CN112151810A - 一种复合集流体、极片、电芯及二次电池 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种复合集流体、极片、电芯及二次电池，属于二次电池技术领域。复合集流体包括高分子支撑层和导电功能层。高分子支撑层的厚度D1为2μm≤D1≤30μm，高分子支撑层的表面具有多个纳米凸起，纳米凸起凸出高分子支撑层表面的高度在10～500nm范围内。导电功能层的厚度D2为D2≥0.2μm。该复合集流体在制备的过程中容易放卷，且导电性较佳。

Description

一种复合集流体、极片、电芯及二次电池
技术领域
本申请涉及二次电池技术领域，具体而言，涉及一种复合集流体、极片、电芯及二次电池。
背景技术
为了提高二次电池中电芯的能量密度，现有技术中，采用复合集流体进行正负极的集流。复合集流体包括支撑层和设置在支撑层的两个表面的金属层，该复合集流体可以大幅度降低电池集流体重量与厚度。
由于复合集流体中，为了达到相应地导电功能层的厚度，则需要在支撑层的表面进行多次蒸镀的方式形成金属层，从而增加金属层的厚度。但是，在对支撑层进行多次蒸镀的时候，通常存在集流体半成品不能够放卷的问题。
发明内容
当复合集流体的制备通常需要经过多次收放卷以实现支撑层上导电功能层的多次增厚。在制备中发明人发现，当采用常规支撑层(表面无设计凸起)，在导电功能层较薄时(＜200nm的半成品)，放卷时很容易发生膜间黏连，导致放卷断带，生产优率和效率大大降低。
发明人进一步研究发现，产生上述问题的原因可能是两方面，一方面是由于聚合物薄膜(复合集流体的高分子支撑层)具有分子链弛豫现象，收卷张力常常会随着静置发生变化，导致成卷的集流体半成品及成品常常遇到因为收卷力变化造成的层间粘连；另一方面是由于当刚沉积的金属膜层较薄时，膜层中的金属原子非常活泼，而收卷环境通常是真空，收卷后层间较紧，容易出现金属原子层间“迁移”并黏连，以至于在下一道工序出无法放卷，生产无法继续。
本申请的目的在于提供一种复合集流体、极片、电芯及二次电池，该复合集流体在制备的过程中能够顺利放卷。
第一方面，本申请提供一种复合集流体，包括高分子支撑层和导电功能层。高分子支撑层的厚度D1为2μm≤D1≤30μm，高分子支撑层的表面具有多个纳米凸起，纳米凸起凸出高分子支撑层表面的高度在10～500nm范围内。导电功能层的厚度D2为D2≥0.2μm。
由于高分子支撑层的表面具有多个纳米凸起，所以，在具有纳米凸起的表面上形成导电功能层的过程中，由于纳米凸起的作用，复合集流体的半成品在收卷的膜层与膜层之间可以容纳少许空气，可以避免膜层与膜层之间完全直接接触，从而有利于顺利放卷。
在一种可能的实施方式中，复合集流体为负极集流体，纳米凸起的凸出高分子支撑层表面的高度在300～500nm范围内。
负极集流体通常采用铜层作为导电层，铜较为柔软，匹配铜导电层的高分子支撑层也较正极支撑层柔软，纳米凸起的高度较高，更加容易预防放卷粘膜断带。
或，复合集流体为正极集流体，纳米凸起的凸出高分子支撑层表面的高度在10～100nm范围内。
正极集流体通常采用铝层作为导电层，铝柔韧性较低，匹配铝导电层的高分子支撑层较负极支撑层刚性更高，因此，纳米凸起的高度较低，能够满足放卷粘膜断带问题。
对凸出高度进一步限定调整，一方面，可以使收卷的膜层与膜层之间容纳的空气更加适量，进一步减少膜层粘连现象的产生，以便放卷更加顺利进行。另一方面，该凸出高度不会影响复合集流体的导电性，有利于电流的导流。
在一种可能的实施方式中，纳米凸起的总面积占高分子支撑层的表面积的0.01％-10％。可选地，纳米凸起总面积占高分子支撑层的表面积的0.1％-1％。
纳米凸起总面积过大，会影响功能层在支撑层表面的连续沉积，导致功能层、尤其是较薄的功能层电阻率增加，因此需要控制纳米凸起的总面积不能太大，这样既可以增加容纳空气的空间，以便顺利放卷，又可以不影响功能层功能实现。
在一种可能的实施方式中，高分子支撑层的表面上每1mm2有1-1000个纳米凸起。可选地，高分子支撑层的表面上每1mm2有100-500个纳米凸起。
由于前面限定了纳米凸起的总面积，此处限定纳米凸起的个数，也就间接限定了每个纳米凸起的表面积，即限定了纳米凸起的大小，避免纳米凸起过大，膜层与膜层之间产生粘连，从而更加利于放卷。
在一种可能的实施方式中，高分子支撑层具有沿厚度方向的第一表面和第二表面，第一表面上具有多个凸出第一表面的多个第一纳米凸起，第二表面上具有多个凸出第二表面的多个第二纳米凸起，第一纳米凸起和第二纳米凸起的凸出高分子支撑层表面的高度在10～500nm范围内。导电功能层包括第一导电功能层和第二导电功能层，第一导电功能层设置于第一表面，第二导电功能层设置于第二表面。
在高分子支撑层的两个表面均形成了纳米凸起，在对复合集流体半成品进行放卷的时候，对膜面的正反两面都具有容易空气的空隙，以便放卷顺利进行。
第二方面，本申请提供一种极片，包括上述复合集流体。上述复合集流体在制备的时候，可以顺利进行集流体半成品的放卷，以便进行复合集流体的制备。
第三方面，本申请提供一种电芯，包括上述极片。
第四方面，本申请提供一种二次电池，包括上述电芯。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图也属于本申请的保护范围。
图1为本申请实施例提供的复合集流体的结构示意图；
图2为图1中Ⅱ处的放大图；
图3为图1中Ⅲ处的放大图。
图标：110-高分子支撑层；120-第一导电功能层；130-第二导电功能层；111-第一表面；112-第二表面；1111-第一纳米凸起；1121-第二纳米凸起。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。
通常情况下，在制备复合集流体的时候，需要对高分子支撑层的两个表面进行多次增厚(例如：通过蒸镀的方式多次增厚)。例如：如果复合集流体为负极集流体，则需要先在高分子支撑层上多次蒸镀铜金属层，使集流体半成品具有一定的导电性，然后通过水电镀的方式进一步在集流体半成品的表面形成厚度较厚的铜金属层。如果复合集流体为正极集流体，则需要在高分子支撑层的表面上通过多次蒸镀的方式，形成厚度达到目标值的铝金属层。
发明人研究发现，在高分子支撑层的表面上多次蒸镀形成铜金属层或多次蒸镀形成铝金属层，逐渐增加金属层的厚度的过程中，由于聚合物薄膜(复合集流体的高分子支撑层)具有分子链弛豫现象，收卷张力常常会随着静置发生变化，导致成卷的集流体半成品因为收卷力变化造成的层间粘连；或由于当刚沉积的金属膜层较薄时，膜层中的金属原子非常活泼，而收卷环境通常是真空，收卷后层间较紧，容易出现金属原子层间“迁移”并黏连，以至于在下一道工序出无法放卷，生产无法继续。
所以，本申请提供一种复合集流体，以解决上述问题。图1为本申请实施例提供的复合集流体的结构示意图。请参阅图1，该复合集流体包括高分子支撑层110和导电功能层。
其中，高分子支撑层110包括聚乙烯(PE，Polyethylene)薄膜、聚丙烯(PP，Polypropylene)薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA，Polymethyl methacrylate)薄膜、聚苯乙烯(PS，Polystyrene)薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇(PET，Polyethylene terephthalate)薄膜、聚苯硫醚(PPS，Polyphenylene sulfide)薄膜、聚全氟乙丙烯树脂(FEP，Polyperfluoroethylene-propylene pipe)薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN，Polyethylene naphthalatetwo formic acid glycol ester)薄膜、聚四氟乙烯(PTFE，Polytetrafluoroethylene)薄膜、聚氯乙烯(PVC，Polyvinyl chloride)薄膜、聚亚苯基砜树脂(PPSU，Polyphenylenesulfone resins)薄膜、聚醚醚酮(PEEK，Poly(ether-ether-ketone))薄膜和聚醚砜树脂(PES，Polyethersulfone resin)薄膜中的一种。本申请不做限定，只要能够作为复合集流体的高分子支撑层110均在本申请的保护范围之内。
高分子支撑层110的厚度D1为2μm≤D1≤30μm，高分子支撑层110的厚度为高分子支撑层110的任意位置的厚度方向上的实时厚度，高分子支撑层110上，不同位置的厚度可能不同，也可能相同，但是，该厚度在高分子支撑层110的厚度范围之内。
图2为图1中Ⅱ处的放大图；图3为图1中Ⅲ处的放大图。请参阅图1-图3，高分子支撑层110的表面具有多个纳米凸起，纳米凸起凸出高分子支撑层110表面的高度在10～500nm范围内。
本申请实施例中，高分子支撑层110具有沿厚度方向的第一表面111和第二表面112，纳米凸起可以形成在第一表面111上，也可以形成在第二表面112上，或者第一表面111和第二表面112上均形成有纳米凸起。下面以第一表面111和第二表面112上均形成有纳米凸起为例进行说明。
第一表面111上具有多个凸出第一表面111的第一纳米凸起1111，第二表面112上具有多个凸出第二表面112的第二纳米凸起1121，第一纳米凸起1111和第二纳米凸起1121的凸出高分子支撑层110表面的高度在10～500nm范围内。
第一纳米凸起1111凸出第一表面111的高度在10～500nm范围内，第二纳米凸起1121凸出第二表面112的高度在10～500nm范围内。高分子支撑层110的结构一般规律是：如果高分子支撑层110的厚度越厚，则相对来说，纳米凸起的凸起高度也就越高；如果高分子支撑层110的厚度越薄，则相对来说，纳米凸起的凸起高度也就越低。但是，上述的规律并不是等比例扩大或缩小的方式，只是一个总的趋势，只要能够满足高分子支撑层110的厚度以及纳米凸起的凸出高度在上述范围内的复合集流体均在本申请的保护范围之内。
需要说明的是：其中一个第一纳米凸起1111的形状如下：其凸出第一表面111的高度并不是一个定值，可能这个第一纳米凸起1111的一部分凸出第一表面111的高度在300～400nm范围内，这个第一纳米凸起1111的一部分凸出第一表面111的高度在200～300nm范围内，这个第一纳米凸起1111的一部分凸出第一表面111的高度在100～200nm范围内。其中的一个第二纳米凸起1121的形状如下：其凸出第二表面112的高度并不是一个定值，可能这个第二纳米凸起1121的一部分凸出第二表面112的高度在300～400nm范围内，这个第二纳米凸起1121的一部分凸出第二表面112的高度在200～300nm范围内，这个第二纳米凸起1121的一部分凸出第二表面112的高度在100～200nm范围内。对于第一纳米凸起1111和第二纳米凸起1121的形状，以及每个第一纳米凸起1111的特点，均不做限定。
上述的第一纳米凸起1111和第二纳米凸起1121并不一定是一个规则的形状，其可能是一个不规则的形状；上述的第一纳米凸起1111和第二纳米凸起1121其并不一定是一个各处位置等高的凸起，其可能是各处位置的高度均不同的凸起，本申请不做限定。
可选地，复合集流体为负极集流体，纳米凸起的凸出高分子支撑层110表面的高度在300～500nm范围内。第一纳米凸起1111和第二纳米凸起1121的凸出高分子支撑层110表面的高度在300～500nm范围内。例如：第一纳米凸起1111凸出第一表面111的高度为在300～500nm范围内，第二纳米凸起1121凸出第二表面112的高度为在300～500nm范围内。纳米凸起限定在该高度范围，一方面，该纳米凸起的结构相对较为明显；另一方面，该纳米凸起不会由于过高而过度影响后续导电功能层的导电性，使其可以作为复合集流体的高分子支撑层110。
在另一实施方式中，复合集流体为正极集流体，纳米凸起的凸出所述高分子支撑层表面的高度在10～100nm范围内。第一纳米凸起1111和第二纳米凸起1121的凸出高分子支撑层110表面的高度在10～100nm范围内。例如：第一纳米凸起1111凸出第一表面111的高度为在10～100nm范围内，第二纳米凸起1121凸出第二表面112的高度为在10～100nm范围内。
本申请中，不对纳米凸起的形状进行限定，其可以是点状突起、条状突起或面状突起，只要能够形成纳米凸起的高分子支撑层110均在本申请的保护范围之内。
在一个实施例中，高分子支撑层110可以是购买的高分子薄膜成品，该成品的两个表面上形成有上述纳米凸起。在另一实施例中，该高分子支撑层110上的纳米凸起也可以是制造而成，例如：通过在支撑层放卷过辊上增加“狼牙钉”结构，当薄膜在张力下通过带有“狼牙钉”表面结构的过辊时，狼牙钉会在薄膜上制造凸起，或者“激光造凸”结构。或者在薄膜制造原料中加入特定尺寸的惰性颗粒状物质，如氧化硅颗粒、氧化铝颗粒等添加剂进行造凸。亦或者可以利用相转变造凸，例如先制备具有大量β晶型结晶的PP流延母板，然后利用γ晶体在特定温度及拉伸力作用下发生相转变，转变为更加稳定的α晶型，由于α晶体较γ晶体更加致密，体积更小，因为在发生相转变的同时，会在薄膜上留下凹凸痕迹，以得到具有上述纳米凸起的高分子支撑层110。
由于纳米凸起的作用，在收卷的膜层与膜层之间可以容纳少许空气，可以避免膜层与膜层之间完全直接接触，从而有利于顺利放卷(尤其是高分子支撑层110和集流体半成品的放卷)。
可选地，纳米凸起1111的总面积占高分子支撑层110的表面积的0.01％-10％。例如：第一纳米凸起1111的总面积占高分子支撑层110的第一表面111的表面积的0.01％-10％。第二纳米凸起1121的总面积占高分子支撑层110的第二表面112的表面积的0.01％-10％。纳米凸起总面积过大，会影响功能层在支撑层表面的连续沉积，导致功能层、尤其是较薄的功能层电阻率增加，因此需要控制纳米凸起的总面积不能太大，这样即可以增加容纳空气的空间，以便顺利放卷，又可以不影响功能层功能实现。
进一步地，纳米凸起的总面积占复合集流体的表面积的0.1％-1％。第一纳米凸起1111的总面积占高分子支撑层110的第一表面111的表面积的0.1％-1％，第二纳米凸起1121的总面积占高分子支撑层110的第二表面112的表面积的0.1％-1％。可以使纳米凸起的量更加合适。
可选地，高分子支撑层110的表面上每1mm2有1-1000个纳米凸起。高分子支撑层110上任意的每1mm2的第一表面111，纳米凸起的数量为1-1000个；高分子支撑层110上任意的每1mm2的第二表面112，纳米凸起的数量为1-1000个。由于前面限定了纳米凸起的总面积，此处限定纳米凸起的个数，也就间接限定了每个纳米凸起的表面积，即限定了纳米凸起的大小，避免纳米凸起过大，膜层与膜层之间产生粘连，从而更加利于放卷。
进一步地，高分子支撑层110的表面上每1mm2有100-500个纳米凸起。高分子支撑层110上任意的每1mm2的第一表面111，纳米凸起的数量为100-500个；高分子支撑层110上任意的每1mm2的第二表面112，纳米凸起的数量为100-500个。纳米凸起的大小和数量更加合适，以便得到放卷更加容易、并能够顺利进行集流体的生产。
本申请实施例中，导电功能层的厚度D2为D2≥0.2μm，导电功能层设置于高分子支撑层110的具有纳米凸起的表面。本申请实施例中，导电功能层可以有一层或两层，如果导电功能层是一层，则导电功能层设置于第一表面111或第二表面112(具有纳米凸起的那一表面)；如果导电功能层是两层，则两层导电功能层分别设置于第一表面111和第二表面112(第一表面111和第二表面112均具有纳米凸起)，下面以导电功能层是两层为例进行说明。
导电功能层包括第一导电功能层120和第二导电功能层130，第一导电功能层120的厚度D2为D2≥0.2μm，第二导电功能层130的厚度D2为D2≥0.2μm。第一导电功能层120的厚度为第一导电功能层120的任意位置的厚度方向上的实时厚度；第一导电功能层120的厚度为第二导电功能层130的任意位置的厚度方向上的实时厚度。第一导电功能层120上，不同位置的厚度可能不同，也可能相同，但是，该厚度在第一导电功能层120的厚度范围之内；第二导电功能层130上，不同位置的厚度可能不同，也可能相同，但是，该厚度在第二导电功能层130的厚度范围之内。
可选地，第一导电功能层120的厚度D2为D2≥1μm，第二导电功能层130的厚度D2为D2≥1μm。第一导电功能层120和第二导电功能层130的厚度较厚时，复合集流体的表面基本“光滑”，一般不具有百纳米级别的凸起或凹陷结构。
如果第一导电功能层120的厚度D2为1μm≥D2≥0.2μm，第二导电功能层130的厚度D2为1μm≥D2≥0.2μm。第一导电功能层120和第二导电功能层130的厚度较薄时，复合集流体的表面会有一定的凸起或凹陷的结构，本申请不做限定，只要高分子支撑层110的表面具有纳米凸起的方案均在本申请的保护范围之内。
为了满足复合集流体的导电性能，第一导电功能层120包括第一导电层，第一导电层设置于第一表面111；第二导电功能层130包括第二导电层，第二导电层设置于第二表面112。可选地，第一导电层包括Cu导电层、Al导电层、Ni导电层、Au导电层、Ag导电层、Pt导电层及其合金导电层中的一种或多种。第二导电层包括Cu导电层、Al导电层、Ni导电层、Au导电层、Ag导电层、Pt导电层及其合金导电层中的一种或多种。
在一个实施例中，第一导电功能层120还可以包括第一粘结层(Ti粘结层、W粘结层、Cr粘结层、Ni粘结层、Cu粘结层及其合金粘结层、铝的氧化物粘结层和氧化硅粘结层中的一种或多种)，第一粘结层设置于高分子支撑层110和第一导电层之间；第二导电功能层130还可以包括第二粘结层(Ti粘结层、W粘结层、Cr粘结层、Ni粘结层、Cu粘结层及其合金粘结层、铝的氧化物粘结层和氧化硅粘结层中的一种或多种)，第二粘结层设置于高分子支撑层110和第二导电层之间。当然，复合集流体也可以不包括第一粘结层或/和第二粘结层，本申请不做限定，只要高分子支撑层110的表面具有纳米凸起即可。
在另一个实施例中，第一导电功能层120还可以包括第一保护层(Cr保护层、Ni保护层、Ni合金保护层和Cr合金保护层中的一种或多种)，第一保护层设置于第一导电层的背离高分子支撑层110的表面；第二导电功能层130还可以包括第二保护层(Cr保护层、Ni保护层、Ni合金保护层和Cr合金保护层中的一种或多种)，第二保护层设置于第二导电层的背离高分子支撑层110的表面。当然，复合集流体也可以不包括第一保护层或/和第二保护层，本申请不做限定，只要高分子支撑层110的表面具有纳米凸起即可。
上述复合集流体可以用来制备极片，如果上述复合集流体是负极集流体，则在负极集流体的两个表面上涂覆负极活性物质层得到负极极片(第一导电功能层120的背离高分子支撑层110的表面以及第二导电功能层130的背离高分子支撑层110的表面均涂覆负极活性物质层)；如果上述复合集流体是正极集流体，则在正极集流体的两个表面上涂覆正极活性物质层得到正极极片(第一导电功能层120的背离高分子支撑层110的表面以及第二导电功能层130的背离高分子支撑层110的表面均涂覆正极活性物质层)。
上述负极极片和正极极片可以用来制备电芯，电芯包括正极极片、负极极片和设置于正极极片与负极极片之间的隔膜。通过上述电芯，可以用来组装电池。可以提高电池的电学性能。
实施例1
分别选择具有纳米凸起和不具有纳米凸起的高分子支撑层，通过蒸镀的方式在高分子支撑层上形成导电层，得到复合集流体。
取每一集流体半成品约1cm2，可采用氩离子切割技术打磨样品截面得到上述集流体半成品的截面SEM样品，使用SEM拍摄复合集流体半成品的截面图像，并根据实际厚度，放大1000-20000倍(通常5000倍放大适合具有500nm-2um厚的功能层的样品)，通过读取截面图像的层的厚度，得到集流体半成品的各层结构的厚度，如表1所示。
对每一集流体半成品，随机取5个1cm2集流体半成品，将样品用双面胶平整地贴附在光学显微镜用玻璃片表面，避免直接用手触摸集流体半成品表面。随后用20倍放大倍数观察样品，并用拍摄图片，保存为清晰度最高的格式，可以是tif或者png，每个样品随机拍摄2张图片。用image J软件打开图片，调节图片对比度、明亮度便于识别图片上的突起。
(1)、凸起数量测试：
