CN112103323A - 显示面板及其制造方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制造方法和显示装置，其中，显示面板，包括透明区域；第一显示区域，所述第一显示区域具有多个向正面发光的第一像素和多个向背面发光的第二像素；光波导，所述光波导具有光束耦入区域和光束耦出区域，各所述第二像素发射的光束自所述光束耦入区域进入所述光波导，且以全反射的方式传播至所述光束耦出区域，并自所述光束耦出区域出射至所述透明区域。上述方案，即具有向正面发光的第一像素和向背面发光的第二像素，第二像素发出的光通过光波导出射至透明区域，使得透明区域也可以进行显示，因此提高了屏占比。

Description

显示面板及其制造方法和显示装置

技术领域

本发明一般涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制造方法和显示装置。

背景技术

目前，移动终端设备，如手机、平板电脑等，其屏占比越来越高。但是，由于某些功能的需要，如前置摄像头、激光传感器、光线传感器等，需要在显示面板的某些区域开孔或不制作像素，这就影响了屏占比的进一步提高。

发明内容

本申请期望提供一种显示面板及其制造方法和显示装置，至少用于提高屏占比。

第一方面，本发明提供一种显示面板，包括：

透明区域；

第一显示区域，所述第一显示区域具有多个向正面发光的第一像素和多个向背面发光的第二像素；

光波导，所述光波导具有光束耦入区域和光束耦出区域，各所述第二像素发射的光束自所述光束耦入区域进入所述光波导，且以全反射的方式传播至所述光束耦出区域，并自所述光束耦出区域出射至所述透明区域。

作为可实现方式，所述第二像素与所述光波导之间设置有光耦合层，所述光耦合层用于将各所述第二像素发射的光束汇聚至所述光波导。

作为可实现方式，所述光耦合层具有凸透镜阵列或汇聚光栅。

作为可实现方式，所述光波导包括导光层，位于所述导光层同一表面或相背表面的耦入光栅和耦出光栅，所述耦入光栅位于所述光束耦入区域，所述耦出光栅位于所述光束耦出区域。

作为可实现方式，所述光束耦入区域正对所述第一显示区域，所述光束耦出区域正对所述透明区域；所述第一显示区域的轮廓能够包容所述透明区域的轮廓。

作为可实现方式，还包括第二显示区域，所述第二显示区域具有多个向正面发光的第三像素；所述第一显示区域的像素密度大于所述第二显示区域的像素密度。

作为可实现方式，包括像素层，各所述第一像素和各所述第二像素位于所述像素层，所述像素层包括第一电极层，所述第一电极层包括于各第一像素位置反光的第一子电极和于各第二像素位置透明的第二子电极，所述第一电极层上设置有像素界定层，所述像素界定层设置有至少分别暴露所述第一子电极和第二子电极的开口，各所述开口内形成有机发光层，所述像素界定层上设置有覆盖所述有机发光层的第二电极层，所述第二电极层于第一像素位置的厚度小于所述第二像素位置的厚度。

第二方面，本发明提供一种显示装置，包括上述的显示面板。

第三方面，本发明提供一种上述显示面板的制造方法，包括以下步骤：

形成像素层，所述像素层于所述第一显示区域具有多个向正面发光的第一像素和多个向背面发光的第二像素；

在所述像素层的所述第二像素的出光侧形成光波导，所述光波导具有光束耦入区域和光束耦出区域，各所述第二像素发射的光束自所述光束耦入区域进入所述光波导，且以全反射的方式传播至所述光束耦出区域，并自所述光束耦出区域出射至所述透明区域。

作为可实现方式，在所述第二像素与所述光波导之间，形成光耦合层，所述光耦合层用于将各所述第二像素发射的光束汇聚至所述光波导。

上述方案，即具有向正面发光的第一像素和向背面发光的第二像素，第二像素发出的光通过光波导出射至透明区域，使得透明区域也可以进行显示，因此提高了屏占比。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本发明实施例提供的显示面板的主视图；

图2为图1的A-A剖视图(仅示出了第一像素和第二像素各一个)；

图3为本发明实施例提供显示装置的剖视图；

图4-图14为本发明实施例提供的显示面板的制造方法的过程结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

如图1、图2所示，本发明实施例提供一种显示面板，包括：

透明区域41；该透明区域41例如但不限于为开孔区域或不设置像素的区域，在该显示面板应用于显示设备的情况下，根据使用功能的需要，对应于该透明区域41可以设置摄像头、光线传感器、激光传感器等部件。

