CN112151426A - 硅片刻蚀残留在线分拣装置及具有该装置的生产线及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及太阳能电池领域，尤其涉及硅片刻蚀残留在线分拣装置及具有该装置的生产线及方法，分拣装置包括第一机架，所述第一机架上设置第一皮带传送机，所述第一皮带传送机的上方设置有一个暗箱，所述暗箱内设置有近红外光源和近红外CCD相机，所述近红外光源和近红外CCD相机连接有计算机，所述计算机连接有布置在第一皮带传送机一侧的取片装置，所述第一皮带传送机旁设置有回收装置，所述取片装置和回收装置布置在暗箱下游，本发明还提供了一种包含该在线分拣装置的生产线，本发明还提供了一种在线监控分拣的方法，本发明实现了硅片的在线检测，自动化分拣，确定了统一的标准，提高了分拣的准确率，提高了太阳能电池片的生产效率及良品率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域，尤其涉及硅片刻蚀残留在线分拣装置及具有该装置的生产线及方法。
背景技术
在工业化硅基太阳电池（除一些特殊工艺电池，如HIT电池）制备过程中，刻蚀工艺是必不可少的步骤。其主要用于P型硅片磷扩散、N型硅片硼扩散后的去背结以及一些特殊工艺中去绕镀、去掩模环节。在刻蚀工序中如果刻蚀均匀性不好会导致出现刻蚀残留问题，导致不良品的产生。
以现今热门的N型TOPCon电池为例，其制备流程主要包括：制绒、正面硼扩散、背结刻蚀、背面隧穿氧化及多晶硅沉积、背面磷扩散、刻蚀去除正面绕镀、正面氧化铝沉积、正面氮化硅沉积、背面氮化硅沉积及丝网印刷和烧结。
其中，在背结刻蚀过程中，需要将热扩散在背面形成的硼结完全去除，否则会导致电池正背面短路，造成漏电，影响电池电性能，产生不良品。
此外，背面隧穿氧化及多晶硅沉积、背面磷扩散过程也会在电池正面形成绕镀，去绕镀刻蚀工序容易出现刻蚀不完全现象，留有残留，也会造成电池正背面短路，影响电池电性能，同时也会造成电池外观不良，产生不良品。
目前，业内对去背结刻蚀工序的监控基本采用抽测，而对去除poly绕镀的刻蚀工艺监控一般由刻蚀工艺人员肉眼观察刻蚀线进行监控，两种监控方法效率低并且都易出现错检和漏检。
发明内容
本发明的目的是：克服现有技术中的不足，提供硅片刻蚀残留在线分拣装置及具有该装置的生产线及方法。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
硅片刻蚀残留在线分拣装置，包括第一机架，所述第一机架上设置第一皮带传送机，所述第一皮带传送机的上方设置有一个暗箱，所述暗箱内设置有近红外光源和近红外CCD相机，所述近红外光源和近红外CCD相机连接有计算机，所述计算机连接有布置在第一皮带传送机一侧的取片装置，所述第一皮带传送机一侧设置有回收装置，所述取片装置和回收装置布置在暗箱下游。
进一步的，所述回收装置包括导向板和储料盒，所述储料盒位于导向板下方。
进一步的，所述回收装置包括第二皮带传送机机架，第二皮带传送机机架上安装有第二皮带传送机，所述第二皮带传送机将不良品硅片输送到刻蚀端继续刻蚀。
进一步的，所述第一皮带传送机位于取片装置和回收装置之间，所述取片装置包括推杆，所述推杆水平设置在第一皮带传送机旁，推杆运动方向与第一皮带传送机垂直，所述推杆由步进电机驱动，所述步进电机连接计算机。
进一步的，所述取片装置包括支座，所述支座上设置有垂直移动装置和水平移动装置，所述水平移动装置上设置有吸盘，所述水平移动装置的活动范围包括第一皮带传送机的局部和回收装置的局部。
本发明还提供一种太阳能硅片的生产流水线，所述生产流水线包括上述的硅片刻蚀残留在线分拣装置。
本发明还提供一种硅片刻蚀残留在线监控分拣方法，所述方法包括以下步骤：
步骤一，将待测硅片引上第一皮带传送机起点；
步骤二，待待测硅片流入暗箱，计算机控制近红外光源发光，计算机控制近红外CCD相机拍摄相片，计算机根据相片的亮度值判断待测硅片是否合格；
步骤三，如判定为不良品，待测试硅片流出暗箱，计算机控制取片装置将不亮屏硅片引入回收装置，如判定为良品，则让硅片继续沿着第一皮带传送机流向下游。
进一步的，所述步骤二中判断硅片是否合格的方法是使用计算机测量出所拍摄相片的最大亮度值和平均亮度值，将最大亮度值与平均亮度值的比值与常数T进行比较，所述比值若大于常数T则判定待测硅片不合格，所述比值若小于等于常数T则判定待测硅片合格。
进一步的，所述近红外光源的光源强度单位为Sun时，所述近红外CCD相机的曝光时间单位为s时，所述近红外光源的光源强度与近红外CCD相机曝光时间的乘积大于等于0.02Sun·s，小于等于0.5Sun·s。
进一步的，当近红外CCD相机曝光时间为0.05s，近红外光源强度为1Sun，所述常数T为1.2。
采用本发明的技术方案的有益效果是：
1、以较小的成本，实现了在线检测，每片硅片都能检测到，在不降低效率的前提下保证了良品率。
2、自动分拣出不合格的硅片，并回收，省时省力。
3、确定了统一的标准，实现了自动化分拣，提高了分拣的效率和准确率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中，
图1是第一实施例示意图，暗箱局部剖视；
图2是第二实施例示意图，暗箱局部剖视；
图3是一种取片装置结构示意图；
图4是某块待测的背结刻蚀后的N型硅片；
图5是某块待测背结刻蚀后的N型硅片的PL检测照片；
图6是某块待测的掺磷多晶硅绕镀刻蚀后的N型硅片刻蚀残留检测；
图7是某块待测的掺磷多晶硅绕镀刻蚀后的N型硅片的PL检测照片。
100-计算机 200-暗箱 300-近红外光源 400-近红外CCD相机 500-取片装置501-步进电机 502-推杆 503-吸盘 504-水平移动装置 505-垂直移动装置 506-支座600-第一皮带传送机 700-第一机架 800-待测硅片 900-导向板 1000-储料盒 1100-第二皮带传送机 1200-第二皮带传送机机架。
具体实施方式
现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。本发明利用结构示意图等进行详细描述，示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间。
第1实施例
请参阅图1，能识别刻蚀残留硅片的在线监控分拣装置，包括第一机架700，所述第一机架700上设置第一皮带传送机600，所述第一皮带传送机600的上方设置有一个暗箱200，所述暗箱200内设置有近红外光源300和近红外CCD相机400，所述近红外光源的光源强度单位为Sun时，所述近红外CCD相机的曝光时间单位为s时，所述近红外光源强度与近红外CCD相机400曝光时间的乘积大于等于0.02Sun*s小于等于0.5Sun*s，本实施例的近红外光源300强度选为1Sun，近红外CCD相机400曝光时间选为0.05s，激发光能量>1.12eV，所述近红外CCD相机400能拍摄到的区域即测试区域的大小为标准硅片的尺寸，可选的标准尺寸有M6、M10、G1、G12，待测区域的大小也可以略大于标准硅片的尺寸，本实施例的待测区域大小与G1硅片大小一致，尺寸为边长158.75mm，对角线长223mm，所述近红外近红外光源300和近红外CCD相机400连接有计算机100，所述计算机100连接有布置在第一皮带传送机600一侧的取片装置500，所述第一皮带传送机600一侧设置有回收装置，所述取片装置500和回收装置布置在暗箱200下游。所述回收装置包括导向板900和储料盒1000，所述储料盒1000位于导向板900下方。所述第一皮带传送机600位于取片装置500和回收装置之间，所述取片装置500包括推杆502，所述推杆502水平设置在第一皮带传送机600旁，推杆502运动方向与第一皮带传送机600垂直，所述推杆502由步进电机501驱动，所述步进电机501连接计算机100，所述推杆502面向回收装置。
本实施例还提供一种硅片刻蚀残留在线分拣装置的在线监控分拣方法，所述方法包括以下步骤：
步骤一，将待测硅片800引上第一皮带传送机600起点；
步骤二，待待测硅片800流入暗箱200，计算机100控制近红外光源300发光，计算机100控制近红外CCD相机400拍摄相片，所述近红外光源的光源强度单位为Sun时，所述近红外CCD相机的曝光时间单位为s时，所述近红外光源强度与近红外CCD相机400曝光时间的乘积大于等于0.02Sun*s小于等于0.5Sun*s，本实施例近红外光源300强度为1Sun，近红外CCD相机400曝光时间为0.05s，激发光能量>1.12eV，计算机100根据相片的亮度值判断待测硅片800是否合格，所述判断方法是使用计算机100测量出所拍摄相片的最大亮度值和平均亮度值，将最大亮度值与平均亮度值的比值与常数T进行比较，所述比值若大于常数T则判定待测硅片800不合格，所述比值若小于等于常数T则判定待测硅片800合格,常数T根据实际量产情况来设定，本实施例中T取1.2；
步骤三，如判定为不良品，待测硅片800流出暗箱200，计算机100启动步进电机501，伸出推杆502将硅片推入导向板900，硅片顺着导向板900滑向储料盒1000，等待人工回收；如判定为良品，则让待测硅片800继续沿着第一皮带传送机600流向下游。
使用上述设备和方法对如图4的某块背结刻蚀后的N型硅片刻蚀残留进行检测的步骤如下：
步骤一，将该待测的背结刻蚀后的N型硅片800引上第一皮带传送机600起点；
步骤二，待待测硅片800流入暗箱200，待测硅片800到达测试区，第一皮带传送机600停止，计算机100控制近红外光源300发光，计算机100控制近红外CCD相机400拍摄相片，所述近红外光源的光源强度单位为Sun时，所述近红外CCD相机的曝光时间单位为s时，所述近红外光源强度与近红外CCD相机400曝光时间的乘积大于等于0.02Sun*s小于等于0.5Sun*s，本实施例中近红外光源300强度为1Sun，近红外CCD相机400曝光时间为0.05s，激发光能量>1.12eV，拍摄出的PL测试照片如图5，本实施例中，最大亮度值如图5所示为759.7，平均亮度值如图5所示为464.4，得出T=759.7/464.4≈1.64，T值大于1.2，判定该背结刻蚀后的N型硅片不合格，为不良品，测试结束，第一皮带传送机600继续运转。
步骤三，待测硅片800流出暗箱200，计算机100启动步进电机501，伸出推杆502将硅片推入导向板900，硅片顺着导向板900滑向储料盒1000，等待人工回收。
第2实施例
请参阅图2、3，一种能识别刻蚀残留硅片的在线监控分拣装置，包括第一机架700，所述第一机架700上设置第一皮带传送机600，所述第一皮带传送机600的上方设置有一个暗箱200，所述暗箱200内设置有近红外光源300和近红外CCD相机400，所述近红外光源强度与近红外CCD相机400曝光时间的乘积大于等于0.02Sun*s小于等于0.5Sun*s，本实施例的近红外光源300强度选为1Sun，近红外CCD相机400曝光时间选为0.05s，激发光能量>1.12eV，所述近红外CCD相机400能拍摄到的区域即测试区域的大小为标准硅片的尺寸，可选的标准尺寸有M6、M10、G1、G12，待测区域的大小也可以略大于标准硅片的尺寸，本实施例的待测区域大小与G1硅片大小一致，尺寸为边长158.75mm，对角线长223mm，所述近红外光源300和近红外CCD相机400连接有计算机100，所述计算机100连接有布置在第一皮带传送机600一侧的取片装置500，所述第一皮带传送机600一侧设置有回收装置，所述取片装置500和回收装置布置在暗箱200下游。所述回收装置包括第二皮带传送机机架1200，所述第二皮带传送机机架1200上安装有第二皮带传送机1100，所述第二皮带传送机将判定为不良品的硅片输送到刻蚀端继续刻蚀。所述取片装置500包括支座506，所述支座506上设置有垂直移动装置505和水平移动装置504，所述水平移动装置504上设置有吸盘503，所述水平移动装置504的活动范围包括第一皮带传送机600的局部和回收装置的局部。
本实施例还提供一种硅片刻蚀残留在线分拣装置的在线监控分拣方法，所述方法包括以下步骤：
步骤一，将待测硅片800引上第一皮带传送机600起点；
步骤二，待待测硅片800流入暗箱200，计算机100控制近红外光源300发光，计算机100控制近红外CCD相机400拍摄相片，所述近红外光源的光源强度单位为Sun时，所述近红外CCD相机的曝光时间单位为s时，所述近红外光源强度与近红外CCD相机400曝光时间的乘积大于等于0.02Sun*s小于等于0.5Sun*s，本实施例近红外光源300强度为1Sun，近红外CCD相机400曝光时间为0.05s，激发光能量>1.12eV，计算机100根据相片的亮度值判断待测硅片800是否合格，所述判断方法是使用计算机100测量出所拍摄相片的最大亮度值和平均亮度值，将最大亮度值与平均亮度值的比值与常数1.2进行比较，所述比值若大于常数1.2则判定待测硅片800不合格，所述比值若小于等于常数1.2则判定待测硅片800合格,常数T根据实际量产情况来设定，本实施例中T取1.2；