统计5个样品共10张图片中的凸起数量，每个图片计数约0.25mm2，得到每1mm2的凸起数量N，如表1所示。
(2)、凸起高度测试：
对每一集流体半成品，随机取5个1cm2集流体半成品，用氩离子研磨抛光技术制备集流体半成品截面样品，使用扫描电子显微镜观察截面样品的高分子支撑层上的凸起，并测量其高度，相同批次样品，至少需要得到5处凸起高度，记为H1、H2、H3、H4、H5，则凸起高度H＝(H1+H2+H3+H4+H5)/5，如表1所示。
集流体半成品的电阻率的检测方法为：采用四探针法测试集流体半成品的方阻，得到方阻Rs，单位Ω。取与方阻测试对应的样品，采用氩离子抛光技术制备SEM截面样品，采用SEM观察集流体半成品截面，在30k-50k倍(适合20-120nm功能层厚度拍摄)放大下，采用SEM点到点辅助测量功能量取功能层厚度，每个样品至少测5个点到点间距离，5个距离的平均值即为功能层厚度d，单位m。电阻率ρ＝Rs×d，单位Ωm。
通过上述方法得到复合集流体的特性如表1：
表1复合集流体半成品的特性
Figure BDA0002752425980000121
从表1可以看出，本申请实施例提供的高分子支撑层上具有纳米凸起，该复合集流体在制备的过程中，集流体半成品的放卷效果更好。
从实施例1和实施例3对比可以看出，在导电层材料相同、厚度基本一致的情况下，纳米凸起的高度过低，且纳米凸起数量较少，放卷效果相对较差，容易出现断带，放卷后最长米数小。
从实施例8和实施例1对比可以看出，纳米凸起数量基本相同的情况下，纳米凸起的高度越高，则放卷效果越好。
从实施例9和实施例10对比可以看出，纳米凸起的数量基本相同的情况下，纳米凸起的高度越高，则放卷效果越好，相应地，电阻率也越高。所以，为了使复合集流体的导电性能不因为纳米凸起的作用影响过大，需要将纳米凸起的高度限定在一定的范围之内，既能够保证放卷，又可以使复合集流体的导电性能满足需求。
以上所述仅为本申请的一部分实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种复合集流体，其特征在于，包括：
高分子支撑层，所述高分子支撑层的厚度D1为2μm≤D1≤30μm，所述高分子支撑层的表面具有多个纳米凸起，所述纳米凸起凸出所述高分子支撑层表面的高度在10～500nm范围内；
导电功能层，所述导电功能层的厚度D2为D2≥0.2μm。
2.根据权利要求1所述的复合集流体，其特征在于，所述复合集流体为负极集流体，所述纳米凸起的凸出所述高分子支撑层表面的高度在300～500nm范围内；
或，所述复合集流体为正极集流体，所述纳米凸起的凸出所述高分子支撑层表面的高度在10～100nm范围内。
3.根据权利要求1所述的复合集流体，其特征在于，所述纳米凸起的总面积占所述高分子支撑层的表面积的0.01％-10％。
4.根据权利要求3所述的复合集流体，其特征在于，所述纳米凸起的总面积占所述高分子支撑层的表面积的0.1％-1％。
5.根据权利要求3所述的复合集流体，其特征在于，所述高分子支撑层的表面上每1mm2有1-1000个所述纳米凸起。
6.根据权利要求5所述的复合集流体，其特征在于，所述高分子支撑层的表面上每1mm2有100-500个所述纳米凸起。
7.根据权利要求1-6任一项所述的复合集流体，其特征在于，所述高分子支撑层具有沿厚度方向的第一表面和第二表面，所述第一表面上具有多个凸出第一表面的多个第一纳米凸起，所述第二表面上具有多个凸出所述第二表面的多个第二纳米凸起，所述第一纳米凸起和所述第二纳米凸起的凸出所述高分子支撑层表面的高度在10～500nm范围内所述导电功能层包括第一导电功能层和第二导电功能层，所述第一导电功能层设置于所述第一表面，所述第二导电功能层设置于所述第二表面。
8.一种极片，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的复合集流体。
9.一种电芯，其特征在于，包括权利要求8所述的极片。
10.一种二次电池，其特征在于，包括权利要求9所述的电芯。
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