CN112133253A - 像素驱动电路及显示设备、驱动方法 - Google Patents

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CN112133253A CN202011000646.1A CN202011000646A CN112133253A CN 112133253 A CN112133253 A CN 112133253A CN 202011000646 A CN202011000646 A CN 202011000646A CN 112133253 A CN112133253 A CN 112133253A
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Abstract

本申请实施例公开了一种像素驱动电路及显示设备、驱动方法，其中，所述像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容、数据传输通路和发光元件；所述第一晶体管，用于提供电流至所述发光元件，以驱动所述发光元件发光；所述第二晶体管，用于使所述第一晶体管的漏极和栅极的电位初始化；所述第三晶体管，用于使表示图像的数据信号写入所述存储电容；所述存储电容，用于存储所述数据信号；所述数据传输通路，用于将所述存储电容存储的数据信号传输给所述发光元件；所述发光元件，用于发射所述数据信号对应的光信号。

Description

像素驱动电路及显示设备、驱动方法
技术领域
本申请实施例涉及电子技术，涉及但不限于一种像素驱动电路及显示设备、驱动方法。
背景技术
目前，电子设备在人们的工作和生活中占据越来越多的时间，电子设备显示器的改进也成为人们逐渐关注的重点。随着光学技术和半导体技术的发展，以LCD(LiquidCrystal Display，液晶显示器)和OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管显示器)为代表的显示器具有轻薄、能耗低、反应速度快、色纯度佳、以及对比度高等特点，在显示领域占据了主导地位。
其中，OLED显示器是一种通过电激励荧光有机成分来发光、并且通过利用电压或电流驱动每个有机发光单元来显示图像的显示器。而在每个有机发光单元中，像素驱动电路起着非常重要的作用，如何设计出一种高质量、高性能的像素驱动电路，成为本领域技术人员研究的重点。
发明内容
有鉴于此，本申请实施例提供一种像素驱动电路及显示设备、驱动方法。
本申请实施例的技术方案是这样实现的：
第一方面，本申请实施例提供一种像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容、数据传输通路和发光元件，其中：所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极相连接，所述第一晶体管的源极与所述第三晶体管的漏极相连接，所述第一晶体管的栅极与所述存储电容的下电极相连接；所述存储电容的上电极接入工作电压；所述第二晶体管的源极接入参考信号，所述第二晶体管的栅极接入第一扫描信号；所述第三晶体管的源极接入数据信号，所述第三晶体管的栅极接入第二扫描信号；所述数据传输通路，连接于所述存储电容和所述发光元件之间；
所述第一晶体管，用于提供电流至所述发光元件，以驱动所述发光元件发光；
所述第二晶体管，用于使所述第一晶体管的漏极和栅极的电位初始化；
所述第三晶体管，用于使表示图像的数据信号写入所述存储电容；
所述存储电容，用于存储所述数据信号；
所述数据传输通路，用于将所述存储电容存储的数据信号传输给所述发光元件；
所述发光元件，用于发射所述数据信号对应的光信号；
所述第一扫描信号和所述第二扫描信号用于行选，所述参考信号用于电位初始化。
第二方面，本申请实施例提供一种显示设备，所述显示设备包括上述所述的像素驱动电路。
第三方面，本申请实施例提供一种像素驱动方法，应用于像素驱动电路，所述方法包括：
利用所述电路中的第二晶体管对所述电路中的第一晶体管的漏极和栅极的电位进行初始化；
利用所述电路中的第三晶体管获取表示图像的数据信号，并将所述数据信号写入所述电路的存储电容中；
利用所述电路中的数据传输通路将所述存储电容存储的数据信号传输给所述电路中的发光元件；
通过所述第一晶体管提供的电流驱动所述发光元件发光，以使所述发光元件发射所述数据信号对应的光信号。