第一显示区域42，所述第一显示区域42具有多个向正面发光的第一像素46和多个向背面发光的第二像素45；第一显示区域42在显示面板中的位置、形状及大小这里不做具体限定，可以根据实际需要来确定，只要在该第一显示区域42内设置向正面发光的第一像素46 和向背面发光的第二像素45即可，同样这里不对第一像素46及第二像素45的大小、数量及像素密度等进行具体限定。

第一像素46和第二像素45可以是白光像素，也可以是红禄蓝三原色的像素，在采用白光像素时，需要设置色阻来进行颜色的转换。

例如但不限于，第一像素46和第二像素45是交替设置的。

需要说明的是，本文所指的正面是显示面板在显示时，朝向使用者的一面，与其相背的一面为背面。

光波导，所述光波导具有光束耦入区域和光束耦出区域，各所述第二像素45发射的光束自所述光束耦入区域进入所述光波导，且以全反射的方式传播至所述光束耦出区域，并自所述光束耦出区域出射至所述透明区域41。

一般地，为了降低光传输过程中的损耗，第一显示区域42可以尽量的靠近透明区域41。

上述方案，即具有向正面发光的第一像素46和向背面发光的第二像素45，第二像素45发出的光通过光波导出射至透明区域41，并最终进入使用者的眼睛44，使得透明区域41也可以进行显示，因此提高了屏占比。也即，将本该透明区域41设置的像素进行显示的图像，由第二像素45进行显示，然后再将由第二像素45显示的图像，经光波导传输至透明区域41，以填补透明区域41，相较于现有技术中，透明区域41不能显示图像来说，本方案可以使用户看到完整的图像。

作为可实现方式，为了提高第二像素45所发出的光束进入到光波导的效率，则所述第二像素45与所述光波导之间设置有光耦合层4，所述光耦合层4用于将各所述第二像素45发射的光束汇聚至所述光波导。

作为可实现方式，所述光耦合层4具有凸透镜阵列22或汇聚光栅。除了这里指出的凸透镜阵列22或汇聚光栅之外，其他具有对光束起到汇聚作用的光学元件，也可以适用于该方案，采用其他光学元件的方案，同样应归于本申请的保护范围之内。凸透镜阵列22或汇聚光栅例如但不限于，可以通过压印或刻蚀的方式形成。

作为可实现方式，所述光波导包括导光层2，位于所述导光层2 同一表面或相背表面的耦入光栅1和耦出光栅47，所述耦入光栅1位于所述光束耦入区域，换种说法也即，耦入光栅1形成了光束耦入区域，所述耦出光栅47位于所述光束耦出区域，换种说法也即，耦出光栅47形成了光束耦出区域。

作为一种示例，耦入光栅1和耦出光栅47位于导光层2的同一表面，且是导光层2背离第二像素45的表面。当然，在其他示例中，耦入光栅1和耦出光栅47可以位于导光层2靠近第二像素45的表面；或耦入光栅1和耦出光栅47二者之一位于导光层2背离第二像素45 的表面，另一位于导光层2靠近第二像素45的表面。只要第二像素 45发出的光束受耦入光栅1的作用，在导光层2内进行全反射传播，并受耦出光栅47的作用，从导光层2内取出并出射至透明区域41即可。

作为可实现方式，所述光束耦入区域正对所述第一显示区域42，所述光束耦出区域正对所述透明区域41；所述第一显示区域42的轮廓能够包容所述透明区域41的轮廓。也即，透明区域41被第一显示区域42所涵盖，第一显示区域42大于或等于透明区域41，这样整个透明区域41都可以显示图像。

作为可实现方式，还包括第二显示区域43，所述第二显示区域43 具有多个向正面发光的第三像素；所述第一显示区域42的像素密度大于所述第二显示区域43的像素密度。由于第二显示区域43既有向正面发光的第一像素46，又有向背面发光的第二像素45，为了使第一显示区域42与第二显示区域43具有较为均一的显示效果，一般地第一显示区域42的像素密度要大于第二显示区域43的像素密度，这样，在扣除第二像素45的情况下，第一显示区域42内的第一像素46还具有足够的像素密度。

作为可实现方式，另至少参见图12、图14所示，还包括像素层，各所述第一像素46和各所述第二像素45位于所述像素层，所述像素层包括第一电极层，所述第一电极层包括于各第一像素46位置反光的第一子电极10和于各第二像素45位置透明的第二子电极15，所述第一电极层上设置有像素界定层12，所述像素界定层12设置有至少分别暴露所述第一子电极10和第二子电极15的开口，各所述开口内形成有机发光层11，所述像素界定层12上设置有覆盖所述有机发光层11的第二电极层13，所述第二电极层13于第一像素46位置的厚度d 小于所述第二像素45位置的厚度D。

第一子电极10可以采用复合层状结构，其即包括金属层又包括氧化铟锡(Indiumtin oxide；ITO)，例如但不限于，第一子电极10可以为Ag/ITO复合结构层、Ag/ITO/Ag复合结构层等，Ag的厚度可以为50nm～200nm，ITO的厚度可以为50nm～150nm；第二子电极15可以采用单层结构，即其可以只包括氧化铟锡(Indium tin oxide；ITO)。第二电极层13于第二像素45位置的厚度可以大于100nm，以使第二像素45发出的光不能从正面出射，也即第二像素45为底发射器件；第一像素46位置的厚度可以小于20nm，以使第一像素46发出的光能从正面出射，也即第一像素46为顶发射器件。

至少如图5、图14所示，下面以其中一种较为详细的示例对该显示面板予以示例性说明，该示例性说明并非是对该发明的唯一性限定。

该显示面板包括层叠设置的光波导、基底3、光耦合层4、显示驱动层、像素层及封装层14。

光波导包括导光层2，位于导光层2背面的耦入光栅1和耦出光栅47。

基底3位于导光层2的正面，基底3可以是玻璃基底3或聚酰亚胺(Polyimide；PI)基底3等。

光耦合层4位于基底3的正面，具有凸透镜阵列22。凸透镜阵列 22可以通过压印的方式形成。

显示驱动层位于光耦合层4的正面，显示驱动层为阵列基板。其可以包括依次形成的扇出图案层23、缓冲层5、有源层30、第一栅绝缘层6、第一栅极层18、第二栅绝缘层7、第二栅极层17、层间介电层8、数据走线层16、平坦化层9。

像素层位于显示驱动层的正面。像素层可以包括依次形成的第一电极层、像素界定层12、有机发光层11及第二电极层13。

其中，像素层具有位于第一显示区域42的第一像素46和第二像素45，以及位于第二显示区域43的第三像素，第一像素46与第三像素可以相同均为顶发射型，第二像素45为底发射型。相应地，第一电极层分为对应于第一像素46和第三像素的第一子电极10和对应于第二像素45的第二子电极15。像素界定层12的开口中通过打印或蒸镀有机材料形成有机发光层11。在像素界定层12上沉积第二电极层13，且第二电极层13于第一像素46位置的厚度d小于第二像素45位置的厚度D。

封装层14位于像素层的正面。封装层14可以包括依次形成的第一无机层、有机层和第二无机层。第一无机层和第二无机层的材料为 SiNx、SiOx、SiON、AlOx中的至少任一种。一般地，第一无机层和第二无机层的材料可以相同，也可以不同。第一无机层和第二无机层优选为单层结构。有机层的材料为丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚苯乙烯中的至少任一种。

第二方面，如图3所示，本发明提供一种显示装置，包括上述的显示面板。

该显示装置例如但不限于为手机、平板电脑、笔记本电脑等任何具有显示功能的产品或部件。

该显示装置中在显示面板的透明区域41可以设置摄像头48、激光传感器、光线传感器等部件中的至少任一种，该示例中设置摄像头。

第三方面，本发明提供一种上述显示面板的制造方法，包括以下步骤：

形成像素层，所述像素层于所述第一显示区域42具有多个向正面发光的第一像素46和多个向背面发光的第二像素45；

在所述像素层的所述第二像素45的出光侧形成光波导，所述光波导具有光束耦入区域和光束耦出区域，各所述第二像素45发射的光束自所述光束耦入区域进入所述光波导，且以全反射的方式传播至所述光束耦出区域，并自所述光束耦出区域出射至所述透明区域41。

作为可实现方式，在所述第二像素45与所述光波导之间，形成光耦合层4，所述光耦合层4用于将各所述第二像素45发射的光束汇聚至所述光波导。

下面以其中一个示例，来对上述显示面板的制造方法进行说明。本发明实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光和显影，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。在本实施例的描述中，需要理解的是，“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺或光刻工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺或光刻工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺或光刻工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。

S101：提供基底3；

该基底3可以是柔性基底，如聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethyleneterephthalate；PET)薄膜、PI薄膜等；也可以是刚性基底，如玻璃基底。

S102：在基底3上形成光耦合层4，如图4所示；

在基底3上涂覆PI薄膜，通过压印模具对位于第一显示区的PI 薄膜进行压印，以在该区域形成凸透镜阵列22或汇聚光栅。

S103：在光耦合层4上形成扇出图案层23，如图5所示；

在光耦合层4上沉积第一金属薄膜，金属薄膜的材料例如可以为银、铜、铝等，对该金属薄膜进行图案化，形成扇出图案层23。

S104：在扇出图案层23上形成有源层30，如图6所示；

形成有源层30包括：在扇出图案层23上依次沉积缓冲薄膜、遮挡薄膜和有源薄膜，通过构图工艺对遮挡薄膜及有源薄膜进行构图，在扇出图案层23上形成缓冲层5、遮挡层21和有源层图案。其中，缓冲层5可以为含氢的氮化硅SiNx或氧化硅SiOx，遮挡层21可以采用氮化硅SiNx或氧化硅SiOx，需要指出的是缓冲层5和遮挡层21的材料不同，即缓冲层5采用氮化硅SiNx时，遮挡层21采用氧化硅SiOx，反之亦然。缓冲层5和遮挡层21可以为单层、双层或者多层结构，缓冲层5的作用是：防止扇出图案层23中的金属离子扩散至有源层30，防止对阈值电压和漏电流等特性产生影响。合适的缓冲层5可以改善有源层30界面的质量，防止在有源层30界面产生漏电流。有源薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料a-IGZO、氮氧化锌ZnON、氧化铟锌锡IZTO、非晶硅a-Si、多晶硅p-Si、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本实施例同时适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的薄膜晶体管。优选地，本实施例有源薄膜采用非晶硅薄膜，并采用激光镭射的方法对非晶硅薄膜进行处理，使非晶硅薄膜结晶成多晶硅薄膜，以形成低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS) 薄膜晶体管。LTPS薄膜晶体管具有多方面的优势，其电子迁移率可以达到200cm2/V-sec以上，不仅可有效减小薄膜晶体管的面积，提高开口率，而且可以在提高显示亮度的同时降低整体功耗。

通过热处理的方式，使缓冲层5中未被遮挡层阻挡的氢进入到有源层30，使得未被遮挡的有源层30导体化，使得有源层30被分隔为导体化区域19和半导体化区域20。

S105：在有源层30上，沉积第一栅绝缘薄膜作为第一栅绝缘层6，图如7所示；

S106：在第一栅绝缘层6上沉积第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成设置在第一栅绝缘层6上的第一栅极层 18；

其中，第一栅绝缘薄膜可以采用硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、氮氧化硅SiON等，可以为单层、双层或者多层结构。第二金属薄膜可以采用金属材料，如银、铜、铝、钼等金属中的一种及其合金。

S107：在第一栅极层18上沉积第二栅绝缘薄膜，通过构图工艺在第二栅绝缘薄膜上形成第二栅绝缘层7，如图8所示；

S108：在第二栅绝缘层7上沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，形成设置在第二栅绝缘层7上的第二栅极层 17。

S109：在第二栅极层17上沉积层间介电薄膜，该层间介电薄膜为层间介电层8。

层间介电薄膜可以采用硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、氮氧化硅SiON等，可以为单层、双层或者多层结构。

S110：在层间介电层8上沉积第四金属薄膜，通过构图工艺对第四金属薄膜进行构图，形成设置在第二栅绝缘层7上的数据走线层16，数据走线层16至少于有源层30的导体化区域19及扇出图案层23连接，如图9所示。

S111：在数据走线层16上形成平坦化层9，如图10所示；

例如通过印刷或者旋涂的方式在数据走线层16上形成有机溶剂层，有机溶剂层的材料可以为紫外固化胶水(UV胶水)、氨基甲酸酯丙烯酸酯(聚氨酯丙烯酸酯)、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯或聚醚丙烯酸酯等，通过对应的光固化或热固化来使有机溶剂层固化为上述平坦化层9。

S112：在平坦化层9上形成第一电极层；

形成第一电极层包括：在所述平坦化层9上沉积第五金属薄膜，通过构图工艺对第五金属薄膜进行构图，形成对应于第一像素46和第三像素的金属图案，第五金属薄膜的材料，如银等。在该金属图案上沉积ITO薄膜，通过构图工艺对该ITO薄膜进行构图，形成了位于第一像素46及第三像素的第一子电极10，第一子电极10是Ag/ITO的复合层结构，和位于第二像素45的第二子电极15，第二子电极15是 ITO的单层结构。

S113：在第一电极层上形成像素界定层12，如图10所示；

在第一电极层上涂覆光刻胶薄膜，通过构图工艺对该光刻胶薄膜进行进行构图，形成暴露个第一子电极10和第二子电极15的开口。

S114：在像素界定层12上形成有机发光层11，如图11所示；

在各开口中，通过打印或蒸镀有机发光材料的方式，形成有机发光层11。

S115：在像素界定层12上形成有第二电极层13，如图12所示；

在像素界定层12上沉积第六金属薄膜，然后在第六金属薄膜上通过高精度金属掩模板(Fine Metal Mask；FMM)，在第六金属薄膜上位于第二像素45的位置处，沉积第七金属薄膜，第六金属薄膜和第七金属薄膜共同构成了第一像素46位置厚度d小于第二像素45位置厚度D的第二电极层13。

S116：在第二电极层13上形成有封装层14，如图13所示；

封装层14包括依次形成的第一无机层、有机层和第二无机层。第一无机层和第二无机层的材料为SiNx、SiOx、SiON、AlOx中的至少任一种。一般地，第一无机层和第二无机层的材料可以相同，第一无机层和第二无机层优选为单层结构。有机层的材料为丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚苯乙烯中的至少任一种。

S117：在基底3的背面设置光波导，如图2及图14所示；

光波导包括导光层2，导光层2可采用透明材料制作。例如，导光层2的材料可包括：氧化铟锡(ITO)、氧化硅、氮化硅、玻璃、或树脂。可以通过刻蚀的方式在导光层2的背面形成耦入光栅1和耦出光栅47。

上述示例中的步骤，根据实际需要的不同，可以进行调整，例如，设置光波导的步骤可以在形成第一电极层之前等。

需要理解的是，上文如有涉及术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

透明区域；

第一显示区域，所述第一显示区域具有多个向正面发光的第一像素和多个向背面发光的第二像素；

光波导，所述光波导具有光束耦入区域和光束耦出区域，各所述第二像素发射的光束自所述光束耦入区域进入所述光波导，且以全反射的方式传播至所述光束耦出区域，并自所述光束耦出区域出射至所述透明区域。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二像素与所述光波导之间设置有光耦合层，所述光耦合层用于将各所述第二像素发射的光束汇聚至所述光波导。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述光耦合层具有凸透镜阵列或汇聚光栅。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光波导包括导光层，位于所述导光层同一表面或相背表面的耦入光栅和耦出光栅，所述耦入光栅位于所述光束耦入区域，所述耦出光栅位于所述光束耦出区域。

5.根据权利要求1-4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述光束耦入区域正对所述第一显示区域，所述光束耦出区域正对所述透明区域；所述第一显示区域的轮廓能够包容所述透明区域的轮廓。

6.根据权利要求1-4任一项所述的显示面板，其特征在于，还包括第二显示区域，所述第二显示区域具有多个向正面发光的第三像素；所述第一显示区域的像素密度大于所述第二显示区域的像素密度。

7.根据权利要求1-4任一项所述的显示面板，其特征在于，包括像素层，各所述第一像素和各所述第二像素位于所述像素层，所述像素层包括第一电极层，所述第一电极层包括于各第一像素位置反光的第一子电极和于各第二像素位置透明的第二子电极，所述第一电极层上设置有像素界定层，所述像素界定层设置有至少分别暴露所述第一子电极和第二子电极的开口，各所述开口内形成有机发光层，所述像素界定层上设置有覆盖所述有机发光层的第二电极层，所述第二电极层于第一像素位置的厚度小于所述第二像素位置的厚度。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的显示面板。

9.一种如权利要求1-7任一项所述显示面板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成像素层，所述像素层于所述第一显示区域具有多个向正面发光的第一像素和多个向背面发光的第二像素；

在所述像素层的所述第二像素的出光侧形成光波导，所述光波导具有光束耦入区域和光束耦出区域，各所述第二像素发射的光束自所述光束耦入区域进入所述光波导，且以全反射的方式传播至所述光束耦出区域，并自所述光束耦出区域出射至所述透明区域。

10.根据权利要求9所述的显示面板的制造方法，其特征在于，在所述第二像素与所述光波导之间，形成光耦合层，所述光耦合层用于将各所述第二像素发射的光束汇聚至所述光波导。

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