CN112164755A

CN112164755A - 一种有机发光二极管显示器的制作方法和显示器

Info

Publication number: CN112164755A
Application number: CN202010973826.1A
Authority: CN
Inventors: 林高波; 张晓星
Original assignee: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Current assignee: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date: 2020-09-16
Filing date: 2020-09-16
Publication date: 2021-01-01

Abstract

本发明提供了一种有机发光二极管显示器的制作方法，通过制作辅助电极，并在其上方制作牺牲层，利用牺牲层的结晶态为非晶质的特性，后续制程热处理后采用湿法刻蚀去除,从而可在辅助电极上方形成底切结构，实现了阴极可与辅助电极搭接且接触面积不大，从业减少了压降导致的亮度不均问题。同时，通过调控牺牲层的厚度和蚀刻条件，可以调控底切结构的规格，灵活满足后续工艺要求。

Description

一种有机发光二极管显示器的制作方法和显示器

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，具体地涉及一种有机发光二极管显示器的制作方法和显示器。

背景技术

与被动发光的液晶显示器(LCD)相比，自主发光的有机发光二极管显示器(Organic Light-Emitting Diode，OLED)具有响应速度快、对比度高、视角广等优点，并且容易实现柔性显示，因而被普遍应用。OLED显示器极有可能成为下一代显示技术的主流产品。OLED显示面板结构包括透明阳极层，发光层和金属阴极层。为了增大顶发射的透过率，金属阴极的厚度较薄，造成方阻较大，电流压降(IR drop)严重，导致显示面板有明显的亮度不均匀现象，严重影响了OLED显示装置的显示效果。为改善面板显示亮度的不均匀性，可以架设辅助电极层，与较薄的金属阴极相连。由于辅助电极层的电阻较小，电流压降减小，通电时，使面板的阴极的阻抗和电流压降得到减小，亮度均匀性得到一定的改善。

对于如何实现辅助电极层和金属阴极搭接，通常采用在阴极和辅助电极层之间设置倒梯形的隔离柱，但是隔离柱体积占比大，影响开口率和封装，而且原材料的选择性较少，制作工艺变得复杂，降低生产效率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种有机发光二极管显示器的制作方法和显示器。通过设置辅助电极层，并在其上方制作牺牲层，利用牺牲层的结晶态为非晶质的特性，后续制程热处理后仍可采用湿法刻蚀去除，在辅助电极层上方形成底切结构(Under cut)，使得阴极与辅助电极层形成搭接区域，从而减少IR Drop的问题。这种方法制作工艺简单有效，通过调控牺牲层(非晶金属氧化物)的厚度和蚀刻条件，可以调控Undercut的规格，从而满足后续工艺要求。

为此，本发明实施例提供如下技术方案：

根据本发明的一方面，提供一种有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在薄膜晶体管(TFT)基板上制作平坦化层，并在基板钝化层和所述平坦化层(PLN)上形成辅助电极层接触孔和阳极接触孔；

