CN111952436B - 一种无源压电自供能单元结构的制备工艺 - Google Patents
一种无源压电自供能单元结构的制备工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111952436B CN111952436B CN202010836348.XA CN202010836348A CN111952436B CN 111952436 B CN111952436 B CN 111952436B CN 202010836348 A CN202010836348 A CN 202010836348A CN 111952436 B CN111952436 B CN 111952436B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon substrate
- layer
- electrode layer
- silicon
- piezoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 6
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- -1 ITO Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 4
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 claims description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/076—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by vapour phase deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/082—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by etching, e.g. lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
本发明涉及一种无源压电自供能单元结构的制备工艺,包括:在硅基片的正面、背面分别沉积氧化硅层、氮化硅层;对所述硅基片背面的氮化硅层和氧化硅层进行蚀刻,形成阵列图案;湿法腐蚀硅基片,在所述硅基片的背面形成阵列式的矩形空腔;在硅基片正面的所述氮化硅层上溅射下电极层;在所述下电极层上溅射压电薄膜,并为所述压电薄膜开设缝隙;在所述压电薄膜上溅射上电极层;采用深反应离子刻蚀,去除所述矩形空腔内的硅基底,释放压电薄膜。
Description
技术领域
本申请属于能量采集技术领域,尤其是涉及一种无源压电自供能单元结构的制备工艺。
背景技术
所谓自供能或能量采集(Self-powering or Energy Harvesting)就是将环境中其它形式的能量(如光、热、机械、电磁、生化能等)转化为电能,为电子系统供能。自供能不需要通常的化学电池或电力电源供能,通过转化环境中其它形式能量,可以长期不断得到电能。
由于压电材料特有的机电转换特性,许多能量采集器都采用压电材料(元件)作为能量转换、输出部件。
目前采用MEMS工艺制作的微型能量采集器工作原理多基于压电效应、电磁感应和静电生能等。其中,基于压电效应的能量采集器,因其具有较高的输出功率密度、制作工艺成熟且易于集成制造等优点而得到广泛应用。当压电式能量采集器在工作的时候,根据谐振理论,当器件的固有频率与外界的振动频率一致时,器件的振幅最大且可以获得最优的输出性能。生活中,大多数振动源的基本特征频率主要集中在10-200Hz,所以设计的压电式能量采集器的固有频率应尽量处于这一范围之中以获得最大输出。此外,环境中的振动频率会因不同因素而发生改变,所以多频的能量采集器更易匹配振动源频率而表现出更加优良的输出性能。
目前制作压电薄膜的方法有很多,但是现有方法大都存在一些缺点,譬如制作过程需要高温环境会对材料压电性能造成影响,薄膜的厚度受到所用技术限制,材料的均匀性、可靠性等难以保证,重复过 程比较困难等。
而且,现有制作方法得到的能量收集单元结构的能量收集效率较低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:为解决现有技术中压电薄膜制作方法需要高温环境,会对材料压电性能造成影响,从而使薄膜的厚度受到限制,同时制作的能量收集单元结构的能量收集效率低的问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
本发明提供一种无源压电自供能单元结构的制备工艺,包括:
清洗硅基片;
以所述硅基片为基底,在所述硅基片的正面、背面分别沉积2000Å氧化硅层和3000Å氮化硅层;
对所述硅基片背面的氮化硅层和氧化硅层进行干法蚀刻,形成阵列图案;
在浓度为33%的80℃氢氧化钾溶液中湿法腐蚀所述硅基片,在所述硅基片的背面形成矩形空腔;
在硅基片正面的所述氮化硅层上溅射下电极层;
在所述下电极层上溅射压电薄膜,并为所述压电薄膜开设缝隙,所述缝隙直通至下电极层,且所述缝隙位置与所述矩形空腔的位置相错开
在所述压电薄膜上溅射上电极层;
采用深反应离子刻蚀,去除所述矩形空腔底部的硅基底,释放压电薄膜。
可选的是,根据本发明实施例所述的无源压电自供能单元结构的制备工艺,对所述硅基片背面的氮化硅层和氧化硅层进行干法蚀刻的步骤包括:
在硅基片的正面旋涂光刻胶;
在浓度为6%的NaOH溶液中显影,显影时间为2分钟;
采用SF6刻蚀氮化硅层和氧化硅层,形成阵列图案。
可选的是,根据本发明实施例所述的无源压电自供能单元结构的制备工艺,所述上电极层和所述下电极层的材料均为导电非金属、金属或金属化合物。
可选的是,根据本发明实施例所述的无源压电自供能单元结构的制备工艺,所述上电极层和所述下电极层的材料为Au、Pt、Cu、Al、Cr、Ni、Cr/Ni合金、Cr/Cu合金、Cr/Au合金或Ti/Pt合金、ITO、碳纳米管、或石墨烯。
可选的是,根据本发明实施例所述的无源压电自供能单元结构的制备工艺,所述压电薄膜层的材料为ZnO。
本发明的有益效果是:本发明通过对能量收集单元进行阵列化的结构设计,从而提升自供能的能量收集效率。
本发明制备工艺得到的压电薄膜厚度较小,因此,其形变需要的作用力很微弱,从而有利于产生极化电荷。
附图说明
下面结合附图和实施例对本申请的技术方案进一步说明。
图1是本发明实施例的工艺方法流程图;
图 2 是本发明实施例的加工工艺过程图。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请的技术方案。
本实施例提供一种无源压电自供能单元结构的膜制备工艺,如图 1所示,包括:
S1:清洗硅基片;
S2:以所述硅基片为基底,在所述硅基片的正面、背面分别依次沉积2000Å氧化硅层和3000Å氮化硅层;
S3:对所述硅基片背面的氮化硅层和氧化硅层进行干法蚀刻,形成阵列图案;
S4:在浓度为33%的80℃氢氧化钾溶液中湿法腐蚀所述硅基片,在所述硅基片的背面形成矩形空腔;
S5:在硅基片正面的所述氮化硅层上溅射下电极层;
S6: 在所述下电极层上溅射压电薄膜,并为所述压电薄膜开设缝隙,所述缝隙直通至下电极层,且所述缝隙位置与所述矩形空腔的位置相错开;
S7:在所述压电薄膜上溅射上电极层;
S8:采用深反应离子刻蚀,去除所述矩形空腔底部的硅基底,释放压电薄膜。
本实施例首先需要选取一个硅基片作为基底,如图2中的(a) 所示,该硅基片可以为 n 型或者p+型硅基片,厚度为 10,本领域技术人员可以根据工程需要选择不同厚度的硅基片,该硅基片具有正面和背面,对选取的硅基片采用标准清洗工艺进行清洗。
如图 2中的(b),在硅基片的正面和背面均沉积2000Å氧化硅层(SiO2),然后再分别沉积3000Å氮化硅层(Si3N4),如图2中的(c)。
硅基片背面的氮化硅和氧化硅构成掩膜层,可以理解,该掩膜层结构主要用于阻挡腐蚀液对硅基片的腐蚀。
硅基片正面的氮化硅和氧化硅构成支撑层,该支撑层主要用于对压电薄膜的支撑和辅助震动。
对于支撑层和掩膜层,本领域技术人员可以根据需要和工艺条件选择不同的材料薄膜,而非仅限于上述氮化硅和氧化硅薄膜。
如图2中的(d)~(f)完成了对所述硅基片背面的氮化硅层和氧化硅层进行干法蚀刻,形成阵列图案。本实施例的具体实现方案如下:
在硅基片的正面旋涂光刻胶,如图2中的(d)所示;
在浓度为6 %的NaOH溶液中显影,显影时间为2分钟,如图2中的(e) 所示;
采用SF6刻蚀氮化硅层和氧化硅层,形成阵列图案,如图2中的(f)所示。
如图2中的(g) 所示,在浓度为33%的80℃氢氧化钾溶液中湿法腐蚀所述硅基片,将SiO2层和Si3N4层的阵列图案间隙内的硅基片不完全腐蚀,本实施例腐蚀8厚度的硅基片,而SiO2层和Si3N4层下方的硅基片未被腐蚀,从而在所述硅基片的背面形成阵列式的矩形空腔。
如图2中的(h)所示,在硅基片正面溅射下电极层,所述下电极层的材料均为导电非金属、金属或金属化合物。作为一种可选的实施例,所述下电极层的材料可以为Au、Pt、Cu、Al、Cr、Ni、Cr/Ni合金、Cr/Cu合金、Cr/Au合金或Ti/Pt合金、ITO、碳纳米管、或石墨烯,本实施例所示的为Pt薄膜。该下电极层位于硅基片正面的氮化硅层和氧化硅层构成的支撑层上。
如图2中的(i)所示,在下电极层上溅射压电薄膜,并为压电薄膜开设间隙,所述缝隙直通至下电极层,且所述缝隙位置与所述矩形空腔的位置相错开。压电薄膜的厚度可以为0.007~9,本实施例优选为1。本实施例压电薄膜厚度较小,其形变需要的作用力就很微弱,从而有利于产生极化电荷。优选的,本实施例选取的压电薄膜材料为具有良好压电性能的氧化锌(ZnO)。
本实施例压电薄膜上具有缝隙,可以使部分下电极层朝向压电薄膜的一侧漏出,可以采用刻蚀的方式形成该缝隙。缝隙的位置与矩形空腔的位置错开,该缝隙便于后续对下电极层进行后续电学操作。
如图2中的(j)所示,在压电薄膜上溅射上电极层,该下电极层溅射在压电薄膜上,同样设置有与压电薄膜相对应的间隙。所述下电极层的材料均为导电非金属、金属或金属化合物。作为一种可选的实施例,所述下电极层的材料可以为Au、Pt、Cu、Al、Cr、Ni、Cr/Ni合金、Cr/Cu合金、Cr/Au合金或Ti/Pt合金、ITO、碳纳米管、或石墨烯,本实施例所示的为Pt薄膜。
如图2中的(k)所示,采用DRIE(Deep Reactive Ion Etching,深反应离子刻蚀),对硅基片背面的矩形空腔底部的硅基片进行蚀刻,去除所述矩形空腔底部的硅基片,释放压电薄膜,如图2中的(l)所示。
以上述依据本申请的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项申请技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项申请的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (6)
1.一种无源压电自供能单元结构的制备工艺,其特征在于,包括:
清洗硅基片;
在所述硅基片的正面、背面分别依次沉积2000Å氧化硅层和3000Å氮化硅层;
对所述硅基片背面的氮化硅层和氧化硅层进行干法蚀刻,形成阵列图案;
在浓度为33%的80℃氢氧化钾溶液中湿法腐蚀所述硅基片,在所述硅基片的背面形成阵列式的矩形空腔;
在硅基片正面的所述氮化硅层上溅射下电极层;
在所述下电极层上溅射压电薄膜,并为所述压电薄膜开设缝隙,所述缝隙直通至下电极层,且所述缝隙位置与所述矩形空腔的位置相错开;
在所述压电薄膜上溅射上电极层;
采用深反应离子刻蚀,去除所述矩形空腔底部的硅基底,释放压电薄膜。
3.根据权利要求1所述的无源压电自供能单元结构的制备工艺,其特征在于,所述上电极层和所述下电极层的材料均为导电非金属、金属或金属化合物。
4.根据权利要求3所述的无源压电自供能单元结构的制备工艺,其特征在于,所述上电极层和所述下电极层的材料为Au、Pt、Cu、Al、Cr、Ni、Cr/Ni合金、Cr/Cu合金、Cr/Au合金或Ti/Pt合金、ITO、碳纳米管、或石墨烯。
5.根据权利要求1所述的无源压电自供能单元结构的制备工艺,其特征在于,所述压电薄膜层的材料为ZnO。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010836348.XA CN111952436B (zh) | 2020-08-19 | 2020-08-19 | 一种无源压电自供能单元结构的制备工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010836348.XA CN111952436B (zh) | 2020-08-19 | 2020-08-19 | 一种无源压电自供能单元结构的制备工艺 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111952436A CN111952436A (zh) | 2020-11-17 |
CN111952436B true CN111952436B (zh) | 2022-03-29 |
Family
ID=73342852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010836348.XA Active CN111952436B (zh) | 2020-08-19 | 2020-08-19 | 一种无源压电自供能单元结构的制备工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111952436B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112786775B (zh) * | 2021-01-04 | 2022-11-11 | 国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院 | 无源自供能用压电纳米阵列传感器及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG124301A1 (en) * | 2005-01-10 | 2006-08-30 | Sony Corp | Piezoelectric micromachined ultrasonic transducer array and method for fabricating the same |
CN101021617A (zh) * | 2006-12-09 | 2007-08-22 | 中国科学技术大学 | 一种压电厚膜驱动的微变形镜及其制备方法 |
CN103922274A (zh) * | 2014-04-30 | 2014-07-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种三维红外光源及其制作方法 |
CN104833996A (zh) * | 2015-02-03 | 2015-08-12 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 膜片上fbar结构的阵列式伽马辐照剂量计 |
CN106252501A (zh) * | 2016-08-10 | 2016-12-21 | 上海交通大学 | 一种基于柔性衬底上的压电厚膜及其制备方法 |
KR101830209B1 (ko) * | 2017-02-16 | 2018-02-21 | 주식회사 베프스 | 압전 센서 제조 방법 및 이를 이용한 압전 센서 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7705523B2 (en) * | 2008-05-27 | 2010-04-27 | Georgia Tech Research Corporation | Hybrid solar nanogenerator cells |
US10441975B2 (en) * | 2016-05-10 | 2019-10-15 | Invensense, Inc. | Supplemental sensor modes and systems for ultrasonic transducers |
-
2020
- 2020-08-19 CN CN202010836348.XA patent/CN111952436B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG124301A1 (en) * | 2005-01-10 | 2006-08-30 | Sony Corp | Piezoelectric micromachined ultrasonic transducer array and method for fabricating the same |
CN101021617A (zh) * | 2006-12-09 | 2007-08-22 | 中国科学技术大学 | 一种压电厚膜驱动的微变形镜及其制备方法 |
CN103922274A (zh) * | 2014-04-30 | 2014-07-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种三维红外光源及其制作方法 |
CN104833996A (zh) * | 2015-02-03 | 2015-08-12 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 膜片上fbar结构的阵列式伽马辐照剂量计 |
CN106252501A (zh) * | 2016-08-10 | 2016-12-21 | 上海交通大学 | 一种基于柔性衬底上的压电厚膜及其制备方法 |
KR101830209B1 (ko) * | 2017-02-16 | 2018-02-21 | 주식회사 베프스 | 압전 센서 제조 방법 및 이를 이용한 압전 센서 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
基于ZnO压电薄膜体声波谐振器制备研究;冯艳露;《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(硕士)信息科技辑》;20160615(第6期);全文 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111952436A (zh) | 2020-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Cook-Chennault et al. | Powering MEMS portable devices—a review of non-regenerative and regenerative power supply systems with special emphasis on piezoelectric energy harvesting systems | |
CN101860262B (zh) | 压电双晶片式mems能量采集器及其制备方法 | |
TWI260940B (en) | Method for producing polymeric capacitive ultrasonic transducer | |
WO2014089891A1 (zh) | 一种微纳集成发电机及其制备方法 | |
CN102185097B (zh) | 压电叠堆式mems振动能量采集器及其制备方法 | |
CN113237580A (zh) | 一种MXene的高灵敏度压阻传感器及制备方法 | |
WO2013181952A1 (zh) | 压电和摩擦电混合纳米发电机 | |
CN101908836A (zh) | 带质量块的微型振动式风力发电机 | |
CN102543239A (zh) | 基于碳纳米管薄膜的三维异质结同位素电池及其制备方法 | |
CN111952436B (zh) | 一种无源压电自供能单元结构的制备工艺 | |
CN106252501A (zh) | 一种基于柔性衬底上的压电厚膜及其制备方法 | |
CN103746602B (zh) | 一种螺旋型压电式能量采集器制备方法 | |
CN107799649B (zh) | 压电能量收集器件及其制造方法 | |
CN110417374A (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 | |
CN103236494B (zh) | 一种碳基纳米电源的制备方法 | |
CN112366095A (zh) | 一种水平有序碳纳米管阵列微型超级电容器的制备方法 | |
CN108584864B (zh) | 一种基于聚酰亚胺的柔性静电驱动mems继电器的制造方法 | |
CN107808926B (zh) | 一种基于压电厚膜mems工艺的微能量采集器及其制备方法 | |
CN109160485B (zh) | 一种声栅-反射面压电超声能量收集器及其制备方法 | |
CN111682100A (zh) | 压电产生装置及其制作方法、微机电系统 | |
CN109385614B (zh) | 石墨烯薄膜的形成方法、mems麦克风及其形成方法 | |
KR101308908B1 (ko) | 미세 압전 진동자로 구성되는 발전 소자를 이용한 적층형 에너지 하베스팅 장치 및 발전 소자의 제조 방법 | |
CN103523743B (zh) | 一种微型摩擦式能量采集器及其制备方法 | |
KR101330713B1 (ko) | 레이저 리프트오프를 이용한 플렉서블 박막 나노제너레이터 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 박막 나노제너레이터 | |
CN108002341B (zh) | 电磁式振动能量收集器及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |