CN111999629A - 一种igbt模组状态监控方法及装置 - Google Patents
一种igbt模组状态监控方法及装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111999629A CN111999629A CN202010856606.0A CN202010856606A CN111999629A CN 111999629 A CN111999629 A CN 111999629A CN 202010856606 A CN202010856606 A CN 202010856606A CN 111999629 A CN111999629 A CN 111999629A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- igbt module
- igbt
- temperature
- modules
- wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 24
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 claims description 12
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2608—Circuits therefor for testing bipolar transistors
- G01R31/261—Circuits therefor for testing bipolar transistors for measuring break-down voltage or punch through voltage therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2608—Circuits therefor for testing bipolar transistors
- G01R31/2619—Circuits therefor for testing bipolar transistors for measuring thermal properties thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
本申请公开了一种IGBT模组状态监控方法及装置，提高了IGBT模组的工作可靠性。该方法包括：判断IGBT模组是否处于导通状态，其中所述IGBT模组由多个IGBT模块并联组成；当IGBT模组处于导通状态时，采样其中任一IGBT模块的导通饱和管压降Vce；将本IGBT模块的导通饱和管压降Vce与正常工作时的导通饱和管压降的上限V1、短路时的退饱和阈值电压V2比较大小，V1＜V2；若V1＜Vce＜V2，发出预警信号；若Vce≥V2，对各IGBT模块进行封波保护。
Description
技术领域
本发明涉及电力电子技术领域，更具体地说，涉及一种IGBT模组状态监控方法及装置。
背景技术
IGBT模块是由IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)与续流二极管芯片通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。
大功率IGBT模块工艺复杂且成本较高，为节省成本，现有技术通常将多个小功率IGBT模块进行并联组合得到一个IGBT模组，该IGBT模组可以等效成一个大功率IGBT模块。但是在并联运行过程中，若个别IGBT模块出现工作异常，则可能引起整个IGBT模组中其他IGBT模块过流损坏，进而导致机器及系统停机，无法提前进行相关维护和健康管理，加大维护成本以及停机时间。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种IGBT模组状态监控方法及装置，以提高IGBT模组的工作可靠性。
一种IGBT模组状态监控方法，包括：
判断IGBT模组是否处于导通状态，其中所述IGBT模组由多个IGBT模块并联组成；
当IGBT模组处于导通状态时，采样其中任一IGBT模块的导通饱和管压降Vce；
将本IGBT模块的导通饱和管压降Vce与正常工作时的导通饱和管压降的上限V1、短路时的退饱和阈值电压V2比较大小，V1＜V2；若V1＜Vce＜V2，发出预警信号；若Vce≥V2，对各IGBT模块进行封波保护。
可选的，所述IGBT模组状态监控方法还包括：
在对各IGBT模块正常发波期间，采样每个IGBT模块的实时温度；
判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值是否超过过温保护阈值T1，若是，对各IGBT模块进行封波保护；若否，判断每两个IGBT模块之间的温差绝对值是否均未超过第一预设温差值T3，若否，对各IGBT模块进行封波保护。
或者，所述IGBT模组状态监控方法还包括：
在对各IGBT模块正常发波期间，采样每个IGBT模块的实时温度；
判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值是否超过过温保护阈值T1，若是，对各IGBT模块进行封波保护；若否，判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值与最低值之差是否超过第二预设温差值T2；
若超过第二预设温差值T2，对各IGBT模块进行封波保护；若未超过第二预设温差值T2，判断每相邻两个IGBT模块之间的温差绝对值是否均未超过第一预设温差值T3，T2>T3，若否，对各IGBT模块进行封波保护。
可选的，所述对各IGBT模块进行封波保护后，还包括：上报IGBT模组故障。
可选的，所述实时温度是指IGBT模块的结温或封装外壳温度。
可选的，所述实时温度通过NTC温度传感器采集得到。
一种IGBT模组状态监控装置，包括：控制单元和电压检测电路；
所述控制单元，用于判断IGBT模组是否处于导通状态，其中所述IGBT模组由多个IGBT模块并联组成；当IGBT模组处于导通状态时，控制所述电压检测电路采样其中任一IGBT模块的导通饱和管压降Vce；将本IGBT模块的导通饱和管压降Vce与正常工作时的导通饱和管压降的上限V1、短路时的退饱和阈值电压V2比较大小，V1＜V2；若V1＜Vce＜V2，发出预警信号；若Vce≥V2，对各IGBT模块进行封波保护。
可选的，所述IGBT模组状态监控装置还包括：分别为每一个IGBT模块单独配置的温度检测电路；
所述控制单元，还用于在对各IGBT模块正常发波期间，控制各个温度检测电路采样IGBT模块的实时温度；判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值是否超过过温保护阈值T1，若是，对各IGBT模块进行封波保护；若否，判断每两个IGBT模块之间的温差绝对值是否均未超过第一预设温差值T3，若否，对各IGBT模块进行封波保护。
或者，所述IGBT模组状态监控装置还包括：分别为每一个IGBT模块单独配置的温度检测电路；
所述控制单元，还用于在对各IGBT模块正常发波期间，控制各个温度检测电路采样IGBT模块的实时温度；判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值是否超过过温保护阈值T1，若是，对各IGBT模块进行封波保护；若否，判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值与最低值之差是否超过第二预设温差值T2；若超过第二预设温差值T2，对各IGBT模块进行封波保护；若未超过第二预设温差值T2，判断每相邻两个IGBT模块之间的温差绝对值是否均未超过第一预设温差值T3，T2>T3，若否，对各IGBT模块进行封波保护。
可选的，所述温度检测电路为NTC温度传感器，其包括相串联的NTC电阻和外接电阻，所述外接电阻的一端接电源，所述NTC电阻的一端接地；所述NTC电阻的阻值随IGBT模块的温度变化，通过采样NTC电阻的阻值获得IGBT模块的实时温度。
从上述的技术方案可以看出，本发明根据采样得到的IGBT模块的导通饱和管压降大小，适时对IGBT模组进行状态预警或封波保护，从而提高了IGBT模组的工作可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例公开的一种IGBT模组状态监控方法流程图；
图2为本发明实施例公开的又一种IGBT模组状态监控方法流程图；
图3为本发明实施例公开的又一种IGBT模组状态监控方法流程图；
图4为本发明实施例公开的一种IGBT模组状态监控装置结构示意图；
图5为本发明实施例公开的又一种IGBT模组状态监控装置结构示意图；
图6为本发明实施例公开的图5中温度检测电路为NTC温度传感器时的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参见图1，本发明实施例公开了一种IGBT模组状态监控方法，包括：
步骤S01：判断IGBT模组是否处于导通状态，若是，进入步骤S02；若否，返回步骤S01。
具体的，IGBT模组中的各个IGBT模块并联连接，各个IGBT模块总是同时处于导通或同时处于关断状态。各个IGBT模块同时处于导通状态，也即是IGBT模组处于导通状态；各个IGBT模块同时处于关断状态，也即是IGBT模组处于关断状态。IGBT模组是电力电子变换器中的核心器件，当电力电子变换器正常工作时对各IGBT模块进行正常发波，来控制IGBT模组的导通和关断。
步骤S02：采样其中任一IGBT模块的导通饱和管压降Vce。
步骤S03：将本IGBT模块的导通饱和管压降Vce与正常工作时的导通饱和管压降的上限V1、短路时的退饱和阈值电压V2比较大小，V1＜V2；若V1＜Vce＜V2，进入步骤S04；若Vce≥V2，进入步骤S05；若Vce≤V1，继续对各IGBT模块进行正常发波，并返回步骤S01。
步骤S04：发出预警信号，之后返回步骤S01。
步骤S05：对各IGBT模块进行封波保护，至此，本轮控制结束。
具体的，IGBT模块的导通饱和管压降，是指IGBT模块导通时的集电极-发射极电压。IGBT模块的退饱和过程，是指IGBT模块发生短路故障时，IGBT模块的导通饱和管压降上升到母线电压的过程；在故障判断时选取该导通饱和管压降上升过程中的一个电压值作为发生退饱和的判断阈值，该电压值称为退饱和阈值电压，其值大小一般取正常工作时额定电流下的导通饱和管压降的4-6倍。
由于IGBT模组中各IGBT模块是相并联的，所有只需要采样其中任意一个IGBT模块的导通饱和管压降Vce，即可完成对整个IGBT模组中所有IGBT模块的导通饱和管压降Vce检测。当正常工作时的导通饱和管压降的上限V1＜任一IGBT模块的导通饱和管压降Vce＜短路时的退饱和阈值电压V2时，说明各IGBT模块处于异常工作状态，但此时还不至于造成IGBT模块损坏，所以各IGBT模块可以维持正常发波，但有必要发出预警信号，提醒维护人员在电力电子变换器停机情况下对各IGBT模块进行检查。而当任一IGBT模块的导通饱和管压降Vce≥短路时的退饱和阈值电压V2时，IGBT模块在此条件下长时间运行会造成损坏，所以需要及时对各IGBT模块进行封波保护。
可见，本发明实施例根据采样得到的IGBT模块的导通饱和管压降Vce大小，适时对IGBT模组进行状态预警或封波保护，从而提高了IGBT模组的工作可靠性。
可选的，在对各IGBT模块进行封波保护后，还上报IGBT模组故障，提醒维护人员及时对各IGBT模块进行检查。
本发明实施例还公开了又一种IGBT模组状态监控方法，包括：上述公开的任一实施例以及与上述公开的任一实施例并行的图2所示方案；或者包括：上述公开的任一实施例以及与上述公开的任一实施例并行的图3所示方案。
图2所示方案包括：
步骤S21：在对各IGBT模块正常发波期间，采样每个IGBT模块的实时温度。
具体的，所述实时温度可以是指IGBT模块的结温或封装外壳温度。采样方式可以是采用NTC(Negative Temperature Coefficient，负温度系数)温度传感器进行采集，但并不局限。
步骤S22：判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值是否超过过温保护阈值T1，若是，进入步骤S24；若否，进入步骤S23。
步骤S23：判断每两个IGBT模块之间的温差绝对值是否均未超过第一预设温差值T3，若是，返回步骤S21；若否，进入步骤S24。
步骤S24：对各IGBT模块进行封波保护，控制结束。
具体的，IGBT模组由多个IGBT模块并联组成，随着并联数量的增加，对模块的一致性(包括母排杂散电感、驱动一致性)要求也越来越高，再加上IGBT模组实际运行期间可能由于老化、异常或故障等原因导致运行不一致，而影响到IGBT模组的工作可靠性，所以有必要在对各IGBT模块正常发波期间，对IGBT模组进行均流度测试，从而验证实际运行期间模块的一致性。
当每两个IGBT模块之间的温差绝对值均未超过第一预设温差值T3时，可视为各个IGBT模块的实时温度基本相等。又由于电流与温度成正比，所以当各个IGBT模块的实时温度基本相等时，说明各IGBT模块间基本均流。图2所示方案在IGBT模块的实时温度超过过温保护阈值T1以及IGBT模块间不均流时，对各IGBT模块进行封波保护，从而避免了IGBT模块过温烧毁或长时间在不均流状态下运行，提高了IGBT模组的工作可靠性。
可选的，在图2所示方案中，对各IGBT模块进行封波保护后，还包括：上报IGBT模组故障。
图3所示方案包括：
步骤S11：在对各IGBT模块正常发波期间，采样每个IGBT模块的实时温度。
具体的，所述实时温度可以是指IGBT模块的结温或封装外壳温度。采样方式可以是采用NTC(Negative Temperature Coefficient，负温度系数)温度传感器进行采集，但并不局限。
步骤S12：判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值是否超过过温保护阈值T1，若是，进入步骤S15；若否，进入步骤S13。
步骤S13：判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值与最低值之差是否超过第二预设温差值T2，若是，进入步骤S15；若否，进入步骤S14。
步骤S14：判断每相邻两个IGBT模块之间的温差绝对值是否均未超过第一预设温差值T3，T2>T3；若是，返回步骤S11，若否，进入步骤S15。
步骤S15：对各IGBT模块进行封波保护，控制结束。
具体的，IGBT模组由多个IGBT模块并联组成，随着并联数量的增加，对模块的一致性(包括母排杂散电感、驱动一致性)要求也越来越高，再加上IGBT模组实际运行期间可能由于老化、异常或故障等原因导致运行不一致，而影响到IGBT模组的工作可靠性，所以有必要在对各IGBT模块正常发波期间，对IGBT模组进行均流度测试，从而验证实际运行期间模块的一致性。
当所有IGBT模块的实时温度中的最高值与最低值之差不超过第二预设温差值T2，并且每相邻两个IGBT模块之间的实时温差不超过第一预设温差值T3时，可视为每两个IGBT模块之间的实时温差均未超过第一预设温差值T3，也即可视为各个IGBT模块的实时温度基本相等。又由于电流与温度成正比，所以当各个IGBT模块的实时温度基本相等时，说明各IGBT模块间基本均流。图3所示方案在IGBT模块的实时温度超过过温保护阈值T1以及IGBT模块间不均流时，对各IGBT模块进行封波保护，从而避免了IGBT模块过温烧毁或多次在不均流状态下运行，提高了IGBT模组的工作可靠性。
可选的，图3所示方案中，在对各IGBT模块进行封波保护后，还上报IGBT模组故障，提醒维护人员及时对各IGBT模块进行检查。
随着并联数量的增加，相比图2所示方案，图3所示方案中判断均流度时的计算工作量明显较小。
与上述方法实施例相对应的，本发明实施例还公开了一种IGBT模组状态监控装置，所述IGBT模组由多个IGBT模块并联而成，如图4所示，所述IGBT模组状态监控装置包括控制单元和电压检测电路。
所述电压检测电路，用于检测其中任一IGBT模块的导通饱和管压降Vce；
所述控制单元，用于判断IGBT模组是否处于导通状态，其中所述IGBT模组由多个IGBT模块并联组成；当IGBT模组处于导通状态时，控制所述电压检测电路采样其中任一IGBT模块的导通饱和管压降Vce；将本IGBT模块的导通饱和管压降Vce与正常工作时的导通饱和管压降的上限V1、短路时的退饱和阈值电压V2比较大小，V1＜V2；若V1＜Vce＜V2，发出预警信号；若Vce≥V2，对各IGBT模块进行封波保护。
可选的，如图5所示，所述IGBT模组状态监控装置还包括：分别为每一个IGBT模块单独配置的温度检测电路；
所述控制单元，还用于在对各IGBT模块正常发波期间，控制各个温度检测电路采样IGBT模块的实时温度；判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值是否超过过温保护阈值T1，若是，对各IGBT模块进行封波保护；若否，判断每两个IGBT模块之间的温差绝对值是否均未超过第一预设温差值T3，若否，对各IGBT模块进行封波保护。
或者，在如图5所示方案中，所述控制单元，还用于在对各IGBT模块正常发波期间，控制各个温度检测电路采样IGBT模块的实时温度；判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值是否超过过温保护阈值T1，若是，对各IGBT模块进行封波保护；若否，判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值与最低值之差是否超过第二预设温差值T2；若超过第二预设温差值T2，对各IGBT模块进行封波保护；若未超过第二预设温差值T2，判断每相邻两个IGBT模块之间的温差绝对值是否均未超过第一预设温差值T3，T2>T3，若否，对各IGBT模块进行封波保护。
可选的，如图6所示，所述温度检测电路为NTC温度传感器，其包括相串联的NTC电阻和外接电阻，所述外接电阻的一端接电源Vcc，所述NTC电阻的一端接地，所述NTC电阻的阻值随IGBT模块的温度变化，通过采样NTC电阻的阻值即可实现温度采样。
所述控制单元推荐采用数字控制器，由于通过数字控制器的模数转换通道进行直接对电压检测电路、温度检测电路的输出进行采样，采样延时短。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的不同对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明实施例的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明实施例将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种IGBT模组状态监控方法，其特征在于，包括：
判断IGBT模组是否处于导通状态，其中所述IGBT模组由多个IGBT模块并联组成；
当IGBT模组处于导通状态时，采样其中任一IGBT模块的导通饱和管压降Vce；
将本IGBT模块的导通饱和管压降Vce与正常工作时的导通饱和管压降的上限V1、短路时的退饱和阈值电压V2比较大小，V1＜V2；若V1＜Vce＜V2，发出预警信号；若Vce≥V2，对各IGBT模块进行封波保护。
2.根据权利要求1所述的IGBT模组状态监控方法，其特征在于，所述IGBT模组状态监控方法还包括：
在对各IGBT模块正常发波期间，采样每个IGBT模块的实时温度；
判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值是否超过过温保护阈值T1，若是，对各IGBT模块进行封波保护；若否，判断每两个IGBT模块之间的温差绝对值是否均未超过第一预设温差值T3，若否，对各IGBT模块进行封波保护。
3.根据权利要求1所述的IGBT模组状态监控方法，其特征在于，所述IGBT模组状态监控方法还包括：
在对各IGBT模块正常发波期间，采样每个IGBT模块的实时温度；
判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值是否超过过温保护阈值T1，若是，对各IGBT模块进行封波保护；若否，判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值与最低值之差是否超过第二预设温差值T2；
若超过第二预设温差值T2，对各IGBT模块进行封波保护；若未超过第二预设温差值T2，判断每相邻两个IGBT模块之间的温差绝对值是否均未超过第一预设温差值T3，T2>T3，若否，对各IGBT模块进行封波保护。
4.根据权利要求1、2或3所述的IGBT模组状态监控方法，其特征在于，所述对各IGBT模块进行封波保护后，还包括：上报IGBT模组故障。
5.根据权利要求1、2或3所述的IGBT模组状态监控方法，其特征在于，所述实时温度是指IGBT模块的结温或封装外壳温度。
6.根据权利要求1、2或3所述的IGBT模组状态监控方法，其特征在于，所述实时温度通过NTC温度传感器采集得到。
7.一种IGBT模组状态监控装置，其特征在于，包括：控制单元和电压检测电路；
所述控制单元，用于判断IGBT模组是否处于导通状态，其中所述IGBT模组由多个IGBT模块并联组成；当IGBT模组处于导通状态时，控制所述电压检测电路采样其中任一IGBT模块的导通饱和管压降Vce；将本IGBT模块的导通饱和管压降Vce与正常工作时的导通饱和管压降的上限V1、短路时的退饱和阈值电压V2比较大小，V1＜V2；若V1＜Vce＜V2，发出预警信号；若Vce≥V2，对各IGBT模块进行封波保护。
8.根据权利要求7所述的IGBT模组状态监控装置，其特征在于，所述IGBT模组状态监控装置还包括：分别为每一个IGBT模块单独配置的温度检测电路；
所述控制单元，还用于在对各IGBT模块正常发波期间，控制各个温度检测电路采样IGBT模块的实时温度；判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值是否超过过温保护阈值T1，若是，对各IGBT模块进行封波保护；若否，判断每两个IGBT模块之间的温差绝对值是否均未超过第一预设温差值T3，若否，对各IGBT模块进行封波保护。
9.根据权利要求7所述的IGBT模组状态监控装置，其特征在于，所述IGBT模组状态监控装置还包括：分别为每一个IGBT模块单独配置的温度检测电路；
所述控制单元，还用于在对各IGBT模块正常发波期间，控制各个温度检测电路采样IGBT模块的实时温度；判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值是否超过过温保护阈值T1，若是，对各IGBT模块进行封波保护；若否，判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值与最低值之差是否超过第二预设温差值T2；若超过第二预设温差值T2，对各IGBT模块进行封波保护；若未超过第二预设温差值T2，判断每相邻两个IGBT模块之间的温差绝对值是否均未超过第一预设温差值T3，T2>T3，若否，对各IGBT模块进行封波保护。
10.根据权利要求8或9所述的IGBT模组状态监控装置，其特征在于，所述温度检测电路为NTC温度传感器，其包括相串联的NTC电阻和外接电阻，所述外接电阻的一端接电源，所述NTC电阻的一端接地；所述NTC电阻的阻值随IGBT模块的温度变化，通过采样NTC电阻的阻值获得IGBT模块的实时温度。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010856606.0A CN111999629A (zh) | 2020-08-24 | 2020-08-24 | 一种igbt模组状态监控方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010856606.0A CN111999629A (zh) | 2020-08-24 | 2020-08-24 | 一种igbt模组状态监控方法及装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111999629A true CN111999629A (zh) | 2020-11-27 |
Family
ID=73470321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010856606.0A Pending CN111999629A (zh) | 2020-08-24 | 2020-08-24 | 一种igbt模组状态监控方法及装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111999629A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117092478A (zh) * | 2023-10-18 | 2023-11-21 | 成都高投芯未半导体有限公司 | 一种igbt饱和压降的测量系统及方法 |
Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103326324A (zh) * | 2013-06-13 | 2013-09-25 | 浙江海得新能源有限公司 | 一种应用于大功率逆变器中的igbt模块并联保护电路 |
| CN203933364U (zh) * | 2014-05-28 | 2014-11-05 | 天津瑞能电气有限公司 | 一种多个igbt模块的并联大功率驱动电路 |
| CN106771945A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-05-31 | 北京世纪金光半导体有限公司 | 一种igbt结温在线监测方法及其测量电路 |
| CN106969851A (zh) * | 2017-03-19 | 2017-07-21 | 北京工业大学 | 基于饱和压降测量igbt功率模块结温的在线检测装置 |
| CN107991597A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-05-04 | 江苏中科君芯科技有限公司 | 一种igbt可靠性测试的控制方法、装置及系统 |
| CN108732481A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-02 | 四川蓝彩电子科技有限公司 | 一种大功率igbt模块的电流检测方法 |
| CN108981951A (zh) * | 2018-08-16 | 2018-12-11 | 江苏镇安欣润电力科技有限公司 | 一种igbt温度检测电路及其检测方法 |
| CN109581180A (zh) * | 2019-01-17 | 2019-04-05 | 南京亚派科技股份有限公司 | 一种igbt模块并联温度检测电路 |
| CN109781293A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-21 | 大禹电气科技股份有限公司 | 多igbt模块的温度测量装置和测量电路以及测量方法 |
| CN109830941A (zh) * | 2019-03-04 | 2019-05-31 | 苏州弈力能源科技有限公司 | 新能源汽车igbt模组过温保护策略和装置 |
| CN109946576A (zh) * | 2019-01-17 | 2019-06-28 | 西安工程大学 | 一种驱动器用igbt模块的寿命预警方法 |
| CN110412447A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-11-05 | 北京工业大学 | 一种无损测量igbt模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度的方法 |
| CN111090031A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-05-01 | 电子科技大学 | 一种igbt过流预警系统及方法 |
| CN111174932A (zh) * | 2020-01-07 | 2020-05-19 | 上海电气集团股份有限公司 | 一种多并联igbt模块温度采样检测系统及方法 |
| CN111289868A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-06-16 | 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 | 一种具有饱和导通压降测试电路的igbt测试系统 |
| CN111371293A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-07-03 | 北京交通大学 | 一种具有状态监测及故障记录功能的igbt驱动电路 |
| CN111398766A (zh) * | 2020-04-13 | 2020-07-10 | 武汉大学 | 一种igbt模块健康状态在线监测方法及系统 |
-
2020
- 2020-08-24 CN CN202010856606.0A patent/CN111999629A/zh active Pending
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103326324A (zh) * | 2013-06-13 | 2013-09-25 | 浙江海得新能源有限公司 | 一种应用于大功率逆变器中的igbt模块并联保护电路 |
| CN203933364U (zh) * | 2014-05-28 | 2014-11-05 | 天津瑞能电气有限公司 | 一种多个igbt模块的并联大功率驱动电路 |
| CN106771945A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-05-31 | 北京世纪金光半导体有限公司 | 一种igbt结温在线监测方法及其测量电路 |
| CN106969851A (zh) * | 2017-03-19 | 2017-07-21 | 北京工业大学 | 基于饱和压降测量igbt功率模块结温的在线检测装置 |
| CN107991597A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-05-04 | 江苏中科君芯科技有限公司 | 一种igbt可靠性测试的控制方法、装置及系统 |
| CN108732481A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-02 | 四川蓝彩电子科技有限公司 | 一种大功率igbt模块的电流检测方法 |
| CN108981951A (zh) * | 2018-08-16 | 2018-12-11 | 江苏镇安欣润电力科技有限公司 | 一种igbt温度检测电路及其检测方法 |
| CN109946576A (zh) * | 2019-01-17 | 2019-06-28 | 西安工程大学 | 一种驱动器用igbt模块的寿命预警方法 |
| CN109581180A (zh) * | 2019-01-17 | 2019-04-05 | 南京亚派科技股份有限公司 | 一种igbt模块并联温度检测电路 |
| CN109781293A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-21 | 大禹电气科技股份有限公司 | 多igbt模块的温度测量装置和测量电路以及测量方法 |
| CN109830941A (zh) * | 2019-03-04 | 2019-05-31 | 苏州弈力能源科技有限公司 | 新能源汽车igbt模组过温保护策略和装置 |
| CN110412447A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-11-05 | 北京工业大学 | 一种无损测量igbt模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度的方法 |
| CN111090031A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-05-01 | 电子科技大学 | 一种igbt过流预警系统及方法 |
| CN111174932A (zh) * | 2020-01-07 | 2020-05-19 | 上海电气集团股份有限公司 | 一种多并联igbt模块温度采样检测系统及方法 |
| CN111371293A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-07-03 | 北京交通大学 | 一种具有状态监测及故障记录功能的igbt驱动电路 |