在辅助电极层接触孔和阳极接触孔区域分别制作辅助电极层和阳极层，其中所述辅助电极层与辅助电极电连接、所述阳极层与薄膜晶体管(TFT)的源极(S)电连接；

在辅助电极层上方形成沉积牺牲层(The Sacrificial Layer，SL)；

在所述辅助电极层、阳极层和沉积牺牲层上制作像素定义层(PDL)，定义出发光区域和辅助电极层区域，其中沉积牺牲层第一侧露出、第二侧被像素定义层覆盖；

用蚀刻液侧蚀去除沉积牺牲层(SL)，在像素定义层下方形成底切结构(Undercut)；

在所述像素定义层、辅助电极层、阳极层上覆盖形成有机功能层(EL)，其中有机功能层未完全覆盖所述辅助电极层；

在所述有机功能层、辅助电极层上形成阴极层，所述阴极层与所述辅助电极层搭接。

进一步的，形成的所述平坦化层厚度为1.0μm～4.0μm。

进一步的，所述沉积牺牲层被像素定义层覆盖的长度为1um～10um。

进一步的，所述辅助电极层和阳极层是单层或复合层结构，是ITO单膜或者ITO/Ag/ITO或者ITO/Al/ITO复合层结构。

进一步的，所述沉积牺牲层是非晶金属氧化物。

进一步的，所述沉积牺牲层是氧化铟锌(IZO)或者氧化铟镓锌(IGZO)。

进一步的，通过调控蚀刻时间和蚀刻方式进而控制侧蚀深度，所述去除沉积牺牲层的侧蚀深度为0.1um～5um。

进一步的，所述形成有机功能层采用蒸镀过程，通过控制蒸镀角，使有机功能层无法完全覆盖下方的辅助电极层，蒸镀角范围为逆时针方向0～45°。

进一步的，所述覆盖形成所述有机功能层的步骤，包括通过热蒸镀或喷墨打印形成所述有机功能层。

进一步的，所述形成所述阴极层的步骤，包括通过溅射工艺或蒸镀工艺形成所述阴极层，以使所述阴极层与所述辅助电极层搭接，其中通过蒸镀工艺形成所述阴极层时蒸镀角为顺时针方向0～45°。

根据本发明的另一方面，提供一种有机发光二极管显示器，其特征在于，通过上述任意一项有机发光二极管显示器的制作方法获得。

根据本发明的技术方案本发明的有机发光二极管显示器的制作方法，通过设置辅助电极层，并在其上方形成底切结构(Under cut)，使得阴极与辅助电极层形成搭接区域，从而减少IR Drop的问题，这种方法制作工艺简单有效，通过调控牺牲层(非晶金属氧化物)的厚度和蚀刻条件，可以调控Under cut的规格，从而满足后续工艺要求。当然，实施本发明的任意一项产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

附图中的部件不是成比例绘制的，而只是为了示出本发明的原理。为了便于示出和描述本发明的一些部分，附图中对应部分可能被放大，即，使其相对于在依据本发明实际制造的示例性装置中的其它部件变得更大。在附图中，相同的或类似的技术特征或部件将采用相同或类似的附图标记来表示。

图1示出了根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管显示器的制作方法的流程示意图。

图2示出了根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管显示器的制作方法的一些过程示意图。

图3示出了根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管显示器的制作方法的另外一些过程示意图。

图4示出了根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管显示器的制作方法的另外一些过程示意图。

图5示出了根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管显示器的制作方法的另外一些过程示意图。

图6示出了根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管显示器的制作方法的另外一些过程示意图。

图7示出了根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管显示器的制作方法的另外一些过程示意图。

图8示出了根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管显示器的制作方法的另外一些过程示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

根据本发明的一方面，提供一种有机发光二极管显示器的制作方法。为便于说明，图1示出了根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管显示器的制作方法相关的时序控制器板的示意图。参考图1及图2-图8所示，根据本发明，提供一种有机发光二极管显示器的制作方法，包括如下步骤：

S1:在薄膜晶体管(TFT)基板(10)上制作平坦化层(20，PLN)，并在基板钝化层(14)和所述平坦化层(PLN)上形成辅助电极层接触孔和阳极接触孔(图中未标注)，可通过黄光对PLN(20)和PV(14)开孔定义出辅助电极接触孔和阳极接触孔，其中基板包括基板钝化层(14)等常规组成部分，此处不一一具体说明，平坦化层20可以是通过CVD(化学气相沉积)方式沉积得到的，其材料可以为PI(聚酰亚胺)材料；