本申请实施例提供一种像素驱动电路及显示设备、驱动方法，所述像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容、数据传输通路和发光元件，其中：所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极相连接，所述第一晶体管的源极与所述第三晶体管的漏极相连接，所述第一晶体管的栅极与所述存储电容的下电极相连接；所述存储电容的上电极接入工作电压；所述第二晶体管的源极接入参考信号，所述第二晶体管的栅极接入第一扫描信号；所述第三晶体管的源极接入数据信号，所述第三晶体管的栅极接入第二扫描信号；所述数据传输通路，连接于所述存储电容和所述发光元件之间；所述第一晶体管，用于提供电流至所述发光元件，以驱动所述发光元件发光；所述第二晶体管，用于使所述第一晶体管的漏极和栅极的电位初始化；所述第三晶体管，用于使表示图像的数据信号写入所述存储电容；所述存储电容，用于存储所述数据信号；所述数据传输通路，用于将所述存储电容存储的数据信号传输给所述发光元件；所述发光元件，用于发射所述数据信号对应的光信号；所述第一扫描信号和所述第二扫描信号用于行选，所述参考信号用于电位初始化，如此，能够对像素的驱动管进行初始化，从而改善屏体由于驱动管迟滞效应导致的短期残像问题。
附图说明
图1A为相关技术中像素驱动电路的电路结构示意图；
图1B为相关技术中像素驱动电路的工作时序示意图；
图2为本申请实施例像素驱动电路的电路结构示意图一；
图3为本申请实施例像素驱动电路的电路结构示意图二；
图4A为本申请实施例像素驱动电路的电路结构示意图三；
图4B为本申请实施例像素驱动电路的工作时序示意图；
图5为本申请实施例像素驱动方法的实现流程示意图。
具体实施方式
图1A为相关技术中像素驱动电路的电路结构示意图，如图1A所示，所述像素驱动电路为LTPS(Low Temperature Poly Crystalline Silicon，低温多晶硅)的7T1C(即7个薄膜晶体管加1个存储电容)电路，所述7T1C电路需要两套GOA(Gate Driver On Array，阵列集成栅极驱动)驱动电路，其中第一扫描信号(Scan1)、第二扫描信号(Scan2)和第三扫描信号(Scan3)共用1套GOA驱动电路，控制信号(即EM(Emission)信号)用一套GOA驱动电路。由于LTPS驱动电路中T3晶体管和T4晶体管的漏电较大，导致该像素电路在低频驱动，即频率为1至30Hz(赫兹)时不能对存储电容Cst进行很好的电荷保持，所以屏体易出现亮度变化导致的闪烁等问题。并且，图1A所示的像素驱动电路，只能对G点，即驱动管T1的栅极进行初始化。
图1B为相关技术中像素驱动电路的工作时序示意图，如图1B所示，波形11为第一扫描信号(Scan1)的信号波形图，波形12为第二扫描信号(Scan2)和第三扫描信号(Scan3)的信号波形图，波形13为控制信号(EM)的信号波形图，且第二扫描信号和第三扫描信号的波形相同。
因此，本申请实施例提供了一种像素驱动电路，所述像素驱动电路不但引入了LTPO(低温多晶硅和氧化物，Low Temperature Poly Crystalline Silicon and Oxide)晶体管，还设计了新的电路结构。如此，能够达到以下技术效果：(1)可以对驱动管的漏极和栅极都进行初始化，从而改善屏体由于驱动管迟滞效应导致的短期残像问题。(2)引入了LTPO晶体管，保证了像素驱动电路在低频驱动时连读不会有波动。(3)本申请实施例中的像素驱动电路的驱动信号与现有技术中LTPS的7T1C像素驱动电路的GOA驱动信号完全相同，因此不需要增加新的GOA驱动电路，从而保证采用LTPO技术时屏体的边框能够前后保持一致，不受影响。
下面结合附图和实施例对本申请的技术方案进一步详细阐述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在以下的描述中，涉及到“一些实施例”，其描述了所有可能实施例的子集，但是可以理解，“一些实施例”可以是所有可能实施例的相同子集或不同子集，并且可以在不冲突的情况下相互结合。
在后续的描述中，使用用于表示元件的诸如“模块”、“部件”或“单元”的后缀仅为了有利于本申请的说明，其本身没有特定的意义。因此，“模块”、“部件”或“单元”可以混合地使用。
需要指出，本申请实施例所涉及的术语“第一\第二\第三”仅仅是是区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序，可以理解地，“第一\第二\第三”在允许的情况下可以互换特定的顺序或先后次序，以使这里描述的本申请实施例能够以除了在这里图示或描述的以外的顺序实施。
本申请实施例提供一种像素驱动电路，图2为本申请实施例像素驱动电路的电路结构示意图一，如图2所示，所述像素驱动电路200包括：第一晶体管201、第二晶体管202、第三晶体管203、存储电容204、数据传输通路205和发光元件206，其中：
所述第一晶体管201的漏极与所述第二晶体管202的漏极相连接，所述第一晶体管201的源极与所述第三晶体管203的漏极相连接，所述第一晶体管201的栅极与所述存储电容204的下电极相连接；所述存储电容204的上电极接入工作电压；所述第二晶体管202的源极接入参考信号，所述第二晶体管202的栅极接入第一扫描信号；所述第三晶体管203的源极接入数据信号，所述第三晶体管203的栅极接入第二扫描信号；所述数据传输通路205，连接于所述存储电容204和所述发光元件206之间；
所述第一晶体管201，用于提供电流至所述发光元件206，以驱动所述发光元件206发光；
所述第二晶体管202，用于使所述第一晶体管201的漏极和栅极的电位初始化；
这里，通过所述第二晶体管的源极接入参考信号，所述第二晶体管的栅极接入第一扫描信号，所述第二晶体管，用于使所述第一晶体管的漏极和栅极的电位初始化(即可以对驱动管的漏极和栅极都进行初始化，从而驱动管的漏极和栅极之间的电压为零)，能够达到改善屏体由于驱动管(即第一晶体管)迟滞效应导致的短期残像问题的技术效果。
所述第三晶体管203，用于使表示图像的数据信号写入所述存储电容204；
所述存储电容204，用于存储所述数据信号；
所述数据传输通路205，用于将所述存储电容204存储的数据信号传输给所述发光元件206；
所述发光元件206，用于发射所述数据信号对应的光信号；
这里，所述发光元件可以为OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)。
所述第一扫描信号和所述第二扫描信号用于行选，所述参考信号用于电位初始化。
本申请实施例中提供的像素驱动电路，通过所述第二晶体管，用于使所述第一晶体管的漏极和栅极的电位初始化(即可以对驱动管的漏极和栅极都进行初始化，从而驱动管的漏极和栅极之间的电压为零)，如此，能够改善屏体由于驱动管迟滞效应导致的短期残像问题。
基于前述的实施例，本申请实施例再提供一种像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容、第五晶体管、第六晶体管和发光元件，其中：
所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极相连接，所述第一晶体管的源极与所述第三晶体管的漏极相连接，所述第一晶体管的栅极与所述存储电容的下电极相连接；所述存储电容的上电极接入工作电压；
所述第一晶体管，用于提供电流至所述发光元件，以驱动所述发光元件发光；
所述第二晶体管的源极接入参考信号，所述第二晶体管的栅极接入第一扫描信号；
所述第二晶体管，用于使所述第一晶体管的漏极和栅极的电位初始化；
所述第三晶体管的源极接入数据信号，所述第三晶体管的栅极接入第二扫描信号；
所述第三晶体管，用于使表示图像的数据信号写入所述存储电容；
所述存储电容的上电极与所述第五晶体管的源极相连接，所述存储电容的下电极与所述第一晶体管的栅极相连接；
所述存储电容，用于存储所述数据信号；
所述第五晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极相连接，所述第五晶体管的栅极接入控制信号，所述第五晶体管的源极接入工作电压；
所述第六晶体管的源极与所述第一晶体管的漏极相连接，所述第六晶体管的栅极接入所述控制信号，所述第六晶体管的漏极与所述发光元件的阳极相连接；
所述第五晶体管和所述第六晶体管，用于使所述发光元件在不同的工作状态之间进行切换，所述不同的工作状态包括导通状态和截止状态，其中在所述发光元件处于导通状态的情况下，将所述存储电容中的数据信号传输给所述发光元件；
所述发光元件，用于发射所述数据信号对应的光信号；
其中，所述第一扫描信号和所述第二扫描信号用于行选，所述参考信号用于电位初始化，所述控制信号用于控制所述发光元件的工作状态。
这里，本申请实例中提供的像素驱动电路只有两个低电平有效且脉冲宽度一样的扫描信号。即第二扫描信号和第一扫描信号只是时序错位关系，因此，可以采用同一GOA驱动信号，同时控制信号采用另一套GOA驱动信号。如此，本申请实施例中的像素驱动电路的驱动信号与现有技术中LTPS的7T1C像素驱动电路的GOA驱动信号完全相同，因此不需要增加新的GOA驱动电路，从而保证采用LTPO技术时屏体的边框能够前后保持一致，不受影响。
在一些实施例中，所述电路还包括：第四晶体管，其中：所述第四晶体管的栅极接入所述控制信号，所述第四晶体管的源极与所述第一晶体管的漏极相连接，所述第四晶体管的漏极与所述第一晶体管的栅极相连接；
所述第四晶体管，用于对所述第一晶体管的阈值电压的偏差进行补偿。
基于前述的实施例，本申请实施例再提供一种像素驱动电路，图3为本申请实施例像素驱动电路的电路结构示意图二，如图3所示，所述像素驱动电路300包括：第一晶体管301、第二晶体管302、第三晶体管303、第四晶体管304、存储电容305、第五晶体管306、第六晶体管307、第七晶体管308和发光元件309，其中：
所述第一晶体管301的漏极与所述第二晶体管302的漏极相连接，所述第一晶体管301的源极与所述第三晶体管303的漏极相连接，所述第一晶体管301的栅极与所述存储电容305的下电极相连接；所述存储电容305的上电极接入工作电压；
所述第一晶体管301，用于提供电流至所述发光元件309，以驱动所述发光元件309发光；
所述第二晶体管302的源极接入参考信号，所述第二晶体管302的栅极接入第一扫描信号；
所述第二晶体管302，用于使所述第一晶体管301的漏极和栅极的电位初始化；
所述第三晶体管303的源极接入数据信号，所述第三晶体管303的栅极接入第二扫描信号；
所述第三晶体管303，用于使表示图像的数据信号写入所述存储电容305；
所述第四晶体管304的栅极接入所述控制信号，所述第四晶体管304的源极与所述第一晶体管301的漏极相连接，所述第四晶体管304的漏极与所述第一晶体管301的栅极相连接；
所述第四晶体管304，用于对所述第一晶体管301的阈值电压的偏差进行补偿；
本申请实施例中，通过使所述第一晶体管的栅极的电压等于数据信号对应的电压和所述第一晶体管的阈值电压之和，来对所述第一晶体管的阈值电压的偏差进行补偿。
所述存储电容305的上电极与所述第五晶体管306的源极相连接，所述存储电容305的下电极与所述第一晶体管301的栅极相连接；
所述存储电容305，用于存储所述数据信号；
所述第五晶体管306的漏极与所述第一晶体管301的源极相连接，所述第五晶体管306的栅极接入控制信号，所述第五晶体管306的源极接入工作电压；
所述第六晶体管307的源极与所述第一晶体管301的漏极相连接，所述第六晶体管307的栅极接入所述控制信号，所述第六晶体管307的漏极与所述发光元件309的阳极相连接；
所述第五晶体管306和所述第六晶体管307，用于使所述发光元件309在不同的工作状态之间进行切换，所述不同的工作状态包括导通状态和截止状态，其中在所述发光元件309处于导通状态的情况下，将所述存储电容305中的数据信号传输给所述发光元件309；
这里，所述发光元件的状态包括导通状态、截止状态和饱和状态等。
所述第七晶体管308的源极接入所述参考信号，所述第七晶体管308的栅极接入所述第一扫描信号，所述第七晶体管308的漏极与所述发光元件309的阳极相连接；所述发光元件309的阴极接入接地端电压；
所述第七晶体管308，用于使所述发光元件309的阳极的电位初始化；
所述发光元件309，用于发射所述数据信号对应的光信号；
其中，所述第一扫描信号和所述第二扫描信号用于行选，所述参考信号用于电位初始化，所述控制信号用于控制所述发光元件的工作状态。
在一些实施例中，所述电路中第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管为低温多晶硅LTPS薄膜晶体管；所述第四晶体管为低温多晶硅和氧化物LTPO薄膜晶体管。
这里，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管为PMOS的低温多晶硅LTPS薄膜晶体管，从而所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管的工作状态都为低电平有效。所述第四晶体管为NMOS的低温多晶硅和氧化物LTPO薄膜晶体管，从而所述第四晶体管的工作状态为高电平有效。
本申请实施例中提供的像素驱动电路，通过第四晶体管为LTPO薄膜晶体管，其它晶体管为LTPS薄膜晶体管，如此，能够保证像素驱动电路在低频驱动时连读不会有波动。即，解决了现有技术中的像素电路在低频驱动，即频率为1至30Hz(赫兹)时不能对存储电容Cst进行很好的电荷保持，所以屏体易出现亮度变化导致的闪烁等问题。
目前如何降低手机显示屏的功耗已经成为业内研究的热点，LTPO技术作为其中一种实现方式已经在部分穿戴式产品上得到应用，LTPO技术是一种利用LTPS高迁移率与氧化物TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)低漏电的优势，将两种TFT整合到一起的一种技术。
因此，基于前述的实施例，本申请实施例提出一种LTPO的像素驱动电路，该像素驱动电路可以兼容目前LTPS类型像素驱动电路的GOA驱动信号，而不需要增加新的GOA驱动电路，从而保证采用LTPO技术时屏体的边框不受影响，另外采用本申请实施例中的像素驱动电路时，可以对驱动管进行初始化，从而改善屏体的短期残像问题。
图4A为本申请实施例像素驱动电路的电路结构示意图三，如图4A所示，LTPO 4管为氧化物TFT，其余的晶体管(即LTPS 1管、LTPS 2管、LTPS 3管、LTPS 5管、LTPS 6管和LTPS7管)均为LTPS中PMOS(Positive Channel Metal Oxide Semiconductor，P沟道增强型场效应晶体管)的TFT。其中，所述LTPS 1管为驱动管，且为LTPS的PMOS器件，主要用于控制OLED器件的点亮状态。所述LTPS 2管为开关管，且为LTPS的PMOS器件，主要用于控制存储电容Cst的下电极电位的初始化。所述LTPS 3管为开关管，且为LTPS的PMOS器件，主要用于控制数据信号的写入。所述LTPO 4管为开关管，且为IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)的NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor，N沟道增强型场效应晶体管)器件，主要用于控制数据补偿信号的写入。所述LTPS 5和LTPS 6管为开关管，且为LTPS的PMOS器件，主要用于控制OLED器件是否点亮。所述LTPS 7管为开关管，且为LTPS的PMOS器件，主要用于控制发光二极管OLED阳极电位的初始化。所述存储电容Cst，主要用于保存数据信号。由于与电容相连的TFT更换为了漏电流更低的氧化物TFT(即LTPO)，因此可以很好的保证在低频驱动(即1-30Hz)时亮度不会有波动。
图4B为本申请实施例像素驱动电路的工作时序示意图，如图4B所示，波形41为第一扫描信号(Scan1)的信号波形图，波形42为第二扫描信号(Scan2)的信号波形图，波形43为控制信号(EM)的信号波形图。可以看出，本申请实施例中像素驱动电路的工作时序(即驱动时序)与现有技术中的LTPS的7T1C像素驱动电路的工作时序保持一致。即，在该像素驱动电路中GOA驱动电路与现有LTPS的7T1C像素驱动电路对应的GOA驱动电路可以保持一致。同时，Scan1信号和Scan2信号共用1套GOA驱动电路，EM信号使用一套GOA驱动电路。
其中，图4A所示的像素驱动电路的工作状态分为以下三个阶段：
(1)初始化阶段：LTPS 2、LTPO 4和LTPS 7管打开，其它晶体管关闭。对电容Cst及发光二极管OLED的阳极进行初始化，即将初始化电压Vref写入所述电容Cst的下电极及所述发光二极管OLED的阳极。此时G点电位Vg＝Vref、A点电位Va＝Vref，且D点电位Vd＝Vref，因此LTPS 1管的Vgd＝0，即此时LTPS 1管的栅极和漏极之间的电压为零，从而可以对LTPS 1管进行初始化处理，以避免后续屏体显示中由于LTPS 1管迟滞效应导致的短期残像等显示问题。
(2)数据写入及阈值电压补偿阶段：LTPS 1、LTPS 3和LTPO 4管打开，其它晶体管关闭。控制数据信号电压Vdata写入并获取此时驱动管LTPS 1的阈值电压Vth，此时G点电位Vg＝Vdata+Vth，即此时对驱动管LTPS 1的阈值电压的偏差进行了补偿。
(3)发光阶段：LTPS 1、LTPS 5和LTPS 6管打开，其他晶体管关闭。此时控制发光二极管OLED处于发光状态，且发光电流满足以下公式：Ioled＝1/2K*(Vdd-Vdata)2。其中，所述Ioled为驱动发光二极管OLED发光的电流，所述Vdd为图4A中ELVDD对应的电压，所述Vdata为数据信号电压，即数据输入端口Data的输入电压。所述K由公式K＝μ*Cox*W/L获得，其中，μ为LTPS1管的偏移率，所述Cox为所述存储电容Cst的单位面积电容，所述W为所述LTPS 1管的宽度，所述L为所述LTPS 1管的长度。
本申请实施例提出了一种LTPO像素驱动电路，该电路与目前LTPS的7T1C像素驱动电路的GOA驱动信号完全相同，因此不需要增加新的GOA驱动电路，从而保证采用LTPO技术时屏体的边框与LTPS像素驱动电路的屏体边框保持一致不受影响。另外采用该像素驱动电路时，可以对驱动管LTPS 1进行初始化，从而改善屏体由于LTPS 1管迟滞效应导致的短期残像问题。
