CN111964796A - 一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器及其检测方法 - Google Patents
一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器及其检测方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111964796A CN111964796A CN202010893291.7A CN202010893291A CN111964796A CN 111964796 A CN111964796 A CN 111964796A CN 202010893291 A CN202010893291 A CN 202010893291A CN 111964796 A CN111964796 A CN 111964796A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- voltage
- lithium niobate
- optical waveguide
- wavelength
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 102
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 48
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 claims description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- MBGCACIOPCILDG-UHFFFAOYSA-N [Ni].[Ge].[Au] Chemical compound [Ni].[Ge].[Au] MBGCACIOPCILDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
- G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
- G01J9/0246—Measuring optical wavelength
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
- G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
- G01J2009/028—Types
- G01J2009/0288—Machzehnder
Abstract
本发明涉及一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器及其检测方法，光波长探测器包括铌酸锂体材料、非对称马赫‑曾德尔干涉仪光波导结构和两个共面电极；铌酸锂体材料上设置有非对称马赫‑曾德尔干涉仪光波导结构，非对称马赫‑曾德尔干涉仪光波导结构包括输入端、长干涉臂、短干涉臂和输出端，且两个共面电极分别设置在短干涉臂或长干涉臂的两侧；通过改变共面电极施加的电压，来改变输出光强，输出光强最大时对应的电压即为待测光的特征电压，待测光的波长由特征电压求出，且待测光的波长与特征电压之间为线性关系。该光波长探测器是基于半导体光波导的器件，结构紧凑，尺寸小，外围电路集成化后可实现手持，且抗震性强。
Description
技术领域
本发明涉及一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器及其检测方法，属于光波长探测技术领域。
背景技术
光波长检测广泛应用于科研和生产：如现在桥梁应力、电力柜温度等广泛使用的光纤光栅传感领域中，主要就是靠检测光纤光栅返回的波长来测定目标参数；依靠光谱来检测目标成分的过程中更是直接依赖于波长的检测结果。
目前检测光波长的主流方法是依靠高精度分光计将不同波长的光反射至CCD的不同位置，由这个位置信息可推算出中心波长。此方法的缺点是设备体积大，整体设备一般为40-60厘米宽、30-40厘米高、40-50厘米深，重量约为5-10公斤，无法实现手持。而在实际应用中，对于野外作业和众多户外测量维修，手持设备的需求量是非常大的，目前高精度分光计的方案无法满足此类需求。
此外，高精度分光计与CCD之间为自由光路，需对一组透镜、高精度光栅做高精度对准，设备的抗震动特性较差，在航天航海或其他一些震动较强的领域具有较大的局限性。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器，该光波长探测器的光学芯片只有几厘米，可实现手持；且光波长探测器由光纤封装，没有自由光路，抗震性强。
本发明同时还提供了基于铌酸锂光波导的光波长探测器的检测方法，该方法利用铌酸锂的电光效应与波导有效折射率线性变化这一特点来实现，通过扫描不同电压，得到最大光强度时的对应的特征电压，待检测光波长由这个特征电压求得，并且电压与检测到光波长的关系是线性的。
本发明的技术方案为：
一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器，包括铌酸锂体材料、非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构和两个共面电极；
铌酸锂体材料上设置有所述非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构，非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构包括输入端、长干涉臂、短干涉臂和输出端，输入端的两个输出端口分别与长干涉臂、短干涉臂的一端相连接，长干涉臂、短干涉臂的另一端分别与输出端的两个输入端口相连接；且所述两个共面电极分别设置在所述短干涉臂或长干涉臂的两侧；
待测光经过输入端分别耦合到长干涉臂和短干涉臂中，并分别经过输出端耦合输出；通过改变共面电极施加的电压，来改变输出光强，输出光强最大时对应的电压即为待测光的特征电压，待测光的波长由特征电压求出，且待测光的波长与特征电压之间为线性关系。
本发明基于非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构，待测光经过输入端分别耦合到长干涉臂和短干涉臂中，通过对两个共面电极施加一定范围的电压值，改变短干涉臂的有效折射率，从而改变长干涉臂与短干涉臂的光程差，光程差的改变造成两臂的相位差
改变，由公式
Pout表示非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构中输出端的输出光强，Pin表示非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构中输入端的输入光强，得出器件的输出光强得到变化，由于相位与光程差的关系是线性的，光程差与折射率变化是线性的，折射率变化与施加电压是线性的，因此由最大输出光强对应的电压值求得出被检测光的波长。
根据本发明优选的，长干涉臂和短干涉臂的长度差为1～1000μm；
进一步优选的，长干涉臂和短干涉臂的长度差为27μm。长干涉臂和短干涉臂的长度差越小，器件的检测波长范围越大。
根据本发明优选的，所述共面电极的材料为金或金锗镍合金。
根据本发明优选的，所述共面电极的厚度为0.01～1μm，共面电极的长度Ls为100～100000μm；
进一步优选的，所述共面电极的厚度为0.1μm，共面电极的长度Ls为30000μm。
根据本发明优选的，非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构的材料为高折射率铌酸锂，所述高折射率铌酸锂的折射率范围为2.140～2.150；铌酸锂体材料为低折射率铌酸锂，所述低折射率铌酸锂的折射率范围为2.136～2.139；
进一步优选的，所述高折射率铌酸锂的折射率为2.148，低折射率铌酸锂的折射率为2.138。从而满足待测光在探测器中的传输条件，减小光在传输过程中的损耗。
根据本发明优选的，非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构的横截面均为半椭圆形，半椭圆形横截面的长轴a与短轴b的长度比为(1.1～1.5):1；
进一步优选的，半椭圆形横截面的长轴a与短轴b的长度比为5:4。
根据本发明优选的，输入端为Y分支型或1分2型；输出端为Y分支或2合1型。即在输入端，光从Y分支型的单波导部分输入，从Y分支型的两个分支输出光；在输出端，光从Y分支从Y分支型的两个分支输入，从单波导部分输出。
基于铌酸锂光波导的光波长探测器的检测方法，包括步骤如下：
(1)将波长为λ1的光输入到光波长探测器中，改变共面电极施加的电压，得到不同电压下的透射光强，即输出光强随电压变化的透射谱，该透射谱的中输出光强最大值对应电压U1，则电压U1为波长λ1的特征电压；
(2)将波长为λ2的光输入到光波长探测器中，改变共面电极施加的电压，得到不同电压下的透射光强，即输出光强随电压变化的透射谱，该透射谱的中输出光强最大值对应电压U2，则电压U2为波长λ2的特征电压；从而完成光波长探测器的标定；
(3)实施测量时，将波长为λx的待测光输入到所述光波长探测器中，调节共面电极施加的电压，使输出光强达到最大值，输出光强达到最大值时对应的共面电极的电压Ux，电压Ux为待测光λx的特征电压；
(4)根据式(I)计算出待测光λx的值，式(I)为：
式(I)中，λx为待测光的波长，电压U2为波长λ2的特征电压,电压U1为波长λ1的特征电压,Ux为待测光λx的特征电压。
本发明的有益效果为：
1.本发明提供的光波长探测器采用非对称马赫-曾德尔干涉结构作为波长检测的主体，并利用铌酸锂的电光效应与波导有效折射率线性变化这一特点来实现，通过扫描不同电压，得到最大光强度时的对应的特征电压，待检测光波长由这个特征电压求得，并且电压与检测到光波长的关系是线性的。
2.本发明提供的光波长探测器可以通过改变两个干涉臂的臂差来调节波长测量范围，适应不同的场景，能够探测到的波长测量范围在0.01μm～100μm之间。
3.本发明提供的光波长探测器是基于半导体光波导的器件，结构紧凑，尺寸小，光学芯片只有2mmx1mmx50mm，外围电路集成化后可实现手持。
4.本发明提供的光波长探测器由光纤封装，没有自由光路，抗震性强于主流的高精度分光计结合CCD的配置。
5.本发明提供的光波长探测器是基于半导体工艺，在大规模量产的质量稳定性与成本方面有着天然优势。
附图说明
图1为基于铌酸锂光波导的光波长探测器的俯视图；
图2为短干涉臂波导与共面电极的横截面示意图；
图3为待测光波长与共面电极施加电压的关系示意图；
1、输入端，2、长干涉臂，3、短干涉臂，4、共面电极，5、输出端，6、铌酸锂体材料。
具体实施方式
下面结合实施例和说明书附图对本发明做进一步说明，但不限于此。
一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器，如图1所示，包括铌酸锂体材料6、非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构和两个共面电极4；
铌酸锂体材料6上设置有非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构，非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构包括输入端1、长干涉臂2、短干涉臂3和输出端5，输入端1的两个输出端口分别与长干涉臂2、短干涉臂3的一端相连接，长干涉臂2、短干涉臂3的另一端分别与输出端5的两个输入端口相连接；且两个共面电极4分别设置在短干涉臂3或长干涉臂2的两侧；
输入端1是与光纤相连接，输出端5也与光纤相连接，并在输出端5由波长解调仪或者光谱仪得到器件的透射谱。
本实施例中，短干涉臂3为直线型，长干涉臂2为弯曲型，为了方便制作，将两个共面电极4分别设置在短干涉臂3的两侧。
待测光经过输入端1分别耦合到长干涉臂2和短干涉臂3中，并分别经过输出端5耦合输出；通过改变共面电极4施加的电压，来改变输出光强，输出光强最大时对应的电压即为待测光的特征电压，待测光的波长由特征电压求出，且待测光的波长与特征电压之间为线性关系。
输入端1为Y分支型或1分2型；输出端5为Y分支或2合1型。即在输入端1，光从Y分支型的单波导部分输入，从Y分支型的两个分支输出光；在输出端5，光从Y分支从Y分支型的两个分支输入，从单波导部分输出。
本实施例中，选用x切y传的铌酸锂体材料6做基底，光波导芯片的总长度为40μm，长干涉臂2长度为30027μm，短干涉臂3长度为30000μm。
共面电极4的材料为金，厚度约0.1μm，长度Ls为30000μm。
如图2所示，非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构的截面均为半椭圆形，短轴为8μm，长轴为10μm。
非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构的材料为高折射率铌酸锂，其折射率为2.148，铌酸锂体材料6为低折射率铌酸锂，其折射率为2.138。
在本实施例中，对共面电极4电压施加3V的电压，两个共面电极4中一个为正，另一个为负，图2所示，左边的共面电极4为负，右边的共面电极4为正；本发明采用共面电极4结构，能够降低成本。
本发明基于非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构，待测光经过输入端1分别耦合到长干涉臂2和短干涉臂3中，通过对两个共面电极4施加一定范围的电压值，改变短干涉臂3的有效折射率，从而改变长干涉臂2与短干涉臂3的光程差，光程差的改变造成两臂的相位差
改变，由公式
Pout表示非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构中输出端5的输出光强，Pin表示非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构中输入端1的输入光强，得出器件的输出光强得到变化，由于相位与光程差的关系是线性的，光程差与折射率变化是线性的，折射率变化与施加电压是线性的，因此由最大输出光强对应的电压值求得出被检测光的波长。
实施例2
实施例1提供的一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器的工作方法，包括步骤如下：
(1)将波长为λ1的光输入到光波长探测器中，改变共面电极4施加的电压，得到不同电压下的透射光强，即输出光强随电压变化的透射谱，该透射谱的中输出光强最大值对应电压U1，则电压U1为波长λ1的特征电压；
(2)将波长为λ2的光输入到光波长探测器中，改变共面电极4施加的电压，得到不同电压下的透射光强，即输出光强随电压变化的透射谱，该透射谱的中输出光强最大值对应电压U2，则电压U2为波长λ2的特征电压；从而完成光波长探测器的标定；
(3)实施测量时，将波长为λx的待测光输入到光波长探测器中，调节共面电极4施加的电压，使输出光强达到最大值，输出光强达到最大值时对应的共面电极4的电压Ux，电压Ux为待测光λx的特征电压；
(4)根据式(I)计算出待测光λx的值，式(I)为：
式(I)中，λx为待测光的波长，电压U2为波长λ2的特征电压,电压U1为波长λ1的特征电压,Ux为待测光λx的特征电压。
本实施例中，当电压为3V时，输出光强度达到最大值，则意味着被测光的波长为1570nm，即1570nm光波长的特征电压为3V。若在共面电极4电压为-3V处输出光强达到最大值，则意味着被测光的波长为1530nm，即1530nm光波长的特征电压为-3V。本实施例的波长测量范围为40nm，最大光强对应的电压，与被测波长呈线性变化关系。
将U1＝-3V，λ1＝1530nm，U2＝3V，λ2＝1570nm代入式(I),求得
待测光波长与共面电极4的电压的关系如图3所示。根据待测光的特征电压Ux，可由式(II)计算出待测光波长λx。
Claims (10)
1.一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器，其特征在于，包括铌酸锂体材料、非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构和两个共面电极；
铌酸锂体材料上设置有所述非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构，非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构包括输入端、长干涉臂、短干涉臂和输出端，输入端的两个输出端口分别与长干涉臂、短干涉臂的一端相连接，长干涉臂、短干涉臂的另一端分别与输出端的两个输入端口相连接；且所述两个共面电极分别设置在所述短干涉臂或长干涉臂的两侧；
待测光经过输入端分别耦合到长干涉臂和短干涉臂中，并分别经过输出端耦合输出；通过改变共面电极施加的电压，来改变输出光强，输出光强最大时对应的电压即为待测光的特征电压，待测光的波长由特征电压求出，且待测光的波长与特征电压之间为线性关系。
2.根据权利要求1所述的一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器，其特征在于，长干涉臂和短干涉臂的长度差为1～1000μm。
3.根据权利要求2所述的一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器，其特征在于，长干涉臂和短干涉臂的长度差为27μm。
4.根据权利要求1所述的一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器，其特征在于，所述共面电极的材料为金或金锗镍合金。
5.根据权利要求1所述的一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器，其特征在于，所述共面电极的厚度为0.01～1μm，共面电极的长度Ls为100～100000μm。
6.根据权利要求5所述的一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器，其特征在于，所述共面电极的厚度为0.1μm，共面电极的长度Ls为30000μm。
7.根据权利要求1所述的一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器，其特征在于，非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构的材料为高折射率铌酸锂，所述高折射率铌酸锂的折射率范围为2.140～2.150；铌酸锂体材料为低折射率铌酸锂，所述低折射率铌酸锂的折射率范围为2.136～2.139。
8.根据权利要求1所述的一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器，其特征在于，非对称马赫-曾德尔干涉仪光波导结构的横截面均为半椭圆形，半椭圆形横截面的长轴a与短轴b的长度比为(1.1～1.5):1；
进一步优选的，半椭圆形横截面的长轴a与短轴b的长度比为5:4。
9.根据权利要求1所述的一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器，其特征在于，输入端为Y分支型或1分2型；输出端为Y分支或2合1型。
10.如权利要求1-9任选一项所述的基于铌酸锂光波导的光波长探测器的检测方法，其特征在于，包括步骤如下：
(1)将波长为λ1的光输入到光波长探测器中，改变共面电极施加的电压，得到不同电压下的透射光强，即输出光强随电压变化的透射谱，该透射谱的中输出光强最大值对应电压U1，则电压U1为波长λ1的特征电压；
(2)将波长为λ2的光输入到光波长探测器中，改变共面电极施加的电压，得到不同电压下的透射光强，即输出光强随电压变化的透射谱，该透射谱的中输出光强最大值对应电压U2，则电压U2为波长λ2的特征电压；从而完成光波长探测器的标定；
(3)实施测量时，将波长为λx的待测光输入到所述光波长探测器中，调节共面电极施加的电压，使输出光强达到最大值，输出光强达到最大值时对应的共面电极的电压Ux，电压Ux为待测光λx的特征电压；
(4)根据式(I)计算出待测光λx的值，式(I)为：
式(I)中，λx为待测光的波长，电压U2为波长λ2的特征电压,电压U1为波长λ1的特征电压,Ux为待测光λx的特征电压。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010893291.7A CN111964796B (zh) | 2020-08-31 | 2020-08-31 | 一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器及其检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010893291.7A CN111964796B (zh) | 2020-08-31 | 2020-08-31 | 一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器及其检测方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111964796A true CN111964796A (zh) | 2020-11-20 |
| CN111964796B CN111964796B (zh) | 2022-02-11 |
Family
ID=73400533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010893291.7A Active CN111964796B (zh) | 2020-08-31 | 2020-08-31 | 一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器及其检测方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111964796B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114166253A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-03-11 | 山东大学 | 一种基于非线性回归数据处理的提高马赫-泽德型传感器测量范围的方法及系统 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1705908A (zh) * | 2003-03-19 | 2005-12-07 | 日本电信电话株式会社 | 光开关、光调制器和波长可变滤光器 |
| CN101290248A (zh) * | 2007-04-18 | 2008-10-22 | 中国科学院半导体研究所 | 基于马赫-曾德尔干涉仪滤波原理的单模红外光波长计 |
| JP2009229926A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器の半波長電圧の測定方法 |
| CN102207459A (zh) * | 2010-03-31 | 2011-10-05 | 中国科学院电子学研究所 | 基于集成光技术的傅里叶变换芯片光谱仪 |
| CN102401666A (zh) * | 2010-09-10 | 2012-04-04 | 北京邮电大学 | 一种光纤光栅反射波长的解调方法和装置 |
| CN104792418A (zh) * | 2015-02-06 | 2015-07-22 | 中国科学院电子学研究所 | 端面斜反射光波导傅立叶光谱仪 |
| US20180010967A1 (en) * | 2008-02-21 | 2018-01-11 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | High precision wavelength measurement and control of a tunable laser |
| CN108254085A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-07-06 | 河南大学 | 一种基于铌酸锂材料的大光程差新型波长解调装置及方法 |
-
2020
- 2020-08-31 CN CN202010893291.7A patent/CN111964796B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1705908A (zh) * | 2003-03-19 | 2005-12-07 | 日本电信电话株式会社 | 光开关、光调制器和波长可变滤光器 |
| CN101290248A (zh) * | 2007-04-18 | 2008-10-22 | 中国科学院半导体研究所 | 基于马赫-曾德尔干涉仪滤波原理的单模红外光波长计 |
| US20180010967A1 (en) * | 2008-02-21 | 2018-01-11 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | High precision wavelength measurement and control of a tunable laser |
| JP2009229926A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器の半波長電圧の測定方法 |
| CN102207459A (zh) * | 2010-03-31 | 2011-10-05 | 中国科学院电子学研究所 | 基于集成光技术的傅里叶变换芯片光谱仪 |
| CN102401666A (zh) * | 2010-09-10 | 2012-04-04 | 北京邮电大学 | 一种光纤光栅反射波长的解调方法和装置 |
| CN104792418A (zh) * | 2015-02-06 | 2015-07-22 | 中国科学院电子学研究所 | 端面斜反射光波导傅立叶光谱仪 |
| CN108254085A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-07-06 | 河南大学 | 一种基于铌酸锂材料的大光程差新型波长解调装置及方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114166253A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-03-11 | 山东大学 | 一种基于非线性回归数据处理的提高马赫-泽德型传感器测量范围的方法及系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111964796B (zh) | 2022-02-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11112316B2 (en) | Optical fiber temperature sensor | |
| CN106526751A (zh) | 一种基于微纳光纤的温控可调谐光纤滤波器及其制作方法 | |
| CN107462776A (zh) | 基于波长控制的集成光波导电场测量系统及其测量方法 | |
| CN101900611B (zh) | 使用分布式光纤传感器同时测量温度和应力的装置及方法 | |
| CN111964796B (zh) | 一种基于铌酸锂光波导的光波长探测器及其检测方法 | |
| CN105022004A (zh) | 基于表面等离激元的波导磁场/电流传感器及其装置 | |
| CN106932364A (zh) | 宏弯曲错位拉锥型光纤液体折射率传感器 | |
| CN109031532A (zh) | 一种平面波导芯片与光纤阵列的耦合方法 | |
| CN113406744B (zh) | 傅里叶型波导分光芯片 | |
| CN109253986B (zh) | 一种级联傅里叶变换光谱仪的双环光学传感器 | |
| CN102175239A (zh) | 一种用于三轴光纤陀螺的集成光学芯片 | |
| CN107894527A (zh) | 基于电光效应的随机波导光栅电压传感器及其电压检测方法 | |
| CN209746025U (zh) | 一种基于双光纤光栅的电流测量系统 | |
| Chen et al. | A Fabry–Perot interferometer with asymmetrical tapered-fiber for improving strain sensitivity | |
| CN105180978B (zh) | 基于窄带光源和滤波特性可调元件的光学传感器及其方法 | |
| CN106932860A (zh) | 2×2保偏光纤分束偏振器 | |
| CN101413886B (zh) | 一种利用等离子体共振光纤传感器检测液体折射率的装置 | |
| CN110031139A (zh) | 一种基于阵列波导光栅结构的接触型线性应力传感器及其应力检测方法 | |
| CN107632211A (zh) | 一种静态工作点可控制光电集成电场测量系统及方法 | |
| CN108956092A (zh) | 一种基于集成y波导结构的偏振耦合分布标定器及方法 | |
| CN109946511B (zh) | 一种集成光波导电功率传感芯片及其构建的测量系统 | |
| CN112859225B (zh) | 中红外集成双通道滤光片的制备方法 | |
| CN106323339A (zh) | 一种低强度噪声微小型闭环光纤陀螺的制造方法 | |
| CN109444514A (zh) | 基于mz-wg结构的波导电压传感器、测量系统及方法 | |
| Yulianti et al. | Temperature sensitivity investigation of tapered plastic optical fiber-Mach Zehnder interferometer for sensor application |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20221012 Address after: Room 1109, East Building, No. 2218, Hunan Road, Pudong New Area, Shanghai 201204 Patentee after: Shanghai Haina Xinda Data Technology Co.,Ltd. Address before: No. 27, mountain Dana Road, Ji'nan City, Shandong, Shandong Patentee before: SHANDONG University |
|
| TR01 | Transfer of patent right |