CN112230449A - 耦合固定装置及耦合装置总成 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种耦合固定装置及耦合装置总成。所述耦合固定装置包括基板固定部和至少一个定轴部,所述基板固定部开设有用于容纳固定铌酸锂薄膜芯片的中心槽,所述中心槽的至少一端开设有基板槽;每个所述基板槽内均设置有一个所述定轴部,所述定轴部与所述基板槽固定连接。将铌酸锂薄膜芯片固定于基板固定部的中心槽内,将锥形透镜光纤固定于定轴部,进行锥形透镜光纤与铌酸锂薄膜芯片中波导的耦合,并在锥形透镜光纤与波导角度对准后,将定轴部固定于基板槽内,实现锥形透镜光纤与波导位置的相对固定,使得铌酸锂薄膜调制器的应用不受锥形光纤与波导位置无法固定的限制,实用性增强,有利于大范围推广应用。
Description
技术领域
本发明涉及光波导器件技术领域,具体涉及一种耦合固定装置及耦合装置总成。
背景技术
光通信系统高速化的趋势对高速光电器件提出了很高要求,其中的关键元器件是高速光电调制器,目前采用铌酸锂的外调制器仍然是长途骨干网的最佳选择,这主要是因为铌酸锂基于Pockels效应的优异电光调制特性,特别是铌酸锂调制器在生成高波特率多电平信号方面显示出无与伦比的优势。最近绝缘体上的铌酸锂薄膜已成为一个有前途的平台,能够形成具有良好约束性的波导器件,同时还展示了具有低驱动电压和超高电光带宽的铌酸锂薄膜调制器。由于传统的铌酸锂调制器由低指数对比度波导形成,光学约束较弱,驱动电极必须放置在远离光波导的地方,以尽量减少吸收损耗,从而导致驱动电压增加。因此,传统的铌酸锂调制器体积庞大,调制效率低。铌酸锂薄膜正好可以克服传统铌酸锂调制器的这个弱点,成为一种非常有潜力的新型材料。
铌酸锂薄膜光波导设置于铌酸锂薄膜芯片上,波导的模场仅为光纤模场的1/6左右,二者耦合时,波导两端需进行精细的模斑转换结构设计来提高耦合效率;目前实验室基本都是采用锥形透镜光纤与波导耦合对接进行光电性能指标测试,测试时,在波导两侧分别设置锥形透镜光纤,一侧连接光源,一侧连接光功率计,利用三维调节架分别夹持两侧的锥形透镜光纤,在空间上调节两侧锥形透镜光纤的位置和角度至光的输出功率最大,以完成锥形透镜光纤与波导的耦合,测试完成后,再将锥形透镜光纤由三维调节架上取下,实际应用中,因锥形透镜光纤与波导间的相对位置无法固定,导致铌酸锂薄膜调制器的实用性受限,不利于铌酸锂薄膜调制器的应用推广。
因此,需提出一种耦合固定装置及耦合装置总成。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种耦合固定装置及耦合装置总成,通过将铌酸锂薄膜芯片与锥形透镜光纤分别固定于耦合固定装置上,实现两者的相对位置固定,以克服现有技术的缺陷。
本发明提供的耦合固定装置包括:基板固定部,所述基板固定部开设有用于容纳固定铌酸锂薄膜芯片的中心槽,所述中心槽的至少一端开设有基板槽;至少一个定轴部,每个所述基板槽内均设置有一个所述定轴部,所述定轴部与所述基板槽固定连接。
可选地,所述中心槽的相对两端分别开设有所述基板槽;所述定轴部的数量为两个,并分别设置于两个所述基板槽内。
可选地,每个所述基板槽的相对两侧均延伸出夹持板。
可选地,所述定轴部上贯穿有通孔,所述锥形透镜光纤穿过所述通孔。
可选地,所述通孔内设置有第一粘接层。
可选地,所述中心槽内设置有第二粘接层。
可选地,所述基板槽的槽底设置为弧形。
可选地,所述耦合固定装置还包括定位标识,所述定位标识用于引导所述铌酸锂薄膜芯片固定于所述中心槽的设定位置,以便所述波导与所述锥形透镜光纤耦合。
本发明还提供一种耦合装置总成,包括铌酸锂薄膜芯片、输入端锥形透镜光纤和输出端锥形透镜光纤,还包括上述任一项所述的耦合固定装置。
可选地,所述耦合装置总成还包括:第一三维调节架,所述第一三维调节架通过第一夹具夹持与所述输入端锥形透镜光纤连接的定轴部,并用于调节其在空间上的位置及角度;或/和第二三维调节架,所述第二三维调节架通过第二夹具夹持与所述输出端锥形透镜光纤连接的定轴部,并用于调节其在空间上的位置及角度。
本发明提供的以上技术方案,与现有技术相比,至少具有如下有益效果:将铌酸锂薄膜芯片固定于基板固定部的中心槽内,将锥形透镜光纤固定于定轴部,进行锥形透镜光纤与铌酸锂薄膜芯片中波导的耦合,并在锥形透镜光纤与波导角度对准后,将定轴部固定于基板槽内,实现锥形透镜光纤与波导位置的相对固定,使得铌酸锂薄膜调制器的应用不受光纤与波导位置无法固定的限制,实用性增强,有利于大范围推广应用。
附图说明
图1为本发明一个实施例所述的基板固定部的示意图;
图2为本发明一个实施例所述的定轴部与锥形透镜光纤的连接关系示意图;
图3为本发明一个实施例所述的耦合固定装置与锥形透镜光纤及铌酸锂薄膜芯片的连接关系示意图;
图4为本发明另一个实施例所述的耦合固定装置与锥形透镜光纤及铌酸锂薄膜芯片的连接关系示意图;
图5为本发明一个实施例所述的耦合装置总成的透视图;
图6为本发明一个实施例所述的铌酸锂薄膜芯片的立体透视图;
图7为图6所示铌酸锂薄膜芯片的侧视图;
图8为本发明另一个实施例所述的铌酸锂薄膜芯片的侧视图。
附图标记:
1:基板固定部;11:中心槽;12:基板槽;13:固定基座;14:夹持板;2:铌酸锂薄膜芯片;21:基底层;22:承托层;23:铌酸锂薄膜;24:包覆层;25:波导;251:模斑转换部;3:定轴部;4:锥形透镜光纤。
具体实施方式
下面将结合附图进一步说明本发明实施例。在本发明的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明的简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或组件必需具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。其中,术语“第一位置”和“第二位置”为两个不同的位置。
图1为本发明一个实施例所述的基板固定部的示意图;图2为本发明一个实施例所述的定轴部与锥形透镜光纤的连接关系示意图;图3为本发明一个实施例所述的耦合固定装置与锥形透镜光纤及铌酸锂薄膜芯片的连接关系示意图;图4为本发明另一个实施例所述的耦合固定装置与锥形透镜光纤及铌酸锂薄膜芯片的连接关系示意图。由图1-图4所示,本发明提供的所述耦合固定装置包括基板固定部1和至少一个定轴部3。
所述基板固定部1开设有用于容纳固定铌酸锂薄膜芯片2的中心槽11,所述中心槽11的至少一端开设有基板槽12;每个所述基板槽12内均设置有一个所述定轴部3,所述定轴部3与所述基板槽12固定连接。
将所述铌酸锂薄膜芯片2固定于所述基板固定部1的所述中心槽11内,将锥形透镜光纤4贯穿并固定于所述定轴部3上,然后通过调整所述定轴部3的空间位置和角度,进行所述锥形透镜光纤4与所述波导25的耦合,并在耦合完成后,将所述定轴部3固定于所述基板槽12内,实现所述锥形透镜光纤4与所述波导25位置的相对固定,使得铌酸锂薄膜调制器的应用不受光纤与波导位置无法固定的限制,实用性增强,有利于大范围推广应用。
所述基板固定部1与所述定轴部3配合,进行所述锥形透镜光纤4与所述波导25的耦合,代替锥形透镜光纤与波导直接粘接实现耦合,具有以下优势:首先,如果直接粘接耦合,胶在透镜端面粘附,引起耦合效率下降;而采用耦合固定装置辅助实现耦合,可避免胶在透镜端面粘附,有效保证耦合效率;其次,如果直接粘接耦合,填充的胶多影响粘接牢固性和环境可靠性;而采用耦合固定装置辅助实现耦合,实现了锥形透镜光纤和铌酸锂薄膜波导非接触式的耦合固定,保证了耦合的灵活性,提高了锥形透镜光纤的耦合效率。
所述铌酸锂薄膜芯片2可与所述中心槽11间隙配合,为进一步提高连接稳定性,可选地,所述中心槽11内设置有第二粘接层。在所述中心槽11内设置所述第二粘接层,当所述铌酸锂薄膜芯片2放置于所述中心槽11内时,可以直接与所述中心槽11粘接连接,免去了滴胶的过程,进一步提高了耦合效率。
在本实施例中,所述铌酸锂薄膜芯片2与所述基板固定部1通过胶粘连接,例如通过紫外胶连接,在不影响所述锥形透镜光纤4与所述波导25耦合过程的前提下,也可以采用其他固定连接方式。
可选地,所述定轴部3上贯穿有通孔,所述锥形透镜光纤4穿过所述通孔。所述锥形透镜光纤4穿过所述定轴部3上的所述通孔,并与所述定轴部3固定连接,简化了所述锥形透镜光纤4与所述定轴部3的连接关系。
在本实施例中,所述定轴部3为长方体,其长、宽、高分别为2mm、2mm、(2~3)mm,在所述定轴部3的中心位置开设有贯穿所述定轴部3的所述通孔,用于容纳所述锥形透镜光纤4穿过,所述锥形透镜光纤4可与通孔间隙配合,并在调整所述锥形透镜光纤4露出所述定轴部3长度(锥形透镜部分伸出通孔外)后,将所述锥形透镜光纤4固定于所述通孔内,在本实施例中,所述通孔横截面为圆形,且圆形半径(128~130)μm,所述锥形透镜光纤4的锥形透镜部分露出所述通孔外部,且通过紫外胶固定于所述通孔内。在实际应用中,所述定轴部3的形状及尺寸可根据需要进行调整,所述通孔的尺寸也可根据锥形透镜光纤的尺寸进行相应调整。
为进一步提高连接稳定性,可选地,所述通孔内设置有第一粘接层。在所述通孔内设置所述第一粘接层,当所述锥形透镜光纤4穿过所述通孔后,可直接与所述第一粘接层粘接连接,将所述锥形透镜光纤4固定于所述通孔内,进一步提高了耦合效率。在本实施例中,耦合完成后,所述定轴部3与所述基板槽12通过胶粘连接,例如通过紫外胶、柔性胶连接,在不影响所述锥形透镜光纤4与所述波导25耦合过程的前提下,也可以采用其他固定连接方式。
在本实施例中,所述锥形透镜光纤4呈圆柱状,除其朝向所述铌酸锂薄膜芯片2一端端部呈圆锥状外。
在本实施例中,为了提升整体结构的温度可靠性,防止在耦合过程中,不同材料的热膨胀系数不一致,进而影响耦合效率,所述基板固定部1与所述定轴部3采用的制作材料相同,均为二氧化硅,二者也可采用折射率符合耦合条件的其他材料。
可以在所述中心槽11的相对两端中的任意一端开设所述基板槽12,所述锥形透镜光纤4固定至所述定轴部3后,通过调整所述定轴部3的空间位置和角度,实现所述锥形透镜光纤4与所述波导25的耦合,耦合完成后,将所述定轴部3固定于开设的所述基板槽12内,实现所述锥形透镜光纤4与所述波导25的相对位置固定。
可选地,所述中心槽11的相对两端分别开设有所述基板槽12;所述定轴部3的数量为两个,并分别设置于两个所述基板槽2内。此种设置,固定于所述中心槽11内的所述波导25与固定于所述中心槽11相对两端的所述定轴部3上的所述锥形透镜光纤4完成耦合后,两端的所述定轴部3分别固定于两端的所述基板槽12内,使得所述波导25与两端的所述锥形透镜光纤4的位置均保持相对固定。
在本实施例中,在所述中心槽11的相对两端分别开设所述基板槽12,相匹配地,设置有两个所述定轴部3,并在两个所述定轴部3上分别固定连接所述锥形透镜光纤4,耦合完成后,将两个所述定轴部3分别固定至两个所述基板槽12内,实现所述波导25与输入端及输出端的所述锥形透镜光纤4的位置均保持相对固定。
在本实施例中,所述中心槽11从所述基板固定部1顶端向着底端一侧延伸,且位于中部,两个所述基板槽12沿着所述中心槽11对称分布,所述中心槽11的深度略小于所述基板槽12的深度,即所述基板槽12的槽底略高于所述中心槽11的槽底。所述基板槽12可对所述中心槽11内的所述铌酸锂薄膜芯片2进行夹持限位。
在本实施例中,所述定轴部3设置在所述基板槽12的中部,所述基板槽12对所述定轴部3进行夹持限位;所述定轴部3与所述铌酸锂薄膜芯片2相对且间隔设置。
可选地,每个所述基板槽12的相对两侧均延伸出夹持板14。设置所述夹持板14,可以在所述定轴部3与所述基板槽12固定连接后,进一步对所述定轴部3起到夹持作用,提高所述定轴部3与所述基板槽12的连接稳定性,同时,延伸出的所述夹持板14也可对固定于所述中心槽11中的所述铌酸锂薄膜芯片2起到限位作用,提高所述铌酸锂薄膜芯片2与所述中心槽11的连接稳定性。
在本实施例中,所述基板固定部1包括固定基座13和至少两个相对分布的夹持板14,所述固定基座13上依次设置有左侧的所述基板槽12、所述中心槽11和右侧的所述基板槽12(如图1所示),每个所述基板槽12的相对两侧各设置有一个所述夹持板14,即所述固定基座13靠近相对两端位置分别各自向图1中上方延伸出相对设置的两个所述夹持板14,位于所述固定基座13同一端的两个所述夹持板14与所述固定基座13各围合成一个所述基板槽12。
在本实施例中,所述固定基座13的横截面为长方形,四个所述夹持板14形状相同,均为大小统一的长方体。所述基板固定部1的总长度为11~18mm、宽度为5~6mm。在实际应用中,所述夹持板14的数量可以根据需要进行调整,所述固定基座13与所述夹持板14的形状及尺寸均可调整,多个所述夹持板14也可设置为不同的尺寸及形状。
可选地,所述基板槽12的槽底设置为弧形。所述锥形透镜光纤4与所述波导25耦合时,通过调整固定所述锥形透镜光纤4的所述定轴部3的空间位置和角度,来实现精确定位。所述定轴部3设置于所述基板槽12内,将所述基板槽12的槽底设置为弧形,当旋转所述定轴部3时,所述基板槽12能够在高度上为所述定轴部3提供更大的操作空间。
在本实施例中,在所述中心槽11的相对两端各开设一个所述基板槽12,两个所述基板槽12的槽底均设置为曲率相同的弧形,且弧形朝向所述固定基座13的方向隆起,相对所述基板槽12的轴线对称分布,弧形的最低点与所述中心槽11的槽底近乎平齐。根据实际使用需求,也可将一侧的所述基板槽12的槽底设置为弧形,弧形的曲率也可根据所述定轴部3的空间需求设置为不同值。
可选地,所述耦合固定装置还包括定位标识(未示出),所述定位标识用于引导所述铌酸锂薄膜芯片2固定于所述中心槽11的设定位置,以便所述波导25与所述锥形透镜光纤4耦合。设置所述定位标识,便于所述铌酸锂薄膜芯片2更准确快速地找到与所述中心槽11的固定连接位置,进而便于所述锥形透镜光纤4与所述波导25快速耦合。
在本实施例中,所述定位标识可以设置于所述耦合固定装置的任意位置,例如设置于所述固定基座13上或设置于所述基板槽12内等,所述定位标识也可设置为任意形式的标识,只要在所述铌酸锂薄膜芯片2与所述中心槽11固定连接时,能够为所述铌酸锂薄膜芯片2的安装位置提供指引作用即可。
在本实施例中,所述定轴部3上开设的所述通孔位于所述定轴部3的中心位置,所述定轴部3设置于所述基板槽12内,因此设置于所述通孔内的所述锥形透镜光纤4基本上位于所述基板槽12的中心位置,所述锥形透镜光纤4与所述铌酸锂薄膜芯片2上的所述波导25耦合,因此,所述定位标识引导所述波导25沿所述中心槽11的中心线分布,以便于与所述锥形透镜光纤4耦合。实际应用中,若所述锥形透镜光纤4的位置发生变化,所述定位标识也可相应引导所述波导25定位至与所述锥形透镜光纤4匹配的位置。
图5为本发明一个实施例所述的耦合装置总成的透视图;图6为本发明一个实施例所述的铌酸锂薄膜芯片的立体透视图;图7为图6所示铌酸锂薄膜芯片的侧视图;图8为本发明另一个实施例所述的铌酸锂薄膜芯片的侧视图。
如图5-图8所示,本发明还提供一种耦合装置总成,包括铌酸锂薄膜芯片2、输入端锥形透镜光纤和输出端锥形透镜光纤,还包括上述任一项实施例所述的耦合固定装置。
所述输入端锥形透镜光纤和所述输出端锥形透镜光纤与所述铌酸锂薄膜芯片2上的波导25耦合时,将所述铌酸锂薄膜芯片2固定于所述耦合固定装置的基板固定部1,将所述输入端锥形透镜光纤和所述输出端锥形透镜光纤分别固定于所述耦合固定装置的定轴部3,然后调整所述定轴部3的空间位置和角度,并在所述输入端锥形透镜光纤、所述输出端锥形透镜光纤与所述波导25角度对准后,将固定有所述输入端锥形透镜光纤和所述输出端锥形透镜光纤的两个所述定轴部3分别固定于各自所在的所述耦合固定装置的基板槽12内,实现所述输入端锥形透镜光纤、所述输出端锥形透镜光纤与所述波导25位置的相对固定,使得铌酸锂薄膜调制器的应用不受光纤与波导位置无法固定的限制,实用性增强,有利于大范围推广应用。
在本实施例中,所述输入端锥形透镜光纤和所述输出端锥形透镜光纤均由SMF-28光纤经过精密研磨成锥形,并在尖端加工光学微球透镜,达到扩大光纤数值孔径,增加收光能力的目的,光纤涂覆层直径250μm,包层直径125μm,模斑尺寸在3-4μm左右。图中所示锥形透镜光纤不包含涂覆层。
如图6、图7所示,在本实施例中,所述铌酸锂薄膜芯片2整体为一长方体,宽度2~3mm,总长为5000~10000μm,所述铌酸锂薄膜芯片2由下至上包括基底层21、承托层22、铌酸锂薄膜23和包覆层24,在所述铌酸锂薄膜23上通过刻蚀工艺制作低损耗脊型波导25,刻蚀深度为200~300nm,为了适当扩大模斑尺寸,在所述波导25的相对两端镜像对称设置有模斑转换部251,所述模斑转换部251的宽度在朝向所述铌酸锂薄膜23端部延伸的方向逐渐递减,所述波导25整体为中部长方体、两端镜像对称梯形柱体,所述模斑转换部251的长、宽和高分别为200~400μm、0.2~0.6μm(远离所述铌酸锂薄膜23端部一端)和200~300nm。设置于所述铌酸锂薄膜23上部的所述包覆层24在朝向所述铌酸锂薄膜23的一侧开设有凹槽,所述凹槽的形状及尺寸与所述波导25匹配,使所述波导25置于所述凹槽内,所述包覆层24包围所述波导25,进一步实现了模斑扩大。在本实施例中,所述包覆层24采用的材料为二氧化硅,也可采用折射率介于光纤和铌酸锂薄膜23之间的其他材料,例如氮化硅。实际应用中,所述铌酸锂薄膜芯片2和所述波导25的尺寸及形状均可以根据需要进行调整,相应地,所述包覆层24中设置的凹槽的尺寸及形状也根据所述波导25的改变进行相应调整。
若所述波导25的相对两端未设置所述模斑转换部251,所述锥形透镜光纤4与所述波导25直接耦合,则损耗将近5-6dB/端,通过在所述波导25两端设置上述尺寸规格的所述模斑转换部251,模斑转换后,所述波导25的模场由1μm可以扩展到2-3μm,与所述锥形透镜光纤4的模斑尺寸相匹配,耦合损耗可降为2-4dB/端。
采用本实施例中的所述波导25与所述锥形透镜光纤4进行耦合,能够降低加工成本,有利于铌酸锂薄膜调制器的实用化推广。
可选地,所述耦合装置总成还包括第一三维调节架或/和第二三维调节架,所述第一三维调节架通过第一夹具夹持与所述输入端锥形透镜光纤连接的定轴部3,并用于调节其在空间上的位置及角度;所述第二三维调节架通过第二夹具夹持与所述输出端锥形透镜光纤连接的定轴部3,并用于调节其在空间上的位置及角度。设置三维调节架,并利用三维调节架精细调节所述定轴部3的空间位置和角度,进而对所述输入端锥形透镜光纤与所述输出端锥形透镜光纤的位置和角度进行精细调节,提高了耦合精度。
在本实施例中,同时设置有所述第一三维调节架和所述第二三维调节架,分别对输入端锥形透镜光纤和输出端锥形透镜光纤进行精细调节。以上方案,所述第一三维调节架和所述第二三维调节架可采用市售三维调节架实现即可。
下面进一步介绍所述耦合固定装置的使用过程。
