CN112083470A - 一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明请求保护一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器及其制备方法，其特征在于，从上至下依次包括：Au电极阴极电极层、高原子序数CdZnTe晶体辐射作用层、双层氧化钒VOx材料层、Ti/Pt阳极电极层及Ti/Pt电极读出电极层，其中，当高原子序数CdZnTe晶体辐射作用层接受辐射后产生感应电荷信号时，感应电荷信号在双层氧化钒VOx材料层的上下电极形成相应电场，所形成的电场随入射光子能量发生变化，氧化钒VOx材料层薄膜中的氧空位发生非永久性迁移，导致氧化钒VOx材料层相对厚度发生改变，使得Ti/Pt电极读出电极层读出的电阻值产生变化。本发明能够有效降低传统电荷灵敏前置放大电路的高成本及复杂度，同时能够有效提高信号传输链路的抗干扰性。
Description
技术领域
本发明属于II-VI族化合物半导体的辐射探测器件，尤其涉及将光生载流子感应电荷信号作为探测物理量的辐射探测器件，主要应用于辐射脉冲幅度探测及脉冲甄别计数的核辐射能谱探测领域。
背景技术
对辐射探测器而言，通过射线辐射能量的差异可区分不同的X射线或放射性核素，实现X射线强度、Gamma射线所包含不同核素能量的测量。
根据探测器使用的材料不同，辐射探测器可分为气体电离计数器、闪烁体探测器和半导体探测器等。气体电离计数器出现最早，但由于对不同的射线输入均产生相同的脉冲输出，因此灵敏度差，且很难分辨射线的种类。闪烁体探测器必需和光电倍增管等一起搭配使用，限制了能量分辨率的提高。半导体辐射探测器具有很高的探测效率和能量分辨率，是目前高能量分辨率辐射探测器的典型代表。
与传统气体、闪烁体辐射探测器相比，半导体辐射探测器最主要的优点是能够通过探测光生载流子迁移产生的感应电荷量来实现入射辐射光子能量信息的探测甄别，同时与前端读出系统芯片封装在一起，可制作成高分辨率和小面积的成像探测器。
通常情况下，半导体辐射探测器主要由半导体晶体材料、读出电极、感应信号处理电路和控制系统组成。半导体晶体材料方面，根据所需要探测的辐射能量范围可以采用不同的辐射作用介质晶体材料，对低能X射线探测，可以采用未掺杂Si晶体材料；对中高能X射线、Gamma射线及中子辐射可以采用高原子序数CdTe/CdZnTe材料。
1.2与本发明相关的现有技术一
1.2.1现有技术一的技术方案
现阶段半导体辐射探测器都主要采取结构简单的三明治探测器结构，阴极为施加负偏压的整体平面电极，射线光子从阴极面入射，在CdZnTe晶体内部产生电子空穴对云，阳极为与信号处理电路直接相连的整体平面电极，在阴极外加偏压的影响下，所产生电子空穴载流子分别向两极迁移，最终在电极上产生与入射光子能量成正比的感应电荷量，通过外电路(电荷灵敏前置放大电路)将感应电荷信号进行前置放大并输送到后续电压信号处理电路进行后处理，三明治器件结构一直是半导体辐射探测器的主要结构形式之一(图1)。
就结构而言，如图1传统像素阵列半导体辐射探测器结构示意图，三明治结构的碲锌镉(CdZnTe)半导体辐射探测器主要由以下核心部件组成：与辐射光子相作用的半导体材料CdZnTe晶体，在半导体材料表面制备的阴极电极以及与读出电路紧密连接的阳极电极。从图1可知，三明治结构CdZnTe半导体辐射探测器采用一个整体CdZnTe晶体与辐射光子作用，进而由底部阳极电极收集晶体内部产生的感应电荷信号，这一信号处理流程对探测器信号通道噪声性能要求极高，一般而言，为了使探测器具有更高的信噪比，阳极电极都通过倒装焊接工艺与读出ASIC直接相连从而缩短信号传输距离，降低噪声干扰。
就探测器信号产生及处理过程而言，当入射射线光子在半导体材料中产生相互作用时，在晶体内部生成与入射光子能量成正比的电荷载流子，在外加电场的影响下，载流子向阳极电极迁移，在电子载流子迁移过程中，在阳极电极上会产生成正比的感应电荷，与读出电极倒装连接的ASIC电路则通过阳极电极信号通道里的电荷灵敏前置放大电路将感应电荷信号转化成电压信号，进一步通过脉冲整形电路及电压脉冲高度比较器将前放电路输出的低信噪比的电压脉冲信号处理成高信噪比的高斯电压脉冲，然后对其进行后续脉冲幅度谱的处理。
1.2.2现有技术的缺点
目前传统半导体辐射探测器都是采用测量及处理光生载流子信号在迁移过程中产生的感应电荷信号为主要信号处理流程，通过各种低噪声及高信噪比的电子学电路技术进行电荷信号的降噪及放大处理，并将感应电荷信号转换为电压信号以便于后期脉冲幅度甄别处理。
在这一信号处理流程里，感应电荷信号作为探测器输出的原始信号，其抗干扰性较差，通常所采用的电荷灵敏放大电路对信号噪声要求及探测器电磁屏蔽要求极高，所以通常必须采用倒装焊接的方式将前置放大电路与读出电极紧密连接以减小信号传输路径。同时设计不同的低噪声电荷灵敏放大电路进行感应电荷信号的第一级处理电路，由于高灵敏度、高信噪比的要求，后续前置放大电路都较为复杂，造成相应的ASIC芯片电路面积较大，成本较高，噪声性能也并不理想，通常都需要更进一步的整形放大电路进行处理。
另一方面，CdZnTe辐射探测器实现能谱探测功能需要通过后续能谱信号分辨电路完成电压脉冲信号的幅度甄别，进而实现辐射信号能谱分辨。在这一过程中通常需要高精度ADC采样来获得脉冲电压模拟信号的幅度信息，将模拟信号转换成数字信号并进行后续信号幅度甄别。脉冲幅度数字化过程中，由于电压脉冲信号为高斯信号，所以一般精度的ADC电路很难获得精确的脉冲幅度信号，导致探测器能量分辨率较低，往往需要采用高成本高功耗的高精度ADC进行信号采样。
发明内容
本发明旨在解决以上现有技术的问题。提出了一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器及其制备方法。本发明的技术方案如下：
一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器，其特征在于，从上至下依次包括：Au电极阴极电极层、高原子序数CdZnTe晶体辐射作用层、Ti/Pt阳极电极层、双层氧化钒(VOx/VOx-n)材料层、Ti/Pt电极读出电极层，其中，Au电极阴极电极层作为辐射射线入射面，用于连接负偏压在CdZnTe晶体内部形成电场，高原子序数CdZnTe晶体辐射作用层用于接受辐射后产生感应电荷信号，Ti/Pt阳极电极层用于接收感应电荷信号并在氧化钒内部形成电场，双层氧化钒VOx/VOx-n材料层用于根据施加电场产生阻值变化，而所施加相应电场由感应电荷信号量决定，Ti/Pt电极读出电极层用于连接后端阻值测量电路，输出随入射光子能量变化的氧化钒层电阻值，当高原子序数CdZnTe晶体辐射作用层接受辐射后产生感应电荷信号时，感应电荷信号在双层氧化钒VOx/VOx-n材料层的上下电极形成相应电场，所形成的电场随入射光子能量发生变化，氧化钒VOx/VOx-n材料层薄膜中的氧空位发生非永久性迁移，导致氧化钒VOx/VOx-n材料层相对厚度发生改变，使得Ti/Pt电极读出电极层读出的电阻值产生相应变化。
进一步的，所述双层氧化钒VOx/VOx-n材料层分别为高氧氧化钒层和低氧氧化钒层，所述高氧氧化钒层和低氧氧化钒层指的是以Ti电极作为衬底制备氧含量不同的阻态变化层，通过阻态变化层将CdZnTe晶体输出的感应电荷量转换成与之成正比的阻值。高氧氧化钒层薄膜可以根据外加电场的变化产生细微的厚度变化，低氧氧化钒层与底部Ti/Pt读出电极接触，使得氧化钒材料层内部存在基本的均匀电场。
进一步的，所述低氧氧化钒材料层厚度及高氧氧化钒材料层厚度满足4：1的比例关系，采用Ti/Pt材料制备的阳极电极层及读出电极层的物理厚度为320nm。
一种基于所述阻态敏感CdZnTe辐射探测器的制备方法，其包括以下步骤：
步骤1、首先，采用直流磁控溅射的方法在CdTe及CdZnTe晶体表面制备Au、Ti/Pt金属电极层，基片温度120度，恒温90分钟；
步骤2、阴极Au电极厚度200nm，阳极Ti/Pt电极厚度20nm/300nm，Pt金属与CdZnTe晶体接触，Ti金属层与二氧化钒材料接触；首先溅射沉积300nm Pt金属电极薄膜在CdZnTe晶体阳极表面，溅射完毕后降低温度至60度以下，取出CdZnTe基片更换Ti靶，升温至120度，恒定15分钟后溅射沉积20nm Ti金属薄膜，溅射完毕后降温至50度以下再取出样品；
步骤3、采用直流磁控溅射的方法在探测器阳极Ti/Pt电极上制备氧化钒薄膜；
步骤4、再次利用直流磁控溅射方法在低氧层氧化钒材料表面制备Ti/Pt金属输出电极。
进一步的，所述步骤3采用直流磁控溅射的方法在探测器阳极Ti/Pt电极上制备氧化钒薄膜，具体包括以下步骤：溅射沉积时基片温度100度，基片恒温50分钟，溅射预处理：钒靶预溅射15分钟，目的是除去靶材表面氧化物，溅射电流0.2A；调节氧气通量至600，溅射沉积40小时完成高氧层氧化钒材料薄膜制备，然后调节氧气通量为60，溅射沉积60分钟，完成低氧层氧化钒材料薄膜制备；溅射完成后在420度下退火1.5小时，然后随炉冷却，进行下一步输出电极制备。
进一步的，所述步骤4利用直流磁控溅射方法在低氧层氧化钒材料表面制备Ti/Pt金属输出电极，具体包括：
厚度20nm(Ti)/300nm(Pt)，Ti金属层与二氧化钒材料接触，Pt金属电极作为信号输出金属极；首先溅射沉积20nm Ti金属薄膜，溅射完毕后降温至50度以下，取出基片更换Pt靶，升温至120度，恒定15分钟后，溅射沉积300nm Pt金属电极薄膜，溅射完毕后降低温度至60度以下再取出样品冷却。
本发明的优点及有益效果如下：
从探测原理的优越性而言，本发明在高原子序数CdZnTe晶体阳极表面制备双层氧化钒忆阻读出电极，构建具有信号实时存储及运算特性的新型半导体辐射探测器结构，探测器信号输出端为高功函数材料输出电极。因此，与传统依赖电荷收集进行辐射探测的半导体辐射探测器不同的是，本发明提出的有机氧化钒忆阻电极辐射探测器依赖有外部电流注入时，有机氧化钒电极材料阻抗的明显变化来探测吸收介质中电离辐射量。
在上下电极所形成电场的驱动下，氧化钒薄膜中的氧空位发生非永久性迁移，导致高低氧量氧化钒层相对厚度发生改变，高氧层电阻远比低氧层氧化钒材料层高，即辐射作用层产生的感应电荷信号引起双层氧化钒材料层电场变化，使得高氧层氧化钒厚度产生细微改变，对外表现为氧化钒信号产生层电阻值变化，达到探测物理量的转换及输出。因此，探测器氧化钒忆阻电极层具有传统辐射探测器所采用的电荷灵敏前置放大电路相同的功能，而不同的是不需要电荷迁移过程及相应的感应电荷收集时间，以氧化钒材料层的阻值为探测物理量，在工作环境不变的条件下，氧化钒材料层阻值变化仅与探测器所接受的辐射光子能量相关，从而可以采用抗干扰能力强、电路结构更为简单的阻值测量电路进行辐射强度的探测，能够有效降低传统电荷灵敏前置放大电路的高成本及复杂度，同时能够有效提高信号传输链路的抗干扰性。也就使得探测器信号处理过程更为简单直接，同时降低了被噪声干扰的可能性，提高器件信噪比。
从器件功能的多样性而言，氧化钒忆阻读出电极作为测量物理量的阻值不是恒定不变的，其阻值大小会随着流过氧化钒材料电荷量的变化而发生变化，变化的快慢与幅度受电流大小和通电时间的影响。最重要的是，当输入电流降低为零后，忆阻电极的阻值不会立刻恢复为初始值，其阻值会保留一定时间，即能够实现对辐射探测信号的记忆性功能。由于简单结构的忆阻电极就能够实现学习与记忆功能，相比传统大规模集成电路，忆阻读出电极结构简单，集成难度大幅度下降，同时其信号存储特性使得信号的传输、存储与运算可以同时开始也同时结束，信号处理速度大幅度提升。
附图说明
图1是传统像素阵列半导体辐射探测器结构示意图；
图2是本发明提供优选第一实施例有机氧化钒忆阻电极辐射探测器结构示意图；
图3是有机氧化钒忆阻电极辐射探测器信号传输示意图；
图4是不同温度条件下氧化钒忆阻电极阻值随注入电流的变化；
图5是第二实施例有机氧化钒忆阻像素阵列辐射探测器结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、详细地描述。所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例。
本发明解决上述技术问题的技术方案是：
传统CdZnTe半导体辐射探测器是基于电荷灵敏前置放大电路进行探测器晶体材料内部光生载流子的感应信号收集，根据后续信号脉冲幅度进行能谱甄别与统计分析，从而实现X射线及Gamma射线的探测。本发明阐述了一种利用有机氧化钒读出电极阻值变化线性表征入射光子能量变化的核辐射探测器件及相关电极材料层的制备方法。以CdZnTe晶体材料作为辐射信号产生层，在CdZnTe晶体表面制备Ti/Pt电极；进一步以Ti电极作为衬底制备氧含量不同的双层氧化钒(VOx与VOx-n)阻态变化层，通过阻态变化层将CdZnTe晶体输出的感应电荷量转换成与之成正比的阻值；最底层制备Ti/Pt电极作为阻值信号输出电极。利用有机忆阻特性电极代替传统的电荷灵敏前置放大电路进行探测器感应电荷信号的读出，使辐射探测器信号处理更为直接，信号流程更简单，抗漏电流噪声干扰能力更强，探测获得信号具有即时存储特性，更便于后期建立广域辐射探测传感网络。
本发明以双层氧化钒(VOx与VOx-n)材料层的阻值为探测物理量，氧化钒材料层阻值变化仅与入射射线光子能量成正比，从而可以采用抗干扰能力强、电路结构更为简单的阻值测量电路进行辐射光子能量的探测，能够有效降低传统电荷灵敏前置放大电路的高成本及复杂度，同时能够有效提高信号传输链路的抗干扰性，由于测量物理量为材料阻值，通常为一恒定值，相比传统高斯型电压信号更容易通过ADC采样获得精确值，更便于实现后期辐射光子能量甑别与计算的数字化工作。
本发明阐述了一种采用双层氧化钒(VOx与VOx-n)材料阻值作为测量物理量的半导体辐射探测器件，本发明涉及的关键技术点为包括双层氧化钒(高氧VOx与低氧VOx-n)阻值变化层的探测器整体结构及相应探测器各材料层的顺序制备方法，包括阳极电极衬底层、不同氧含量的有机氧化钒材料层、信号读出电极层的制备。
探测器结构如图2所示，在高原子序数CdZnTe晶体阳极表面制备Ti/Pt阳极电极层，然后制备高氧层氧化钒(VOx)材料层，在高氧氧化钒层上进一步制备低氧层氧化钒材料层，最底层再制备Ti/Pt读出电极层。其中低氧氧化钒材料层厚度及高氧氧化钒材料层厚度满足4：1的比例关系，采用Ti/Pt材料制备的阳极电极层及读出电极层通常物理厚度200nm。
