CN112185987A - 生物识别指纹芯片的封装结构和方法 - Google Patents

生物识别指纹芯片的封装结构和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112185987A
CN112185987A CN202011072874.XA CN202011072874A CN112185987A CN 112185987 A CN112185987 A CN 112185987A CN 202011072874 A CN202011072874 A CN 202011072874A CN 112185987 A CN112185987 A CN 112185987A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
layer
chip
chip unit
front surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011072874.XA
Other languages
English (en)
Inventor
王凯厚
杨剑宏
王鑫琴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
China Wafer Level CSP Co Ltd
Original Assignee
China Wafer Level CSP Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by China Wafer Level CSP Co Ltd filed Critical China Wafer Level CSP Co Ltd
Priority to CN202011072874.XA priority Critical patent/CN112185987A/zh
Publication of CN112185987A publication Critical patent/CN112185987A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1324—Sensors therefor by using geometrical optics, e.g. using prisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632—Wafer-level processed structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

本发明揭示了一种生物识别指纹芯片的封装结构，包括：芯片单元，具有相对的正面和背面，其正面具有感应区域；聚光透镜阵列，设于芯片单元的正面，包括阵列设置的多个微透镜；间隔设置于芯片单元的正面和聚光透镜阵列之间的多个遮光层，遮光层在微透镜和感应区域之间的光路上开设有透光窗口以形成准直光路。本发明还提供了一种上述生物识别指纹芯片的封装结构的封装方法。本案通过在多层遮光层上开设透光孔，形成了准直的光路，可以阻挡和吸收斜射光，过滤斜射光对图像成型的干扰，聚光效果佳。

Description

生物识别指纹芯片的封装结构和方法
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种生物指纹识别芯片封装结构和封装方法。
背景技术
随着科学技术的不断进步，越来越多的电子设备广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。而随着电子设备功能的不断增加，电子设备存储的重要信息也越来越多，电子设备的身份验证技术成为目前电子设备研发的一个主要方向。
由于指纹具有唯一性和不变性，使得指纹识别技术具有安全性好、可靠性高以及使用简单等诸多优点。因此，指纹识别技术成为当下各种电子设备进行身份验证的主流技术。
目前，光学指纹识别芯片是现有电子设备常用的指纹识别芯片之一，其通过指纹识别区的大量感光像素(pixel)来采集使用者的指纹信息，每个感光像素作为一个检测。具体的，进行指纹识别时，光线照射至使用者的指纹面并经过指纹面反射至感光像素，感光像素将指纹的光信号转换为电信号，根据所有像素转换的电信号可以获取指纹信息。
现有的光学指纹识别芯片在封装时，一般直接在感光侧直接设置透明盖板。但是由于透明盖板的是完全透光的，会导致不同感光像素的感测结果产生串扰，影响指纹识别精度。
发明内容
本发明一实施例提供一种指纹识别芯片的封装结构和方法，用于解决现有技术中不同感光像素的感测结果产生串扰，影响指纹识别精度的技术问题，包括：
一种生物识别指纹芯片的封装结构，包括：
芯片单元，具有相对的正面和背面，其正面具有感应区域；
聚光透镜阵列，设于芯片单元的正面，包括阵列设置的多个微透镜；
间隔设置于芯片单元的正面和聚光透镜阵列之间的多个遮光层，遮光层在微透镜和感应区域之间的光路上开设有透光窗口以形成准直光路。
一实施例中，透光窗口的内径小于所述微透镜的外径。
一实施例中，靠近所述感光区域的透光窗口的内径，小于靠近所述微透镜的透光窗口的内径。
一实施例中，还包括透光层，该透光层支撑于遮光层和指纹识别芯片之间、和/或相邻的遮光层之间、和/或聚光透镜阵列和遮光层之间。
一实施例中，透光层材料为干膜、无机玻璃或有机玻璃。
一实施例中，遮光层材料为金属材料或黑色光敏有机材料。
一实施例中，还包括设于芯片单元正面的滤光层。
一实施例中，芯片单元包括：
位于所述感应区域外的焊垫；
从所述芯片单元的与正面相对的背面贯穿所述芯片单元的通孔，所述通孔暴露出所述焊垫；
覆盖所述芯片单元背面和所述通孔侧壁表面的绝缘层；
位于所述绝缘层表面且与所述焊垫电连接的金属层；
位于所述金属层和所述绝缘层表面的阻焊层，所述阻焊层具有暴露出部分所述金属层的开孔；
填充所述开孔，并暴露在所述阻焊层表面之外的外接凸起。
一种形成生物识别指纹芯片的封装结构的封装方法，包括：
首先，在芯片单元的正面制作遮光层和聚光透镜阵列；
其次，在芯片单元的背面刻蚀形成通孔，并依次制作绝缘层、金属层、阻焊层和外接凸起。
一种形成生物识别指纹芯片的封装结构的封装方法，包括：
提供一晶圆，该晶圆具有多个芯片单元；
在芯片单元的正面制作具有透光窗口的遮光层和聚光透镜阵列；
通过切割工艺，切割所述晶圆，形成多个单粒的封装结构。
与现有技术相比，本案通过在多层遮光层上开设透光孔，形成了准直的光路，可以阻挡和吸收斜射光，过滤斜射光对图像成型的干扰，聚光效果佳。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施方式1中封装结构的剖视图；
图2至10是本申请实施方式1中封装结构所形成的中间结构的示意图。
具体实施方式
通过应连同所附图式一起阅读的以下具体实施方式将更完整地理解本发明。本文中揭示本发明的详细实施例；然而，应理解，所揭示的实施例仅具本发明的示范性，本发明可以各种形式来体现。因此，本文中所揭示的特定功能细节不应解释为具有限制性，而是仅解释为权利要求书的基础且解释为用于教示所属领域的技术人员在事实上任何适当详细实施例中以不同方式采用本发明的代表性基础。
本实施例提供了一种封装结构10，参考图1，封装结构10包括芯片单元11、透光层12、遮光层13和聚光透镜阵列14。
芯片单元11具有相对的正面111和背面112，其正面具有感应区域113。感应区域113上设置有多个用于采集图像信息的像素点。
芯片单元11的正面111设置有位于感应区域113之外的焊垫114，于本实施例中，芯片单元11上还设置有：从芯片单元11的背面112向正面111延伸的通孔115，通孔115暴露出焊垫114；位于背面112和通孔115侧壁的绝缘层116；位于绝缘层116以及通孔115底部的金属布线层117，金属布线层117与焊垫114电连接；位于金属布线层117以及绝缘层116上的阻焊层118，阻焊层118上设置有开孔，开孔底部暴露出金属布线层117；填充开孔的焊球119，焊球119与金属布线层117电连接。如此，使得焊垫114通过金属布线层117与焊球119实现电连接，且利用焊球119与外部其他电路电连接实现芯片单元11与外部其他电路的电连接。
透光层12覆盖芯片单元11的正面111，用于对待封装芯片单元11的正面进行保护。由于需要光线透过透光层12到达像素点，因此，透光层12具有较高的透光性，为透光材料。透光层12两个表面均平整、光滑，不会对入射光线产生散射、漫反射等。
具体地，透光层12的材料可以为干膜、无机玻璃、有机玻璃或者其他具有特定强度的透光材料，透过率需要达到92％以上。
聚光透镜阵列14支撑于透光层12的表面，包括阵列设置的多个微透镜，微透镜用以将外部光线汇聚至对应像素点表面，一实施例中，每个微透镜在垂直于芯片单元正面的直线上分别与一像素点对应。
一实施例中，聚光透镜阵列14可以通过光刻和烘烤成型方式制作，另一实施例中，聚光透镜阵列14也可以采用压印方式形成于透光层12表面。
为了实现像素点接收光只能为直射光，保证图像清晰度，过滤斜射光对图像成型干扰，遮光层13形成有准直的光路结构，具体地，遮光层13包括间隔设置的第一遮光层131和第二遮光层132，第一遮光层131和第二遮光层132上分别开设有阵列设置的多个透光窗口133，每一个透光窗口133分别对应一微透镜。
该技术方案中，光线经过微透镜进行汇聚，汇聚后的光线依次经过第二遮光层132上的一透光窗口、以及第一遮光层131上的一透光窗口，然后进入对应的像素点区域。
在垂直于芯片单元11的正面111的方向上，所有遮光层上的透光窗口133在芯片单元11的正面111的投影至少与对应的像素点在正面111的投影部分交叠。为了保证指纹识别的准确性，可以设置透光窗口133在正面111的投影完全覆盖对应的像素点在正面111的投影。最优的，可以设置透光窗口133在正面111的投影与对应的像素点在正面111的投影完全重合。
需要说明的是，在其他实施例中，遮光层13可以不仅限于设置2层，也可以设置3层以上，多层的遮光层，其上开设的透光窗口在光路方向上对应，以构成准直结构。
透光窗口133的形状可以为圆形或者方形或者三角形。具体的，可以设置透光窗口133的形状为顶部与底部相同的圆形柱体、或顶部与底部相同的方形柱体、或顶部与底部相同的三角形柱体、或是其他结构的顶部与底部相同的多边形柱体。
易于想到的是，也可以设置透光窗口133的形状为顶部与底部不相同的圆形柱体、或顶部与底部不相同的方形柱体、或顶部与底部不相同的三角形柱体、或是其他结构的顶部与底部不相同的多边形柱体。
在其他实施例中，不同层的遮光层，也可以设置不同形状的透光窗口；不同层的遮光层，也可以采用不同的材质，比如第一遮光层材质采用铝，第二遮光层材质采用BLK黑胶，由于金属是强反射层，位于下层目的是减少杂散光进入，减少对像素点接受光的影响。
在一实施例中，不同层的遮光层，透光窗口的尺寸不同，优选的，靠近感光区域的透光窗口的内径，小于靠近所述微透镜的透光窗口的内径。如此设置，可以降低透光窗口位置精度的要求(不同遮光层上透光窗口在垂直于芯片单元正面方向上的对位精度)，另外通过不同透光窗口设计，可以减少杂散光的干扰，有效光垂直通过。
在一实施例中，遮光层的材质选自金属或黑色光敏有机材料。金属可以采用铝，黑色光敏有机材料可以采用BKL黑胶。
为了实现对遮光层进行支撑，透光层12包括第一透光层121、第二透光层122和第三透光层123，第一透光层121、第二透光层122和第三透光层123依次叠加形成于芯片单元11的正面111。其中，第一遮光层131形成于第一透光层121的正面111和第二透光层122之间，第二遮光层132形成于第二透光层122和第三透光层123之间。聚光透镜阵列14支撑于第三透光层123的表面。
一实施例中，在透光层12和芯片单元11的正面111之间还设置有滤光层15。
滤光层15用于滤除检测光波段之外的杂光，以降低杂光干扰，提高指纹识别的精度。
滤光层15可以仅仅覆盖像素点对应的上方，也可以覆盖于芯片单元11的整个正面111。但是为了便于透光层12的制作并保证其平整度，滤光层15优选覆盖于芯片单元11的整个正面111。
在一实施例中，滤光层15与第一透光层121之间通过DAF膜粘结固定。第一透光层121之间与芯片单元11正面111之间通过黏胶进行固定。
本案中，滤光层15为可选设置，在一实施例中，也可以不设置滤光层。
对应地，本发明实施例提供了一种封装方法，用于形成如图1所示的封装结构。请参考图2至图9，为本发明实施例的封装方法的封装过程中形成的中间结构示意图。
步骤s1：参考图2和3，提供待封装晶圆，其中，图2为待封装晶圆的俯视结构示意图，图3为图2沿A-A的剖视图(单个芯片单元为例)。
待封装晶圆具有正面111和与正面111相对的背面112。晶圆100包括多个阵列排布的芯片单元11。相邻指纹识别芯片11之间具有切割沟道110，以便于在后续切割工艺中进行切割处理。
正面111包括感应区113以及包围感应区的非感应区，像素点设置在感应区，在非感应区设置有焊盘15，焊盘与像素点电连接，焊盘用于与外部电路电连接。
需要说明的是，相邻两个芯片单元11之间的切割沟道110仅为两个芯片单元11之间预留的用于切割的留白区域，切割沟道110与两侧的芯片单元11之间不具有实际的边界线。
步骤s2：参考图4，在待封装晶圆100的正面111上覆盖滤光层15。该步骤中，通过黏胶在待封装晶圆100的表面固定滤光层15。
步骤s3：参考图5，在滤光层15的表面覆盖第一透光层121。
步骤s4：参考图6，在第一透光层121上制作第一遮光层131，通过光刻工艺可以对其进行图形化，形成阵列分布的透光窗口133，每个透光窗口分别对应一像素点；
步骤s5：参考图7，在第一透光层121和第一遮光层131表面上制作第二透光层122；
步骤s6：参考图8，在第二透光层122上制作第二遮光层132，通过光刻工艺可以对其进行图形化，形成阵列分布的透光窗口133，每个透光窗口分别对应一像素点；
步骤s7：参考图9，在第二透光层122和第二遮光层132表面上制作第三透光层123；
步骤s8：参考图10，在第三透光层123的表面制作聚光透镜阵列14，每个微透镜分别对应一个像素点，微透镜和对应像素点所在的光路垂直于芯片单元的正面，且光线可以依次经过微透镜、多个遮光层上的透光窗口进入像素点。
步骤s9：参考图1，在芯片单元的背面刻蚀形成通孔，并依次制作绝缘层、金属层、阻焊层和外接凸起。
