CN112103327A - 一种显示面板及制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示面板及制作方法，其中制作方法包括如下步骤：在基板上制作栅极；制作第一绝缘层；制作有源层；制作光阻隔保护层，所述光阻隔保护层覆盖所述有源层，所述光阻隔保护层用于阻挡和隔绝光线；在光阻隔保护层的上表面制作反射面，所述反射面用于阻挡和隔绝光线；在光阻隔保护层上制作孔，光阻隔保护层上的孔的孔底为有源层，光阻隔保护层上的孔用于作为源极、漏极与有源层的连接点；制作源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过第二绝缘层上的孔连接所述有源层；制作显示功能层。上述技术方案在有源层上制作阻挡光线入侵的光阻隔保护层，光阻隔保护层具有良好的紫外线屏蔽性，同时保障薄膜晶体管的稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板制作领域，尤其涉及一种显示面板及制作方法。
背景技术
AMOLED全称为：Active-matrix organic light-emitting diode，译为：有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体，是一种显示屏技术。其中，“OLED”为有机发光二极体(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器；“AM”为有源矩阵体或称主动式矩阵体是指背后的像素寻址技术。与较传统的TFT-LCD显示器相比，其具备自发光、不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快等优异特性，成为了现今主流的显示屏技术。
IGZO(indium gallium zinc oxide)显示屏技术作为一种新型的薄膜电晶体技术，由于其能耗低、响应时间快、低温制造、良好的弯曲性能、可实现高分辨率等优异性能，成为了柔性AMOLED“主动式矩阵”开关的首选技术。
在申请号为CN201320575160.X，名称为一种薄膜晶体管阵列基板及液晶显示装置中，液晶显示装置中有源层在长时间暴露于白光环境中或是短期受到高功率长波紫外线(UVA)照射后，会发生电性漂移的现象，导致薄膜晶体管的稳定性出现异常。
AMOLED显示技术核心难点在于OLED显示面板的使用寿命和IGZO所驱动的发光性能。而铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，缩写IGZO)的有源层十分容易受白光或者紫外线的影响。
发明内容
为此，需要提供一种显示面板及制作方法，解决薄膜晶体管的有源层受光线影响，其稳定性出现异常的问题。
为实现上述目的，本实施例提供了一种显示面板制作方法，包括如下步骤：
在基板上制作栅极；
制作第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖栅极；
制作有源层，所述有源层位于栅极的上方；
制作光阻隔保护层，所述光阻隔保护层包含纳米金属氧化物，所述光阻隔保护层覆盖所述有源层，所述光阻隔保护层用于阻挡射入到有源层处的光线；
在光阻隔保护层上制作孔，光阻隔保护层上的孔的孔底为有源层，光阻隔保护层上的孔用于作为源极、漏极与有源层的连接点；
制作源极和漏极，所述源极和所述漏极同层设置，所述源极和所述漏极分别通过第二绝缘层上的孔连接所述有源层；
制作显示功能层。
进一步地，在步骤“制作光阻隔保护层”后，在步骤“在光阻隔保护层上制作孔”前，还包括如下步骤：
在光阻隔保护层的上表面制作反射面，所述反射面用于反射射入到有源层处的光线。
进一步地，所述反射面为锯齿状。
进一步地，在步骤“在光阻隔保护层上制作孔，光阻隔保护层上的孔的孔底为有源层，光阻隔保护层上的孔用于作为源极、漏极与有源层的连接点”时，还包括如下步骤：
在光阻隔保护层上制作孔前，先在光阻隔保护层上制作一层第二绝缘层；
然后蚀刻第二绝缘层形成孔，第二绝缘层上的孔贯穿光阻隔保护层，所述第二绝缘层上的孔连通所述连接点。
进一步地，所述制作显示功能层的具体步骤为：
制作钝化层，所述钝化层覆盖所述源极和所述漏极；
制作第一平坦层，并在第一平坦层上蚀刻出第二孔，第二孔贯穿所述钝化层，第二孔的孔底为源极或者漏极；
制作阳极，所述阳极通过所述第二孔连接所述源极或者所述漏极；
制作第二平坦层，并在第二平坦层上蚀刻出第一孔，第一孔的孔底为阳极；
在第一孔中制作像素发光层；
制作阴极，所述阴极连接所述第二平坦层和所述像素发光层。
本实施例还提供一种显示面板，包括基板、薄膜晶体管和显示功能层；
所述薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、有源层、光阻隔保护层、源极和漏极；
所述基板上设置有所述栅极；
所述第一绝缘层覆盖栅极；
所述第一绝缘层上设置有所述有源层，所述有源层位于栅极的上方；
所述光阻隔保护层覆盖所述有源层，所述光阻隔保护层包含纳米金属氧化物，所述光阻隔保护层用于阻挡射入到有源层处的光线；
所述源极和所述漏极同层设置，所述源极和所述漏极分别通过光阻隔保护层上的孔连接所述有源层；
在薄膜晶体管上设置有所述显示功能层。
进一步地，所述光阻隔保护层的上表面设置有反射面，所述反射面用于反射射入到有源层处的光线。
进一步地，所述反射面为锯齿状。
进一步地，还包括第二绝缘层；
所述源极和所述漏极通过所述第二绝缘层设置在所述光阻隔保护层上，所述源极和所述漏极分别通过第二绝缘层上的孔连接所述有源层。
进一步地，所述显示功能层包括钝化层、第一平坦层、阳极、第二平坦层、像素发光层和阴极；
在薄膜晶体管上设置有钝化层；
在钝化层上设置有第一平坦层，第一平坦层上设置有第二孔，第二孔的孔底为薄膜晶体管的源极或者漏极；
在第一平坦层上设置有所述阳极，所述阳极通过所述第二孔连接所述薄膜晶体管的源极或者漏极；
所述第二平坦层设置在所述第一平坦层和所述阳极上，所述第一孔的孔底为所述阳极；
在所述第一孔中设置有所述像素发光层，所述像素发光层连接所述阳极；
在所述像素发光层和所述第二平坦层上设置有所述阴极。
区别于现有技术，上述技术方案在有源层上制作阻挡光线入侵的光阻隔保护层，光阻隔保护层具有良好的紫外线屏蔽性，光阻隔保护层可以避免下方的有源层免受光线的侵害。光阻隔保护层上表面的反射面也进一步对光线进行阻隔，提升薄膜晶体管的稳定性和使用寿命，为薄膜晶体管提供并提升显示面板的发光性能。
附图说明
图1为本实施例制作显示面板的工艺流程图；
图2为本实施例在基板上制作光阻隔保护层的剖面结构示意图；
图3为本实施例在光阻隔保护层上制作反射面的剖面结构示意图；
图4为本实施例在基板上制作第二绝缘层的剖面结构示意图；
图5为本实施例在第二绝缘层上制作孔的剖面结构示意图；
图6为本实施例在基板上制作显示功能层的剖面结构示意图；
图7为本实施例在基板上制作阴极的剖面结构示意图。
附图标记说明：
1、基板；
2、薄膜晶体管；
21、栅极；
22、第一绝缘层；
23、有源层；
24、光阻隔保护层；
25、第二绝缘层；
26、源极；
27、漏极；
3、钝化层；
4、第一平坦层；
5、阳极；
6、第二平坦层；
7、像素发光层。