如图5所示,以图中左侧为输入端锥形透镜光纤,右侧为输出端锥形透镜光纤为例进行说明。将所述铌酸锂薄膜芯片2在所述定位标识的指引下通过紫外胶粘接固定于所述中心槽11内,在两个所述定轴部3上开设的所述通孔内分别插入所述输入端锥形透镜光纤和所述输出端锥形透镜光纤,使锥形透镜光纤的锥形透镜部分分别露出所述通孔,位置调整合适后,将所述输入端锥形透镜光纤和所述输出端锥形透镜光纤分别通过紫外胶粘接在各自所在的所述通孔内,固定有所述输入端锥形透镜光纤的所述定轴部3通过第一夹具固定于所述第一三维调节架上,并悬挂于图5中左侧的所述基板槽12内,固定有所述输出端锥形透镜光纤的所述定轴部3通过第二夹具固定于所述第二三维调节架上,并悬挂于图5中右侧的所述基板槽12内,在所述输入端锥形透镜光纤一侧连接光源,在所述输出端锥形透镜光纤一侧连接光功率计,调节所述输入端锥形透镜光纤与所述输出端锥形透镜光纤的空间位置和角度,通过所述光功率计监控输出功率值,当功率值最大时,在固定有所述输入端锥形透镜光纤的所述定轴部3与所在基板槽12之间的空隙内填充紫外胶,在固定有所述输出端锥形透镜光纤的所述定轴部3与所在基板槽12之间的空隙内填充紫外胶,分别固定两个所述定轴部3至各自所在的基板槽12内,耦合固定完成后,拆下光源及光功率计,将固定连接的整体在紫外灯下照射三分钟,以使紫外胶固化,为了进一步使紫外胶的应力进一步释放,保证整体结构的温度可靠性,紫外灯照射后,将固定连接的整体放置于高温箱中进行(85℃)老化36~48h。
采用本发明耦合固定装置及耦合装置总成,所述锥形透镜光纤4与所述铌酸锂薄膜芯片2上的所述波导25耦合时,将所述铌酸锂薄膜芯片2固定于所述基板固定部1的所述中心槽11内,将所述锥形透镜光纤4固定于所述定轴部3,然后通过调整所述定轴部3的空间位置和角度,进行所述锥形透镜光纤4与所述波导25的耦合,并在所述锥形透镜光纤4与所述波导25角度对准后,将所述定轴部3固定于所述基板槽12内,实现所述锥形透镜光纤4与所述波导25位置的相对固定,使得铌酸锂薄膜调制器的应用不受光纤与波导位置无法固定的限制,实用性增强,有利于大范围推广应用。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种耦合固定装置,其特征在于,包括:
基板固定部,所述基板固定部开设有用于容纳固定铌酸锂薄膜芯片的中心槽,所述中心槽的至少一端开设有基板槽;
至少一个定轴部,每个所述基板槽内均设置有一个所述定轴部,所述定轴部与所述基板槽固定连接。
2.根据权利要求1所述的耦合固定装置,其特征在于:
所述中心槽的相对两端分别开设有所述基板槽;
所述定轴部的数量为两个,并分别设置于两个所述基板槽内。
3.根据权利要求2所述的耦合固定装置,其特征在于:
每个所述基板槽的相对两侧均延伸出夹持板。
4.根据权利要求1-3任一项所述的耦合固定装置,其特征在于:
所述定轴部上贯穿有通孔,所述锥形透镜光纤穿过所述通孔。
5.根据权利要求4所述的耦合固定装置,其特征在于:
所述通孔内设置有第一粘接层。
6.根据权利要求1-3任一项所述的耦合固定装置,其特征在于:
所述中心槽内设置有第二粘接层。
7.根据权利要求1-3任一项所述的耦合固定装置,其特征在于:
所述基板槽的槽底设置为弧形。
8.根据权利要求1-3任一项所述的耦合固定装置,其特征在于,所述耦合固定装置还包括:
定位标识,所述定位标识用于引导所述铌酸锂薄膜芯片固定于所述中心槽的设定位置,以便所述波导与所述锥形透镜光纤耦合。
9.一种耦合装置总成,包括铌酸锂薄膜芯片、输入端锥形透镜光纤和输出端锥形透镜光纤,其特征在于,还包括如权利要求1-8任一项所述的耦合固定装置。
10.根据权利要求9所述的耦合装置总成,其特征在于,所述耦合装置总成还包括:
第一三维调节架,所述第一三维调节架通过第一夹具夹持与所述输入端锥形透镜光纤连接的定轴部,并用于调节其在空间上的位置及角度;
或/和第二三维调节架,所述第二三维调节架通过第二夹具夹持与所述输出端锥形透镜光纤连接的定轴部,并用于调节其在空间上的位置及角度。
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