CN112230524B - 一种晶圆曝光前预对准高度调节的系统及其使用方法 - Google Patents

一种晶圆曝光前预对准高度调节的系统及其使用方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种晶圆曝光前预对准高度调节的系统及其使用方法，设有激光位移传感器的预对准温控平台；激光位移传感器用于接收来自报错单元的报错信号并量测预对准温控平台与晶圆间的间距，将量测的数据发送至位移控制单元；位移控制单元用于接收激光位移传感器量测的数据，并发出调整预对准温控平台高度的指令至马达驱动单元；马达驱动单元，用于接收位移控制单元发出的指令并驱动预对准温控平台下降，使卡盘上的晶圆不受预对准温控平台的阻力而正常旋转。本发明通过在预对准温控平台上安装激光位移传感器，当卡盘旋转产生阻力时可自动修正预对准温控平台的高度，然后再自动做晶圆预对准动作，解决了晶圆由于晶背沾污原因造成的机台宕机和返工。

Description

一种晶圆曝光前预对准高度调节的系统及其使用方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种晶圆曝光前预对准高度调节的系统及其使用方法。
背景技术
光刻机在曝光晶圆时，需将晶圆放在硅片载物台(wafer table)上进行曝光。在此之前，必须经过预对准过程，保证晶圆可以提前控温并被精确的送到硅片载物台。
如图1所示，图1显示为现有技术中晶圆在预对准温控平台上对准失效的侧视图。预对准温控平台(TSU)02和卡盘(P-chuck)01上的晶圆03之间的高度d是固定的，这个数值是机台装机时就设定好的。如果遇到晶圆的晶背脏、存有颗粒或者晶圆自身翘曲度过大时候，会造成晶圆下表面与预对准温控平台(TSU)接触，产生摩擦力使得晶圆在卡盘P-chuck上旋转阻力过大，导致机台报错宕机，影响晶圆的预对准,造成返工。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶圆曝光前预对准高度调节的系统及其使用方法，用于解决现有技术中的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶圆曝光前预对准高度调节的系统，至少包括：
预对准温控平台；贯穿于所述预对准温控平台中央的卡盘；晶圆置于所述卡盘上且所述晶圆下表面与所述预对准温控平台上表面设有初始间距；
所述预对准温控平台内部设有至少三个激光位移传感器；所述激光位移传感器用于接收来自报错单元的报错信号，从而启动实时量测所述预对准温控平台上表面与所述晶圆下表面之间的间距，并将量测的所述间距的数据发送至位移控制单元；所述报错单元的报错信号为所述预对准温控平台与晶圆产生阻力使晶圆不能正常旋转时，所述报错单元监测到的信号；
位移控制单元；所述位移控制单元用于接收所述激光位移传感器量测的数据，并根据所述数据发出调整所述预对准温控平台高度的指令至马达驱动单元；
马达驱动单元；所述马达驱动单元用于接收所述位移控制单元发出的调整所述预对准温控平台高度的指令，并驱动所述预对准温控平台下降，使得所述卡盘上的晶圆不受所述预对准温控平台的阻力而正常旋转。优选地，所述预对准温控平台上下表面的形状为圆形。
优选地，所述初始间距为22μm。
优选地，所述激光位移传感器的量程为5mm，量测精度为0.001mm，分辨率为0.001mm。
本发明还提供所述晶圆曝光前预对准高度调节的系统的使用方法，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供所述晶圆曝光前预对准高度调节的系统，将所述晶圆置于所述卡盘上，使晶圆在所述卡盘上旋转，若所述晶圆下表面与所述预对准温控平台上表面不产生阻力使得所述卡盘上的晶圆正常旋转，则对所述卡盘上的晶圆进行预对准；否则进行步骤二；
步骤二、当所述晶圆下表面与所述预对准温控平台上表面产生阻力使得所述卡盘上的晶圆不能正常旋转时，所述报错单元监测到报错信号，并将所述报错信号发送至所述激光位移传感器，所述激光位移传感器量测所述晶圆下表面与所述预对准温控平台上表面的间距并将所量测到的间距的数据发送至所述位移控制单元；
步骤三、所述位移控制单元接收所述激光位移传感器发送的所述间距的数据，并根据所述数据发出调整所述预对准温控平台高度的指令至所述马达驱动单元；
步骤四、所述马达驱动单元接收到所述位移控制单元发出的调整所述预对准温控平台高度的指令，并驱动所述预对准温控平台下降，使得所述卡盘上的晶圆不受所述预对准温控平台的阻力而正常旋转；
步骤五、对所述卡盘上的晶圆进行预对准。
优选地，步骤一和步骤五中利用控制所述卡盘和所述预对准温控平台的预对准系统使得所述卡盘上的晶圆进行预对准。
优选地，步骤一和步骤四中的所述初始间距为22μm。
优选地，步骤四中所述马达驱动单元驱动所述预对准温控平台下降，使得所述卡盘上的晶圆不受所述预对准温控平台的阻力而正常旋转的过程中，所述预对准温控平台下降的次数为至少一次。
优选地，步骤四中，所述预对准温控平台每次下降的高度为0.001mm。
如上所述，本发明的晶圆曝光前预对准高度调节的系统及其使用方法，具有以下有益效果：本发明通过在预对准温控平台上安装激光位移传感器，可实现实时调整晶圆与预对准温控平台之间的间距，当卡盘旋转产生阻力时可自动修正预对准温控平台的高度，然后再自动做晶圆预对准动作，解决了晶圆由于晶背沾污原因造成的机台宕机和返工。
附图说明
图1显示为现有技术中晶圆在预对准温控平台上对准失效的侧视图；
图2显示为本发明中晶圆在预对准温控平台上的侧视图；
图3显示为本发明的激光位移传感器与晶圆的位置关系示意图；
图4显示为本发明的晶圆曝光前预对准高度调节的系统的使用方法流程图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图2至图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本发明提供一种晶圆曝光前预对准高度调节的系统，至少包括：
预对准温控平台；贯穿于所述预对准温控平台中央的卡盘；晶圆置于所述卡盘上且所述晶圆下表面与所述预对准温控平台上表面设有初始间距；所述预对准温控平台没有经过高度调整之前，并且所述卡盘上的晶圆正常旋转时，所述晶圆下表面与所述预对准温控平台上表面的间距为初始间距，所述初始间距为22μm。本发明进一步地，本实施例的所述预对准温控平台上下表面的形状为圆形。本发明再进一步地，本实施例的所述初始间距为22μm。如图2所示，图2显示为本发明中晶圆在预对准温控平台上的侧视图。所述卡盘(P-chuck)01贯穿于所述预对准温控平台(TSU)02的中央，所述晶圆03置于所述卡盘(P-chuck)01上且所述晶圆03下表面与所述预对准温控平台(TSU)02的上表面设有初始间距，本实施例的所述预对准温控平台(TSU)02上下表面的形状为圆形。并且本实施例的所述初始间距为22μm。所述初始间距为晶圆在所述卡盘上正常旋转且能够正常进行正常预对准操作时，所述预对准温控平台上表面与所述晶圆下表面之间的间距。
所述预对准温控平台内部设有至少三个激光位移传感器；本实施例中的所述预对准温控平台内部设有三个所述激光位移传感器，所述三个激光位移传感器均匀分布在所述预对准温控平台内部，所述激光位移传感器用于接收来自报错单元的报错信号，从而启动实时量测所述预对准温控平台上表面与所述晶圆下表面之间的间距，并将量测的所述间距的数据发送至位移控制单元；所述报错单元的报错信号为所述预对准温控平台与晶圆产生阻力使晶圆不能正常旋转时，所述报错单元监测到的信号；本发明进一步地，本实施例的所述激光位移传感器的量程为5mm，量测精度为0.001mm，分辨率为0.001mm。
本发明的图2并没有将所述激光位移传感器示出，如图3所示，图3显示为本发明的激光位移传感器与晶圆的位置关系示意图。所述预对准温控平台(TSU)02内部设有激光位移传感器04，所述激光位移传感器04的作用包括能够实时量测所述预对准温控平台(TSU)02上表面与所述晶圆下表面之间的间距，当所述预对准温控平台与晶圆产生阻力使晶圆不能正常旋转时，所述报错单元监测到该报错信号，并将所述报错信号发送至所述激光位移传感器04，所述激光位移传感器04接收到所述报错信号后启动实时量测所述预对准温控平台上表面与所述晶圆下表面之间的间距，并将量测的所述间距的数据发送至位移控制单元。本发明进一步地，本实施例的所述激光位移传感器的量程为5mm，量测精度为0.001mm，分辨率为0.001mm。
所述晶圆曝光前预对准高度调节的系统还包括位移控制单元；所述位移控制单元用于接收所述激光位移传感器量测的数据，并根据所述数据发出调整所述预对准温控平台高度的指令至马达驱动单元；
所述晶圆曝光前预对准高度调节的系统还包括马达驱动单元；所述马达驱动单元用于接收所述位移控制单元发出的调整所述预对准温控平台高度的指令，并驱动所述预对准温控平台下降，使得所述卡盘上的晶圆不受所述预对准温控平台的阻力而正常旋转。
本发明还提供所述晶圆曝光前预对准高度调节的系统的使用方法，如图4所示，图4显示为本发明的晶圆曝光前预对准高度调节的系统的使用方法流程图，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供所述晶圆曝光前预对准高度调节的系统，将所述晶圆置于所述卡盘上，使晶圆在所述卡盘上旋转，若所述晶圆下表面与所述预对准温控平台上表面不产生阻力使得所述卡盘上的晶圆正常旋转，则对所述卡盘上的晶圆进行预对准；否则进行步骤二；本发明进一步地，本实施例的步骤一中利用控制所述卡盘和所述预对准温控平台的预对准系统使得所述卡盘上的晶圆进行预对准。本发明再进一步地，本实施例的步骤一中所述预对准温控平台没有经过高度调整之前，并且所述卡盘上的晶圆正常旋转时，所述晶圆下表面与所述预对准温控平台上表面的间距为初始间距，所述初始间距为22μm。
步骤二、当所述晶圆下表面与所述预对准温控平台上表面产生阻力使得所述卡盘上的晶圆不能正常旋转时，所述报错单元监测到报错信号，并将所述报错信号发送至所述激光位移传感器，所述激光位移传感器量测所述晶圆下表面与所述预对准温控平台上表面的间距并将所量测到的间距的数据发送至所述位移控制单元；所述激光位移传感器的工作原理：所述激光位移传感器中的激光发射器(如图3中的位移传感器激光发射源)通过镜头将可见红色激光射向被测物体(晶圆)表面，经物体(晶圆)表面散射的激光通过接收器镜头(如图3中的位移传感器接收端)，被内部的CCD线性相机接收，根据不同的距离，CCD线性相机可以在不同的角度下“看见”这个光点。根据这个角度及已知的激光和相机之间的距离，数字信号处理器就能计算出传感器和被测物体(晶圆)之间的距离。同时，光束在接收元件的位置通过模拟和数字电路处理，并通过微处理器分析，计算出相应的输出值，并在用户设定的模拟量窗口内，按比例输出标准数据信号。激光位移传感器最高线性度可达1um，分辨率更是可达到0.1um的水平。
步骤三、所述位移控制单元接收所述激光位移传感器发送的所述间距的数据，并根据所述数据发出调整所述预对准温控平台高度的指令至所述马达驱动单元；
步骤四、所述马达驱动单元接收到所述位移控制单元发出的调整所述预对准温控平台高度的指令，并驱动所述预对准温控平台下降，使得所述卡盘上的晶圆不受所述预对准温控平台的阻力而正常旋转；本发明进一步地，本实施例的步骤四中所述马达驱动单元驱动所述预对准温控平台下降，使得所述卡盘上的晶圆不受所述预对准温控平台的阻力而正常旋转的过程中，所述预对准温控平台下降的次数为至少一次。本发明更进一步地，本实施例的步骤四中，所述预对准温控平台每次下降的高度为0.001mm。
步骤五、对所述卡盘上的晶圆进行预对准。进一步地，步骤五中利用控制所述卡盘和所述预对准温控平台的预对准系统使得所述卡盘上的晶圆进行预对准。
综上所述，本发明通过在预对准温控平台上安装激光位移传感器，可实现实时监晶圆与预对准温控平台之间的间距，当卡盘旋转产生阻力时可自动修正预对准温控平台的高度，然后再自动做晶圆预对准动作，解决了晶圆由于晶背沾污原因造成的机台宕机和返工。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (9)

1.一种晶圆曝光前预对准高度调节的系统，其特征在于，至少包括：
预对准温控平台；贯穿于所述预对准温控平台中央的卡盘；晶圆置于所述卡盘上且所述晶圆下表面与所述预对准温控平台上表面设有初始间距；
所述预对准温控平台内部设有至少三个激光位移传感器；所述激光位移传感器用于接收来自报错单元的报错信号，从而启动实时量测所述预对准温控平台上表面与所述晶圆下表面之间的间距，并将量测的所述间距的数据发送至位移控制单元；所述报错单元的报错信号为所述预对准温控平台与晶圆产生阻力使晶圆不能正常旋转时，所述报错单元监测到的信号；
位移控制单元；所述位移控制单元用于接收所述激光位移传感器量测的数据，并根据所述数据发出调整所述预对准温控平台高度的指令至马达驱动单元；
马达驱动单元；所述马达驱动单元用于接收所述位移控制单元发出的调整所述预对准温控平台高度的指令，并驱动所述预对准温控平台下降，使得所述卡盘上的晶圆不受所述预对准温控平台的阻力而正常旋转。
2.根据权利要求1所述的晶圆曝光前预对准高度调节的系统，其特征在于：所述预对准温控平台上下表面的形状为圆形。
3.根据权利要求1所述的晶圆曝光前预对准高度调节的系统，其特征在于：所述初始间距为22μm。
4.根据权利要求1所述的晶圆曝光前预对准高度调节的系统，其特征在于：所述激光位移传感器的量程为5mm，量测精度为0.001mm，分辨率为0.001mm。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的晶圆曝光前预对准高度调节的系统的使用方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供所述晶圆曝光前预对准高度调节的系统，将所述晶圆置于所述卡盘上，使晶圆在所述卡盘上旋转，若所述晶圆下表面与所述预对准温控平台上表面不产生阻力使得所述卡盘上的晶圆正常旋转，则对所述卡盘上的晶圆进行预对准；否则进行步骤二；
步骤二、当所述晶圆下表面与所述预对准温控平台上表面产生阻力使得所述卡盘上的晶圆不能正常旋转时，所述报错单元监测到报错信号，并将所述报错信号发送至所述激光位移传感器，所述激光位移传感器量测所述晶圆下表面与所述预对准温控平台上表面的间距并将所量测到的间距的数据发送至所述位移控制单元；
步骤三、所述位移控制单元接收所述激光位移传感器发送的所述间距的数据，并根据所述数据发出调整所述预对准温控平台高度的指令至所述马达驱动单元；
步骤四、所述马达驱动单元接收到所述位移控制单元发出的调整所述预对准温控平台高度的指令，并驱动所述预对准温控平台下降，使得所述卡盘上的晶圆不受所述预对准温控平台的阻力而正常旋转；
步骤五、对所述卡盘上的晶圆进行预对准。
6.根据权利要求5所述的晶圆曝光前预对准高度调节的系统，其特征在于：步骤一和步骤五中利用控制所述卡盘和所述预对准温控平台的预对准系统使得所述卡盘上的晶圆进行预对准。
7.根据权利要求5所述的晶圆曝光前预对准高度调节的系统，其特征在于：步骤一中所述卡盘上的晶圆正常旋转时，所述晶圆下表面与所述预对准温控平台上表面的间距为初始间距，所述初始间距为22μm。
8.根据权利要求5所述的晶圆曝光前预对准高度调节的系统，其特征在于：步骤四中所述马达驱动单元驱动所述预对准温控平台下降，使得所述卡盘上的晶圆不受所述预对准温控平台的阻力而正常旋转的过程中，所述预对准温控平台下降的次数为至少一次。
9.根据权利要求8所述的晶圆曝光前预对准高度调节的系统，其特征在于：步骤四中，所述预对准温控平台每次下降的高度为0.001mm。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61241603A (ja) * 1985-04-19 1986-10-27 Hitachi Ltd 位置検出方法
US5182615A (en) * 1989-08-07 1993-01-26 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
CN103376673A (zh) * 2012-04-20 2013-10-30 上海微电子装备有限公司 一种预对准装置及预对准方法
CN104142128A (zh) * 2014-06-25 2014-11-12 上海功源自动化技术有限公司 一种晶圆翘曲度的测量方法和装置
CN210893027U (zh) * 2019-12-02 2020-06-30 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 用于检测晶片背面平整度的系统

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61241603A (ja) * 1985-04-19 1986-10-27 Hitachi Ltd 位置検出方法
US5182615A (en) * 1989-08-07 1993-01-26 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
CN103376673A (zh) * 2012-04-20 2013-10-30 上海微电子装备有限公司 一种预对准装置及预对准方法
CN104142128A (zh) * 2014-06-25 2014-11-12 上海功源自动化技术有限公司 一种晶圆翘曲度的测量方法和装置
CN210893027U (zh) * 2019-12-02 2020-06-30 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 用于检测晶片背面平整度的系统

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