CN112101050A - Rfid标签芯片写入验证方法及标签状态机 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了RFID标签芯片写入验证的一种简单可靠方法,包括以下步骤:标签状态机在写标签状态,在RFID标签芯片的存储器的某一个地址写入数据;标签状态机切换到读标签状态,读取相应地址的数据,与写入的数据进行验证。本发明的方法简单且可靠,不会增加用户负担。
Description
技术领域
本发明涉及RFID领域,尤其涉及一种RFID标签芯片写入验证方法及标签状态机。
背景技术
RFID(射频识别,Radio Frequency Identification)的原理为阅读器与RFID标签芯片之间,进行非接触式的数据通信,达到识别目标的目的。RFID的应用非常广泛,典型应用有动物芯片、汽车芯片防盗器、门禁管制、停车场管制、生产线自动化、物料管理。
RFID系统是由读头,天线和RFID标签芯片组成,如附图1所示。
RFID标签芯片由:收发器,用于接收从天线耦合进来的信号,从中获取能量和信息,同时反射标签的输出信号;数字基带处理器,用来处理基带信号和对存储器的操作;存储器,用来保存芯片ID和用户信息;如附图2所示。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种RFID标签芯片写入验证方法及标签状态机,使得能够实现在RFID标签芯片的写标签操作后进行确认写入成功的操作,方法简单且可靠,不会增加用户负担。
为解决上述问题,本发明提供了一种RFID标签芯片写入验证方法,包括以下步骤:标签状态机在写标签状态,在RFID标签芯片的存储器的某一个地址写入数据;所述标签状态机切换到读标签状态,读取所述地址的数据,与写入的所述数据进行验证。
本发明提供了一种RFID标签芯片写入验证方法,包括以下步骤:
标签状态机在写标签状态,在RFID标签芯片的存储器的某一个地址写入数据;所述标签状态机控制所述存储器的电源断电然后重新上电;所述标签状态机切换到读标签状态,读取所述地址的数据,与写入的所述数据进行验证。
本发明提供了一种RFID标签芯片写入验证方法,包括以下步骤:标签状态机在写标签状态,在RFID标签芯片的存储器的某一个地址写入数据;所述标签状态机控制所述存储器的电源断电然后重新上电;所述标签状态机切换到读标签状态,采用不同阈值电压读取所述地址的数据进行比较。
可选的,用不同阈值电压读取为分别用正常阈值电压读取和用低阈值电压极限读取。
可选的,写入时,检测所述存储器的充电电压。
可选的,通过所述存储器的应用层,写入数据后,再通过所述存储器的应用层,读取所述数据,进行验证。
基于同样的发明构思,本发明还提供了一种标签状态机,包括:写入模块,用于在所述RFID标签芯片的存储器的某一个地址写入数据;读取模块,用于读取所述地址的数据;验证模块,用于验证所述写入模块写入的数据和所述读取模块读取的数据的一致性。
本发明还提供了一种标签状态机,包括:写入模块,用于在所述RFID标签芯片的存储器的某一个地址写入数据;控制模块,用于控制所述存储器的电源断电然后重新上电;读取模块,用于读取所述地址的数据;验证模块,用于验证所述写入模块写入的数据和所述读取模块读取的数据的一致性。
本发明还提供了一种标签状态机,包括:写入模块,用于在所述RFID标签芯片的存储器的某一个地址写入数据;控制模块,用于控制所述存储器的电源断电然后重新上电;读取模块,用于读取所述地址的数据,能够采用不同的阈值电压进行读取;验证模块,用于比较所述读取模块在不同的阈值电压下读取的数据的一致性。
本发明技术方案的其中一个方面中,提供一种RFID标签芯片写入验证方法,根据存储区和应用场景的要求,可以选择不同的验证模式,所述方法简单且可靠,操作自动完成,对用户透明,不会增加用户负担。