基于前述的实施例，本申请实施例提供一种显示设备，所述显示设备包括上述的像素驱动电路。
基于前述的实施例，本申请实施例提供一种像素驱动方法，所述像素驱动方法应用于上述的像素驱动电路，图5为本申请实施例像素驱动方法的实现流程示意图，如图5所示，所述方法包括：
步骤S501、利用所述电路中的第二晶体管对所述电路中的第一晶体管的漏极和栅极的电位进行初始化；
步骤S502、利用所述电路中的第三晶体管获取表示图像的数据信号，并将所述数据信号写入所述电路的存储电容中；
步骤S503、利用所述电路中的数据传输通路将所述存储电容存储的数据信号传输给所述电路中的发光元件；
步骤S504、通过所述第一晶体管提供的电流驱动所述发光元件发光，以使所述发光元件发射所述数据信号对应的光信号。
本申请实施例中，通过利用所述电路中的第二晶体管对所述电路中的第一晶体管的漏极和栅极的电位进行初始化；利用所述电路中的第三晶体管获取表示图像的数据信号，并将所述数据信号写入所述电路的存储电容中；利用所述电路中的数据传输通路将所述存储电容存储的数据信号传输给所述电路中的发光元件；通过所述第一晶体管提供的电流驱动所述发光元件发光，以使所述发光元件发射所述数据信号对应的光信号，如此，能够在实现像素驱动的同时，改善屏体由于驱动管迟滞效应导致的短期残像问题。
基于前述的实施例，本申请实施例再提供一种像素驱动方法，所述像素驱动方法应用于上述的像素驱动电路，所述方法包括：
步骤S511、对第一扫描信号施加小于第一预设值的电压，并对控制信号施加大于第二预设值的电压，以使所述电路中的第二晶体管、第四晶体管和第七晶体管处于打开状态；
这里，所述第二晶体管和所述第七晶体管为PMOS的LTPS，工作状态为低电平有效，因此在对第一扫描信号施加小于第一预设值的电压的情况下，所述第二晶体管和所述第七晶体管处于打开状态。所述第四晶体管为NMOS的LTPO，工作状态为高电平有效，因此在对所述控制信号施加大于第二预设值的电压的情况下，所述第四晶体管处于打开状态。当然，同时还需要对第二扫描信号施加大于第一预设值的电压，以使所述第一晶体管、第三晶体管、第五晶体管和第六晶体管处于关闭状态。
步骤S512、利用所述电路中的第二晶体管和所述第四晶体管，将参考信号写入所述存储电容的下电极和所述第一晶体管的漏极，以使所述第一晶体管的栅极电位对应的电压为所述参考信号对应的电压，所述第一晶体管的漏极电位对应的电压为所述参考信号对应的电压；
在一些实施例中，所述方法还包括：利用所述第七晶体管，将所述参考信号写入所述发光元件的阳极，以使所述发光元件的阳极电位对应的电压为所述参考信号对应的电压。
步骤S513、对第二扫描信号施加小于所述第一预设值的电压，并对所述控制信号施加大于所述第二预设值的电压，以使所述第一晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管处于打开状态；
这里，所述第一晶体管和所述第三晶体管为PMOS的LTPS，工作状态为低电平有效，因此在对第二扫描信号施加小于所述第一预设值的电压的情况下，所述第一晶体管和所述第三晶体管处于打开状态。所述第四晶体管为NMOS的LTPO，工作状态为高电平有效，因此在对所述控制信号施加大于第二预设值的电压的情况下，所述第四晶体管处于打开状态。当然，同时还需要对第一扫描信号施加大于第一预设值的电压，以使所述第二晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管处于关闭状态。
步骤S514、利用所述第三晶体管获取表示图像的数据信号，并将所述数据信号写入所述存储电容；
在一些实施例中，所述方法还包括：利用所述第三晶体管和所述第四晶体管对所述第一晶体管的阈值电压的偏差进行补偿，以使所述第一晶体管的栅极电位对应的电压为所述数据信号对应的电压和所述第一晶体管的阈值电压的和。
步骤S515、对所述控制信号施加小于所述第二预设值的电压，以使所述第一晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管处于打开状态；
这里，所述第一晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管为PMOS的LTPS，工作状态为低电平有效，因此在对所述控制信号施加小于所述第二预设值的电压的情况下，所述第一晶体管、第五晶体管和第六晶体管处于打开状态。当然，同时还需要对第一扫描信号和第二扫描信号都施加大于所述第一预设值的电压，以使所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第七晶体管处于关闭状态。