8、阴极。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
请参阅图1至图7，本实施例提供一种显示面板制作方法，包括如下步骤：在基板1上制作薄膜晶体管2，该步骤对应图1中的步骤一；所述基板1为玻璃基板或者塑料基板等，所述薄膜晶体管2(Thin Film Transistor,TFT)作为开关来控制显示面板上的线路导通与否。所述薄膜晶体管2不仅包括源极26、漏极27、栅极21和有源层23，还包括起到绝缘作用的绝缘层(如第一绝缘层22，也称作栅极绝层)。
首先制作栅极21，请参阅图2，该步骤对应图1中的步骤一；具体的，在基板1上涂布光阻，图形化光阻，即对光阻进行曝光和显影，使得要制作栅极21的区域开口。接着采用蒸镀、电镀或溅镀的方式镀上栅极金属，在基板1上形成栅极21，最后金属举离和去胶清洗。优选的，所述栅极21为单层钼或者多层金属堆叠，所述栅极21的厚度为0.07um(微米)～0.10um(微米)。
为了实现栅极21与其它金属之间的隔离，在栅极21上制作第一绝缘层22，请参阅图2，该步骤对应图1中的步骤一；具体的，在基板1上采用化学气相沉积法镀上氮化物、氧化硅或者其它绝缘材料，在基板1上形成覆盖栅极的第一绝缘层22。所述第一绝缘层22覆盖所述栅极21，第一绝缘层22起到绝缘的作用，隔离金属间的直接连接。
然后制作有源层23，请参阅图2，该步骤对应图1中的步骤一；所述有源层23位于栅极的上方。所述有源层为多晶硅、碳纳米管或者氧化物半导体。优选的，所述有源层的膜层厚度为0.05(微米)～0.07um(微米)。所述有源层为铟镓锌氧化物(IGZO)，是IGZO TFT显示面板的核心材料层，也由于铟镓锌氧化物(IGZO)的有源层受光照的影响最强，所以本申请以铟镓锌氧化物(IGZO)的有源层为基础。
有源层23制作完毕后，制作光阻隔保护层24，所述光阻隔保护层24用于阻挡和隔绝光线，请参阅图2，该步骤对应图1中的步骤二；具体的，通过等离子增强化学气相沉积的方式沉积光阻隔保护层材料到基板上，在有源层23上形成光阻隔保护层24。所述光阻隔保护层24覆盖所述有源层23，使得光阻隔保护层24可以避免下方的有源层23受到光线的侵害。所述光阻隔保护层包含纳米金属氧化物，如纳米氧化锌、纳米二氧化钛、纳米三氧化二铝及纳米氧化镁等，将这些金属氧化物粉末制成纳米级时，由于微粒之尺寸与光波相当或更小时，由于尺寸效应导致使导带及价带的间隔增加，使得这些纳米金属氧化物对光线的遮蔽及反射效率有不同的差异。
优选的，所述光阻隔保护层24为纳米氧化锌。纳米氧化锌的粒子粒径介于1nm(纳米)～100nm(纳米)之间，是一种高功能精细无机产品，具有良好的紫外线屏蔽性。
优选的，所述光阻隔保护层24的膜层厚度为0.07um(微米)～0.10um(微米)。
为了进一步增强光阻隔保护层24屏蔽紫外线的能力，在光阻隔保护层24的上表面制作出反射面，请参阅图3，该步骤对应图1中的步骤二；具体的，涂布光阻，图形化光阻，即对光阻进行曝光和显影，使得要蚀刻的部位开口。随后以光阻蚀刻光阻隔保护层的上表面，形成反射面。反射面制作完毕后清除光阻。所述反射面为凹凸结构，所述反射面可以是波浪形或者锯齿形，或者反射面的凹陷部的侧壁为竖直于基板。凹凸不平的反射面可以反射掉射入到有源层处的光线，更好地对有源层进行保护，维持薄膜晶体管的稳定性。
薄膜晶体管中的有源层(尤其是铟镓锌氧化物的有源层)在长时间暴露于白光环境中或是短期受到高功率长波紫外线(UVA)照射后，会发生电性漂移的现象，导致薄膜晶体管的稳定性出现异常。为了增强有源层的稳定性，上述技术方案在有源层上制作阻挡光线入侵的光阻隔保护层，光阻隔保护层具有良好的紫外线屏蔽性，光阻隔保护层可以避免下方的有源层免受光线的侵害。光阻隔保护层上表面的反射面也进一步对光线进行阻隔，提升薄膜晶体管的稳定性和使用寿命，为薄膜晶体管提供并提升显示面板的发光性能。