本发明所描述的辐射探测器基本原理及信号传递流程主要如图3所示，探测器信号主要来自于半导体CdZnTe晶体在接受辐射后产生的感应电荷信号，同时采用双层氧化钒薄膜作为输出信号产生材料层。当外部辐射导致CdZnTe晶体材料产生感应电荷信号时，在双层氧化钒的上下电极形成相应电场，所形成的电场随入射光子能量(感应电荷量)发生相应变化，高氧量氧化钒薄膜中的氧空位发生非永久性迁移，导致高低氧量氧化钒层相对厚度发生改变；由于高氧层电阻远比低氧层氧化钒材料层高，所以有机氧化钒层的阻值发生相应变化，即CdZnTe辐射作用层产生的感应电荷信号引起双层氧化钒材料层电场变化，使得高氧层氧化钒厚度产生细微改变，对外表现为氧化钒信号产生层电阻值变化，达到探测物理量的转换及输出。因此，与传统依赖电荷收集进行辐射探测的半导体辐射探测器不同的是，有机氧化钒忆阻电极辐射探测器件依赖氧化钒信号产生层阻值的明显变化来探测CdZnTe吸收介质中的电离辐射量。
如前所述，本发明涉及的关键技术点也包括相应探测器结构的制备方法：
·首先，采用直流磁控溅射的方法在CdTe及CdZnTe晶体表面制备Au、Ti/Pt金属电极层，基片温度120度，恒温90分钟。
·阴极Au电极厚度200nm，阳极Ti/Pt电极厚度20nm/300nm，Pt金属与CdZnTe晶体接触，Ti金属层与二氧化钒材料接触。首先溅射沉积300nm Pt金属电极薄膜在CdZnTe晶体阳极表面，溅射完毕后降低温度至60度以下，取出CdZnTe基片更换Ti靶，升温至120度，恒定15分钟后溅射沉积20nm Ti金属薄膜，溅射完毕后降温至50度以下再取出样品。
·采用直流磁控溅射的方法在探测器阳极Ti/Pt电极上制备氧化钒薄膜，溅射沉积时基片温度100度，基片恒温50分钟，溅射预处理：钒靶预溅射15分钟，目的是除去靶材表面氧化物。溅射电流0.2A。调节氧气通量至600，溅射沉积40小时完成高氧层氧化钒材料薄膜制备，然后调节氧气通量为60，溅射沉积60分钟，完成低氧层氧化钒材料薄膜制备。溅射完成后在420度下退火1.5小时，然后随炉冷却，进行下一步输出电极制备。
·再次利用直流磁控溅射方法在低氧层氧化钒材料表面制备Ti/Pt金属输出电极，厚度20nm(Ti)/300nm(Pt)，Ti金属层与二氧化钒材料接触，Pt金属电极作为信号输出金属极。首先溅射沉积20nm Ti金属薄膜，溅射完毕后降温至50度以下，取出基片更换Pt靶，升温至120度，恒定15分钟后，溅射沉积300nm Pt金属电极薄膜，溅射完毕后降低温度至60度以下再取出样品冷却。
如图5所示，可替换的第二实施例为：本发明所描述的辐射探测器结构及制备方法都基于信号输出电极结构为平面三明治结构，信号输出电极结构为像素电极结构的探测器也能实现基于有机氧化钒阻态变化进行入射辐射光子能量探测的效果，本发明所描述的器件制备方法也同样适用于面元像素阵列电极的探测器制备。
还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上这些实施例应理解为仅用于说明本发明而不用于限制本发明的保护范围。在阅读了本发明的记载的内容之后，技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等效变化和修饰同样落入本发明权利要求所限定的范围。
Claims (6)
1.一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器，其特征在于，从上至下依次包括：Au电极阴极电极层、高原子序数CdZnTe晶体辐射作用层、Ti/Pt阳极电极层、双层氧化钒(VOx/VOx-n)材料层、Ti/Pt电极读出电极层，其中，Au电极阴极电极层作为辐射射线入射面，用于连接负偏压在CdZnTe晶体内部形成电场，高原子序数CdZnTe晶体辐射作用层用于接受辐射后产生感应电荷信号，Ti/Pt阳极电极层用于接收感应电荷信号并在氧化钒内部形成电场，双层氧化钒VOx/VOx-n材料层用于根据施加电场产生阻值变化，而所施加相应电场由感应电荷信号量决定，Ti/Pt电极读出电极层用于连接后端阻值测量电路，输出随入射光子能量变化的氧化钒层电阻值，当高原子序数CdZnTe晶体辐射作用层接受辐射后产生感应电荷信号时，感应电荷信号在双层氧化钒VOx/VOx-n材料层的上下电极形成相应电场，所形成的电场随入射光子能量发生变化，氧化钒VOx/VOx-n材料层薄膜中的氧空位发生非永久性迁移，导致氧化钒VOx/VOx-n材料层相对厚度发生改变，使得Ti/Pt电极读出电极层读出的电阻值产生相应变化。
2.根据权利要求1所述的阻态敏感CdZnTe辐射探测器，其特征在于，所述双层氧化钒VOx/VOx-n材料层分别为高氧氧化钒层和低氧氧化钒层，所述高氧氧化钒层和低氧氧化钒层指的是以Ti电极作为衬底制备氧含量不同的阻态变化层，通过阻态变化层将CdZnTe晶体输出的感应电荷量转换成与之成正比的阻值。高氧氧化钒层薄膜可以根据外加电场的变化产生细微的厚度变化，低氧氧化钒层与底部Ti/Pt读出电极接触，使得氧化钒材料层内部存在基本的均匀电场。
3.根据权利要求1所述的阻态敏感CdZnTe辐射探测器，其特征在于，所述低氧氧化钒材料层厚度及高氧氧化钒材料层厚度满足4：1的比例关系，采用Ti/Pt材料制备的阳极电极层及读出电极层的物理厚度为320nm。
4.一种基于权利要求1-3之一所述阻态敏感CdZnTe辐射探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、首先，采用直流磁控溅射的方法在CdTe及CdZnTe晶体阴极表面制备Au金属阴极电极层，阴极Au电极厚度200nm，基片温度120度，恒温90分钟；
步骤2、采用直流磁控溅射的方法在CdTe及CdZnTe晶体阳极表面制备Ti/Pt金属电极层，阳极Ti/Pt电极厚度20nm/300nm，Pt金属与CdZnTe晶体接触，Ti金属层与二氧化钒材料接触；首先溅射沉积300nm Pt金属电极薄膜在CdZnTe晶体阳极表面，溅射完毕后降低温度至60度以下，取出CdZnTe基片更换Ti靶，升温至120度，恒定15分钟后溅射沉积20nm Ti金属薄膜，溅射完毕后降温至50度以下再取出样品；
步骤3、采用直流磁控溅射的方法在探测器阳极Ti/Pt电极上制备双层氧化钒薄膜；
步骤4、再次利用直流磁控溅射方法在低氧层氧化钒材料表面制备Ti/Pt金属输出电极。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3采用直流磁控溅射的方法在探测器阳极Ti/Pt电极上制备双层氧化钒薄膜，具体包括以下步骤：溅射沉积时基片温度100度，基片恒温50分钟，溅射预处理：钒靶预溅射15分钟，目的是除去靶材表面氧化物，溅射电流0.2A；调节氧气通量至600，溅射沉积40小时完成高氧层氧化钒材料薄膜制备，然后调节氧气通量为60，溅射沉积60分钟，完成低氧层氧化钒材料薄膜制备；溅射完成后在420度下退火1.5小时，然后随炉冷却，进行下一步输出电极制备。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤4利用直流磁控溅射方法在低氧层氧化钒材料表面制备Ti/Pt金属输出电极，具体包括：厚度20nm(Ti)/300nm(Pt)，Ti金属层与二氧化钒材料接触，Pt金属电极作为信号输出金属极；首先溅射沉积20nm Ti金属薄膜，溅射完毕后降温至50度以下，取出基片更换Pt靶，升温至120度，恒定15分钟后，溅射沉积300nm Pt金属电极薄膜，溅射完毕后降低温度至60度以下再取出样品冷却。
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