S2:在辅助电极层接触孔和阳极接触孔区域分别制作辅助电极层和阳极层，其中辅助电极层与辅助电极(33)电连接、阳极层与薄膜晶体管(TFT)的源极(S)电连接；

S3:在辅助电极层上方形成沉积牺牲层(The Sacrificial Layer，SL,34)；

S4:在辅助电极层(32)、阳极层(31)和沉积牺牲层(34)上制作像素定义层(PDL,40)，定义出发光区域和辅助电极层区域，其中沉积牺牲层(34)第一侧(342)露出、第二侧(341)被像素定义层(40)覆盖；

S5:用蚀刻液侧蚀去除沉积牺牲层(SL,34)，在像素定义层(40)下方形成底切结构(Undercut)，蚀刻液可以是过草酸；

S6:在像素定义层(40)、辅助电极层(32)、阳极层(31)上覆盖形成有机功能层(EL,50)，其中有机功能层未完全覆盖辅助电极层；

S7:在有机功能层(EL,50)、辅助电极层(32)上形成阴极层(60)，阴极层(60)与辅助电极层(32)搭接。

以上S2步骤图案化形成阳极层和辅助电极层，Pattern(图案)包含两部分，一部分起到阳极的作用，另一部分起辅助电极层的作用。在OVEN(烘干)后，阳极层结晶。

通过以上步骤，可以在是辅助电极通过辅助电极层与阴极搭接且辅助电极层与阴极的搭接面积不大，从而在不使用现有技术倒梯形隔离柱的情况下，减少了压降，简化了工艺、降低了成本。

在一个实施例中，形成的平坦化层厚度为1.0μm～4.0μm。这是一个较佳的厚度范围。

在一个实施例中，参见图6，沉积牺牲层(34)被像素定义层覆盖的长度d1的范围为1um～10um。该范围与较佳的侧蚀深度相对应。

在一个实施例中，辅助电极层和阳极层可以是是单层或复合层结构，包括但不限于ITO单膜或者ITO/Ag/ITO复合层结构或者ITO/Al/ITO复合层结构。

在一个实施例中，沉积牺牲层(34)是非晶金属氧化物。

在一个实施例中，沉积牺牲层(34)是氧化铟锌(IZO)或者氧化铟镓锌(IGZO)。氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)等非晶金属氧化物适合于侧蚀形成需要的底切结构。

在一个实施例中，参见图6，通过调控蚀刻时间和蚀刻方式进而控制侧蚀深度,去除沉积牺牲层(34)的侧蚀深度d2为0.1um～5um。在此侧蚀深度范围，结合有机功能层的延伸范围，阴极与辅助电极层搭接而搭接区域又较小，从而保证较好地降低压降。

在一个实施例中，形成有机功能层EL采用蒸镀过程，蒸镀角范围为逆时针方向0～45°。逆时针方向0～45°是指蒸镀方向与图面的垂直方向呈逆时针方向0～45°角。通过蒸镀过程中控制蒸镀角，使EL层无法完全覆盖下方的辅助电极层，从而使阴极层与辅助电极层较好地搭接。

在一个实施例中，覆盖形成有机功能层的步骤，包括通过热蒸镀或喷墨打印形成有机功能层。可根据有机功能层的不同，选择合适的方式。

在一个实施例中，形成阴极层的步骤，包括通过溅射工艺或蒸镀工艺形成阴极层，以使阴极层与辅助电极层搭接，同时被Undercut结构区域隔断。其中通过蒸镀工艺形成阴极层时蒸镀角为顺时针方向0～45°。顺时针方向0～45°是指蒸镀方向与图面的垂直方向呈顺时针方向0～45°角。因为有机功能层蒸镀角范围为逆时针方向0～45，阴极层蒸镀角范围为逆时针方向0～45，可以保证有机功能层不覆盖全部辅助电极层而给阴极层与辅助电极层搭接留下空间，又可以阴极材料可以较好地到达辅助电极层上完成搭接。

可见，本发明的有机发光二极管显示器的制作方法，通过较为简单方式，实现了阴极可与辅助电极搭接且接触面积不大，从业减少了压降导致的亮度不均问题。同时，通过调控牺牲层的厚度和蚀刻条件，可以调控底切结构的规格，灵活满足后续工艺要求。

根据本发明的另一方面，提供一种有机发光二极管显示器，根据上述有机发光二极管显示器获得，其结构等参加上述制作方法。容易理解的是，其技术效果也同上述制作方法，此不赘述。

根据以上描述，故本发明的技术效果是：提供一种有机发光二极管显示器的制作方法和显示器，通过制作辅助电极和辅助电极层，并在其上方制作牺牲层，利用牺牲层的结晶态为非晶质的特性，后续制程热处理后采用湿法刻蚀去除,从而可在辅助电极上方形成底切结构，，实现了阴极可与辅助电极搭接且接触面积不大，从业减少了压降导致的亮度不均问题。同时，通过调控牺牲层的厚度和蚀刻条件，可以调控底切结构的规格，灵活满足后续工艺要求。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

本领域技术人员可以理解，以上描述并不构成对装置的限定，可以包括比更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

需要说明的是，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个......”限定的要素，并不排除在包括上述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置和电子设备实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上仅为本发明的实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。在上面对本发明具体实施例的描述中，针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。

在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本申请，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本申请。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本申请的描述变得晦涩。因此，本申请并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。

应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、要素、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、要素、步骤或组件的存在或附加。涉及序数的术语或下标“一”“二”“1”“2”“n”“n-1”等并不必然表示这些术语所限定的特征、要素、步骤或组件的实施顺序或者重要性程度，而仅仅是为了描述清楚起见而用于在这些特征、要素、步骤或组件之间进行标识。

虽然结合附图描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。

Claims

1.一种有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在薄膜晶体管基板上制作平坦化层，并在基板钝化层和所述平坦化层上形成辅助电极层接触孔和阳极接触孔；

在所述辅助电极层接触孔和所述阳极接触孔区域分别制作辅助电极层和阳极层，其中所述辅助电极层与辅助电极电连接、所述阳极层与薄膜晶体管的源极电连接；

在所述辅助电极层上方形成沉积牺牲层；

在所述辅助电极层、阳极层和沉积牺牲层上制作像素定义层，定义出发光区域和辅助电极层区域，其中沉积牺牲层第一侧露出、第二侧被像素定义层覆盖；

用蚀刻液侧蚀去除沉积牺牲层，在像素定义层下方形成底切结构；

在所述像素定义层、辅助电极层、阳极层上覆盖形成有机功能层，其中有机功能层未完全覆盖所述辅助电极层；

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，形成的所述平坦化层厚度为1.0μm～4.0μm。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述沉积牺牲层被像素定义层覆盖的长度为1um～10um。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述辅助电极层和阳极层是单层或复合层结构，所述沉积牺牲层是非晶金属氧化物。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述辅助电极层和阳极层是ITO单膜或者是ITO/Ag/ITO复合层结构或ITO/Al/ITO复合层结构，所述沉积牺牲层是氧化铟锌(IZO)或者氧化铟镓锌(IGZO)。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，通过调控蚀刻时间和蚀刻方式控制侧蚀深度，所述去除沉积牺牲层的侧蚀深度为0.1um～5um。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述形成有机功能层采用蒸镀过程，通过控制蒸镀角，使有机功能层未完全覆盖下方的辅助电极层，蒸镀角范围为逆时针方向0～45°。

8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述覆盖形成所述有机功能层的步骤，包括：

通过热蒸镀或喷墨打印形成所述有机功能层。

9.根据权利要求1-8任意一项所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述形成所述阴极层的步骤，包括：

通过溅射工艺或蒸镀工艺形成所述阴极层，以使所述阴极层与所述辅助电极层搭接，其中通过蒸镀工艺形成所述阴极层时蒸镀角为顺时针方向0～45°。

10.一种有机发光二极管显示器，其特征在于，根据权利要求1-9任意一项所述的制作方法获得。