CN111933766A - 发光二极管 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。第一金属层位于第一电流传导层与第一型半导体层之间。第一电流传导层位于第一接合层与第一金属层之间。第一接合层藉由第一电流传导层及第一金属层与第一型半导体层电性连接。第一接合层具有与第一金属层重叠的贯穿开口。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。
Description
本发明专利申请是申请日为2017年10月09日，申请号为201710930691.9的名为“发光二极管”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明是有关于一种半导体元件，且特别是有关于一种发光二极管。
背景技术
一般而言，发光二极管包括应用于垂直式封装及覆晶式封装的发光二极管。应用于覆晶式封装的发光二极管包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第二金属层、第一绝缘层、第一电流传导层、第二电流传导层、第二绝缘层、第一接合层及第二接合层。第一型半导体层具有第一部分及第二部分。发光层配置于第一型半导体层的第一部分上。第一型半导体层的第二部分由第一部分向外延伸而凸出于发光层的面积之外。第二型半导体层配置于发光层上。第一金属层配置于第一型半导体层的第二部分上且与第一型半导体层电性连接。第二金属层配置于第二型半导体层上且与第二型半导体层电性连接。第一绝缘层覆盖第一金属层及第二金属层，且具有分别暴露第一金属层及第二金属层的多个贯穿开口。第一电流传导层及第二电流传导层配置于第一绝缘层上且填入第一绝缘层的多个贯穿开口，以分别和第一金属层及第二金属层电性连接。第二绝缘层覆盖第一电流传导层及第二电流传导层且具有分别与第一电流传导层及第二电流传导层重叠的多个贯穿开口。第一接合层及第二接合层配置于第二绝缘层上且填入多个贯穿开口，以分别与第一电流传导层及第二电流传导层电性连接。第一接合层及第二接合层用以共晶接合至外部的电路板。然而，在共晶接合的过程中，接合材料(例如：锡膏)易从第二绝缘层与第一接合层的界面及/或第二绝缘层与第二接合层的界面渗入发光二极管内部，进而造成短路问题。
发明内容
本发明提供一种发光二极管，具有良好的性能。
本发明的一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。第一金属层位于第一电流传导层与第一型半导体层之间。第一电流传导层位于第一接合层与第一金属层之间。第一接合层藉由第一电流传导层及第一金属层与第一型半导体层电性连接。第一接合层具有与第一金属层重叠的贯穿开口。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。
本发明的另一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、布拉格反射结构、第一金属层、第一电流传导层、第一绝缘层、第一接合层以及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。布拉格反射结构配置于第二型半导体层上且与发光层重叠。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。布拉格反射结构具有贯穿开口，而第一金属层位于布拉格反射结构的贯穿开口中。第一电流传导层配置于布拉格反射结构上且填入布拉格反射结构的贯穿开口，以和第一金属层电性连接。第一绝缘层配置于第一电流传导层上且具有贯穿开口。第一接合层配置于第一绝缘层上，且填入第一绝缘层的贯穿开口以和第一电流传导层电性连接。布拉格反射结构的贯穿开口与第一绝缘层的贯穿开口错位而不相重叠。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管更包括第一绝缘层，位于第一电流传导层与第一金属层之间且具有多个贯穿开口，其中第一电流传导层填入第一绝缘层的贯穿开口以电性接触于第一金属层，第一绝缘层的贯穿开口的面积小于第一接合层的贯穿开口的面积，且第一绝缘层的贯穿开口位于第一接合层的贯穿开口的面积之内。
在本发明的一实施例中，上述的第一接合层的面积小于第一电流传导层的面积，且第一接合层位于第一电流传导层的面积以内。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管更包括第二金属层及第二接合层。第二金属层位于第二型半导体层上且与第二型半导体层电性连接。第二电流传导层位于第二接合层与第二金属层之间。第二接合层藉由第二电流传导层及第二金属层与第二型半导体层电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的第二接合层具有多个贯穿开口，第二接合层的贯穿开口与第二金属层重叠。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管，更包括第一绝缘层，位于第二电流传导层与第二金属层之间且具有多个贯穿开口，其中第二电流传导层填入第一绝缘层的贯穿开口以电性接触于第二金属层，第一绝缘层的贯穿开口的面积小于第二接合层的贯穿开口的面积，且第一绝缘层的贯穿开口位于第二接合层的贯穿开口的面积之内。
在本发明的一实施例中，上述的第一金属层包括焊部及指部。焊部与第一电流传导层电性接触。指部由焊部延伸至第一电流传导层外，其中指部与第二接合层重叠。
在本发明的一实施例中，上述的第一金属层包括焊部及指部。焊部与第一电流传导层电性接触。指部由焊部延伸至第一电流传导层外，其中第二接合层具有缺口，指部延伸至第二接合层的缺口的面积内。
在本发明的一实施例中，上述的第一型半导体层包括第一部分及第二部分。发光层迭置于第一部分上。第二部分由第一部分向外延伸而凸出于发光层的面积之外。第一型半导体层的第二部分具有第一表面、相对于第一表面的第二表面以及连接于第一表面与第二表面之间的侧壁。发光二极管更包括第一绝缘层，覆盖第一型半导体层的第二部分的侧壁。
在本发明的一实施例中，上述的第一绝缘层更覆盖第二型半导体层以及第一型半导体层的第二部分的第一表面，发光二极管更包括布拉格反射结构，设置于第一绝缘层上且与发光层重叠。
在本发明的一实施例中，上述的布拉格反射结构覆盖第一型半导体层的第二部分的侧壁。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管更包括第二绝缘层。布拉格反射结构位于第一绝缘层与第二绝缘层之间，而第二绝缘层覆盖第一型半导体层的第二部分的侧壁。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管更包括第三绝缘层，覆盖第一电流传导层。第一接合层配置于第三绝缘层上，而第三绝缘层覆盖第一型半导体层的第二部分的侧壁。
在本发明的一实施例中，上述的发光层具有第一表面、第二表面以及侧壁。第二型半导体层配置于发光层的第一表面上，第二表面相对于第一表面，侧壁连接于第一表面与第二表面之间。发光二极管更包括布拉格反射结构。第一电流传导层与第二电流传导层皆位于布拉格反射结构的相同一侧。布拉格反射结构包括多个第一折射层以及多个第二折射层，交替堆叠，其中各第一折射层的折射率异于各第二折射层的折射率，而多个第一折射层及多个第二折射层的迭构覆盖发光层的侧壁。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管更包括布拉格反射结构。第一电流传导层与第二电流传导层皆位于布拉格反射结构的相同一侧。布拉格反射结构包括多个第一折射层以及多个第二折射层，交替堆叠，其中各第一折射层的折射率异于各第二折射层的折射率，且布拉格反射结构的边缘区的第一折射层及第二折射层的堆叠密度高于布拉格反射结构的内部区的第一折射层及第二折射层的堆叠密度。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管更包括布拉格反射结构及反射结构。第一电流传导层与第二电流传导层皆位于布拉格反射结构的相同一侧。反射结构位于布拉格反射结构与第一电流传导层之间以及布拉格反射结构与第二电流传导层之间，其中反射结构电性隔离于第一电流传导层与第二电流传导层。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管更包括第一绝缘层以及第二绝缘层。第一绝缘层覆盖布拉格反射结构，其中反射结构配置于第一绝缘层上。第二绝缘层覆盖反射结构，其中第一接合层配置于第二绝缘层上。反射结构主要的功能是反射，虽然反射结构可包括导电材料，但反射结构可不作为传输驱动发光二极管的电讯号的导电路径。反射结构投影于发光二极管的面积小于或等于布拉格反射结构于发光二极管的面积。
在本发明的一实施例中，上述的反射结构直接配置于布拉格反射结构上而与布拉格反射结构接触，发光二极管更包括第一绝缘层。第一绝缘层覆盖反射结构，其中第一接合层配置于第一绝缘层上。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管，更包括导电层，配置于第二型半导体层上，其中第二电流传导层藉由导电层与第二型半导体层电性连接，导电层包括多个导电区块，而第一金属层隔开多个导电区块。
在本发明的一实施例中，上述的导电区块具有间隙，而第一金属层位于间隙的面积之内。
在本发明的一实施例中，上述的第一金属层包括多个焊部及多个指部。多个焊部与第一电流传导层电性接触。多个指部由焊部延伸至第一电流传导层外，其中导电层的各导电区块位于相邻的第一金属层的多个指部之间。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管更包括第一绝缘层及第二绝缘层。第一绝缘层覆盖布拉格反射结构，其中反射结构配置于第一绝缘层上。第二绝缘层覆盖反射结构，其中第一接合层配置于第二绝缘层上。
在本发明的一实施例中，上述的反射结构直接配置于布拉格反射结构上而与布拉格反射结构接触。发光二极管更包括第一绝缘层，覆盖反射结构，其中第一接合层配置于第一绝缘层上。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管，更包括导电层，配置于第二型半导体层上，其中第二电流传导层藉由导电层与第二型半导体层电性连接，导电层包括多个导电区块，而第一金属层隔开多个导电区块。
在本发明的一实施例中，上述的多个导电区块具有间隙，而第一金属层位于间隙的面积之内。
在本发明的一实施例中，上述的第一金属层包括多个焊部及多个指部。多个焊部与第一电流传导层电性接触。多个指部由焊部延伸至第一电流传导层外，其中导电层的各导电区块位于相邻的第一金属层的多个指部之间。
在本发明的一实施例中，上述的第二金属层包括多个焊部及多个指部。多个焊部与第二电流传导层电性接触。指部由焊部延伸至第二电流传导层外，其中导电层的各导电区块的面积内设有第二金属层的至少一指部。
在本发明的一实施例中，上述的多个导电区块彼此分离。
在本发明的一实施例中，上述的多个导电区块彼此部分地连接。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管更包括第一绝缘层及凸块。第一绝缘层覆盖第二型半导体层，其中第一电流传导层及第二电流传导层配置于第一绝缘层上。凸块配置于第二型半导体层上的部分第一绝缘层上。凸块与第一电流传导层及第二电流传导层错位，且凸块的延展性高于第一绝缘层的延展性。凸块可包括导电或绝缘材料，但凸块可不作为传输驱动发光二极管的电讯号的导电路径。凸块投影于发光二极管的面积小于或等于凸块投影于发光二极管的面积。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管，更包括布拉格反射结构，其中第一电流传导层与第二电流传导层皆位于布拉格反射结构的相同一侧，而凸块配置于第二型半导体层、布拉格反射结构及第一绝缘层的迭构上。
在本发明的一实施例中，上述的第一电流传导层与第二电流传导层之间存在一间隙，而凸块位于间隙的面积之内。
在本发明的一实施例中，上述的凸块、第一电流传导层及第二电流传导层属于同一膜层。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管，更包括第二接合层，其中第二电流传导层位于第二接合层与第二型半导体层之间，第二接合层藉由第二电流传导层与第二型半导体层电性连接，凸块与第一接合层及第二接合层错位。
在本发明的一实施例中，上述的第一接合层与第二接合层之间存在一间隙，而凸块位于间隙的面积之内。
在本发明的一实施例中，上述的凸块、第一接合层及第二接合层属于同一膜层。
在本发明的一实施例中，上述的凸块、第一接合层及第二电流传导层电性隔离。
在本发明的一实施例中，上述的凸块与发光二极管的质量中心线重叠。
在本发明的一实施例中，上述的第一金属层包括焊部及指部。焊部与第一电流传导层电性接触。指部由焊部延伸至第一电流传导层外。焊部的宽度大于指部的宽度且焊部的宽度是渐变的。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管更包括第二金属层，位于第二电流传导层与第二型半导体层之间，第二电流传导层藉由第二金属层与第二型半导体层电性连接。第二金属层包括焊部及指部。焊部与第二电流传导层电性接触。指部由焊部延伸至第二电流传导层外，其中焊部的宽度大于指部的宽度且焊部的宽度是渐变的。
在本发明的一实施例中，上述的焊部的宽度由靠近指部的一侧先渐增再渐减。
本发明提供另一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、布拉格反射结构、第一金属层、第一电流传导层、第一绝缘层、第一接合层以及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。布拉格反射结构配置于第二型半导体层上且与发光层重叠。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接，其中布拉格反射结构具有贯穿开口，而第一金属层位于布拉格反射结构的贯穿开口中。第一电流传导层配置于布拉格反射结构上且填入布拉格反射结构的贯穿开口，以和第一金属层电性连接。第一绝缘层配置于第一电流传导层上且具有贯穿开口。第一接合层配置于第一绝缘层上，且填入第一绝缘层的贯穿开口以和第一电流传导层电性连接，其中布拉格反射结构的贯穿开口与第一绝缘层的贯穿开口错位而不相重叠。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的第一绝缘层的贯穿开口的宽度大于布拉格反射结构的贯穿开口的宽度。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管，更包括第二金属层，位于第二型半导体层上且与第二型半导体层电性连接，其中布拉格反射结构具有另一贯穿开口，至少部分的第二金属层位于布拉格反射结构的另一贯穿开口中，而第二电流传导层配置于布拉格反射结构上且填入布拉格反射结构的另一贯穿开口以和第二金属层电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的第一绝缘层配置于第二电流传导层上且具有另一贯穿开口，发光二极管更包括第二接合层，配置于第一绝缘层上，且填入第一绝缘层的另一贯穿开口以和第二电流传导层电性连接，其中布拉格反射结构的另一贯穿开口与第一绝缘层的另一贯穿开口错位而不相重叠。
在本发明的一实施例中，上述的第一绝缘层的另一贯穿开口的宽度大于布拉格反射结构的另一贯穿开口的宽度。
在本发明的一实施例中，上述的第一电流传导层包括多个导电部，彼此分离，其中第二电流传导层具有多个缺口，而第一电流传导层的导电部设置于第二电流传导层的缺口的面积以内。
在本发明的一实施例中，上述的第一金属层包括彼此隔开的多个焊部，各导电部与多个焊部电性接触。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管更包括第二接合层。第二接合层配置于第一绝缘层上，且填入第一绝缘层的另一贯穿开口以和第二电流传导层电性连接，其中各导电部具有位于第一接合层与第二接合层之间的中段部。
在本发明的一实施例中，上述的导电部的中段部的宽度大于另一中段部的宽度。
本发明的一实施例的发光二极管的制造方法，包括下列步骤：于成长基板上形成多个发光单元，其中每一发光单元包括第一型半导体层、第二型半导体层以及位于第一型半导体层与第二型半导体层之间的发光层，成长基板具有凹槽，每一发光单元的第一型半导体层的侧壁与凹槽的边缘切齐；于发光单元及成长基板的凹槽上形成第一绝缘层，其中第一绝缘层覆盖每一发光单元的第一型半导体层的侧壁且具有多个第一贯穿开口以及多个第二贯穿开口；形成多个第一电流传导层以及多个第二电流传导层，分别填入第一贯穿开口以及第二贯穿开口，以分别电性连接发光单元的多个第一型半导体层以及多个第二型半导体层；以及沿着成长基板的凹槽分离成长基板，以形成多个发光二极管。
在本发明的一实施例中，上述于成长基板上形成发光单元的方法包括：于成长基板上依序形成第一型半导体材料层、发光材料层以及第二型半导体材料层；图案化第一型半导体材料层、发光材料层以及第二型半导体材料层，以形成具有第一部分及第二部分的第一型半导体材料层、第二型半导体层以及发光层，其中第一部分与发光层重叠，第二部分由第一部分向外延伸而凸出于发光层的面积之外；以及切割第一型半导体材料层的第二部分以及成长基板，以形成第一型半导体层的侧壁以及成长基板的凹槽。
在本发明的一实施例中，上述于成长基板上形成发光单元的方法更包括：形成一第一牺牲层，以覆盖具有第一部分及第二部分的第一型半导体材料层、第二型半导体层及发光层，其中切割第一型半导体材料层的第二部分及成长基板时，更切割第一牺牲层。
在本发明的一实施例中，上述于成长基板上形成发光单元的方法包括：于成长基板上依序形成第一型半导体材料层、发光材料层、第二型半导体材料层以及第一牺牲材料层；图案化第二型半导体材料层、发光材料层以及第一牺牲材料层，以形成第二型半导体层、发光层以及第一牺牲层，其中第一型半导体材料层具有与发光层重叠的一第一部分以及由第一部分向外延伸而凸出于发光层的面积之外的第二部分；以及形成第二牺牲层，以覆盖第一牺牲层以及第一型半导体材料层的第二部分。
在本发明的一实施例中，上述切割第一型半导体材料层的第二部分及成长基板时，更切割第二牺牲层。
基于上述，本发明一实施例的发光二极管包括第一型半导体层、第二型半导体层、位于第一型半导体层与第二型半导体层之间的发光层、位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接的第一金属层、第一电流传导层、第一接合层以及与第二型半导体层电性连接的第二电流传导层。特别是，第一接合层具有多个贯穿开口，第一接合层的贯穿开口与第一金属层重叠。换言之，第一接合层与第一金属层错位，而第一接合层与第一金属层之间存在一段路径。藉此，第一接合层在用以与外部电路板接合的过程中，接合材料(例如：锡膏)不易完全地流过所述路径而造成短路问题，故发光二极管的性能佳。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1A绘示为本发明一实施例的发光二极管的剖面图。
图1B为本发明一实施例的布拉格反射结构的反射频谱图。
图1C为本发明一实施例的布拉格反射结构的反射频谱图。
图2绘示为本发明另一实施例的发光二极管的剖面图。
图3绘示为本发明的另一实施例的发光二极管的剖面图。
图4绘示为本发明的再一实施例的发光二极管的剖面图。
图5绘示为本发明的又一实施例的发光二极管的剖面图。
图6为本发明一实施例的金属层的剖面示意图。
图7为本发明一实施例的发光二极管的上视示意图。
图8为对应于图7的线A-B的剖面示意图。
图9为对应于图7的线B-C的剖面示意图。
图10为对应于图7的线C-D的剖面示意图。
图11为对应于图7的线E-F的剖面示意图。
图12为对应于图7的线G-H的剖面示意图。
图13为本发明一实施例的布拉格反射结构的剖面示意图。
图14为本发明另一实施例的布拉格反射结构的剖面示意图。
图15为本发明再一实施例的布拉格反射结构的剖面示意图。
图16为本发明又一实施例的布拉格反射结构的剖面示意图。
图17为本发明一实施例的发光二极管的上视示意图。
图18为对应于图17的线A-B的剖面示意图。
图19为对应于图17的线C-D的剖面示意图。
图20为本发明另一实施例的发光二极管的上视示意图。
图21为对应于图20的线C’-D’的剖面示意图。
图22为本发明一实施例的发光二极管的制造流程示意图。
图23A至图24C为本发明一实施例的发光二极管的制造方法的剖面示意图。
图25为图23Q的局部R1的放大示意图。
图26为图23R的局部R2的放大示意图。
图27为图23V的局部R3的放大示意图。
图28为本发明另一实施例的发光二极管的制造流程示意图。
图29A至图29G为本发明另一实施例的发光二极管的部分制造方法的剖面示意图。
图30为本发明又一实施例的发光二极管的制造流程示意图。
图31A至图31H为本发明又一实施例的发光二极管的部分制造方法的剖面示意图。
图32A至图32G为本发明再一实施例的发光二极管的部分制造流程剖面示意图。
图33为本发明一实施例的发光二极管的上视示意图。
图34为对应于图33的线A1-B1的剖面示意图。
图35为对应于图33的线E-F的剖面示意图。
图36为对应于图33的线G-H的剖面示意图。
图37为图33的发光二极管的导电层、第一金属层及第二金属层的上视示意图。
图38为本发明一实施例的发光二极管的上视示意图。
图39为对应于图38的线L-M的剖面示意图。
图40为图38的发光二极管的导电层、第一金属层及第二金属层的上视示意图。
图41为本发明一实施例的发光二极管的上视示意图。
图42为对应于图41的线I-J的剖面示意图。
图43为本发明一实施例的发光二极管的上视示意图。
图44为对应于图43的线I1-J1的剖面示意图。
图45为本发明一实施例的发光二极管的上视示意图。
图46为对应于图45的线P-P’的剖面示意图。
图47为对应于图45的线K-K’的剖面示意图。
图48为对应于图45的线N-N’的剖面示意图。
图49为对应于图45的线L-L’的剖面示意图。
图50为对应于图45的线M-M’的剖面示意图。
图51为本发明一实施例的发光二极管的剖面示意图。
图52为本发明一实施例的发光二极管的剖面示意图。
图53为本发明一实施例的发光二极管的上视面示意图。
图54为对应于图53的线N1-N1’的剖面示意图。
图55为图45的发光二极管中第一金属层的焊部与第二金属层的焊部的排列的一种实施方式。
图56为图45的发光二极管中第一金属层的焊部与第二金属层的焊部的排列的另一种实施方式。
符号说明
12、22、162、B12、B22：第一折射层
14、24、164、B14、B24：第二折射层
100、100’、200’、300’、400’、500、600、600’、600-1、600-2、600-3、600-4、600-5、600-6、600-7、600-8：发光二极管
101、101-1、101-2、101-8：导电层
101a、101a-2、101a-8：导电区块
101aa：间隙
103：绝缘图案
103’：绝缘材料层
105、113、114：绝缘层
105a、I1：第一绝缘层
105b、I2：第二绝缘层
105b’、113’：绝缘材料层
106、106’：凸块
107：接合层
108：第一接合层
109：第二接合层
110：第一型半导体层
110a、120a、103c：侧壁
110’：第一型半导体材料层
111、120b：第一表面
112、120c：第二表面
120：发光层
120’：发光材料层
130：第二型半导体层
130’：第二型半导体材料层
140、140-5：第一电流传导层
140a、150a、108b、109b：内边缘
140b、150b、108c、109c：外边缘
142：导电部
142a：中段部
150、150-5：第二电流传导层
152：缺口
160、160’、260’、360’、560’、DBR1、DBR2、DBR3、DBR4：布拉格反射结构
162’：第一折射材料层
164’：第二折射材料层
166、167、O1、105aa、105ab、105ba、105bb、108a、109a、113a、113b、114a、114b：贯穿开口
170：成长基板
171：第一表面
172：第二表面
173：凹槽
180：第一金属层
180a、180a-1、190a、190a-1：焊部
180b、190b、190b-1、190b-2：指部
190b-21：直线子部
190b-22：弯曲子部
182：欧姆接触层
184：反射层
186：连接层
190：第二金属层
192：反射结构
192”：反射材料层
210：第一牺牲层
210’：第一牺牲材料层
212：第一牺牲图案
220：牺牲层
222：牺牲图案
360”：布拉格反射材料堆叠层
360’-1：边缘区
360’-2：内部区
B1、B2：主堆叠层
C1：过渡堆叠层
C12：第三折射层
C14：第四折射层
D1、D2、D3、D4：修补堆叠层
D12、D22：第五折射层
D14、D24：第六折射层
G1、G2、G3、G4：间距
HX：六角形
L、L1、L2、L2’、L3、L4：光束
M：金属层
MT：顶表面
MB：底表面
MS：侧表面
N140、N150：缺口
OC：八角形
P1：第一部分
P2：第二部分
PR1、PR2、PR3、PR4、PR5、PR6：图案化光阻
Q：切割痕
R：局部
S1、S2：路径
S140、S150：侧边
T1：第一厚度
T2：第二厚度
T3：第三厚度
T4、T5、T6：厚度
T110～T210：步骤
TR：四角形
W、W’、W1、W2、W3、W4、W5、W6、W7、W8：宽度
U：发光单元
x、y：方向
θ：夹角
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于图式中。只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。
图1A绘示为本发明的一实施例的发光二极管的剖面图。请参照图1A，具体而言，图1A所绘示的是水平式发光二极管，且是一种可以应用于打线封装的发光二极管。发光二极管100包括第一型半导体层110、发光层120、第二型半导体层130、第一电流传导层140、第二电流传导层150以及布拉格反射结构160。在本实施例中的第一型半导体层110与第二型半导体层130的其中一者为N型半导体层(例如为n-GaN)，另一者为P型半导体层(例如为p-GaN)。发光层120位于第一型半导体层110与第二型半导体层130之间，且发光层120用以发出一光束L，其中光束L的发光波长范围具有至少一峰值波长。第一电流传导层140电性连接第一型半导体层110。第二电流传导层150电性连接第二型半导体层130。第一型半导体层110、发光层120与第二型半导体层130皆位于布拉格反射结构160的相同一侧。布拉格反射结构160在至少涵盖0.8X nm至1.8X nm的一反射波长范围的反射率为90％以上，其中在至少涵盖0.9X nm至1.6X nm的一反射波长范围的反射率为95％以上，其中X为发光波长范围的峰值波长。
在一实施例中，发光层120可以为量子井结构(Quantum Well,QW)。在其他实施例中，发光层120可以为多重量子井结构(Multiple Quantum Well,MQW)，其中多重量子井结构包括以重复的方式交替设置的多个量子井层(Well)和多个量子阻障层(Barrier)。此外，发光层120的组成材料包括能够发出的峰值波长落在320nm至430nm中(紫外光)、430nm至500nm中(蓝光)、或是500nm至550nm中(绿光)等发光波长范围的光束L的化合物半导体组成，发光层120的组成变化或是结构设计可以改变光束L的发光波长范围，本发明并不以此为限。
详细来说，在本实施例中，第一型半导体层110具有一第一部分P1以及一第二部分P2。发光层120迭置于第一部分P1上。第二部分P2由第一部分P1向外延伸而凸出于发光层120的面积之外以与第一电流传导层140电性连接。第一型半导体层110具有一第一表面111以及相对于第一表面111的一第二表面112。发光层120、第二型半导体层130、第一电流传导层140与第二电流传导层150都位于第一型半导体层110的第一表面111。布拉格反射结构160则位于第一型半导体层110的第二表面112。
具体而言，本实施例的发光二极管100更包括一成长基板170。成长基板170具有一第一表面171以及相对于第一表面171的一第二表面172，其中成长基板170的材质例如是C-Plane、R-Plane或A-Plane的蓝宝石基板(Sapphire)或其它的透明材质。此外，晶格常数接近于第一型半导体层110的单晶化合物亦适于做为成长基板170的材质。本实施例的第一型半导体层110、发光层120与第二型半导体层130依序成长且迭置于成长基板170的第一表面171。布拉格反射结构160则配置于成长基板170的第二表面172。在其他的实施例中，发光二极管100可以不具有成长基板170，而布拉格反射结构160可以配置于第一型半导体层110的第二表面112。
一般而言，发光层120所发出的光束L会朝各种方向发出，例如光束L1与光束L2由发光层120朝向不同方向发出。不过，发光二极管100的设计为以光束L1的发光方向为主要发光方向时，光束L2可能无法被利用到而限制的发光效率。因此，在本实施例中，布拉格反射结构160系用以将朝下方前进的光束L2反射，并将光束L2导引往成长基板170的上方射出，也就是构成反射光束L2’。如此，发光层120所发出的光线，可以有效地朝向预定的发光方向发出而具有良好的发光效率。
具体而言，布拉格反射结构160主要由至少一主堆叠层区、至少一过渡堆叠层区以及至少一修补堆叠层区所组合而成，其中主堆叠层区,过渡堆叠层区以及修补堆叠层区各别包括多个第一折射层162以及多个第二折射层164，这些第一折射层162与这些第二折射层164交替堆叠。各第一折射层162的折射率异于各第二折射层164的折射率。其中过渡堆叠层区可位于相邻二主堆叠层区之间，以增加相邻二主堆叠层区的反射率，修补堆叠层区至少位于主堆叠层区的一侧，以增加于主堆叠层区的反射率，另外进一步增加布拉格反射结构的反射率的结构，其中过渡堆叠层区可位于相邻二修补堆叠层区之间，且主堆叠层区位于补堆叠层区以及相邻二修补堆叠层区位于过渡堆叠层区的二侧之间，以进一步增加于相邻二主堆叠层区的反射率。以换言之，布拉格反射结构160系由这些第一折射层162以及第二折射层164交替排列组成周期结构、部分周期结构、渐变增加结构或渐变减少结构，也就是说，布拉格反射结构160中至少一相邻的两个层会是有一者为第一折射层162另一者为第二折射层164。在一实施例中，这些第一折射层162以及第二折射层164各自的厚度与材质可布拉格反射结构160的反射波长范围有关。其中这些主堆叠层区、过渡堆叠层区或修补堆叠层区的结构由第一折射层162以及第二折射层164交替排列组成，可具有相同周期结构、不同周期性结构、渐变增加结构或渐变减少结构组成，主堆叠层区的周期结构、部分周期结构、渐变增加结构或渐变减少结构的组层数大于过渡堆叠层区或修补堆叠层区的周期结构、部分周期结构、渐变增加结构或渐变减少结构的组层数，过渡堆叠层区至少包含相邻二主堆叠层区所包含的一材质，其材质可为一相同材料或相同折射材料。另外，这些第一折射层162以及这些第二折射层164的厚度可以彼此相同或是不同。
本实施例的第一折射层162的材料包括五氧化二钽(Ta2O5)、二氧化锆(ZrO2)、五氧化二铌(Nb2O5)、氧化铪(HfO2)、二氧化钛(TiO2)或上述的组合。另一方面，第二折射层164的材料包括二氧化硅(SiO2)。通过选择第一折射层162以及第二折射层164的材料，可使光束L2被第一折射层162以及第二折射层164吸收的机率下降，以增加光束L2被反射的机率，因而可以提高发光二极管100的发光效率及亮度。特别的是，在本实施例中，布拉格反射结构160对于不同反射波长范围具有良好的反射率(95％以上)，使得发光二极管100合适于应用在需要发出不同发光波长范围的发光装置中。具体来说，若将彼此紧邻的一层第一折射层162与一层第二折射层164视为一个堆叠层组时，应用于发光二极管100的布拉格反射结构160可以包括4个以上至100个以下或更多的堆叠层组。并且，迭层组的数量可以依据所需要的反射性质而调整，本发明并不以此为限，举例来说，可以采用30至50个堆叠层组来构成布拉格反射结构160。
若发光二极管100提供的光束L为紫外光，则发光波长范围的峰值波长可以落在320nm至430nm中。此时，布拉格反射结构160中的第一折射层162的材料可选择含有钽(Ta)元素的材料如五氧化二钽(Ta2O5)，而第二折射层164的材料可选择二氧化硅(SiO2)，但不以此为限。举例而言，当发光波长范围的峰值波长为400nm，本实施例可以藉由折射层的材质、厚度与迭层组数目的调整使得布拉格反射结构160在至少涵盖320nm(0.8倍的峰值波长)至720nm(1.8倍的峰值波长)的反射波长范围中都可以提供90％以上的反射率。此外，在其他较佳实施例中，当发光波长范围的峰值波长为400nm，其中布拉格反射结构160在至少涵盖360nm(0.9倍的峰值波长)至560nm(1.4倍的峰值波长)的反射波长范围中都可以提供95％以上的反射率。
图1B为本发明另一实施例的布拉格反射结构的反射频谱图，其中图1B的横轴为波长而纵轴为比反射率，且比反射率是指布拉格反射结构的反射率相较于铝金属层的反射率。在一实施例中，具有图1B的反射频谱的布拉格反射结构是由Ta2O5作为第一折射层而SiO2作为第二反射层。并且，布拉格反射结构中第一折射层与第二折射层各自都为30层，且第一折射层与第二折射层重复的交替堆叠而构成布拉格反射结构。由图1B可知，相较于铝金属层而言，布拉格反射结构在大约350nm至450nm的波长范围都具有高于100％的比反射率。如此一来，具有这种布拉格反射结构的发光芯片可应用于紫外光发光装置，而提升紫外光发光装置的光取出效率。
继续参照图1A，若发光二极管100提供的光束L为蓝光，则发光波长范围的峰值波长可以落在420nm至500nm中。此时，布拉格反射结构160中的第一折射层162的材料可选择含有钛(Ti)元素的材料如二氧化钛(TiO2)，而第二折射层164的材料可选择二氧化硅(SiO2)，但不以此为限。举例而言，当发光波长范围的峰值波长为450nm，本实施例可以藉由折射层的材质、厚度与迭层组数目的调整使得布拉格反射结构160在至少涵盖360nm(0.8倍的峰值波长)至810nm(1.8倍的峰值波长)的反射波长范围中都可以提供90％以上的反射率。此外，在其他实施例中，当发光波长范围的峰值波长为450nm，布拉格反射结构160在涵盖405nm(约0.9倍峰值波长)至720nm(约1.6倍峰值波长)的反射波长范围中都可以提供95％以上的反射率。
若发光二极管100提供的光束L为蓝光，并藉由不同的封装型式中含有波长转换结构如荧光粉，则发光二极管100提供的光束L为蓝光经由波长转换结构激发出另一激发波长的峰值波长，其另一激发波长的峰值波长大于发光二极管100提供的光束L的峰值波长，使得光束至少包含一个以上的峰值波长，且发光波长及激发波长范围的峰值波长可以落在400nm至700nm中。此时，布拉格反射结构160中的第一折射层162的材料可选择含有钛(Ti)元素的材料如二氧化钛(TiO2)，而第二折射层164的材料可选择二氧化硅(SiO2)，但不以此为限。
举例而言，当至少一发光波长范围的峰值波长为445nm及激发波长的峰值波长为580nm，或另可包含一激发波长的峰值波长为620nm，本实施例可以藉由折射层的材质、厚度与迭层组数目的调整使得布拉格反射结构160在至少涵盖356nm(0.8倍发光波长的峰值波长)至801nm(1.8倍发光波长的峰值波长)的反射波长范围中都可以提供90％以上的反射率。此外，在其他实施例中，当发光波长范围的峰值波长为445nm，布拉格反射结构160在涵盖400.5nm(约0.9倍发光波长的峰值波长)至712nm(约1.6倍发光波长的峰值波长)的反射波长范围中都可以提供95％以上的反射率。
若发光二极管100提供的光束L为绿光，则发光波长范围的峰值波长可以落在500nm至550nm中。此时，布拉格反射结构160中的第一折射层162的材料可选择含有钛(Ti)元素的材料如二氧化钛(TiO2)，而第二折射层164的材料可选择二氧化硅(SiO2)，但不以此为限。举例而言，当发光波长范围的峰值波长为525nm，本实施例可以藉由折射层的材质、厚度与迭层组数目的调整使得布拉格反射结构160在至少涵盖420nm(0.8倍的峰值波长)至997.5nm(1.9倍的峰值波长)的反射波长范围中都可以提供90％以上的反射率。此外，在其他实施例中，当发光波长范围的峰值波长为525nm，布拉格反射结构160在涵盖472.5nm(约0.9倍峰值波长)至840nm(约1.6倍峰值波长)的反射波长范围中都可以提供95％以上的反射率。
图1C为本发明另一实施例的布拉格反射结构的反射频谱图，其中图1C的横轴为波长而纵轴为反射率。在一实施例中，具有图1C的反射频谱的布拉格反射结构是由TiO2作为第一折射层而SiO2作为第二反射层。并且，布拉格反射结构中第一折射层与第二折射层各自都为24层，且第一折射层与第二折射层重复的交替堆叠而构成布拉格反射结构。由图1C可知，这种布拉格反射结构的反射频谱中，400nm至700nm的波长范围都具有约90％以上的反射率，甚至在400nm到600nm的波长范围都维持在接近100％。由于布拉格反射结构的反射频谱在较广的波长范围都维持有高反射率，这样的布拉格反射结构，在较大的视角下也可提供较广的波长范围的反射效果。
布拉格反射结构的反射频谱在略低于400nm且接近400nm的波长范围仍具有高反射率，并且布拉格反射结构的反射频谱在略高于700nm的波长范围仍具有高反射率，甚至大致在接近800nm的波长范围仍具有不错的反射率。如此一来，具有这种布拉格反射结构的发光芯片可应用于可见光发光装置，而提升可见发光装置的光取出效率。此外，由图1C可知，布拉格反射结构在较长的波长范围，例如800nm到900nm，甚至900nm以上，都具有低于40％的反射率。如此，具有布拉格反射结构的发光芯片在激光切割与批片的可制程性都可以获得提升。
在此实施例中，当具有上述布拉格反射结构的发光芯片应用于发光装置时，发光芯片中发光层的发光波长可以仅涵盖可见光波长范围的一部份。另外，发光装置中可以更包括有荧光粉，而荧光粉的激发光波长可以涵盖可见光波长范围的另一部份。举例来说，发光层的发光波长可以是蓝光或是绿光，而荧光粉的激发光波长可以是黄光、绿光或是红光等。如此，发光装置藉由发光芯片与荧光粉的配置可以发出白光，并且发光芯片中的布拉格反射结构可以有效率地反射白光所涵盖的波长范围。换言之，发光芯片中，发光层的发光波长与布拉格反射结构的反射波长可以仅有部分重叠，不需要彼此一致。当然，发光芯片中，发光层的发光波长与布拉格反射结构的反射波长也可设计成彼此对应，例如都是落在蓝光波长范围、都落在绿光波长范围或是都落在红光波长范围。
在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图2绘示为本发明的另一实施例的发光二极管的剖面图。请参照图2，图2所绘示的发光二极管100’是一种可以应用于覆晶式封装的发光二极管。本实施例的发光二极管100’类似于图1A的发光二极管芯片100，其主要的差异例如是在于：布拉格反射结构160’位于第二电流传导层150与第二型半导体层130之间，且布拉格反射结构160’具有多个贯穿开口166。换言之，第一型半导体层110、发光层120、第二型半导体层130以及布拉格反射结构160’在本实施例中是依序迭置于成长基板170的第一表面171。并且，第二电流传导层150填入这些贯穿开口166以电性连接第二型半导体层130。
具体而言，在本实施例中，发光二极管100’更包括一导电层101以及多个绝缘图案103，其中绝缘图案103更可彼此不相连接。导电层101配置于布拉格反射结构160’以及第二型半导体层130之间，且填入这些贯穿开口166的第二电流传导层150可以接触导电层101而藉由导电层101电性连接于第二型半导体层130。导电层101的材料例如是氧化铟锡(indiumtin oxide,ITO)或是其他具有电流分散作用且可允许光线穿过的材料，例如透明金属、原子堆叠层等。
另一方面，这些绝缘图案103配置于导电层101以及第二型半导体层130之间，且部分绝缘图案103对应配置于这些贯穿开口166而使得导电层101在绝缘图案103的面积之外接触于第二型半导体层130。进一步来说，这些绝缘图案103的材料例如是二氧化硅(silicon dioxide,SiO2)或是其他具有电流阻挡作用的材料。导电层101与绝缘图案103的设置用以使传递于发光层130中的电流均匀分散，可避免电流集中于发光层120的某些部位，这使得发光层120的发光区域较为均匀的分布。因此，上述的配置使得发光二极管100’的发光均匀度较佳。
在本实施例中，由于发光二极管100’系为覆晶式发光二极管，因此在第二电流传导层150上可进一步配置一绝缘层105以及一接合层107。绝缘层105具有一贯穿开口O1，且接合层107填入贯穿开口O1以使接合层107电性连接第二电流传导层150。为了在覆晶接合过程中与外部的基板电性连接与物理性连接，接合层107以及第一电流传导层140的材料例如是金(Au)、金/锡合金(Au/Sn)或是其他可以应用于共晶接合的导电材料。在此，第一电流传导层140可以直接用于共晶接合，不过本发明不以此为限。在其他的实施例中，第一电流传导层140与第二电流传导层150可以由相同的材料构成，而且第一电流传导层140上方可以额外设置有用以共晶接合的接合层。绝缘层150的材料例如是二氧化硅(SiO2)、二氧化钛(TiO2)或其它适当材料。
在本实施例中，布拉格反射结构160’的具体设计与材质可以相同于前述实施例的布拉格反射结构160’。因此，布拉格反射结构160’在短波长范围的反射率具有良好的表现，而使得发光二极管100’同样的也合适于应用在需要发出短波长范围的发光装置中。
图3绘示为本发明的另一实施例的发光二极管的剖面图。请参照图3，图3所绘示的是另一种可以应用于覆晶式封装的发光二极管。本实施例的发光二极管200’类似于图2的发光二极管100’，其主要的差异例如是在于：布拉格反射结构260’位于第二电流传导层150与第二型半导体层130之间，且布拉格反射结构260’具有位于第二电流传导层150与第二型半导体层130之间的多个贯穿开口166以及位于第一电流传导层140与第一型半导体层110之间的多个贯穿开口167。换言之，第一型半导体层110、发光层120、第二型半导体层130以及布拉格反射结构260’在本实施例中是依序迭置于成长基板170的第一表面171。并且，第二电流传导层150填入这些贯穿开口166以电性连接第二型半导体层130以及第一电流传导层140填入这些贯穿开口167以电性连接第一型半导体层110。图3中虽仅绘示一个贯穿开口167，但在具体实施时，贯穿开口167的数量可以依据实际设计而调整。
具体而言，在本实施例中，发光二极管200’更包括一导电层101以及多个绝缘图案103，其中绝缘图案103可彼此不相连接。导电层101配置于布拉格反射结构260’以及第二型半导体层130之间，且填入这些贯穿开口166的第二电流传导层150可以接触导电层101而藉由导电层101电性连接于第二型半导体层130。导电层101的材料例如是氧化铟锡(indiumtin oxide,ITO)或是其他具有电流分散作用且可允许光线穿过的材料。
另一方面，这些绝缘图案103配置于导电层101以及第二型半导体层130之间，且部分绝缘图案103对应配置于这些贯穿开口166所在位置而使得导电层101在绝缘图案103的面积之外接触于第二型半导体层130。进一步来说，这些绝缘图案103的材料例如是二氧化硅(silicon dioxide,SiO2)或是其他具有电流阻挡作用的材料。导电层101与绝缘图案103的设置用以使传递于发光层130中的电流均匀分散，可避免电流集中于发光层120的某些部位，这使得发光层120的发光区域较为均匀的分布。因此，上述的配置使得发光二极管200’的发光均匀度较佳。
另外，在本实施例中，发光二极管200’更包括位于第一电流传导层140与第一型半导体层110之间的至少一第一金属层180以及位于第二电流传导层150与第二型半导体层130之间的至少一第二金属层190，且部分布拉格反射结构260’位于第一金属层180或第二金属层190上。换言之，第一型半导体层110、发光层120、第二型半导体层130以及布拉格反射结构260’在本实施例中是依序迭置于成长基板170的第一表面171。并且，第一电流传导层140填入这些贯穿开口167以电性连接第一金属层180及第一型半导体层110以及第二电流传导层150填入这些贯穿开口166以电性连接第二金属层190及第二型半导体层130。
在本实施例中，另一方面，发光二极管200’更包括一第一绝缘层105a以及一第二绝缘层105b。第一绝缘层105a配置于第一型半导体层110上、第二型半导体层130上以及第一型半导体层110、发光层120与第二型半导体层130的侧壁上，且第一绝缘层105a更可配置于部分第一金属层180上、部分第二金属层190上以及导电层101上，其中至少部分布拉格反射结构260’位于第一绝缘层105a以及第二绝缘层105b之间。再者，第二绝缘层105b可配置于布拉格反射结构260’上。换言之，第一型半导体层110、发光层120、第二型半导体层130以及布拉格反射结构260’在本实施例中是依序迭置于成长基板170的第一表面171，并且，这些贯穿开口166贯穿第二绝缘层105b、布拉格反射结构260’以及第一绝缘层105a以供第二电流传导层150填入这些贯穿开口166且电性连接第二金属层190及第二型半导体层130。相似地，这些贯穿开口167贯穿第二绝缘层105b、布拉格反射结构260’以及第一绝缘层105a以供第一电流传导层140填入这些贯穿开口167且电性连接第一金属层180及第一型半导体层110。第一绝缘层105a与第二绝缘层105b的材料例如是二氧化硅(silicon dioxide,SiO2)、二氧化钛(TiO2)或其材质可为一相同材料或相同折射材料。另外，第一绝缘层105a与第二绝缘层105b的材料更可包含布拉格反射结构260’所包含的一材质。
在本实施例中，为了在覆晶接合过程中与外部的基板电性连接与物理性连接，第一电流传导层140与第二电流传导层150的材料例如是金/锡合金(Au/Sn)或是其他可以应用于共晶接合的导电材料。在此，第一电流传导层140与第二电流传导层150可以直接用于共晶接合，不过本发明不以此为限。在其他的实施例中，第一电流传导层140与第二电流传导层150可以由相同的材料构成。
图4绘示为本发明的再一实施例的发光二极管的剖面图。请参照图4，图4所绘示是再一种可以应用于覆晶式封装的发光二极管。本实施例的发光二极管300’类似于图3的发光二极管200’，其主要的差异例如是在于：发光二极管300’更包括一第一绝缘层105a以及一第二绝缘层105b且布拉格反射结构360’配置于第一绝缘层105a与第二绝缘层105b之间，其中第一绝缘层105a以及第二绝缘层105b可部分重叠且彼此相接触。第一绝缘层105a配置于第一型半导体层110上、第二型半导体层130上以及第一型半导体层110、发光层120与第二型半导体层130的侧壁上，且第一绝缘层105a更可配置于部分第一金属层180上、部分第二金属层190上以及导电层101上，其中布拉格反射结构360’位于第一绝缘层105a以及一第二绝缘层105b之间。再者，第二绝缘层105b可配置于布拉格反射结构360’上、第一绝缘层105a上、部分第一金属层180上以及部分第二金属层190上，其中第二绝缘层105b更可包覆布拉格反射结构360’。换言之，第一型半导体层110、发光层120、第二型半导体层130以及布拉格反射结构360’在本实施例中是依序迭置于成长基板170的第一表面171。并且，这些贯穿开口166贯穿第二绝缘层105b以及第一绝缘层105a以供第二电流传导层150填入这些贯穿开口166且电性连接第二金属层190及第二型半导体层130。相似地，这些贯穿开口167贯穿第二绝缘层105b以及第一绝缘层105a以供第一电流传导层140填入这些贯穿开口167且电性连接第一金属层180及第一型半导体层110。第一绝缘层105a与第二绝缘层105b的材料例如是二氧化硅(silicon dioxide,SiO2)或其材质可为一相同材料或相同折射材料。另外，第一绝缘层105a或第二绝缘层105b的材料更可包含布拉格反射结构360’所包含的一材质。
图5绘示为本发明的又一实施例的发光二极管的剖面图。请参照图5，图5所绘示是又一种可以应用于覆晶式封装的发光二极管。本实施例的发光二极管400’类似于图4的发光二极管芯片300’，其主要的差异例如是在于：第一金属层180包括一焊部180a与一指部180b，并且第二金属层190包括一焊部190a与一指部190b，其中第一绝缘层105a以及一第二绝缘层105b可部分重叠并且彼此接触。第一绝缘层105a配置于第一型半导体层110上、第二型半导体层130上以及第一型半导体层110、发光层120与第二型半导体层130的侧壁上。另外，第一绝缘层105a配置于部分第一金属层180上、部分第二金属层190上以及导电层101上，且第一绝缘层105配置于部分第一金属层180的焊部180a上以及第一金属层180的指部180a上。部分布拉格反射结构360’位于第一绝缘层105a以及一第二绝缘层105b之间。再者，第二绝缘层105b可配置于布拉格反射结构360’上、第一绝缘层105a上、部分第一金属层180上以及部分第二金属层190上，其中第二绝缘层105b更可包覆布拉格反射结构360’且第二绝缘层105b配置于部分第一金属层180的焊部180a上以及第一金属层180的指部180a上。换言之，第一型半导体层110、发光层120、第二型半导体层130以及布拉格反射结构360’在本实施例中是依序迭置于成长基板170的第一表面171，并且，这些贯穿开口166贯穿第二绝缘层105b以及第一绝缘层105a以供第二电流传导层150填入这些贯穿开口166且电性连接第二金属层190的焊部190a及第二型半导体层130。这些贯穿开口167贯穿第二绝缘层105b以及第一绝缘层105a以供第一电流传导层140填入这些贯穿开口167且电性连接第一金属层180的焊部180a及第一型半导体层110。第一绝缘层105a与第二绝缘层105b的材料例如是二氧化硅(silicon dioxide,SiO2)或其材质可为一相同材料或相同折射材料。另外，第一绝缘层105a或第二绝缘层105b的材料更可包含布拉格反射结构360’所包含的一材质。
图6为本发明一实施例的金属层的剖面示意图。请参照图6，金属层M具有顶表面MT、底表面MB与侧表面MS，其中侧表面MS与底表面MB构成一夹角θ，且夹角θ可以小于60度，或是小于45度。举例而言，夹角θ可以为30度至45度。金属层M可以应用于前述实施例的第一金属层180与第二金属层190至少一者当中。
具体来说，金属层M应用于图3的第一金属层180时，贯穿开口166的面积可以设置为落在顶表面MT的面积上，而侧表面MS可以至少局部地被第一绝缘层105a覆盖。此时，因为侧表面MS与底表面MB构成的夹角θ可以小于60度，第一绝缘层105a可以确实地覆盖在侧表面MS上。换言之，第一绝缘层105a覆盖部分金属层M的批覆效果良好。相似地，金属层M应用于图3的第二金属层190或是应用于图4至图5的第一金属层180与第二金属层190至少一者时也可提供类似的效果。
图7为本发明一实施例的发光二极管的上视示意图。图8为对应于图7的线A-B的剖面示意图。图9为对应于图7的线B-C的剖面示意图。图10为对应于图7的线C-D的剖面示意图。图11为对应于图7的线E-F的剖面示意图。图12为对应于图7的线G-H的剖面示意图。在本实施例中，发光二极管500大致上包括导电层101、绝缘图案103、第一型半导体层110、发光层120、第二型半导体层130、第一电流传导层140、第二电流传导层150、布拉格反射结构560’、成长基板170、第一金属层180与第二金属层190。这些构件有一部份在图7中未绘示出来，而是呈现于线A-B、B-C、C-D、E-F或G-H所对应的剖面图中。
由图7可知，发光二极管500的第一电流传导层140与第二电流传导层150彼此相对设置，且彼此分离。第一电流传导层140大致为矩形且第一电流传导层140在面向第二电流传导层150的侧边S140具有多个缺口N140。缺口N140由侧边S140向第一电流传导层140内部延伸，但不贯穿第一电流传导层140。第二电流传导层150大致也为矩形，且第二电流传导层150在面向第一电流传导层140的侧边S150具有多个缺口N150。缺口N150由侧边S150向第二电流传导层150内部延伸，但不贯穿第二电流传导层150。第一电流传导层140与第二电流传导层150的材料例如是金(Au)、金/锡合金(Au/Sn)或是其他可以应用于共晶接合的导电材料。在其他的实施例中，第一电流传导层140与第二电流传导层150可以由相同的材料构成，而且第一电流传导层140与第二电流传导层150上方可以额外设置有用以共晶接合的接合层。
在本实施例中，第一金属层180的焊部180a重叠于第一电流传导层140，且第一金属层180的指部180b由焊部180a朝向第二电流传导层190延伸并具体地延伸到第二电流传导层150的缺口N150中。由图7可知，指部180b与第二电流传导层150在布局面积上彼此互不重叠。第二金属层190的焊部190a重叠于第二电流传导层150，且第二金属层190的指部190b由焊部190a朝向第一电流传导层180延伸并具体地延伸到第一电流传导层140的缺口N140中。
由图7可知，指部190b与第一电流传导层140在布局面积上彼此互不重叠。导电层101的轮廓围绕第一金属层180而不与第一金属层180重叠。绝缘图案103则对应于第二金属层190设置，且绝缘图案103的轮廓大致与第二金属层190的轮廓相仿。另外，布拉格反射结构560’的轮廓则对应地暴露出第一金属层180的焊部180a与第二金属层190的焊部190a。也就是说，第一金属层180的焊部180a与第二金属层190的焊部190a不与布拉格反射结构560’重叠，这可供第一金属层180的焊部180a实体上与电性上连接第一电流传导层140且供第二金属层190的焊部190a实体上与电性上连接第二电流传导层150。不过，第一金属层180的指部180b与第二金属层190的指部190b可与布拉格反射结构560’重叠。
由图7与图8可知，发光二极管500中，第一型半导体层110、发光层120、第二型半导体层130、导电层101、布拉格反射结构560’与第二电流传导层150依序堆叠于成长基板170上。第一型半导体层110、发光层120与第二型半导体层130的堆叠结构中，发光层120与第二型半导体层130会局部被移除且导电层101也对应地在此区域断开而使得第一型半导体层110露出。第一金属层180则配置于露出的第一型半导体层110上。在图8中所绘示的第一金属层180为指部180b，并且指部180b对应地位在第二电流传导层150的缺口N150中因而不与第二电流传导层150重叠。此外，布拉格反射结构560’重叠于指部180b。
由图7与图9可知，在第一电流传导层140的侧边S140与第二电流传导层150的侧边S150之间，第一型半导体层110、发光层120、第二型半导体层130、导电层101与布拉格反射结构560’都连续地分布，且这些构件依序堆叠于成长基板170上。
由图7与图10可知，在第一电流传导层140的缺口N140处，第一型半导体层110、发光层120、第二型半导体层130、绝缘图案103、导电层101、第二金属层190与布拉格反射结构560’依序堆叠于成长基板170上。绝缘图案103的轮廓对应于第二金属层190的轮廓且两者彼此重叠。具体来说，图10中的第二金属层190为第二金属层190的指部190b，并且指部190b对应地位在第一电流传导层140的缺口N140中因而不与第一电流传导层140重叠。此外，布拉格反射结构560’重叠于指部190b。
由图7与图11可知，发光二极管500中，第一型半导体层110、发光层120、第二型半导体层130、导电层101、布拉格反射结构560’与第二电流传导层150依序堆叠于成长基板170上。第一型半导体层110、发光层120与第二型半导体层130的堆叠结构中，发光层120与第二型半导体层130会局部被移除且导电层101与布拉格反射结构560’也对应地在此区域断开而使得第一型半导体层110露出。第一金属层180则配置于露出的第一型半导体层110上，且第一电流传导层140填入导电层101与布拉格反射结构560’的断开出而实体上与电性上连接第一金属层180。在图11中呈现出第一金属层180的焊部180a。因此，由图8与图11可知，第一金属层180的焊部180a直接接触且电性连接第一电流传导层，而第一金属层180的指部180b则重叠于布拉格反射结构560’并且不予任何电流传导层重叠。
由图7与图12可知，在第二电流传导层150所在面积中，第一型半导体层110、发光层120、第二型半导体层130、绝缘图案103、导电层101、第二金属层190与布拉格反射结构560’依序堆叠于成长基板170上。绝缘图案103的轮廓对应于第二金属层190的轮廓且两者彼此重叠。具体来说，在图12中，第二金属层190的焊部190a重叠于第二电流传导层150并且布拉格反射结构560’在对应于焊部190a的区域断开，使得第二金属层190的焊部190a实体上与电性上连接第二电流传导层150。也就是说，第二金属层190的焊部190a不与布拉格反射结构560’重叠。相较之下，在图10中，第二金属层190的指部190b则会与布拉格反射结构560’重叠，不过第二金属层190的指部190b并不重叠于任何电流传导层。
由图7至图12可知，第一金属层180与第二金属层190中都包括重叠于布拉格反射结构560’的一部分以及未重叠于布拉格反射结构560’的另一部分。重叠于布拉格反射结构560’的部分金属层(180或190)都不会重叠于电流传导层。如此一来，发光二极管500可以具有较为均匀的厚度，而有助于提高将发光二极管500接合至其他构件时的良率。另外，在图7至图12中，布拉格反射结构560’的上下两侧可以额外设置有如图4或5中的第一绝缘层105a与第二绝缘层105b，而不需限定为布拉格反射结构560’直接接触导电层101、第一电流传导层140、第二电流传导层150、第一金属层180(指部180a)与第二金属层190(指部190a)。此外，第一金属层180与第二金属层190的剖面结构可以如图6所示而具有倾斜的侧壁MS。
图13为本发明一实施例的布拉格反射结构的剖面示意图。请参照图13，布拉格反射结构DBR1设置于第一绝缘层I1与第二绝缘层I2之间。布拉格反射结构DBR1包括多个第一折射层12以及多个第二折射层14，且第一折射层12与这些第二折射层14交替堆叠。各第一折射层12的折射率异于各第二折射层14的折射率。在本实施例中，越接近第二绝缘层I2，第一折射层12与第二折射层14的厚度越小。也就是说，第一折射层12与第二折射层14堆叠密度呈现为越接近第二绝缘层I2越密，而越接近第一绝缘层I1越疏。如此一来，布拉格反射结构DBR1为折射层密度由第一绝缘层I1向第二绝缘层I2渐变增加的结构。
本实施例的第一折射层12的材料包括五氧化二钽(Ta2O5)、二氧化锆(ZrO2)、五氧化二铌(Nb2O5)、氧化铪(HfO2)、二氧化钛(TiO2)或上述的组合。另一方面，第二折射层14的材料包括二氧化硅(SiO2)。在本实施例中，第一绝缘层I1与第二绝缘层I2的材料也可以为二氧化硅，不过第二折射层14、第一绝缘层I1与第二绝缘层I2的材料都是二氧化硅时，第二折射层14的结晶度与致密性相较于小于第一绝缘层I1与第二绝缘层I2。第一折射层12与第二折射层14的材质以及厚度都可以调整布拉格反射结构DBR1的反射波长范围。因此，本实施例的布拉格反射结构DBR1采用厚度上梯度变化的第一折射层12与第二折射层14，可让布拉格反射结构DBR1具有较广的反射波长范围而合适应用于需要广波长范围的发光效果的终端产品中。
举例来说，以二氧化钛(TiO2)制作第一折射层12且二氧化硅(SiO2)制作第二折射层14，则折射层的厚度呈现梯度变化的布拉格反射结构DBR1可应用于可见光发光装置中。以五氧化二钽(Ta2O5)制作第一折射层12且二氧化硅(SiO2)制作第二折射层14，则折射层的厚度呈现梯度变化的布拉格反射结构DBR1可应用于紫外光发光装置中。不过，上述材质与发光装置的应用方式仅是举例说明之用，实际上布拉格反射结构DBR1采用其他材质制作时，可以依据其呈现的反射波长范围来调整应用方式。
图14为本发明另一实施例的布拉格反射结构的剖面示意图。请参照图14，布拉格反射结构DBR2设置于第一绝缘层I1与第二绝缘层I2之间。布拉格反射结构DBR1包括多个第一折射层22以及多个第二折射层24，且第一折射层22与第二折射层24交替堆叠。各第一折射层22的折射率异于各第二折射层24的折射率。在本实施例中，越接近第二绝缘层I2，第一折射层22与第二折射层24的厚度越大。也就是说，第一折射层22与第二折射层24堆叠密度呈现为越接近第二绝缘层I2越疏，而越接近第一绝缘层I1越密。如此一来，布拉格反射结构DBR2为折射层密度由第一绝缘层I1向第二绝缘层I2渐变减少的结构。
第一折射层22与第二折射层24的材质以及厚度都可以调整布拉格反射结构DBR2的反射波长范围。第一折射层22的材料包括五氧化二钽(Ta2O5)、二氧化锆(ZrO2)、五氧化二铌(Nb2O5)、氧化铪(HfO2)、二氧化钛(TiO2)或上述的组合。另一方面，第二折射层24的材料包括二氧化硅(SiO2)。
图15为本发明再一实施例的布拉格反射结构的剖面示意图。请参照图15，布拉格反射结构DBR3包括主堆叠层B1、B2、过渡堆叠层C1与修补堆叠层D1、D2。主堆叠层B1是由第一折射层B12与折射率不同于第一折射层B12的第二折射层B14反复交替堆叠而成。主堆叠层B2是由第一折射层B22与折射率不同于第一折射层B22的第二折射层B24反复交替堆叠而成。过渡堆叠层C1是由第三折射层C12与折射率不同于第三折射层C12的第四折射层C14反复交替堆叠而成。修补堆叠层D1是由第五折射层D12与折射率不同于第五折射层D12的第六折射层D14反复交替堆叠而成。修补堆叠层D2是由第五折射层D22与折射率不同于第五折射层D22的第六折射层D24反复交替堆叠而成。
在本实施例中，在同一个布拉格反射结构DBR3中的第一折射层B12与B22、第三折射层C12与第五折射层D12与D22可以是相同材料也可以为不同材料，其材料可包括五氧化二钽(Ta2O5)、二氧化锆(ZrO2)、五氧化二铌(Nb2O5)、氧化铪(HfO2)、二氧化钛(TiO2)或上述的组合。在同一个布拉格反射结构DBR3中的第二折射层B14与B24、第四折射层C14、第六折射层D14与D24可以是相同材料也可以为不同材料，其材料可包括二氧化硅。
此外，在主堆叠层B1中，各第一折射层B12具有等同的第一厚度T1且第二折射层B14具有等同的第一厚度T1。在主堆叠层B2中，各第一折射层B22具有等同的第一厚度T2且第二折射层B24具有等同的第一厚度T2。并且，第一厚度T1与第二厚度T2不同。也就是说，单一个主堆叠层B1或B2为具有等周期堆叠的折射层，但不同主堆叠层的折射层堆叠周期不同。如此一来，藉由数个主堆叠层B1、B2堆叠在一起，布拉格反射结构DBR3可以提供广的反射长范围。
主堆叠层B1与主堆叠层B2之间的过渡堆叠层C1中，第三折射层C12与第四折射层C14具有第三厚度T3。第三厚度T3可以是第一厚度T1与第二厚度T2的平均值。换言之，T3＝1/2(T1+T2)。不过，第三折射层C12与第四折射层C14的厚度也可以分别介于第一厚度T1与第二厚度T2之间。
另外，修补堆叠层D1中第五折射层D12与第六折射层D14的厚度可以是越接近主堆叠层B1越接近第一厚度T1。修补堆叠层D2中第五折射层D22与第六折射层D24的厚度可以是越接近主堆叠层B2则越接近第二厚度T2。也就是说，修补堆叠层D1与修补堆叠层D2是折射层厚度渐变的堆叠结构。并且，修补堆叠层D1的组成材料可相关于主堆叠层B1而修补堆叠层D2的组成材料可相关于主堆叠层B2。
图16为本发明又一实施例的布拉格反射结构的剖面示意图。请参照图16，布拉格反射结构DBR4相似于前述的布拉格反射结构DBR3，不过布拉格反射结构DBR4更包括修补堆叠层D3与修补堆叠层D4。修补堆叠层D3位于过渡堆叠层C1与主堆叠层B1之间，而修补堆叠层D4位于过渡堆叠层C1与主堆叠层B2之间。修补堆叠层D3中折射层的厚度可以是越接近主堆叠层B1越接近第一厚度T1。修补堆叠层D4中折射层的厚度可以是越接近主堆叠层B2则越接近第二厚度T2。并且，修补堆叠层D3的组成材料可相关于主堆叠层B1而修补堆叠层D4的组成材料可相关于主堆叠层B2。
图13至图16的布拉格反射结构DBR1～DBR4可以应用至图1、2、3、4、5、7中的发光二极管的任一者中。也就是说，前述实施例中所记载的任何一个布拉格反射结构都可以采用图13至图16的布拉格反射结构DBR1～DBR4的任一者来实现。在布拉格反射结构具有折射层厚度渐变的堆叠结构或是具有数个不同厚度的折射层堆叠的结构下，布拉格反射结构可以提供较广的反射波长范围。
图17为本发明一实施例的发光二极管的上视示意图。图18为对应于图17的线A-B的剖面示意图。图19为对应于图17的线C-D的剖面示意图。请参照图17、图18及图19，其绘示一种覆晶式封装的发光二极管600。请参照图17、图18及图19，发光二极管600包括第一型半导体层110、发光层120、第二型半导体层130、第一金属层180、第二金属层190、第一电流传导层140、第二电流传导层150、第一接合层108及第二接合层109。发光层120位于第一型半导体层110与第二型半导体层130之间。第一金属层180位于第一型半导体层110上且与第一型半导体层110电性连接。第一金属层180位于第一电流传导层140与第一型半导体层110之间。第一电流传导层140藉由第一金属层180电性连接第一型半导体层110。第一电流传导层140位于第一接合层108与第一金属层180之间。第一接合层108藉由第一电流传导层140及第一金属层180电性连接第一型半导体层110。第二金属层190位于第二型半导体层130上且与第二型半导体层130电性连接。第二金属层190位于第二电流传导层150与第二型半导体层130之间。第二电流传导层150藉由第二金属层190电性连接第二型半导体层130。第二电流传导层150位于第二接合层109与第二金属层190之间。第二接合层109藉由第二电流传导层150及第二金属层190电性连接第二型半导体层130。相似于前述部分实施例，发光二极管600还包括第二绝缘层105b、布拉格反射结构360’、绝缘图案103、绝缘层113。
值得注意的是，第一接合层108具有多个贯穿开口108a。由俯视视角来看(如图17所示)，第一金属层180与第一接合层108的第一贯穿开口108a重叠。换言之，第一金属层180的实体部分相对于第一接合层108的实体部分错位。第一金属层180的实体部分的面积与第一接合层108的实体部分的面积可选择性地不重叠。举例而言，在本实施例中，第一金属层180包括与第一电流传导层140重叠的焊部180a以及由焊部180a朝向第二电流传导层150延伸的指部180b。本实施例中，第二绝缘层105b配置于第一电流传导层140与第一金属层180之间，且第二绝缘层105b具有与焊部180a重叠的贯穿开口105ba。第一电流传导层140填入第二绝缘层105b的贯穿开口105ba，以电性接触于第一金属层180的焊部180a。更进一步地说，第二绝缘层105b的贯穿开口105ba的面积小于第一金属层180的焊部180a的面积且位于第一金属层180的焊部180a的面积以内，第一金属层180的焊部180a的面积小于布拉格反射结构360’的贯穿开口166的面积且位于布拉格反射结构360’的贯穿开口166的面积以内，布拉格反射结构360’的贯穿开口166的面积小于第一接合层108的第一贯穿开口108a的面积且位于第一接合层108的第一贯穿开口108a的面积以内(未绘示)。
类似地，第二接合层109具有多个第二贯穿开口109a。由俯视视角来看(如图17所示)，第二金属层190与第二接合层109的多个第二贯穿开口109a重叠。换言之，第二金属层190的实体部分与第二接合层109的实体部分错位。第二金属层190的实体部分的面积与第二接合层109的实体部分的面积可选择性的不重叠。举例而言，在本实施例中，第二金属层190包括与第二电流传导层150重叠的焊部190a以及由焊部190a朝向第一电流传导层140延伸的指部190b。第二绝缘层105b具有与第二金属层190的焊部190a重叠的贯穿开口105bb。第二电流传导层150填入第二绝缘层105b的贯穿开口105bb，以电性接触于第二金属层190的焊部190a。更进一步地说，第二绝缘层105b的贯穿开口105bb的面积小于第二金属层190的焊部190a的面积且位于第二金属层190的焊部190a的面积以内，第二金属层190的焊部190a的面积小于于布拉格反射结构360’的贯穿开口166的面积且位于布拉格反射结构360’的贯穿开口166的面积以内，布拉格反射结构360’的贯穿开口166的面积小于第二接合层109的第二贯穿开口109a的面积且位于第二接合层109的第一贯穿开口109a的面积以内(未绘示)。
第一接合层108及第二接合层109用以在覆晶接合过程中与外部电路板(未绘示)电性连接。由于第一接合层108的实体部分与第一金属层180的实体部分错位、第二接合层109的实体部分与第二金属层190的实体部分错位(意即，第一接合层108与第一金属层180之间存在一段电流传导路径S1、第二接合层109与第二金属层190之间存在一段电流传导路径S2)，因此，在覆晶接合过程中，接合材料(例如：锡膏或金锡共晶)不易完全地流过路径S1及/或路径S2，而造成短路问题。
第一电流传导层140与第二电流传导层150之间存在间距G1，以彼此电性隔离。详言之，在本实施例中，第一电流传导层140具有相对的内边缘140a与外边缘140b，内边缘140a较外边缘140b靠近第二电流传导层150；第二电流传导层150具有相对的内边缘150a与外边缘150b，内边缘150a较外边缘150b靠近第一电流传导层140；第一电流传导层140与第二电流传导层150之间的间距G1可指第一电流传导层140的内边缘140a与第二电流传导层150的内边缘150a之间的距离。
第一接合层108与第二接合层109之间存在间距G2，以彼此电性隔离。详言之，在本实施例中，第一接合层108具有相对的内边缘108b及外边缘108c，内边缘108b较外边缘108c靠近第二接合层109；第二接合层109具有相对的内边缘109b与外边缘109c，内边缘109b较外边缘109c靠近第一接合层108；第一接合层108与第二接合层109的间距G2可指第一接合层108的内边缘108b与第二接合层109的内边缘109b之间的距离。
值得注意的是，在本实施例中，第一接合层108与第二接合层109之间的间距G2大于第一电流传导层140与第二电流传导层150之间的间距G1。此外，第一接合层108的外边缘108c与第一电流传导层140的外边缘140b之间存在间距G3，第二接合层109的外边缘109c与第二电流传导层150的外边缘150b之间存在间距G4。换言之，如图17所示，在本实施例中，第一接合层108的面积小于第一电流传导层140的面积，且第一接合层108位于第一电流传导层140的面积以内；第二接合层109的面积小于第二电流传导层150的面积，且第二接合层109位于第二电流传导层150的面积以内。藉此，在覆晶接合过程中，接合材料(例如：锡膏)不易由第一接合层108溢至第一电流传导层140外，且不易由第二接合层109溢至第二电流传导层150外，进而避免短路问题。
举例而言，在本实施例中，第一金属层180、第二金属层190、第一电流传导层140与第二电流传导层150中至少一者可包括相堆叠的欧姆接触层、反射层、阻挡堆叠层及连接层；欧姆接触层例如包括铬(Cr)、钛(Ti)或其组合，反射层例如包括铝(Al)、铝合金(AlloyAl)、铝铜合金(Alloy Al/Cu)、银(Ag)、铂(Pt)或其组合，阻挡堆叠层例如包括钛(Ti)、镍(Ni)、铝(Al)、金(Au)、铂(Pt)或其组合，连接层例如包括钛(Ti)、镍(Ni)、铝(Al)、金(Au)、铂(Pt)或其组合。举例而言，在本实施例中，第一接合层108与第二接合层109中至少一者可包括相堆叠的反射层、阻挡堆叠层及焊接层；反射层的材料例如是铝(Al)、铝合金(AlloyAl)、铝铜合金(Alloy Al/Cu)、钛(Ti)、镍(Ni)、铂(Pt)或其组合，阻挡堆叠层的材料例如是钛(Ti)、镍(Ni)、铝(Al)、金(Au)、铂(Pt)或其组合，焊接层的材料例如是金(Au)、锡(Sn)、金锡合金、锡合金、锡银铜合金或其组合。
请参照图17及图19，在本实施例中，第一金属层180的指部180b可被布拉格反射结构360’覆盖，且延伸至第二电流传导层150及第二接合层109下方而与第二电流传导层150及第二接合层109部分重叠。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，第一金属层180的指部180b也可不与第二接合层109重叠，以下以图20及图21为例说明之。
图20为本发明另一实施例的发光二极管的上视示意图。图21为对应于图20的线C’-D’的剖面示意图。请参照图20及图21，其绘示一种可以应用于覆晶式封装的发光二极管600’。本实施例的发光二极管600’类似于前述的发光二极管600，两者主要的差异在于：发光二极管600’的第二接合层109的内边缘109b具有缺口109d，缺口109d由内边缘109b向第二接合层109的内部延伸，但不贯穿第二接合层109，第一金属层180的指部180b可延伸至缺口109d的面积内，而不与第二接合层109重叠。简言之，在本实施例中，第一金属层180的指部180b与第二接合层109可错位设置。在覆晶接合过程中，接合材料(例如：锡膏或金锡共晶)与第二接合层109接合时，因第二接合层109的实体部分与第一金属层180的实体部分错位设置，使接合材料与第二接合层109反应接合时，不会接触到第一金属层180而造成短路问题。
图22为本发明一实施例的发光二极管的制造流程示意图。请参照图22，举例而言，在本实施例中，发光二极管700(标示于图24B)的制造流程包括：于成长基板上形成多个发光单元，其中每一发光单元包括第一型半导体层、第二型半导体层以及位于第一型半导体层与第二型半导体层之间的发光层，成长基板具有凹槽，每一发光单元的第一型半导体层的侧壁与凹槽的边缘切齐(步骤T110)；在第二型半导体层上形成绝缘图案(步骤T120)；形成导电层，以覆盖绝缘图案及第二型半导体层(步骤T130)；形成第一金属层及第二金属层，以分别和第一型半导体层及第二型半导体层电性连接(步骤T140)；形成第一绝缘层，以覆盖第一金属层、第二金属层、发光单元以及成长基板的凹槽(步骤T150)；在第一绝缘层上形成布拉格反射结构，其中布拉格反射结构与发光层重叠(步骤T160)；形成第二绝缘层，以覆盖布拉格反射结构及第一绝缘层，其中第一绝缘层及第二绝缘层具有暴露第一金属层及第二金属层的多个贯穿开口(步骤T170)；形成第一电流传导层及第二电流传导层，第一电流传导层及第二电流传导层填入第一绝缘层及第二绝缘层的多个贯穿开口，以分别和第一型半导体层及第二型半导体层电性连接(步骤T180)；在第一电流传导层及第二电流传导层上形成绝缘层，绝缘层具有暴露第一电流传导层及第二电流传导层的多个贯穿开口(步骤T190)；形成第一接合层及第二接合层，第一接合层及第二接合层填入绝缘层的贯穿开口以分别与第一电流传导层及第二电流传导层电性连接(步骤T200)；沿着成长基板的凹槽分离成长基板，以形成多个发光二极管(步骤T210)。图23A至图24B为本发明一实施例的发光二极管的制造方法的剖面示意图对应于图22的发光二极管的制造流程示意图。以下透过图22与图23A至图24B的搭配说明本发明一实施例的发光二极管700(标示于图24B)的制造方法。
请参照图22，首先，进行步骤T110，即于成长基板上形成多个发光单元，其中每一发光单元包括第一型半导体层、第二型半导体层以及位于第一型半导体层与第二型半导体层之间的发光层，成长基板具有凹槽，每一发光单元的第一型半导体层的侧壁与凹槽的边缘切齐。在本实施例中，图22的步骤T110可对应图23A至图23G，以下利用图23A至图23G举例说明完成步骤T110的一种可能实施的方法。
请参照图23A，在本实施例中，首先，可于成长基板170上形成第一型半导体材料层110’，在第一型半导体材料层110’上形成发光材料层120’，在发光材料层120’上形成第二型半导体材料层130’。请参照图23B，接着，在第一型半导体材料层110’、发光材料层120’及第二型半导体材料层130’的堆叠结构上形成图案化光阻PR1。举例而言，在本实施例中，可使用黄光微影工序形成图案化光阻PR1，但本发明不以此为限。请参照图23C，接着，以图案化光阻PR1为屏蔽，图案化第二型半导体材料层130’、发光材料层120’及第一型半导体材料层110’，以形成第二型半导体层130、发光层120及具有第一部分P1及第二部分P2的第一型半导体材料层110’，其中发光层120迭置于第一型半导体材料层110’的第一部分P1上，第二部分P2由第一部分P1向外延伸而凸出于发光层120的面积之外。第二部分P2的厚度可以小于第一部分P1的厚度。举例而言，在本实施例中，可使用干式蚀刻工序形成第二型半导体层130、发光层120及具有第一部分P1及第二部分P2的第一型半导体材料层110’，但本发明不以此为限。请参照图23D，接着，去除图案化光阻PR1。
请参照图23E，接着，形成第一牺牲层210，以覆盖第二型半导体层120、发光层130及第一型半导体材料层110。请参照图23E及图23F，接着，如图23F所示，对成长基板170、第一型半导体材料层110’的第二部分P2以及位于第二部分P2上的第一牺牲层210进行切割制程，以形成切割痕Q。切割痕Q贯穿位于部分的第一牺牲层210及第一型半导体材料层110’的第二部分P2，以将第一牺牲层210分离为多个第一牺牲图案212并且将第一型半导体材料层110’分离为多个第一型半导体层110。多个第一型半导体层110与其上的多个发光层120及多个第二型半导体层130可构成多个发光单元U。每一发光单元U包括第一型半导体层110、第二型半导体层130以及位于第一型半导体层110与第二型半导体层130之间的发光层120。值得注意的是，在切割痕Q定义出多个发光单元U的第一型半导体层110的同时，切割痕Q还延伸到成长基板170，而于成长基板170上形成未贯穿成长基板170的凹槽173。由于成长基板170与第一型半导材料层110’是于同一工序中被切割，因此每一发光单元U的第一型半导体层110的侧壁110a会与成长基板170的凹槽173的边缘切齐。第一型半导体层110具有相对的第一表面111及第二表面112，发光层120及第二型半导体层130配置于第一表面112上，而侧壁110a连接于第一表面111与第二表面112之间。
请参照图23G，接着，去除第一牺牲图案212，于此便完成了图22的步骤T110。值得一提的是，在形成多个发光单元U的第一型半导体层110的过程中(即前述的切割制程中)，如图23E所示，第一牺牲层210覆盖第一型半导体材料层110’的第二部分P2、第二型半导体层130及发光层120的侧壁120a，因此发光单元U在其形成过程中不易受损伤(例如：遭粒子污染)而产生缺陷，有助于后续形成的发光二极管的发光效率。
请参照图22，接着，进行步骤T120，即在第二型半导体层上形成绝缘图案。在本实施例中，图22的步骤T120可对应图23H至图23K，以下利用图23H至图23K举例说明完成步骤T120的一种可能实施的方法。
请参照图23H，在本实施例中，可在发光单元U上形成绝缘材料层103’。举例而言，可使用蒸镀、溅镀或电浆辅助化学气相沉积形成绝缘材料层103’，但本发明不以此为限。请参照图23I，接着，在位于第二型半导体层130上的绝缘材料层103’上形成图案化光阻PR2。
请参照图23J，接着，以图案化光阻PR2为屏蔽，将绝缘材料层103’图案化，以形成绝缘图案103。举例而言，可使用湿式或干式蚀刻绝缘材料层103’，以形成绝缘图案103，但本发明不以此为限。请参照图23K，接着，去除图案化光阻PR2，于此便完成了图22的步骤T120。需说明的是，图23H至图23K仅使是用以举例说明完成步骤T120的一种可实施的方法，本发明不以此为限，在其他实施例中，也可使用其他可行的方法，例如：剥离制程(lift-offprocess)。具体来说，在发光单元U上形成图案化光阻PR2作为屏蔽后，再使用蒸镀、溅镀或电浆辅助化学气相沉积等方式形成绝缘材料层103’，其顺应地覆盖图案化光阻PR2。接着进行剥离制程(lift-off process)，请参照图23K，去除图案化光阻PR2，以在去除图案化光阻PR2的同时将覆盖其上的绝缘材料层103’移除而完成步骤T120，于此便不再逐一绘示及说明。
请参照图22及图23L，接着，进行步骤T130，即在第二型半导体层130上形成导电层101，以覆盖绝缘图案103。在本实施例中，导电层101更覆盖未被绝缘图案130覆盖的部分第二型半导体层130，以和第二型半导体层130电性接触。请参照图22及图23M，接着，进行步骤T140，即形成第一金属层180及第二金属层190，以分别和第一型半导体层110及第二型半导体层130电性连接。详言之，在本实施例中，可于第一型半导体层110的第一部分P1上形成第一金属层180，第一金属层180可直接电性接触于第一型半导体层110；可于位在第二型半导体层130上的导电层101上形成第二金属层190，第二金属层190可透过导电层101与第二型半导体130电性连接。
请参照图22及图23N，接着，进行步骤T150，即形成第一绝缘层105a，以覆盖第一金属层180、第二金属层190、发光单元U以及成长基板170的凹槽173。举例而言，在本实施例中，可使用蒸镀、溅镀或电浆辅助化学气相沉积形成第一绝缘层105a，但本发明不以此为限。在本实施例中，第一绝缘层105a可全面性覆盖成长基板170及其上的构件。值得注意的是，透过成长基板170的凹槽173的设计，第一绝缘层105a还能覆盖第一型半导体层110的侧壁110a。藉此，第一型半导体层110的侧壁110a不易于后续发光二极管的制程及/或共晶接合制程中与不当的构件电性连接而发生短路问题。
请参照图22，接着，进行步骤T160，即在第一绝缘层上形成布拉格反射结构，其中布拉格反射结构与发光层重叠。在本实施例中，图22的步骤T160可对应图23O至图23R，以下利用图23O至图23R举例说明完成步骤T160的一种可能实施的方法。
请参照图23O，在第一绝缘层105a上形成牺牲层220。在本实施例中，牺牲层220例如是光阻层，但本发明不以此限。请参照图23O及图23P，接着，将牺牲层220图案化，以形成牺牲图案222。在本实施例中，图案化牺牲层220的制程可包括微影及蚀刻制程且牺牲图案222可具有倒梯形结构，但本发明不限于此。图25为图23Q的局部R1的放大示意图。请参照图23Q及图25，接着，在牺牲图案222以及未被牺牲图案222覆盖的第一绝缘层105a上形成交替堆叠的多个第一折射材料层162’(绘于图25)及多个第二折射材料层164’(绘于图25)。多个第一折射材料层162’及多个第二折射材料层164’可视为布拉格反射材料堆叠层360”(绘于图25)。
图26为图23R的局部R2的放大示意图。请参照图23Q、图23R、图25及图26，接着，去除牺牲图案222。在去除牺牲图案222时，形成于牺牲图案222上的部分第一折射材料层162’及部分第二折射材料层164’会一并被去除，形成在第一绝缘层105a上的部分第一折射材料层162’及部分第二折射材料层164’会被保留。藉此，多个第一折射材料层162’以及多个第二折射材料层164’可被图案化，而形成多个第一折射层162及多个第二折射层164堆叠而成的图案化结构(即布拉格反射结构360’)。
第一绝缘层105b的厚度T4远大于布拉格反射结构360’的一层第一折射层162的厚度T5或一层第二折射层164的厚度T6。举例而言，30×T5≦T4，30×T6≦T4，但本发明不以此为限。简言之，在本实施例中，系使用剥离制程(lift-off process)将多个第一折射材料层162’及多个第二折射材料层164’的堆叠结构图案化，以形成布拉格反射结构360’。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，也可使用其它适当方法(例如：微影及蚀刻制程)形成布拉格反射结构360’。
请参照图26，在本实施例中，由于是使用剥离制程形成布拉格反射结构360’，因此，每一折射层会包覆下一折射层。举例而言，第一个第一折射层162包覆第一绝缘层105a、第二型半导体层130及发光层120，第一个第二折射层164包覆第一个第一折射层162，第二个第一折射层162包覆第一个第二折射层164，以此类推。此外，由于利用剥离制程形成的布拉格反射结构360’，在垂直于成长基板170的第一表面171的法线方向z上，布拉格反射结构360’的边缘区360’-1的折射层堆叠密度会高于布拉格反射结构360’的内部区360’-2的折射层堆叠密度。
发光层120具有侧壁120a、第一表面120b以及第二表面120c，第二型半导体层130配置于发光层120的第一表面120b上，第二表面120c相对于第一表面120b，侧壁120a连接于第一表面120b与第二表面120c之间。由于布拉格反射结构360’的每一折射层被下一折射层包覆，因此不仅发光层120的第一表面120b上方存在多个第一折射层162及多个第二折射层164所形成的迭构，发光层120的侧壁120a的侧边方向上也存在多个第一折射层162及多个第二折射层164所形成的迭构。藉此，布拉格反射结构360’不仅能反射由发光层120沿正向(例如：与方向z平行的方向)发出的光束L3，还能反射由发光层120沿侧向(例如：倾斜于方向z的方向)发出的光束L4，进而提升后续形成的发光二极管的光提取效率能提升。
此外，如图23R所示，布拉格反射结构360’也可选择性地填入成长基板170的凹槽173。如此一来，第一型半导体层110的侧壁110a不但被第一绝缘层105a覆盖，还会被绝缘的布拉格反射结构360’覆盖，而更一步降低第一型半导体层110的侧壁110a于后续发光二极管的制程及/或共晶接合制程中与不当构件电性连接而发生短度的机率。
请参照图22，接着，进行步骤T170，即形成第二绝缘层，以覆盖布拉格反射结构及第一绝缘层，其中第一绝缘层及第二绝缘层具有暴露第一金属层及第二金属层的多个贯穿开口。在本实施例中，图22的步骤T170可对应图23S至图23V，以下利用图23S至图23V举例说明完成步骤T170的一种可能实施的方法。
请参照图23S，在第一绝缘层105a及布拉格反射结构360’上形成绝缘材料层105b’。请参照图23T，接着，在绝缘材料层105b’上形成图案化光阻PR3。请参照图23T及图23U，接着，以图案化光阻PR3为屏蔽，利用干式或湿式蚀刻图案化绝缘材料层105b’，以形成第二绝缘层105b。第二绝缘层105b具有分别暴露第一金属层180及第二金属层190的多个贯穿开口105ba、105bb。在图案化绝缘材料层105b’以形成第二绝缘层105b时，更可以图案化光阻PR3为屏蔽，图案化第一绝缘层105a，以使第一绝缘层105a具有分别暴露第一金属层180及第二金属层190的多个贯穿开口105aa、105ab。请参照图23V，接着，去除图案化光阻PR3，于此便完成了步骤T170。
图27为图23V的局部R3的放大示意图。请参照图27，在本实施例中，第一金属层180可具有相堆叠的欧姆接触层182、反射层184及连接层186，其中欧姆接触层182电性接触于第一型半导体层110，且反射层184位于欧姆接触层182与连接层186之间。图中虽未绘示，但第二金属层190也可具有相堆叠的欧姆接触层、反射层及连接层，且第二金属层190的欧姆接触层电性接触于第二型半导体层130。在执行图23U的步骤，于第一绝缘层105a及第二绝缘层105b蚀刻出贯穿开口105aa、105ba(及贯穿开口105ab、105bb)时，由于反射层184受到连接层186的保护，因此反射层184不易损伤。藉此，第一金属层180(及第二金属层190)不但能发挥分散电流的作用更具有良好的反射功能，进而提升后续形成的发光二极管的光提取效率。
请参照图22及图23W，接着，进行步骤T180，即形成第一电流传导层140及第二电流传导层150，其中第一电流传导层140及第二电流传导层150填入第一绝缘层105a及第二绝缘层105b的多个贯穿开口105aa、105ba、105ab、105ba，以分别和第一型半导体层110及第二型半导体层120电性连接。详言之，在本实施例中，第一电流传导层140可透过第一金属层180与第一型半导体层110电性连接，第二电流传导层150可透过第二金属层190及导电层101与第二型半导体层130电性连接。与图27的第一金属层180类似，在本实施例中，第一电流传导层140及第二电流传导层150也可具有相堆叠的欧姆接触层、反射层、阻挡堆叠层及连接层(未绘示)，第一电流传导层140及第二电流传导层150也具有良好的反射作用，也可称做第一反射层及第二反射层。其中该欧姆接触层可因考虑反射层的反射率调整欧姆接触层的厚度范围可为0～50nm。
请参照图22，接着，进行步骤T190，即在第一电流传导层及第二电流传导层上形成绝缘层，绝缘层具有暴露第一电流传导层及第二电流传导层的多个贯穿开口。在本实施例中，图22的步骤T190可对应图23X至图23Z，以下利用图23X至图23Z举例说明完成步骤T190的其中一种可能的方法。
请参照图23X，在第一电流传导层140、第二电流传导层150及部分第二绝缘层105b上形成绝缘材料层113’。请参照图23Y，接着，使用黄光微影制程在绝缘材料层113’上形成图案化光阻层PR4。请参照图23Z，接着，以图案化光阻层PR4为屏蔽，使用干式或湿式蚀刻图案化绝缘材料层113’，以形成绝缘层113。绝缘层113具有暴露第一电流传导层140及第二电流传导层150的多个贯穿开口113a、113b。在本实施例中，绝缘层113也可填入成长基板170的凹槽173且覆盖第一型半导体层110的侧壁110a。于此，便完成了步骤T190。
请参照图22，接着，进行步骤T200，即形成第一接合层及第二接合层，第一接合层及第二接合层填入绝缘层的贯穿开口以分别与第一电流传导层及第二电流传导层电性连接。在本实施例中，图22的步骤T200可对应图24A至图24B，以下利用图24A至图24B举例说明完成步骤T200的其中一种可能的方法。
请参照图24A，在本实施例中，可以图案化光阻层PR4为屏蔽，利用蒸镀或溅镀方式将导电材料填入绝缘层113的贯穿开口113a、113b以形成第一接合层108及第二接合层109。第一接合层108及第二接合层109分别与第一电流传导层140及第二电流传导层150电性连接。请参照图24B，接着，移除图案化光阻PR4，于此，便完成了步骤T200。移除图案化光阻PR4之后，图案化光阻PR4所在处使得第二接合层109具有多个第二贯穿开口109a且第一接合层108具有多个贯穿开口108a。
请参照图22及图24C，接着，进行步骤T210，即沿着成长基板170的凹槽173分离成长基板170，以形成多个独立的发光二极管700。举例而言，在本实施例中，可沿着成长基板170的凹槽173使成长基板170和成长基板170的凹槽173内的第一绝缘层105a、布拉格反射结构360’、第二绝缘层105b及绝缘层113断开，进而形成多个独立的发光二极管700。举例而言，在本实施例中，可利用激光或刀轮切割分离成长基板170，但本发明不以此为限，在其他实施例中，也可使用其他适当方法分离成长基板170，以形成多个独立的发光二极管700。在本实施例中，个别的发光二极管700的上视视角的结构可以类似于图17的发光二极管600，于此不再赘述。
图28为本发明另一实施例的发光二极管的制造流程示意图。图28的发光二极管的制造流程类似于图22的发光二极管的制造流程，两者主要的差异在于，图28的发光二极管的制造流程更多了步骤T172及步骤T174。图29A至图29G为本发明另一实施例的发光二极管的部分制造方法的剖面示意图。图29A至图29G对应图28的步骤T172、S174及T180。在本实施例中，图28的步骤T172之前的步骤T110至T170可参照图23A至图23S及其说明，步骤T180之后的步骤T190至S210可参照图23X至图24C及其说明，本领域具有通常知识者根据图28及图29A至图29G及后续说明应能完成以图28的制造流程制作的发光二极管，于此便不再重复说明相同或相似的步骤。
请参照图28及图29A至图29B，在完成步骤T170(即形成第二绝缘层105b)后，可进行步骤T172，即在第二绝缘层上形成与布拉格反射结构重叠的反射结构。请参照图28，举例而言，在本实施例中，可于第二绝缘层105b上形成图案化光阻PR5，图案化光阻PR5覆盖第一金属层180及第二金属层190上的第二绝缘层105b而未覆盖布拉格反射结构360’上的第二绝缘层105b；接着，在图案化光阻PR5及未被图案化光阻PR5覆盖的第二绝缘层105b上形成反射材料层192’。请参照图29A及图29B，接着，移除图案化光阻PR5及其上的部分反射材料层192’，以形成反射结构192。在本实施例中，反射结构192包括配置于第二绝缘层105b上的反射层以及配置于反射层上的氧化层(或称，黏着层)。反射结构的反射层的材料例如包括铝(Al)、铝合金(Alloy Al)、铝铜合金(Alloy Al/Cu)、钛(Ti)、镍(Ni)、铂(Pt)或其组合。反射结构的氧化层的材料例如包括钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)、金(Au)、铂(Pt)或其组合或绝缘材料例如是二氧化硅(SiO2)或二氧化钛(TiO2)。反射结构192利用本身的反射层的材料特性来反光。反射结构192可将穿过布拉格反射结构360’的光束反射，进而更进一步提升后续形成的发光二极管的光提取效率。由图29B可知，反射结构192投影于成长基板170的面积小于或等于布拉格反射结构360’投影于成长基板170的面积。反射结构192设置在布拉格反射结构360’及第二绝缘层105b上，其中第二绝缘层105b覆盖发光单元的第一型半导体层110、第二型半导体层130以及第一型半导体层110、第二型半导体层130及发光层120的侧壁，布拉格反射结构360’覆盖发光单元的第一型半导体层110、第二型半导体层130以及第一型半导体层110、第二型半导体层130及发光层120的侧壁，反射结构192覆盖发光单元的第一型半导体层110、第二型半导体层130以及第一型半导体层110、第二型半导体层130及发光层120的侧壁(未绘示)。
请参照图28及图29C，接着，进行步骤T172，即形成绝缘层114，以覆盖反射结构192及第二绝缘层105b。绝缘层114电性隔离反射结构192与发光二极管的其它导电构件(例如后续形成的第一电流传导层140及第二电流传导层150)。在本实施例中，反射结构192主要的功能是反射，虽然反射结构192可包括导电材料，但反射结构192可不作为传输驱动发光二极管的电讯号的导电路径。
请参照图28及图29D至图29G，接着，进行步骤T180，即形成第一电流传导层140及第二电流传导层150，使第一电流传导层140及第二电流传导层150分别和第一型半导体层110及第二型半导体层130电性连接。请参照图29D，在本实施例中，可于绝缘层114上形成图案化光阻PR6，其至少暴露出对应于第一金属层180与第二金属层190上方的部分绝缘层114。请参照图29E，接着，以图案化光阻PR6为屏蔽，将绝缘层114、第二绝缘层105b及第一绝缘层105a图案化，以形成贯穿绝缘层114、第二绝缘层105b及第一绝缘层105a且暴露第一金属层180及第二金属层190的多个贯穿开口114a、114b、105ba、105bb、105aa、105bb。请参照图29F及图29G，接着，移除图案化光阻PR6，并且于绝缘层114上形成第一电流传导层140及第二电流传导层150，第一电流传导层140及第二电流传导层150填入多个贯穿开口114a、114b、105ba、105bb、105aa、105bb，以透过第一金属层180及第二金属层190分别与第一型半导体层110及第二型半导体层120电性连接。
图30为本发明又一实施例的发光二极管的制造流程示意图。图30的发光二极管的制造流程类似于图22的发光二极管的制造流程，两者主要的差异在于，图30的发光二极管的制造流程少了步骤T170，而多了步骤T176及步骤T178。图31A至图31H为本发明又一实施例的发光二极管的部分制造方法的剖面示意图。图31A至图31H对应图30的步骤T176、T178及T180。在本实施例中，图30的步骤T176之前的步骤T110至T160可参照图23A至图23R及其说明，步骤T180之后的步骤T190至T210可参照图23X至图24C及其说明，本领域具有通常知识者根据图30及图31A至图31H及后续说明应能完成以图30所示的制造流程制作的发光二极管，于此便不再重复说明相同或相似的步骤。
请参照图30及图31A至图31C，在步骤T160(即形成布拉格反射结构360’)后，可进行步骤T176，即在布拉格反射结构360’上形成反射结构192。请参照图31A，举例而言，可在第一绝缘层105a上形成图案化光阻PR5。在本实施例中，图案化光阻PR5可覆盖未被布拉格反射结构360’覆盖的部分第一绝缘层105a，而暴露布拉格反射结构360’。请参照图31B，接着，可使用蒸镀、溅镀或其他适当方式，形成反射材料层192’，反射材料层192’覆盖图案化光阻PR5及布拉格反射结构360’。请参照图31C，接着，移除图案化光阻PR5。移除图案化光阻PR5时，图案化光阻层PR5上的部分反射材料层192’会一并被去除，布拉格反射结构360’上的部分反射材料层192’会被保留，而形成反射结构192。反射结构192可直接设置于布拉格反射结构360’上，而与布拉格反射结构360’接触。
请参照图30及图31D，接着，可进行步骤T178，即形成绝缘层114，以覆盖反射结构192及布拉格反射结构360’。在本实施例中，绝缘层114更覆盖未被布拉格反射结构360’覆盖的部分第一绝缘层105a。请参照图30及图31E至图31H，接着，可进行步骤T180，即形成第一电流传导层140及第二电流传导层150，第一电流传导层140及第二电流传导层150分别和第一型半导体层110及第二型半导体层130电性连接。请参照图31E，举例而言，可于绝缘层114上形成图案化光阻PR6。请参照图31F，接着，以图案化光阻PR6为屏蔽，图案化绝缘层114及第一绝缘层105a，以形成贯穿绝缘层114及第一绝缘层105a且暴露第一金属层180及第二金属层190的多个贯穿开口114a、114b、105aa、105ab。请参照图31G及图31H，接着，移除图案化光阻PR6，并于绝缘层114上形成第一电流传导层140及第二电流传导层150，第一电流传导层140及第二电流传导层150填入多个贯穿开口114a、114b、105aa、105ab，以分别与第一型半导体层110及第二型半导体层120电性连接。
图32A至图32G为本发明再一实施例的发光二极管的部分制造流程剖面示意图。图32A至图32G示出实现图22、图28或图23的完成步骤T110的另一种可能的实施方法。图32A至图32G所示的完成步骤T110的方法与图23A至图23G所示的完成步骤T110的方法类似，两者主要的差异在于，图23A至图23G所示的完成步骤T110的过程中系形成一个牺牲层，而图32A至图32G所示的完成步骤T110的过程中系形成两个牺牲层。以下配合图32A至图32G举例说明之。
请参照图32A，于成长基板170上形成第一型半导体材料层110’。接着，于第一型半导体材料层110’上形成发光材料层120’。接着，于发光材料层120’上形成第二型半导体材料层130’。接着，于第二型半导体材料层130’上形成第一牺牲材料层210’。请参照图32A及图32B，接着，在第一牺牲材料层210’上形成图案化光阻PR7。接着，以图案化光阻PR7为屏蔽，蚀刻第一牺牲材料层210’，以形成第一牺牲图案层210，其中第一牺牲图案层210暴露部分的第二型半导体材料层130’。
请参照图32C，接着，继续以图案化光阻PR7为屏蔽，蚀刻第二型半导体材料层130’、发光材料层120’以及第一型半导体材料层110’，以形成第二型半导体层130、发光层120以及具有第一部分P1及第二部分P2的第一型半导体材料层110’。请参照图32D，接着，移除图案化光阻PR7，而保留第一牺牲图案层210。第一牺牲图案层210覆盖第二型半导体层130，而未覆盖第一型半导体材料层110’的第二部分P2。请参照图32E，接着，形成第二牺牲材料层230’，以全面性覆盖第一牺牲图案层210及第一型半导材料层110’的第二部分P2。
请参照图32E及图32F，接着，对第二牺牲材料层230’、第一型半导体材料层110’及成长基板170进行切割制程，以形成切割痕Q。切割痕Q贯穿第二牺牲材料层230’及第一型半导体材料层110’，以形成多个发光单元U及其上的多个第二牺牲图案层230。各个发光单元U为第一型半导体层110、发光层120及第二型半导体层130堆叠的结构。值得注意的是，切割痕Q还延伸至成长基板170，而于成长基板170上形成未贯穿成长基板170的凹槽173。也就是说，成长基板170于凹槽173处的厚度较薄，于其他处的厚度较厚。由于成长基板170与第一型半导材料层110’是于同一工序中被切割，因此每一发光单元U的第一型半导体层110的侧壁110a会与凹槽173的边缘切齐。
请参照图32G，接着，去除第一牺牲图案层210及第二牺牲图案层230，于此便完成了步骤T110。值得一提的是，在形成多个发光单元U的多个第一型半导体层110的过程中(即前述的切割制程中)，第一牺牲图案层210及第二牺牲材料层230’覆盖发光单元U，因此发光单元U不易受损伤(例如：被粒子污染)，而有助于后续形成的发光二极管的发光效率。
图33为本发明一实施例的发光二极管的上视示意图。图34为对应于图33的线A1-B1的剖面示意图。图35为对应于图33的线E-F的剖面示意图。图36为对应于图33的线G-H的剖面示意图。图37为图33的发光二极管的导电层、第一金属层及第二金属层的上视示意图。请参照图33至图36，其绘示一种可以应用于覆晶式封装的发光二极管600-1。本实施例的发光二极管600-1类似于前述的发光二极管600，两者主要的差异在于：发光二极管600-1的导电层101-1与发光二极管600的导电层101具有不同的轮廓。以下主要说明此差异，两者相同或相似处请参照前述说明。
请参照图33至图36，导电层101-1位于第二型半导体层130上且与第二型半导体层130电性连接。第二电流传导层150藉由导电层101-1与第二型半导体层130电性连接。请参照图33及图37，与发光二极管600不同的是，本实施例的导电层101-1包括多个导电区块101a，第一金属层180位于这些导电区块101a相隔开的区域中。更进一步地说，在本实施例中，多个导电区块101a可彼此分离；意即，导电层101-1可断开成多个导电区块101a，而多个导电区块101a彼此不直接地连接。
请参照图33至图37，举例而言，在本实施例中，相邻两导电区块101a之间的间隙101aa可设有第一型半导体层110的第二部分P2及其上的第一金属层180。更进一步地说，在本实施例中，第一金属层180的指部180b及焊部180a位于相邻两导电区块101a之间的间隙101aa内。在本实施例中，多个间隙101aa可选择性地排列为多条直线，而将导电层101-1划分近似于矩形的多个导电区块101-1。然而，本发明不以此为限，在其它实施例中，多个间隙101aa也可以其他适当方式排列，导电层101-1的多个导电区块101-1也可呈其它适当形状。
请参照图33及图37，在本实施例中，导电层101-1的同一导电区块101a可重叠且电性连接于第二金属层190的多个焊部190a及至少一指部190b。第二金属层190中的多个焊部190a大致集中分布于一侧而第一金属层180中的多个焊部180a大致集中分布于一侧大致集中分布于另一侧。第二金属层190中的指部190b由其中一个焊部190a朝向焊部180a较集中的那一侧延伸，且第一金属层180中的指部180b由其中一个焊部180a朝向焊部190a较集中的那一侧延伸。利用导电层101-1的彼此分离的多个导电区块101a，电流能更均匀地分散在发光二极管600-1中，进而提升发光二极管600-1的发光效率。
图38为本发明一实施例的发光二极管的上视示意图。图39为对应于图38的线L-M的剖面示意图。图40为图38的发光二极管的导电层、第一金属层及第二金属层的上视示意图。
请参照图38及图39，其绘示一种可以应用于覆晶式封装的发光二极管600-2。本实施例的发光二极管600-2类似于前述的发光二极管600-1，两者主要的差异在于：发光二极管600-2的导电层101-2与发光二极管600-1的导电层101-1不同。以下主要说明此差异，两者相同或相似处请参照前述说明。
请参照图38至图40，导电层101-2位于第二型半导体层130上且与第二型半导体层130电性连接。第二电流传导层150藉由导电层101-2与第二型半导体层130电性连接。请参照图38及图40，导电层101-2包括多个导电区块101a-2，与发光二极管600-1不同的是，发光二极管600-2的导电层101-2的多个导电区块101a-2不会完全断开，而部分地相连接。举例而言，相邻的两导电区块101a-2在与第一金属层180的指部180b相邻处断开，而在第一金属层180的相邻两焊部180a之间(例如图38的线L-M处)互相连接。
图41为本发明一实施例的发光二极管的上视示意图。图42为对应于图41的线I-J的剖面示意图。请参照图41及图42，其绘示一种可以应用于覆晶式封装的发光二极管600-3。本实施例的发光二极管600-3类似于前述的发光二极管600，两者主要的差异在于：发光二极管600-3还包括凸块106。以下主要说明此差异，两者相同或相似处请参照前述说明。
请参照图41及图42，本实施例的发光二极管600-3除了图18的发光二极管600所具备的构件外还包括凸块106。凸块106设置于第二绝缘层105b上。在本实施例中，第二型半导体层130较第一型半导体层110远离成长基板170，而凸块106可设置于第二型半导体层130上方的部分的第二绝缘层105b上。更进一步地说，布拉格反射结构360’设置于第二型半导体层130与第二绝缘层105b之间，而凸块106可设置于布拉格反射结构360’及第二绝缘层105b的堆叠结构上。举例而言，在本实施例中，凸块106可直接设置于第二绝缘层105b上，绝缘层113可覆盖凸块106。凸块106与第一电流传导层140及/或第二电流传导层150可属于同一膜层。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，凸块106也可直接于其它适当位置及/或属于其它适当膜层，以下将于后续段落配合其他图示举例说明之。
请参照图41及图42，在本实施例中，凸块106与第一电流传导层140、第二电流传导层150、第一接合层108及第二接合层109彼此错位，也就是说这些构件的面积彼此不相重叠。凸块106位于第一电流传导层140与第二电流传导层150之间的间隙的面积之内，且位于第一接合层108与第二接合层109之间的间隙的面积之内。
一般而言，发光二极管600-3在共晶接合至外部电路板前，会先将发光二极管600-3会设置于承载膜(例如：蓝膜；未绘示)上。当发光二极管600-3设置于承载膜上时，发光二极管600-3的第一接合层108及第二接合层109在下，发光二极管600-3的发光单元U在上，而凸块106较发光单元U接近承载膜。欲将承载膜上的发光二极管600-3共晶接合至外部电路板时，需自承载膜上提取发光二极管600-3，此时，通常会利用设置在承载膜下方的提取机构(例如：顶针，未绘示)抵顶承载膜及其上的发光二极管600-3。在设置有凸块106的情形下，顶针可以抵顶于凸块106，以助提取机构提取发光二极管600-3。基于稳定抵顶发光二极管600-3的考虑，凸块106可与发光二极管600-3的质量中心线及/或几何中心线重叠，但本发明不以此为限。由于凸块106的延展性高(例如：高于绝缘层113及/或第二绝缘层105b的延展性)，因此提取机构抵顶凸块106时，凸块106不易碎裂而能保护其与成长基板170之间的构件(例如：第二绝缘层105b、布拉格反射结构360’、导电层101、第二型半导体层130、发光层120、第一型半导体层110等)。藉此，发光二极管600-3在提取过程中不易过度受损而可保有较好的制程良率。此外，由于凸块106与发光二极管600-3的其它构件(例如：第一电流传导层140、第二电流传导层150、第一接合层108及第二接合层109)电性隔离，因此即便凸块106因提取机构的抵顶而受损，发光二极管600-3的电气特性也不受影响。
请参照图41及图42，在本实施例中，第二电流传导层150在成长基板170上的投影面积可大于或等于第二接合层109在成长基板170上的投影面积；第一电流传导层140在成长基板170上的投影面积可大于或等于第一接合层108在成长基板170上的投影面积，但本发明不以此为限。在本实施例中，凸块106在成长基板170上的投影可位于第一电流传导层140在成长基板170上的投影与第二电流传导层150在成长基板170上的投影之间，且不与第一电流传导层140及第二电流传导层150重叠。
请参照图41，发光二极管600-3与前述发光二极管600不同的另一处是，第一金属层180包括至少一焊部180a-1，其与其中一个指部180b连接，而发光二极管600-3的焊部180a的形状与发光二极管600的焊部180a-1的形状不同。详言之，在本实施例中，第一金属层180的焊部180a-1的宽度W1是渐变的。举例而言，焊部180a-1的宽度W1大于指部180b的宽度W，且焊部180a-1的宽度W1可由靠近对应的指部180b的一侧先渐增然后再渐减。类似地，在本实施例中，第二金属层190包括至少一焊部190a-1，其与指部190b-1或190b-2连接，而发光二极管600-3的焊部190a-1的形状与发光二极管600的焊部190a-1的形状不同。详言之，在本实施例中，第二金属层190的焊部190a-1的宽度W2是渐变的。举例而言，焊部190a-1的宽度W2大于指部190b-1、190b-2的宽度W’，且焊部190a-1的宽度W2可由靠近对应的指部190b-1、190b-2的一侧先渐增然后再渐减。
请参照图41，发光二极管600-3与前述发光二极管600不同的另一处是，发光二极管600-3的第二金属层190的至少一指部190b-2的形状与发光二极管600的第二金属层190的指部190b的形状不同。举例而言，在本实施例中，第二金属层190包括多个指部190b-1及多个指部190b-2。指部190b-1可呈直线状。指部190b-2包括直线子部190b-21及弯曲子部190b-22，其中指部190b-2的直线子部190b-21连接于对应的焊部190a-1与弯曲子部190b-22之间。指部190b-1设置于相邻的两个指部190b-2之间，这两个相邻的指部190b-2的弯曲子部190b-22弯向指部190b-1的远离焊部190a-1的一端。与同一指部190b-1相邻两指部190b-2的弯曲子部190b-22的弯曲方向相反。此外，在本实施例中，第二型半导体层130可图案化成围绕第一金属层180，也就是说，第一金属层180位于第二型半导体层130被移除的区域中。由于第一金属层180位设置触发光层120也会被移除，第一金属层180的面积可小于或等于第二金属层190的面积，以获得充分的发光面积。不过，随不同制造需求，第一金属层180与第二金属层190的面积可以不以上述关系为限。
图43为本发明一实施例的发光二极管的上视示意图。图44为对应于图43的线I1-J1的剖面示意图。请参照图43及图44，其绘示一种可以应用于覆晶式封装的发光二极管600-4。本实施例的发光二极管600-4类似于前述的发光二极管600-3，两者主要的差异在于：发光二极管600-4的凸块106’所属的膜层与发光二极管600-3的凸块106所属的膜层不同。详言之，在本实施例中，凸块106’、第一接合层108及第二接合层109可属于同一膜层。凸块106’可配置于覆盖第一电流传导层140及第二电流传导层150的第二绝缘层105b上。两者相同或相似处请参照前述说明，于此便不再重述。
图45为本发明一实施例的发光二极管的上视示意图。图46为对应于图45的线P-P’的剖面示意图。图47为对应于图45的线K-K’的剖面示意图。图48为对应于图45的线N-N’的剖面示意图。图49为对应于图45的线L-L’的剖面示意图。图50为对应于图45的线M-M’的剖面示意图。请参照图45至图50，本实施例的发光二极管600-5与前述的发光二极管600类似，发光二极管600-5与发光二极管600不同的处是，发光二极管600-5的第一电流传导层140-5及第二电流传导层150-5的形状与发光二极管600的第一电流传导层140及第二电流传导层150的形状不同。请参照图45，详言之，在本实施例中，第一电流传导层140-5包括彼此分离的多个导电部142，第二电流传导层150-5具有多个缺口152，而第一电流传导层140-5的多个导电部142设置于第二电流传导层150-5的多个缺口152的面积以内。
接合层电流传导层电流传导层接合层电流传导层另外，在本实施例中，由上视图来看，第一金属层180的每一个焊部180a可被第二金属层190的多个焊部190a围绕。单一焊部180a与最近的第二金属层190的不同焊部190a之间的距离K1、K2可相等或不相等。举例而言，在本实施例中，第一金属层180的一个焊部180a可被第二金属层190的六个焊部190a围绕，所述第二金属层190的六个焊部190a可排列成一个六角形HX。然而，本发明不限于此。在其它实施例中，围绕第一金属层180的同一焊部180a的第二金属层190的多个焊部190a也可排列成其他适当形状。举例而言，在另一实施例中，如图55，第一金属层180的一个焊部180a也可被第二金属层190的四个焊部190a围绕，所述第二金属层190的四个焊部190a可排列成四角形TR；在又一实施例中，如图56，第一金属层180的一个焊部180a也可被第二金属层190的八个焊部190a围绕，所述第二金属层190的八个焊部190a可排列成八角形OC。
请参照图45及图46，第二接合层109可具有实心的图案而不具有位于内部的贯穿开口。第二接合层109可填入绝缘层113的贯穿开口113b以电性接触于第二电流传导层150-5，第二电流传导层150-5可填入布拉格反射结构360’的贯穿开口166以电性连接至位在贯穿开口166内的第二金属层190的焊部190a，第二金属层190的焊部190a配置于第二型半导体层130上且可藉由导电层101与第二型半导体层130电性连接。简言之，第二接合层109可藉由第二电流传导层150-5、第二金属层190的焊部190a及导电层101与第二型半导体层130电性连接。此外，
接合层电流传导层在本实施例中，绝缘层113的贯穿开口113b与布拉格反射结构360’的贯穿开口166可错位设置，而由上视图来看不相重叠。此外，被第二接合层109覆盖的绝缘层113的贯穿开口113b在方向y上具有宽度W5，布拉格反射结构360’的贯穿开口166在方向y上具有宽度W6，而W5>W6。
请参照图45及图47，在本实施例中，第一接合层108可具有实心的图案而不具有位于内部的贯穿开口电流传导层。第一电流传导层140-5的导电部142在方向y上延伸，且被第一接合层108覆盖的绝缘层113的贯穿开口113a在方向y上具有宽度W3。布拉格反射结构360’的贯穿开口166在方向y上具有宽度W4，而W3>W4。
请参照图45、图47及图49、50，第一接合层108可填入绝缘层113的贯穿开口113a以电性接触于第一电流传导层140-5的导电部142，第一电流传导层140-5的导电部142可填入布拉格反射结构360’的贯穿开口166以电性连接至位在贯穿开口166内的第一金属层180的焊部180a。焊部180a配置于第一型半导体层110上且与第一型半导体层110电性连接。简言之，第一接合层108可藉由第一电流传导层140-5的导电部142及第一金属层180的焊部180a与第一型半导体层110电性连接。此外，在本实施例中，绝缘层113的贯穿开口113a与布拉格反射结构360’的贯穿开口166可错位，而由上视图来看不相重叠。
请参照图45及图48，在本实施例中，第一电流传导层140-5的多个导电部142在方向x上排列且各自具有平行于y方向的延长方向。每一导电部142具有位于第一接合层108与第二接合层109之间的中段部142a，其例如为每一导电部142不重叠于第一接合层108与第二接合层109的部分。至少一导电部142的中段部142a(或称宽子部)在方向x上的宽度为变动的。举例而言，图45的发光二极管600-5包括三个导电部142，其中位于中间的导电部142的中段部142a的宽度W7可由中央向第一接合层108及第二接合层109渐减。其他导电部142的中段部142a在方向x上则可具有一致的宽度W8，而且宽度W7的最宽处>宽度W8。
图51为本发明一实施例的发光二极管的剖面示意图。图51可为对应于图45的线P-P’的另一实施方式。图51的发光二极管600-6与图46的发光二极管600-5类似，两者的差异在于，图51的发光二极管600-6还包括第二绝缘层105b，第二绝缘层105b位于第一电流传导层140-5与布拉格反射结构360’之间以及第二电流传导层150-5与布拉格反射结构360’之间。第二绝缘层105b具有贯穿开口105ba及贯穿开口150bb。第二绝缘层105b可填入布拉格反射结构360’的贯穿开口166。第一电流传导层140-5填入贯穿开口166内的第二绝缘层105b的贯穿开口105ba而与第一金属层180电性连接。第二电流传导层150-5填入贯穿开口166内的第二绝缘层105b的贯穿开口105bb而与第二金属层190电性连接。
图52为本发明一实施例的发光二极管的剖面示意图。图52可为对应于图45的线P-P’的再一实施方式。图52的发光二极管600-7与图51的发光二极管600-6类似，两者的差异在于，图52的发光二极管600-7可省略第一金属层180及第二金属层190的设置，第一电流传导层140-5可填入第二绝缘层105b的贯穿开口105ba而直接电性接触于第一型半导体层110，第二电流传导层150-5可填入第二绝缘层105b的贯穿开口105bb而直接电性接触于第二型半导体层130上的导电层101。
图53为本发明一实施例的发光二极管的上视面示意图。图54为对应于图53的线N1-N1’的剖面示意图。请参照图53及图54，本实施例的发光二极管600-8与前述的发光二极管600-6类似，两者的差异在于，发光二极管600-8的导电层101-8具有多个缺口101aa。第一金属层180的多个焊部180a位于导电层101-8的缺口101aa的面积内。导电层101-8包括多个导电区块101a-8，第一金属层180位于多个导电区块101a-8相隔开来的缺口101aa面积中。发光二极管600-8的导电层101-8的多个导电区块101a-8可不完全断开，而部分地相连接。在本实施例中，导电层101-8的每一缺口101aa大致上位于第一电流传导层140-5的导电部142的正下方，但本发明不以此为限。
综上所述，本发明一实施例的发光二极管包括第一型半导体层、第二型半导体层、位于第一型半导体层与第二型半导体层之间的发光层。并且，发光二极管还包括位于半导体层上且与半导体层电性连接的金属层、电流传导层与接合层垫。金属层位于电流传导层与半导体层之间。电流传导层位于接合层与金属层之间。接合层藉由电流传导层及金属层与半导体层电性连接。特别是，接合层的图案并非实心的而是具有多个贯穿开口，且接合层的贯穿开口与金属层重叠。换言之，接合层的实体面积与金属层的实体面积错位，而接合层与金属层之间存在一段路径。藉此，接合层在用以与外部电路板接合的过程中，接合材料(例如：锡膏)不易完全地流过所述路径而造成短路问题。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。
Claims (10)
1.一种发光二极管，包括：
一基板，具有一上表面；
一半导体结构，设置在所述基板的所述上表面上并暴露出部分所述上表面，其中所述半导体结构包括一第一型半导体层，一第二型半导体层以及设置在两者之间的一发光层，一凹槽形成于所述半导体结构中，所述第二型半导体和所述发光层围绕所述凹槽并暴露出部分所述第一型半导体层；
一第一绝缘层，覆盖所述半导体结构及所述基板的上表面，并暴露出在所述凹槽中的部分所述第一型半导体层；
一第一金属层，设置在所述凹槽中，并与所述第一型半导体层电性连接；
一导电层，设置在所述第二型半导体层上并与其电性连接；
一第一反射层，覆盖所述半导体结构及所述导电层；
一第二反射层，设置在所述第一反射层上；
一第二绝缘层，设置在所述第一反射层及所述第二反射层上，并覆盖所述半导体结构、所述基板的所述上表面并暴露出所述第一金属层的一部分；
一第一电极，设置在所述第二绝缘层上，并与所述第一金属层电性连接；以及
一第二电极，设置在所述第二绝缘层上，并与所述第二反射层电性连接。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一反射层包括一金属反射层或一布拉格反射层。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二反射层包括一金属反射层和一阻挡堆叠层。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一金属层包括一金属反射层、一阻挡堆叠层和一连接层。
5.一种发光二极管，包括:
一基板，具有一上表面；
一半导体结构，设置在所述基板的所述上表面上，其中所述半导体结构包括一第一型半导体层、一第二型半导体层以及设置在两者之间的一发光层，一凹槽形成于所述半导体结构中，所述第二型半导体和所述发光层围绕所述凹槽并暴露出部分所述第一型半导体层；
一第一绝缘层，覆盖所述半导体结构以及所述基板的所述上表面，其中所述第一绝缘层在所述凹槽中具有暴露出所述第一型半导体层的一第一开口，以及具有暴露出所述第二型半导体层的一第二开口；
一第一金属层，设置在所述第一开口中且与所述第一型半导体层电性连接；
一导电层，设置在所述第二型半导体层上并与其电性连接，所述第二开口暴露部分所述导电层；
一第一反射层，设置在所述导电层上；
一第二反射层，设置在所述第一反射层上，并覆盖所述第一绝缘层；
第二绝缘层，设置在所述基板上，并暴露出所述第一金属层的一部分，以及所述第二反射层的一部分；
一第一电极，设置在所述第二绝缘层上，并与所述第一金属层电性连接；以及
一第二电极，设置在所述第二绝缘层上，并与所述第二反射层电性连接。
6.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述第一反射层包括一金属反射层或一布拉格反射层。
7.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述第二反射层包括一金属反射层和一阻挡堆叠层。
8.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述第一金属层包括一金属反射层、一阻挡堆叠层和一连接层。
9.一种发光二极管，包括：
一基板，具有一上表面；
一半导体结构，设置在所述基板的所述上表面上，其中所述半导体结构包括一第一型半导体层、一第二型半导体层以及一设置在两者之间的发光层，一凹槽形成于所述半导体结构中，所述第二型半导体和所述发光层围绕所述凹槽并暴露出部分所述第一型半导体层；
一第一金属层，设置在所述凹槽中，并与所述第一型半导体层电性连接；
一导电层，设置在所述第二型半导体层上，并与所述第二型半导体层电性连接；
一布拉格反射层，设置在所述导电层上，暴露出所述凹槽的一部分，并覆盖所述基本板；
一反射金属层，设置在所述导电层上；
一第一电极，设置在手术布拉格反射层上，且通过所述第一金属层与所述第一型半导体层电性连接；以及
第二电极，设置在所述反射金属层上以及所述布拉格反射层上，并通过所述反射金属层和导电层与所述第二型半导体层电层连接。
10.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述第一反射层包括一金属反射层或一布拉格反射层。
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