在某些实施例中，还可以通过电浆处理的方式蚀刻光阻隔保护层的上表面，形成反射面。
制作第二绝缘层25，请参阅图4，该步骤对应图1中的步骤三；具体的，在基板上采用化学气相沉积法镀上氮化物、氧化硅或者其它绝缘材料，在光阻隔保护层上形成覆盖栅极的第二绝缘层25，所述第二绝缘层25覆盖所述光阻隔保护层和薄膜晶体管。
为了实现源极(漏极)和有源层之间的连接，蚀刻第二绝缘层25形成孔，请参阅图5，该步骤对应图1中的步骤四；具体的，涂布光阻，图形化光阻，即对光阻进行曝光和显影，使得要制作孔的部位开口。然后以光阻为掩模蚀刻第二绝缘层至有源层形成孔。第二绝缘层上的孔制作完毕后，清除光阻。第二绝缘层上的孔贯穿光阻隔保护层，第二绝缘层上的孔的孔底为所述有源层23。
然后制作源极26和漏极27，请参阅图6，该步骤对应图1中的步骤四；具体的，涂布光阻，图形化光阻，即对光阻进行曝光和显影，使得要制作源极和漏极的部位开口。然后采用蒸镀或溅镀的方式镀上源极和漏极所需要的金属，形成源极26和漏极27。所述源极26和所述漏极27同层设置，所述源极26和所述漏极27分别通过第二绝缘层上的孔连接到有源层23。
优选的，所述源极(或者漏极)为单层钼或者多层金属堆叠，所述源极(或者漏极)的厚度为0.25um(微米)～0.30um(微米)。
薄膜晶体管制作完毕后，制作显示面板的显示功能层。所述显示功能层包括钝化层、第一平坦层、阳极、第二平坦层、像素发光层和阴极，制作的方法如下：
为了保护薄膜晶体管，制作钝化层3，请参阅图6，该步骤对应图1中的步骤五；具体的，可以采用化学气相沉积法镀上氮化硅、氧化硅或其他绝缘的材料，在薄膜晶体管2上形成钝化层3，所述钝化层3覆盖薄膜晶体管2，起到避免源极和漏极连接而短路。
为了填平基板上因为成型薄膜晶体管所造成的高低不平，制作第一平坦层4，请参阅图6，该步骤对应图1中的步骤五；具体的，可以采用化学气相沉积法镀上氮化硅、氧化硅或其他绝缘的材料，在钝化层3上形成第一平坦层4，所述第一平坦层4覆盖所述钝化层3。所述第一平坦层4具有一定的厚度，所述第一平坦层4的上表面是平整的平面，能够平整显示面板因各种不同层图案所造成的面内段差，便于后续膜层的良好叠加，提升显示面板的显示效果。
所述第一平坦层4制作完毕后，在所述第一平坦层4上制作第二孔，第二孔用于连接所述源极(或者所述漏极)与阳极，请参阅图6，该步骤对应图1中的步骤五。具体的，先涂布光阻，随后图形化光阻，即对光阻进行曝光和显影，使得要制作第二孔的部位开口，而后以光阻为掩模蚀刻第一平坦层4至薄膜晶体管的源极26或者漏极27形成第二孔。所述第二孔的孔底为薄膜晶体管的源极或者漏极。第二孔制作完毕后，清除光阻。当阳极要连接所述源极，那么就在源极上方的第一平坦层蚀刻出第二孔；当阳极要连接所述漏极，那么就在漏极上方的第一平坦层蚀刻出第二孔。
然后制作阳极5，所述阳极5要与所述薄膜晶体管2实现连接，请参阅图6，该步骤对应图1中的步骤六；具体的，涂布光阻，随后图形化光阻，即对光阻进行曝光和显影，使得要制作阳极5的部位开口。采用溅镀或者蒸镀的方式镀上阳极材料，阳极材料如氧化铟锡(Indium tin oxide，缩写ITO)或者其他相似的材料，最终在第一平坦层4上形成阳极5。所述阳极5通过所述第二孔连接所述薄膜晶体管的源极或者漏极，所述阳极5无需覆盖全部的第一平坦层4。所述阳极制作完毕后，清除光阻。所述阳极5的厚度为0.20um～0.22um。
然后制作第二平坦层6(也称作像素定义层)，第二平坦层6的作用是定义显示面板的每一个独立子像素单元，其大小限定了显示面板单个像素的大小，请参阅图6，该步骤对应图1中的步骤七。所述第二平坦层6可以为氧化硅或者氮化硅等，所述第二平坦层6的厚度为2.0um～2.2um。
然后蚀刻第二平坦层形成第一孔，所述第一孔用于容置像素发光层，请参阅图6，该步骤对应图1中的步骤七；具体的，涂布光阻，随后图形化光阻，即对光阻进行曝光和显影，使得要制作第一孔的部位开口。然后以光阻为掩模蚀刻第二平坦层6至阳极5，形成第一孔。所述第一孔的孔底为所述阳极。第一孔制作完毕后，清除光阻。
制作像素发光层7，所述像素发光层7置于所述第一孔中，所述像素发光层7与阳极5连接，请参阅图6，该步骤对应图1中的步骤八。如要让显示面板为OLED显示面板，像素发光层7可以为有机发光功能制成，依次包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、电洞阻挡层、电子传输层和电子注入层。第一孔与像素发光层为一一对应的关系，在显示面板上设置有多个的像素发光层，以实现显示功能。
然后制作阴极8，请参阅图7，该步骤对应图1中的步骤八。具体的，涂布光阻，图形化光阻，即曝光和显影光阻，使得要制作阴极8的部位开口。然后采用溅镀或者蒸镀的方式镀上阴极材料，在所述第一平坦层4和像素发光层7上形成所述阴极8，所述阴极8覆盖所述像素发光层7。所述阴极8的厚度为0.20um(微米)～0.25um(微米)。所述阴极主要由低功函数制成，可以使以一定比例混合的银镁合金材料，也可以是氟化锂(LiF)等。
请参阅图2至图7，本实施例还一种显示面板，包括基板1和薄膜晶体管2，所述薄膜晶体管2包括栅极21、第一绝缘层22、有源层23、光阻隔保护层24、第二绝缘层25、源极26和漏极27。所述基板1为玻璃基板或者塑料基板等，所述薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)作为开关来控制显示面板上的线路导通与否。所述基板1上设置有所述栅极21。优选的，所述栅极21为单层钼或者多层金属堆叠，所述栅极21的厚度为0.07um(微米)～0.10um(微米)。所述第一绝缘层22覆盖栅极21，所述第一绝缘层22起到绝缘的作用，隔离金属间的直接连接。所述第一绝缘层上设置有所述有源层23，所述有源层23位于栅极21的上方。所述光阻隔保护层24覆盖所述有源层23，所述光阻隔保护层包含纳米金属氧化物，所述光阻隔保护层24用于阻挡和隔绝光线。所述光阻隔保护层24上设置有所述第二绝缘层25，。所述第二绝缘层25上设置有所述源极26和所述漏极27，所述源极26和所述漏极27同层设置，所述源极和所述漏极分别通过第二绝缘层上的孔连接所述有源层23。在薄膜晶体管上设置有显示功能层。
薄膜晶体管中的有源层(尤其是铟镓锌氧化物的有源层)在长时间暴露于白光环境中或是短期受到高功率长波紫外线(UVA)照射后，会发生电性漂移的现象，导致薄膜晶体管的稳定性出现异常。为了增强有源层的稳定性，上述技术方案在有源层上制作阻挡光线入侵的光阻隔保护层，光阻隔保护层具有良好的紫外线屏蔽性，光阻隔保护层可以避免下方的有源层免受光线的侵害。光阻隔保护层上表面的反射面也进一步对光线进行阻隔，提升薄膜晶体管的稳定性和使用寿命，为薄膜晶体管提供并提升显示面板的发光性能。
所述光阻隔保护层包含纳米金属氧化物，如纳米氧化锌、纳米二氧化钛、纳米三氧化二铝及纳米氧化镁等，将这些金属氧化物粉末制成纳米级时，由于微粒之尺寸与光波相当或更小时，由于尺寸效应导致使导带及价带的间隔增加，使得这些纳米金属氧化物对光线的遮蔽及反射效率有不同的差异。
优选的，所述光阻隔保护层24为纳米氧化锌。纳米氧化锌的粒子粒径介于1nm(纳米)～100nm(纳米)之间，是一种高功能精细无机产品，具有良好的紫外线屏蔽性。
优选的，所述光阻隔保护层24的膜层厚度为0.07um(微米)～0.10um(微米)。
在本实施例中，为了进一步增强光阻隔保护层24屏蔽紫外线的能力，在光阻隔保护层24的上表面设置有反射面，请参阅图3。所述反射面为凹凸结构，所述反射面可以是波浪形或者锯齿形，或者反射面的凹陷部的侧壁为竖直于基板。凹凸不平的反射面可以反射掉射入到有源层处的光线，更好地对有源层进行保护，维持薄膜晶体管的稳定性。
优选的，所述第一绝缘层22为氮化硅或者氧化硅，所述第二绝缘层25为氮化硅或者氧化硅。
在本实施例中，所述第二平坦层6可以为氧化硅或者氮化硅等，所述第二平坦层6的厚度为2.0um～2.2um。
请参阅图6和图7，在本实施例中所述显示功能层包括钝化层、第一平坦层、阳极、第二平坦层、像素发光层和阴极。
为了避免源极和漏极短接，在薄膜晶体管2上设置有钝化层3；所述钝化层3为氮化硅、氧化硅或其他绝缘的材料，所述钝化层3覆盖薄膜晶体管2，起到避免源极和漏极连接而短路。
为了填平基板上因为成型薄膜晶体管所造成的高低不平，在钝化层3上设置有第一平坦层4。所述第一平坦层4为氮化硅、氧化硅或其他绝缘的材料所述第一平坦层4具有一定的厚度，所述第一平坦层4的上表面是平整的平面，能够平整显示面板因各种不同层图案所造成的面内段差，便于后续膜层的良好叠加，提升显示面板的显示效果。
第一平坦层4上设置有第二孔。第二孔的孔底为薄膜晶体管的源极或者漏极。当阳极要连接所述源极，那么就在源极上方的第一平坦层处设置有第二孔；当阳极要连接所述漏极，那么就在漏极上方的第一平坦层处设置有第二孔。
在第一平坦层4上设置有阳极5，所述阳极5通过所述第三孔连接所述薄膜晶体管的源极26或者漏极27。所述阳极5如氧化铟锡(Indium tin oxide，缩写ITO)或者其他相似的材料，所述阳极5无需覆盖全部的第一平坦层4。
在第一平坦层4和阳极5上设置有第二平坦层6(也称作像素定义层)，第二平坦层6的作用是定义显示面板的每一个独立子像素单元，其大小限定了显示面板单个像素的大小。
第二平坦层6上设置有第一孔，第一孔的孔底为阳极，所述第一孔作为所述阳极5和所述像素发光层的连接点。所述第一孔中设置有所述像素发光层7，所述像素发光层7与阳极5连接。
在本实施例中，如要让显示面板为OLED显示面板，像素发光层7可以为有机发光功能制成，依次包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、电洞阻挡层、电子传输层和电子注入层。第一孔与像素发光层为一一对应的关系，在显示面板上设置有多个的像素发光层，以实现显示功能。
在所述第一平坦层4和像素发光层7上设置有所述阴极8，所述阴极8覆盖所述像素发光层7。所述阴极8的厚度为0.20um(微米)～0.25um(微米)。所述阴极8主要由低功函数制成，可以使以一定比例混合的银镁合金材料，也可以是氟化锂(LiF)等。
需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围之内。
Claims (10)
1.一种显示面板制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基板上制作栅极；
制作第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖栅极；
制作有源层，所述有源层位于栅极的上方；
制作光阻隔保护层，所述光阻隔保护层包含纳米金属氧化物，所述光阻隔保护层覆盖所述有源层，所述光阻隔保护层用于阻挡射入到有源层处的光线；
在光阻隔保护层上制作孔，光阻隔保护层上的孔的孔底为有源层，光阻隔保护层上的孔用于作为源极、漏极与有源层的连接点；
制作源极和漏极，所述源极和所述漏极同层设置，所述源极和所述漏极分别通过第二绝缘层上的孔连接所述有源层；
制作显示功能层。
2.根据权利要求1所述的一种显示面板制作方法，其特征在于，在步骤“制作光阻隔保护层”后，在步骤“在光阻隔保护层上制作孔”前，还包括如下步骤：
在光阻隔保护层的上表面制作反射面，所述反射面用于反射射入到有源层处的光线。
3.根据权利要求2所述的一种显示面板制作方法，其特征在于，所述反射面为锯齿状。
4.根据权利要求1所述的一种显示面板制作方法，其特征在于，在步骤“在光阻隔保护层上制作孔，光阻隔保护层上的孔的孔底为有源层，光阻隔保护层上的孔用于作为源极、漏极与有源层的连接点”时，还包括如下步骤：
在光阻隔保护层上制作孔前，先在光阻隔保护层上制作一层第二绝缘层；
然后蚀刻第二绝缘层形成孔，第二绝缘层上的孔贯穿光阻隔保护层，所述第二绝缘层上的孔连通所述连接点。
5.根据权利要求1所述的一种显示面板制作方法，其特征在于，所述制作显示功能层的具体步骤为：
制作钝化层，所述钝化层覆盖所述源极和所述漏极；
制作第一平坦层，并在第一平坦层上蚀刻出第二孔，第二孔贯穿所述钝化层，第二孔的孔底为源极或者漏极；
制作阳极，所述阳极通过所述第二孔连接所述源极或者所述漏极；
制作第二平坦层，并在第二平坦层上蚀刻出第一孔，第一孔的孔底为阳极；
在第一孔中制作像素发光层；
制作阴极，所述阴极连接所述第二平坦层和所述像素发光层。
6.一种显示面板，其特征在于，包括基板、薄膜晶体管和显示功能层；
所述薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、有源层、光阻隔保护层、源极和漏极；
所述基板上设置有所述栅极；
所述第一绝缘层覆盖栅极；
所述第一绝缘层上设置有所述有源层，所述有源层位于栅极的上方；
所述光阻隔保护层覆盖所述有源层，所述光阻隔保护层包含纳米金属氧化物，所述光阻隔保护层用于阻挡射入到有源层处的光线；
所述源极和所述漏极同层设置，所述源极和所述漏极分别通过光阻隔保护层上的孔连接所述有源层；
在薄膜晶体管上设置有所述显示功能层。
7.根据权利要求6所述的一种显示面板，其特征在于，所述光阻隔保护层的上表面设置有反射面，所述反射面用于反射射入到有源层处的光线。
8.根据权利要求7所述的一种显示面板，其特征在于，所述反射面为锯齿状。
9.根据权利要求6所述的一种显示面板，其特征在于，还包括第二绝缘层；
所述源极和所述漏极通过所述第二绝缘层设置在所述光阻隔保护层上，所述源极和所述漏极分别通过第二绝缘层上的孔连接所述有源层。
10.根据权利要求6所述的一种显示面板，其特征在于，所述显示功能层包括钝化层、第一平坦层、阳极、第二平坦层、像素发光层和阴极；
在薄膜晶体管上设置有钝化层；
在钝化层上设置有第一平坦层，第一平坦层上设置有第二孔，第二孔的孔底为薄膜晶体管的源极或者漏极；
在第一平坦层上设置有所述阳极，所述阳极通过所述第二孔连接所述薄膜晶体管的源极或者漏极；
所述第二平坦层设置在所述第一平坦层和所述阳极上，所述第一孔的孔底为所述阳极；
在所述第一孔中设置有所述像素发光层，所述像素发光层连接所述阳极；
在所述像素发光层和所述第二平坦层上设置有所述阴极。
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