步骤S516、利用所述第五晶体管和所述第六晶体管，将所述存储电容存储的数据信号传输给所述发光元件；
步骤S517、利用公式I＝1/2K*(Vdd-Vdata)2，确定所述第一晶体管提供的电流；
步骤S518、通过所述电流驱动所述发光元件发光，以使所述发光元件发射所述数据信号对应的光信号；
其中，所述I为驱动所述发光元件发光的电流，所述Vdd为工作电压，所述Vdata为所述数据信号，所述K由公式K＝μ*Cox*W/L获得，所述μ为所述第一晶体管的偏移率，所述Cox为所述存储电容的单位面积电容，所述W为所述第一晶体管的宽度，所述L为所述第一晶体管的长度。
以上方法实施例的描述，与上述电路实施例的描述是类似的，具有同电路实施例相似的有益效果。对于本申请方法实施例中未披露的技术细节，请参照本申请电路实施例的描述而理解。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性的、机械的或其它形式的。
上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个处理模块中，也可以是各单元分别单独作为一个单元，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中；上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤。
本申请所提供的几个产品实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的产品实施例。
本申请所提供的几个方法或设备实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的方法实施例或设备实施例。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容、数据传输通路和发光元件，其中：所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极相连接，所述第一晶体管的源极与所述第三晶体管的漏极相连接，所述第一晶体管的栅极与所述存储电容的下电极相连接；所述存储电容的上电极接入工作电压；所述第二晶体管的源极接入参考信号，所述第二晶体管的栅极接入第一扫描信号；所述第三晶体管的源极接入数据信号，所述第三晶体管的栅极接入第二扫描信号；所述数据传输通路，连接于所述存储电容和所述发光元件之间；
所述第一晶体管，用于提供电流至所述发光元件，以驱动所述发光元件发光；
所述第二晶体管，用于使所述第一晶体管的漏极和栅极的电位初始化；
所述第三晶体管，用于使表示图像的数据信号写入所述存储电容；
所述存储电容，用于存储所述数据信号；
所述数据传输通路，用于将所述存储电容存储的数据信号传输给所述发光元件；
所述发光元件，用于发射所述数据信号对应的光信号；
所述第一扫描信号和所述第二扫描信号用于行选，所述参考信号用于电位初始化。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述数据传输通路包括：第五晶体管和第六晶体管，其中：所述第五晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极相连接，所述第五晶体管的栅极接入控制信号，所述第五晶体管的源极接入工作电压；所述第六晶体管的源极与所述第一晶体管的漏极相连接，所述第六晶体管的栅极接入所述控制信号，所述第六晶体管的漏极与所述发光元件的阳极相连接；所述存储电容的上电极与所述第五晶体管的源极相连接，所述存储电容的下电极与所述第一晶体管的栅极相连接；
所述第五晶体管和所述第六晶体管，用于使所述发光元件在不同的工作状态之间进行切换，所述不同的工作状态包括导通状态和截止状态，其中在所述发光元件处于导通状态的情况下，将所述存储电容中的数据信号传输给所述发光元件；
所述控制信号用于控制所述发光元件的工作状态。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述电路还包括：第四晶体管，其中：所述第四晶体管的栅极接入所述控制信号，所述第四晶体管的源极与所述第一晶体管的漏极相连接，所述第四晶体管的漏极与所述第一晶体管的栅极相连接；
所述第四晶体管，用于对所述第一晶体管的阈值电压的偏差进行补偿。
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电路还包括：第七晶体管，其中：所述第七晶体管的源极接入所述参考信号，所述第七晶体管的栅极接入所述第一扫描信号，所述第七晶体管的漏极与所述发光元件的阳极相连接；所述发光元件的阴极接入接地端电压；
所述第七晶体管，用于使所述发光元件的阳极的电位初始化。
5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述电路中第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管为低温多晶硅LTPS薄膜晶体管；所述第四晶体管为低温多晶硅和氧化物LTPO薄膜晶体管。
6.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括权利要求1至5中任一项所述的像素驱动电路。
7.一种像素驱动方法，其特征在于，应用于像素驱动电路，所述方法包括：
利用所述电路中的第二晶体管对所述电路中的第一晶体管的漏极和栅极的电位进行初始化；
利用所述电路中的第三晶体管获取表示图像的数据信号，并将所述数据信号写入所述电路的存储电容中；
利用所述电路中的数据传输通路将所述存储电容存储的数据信号传输给所述电路中的发光元件；
通过所述第一晶体管提供的电流驱动所述发光元件发光，以使所述发光元件发射所述数据信号对应的光信号。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述利用所述电路中的第二晶体管对所述电路中的第一晶体管的漏极和栅极的电位进行初始化，包括：
对第一扫描信号施加小于第一预设值的电压，并对控制信号施加大于第二预设值的电压，以使所述电路中的第二晶体管、第四晶体管和第七晶体管处于打开状态；
利用所述电路中的第二晶体管和所述第四晶体管，将参考信号写入所述存储电容的下电极和所述第一晶体管的漏极，以使所述第一晶体管的栅极电位对应的电压为所述参考信号对应的电压，所述第一晶体管的漏极电位对应的电压为所述参考信号对应的电压。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：利用所述第七晶体管，将所述参考信号写入所述发光元件的阳极，以使所述发光元件的阳极电位对应的电压为所述参考信号对应的电压。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述利用所述电路中的第三晶体管获取表示图像的数据信号，并将所述数据信号写入所述电路的存储电容中，包括：
对第二扫描信号施加小于所述第一预设值的电压，并对所述控制信号施加大于所述第二预设值的电压，以使所述第一晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管处于打开状态；
利用所述第三晶体管获取表示图像的数据信号，并将所述数据信号写入所述存储电容。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：利用所述第三晶体管和所述第四晶体管对所述第一晶体管的阈值电压的偏差进行补偿，以使所述第一晶体管的栅极电位对应的电压为所述数据信号对应的电压和所述第一晶体管的阈值电压的和。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述数据传输通路包括第五晶体管和第六晶体管；对应地，所述利用所述电路中的数据传输通路将所述存储电容存储的数据信号传输给所述电路中的发光元件，包括：
对所述控制信号施加小于所述第二预设值的电压，以使所述第一晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管处于打开状态；
利用所述第五晶体管和所述第六晶体管，将所述存储电容存储的数据信号传输给所述发光元件。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述通过所述第一晶体管提供的电流驱动所述发光元件发光，以使所述发光元件发射所述数据信号对应的光信号，包括：
利用公式I＝1/2K*(Vdd-Vdata)2，确定所述第一晶体管提供的电流；
通过所述电流驱动所述发光元件发光，以使所述发光元件发射所述数据信号对应的光信号；
其中，所述I为驱动所述发光元件发光的电流，所述Vdd为工作电压，所述Vdata为所述数据信号，所述K由公式K＝μ*Cox*W/L获得，所述μ为所述第一晶体管的偏移率，所述Cox为所述存储电容的单位面积电容，所述W为所述第一晶体管的宽度，所述L为所述第一晶体管的长度。
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