进一步,本发明技术方案的另一方面中,提供一种标签状态机,在写标签之后自动切到读标签的状态进行验证,对现有的标签状态机进行细微的调整,硬件开销小,增加的操作时间短。
附图说明
图1是RFID系统示意图;
图2是RFID标签芯片组成示意图;
图3是RFID标签芯片存储器的分区示意图;
图4是标签返回的写标签发生错误的格式图;
图5是实施例一的RFID标签芯片写入验证方法示意图。
图6是实施例二的RFID标签芯片写入验证方法示意图。
图7是实施例三的RFID标签芯片写入验证方法示意图。
具体实施方式
为更加清楚的表示,下面结合附图对本发明做详细的说明。
如图3,RFID标签芯片的存储器是由以下部分构成:保留区(00)用来存取密码;电子产品代码(EPC)区(01)是用来保存识别标签对象的电子产品码值;标签识别(TID)区(10)用来存取标签标识值;用户区(11)用来存取用户数据。
RFID标签芯片的存储器是一种非易失性的存储器,即在下电之后需要保存数据。另外在标签出厂时需要初始化(即写标签),用户在使用过程中有可能也需要写标签。
根据RFID协议,在写标签的过程中,如果发生错误,标签会返回如附图4所示的格式。写标签完成后还需要进一步进行写入成功的确认。
由于非易失性存储器读取的操作时间远远小于写入的操作时间的特点,因此,在写标签之后再增加对这些数据进行读取验证的操作,对整个操作时间的影响非常小。
实施例一
如图5,本发明实施例提供一种RFID标签芯片写入验证方法,包括以下步骤。
标签状态机在写标签状态,在RFID标签芯片的存储器的某一个地址写入数据。
标签状态机向RFID系统写入命令,读头根据命令产生连续载波,RFID标签芯片接收后,进行存储器的写入操作。
RFID标签芯片的存储器在写入数据时,充电电压会有一定幅度的提升,因此可以通过检测是否超过阈值作为写入成功的指示。但是,这种方法需要标签状态机具有检测模块,用于检测存储器的充电电压,即会增加硬件开销,增加用户负担。
本发明实施例直接读取写入的数据进行验证,对用户透明,更具有确定性。
还有另一种RFID标签芯片写入验证方法,就是通过存储器的应用层,写入数据后,再通过存储器的应用层,读取所述数据,进行验证。但是,这种方法增加了应用层的工作量,
本发明实施例使用标签状态机直接在物理层写入数据,以及读取数据进行验证,方法更简单,操作时间更短。
因此,上述的检测充电电压和通过应用层验证的方法,仅适用作为本发明实施例的佐证。
标签状态机在写标签之后自动切到读标签的状态,进行存储器的读取操作,读取写入的地址的数据,验证写入是否成功。
进行存储器的返回操作
实施例二
本发明实施例为发明实施例一的改进方法。改进之处在于:写入数据后,先切断存储器电源后重新上电,再读取相应地址的数据做验证。本发明实施例可以避免写入的数据在存储器下电后保存失败,产生丢失的情况,可以提高写入验证的可靠性。
实施例三
本发明实施例为发明实施例二的进一步改进方法。改进之处在于:采用不同阈值电压读取相应地址的数据进行比较,其中,分别用正常阈值电压读取和用低阈值电压极限读取。
对于非易失性存储器的读取操作而言,不同的电压偏置会使存储区处于不同的状态(最优或者最差),用比较高的电压和比较低的电压读取会增加正确读取数据的困难性。因此,本发明实施例可以验证写入的稳定性,进一步可靠地确认写入的成功与否。
实施例四
本发明实施例提供一种实现RFID标签芯片写入验证的标签状态机,包括以下结构。
写入模块,用于在RFID标签芯片的存储器的某一个地址写入数据。
读取模块,用于读取相应地址的数据。
验证模块,用于确认写入的成功。该验证模块验证写入模块写入的数据和读取模块读取的数据的一致性。
本发明实施例用于实施发明实施例一所述的方法。
实施例五
本发明实施例提供一种实现RFID标签芯片写入验证的标签状态机,包括以下结构。
写入模块,用于在RFID标签芯片的存储器的某一个地址写入数据。
控制模块,用于控制存储器的电源断电然后重新上电。