步骤三，如判定为不良品，待测硅片800流出暗箱200，计算机100控制取片装置500垂直移动装置505下降，吸盘503负压吸住待测硅片800，垂直移动装置505上升，水平移动装置504移动至第二皮带传送机1100，垂直移动装置505下降，吸盘503释压使待测硅片800被释放，硅片沿着第二皮带传送机1100流向下游；如判定为良品，则让待测硅片800继续沿着第一皮带传送机600流向下游。
使用上述设备和方法对如图6的某块掺磷多晶硅绕镀刻蚀后的N型硅片刻蚀残留进行检测的步骤如下：
步骤一，将该待测的背结刻蚀后的N型硅片800引上第一皮带传送机600起点；
步骤二，待待测硅片800流入暗箱200，待测硅片800到达测试区，第一皮带传送机600停止，计算机100控制近红外光源300发光，计算机100控制近红外CCD相机400拍摄相片，所述近红外光源的光源强度单位为Sun时，所述近红外CCD相机的曝光时间单位为s时，所述近红外光源强度与近红外CCD相机400曝光时间的乘积大于等于0.02Sun*s小于等于0.5Sun*s，本实施例近红外光源300强度为1Sun，近红外CCD相机400曝光时间为0.05s，激发光能量>1.12eV，拍摄出的PL测试照片如图7，本实施例中，最大亮度值如图7所示为759.7，平均亮度值如图7所示为464.4，得出T=7500/5319≈1.41，T值大于1.2，判定该掺磷多晶硅绕镀刻蚀后的N型硅片不合格，为不良品，测试结束，第一皮带传送机600继续运转。
步骤三，待测硅片800流出暗箱200，计算机100控制取片装置500垂直移动装置505下降，吸盘503负压吸住待测硅片800，垂直移动装置505上升，水平移动装置504移动至第二皮带传送机1100，垂直移动装置505下降，吸盘503释压使待测硅片800被释放，硅片沿着第二皮带传送机1100流向下游。
本发明还提供一种太阳能硅片的生产流水线，所述太阳能硅片的生产流水线在刻蚀主机台下游具有上述的一种能识别刻蚀残留硅片的在线监控分拣装置，当本发明的回收装置采用第二皮带传送机1100时，可将第二皮带传送机1100的终点接入所述太阳能硅片的生产流水线所在的刻蚀主机台的上游，使不良品硅片继续流向刻蚀主机台，对不良品进行再次刻蚀。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (10)
1.硅片刻蚀残留在线分拣装置，其特征在于：包括第一机架，所述第一机架上设置第一皮带传送机，所述第一皮带传送机的上方设置有一个暗箱，所述暗箱内设置有近红外光源和近红外CCD相机，所述近红外光源和近红外CCD相机连接有计算机，所述计算机连接有布置在第一皮带传送机一侧的取片装置，所述第一皮带传送机一侧设置有回收装置，所述取片装置和回收装置布置在暗箱下游。
2.根据权利要求1所述的硅片刻蚀残留在线分拣装置，其特征在于：所述回收装置包括导向板和储料盒，所述储料盒位于导向板下方。
3.根据权利要求1所述的硅片刻蚀残留在线分拣装置，其特征在于：所述回收装置包括第二皮带传送机机架，第二皮带传送机机架上安装有第二皮带传送机，所述第二皮带传送机将不良品硅片输送到刻蚀端继续刻蚀。
4.根据权利要求2或3任一项所述的硅片刻蚀残留在线分拣装置，其特征在于：所述第一皮带传送机位于取片装置和回收装置之间，所述取片装置包括推杆，所述推杆水平设置在第一皮带传送机旁，推杆运动方向与第一皮带传送机垂直，所述推杆由步进电机驱动，所述步进电机连接计算机。
5.根据权利要求2或3任一项所述的硅片刻蚀残留在线分拣装置，其特征在于：所述取片装置包括支座，所述支座上设置有垂直移动装置和水平移动装置，所述水平移动装置上设置有吸盘，所述水平移动装置的活动范围包括第一皮带传送机的局部和回收装置的局部。
6.一种太阳能硅片的生产流水线，其特征在于：所述生产流水线包括如权利要求1至5中任一项所述的硅片刻蚀残留在线分拣装置。
7.一种如权利要求1-5中任一项所述的硅片刻蚀残留在线分拣装置的在线监控分拣方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤一，将待测硅片引上皮带传送机起点；
步骤二，待待测硅片流入暗箱，计算机控制近红外光源发光，计算机控制近红外CCD相机拍摄相片，计算机根据相片的亮度值判断待测硅片是否合格；
步骤三，如判定为不良品，待测试硅片流出暗箱，计算机控制取片装置将不良品硅片引入回收装置，如判定为良品，则让硅片沿着第一皮带传送机继续流向下游。
8.根据权利要求7所述的硅片刻蚀残留在线分拣装置的在线监控分拣方法，其特征在于：所述步骤二中判断硅片是否合格的方法是使用计算机测量出所拍摄相片的最大亮度值和平均亮度值，将最大亮度值与平均亮度值的比值与常数T进行比较，所述比值若大于常数T则判定待测硅片不合格，所述比值若小于等于常数T则判定待测硅片合格。
9.根据权利要求8所述的硅片刻蚀残留在线分拣装置的在线监控分拣方法，其特征在于：所述近红外光源的光源强度单位为Sun时，所述近红外CCD相机的曝光时间单位为s时，所述近红外光源的光源强度与近红外CCD相机曝光时间的乘积大于等于0.02Sun·s，小于等于0.5Sun·s。
10.根据权利要求9所述的硅片刻蚀残留在线分拣装置的在线监控分拣方法，其特征在于：当近红外CCD相机曝光时间为0.05s，近红外光源强度为1Sun时，所述常数T取1.2。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020181757A1 (en) * | 1998-12-01 | 2002-12-05 | Naoya Takeuchi | Appearance inspection machine and method for concurrently performing defect detection and classification |
| CN203587523U (zh) * | 2013-09-30 | 2014-05-07 | 嘉兴奥途智能科技有限公司 | 电子元器件外观缺陷检测装置 |
| CN104722496A (zh) * | 2015-03-12 | 2015-06-24 | 中国计量学院 | 光伏电池板在线缺陷检测和分拣装置 |
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2020
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020181757A1 (en) * | 1998-12-01 | 2002-12-05 | Naoya Takeuchi | Appearance inspection machine and method for concurrently performing defect detection and classification |
| CN203587523U (zh) * | 2013-09-30 | 2014-05-07 | 嘉兴奥途智能科技有限公司 | 电子元器件外观缺陷检测装置 |
| CN104722496A (zh) * | 2015-03-12 | 2015-06-24 | 中国计量学院 | 光伏电池板在线缺陷检测和分拣装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11800619B2 (en) | 2021-01-21 | 2023-10-24 | Advantest Corporation | Test apparatus, test method, and computer-readable storage medium |
| US11788885B2 (en) | 2021-02-26 | 2023-10-17 | Advantest Corporation | Test apparatus, test method, and computer-readable storage medium |
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