步骤s10：通过切割工艺分割晶圆100，在进行切割时，沿着切割沟道110的方向进行切割形成多个封装结构10。切割可以采用切片刀切割或者激光切割，切片刀切割可以采用金属刀或者树脂刀。
另外，对待封装晶圆进行封装处理后，可以使得后续切割获得的芯片封装结构通过外接凸起(图未示)与外部电路连接。
本发明的各方面、实施例、特征及实例应视为在所有方面为说明性的且不打算限制本发明，本发明的范围仅由权利要求书界定。在不背离所主张的本发明的精神及范围的情况下，所属领域的技术人员将明了其它实施例、修改及使用。
在本申请案中标题及章节的使用不意味着限制本发明；每一章节可应用于本发明的任何方面、实施例或特征。
在本申请案通篇中，在将组合物描述为具有、包含或包括特定组份之处或者在将过程描述为具有、包含或包括特定过程步骤之处，预期本发明教示的组合物也基本上由所叙述组份组成或由所叙述组份组成，且本发明教示的过程也基本上由所叙述过程步骤组成或由所叙述过程步骤组组成。
在本申请案中，在将元件或组件称为包含于及/或选自所叙述元件或组件列表之处，应理解，所述元件或组件可为所叙述元件或组件中的任一者且可选自由所叙述元件或组件中的两者或两者以上组成的群组。此外，应理解，在不背离本发明教示的精神及范围的情况下，本文中所描述的组合物、设备或方法的元件及/或特征可以各种方式组合而无论本文中是明确说明还是隐含说明。
除非另外具体陈述，否则术语“包含(include、includes、including)”、“具有(have、has或having)”的使用通常应理解为开放式的且不具限制性。
除非另外具体陈述，否则本文中单数的使用包含复数(且反之亦然)。此外，除非上下文另外清楚地规定，否则单数形式“一(a、an)”及“所述(the)”包含复数形式。另外，在术语“约”的使用在量值之前之处，除非另外具体陈述，否则本发明教示还包括特定量值本身。
应理解，各步骤的次序或执行特定动作的次序并非十分重要，只要本发明教示保持可操作即可。此外，可同时进行两个或两个以上步骤或动作。
应理解，本发明的各图及说明已经简化以说明与对本发明的清楚理解有关的元件，而出于清晰性目的消除其它元件。然而，所属领域的技术人员将认识到，这些及其它元件可为合意的。然而，由于此类元件为此项技术中众所周知的，且由于其不促进对本发明的更好理解，因此本文中不提供对此类元件的论述。应了解，各图是出于图解说明性目的而呈现且不作为构造图式。所省略细节及修改或替代实施例在所属领域的技术人员的范围内。
可了解，在本发明的特定方面中，可由多个组件替换单个组件且可由单个组件替换多个组件以提供一元件或结构或者执行一或若干给定功能。除了在此替代将不操作以实践本发明的特定实施例之处以外，将此替代视为在本发明的范围内。
尽管已参考说明性实施例描述了本发明，但所属领域的技术人员将理解，在不背离本发明的精神及范围的情况下可做出各种其它改变、省略及/或添加且可用实质等效物替代所述实施例的元件。另外，可在不背离本发明的范围的情况下做出许多修改以使特定情形或材料适应本发明的教示。因此，本文并不打算将本发明限制于用于执行本发明的所揭示特定实施例，而是打算使本发明将包含归属于所附权利要求书的范围内的所有实施例。此外，除非具体陈述，否则术语第一、第二等的任何使用不表示任何次序或重要性，而是使用术语第一、第二等来区分一个元素与另一元素。

Claims (10)

1.一种生物识别指纹芯片的封装结构，其特征在于，包括：
芯片单元，具有相对的正面和背面，其正面具有感应区域；
聚光透镜阵列，设于芯片单元的正面，包括阵列设置的多个微透镜；
间隔设置于芯片单元的正面和聚光透镜阵列之间的多个遮光层，遮光层在微透镜和感应区域之间的光路上开设有透光窗口以形成准直光路。
2.根据权利要求1所述的生物识别指纹芯片的封装结构，其特征在于，透光窗口的内径小于所述微透镜的外径。
3.根据权利要求1所述的生物识别指纹芯片的封装结构，其特征在于，靠近所述感光区域的透光窗口的内径，小于靠近所述微透镜的透光窗口的内径。
4.根据权利要求1所述的生物识别指纹芯片的封装结构，其特征在于，还包括透光层，该透光层支撑于遮光层和指纹识别芯片之间、和/或相邻的遮光层之间、和/或聚光透镜阵列和遮光层之间。
5.根据权利要求1所述的生物识别指纹芯片的封装结构，其特征在于，透光层材料为干膜、无机玻璃或有机玻璃。
6.根据权利要求1所述的生物识别指纹芯片的封装结构，其特征在于，遮光层材料为金属材料或黑色光敏有机材料。
7.根据权利要求1所述的生物识别指纹芯片的封装结构，其特征在于，还包括设于芯片单元正面的滤光层。
8.根据权利要求1所述的生物识别指纹芯片的封装结构，其特征在于，芯片单元包括：
位于所述感应区域外的焊垫；
从所述芯片单元的与正面相对的背面贯穿所述芯片单元的通孔，所述通孔暴露出所述焊垫；
覆盖所述芯片单元背面和所述通孔侧壁表面的绝缘层；
位于所述绝缘层表面且与所述焊垫电连接的金属层；