读取模块,用于读取相应地址的数据。
验证模块,用于确认写入的成功。该验证模块验证写入模块写入的数据和读取模块读取的数据的一致性。
本发明实施例用于实施发明实施例二所述的方法。
实施例六
本发明实施例提供一种实现RFID标签芯片写入验证的标签状态机,包括以下结构。
写入模块,用于在RFID标签芯片的存储器的某一个地址写入数据。
控制模块,用于控制存储器的电源断电然后重新上电。
读取模块,用于读取相应地址的数据。该读取模块能够采用不同的阈值电压进行读取。
验证模块,用于确认写入的成功。该验证模块比较读取模块在不同的阈值电压下读取的数据的一致性。
标签状态机在写标签之后自动切到读标签的状态进行验证。因此,发明实施例四至六的几个模块可以自动依次切换运行。其中,写入模块在标签状态机的写标签状态下运行,读取模块和验证模块分别在标签状态机的读标签状态下运行
由于RFID标签芯片本身就需要支持读写操作,因此发明实施例四至六在硬件上的进行细微调整,开销可以忽略不计。而且,发明实施例四至六的整个RFID标签芯片写入验证的操作是自动完成。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (9)
1.一种RFID标签芯片写入验证方法,其特征在于,包括以下步骤:
标签状态机在写标签状态,在RFID标签芯片的存储器的某一个地址写入数据;
所述标签状态机切换到读标签状态,读取所述地址的数据,与写入的所述数据进行验证。
2.一种RFID标签芯片写入验证方法,其特征在于,包括以下步骤:
标签状态机在写标签状态,在RFID标签芯片的存储器的某一个地址写入数据;
所述标签状态机控制所述存储器的电源断电然后重新上电;
所述标签状态机切换到读标签状态,读取所述地址的数据,与写入的所述数据进行验证。
3.一种RFID标签芯片写入验证方法,其特征在于,包括以下步骤:
标签状态机在写标签状态,在RFID标签芯片的存储器的某一个地址写入数据;
所述标签状态机控制所述存储器的电源断电然后重新上电;
所述标签状态机切换到读标签状态,采用不同阈值电压读取所述地址的数据进行比较。
4.如权利要求3所述的RFID标签芯片写入验证方法,其特征在于,用不同阈值电压读取为分别用正常阈值电压读取和用低阈值电压极限读取。
5.如权利要求1~3所述的RFID标签芯片写入验证方法,其特征在于,写入时,检测所述存储器的充电电压。
6.如权利要求1~3所述的RFID标签芯片写入验证方法,其特征在于,通过所述存储器的应用层,写入数据后,再通过所述存储器的应用层,读取所述数据,进行验证。
7.一种标签状态机,其特征在于,包括:
写入模块,用于在所述RFID标签芯片的存储器的某一个地址写入数据;
读取模块,用于读取所述地址的数据;
验证模块,用于验证所述写入模块写入的数据和所述读取模块读取的数据的一致性。
8.一种标签状态机,其特征在于,包括:
写入模块,用于在所述RFID标签芯片的存储器的某一个地址写入数据;
控制模块,用于控制所述存储器的电源断电然后重新上电;
读取模块,用于读取所述地址的数据;
验证模块,用于验证所述写入模块写入的数据和所述读取模块读取的数据的一致性。
9.一种标签状态机,其特征在于,包括:
写入模块,用于在所述RFID标签芯片的存储器的某一个地址写入数据;
控制模块,用于控制所述存储器的电源断电然后重新上电;
读取模块,用于读取所述地址的数据,能够采用不同的阈值电压进行读取;
验证模块,用于比较所述读取模块在不同的阈值电压下读取的数据的一致性。
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- 2020-08-28 CN CN202010888098.4A patent/CN112101050A/zh active Pending
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