| CN111289868A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-06-16 | 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 | 一种具有饱和导通压降测试电路的igbt测试系统 |
| CN111398766A (zh) * | 2020-04-13 | 2020-07-10 | 武汉大学 | 一种igbt模块健康状态在线监测方法及系统 |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| 丁树奎 等: "《能馈式牵引供电原理及其在城市轨道交通中的应用》", 30 September 2014, 北京交通大学出版社 * |
| 凌晨 等: "IGBT并联动态不均流温度特性研究", 《电力电子技术》 * |
| 王海元 等: "IGBT并联运行均流问题仿真分析", 《湖南工程学院学报》 * |
| 马骏杰 等, 北京航空航天大学出版社 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117092478A (zh) * | 2023-10-18 | 2023-11-21 | 成都高投芯未半导体有限公司 | 一种igbt饱和压降的测量系统及方法 |
| CN117092478B (zh) * | 2023-10-18 | 2023-12-19 | 成都高投芯未半导体有限公司 | 一种igbt饱和压降的测量系统及方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103036415B (zh) | 一种功率半导体开关串联电路及其控制方法 | |
| US20140077782A1 (en) | Semiconductor device including short-circuit protection | |
| CN104702253A (zh) | 用于功率半导体开关的短路保护的方法和装置 | |
| US20130328596A1 (en) | Apparatus and method for power switch health monitoring | |
| JP4942804B2 (ja) | 半導体電力変換装置 | |
| CN110445102B (zh) | 一种电子继电器装置及保护方法 | |
| CN109946576A (zh) | 一种驱动器用igbt模块的寿命预警方法 | |
| US11757444B2 (en) | Semiconductor element drive device and power conversion apparatus | |
| CN111999629A (zh) | 一种igbt模组状态监控方法及装置 | |
| CN111090031A (zh) | 一种igbt过流预警系统及方法 | |
| CN104702125A (zh) | 电能变换装置、冗余控制系统及方法 | |
| CN208833885U (zh) | 电路系统 | |
| CN110596563B (zh) | 电力变换装置及其功率半导体器件健康状态自检方法 | |
| CN112986784B (zh) | 一种大功率焊接型igbt模块的异常识别方法及装置 | |
| Avenas et al. | Thermal characterization of an IGBT power module with on-die temperature sensors | |
| CN111142002A (zh) | 一种并联芯片温度均匀性检测方法及装置 | |
| CN107134754B (zh) | 一种电源并机系统的输出过压保护方法及装置 | |
| JP7156675B2 (ja) | 電力変換器、可変信号遅延回路及び電力変換方法 | |
| US20200266623A1 (en) | Protection circuit, corresponding system and method | |
| KR101887906B1 (ko) | 전력 소자 모듈의 온도 센싱 장치 | |
| Jeong et al. | Effective resistor selection method for over current protection when using sense IGBT solution | |
| EP4187787A1 (en) | Protection unit for wide bandgap power switching device and method for operating the wide bandgap power switching device | |
| Dbeiss et al. | In-situ condition monitoring system to study the ageing of power semi-conductor devices in photovoltaic inverters | |
| CN114243643B (zh) | 开关装置及功率转换装置 | |
| CN111371293B (zh) | 一种具有状态监测及故障记录功能的igbt驱动电路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20201127 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |