3um、0.4um、0.5um、0.6um、0.7um、0.8um、0.9um时，均可一方面可以提高连接部32的刚度，使得敏感膜30具有较高的结构强度，另一方面便于保证敏感膜30的感测灵敏度。

在本发明的一些实施例中，所述补强部34的厚度自所述感测部31向所述固定部33逐渐减小。由于感测部31位于敏感膜30的中部，敏感膜30的中部是振幅最大的地方，因此连接部32靠近感测部31的位置的振幅会大于连接部32靠近固定部33的位置，因此将补强部34的厚度自所述感测部31向所述固定部33逐渐减小，可以使得补强部34对敏感膜30中心处的结构增强，保证敏感膜30靠近振幅最大处的连接部32结构稳定。

在本发明的一些实施例中，所述连接部32环绕所述感测部31设置，所述感测部31、所述连接部32和所述固定部33一体成型设置，且均被配置为能够通入电信号。在制作的时候，可通过沉积、刻蚀图形化的技术形成，这种成型工艺属于本领域技术人员的公知常识。所述敏感膜30可以采用本领域技术人员所熟知的单晶硅、多晶硅或导电金属材料，还可以采用导电材料与非导电材料堆叠在一起的层叠材料等。

参照图1、图4，在本发明的一些实施例中，所述敏感膜30设有贯穿孔35，所述贯穿孔35位于所述固定部33和/或所述连接部32。敏感膜30被振动信号或压力信号激励后产生振动，在MEMS麦克风100中由于背极20会设置背极孔21，所以敏感膜30两侧的气压可能存在不平衡的问题，设置了贯穿孔35，使得敏感膜30相对两侧的气压得到一定的平衡，保证敏感膜30振动的均匀性，进而降低敏感膜30的感测的信号噪音。并且，设置贯穿孔35，可以降低敏感膜30的结构强度，提高感测部31的振动幅度和振动灵敏度。贯穿孔35的数量和孔径，可以根据实际需要进行设定，在此不做赘述。

在本发明的一些实施例中，所述补强部34的材质包括绝缘材料，或者所述补强部34的材质包括导电材料。具体的绝缘材料可以采用者含氮薄膜或者塑料薄膜或者橡胶薄膜等等，导电材料可以包括含硅薄膜等。

参照图1至图4，本发明还提出一种MEMS麦克风100，包括：

衬底10，所述衬底10具有背腔11；

背极20和敏感膜30，所述敏感膜30包括感测部31，用于感测振动信号；

固定部33，所述固定部33环绕所述感测部31设置，并用于固定所述感测部31；

连接部32，所述连接部32连接所述感测部31和所述固定部33，所述连接部32的刚度小于所述感测部31的刚度和/或所述固定部33的刚度；以及

补强部34，所述补强部34设于所述连接部32；所述背极20与所述敏感膜30位于所述衬底10的同一侧，所述背极20被配置为能够通入电信号，并与所述敏感膜30间隔设置，形成电容器结构。

在本实施例中，在敏感膜30通电工作时，敏感膜30与背极20将会带上极性相反的电荷，形成电容器结构，因此敏感膜30在静电力的作用下会朝着背极20移动，从而改变敏感膜30与背极20的电容，形成电信号。可以理解的是，该固定部33大致呈环形设置，并与背极20和衬底10固定，如此设置，保证感测部31的各个位置都能得到较好的固定，提高敏感膜30振动的稳定性。

在本发明的一些实施例中，所述敏感膜30的数量为至少两个，两所述敏感膜30设置于所述背极20相对的两侧，两所述敏感膜30的连接部32均设有补强部34。本实施例中，麦克风为双敏感膜30麦克风，此时可以在两个敏感膜30上均设置补强部34，从而提高两个敏感膜30的强度，保证麦克风的工作稳定性。

在本发明的一些实施例中，所述敏感膜30位于所述背极20和所述衬底10之间，所述敏感膜30的一侧与所述衬底10连接，另一侧与所述背极20连接。如此设置使得敏感膜30的两侧均得到一定的保护，在刻蚀形成敏感膜30的工艺中，提高敏感膜30的结合力，有效保证敏感膜30的成型，提高敏感膜30的良品率。

在一些实施例中，第一支撑层12搭接于衬底10的位置还设有第一凹陷部，该敏感膜30搭接于第一支撑层12的位置向第一凹陷部凹陷形成第二凹陷部70，如此设置可以增加敏感膜30与第一支撑层12的结合面积，并且，降低敏感膜30的结构强度提高其感测灵敏度。

参照图6，本发明还提出一种MEMS麦克风100的制作方法，包括以下步骤：

步骤S10，在衬底10的表面形成具有凹槽的第一支撑层12；在本发明的实施例中，该衬底10的形状可以根据实际生产情况确定，可以为圆形或者多边形设置。该衬底10的材质可以采用半导体材料制作，具体可以为硅衬底10。该第一支撑层12可以采用沉积，溅镀或者蒸镀等形式，只要便于附着，便于支撑即可。在一实施例中，当制作敏感膜30设置在外侧形式时，可以在衬底10的表面先设置一层离型膜，再设置第一支撑层12，从而便于在最后全部成型时将衬底10分离(需要说明的是，将敏感膜30设置为外侧的形式，远离离型膜的一侧设置新的衬底10)，并刻蚀形成芯片模组。离型膜是一种热转印的辅助膜材，底材一般采用PET，常规厚度为12um-100um，在一实施例中，可以采用冷热撕离型膜，需要使用时将离型膜贴合于衬底10的表面。在将芯片模组制作完成后，对所述离型膜和所述芯片模组相贴合的表面进行去除黏性的处理；通常芯片模组与衬底10之间加工后会相互黏，不易分开，通过在衬底10和芯片模组之间设置离型膜，可以在需要对加工完成的芯片模组和衬底10进行分离，离型膜通常具有轻微的粘性，在对其加热或者通过光线的照射(UV光或者特定波长的激光)会使得离型膜失去粘性，从而可以将芯片模组、离型膜和衬底10相互分离。该第一支撑层12沉积与衬底10后，可以通过刻蚀技术形成凹槽。

步骤S20，在具有凹槽的第一支撑层12上沉积敏感膜30材料层，形成具有动作部32的敏感膜30材料层；本实施例中，敏感膜30材料层的材料可以选取多晶硅，具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，将其制备成膜材形状之后，一方面可以具有良好的柔性，便于振动，另一方面可以对其通电，便于其与背极20形成电容器结构。敏感膜30材料层沉积后，一部分被填充在凹陷内，从而形成具有凹槽的敏感膜30材料层。

步骤S30，在具有凹陷的敏感膜30材料层的凹陷部分沉积形成补强部34；同样的，可以在敏感膜30材料层沉积形成补强部34薄膜，进而对补强部34薄膜进行刻蚀，形成位于连接部32(此时为敏感膜30材料层的凹槽部分)的补强部34。

步骤S40，在沉积了补强部34的敏感膜30材料层上设置背极20；该背极20可以包括两层氮化硅和位于氮化硅中部的导电层，在此不做赘述，在设置完成后，可以对外侧的氮化硅进行刻蚀，并沉积金属，使得氮化硅中部的导电层可以入电信号，进一步设置电连接点60，从而便于上电。

在步骤S40后，刻蚀所述衬底10和所述第一支撑层12。刻蚀衬底10和第一支撑层12的方式可以采用湿法刻蚀或者干法刻蚀或者其他刻蚀方式，只要便于敏感膜30材料层的两侧形成可以振动的空间，并与背极20形成电容器结构即可。可以理解的是，为了给敏感膜30上电，还可以在刻蚀连通至敏感膜30的通孔，并沉积金属，使得敏感膜30可以被导入电信号，进一步设置电连接点60，从而便于上电。在一些实施例中，所述背极20和所述敏感膜30之间还设有第二支撑层50；设置第二支撑层50可以使得敏感膜30与背极20之间形成一定的隔离，并对背极20的制作提供支撑。在制作完成背极20后，可以将第二支撑层50正对感应部、连接部32和至少部分的固定部33的处刻蚀，以便于敏感膜30振动。

本发明的技术方案通过在所述衬底10上设置敏感膜30和背极20，该敏感膜30和背极20设置在衬底10的同一侧，至少部分的背极20与敏感膜30之间形成振动间隙40，并形成电容器结构，以及在敏感膜30的连接部32设置补强部34，在敏感膜30受到声波信号影响时，敏感膜30产生振动，敏感膜30和背板单元之间的距离发生变化，导致平板电容的电容发生改变，从而将声波信号转化为了电信号。由于设置了补强部34提高连接部32的结构强度，从而提高了敏感膜30的抗冲击能力，降低敏感膜30破裂失效的概率。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (11)

1.一种敏感膜，其特征在于，包括：

感测部，用于感测振动信号；

连接部，所述连接部环绕所述感测部设置，并用于固定所述感测部；

动作部，所述动作部连接所述感测部和所述连接部，所述动作部的刚度小于所述感测部的刚度和/或所述连接部的刚度；以及

补强部，所述补强部设于所述动作部。

2.如权利要求1所述的敏感膜，其特征在于，定义所述敏感膜具有振动方向，所述感测部和所述连接部沿垂直所述振动方向的水平面延伸，所述敏感膜于所述振动方向具有第一侧和第二侧，所述敏感膜的所述第一侧和/或所述第二侧设有所述补强部。

3.如权利要求2所述的敏感膜，其特征在于，所述动作部具有第一折弯段和与所述第一折弯段连接的第二折弯段，至少部分所述第一折弯段与至少部分第二折弯段呈夹角设置，所述第一折弯段或所述第二折弯段的其中一个与所述感测部连接，其中另一个与所述连接部连接，所述补强部设于所述第一折弯段和所述第二折弯段。

4.如权利要求3所述的敏感膜，其特征在于，所述补强部为薄膜结构，所述薄膜结构贴合于所述第一折弯段的表面和所述第二折弯段的表面。

5.如权利要求1至4中任一项所述的敏感膜，其特征在于，所述补强部的厚度h的取值范围为：0.1um≤h≤1um。

6.如权利要求1至4中任一项所述的敏感膜，其特征在于，所述补强部的厚度自所述感测部向所述连接部逐渐减小。

7.如权利要求1所述的敏感膜，其特征在于，所述动作部环绕所述感测部设置，所述感测部、所述动作部和所述连接部一体成型设置，且均被配置为能够通入电信号。

8.如权利要求1所述的敏感膜，其特征在于，所述敏感膜设有贯穿孔，所述贯穿孔位于所述连接部和/或所述动作部。

9.如权利要求1所述的敏感膜，其特征在于，所述补强部的材质包括绝缘材料，或者所述补强部的材质包括导电材料。

10.一种MEMS麦克风，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有背腔；

背极和如权利要求1至9中任一项所述的敏感膜，所述背极与所述敏感膜位于所述衬底的同一侧，所述背极被配置为能够通入电信号，并与所述敏感膜间隔设置，形成电容器结构。

11.一种MEMS麦克风的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底的表面形成具有凹槽的第一支撑层；

在具有凹槽的第一支撑层上沉积敏感膜材料层，形成具有动作部的敏感膜30材料层；

在具有凹陷的敏感膜材料层的凹陷部分沉积形成补强部；

在沉积了补强部的敏感膜材料层上设置背极。

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