CN112147857A - 图案形成方法以及物品的制造方法 - Google Patents

Abstract

本公开涉及图案形成方法以及物品的制造方法。一种图案形成方法，在基板上的1层形成多个图案，所述图案形成方法包括：第1测量工序，分别测量形成在所述基板上的多个标记；第1形成工序，在所述基板上的1层形成第1图案；第2测量工序，测量所述多个标记中的至少一部分标记；以及第2形成工序，在根据第1测量工序中的测量结果和所述第2测量工序中的测量结果而决定的位置形成第2图案，在所述第2测量工序中，在与所述第1测量工序中的测量结果对应的测量条件下进行所述标记的测量。

Description

图案形成方法以及物品的制造方法

技术领域

本发明涉及图案形成方法以及物品的制造方法。

背景技术

在使用光刻技术来制造设备(半导体设备、液晶显示设备、薄膜磁头等)时，使用将掩模的图案经由投影光学系统投影到涂敷有感光剂的基板来转印图案的曝光装置。

近年来，如专利文献1所公开的，提出了将针对1层的曝光处理分成多次进行、不经过显影工艺而形成1层的图案的曝光装置。在这样的曝光装置中，在进行第1次曝光处理之前，在基板上形成多个对准标记，以所述对准标记为基准，管理在各曝光处理中形成的潜像图案之间的相对位置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-307449号公报

发明内容

发明要解决的问题

作为发明者研究的结果，知道了关于对准标记的形成，对准标记的形成精度根据应形成对准标记的基板上的标记形成区域的状态不同而不同，存在未适当地形成对准标记的可能性。

在以未适当地形成的对准标记为基准而进行图案形成时，有可能在1层中多个图案的配置偏离设计值，可能导致图案的形成精度降低。

解决问题的方法

本发明的图案形成方法在基板上的1层形成多个图案，其特征在于，包括：第1测量工序，分别测量形成在相对原版配置在第1位置的所述基板上的多个标记；第1形成工序，在所述基板上的1层形成第1图案；第2测量工序，在将所述基板相对所述原版配置在与所述第1位置不同的第2位置的状态下，测量所述多个标记中的至少一部分标记；以及第2形成工序，在根据所述第1测量工序中的测量结果和所述第2测量工序中的测量结果而决定的位置形成第2图案，在所述第2测量工序中，在与所述第1测量工序中的测量结果对应的测量条件下进行所述标记的测量。

发明的效果

根据本发明，能够提供有利于抑制图案形成精度降低的技术。

附图说明

图1是示出曝光装置的结构的概略图。

图2是示出光刻系统的结构的图。

图3是示出曝光处理的流程图。

图4是示出对准标记的位置测量和曝光处理的概念图。

图5是示出形成在基板上的对准标记的图。

图6是示出实施例2中的对准标记的形成例的图。

图7是示出实施例3中的对准标记的形成例的图。

图8是示出实施例4中的对准标记的形成例的图。

(符号说明)

13：掩模(原版)；16：基板；18：标记形成部；19：标记测量部；20：控制部。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的优选的实施方式。此外，在各图中，对相同的部件附加相同的参照编号，省略重复的说明。

(实施例1)

图1是示出作为光刻装置的曝光装置1的结构的概略图。曝光装置1用于作为半导体设备、液晶显示设备等设备的制造工序的光刻工序。此外，本发明还能够适用于使用模具在基板上形成压印材料的图案的压印装置、使用带电粒子束在基板上形成图案的描绘装置等，并且作为一个侧面涉及图案形成方法。

曝光装置1进行经由投影光学系统将作为原版的掩模的图案投影到基板上的抗蚀剂膜(感光剂)来形成潜像(潜像图案)的曝光处理。曝光装置1如图1所示，具有照明光学系统12、掩模载置台14、投影光学系统15、基板载置台17、标记形成部18、标记测量部19以及控制部20。

照明光学系统12使用来自光源11的光对掩模13进行照明。掩模载置台14是能够保持并移动掩模13的载置台。投影光学系统15将由照明光学系统12照明的掩模13的图案投影到配置于基板载置台17的基板上，在基板上的抗蚀剂膜上形成潜像图案。基板载置台17是能够保持并移动基板16的载置台。标记形成部18在基板上的抗蚀剂膜上形成对准标记。

标记测量部19通过检测形成于基板上的抗蚀剂膜的对准标记来测量对准标记的位置。控制部20例如由包括CPU、存储器等的计算机构成，依照存储于存储部的程序，总体地控制曝光装置1的各部分。

使用图2说明作为本发明的一个侧面的光刻系统。如图2所示，在本实施方式中，在1层中的图案形成中，用曝光装置1(第1装置)进行第1次曝光处理，用与曝光装置1不同的曝光装置1A(第2装置)进行第2次曝光处理。在此，曝光装置1A具有与曝光装置1等同的结构以及功能。此外，不需要一定将曝光装置1A和曝光装置1设为相同种类的曝光装置，也可以将两者设为不同种类的曝光装置。

光刻系统包括由具有CPU、存储器的计算机构成的主控制部40，通过主控制部40来总体地控制光刻系统整体。另外，经由主控制部40在曝光装置1的控制部20与曝光装置1A的控制部20A之间进行数据、信息的发送接收。在光刻系统中，由基板搬运装置针对曝光装置1搬入基板16，经过了曝光装置1中的曝光处理后的基板16在由基板搬运装置从曝光装置1搬出之后被搬入到曝光装置1A。

接下来，使用图3说明图2所示的光刻系统中的基本的曝光处理。在此，以将针对1层的曝光处理分成2次进行、不经过显影工艺而形成1层的图案的情况为例子进行说明。此时，在进行第1次曝光处理之前，在基板上的抗蚀剂膜上形成对准标记，以该标记为基准，管理在各曝光处理中形成的潜像图案的相对位置。此外，还能够将针对1层的曝光处理分成3次以上进行。

在S301中，将掩模13搬入曝光装置1。具体而言，经由掩模搬运装置(未图示)取出保管于掩模保管架的掩模13，将所述掩模13搬入曝光装置1并保持于掩模载置台14。在S302中，将基板16搬入曝光装置1。具体而言，经由基板搬运装置取出保管于直槽(pod)的基板16，将所述基板16搬入曝光装置1并保持于基板载置台17。此外，在基板16形成有抗蚀剂膜。在此，基板16相对掩模13配置于第1位置。

在S303中，在基板上的抗蚀剂膜上形成对准标记。具体而言，使保持基板16的基板载置台17移动到对准标记的形成位置，由标记形成部18在基板上的抗蚀剂膜上形成对准标记。在S304中，测量在S303中形成的对准标记的位置。具体而言，使保持基板16的基板载置台17移动到作为对准标记的测量位置的标记测量部19的下部，由标记测量部19测量形成于基板上的抗蚀剂膜的对准标记的位置。也将S304的工序称为第1测量工序。

在S305中，进行针对第1层的第1次曝光处理。具体而言，以在S304中测量出的对准标记的位置为基准，使保持基板16的基板载置台17移动到对基板16进行曝光的位置，即掩模13的图案的投影位置(投影光学系统15之下)。然后，进行将掩模13的图案投影到基板上的抗蚀剂膜的目标位置来形成潜像图案的曝光处理。也将S305的工序称为第1形成工序。在S305中，也可以不以在S304中形成的对准标记的位置为基准而形成潜像图案。

在S306中，由基板搬运装置将在S305中进行了第1次曝光处理的基板16从曝光装置1搬出，在使基板16旋转90度之后，搬入到曝光装置1A，并将基板16配置到基板载置台17上。在此，基板16相对掩模13配置于与第1配置不同的第2配置。在其他观点中，能够在曝光装置1中将相对基准方位的旋转角设为第1旋转角来配置基板16，在曝光装置1A中将相对基准方位的旋转角设为与第1旋转角不同的第2旋转角来配置基板16。在本实施方式中，示出了在使基板16旋转90度之后将基板16搬入曝光装置1A的例子，但根据基板16上的图案布局，有时不使基板16旋转而原样地搬入曝光装置1A。

能够在S308中进行曝光装置1A中的对准标记的位置测量之前，在S307中将表示曝光装置1A中的对准标记的测量条件的信息从曝光装置1发送到曝光装置1A。在图3的流程图中，在S304与S305之间进行表示上述测量条件的信息的发送，但也可以在S305与S308之间进行表示上述测量条件的信息的发送。

另外，在图3的流程图中，由曝光装置1决定上述测量条件并将表示所决定的测量条件的信息发送到曝光装置1A，但也可以由曝光装置1A决定上述测量条件。在该情况下，能够从曝光装置1对曝光装置1A发送表示S304中的对准标记的测量结果的信息。而且，在曝光装置1A中，能够根据该测量结果决定S308中的对准标记的测量条件。测量条件的具体的决定方法稍后描述。

在S308中，根据所决定的上述测量条件，测量在S303中形成的对准标记的位置。具体而言，能够使旋转了90度的基板16移动到对准标记的测量位置(标记测量部19之下)，由曝光装置1A的标记测量部19测量对准标记的位置。也将S308的工序称为第2测量工序。

在S309中，进行针对第1层的第2次曝光处理。具体而言，能够以在S308中测量出的对准标记的位置为基准，使旋转了90度的基板16移动到掩模13的图案的投影位置(曝光装置1A的投影光学系统15之下)。然后，进行将掩模13的图案投影到基板上的抗蚀剂膜的目标位置(与进行第1次曝光处理的区域不同的区域)来形成潜像图案的曝光处理。也将S309的工序称为第2形成工序。在第2形成工序中，能够在根据第1测量工序中的测量结果和第2测量工序中的测量结果而决定的位置形成第2图案。在第2形成工序中使用的掩模13与在第1形成工序中使用的掩模13既可以相同，也可以不同。

在S310中，从曝光装置1A搬出基板16。具体而言，经由基板搬运装置将进行了第1次曝光处理以及第2次曝光处理的基板16从基板载置台17回收并从曝光装置1A搬出。以上是本实施方式中的光刻系统的基本的曝光处理的说明。

接下来，参照图4，详细说明图3所示的曝光处理。图4的(a)至(d)示出形成于基板上的抗蚀剂膜的对准标记41、42、43及44、标记测量部19以及标记测量部19的测量范围MR。

如图4的(a)所示，能够在进行第1次曝光处理之前，由标记形成部18例如在基板上的抗蚀剂膜上形成4个标记41、42、43及44(S303)。标记形成部18能够在控制部20的控制下以收敛于标记测量部19的测量范围的方式形成4个标记41、42、43及44。标记形成部18能够使用来自与光源11不同的光源的光(与用于形成潜像图案的光的波长不同的波长的光)(例如激光)去除基板上的抗蚀剂膜来形成对准标记41、42、43及44。但是，标记形成部18也可以通过使用来自光源11的光过量地对基板上的抗蚀剂膜进行曝光来形成标记41、42、43及44。

图4的(b)示出用标记测量部19检测形成于基板上的抗蚀剂膜的标记41及42的状态(S304)。在本实施方式中，标记测量部19能够包括能够使用与来自光源11的光的波长不同的波长的光(非曝光光)来检测标记41、42、43及44的离轴测量仪(off-axis scope)。这样，标记测量部19能够使用非曝光光，在这样的情况下能够不使基板上的抗蚀剂膜感光而测量各标记的位置。

如图1及图4的(a)至(d)所示，在本实施方式中，曝光装置1具有2个标记形成部18和2个标记测量部19，但不限定标记形成部18的数量、标记测量部19的数量。根据应形成于基板上的抗蚀剂膜的对准标记的数量、位置、所述对准标记的位置的测量所需的时间等设置适当的数量的标记形成部18及标记测量部19即可。

接下来，说明S307中的对准标记的测量条件的决定方法。曝光装置1的控制部20可以根据各对准标记的测量结果来决定用作确定曝光处理中的图案形成位置的基准的对准标记，并且决定曝光装置1A中的对准的测量条件。在本实施方式中，能够根据各对准标记是否被用作确定图案形成位置的基准来决定是否设为S308中的标记测量的对象。

如图5所示，对准标记的形状、对比度、大小根据对准标记的形成条件不同而可能不同。作为对准标记的形成条件，可以举出标记形成部18的激光输出的大小、抗蚀剂膜的厚度。

图5的(a)示出形成了最佳的对准标记的状态。图5的(b)示出标记的形状脱离了最佳的形状的状态。这样，在标记的形状变形时，正确地测量标记的位置可能变得困难。图5的(c)示出未清楚地形成标记的状态。在标记不清楚时，由标记测量部19适当地测量标记可能变得困难。例如，在使激光的输出变大并使抗蚀剂膜的厚度变厚时，如图5的(b)所示，标记的形状易于脱离最佳的形状。另外，在使激光的输出变小并使抗蚀剂膜的厚度变薄时，如图5的(c)所示，标记易于变得不清楚。

控制部20将对准标记的形状、对比度、大小中的至少1个作为指标，关于各对准标记决定是否用作确定图案形成位置的基准。具体而言，能够通过以图5的(a)所示的最佳的对准标记的图像为基准评价各对准标记的图像来进行上述决定。

例如，关于形状，可以设置成为基准的正圆度并根据是否脱离该基准来执行上述决定。关于对比度，可以设置成为基准的对比度值并根据是否脱离该基准来执行上述决定。关于大小，可以设置成为基准的标记的尺寸并根据是否脱离该尺寸来执行上述决定。

在此，在图4中，示出对准标记44的形成精度不充分而未用作确定图案形成位置的基准时的例子。在图4的例子中，作为对准标记的测量条件，给出测量作为从形成在基板上的4个标记41、42、43及44中选择的一部分标记的3个标记(41、42及43)这样的测量条件。能够将表示该测量条件的信息从曝光装置1发送到曝光装置1A。另外，在曝光装置1中，根据标记41、42及43的位置来进行图案形成。

如图4的(c)所示，通过根据由标记测量部19测量出的标记41、42及43的位置将掩模13的图案投影到基板上的抗蚀剂膜的目标位置，能够在基板上的抗蚀剂膜上形成潜像图案(曝光像)。从曝光装置1的基板载置台17回收进行了第1次曝光处理的基板16。在第1次曝光处理中，曝光装置1的控制部20能够取得标记41、42及43和拍摄区(shot)1至3的潜像图案的相对的位置关系并发送给曝光装置1A的控制部20。图4的(c)示出进行了第1次曝光处理的状态(S305)的基板16。

作为确定图案形成位置的基准，优选使用3个以上的标记。其原因为，通过使用不存在于同一直线上的3个标记的位置测量，能够计算图案形成位置的X方向移位、Y方向移位、旋转、X方向倍率、Y方向倍率。通过正确地计算这些分量并将其反映在图案形成位置的决定中，能够在基板上的正确的位置形成图案。

图4的(d)示出由曝光装置1A进行各标记的位置测量的情形。在此，进行了第1次曝光处理并回收的基板16例如由基板搬运装置旋转90度，并在该状态下被搬入曝光装置1A。

接下来，曝光装置1A能够通过该标记测量部19测量标记41、42及43的位置。而且，能够根据标记41、42及43的位置和从曝光装置1的控制部发送的标记41、42及43与潜像图案的相对的位置关系，决定在第2次曝光处理中应形成拍摄区4的潜像图案的基板上的抗蚀剂膜的目标位置。在曝光装置1A中，通过将掩模13的图案投影在以这种方式决定的目标位置，在基板上的抗蚀剂膜的适当的位置形成拍摄区4的潜像图案。或者，曝光装置1A能够在根据由曝光装置1进行的第1测量工序中的测量结果和由曝光装置1A进行的第2测量工序中的测量结果决定的位置形成第2图案。

如以上所述，在本实施方式中，能够仅根据适当地形成的对准标记的测量结果来决定基板上的图案形成位置，从而使图案形成位置的精度、图案排列精度提高。

(实施例2)

在实施例1中，在基板16的四角的抗蚀剂膜上形成了对准标记41、42、43、44，但在本实施例中，针对各区域中的每个区域形成多个对准标记。例如，如图6所示，在左上的区域中形成对准标记41A、41B、41C，在右上的区域中形成对准标记42A、42B、42C。并且，在右下的区域中形成对准标记43A、43B、43C，在左下的区域中形成对准标记44A、44B、44C。

基板上的抗蚀剂膜的厚度存在偏差，所以即使在相同条件下进行了对准标记的形成，各对准标记的形成精度也可能不同。因此，通过针对各区域中的每个区域形成多个对准标记，能够从多个对准标记中选择形成精度高的标记，并使用该标记来决定基板上的图案形成位置。如在实施例1中所说明的，以对准标记的形状、对比度、大小中的至少1个为指标来判断各对准标记的形成精度。

另外，也可以使各区域中的多个对准标记的形成条件不同。例如，在形成对准标记41A时，将标记形成部18的激光输出设为第1输出，在形成对准标记41B时，将激光输出设为比第1输出大的第2输出。并且，在形成对准标记41C时，将激光输出设为比第2输出大的第3输出。能够根据实际形成的对准标记的形状、大小、对比度等来适宜地决定用作图案形成位置的基准的对准标记。

这样，在实施例2中，针对各区域中的每个区域对对准标记进行分类，分别决定在各个区域中用作图案形成位置的基准的对准标记。

(实施例3)

在实施例2中，说明使基板16的各区域中的多个对准标记的形成条件不同的方法。在本实施例中，根据针对多个基板的对准标记的形成结果，决定对准标记的适当的形成条件。

具体而言，如图7所示，针对从第1张基板至第n张基板，使基板16的各区域中的多个对准标记的形成条件不同，在各区域中形成多个对准标记。然后，根据对准标记的形状、大小、对比度等，从各区域中的多个对准标记中适宜地决定用作图案形成位置的基准的对准标记(基准标记)。

根据第1张基板至第n张基板的对准标记的形成结果，决定第(n+1)张及其以后的基板中的基准标记的形成条件。由此，在第(n+1)张及其以后的基板中，能够减少在基板上的各区域中形成的对准标记的数量。

例如，如图7的(a)所示，在将m设为1以上n以下的整数时，在第m张基板中，41A-m、42B-m、43C-m、44C-m是基准标记。此时，如图7的(b)所示，在第(n+1)张及其以后的基板中，仅形成对准标记41A-(n+1)、42B-(n+1)、43C-(n+1)、44C-(n+1)。由此，能够缩短第(n+1)张及其以后的基板中的基准标记的形成时间。

此外，在第1张基板至第n张基板中的各基板中，基准标记的形成条件有时不同。此时，在第1张基板至第n张基板中，能够将决定为基准标记的次数最多的形成条件设为第(n+1)张及其以后的基板中的基准标记的形成条件。另外，能够在各基板中积蓄决定为基准标记的对准的形成条件，将它们的平均值设为第(n+1)张及其以后的基板中的基准标记的形成条件。例如，能够积蓄表示各基板中的基准标记形成时的激光输出的信息，将其平均值设定为第(n+1)张及其以后的基板中的基准标记的形成条件。

关于第1张基板至第n张基板中的各基板，将表示从各基板中的多个对准标记中决定的基准标记的位置的信息从曝光装置1发送给曝光装置1A。在曝光装置1A中，根据发送的信息进行基准标记的位置测量。在第(n+1)张基板及其以后，在基板上的各区域中仅形成1个对准标记，所以无需发送接收表示基准标记的位置的信息。

(实施例4)

在本实施例中，在发生形成精度不充分的对准的情况下，再次形成对准标记。

图8的(a)示出作为在预定的条件下进行了对准标记的形成的结果，对准标记51A的形成精度不充分的情况。此时，在实施例1中，从测量对象中去除了对准标记51A，但在本实施例中，如图8的(b)所示，在与对准标记51A不同的位置形成对准标记51B。在由2个标记形成部18形成对准标记的情况下，如图8的(b)所示，可以与对准标记51B一起形成对准标记52B。

在此，可以使对准标记51B的形成条件与对准标记51A的形成条件不同。例如，能够改变激光输出。考虑在对准标记51A的尺寸大于规定值的情况下，使激光输出降低，在对准标记51A的尺寸小于规定值的情况下，使激光输出提高。

(实施例5)

在实施例1中，作为S307中的对准标记的测量条件，发送接收表示是否设为S308的曝光装置1A中的标记测量的对象的信息。在本实施例中，发送接收表示各对准标记的测量次数的信息。

在对准标记的形成精度降低时，易于导致标记测量部19的标记位置的测量精度的降低。因此，已知通过多次进行同一对准标记的测量并对该测量结果进行平均化来抑制标记位置的测量精度的降低的技术。在本实施例中，根据对准标记的形成精度，使标记的测量次数变化。具体而言，标记的形成精度越低，越增加标记的测量次数。由此，能够抑制与标记的形成精度的降低相伴的标记位置的测量精度的降低，作为结果，能够有助于图案形成精度的提高。

(变形例)

到目前为止，以通过与进行了第1次曝光处理的曝光装置1不同的其他曝光装置1A进行第2次曝光处理的结构为例子进行了说明，但也可以设为进行了第1次曝光处理的曝光装置1进行第2次曝光处理的结构。在该情况下，在曝光装置1的内部决定与第2次曝光处理有关的对准标记的测量条件，并将表示该测量条件的信息保存到曝光装置1的控制部20所包括的存储器等。

(物品的制造方法)

本发明的实施方式所涉及的物品的制造方法例如适合于制造半导体设备等微型设备、具有细微构造的元件、平板显示器等物品。本实施方式的物品的制造方法包括使用上述曝光装置在涂敷于基板的感光剂上形成潜像图案的工序(对基板进行曝光的工序)，以及对在所述工序中形成了潜像图案的基板进行显影(加工)的工序。此外，所述制造方法包括其他公知的工序(氧化、成膜、蒸镀、掺杂、平坦化、刻蚀、抗蚀剂剥离、切割、键合、封装等)。本实施方式的物品的制造方法相比于以往的方法，在物品的性能、品质、生产率、生产成本中的至少1个方面更有利。

(其他实施例)

本发明也能够通过将实现上述实施方式的1个以上的功能的程序经由网络或存储介质供给到系统或装置、由该系统或装置的计算机中的1个以上的处理器读出并执行程序的处理来实现。另外，还能够通过实现1个以上的功能的电路(例如ASIC)实现。

以上说明了本发明的优选的实施方式，但本发明当然不限定于这些实施方式，而能够在其要旨的范围内进行各种变形以及改变。

Claims (14)

1.一种图案形成方法，在基板上的1层形成多个图案，其特征在于，所述图案形成方法包括：

第1测量工序，分别测量形成在所述基板上的多个标记；

第1形成工序，在所述基板上的1层形成第1图案；

第2测量工序，测量所述多个标记中的至少一部分标记；以及

第2形成工序，在根据所述第1测量工序中的测量结果和所述第2测量工序中的测量结果而决定的位置形成第2图案，

在所述第2测量工序中，在与所述第1测量工序中的测量结果对应的测量条件下，进行所述标记的测量。

2.根据权利要求1所述的图案形成方法，其特征在于，

在所述基板上形成有至少3个标记。

3.根据权利要求1所述的图案形成方法，其特征在于，

在所述第1测量工序及所述第1形成工序中，将相对基准方位的旋转角设为第1旋转角来配置所述基板，在所述第2测量工序及所述第2形成工序中，将相对所述基准方位的旋转角设为与所述第1旋转角不同的第2旋转角来配置所述基板。

4.根据权利要求3所述的图案形成方法，其特征在于，

所述第2旋转角是从所述第1旋转角旋转了90度的位置。

5.根据权利要求1所述的图案形成方法，其特征在于，

根据在所述第1测量工序中测量到的标记的形状、对比度、大小中的至少1个，决定所述第2测量工序中的测量条件。

6.根据权利要求1所述的图案形成方法，其特征在于，

所述第2测量工序中的测量条件是仅测量从所述多个标记中选择的一部分标记这样的条件。

7.根据权利要求6所述的图案形成方法，其特征在于，

所述多个标记是针对所述基板上的区域中的每个区域而分类的，

所述测量条件是仅测量针对每个所述区域选择的标记这样的条件。

8.根据权利要求1所述的图案形成方法，其特征在于，

所述第2测量工序中的测量条件是表示所述多个标记中的每个标记的测量次数的条件。

9.根据权利要求1所述的图案形成方法，其特征在于，

由第1装置执行所述第1测量工序及所述第1形成工序，由与第1装置不同的第2装置执行所述第2测量工序及所述第2形成工序。

10.根据权利要求9所述的图案形成方法，其特征在于，

在所述第1测量工序之后且在所述第2测量工序之前，从所述第1装置针对所述第2装置发送表示所述测量条件的信息。

11.根据权利要求9所述的图案形成方法，其特征在于，

在所述第1测量工序之后且在所述第2测量工序之前，从所述第1装置针对所述第2装置发送表示所述第1测量工序中的测量结果的信息。

12.根据权利要求11所述的图案形成方法，其特征在于，

在所述第2装置中，根据所述第1测量工序中的测量结果，决定所述测量条件。

13.根据权利要求1所述的图案形成方法，其特征在于，

由同一装置执行所述第1测量工序、所述第1形成工序、所述第2测量工序以及所述第2形成工序。

14.一种物品的制造方法，其特征在于，包括：

形成工序，使用根据权利要求1至13中的任意一项所述的图案形成方法，在基板上形成图案；以及

加工工序，加工在所述形成工序中形成了图案的所述基板，

根据在所述加工工序中加工出的所述基板来制造物品。

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