位于所述金属层和所述绝缘层表面的阻焊层，所述阻焊层具有暴露出部分所述金属层的开孔；
填充所述开孔，并暴露在所述阻焊层表面之外的外接凸起。
9.一种形成如权利要求6所述的生物识别指纹芯片的封装结构的封装方法，其特征在于，包括：
首先，在芯片单元的正面制作遮光层和聚光透镜阵列；
其次，在芯片单元的背面刻蚀形成通孔，并依次制作绝缘层、金属层、阻焊层和外接凸起。
10.一种形成如权利要求1至6任一所述的生物识别指纹芯片的封装结构的封装方法，其特征在于，包括：
提供一晶圆，该晶圆具有多个芯片单元；
在芯片单元的正面制作具有透光窗口的遮光层和聚光透镜阵列；
通过切割工艺，切割所述晶圆，形成多个单粒的封装结构。
CN202011072874.XA 2020-10-09 2020-10-09 生物识别指纹芯片的封装结构和方法 Pending CN112185987A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011072874.XA CN112185987A (zh) 2020-10-09 2020-10-09 生物识别指纹芯片的封装结构和方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011072874.XA CN112185987A (zh) 2020-10-09 2020-10-09 生物识别指纹芯片的封装结构和方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112185987A true CN112185987A (zh) 2021-01-05

Family

ID=73948307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011072874.XA Pending CN112185987A (zh) 2020-10-09 2020-10-09 生物识别指纹芯片的封装结构和方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112185987A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107910344B (zh) 一种光学指纹识别芯片的封装结构以及封装方法
US10056439B2 (en) Image capturing apparatus
WO2021258581A1 (zh) 生物识别指纹芯片的封装结构和方法
KR20180053422A (ko) 지문 감지를 위한 이미지 센서 구조체들
US9989640B2 (en) Optical apparatus, light sensitive device with micro-lens and manufacturing method thereof
CN107093586B (zh) 一种芯片的封装结构以及封装方法
CN111133444B (zh) 指纹识别装置和电子设备
CN111192931A (zh) 指纹识别芯片的封装结构和方法
WO2018133768A1 (zh) 一种指纹识别芯片的封装结构以及封装方法
CN111192941A (zh) 指纹识别芯片的封装结构和方法
WO2020244006A1 (zh) 指纹芯片、制作指纹芯片的方法和电子设备
US20190067352A1 (en) Photosensitive chip packaging structure and packaging method thereof
CN110555367A (zh) 光学指纹感应模块
CN112216707A (zh) 光学指纹器件的制造方法
CN211555920U (zh) 指纹识别芯片的封装结构
CN212848407U (zh) 生物识别指纹芯片的封装结构
US10817700B2 (en) Optical fingerprint recognition chip package and packaging method
CN112635505A (zh) 封装结构和封装方法
CN112185987A (zh) 生物识别指纹芯片的封装结构和方法
CN107919332B (zh) 一种光学指纹芯片的封装结构以及封装方法
CN213211040U (zh) 指纹识别装置及电子设备
WO2022227451A1 (zh) 封装结构和封装方法
CN212365974U (zh) 生物识别指纹芯片的封装结构
CN114078888A (zh) 光学指纹器件
WO2022041145A1 (zh) 指纹识别装置及电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination