CN111933680B - 显示面板、显示装置及显示面板的检测方法 - Google Patents
显示面板、显示装置及显示面板的检测方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111933680B CN111933680B CN202010894798.4A CN202010894798A CN111933680B CN 111933680 B CN111933680 B CN 111933680B CN 202010894798 A CN202010894798 A CN 202010894798A CN 111933680 B CN111933680 B CN 111933680B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pixel
- display panel
- pixel opening
- opening
- openings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title abstract description 11
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 38
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 96
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 lithium (Li) Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/02—Testing optical properties
- G01M11/0242—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations
- G01M11/0278—Detecting defects of the object to be tested, e.g. scratches or dust
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明实施例涉及显示技术领域，公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的检测方法，所述显示面板包括：阳极；像素界定层，设置于所述阳极表面，所述像素界定层在正对所述阳极的区域设有像素开口，所述像素开口包括第一像素开口和第二像素开口，所述第二像素开口为多个，多个所述第二像素开口间隔设置，形成围绕所述第一像素开口的环形结构，所述第一像素开口和多个所述第二像素开口对应同一阳极；发光层，位于所述第一像素开口和至少部分所述第二像素开口内，以形成与所述第一像素开口和至少部分所述第二像素开口一一对应的子像素。本发明提供的显示面板、显示装置及显示面板的检测方法能够准确检测显示面板是否存在缺陷像素。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的检测方法。
背景技术
OLED（Organic Light-Emitting Diode）称为有机电致发光二极管。OLED显示技术具有全固态、主动发光、高对比度、超薄、低功耗、效应速度快、工作范围宽、易于实现柔性显示和3D显示等诸多优点，使它在目前在众多显示屏上得到应用，例如应用于电视机和移动显示设备上。目前OLED显示器件还存在具有缺陷像素的问题，像素的缺陷主要包括像素的发光层偏位或发光层具有阴影。
现有技术中检测OLED显示器件缺陷像素的方法有待提高，因此，有必要提供一种新的显示面板、显示装置及显示面板的检测方法来解决上述问题。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种显示面板、显示装置及显示面板的检测方法，其能够准确检测显示面板是否存在缺陷像素。
为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种显示面板，包括：
阳极；像素界定层，设置于所述阳极表面，所述像素界定层在正对所述阳极的区域设有像素开口，所述像素开口包括第一像素开口和第二像素开口，所述第二像素开口为多个，多个所述第二像素开口间隔设置，形成围绕所述第一像素开口的环形结构，所述第一像素开口和多个所述第二像素开口对应同一阳极；发光层，位于所述第一像素开口和至少部分所述第二像素开口内，以形成与所述第一像素开口和至少部分所述第二像素开口一一对应的子像素。
另外，所述环形结构为多个，多个所述环形结构在垂直于所述显示面板厚度方向的方向上间隔设置。通过此种结构的设置，能够使第二像素开口形成的环形结构更准确的反映像素的缺陷情况，从而能够更准确的判断显示面板是否存在缺陷像素。
另外，在垂直于所述显示面板厚度方向的平面上，所述第二像素开口的正投影形状包括以下之一或其任意组合：圆形、方形、三角形。
另外，在垂直于所述显示面板厚度方向的平面上，所述环形结构的正投影形状为矩形或菱形，所述第一像素开口的正投影的中心与所述环形结构的正投影的中心重合。通过此种结构的设置，有利于后续对缺陷像素发光层偏移量的计算，或对发光层阴影尺寸的计算。
另外，所述第二像素开口的正投影形状为方形，所述方形的边长在3微米至5微米之间。
另外，所述第一像素开口正投影的面积大于所述第二像素开口正投影的面积。
另外，相邻的所述第二像素开口的间距在3微米至5微米之间。通过此种结构的设置，能够在确保区域内的第二像素开口数量的同时，进一步减小制备第二像素开口的掩膜版开口间距，满足掩膜版制作时的限制条件。
相应的，本发明的实施例还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。
相应的，本发明的实施例还提供了一种显示面板的检测方法，包括：提供上述的显示面板或显示装置；获取所述显示面板或所述显示装置的显示画面；根据所述显示画面判断所述显示面板或所述显示装置是否存在缺陷像素，并在判定所述显示面板或所述显示装置存在缺陷像素时，确定所述缺陷像素的缺陷种类，其中，所述缺陷种类至少包括像素偏位或像素发光时具有阴影。
另外，所述根据所述显示画面判断所述显示面板或所述显示装置是否存在缺陷像素，包括：获取多个第二像素开口中具有第二发光层的发光第二像素开口的位置，其中，第二像素开口对应的区域发光则第二像素开口中具有第二发光层；根据所述发光第二像素开口的位置判断像素是否为缺陷像素，并在判定像素为缺陷像素时，根据所述发光第二像素开口的位置确定所述缺陷种类。
与现有技术相比，本发明的实施例具有如下优点：
像素界定层在正对阳极的区域设有像素开口，像素开口包括第一像素开口和多个第二像素开口，且多个第二像素开口间隔设置并形成围绕第一像素开口的环形结构，显示面板还包括发光层，发光层位于所述第一像素开口和至少部分所述第二像素开口内，以形成与所述第一像素开口和至少部分所述第二像素开口一一对应的子像素。需要说明的是，第一像素开口为正常像素必定具有的结构，通过在第一像素开口内设置发光层，以使像素能够正常发光；第二像素开口为本发明实施例特有的结构，在显示面板的制备过程中，发光层未发生偏位、发光层发生偏位以及发光层具有阴影均会导致第二发光层设置在不同的第二像素开口中，因此能够通过发光层设置在哪些第二像素开口中得知像素是否存在缺陷以及缺陷种类。此外，将第二像素开口设计成围绕第一像素开口的环形结构，使得发光层无论发生哪个方向上的偏移均能够根据发光层的设置位置准确得知，从而能够准确检测显示面板是否存在缺陷像素。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1是根据本发明第一实施方式提供的显示面板的俯视图；
图2是根据本发明第一实施方式提供的另一种结构的显示面板的俯视图；
图3是根据本发明第一实施方式提供的像素的俯视图；
图4是根据本发明第一实施方式提供的像素在具有不同缺陷时的俯视图；
图5是根据本发明第三实施方式提供的显示面板的检测方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本发明而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本发明所要求保护的技术方案。
本发明的第一实施方式涉及一种显示面板100，具体结构如图1所示，包括：
阳极11；像素界定层12，设置于阳极11表面，像素界定层12在正对阳极11的区域设有像素开口120，像素开口120包括第一像素开口120A和第二像素开口120B，第二像素开口120B为多个，多个第二像素开口120B间隔设置，形成围绕第一像素开口120A的环形结构，第一像素开口120A和多个第二像素开口120B对应同一阳极11；发光层2，位于第一像素开口120A和至少部分第二像素开口120B内，以形成与第一像素开口120A和至少部分第二像素开口120B一一对应的子像素。
可以理解的是，第一像素开口120A和多个第二像素开口120B对应同一阳极11，也就是说，虽然本实施例中的像素开口（第一像素开口120A和第二像素开口120B）为多个，但与多个像素开口对应的子像素均会发出同样颜色的光。
具体的说，阳极11可以为由氧化铟锡透明导电膜，也可以包括其它各种功能层，如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。
可以理解的是，显示面板还包括阴极（图未示出），阴极设置在发光层2上，像素界定层12位于阳极11与阴极之间，并环绕发光层2设置，阳极11与阴极共同驱动发光层2。阴极为透明电极，由诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/ 铝(LiF/Al)、铝(Al)、镁(Mg)或它们的组合的化合物形成的膜层。
本发明的实施例相对于现有技术而言，像素界定层12在正对阳极11的区域设有像素开口120，像素开口120包括第一像素开口120A和多个第二像素开口120B，且多个第二像素开口120B间隔设置并形成围绕第一像素开口120A的环形结构，显示面板100还包括发光层2，发光层2位于第一像素开口120A和至少部分第二像素开口120B内，以形成与第一像素开口120A和至少部分第二像素开口120B一一对应的子像素。需要说明的是，第一像素开口120A为正常像素必定具有的结构，通过在第一像素开口120A内设置发光层2，以使像素2能够正常发光；第二像素开口120B为本发明实施例特有的结构，将第二像素开口120B设计成围绕第一像素开口120A的环形结构，在显示面板100的制备过程中，发光层2未发生偏位、发光层2发生偏位以及发光层2具有阴影均会导致发光层2设置在不同的第二像素开口120B中，因此能够通过发光层2设置在哪些第二像素开口120B中得知像素2是否存在缺陷以及缺陷种类。此外，将第二像素开口120B设计成围绕第一像素开口120A的环形结构，使得发光层2无论发生哪个方向上的偏移均能够根据发光层2的设置位置准确得知，从而能够准确检测显示面板100是否存在缺陷像素。
请参见图2，环形结构为多个，多个环形结构在垂直于显示面板100厚度方向的方向上间隔设置。通过此种结构的设置，能够使第二像素开口120B形成的环形结构更准确的反映像素的缺陷情况，从而能够更准确的判断显示面板100是否存在缺陷像素。可以理解的是，图2所示的环形结构为两个，实际应用中并不对环形结构的数量做具体限定，可以根据实际需求设置。由于环形结构的数量越多，测试的精度越准确，因此优选为3至6个环形结构。
较佳地，图2所示的环形结构等间隔设置。通过此种结构的设置，有利于后续对缺陷像素发光层偏移量的计算，或对发光层阴影尺寸的计算。
需要说明的是，图2所示的环形结构中，在垂直于显示面板100厚度方向的平面上，第二像素开口120B的正投影为方形，实际应用中第二像素开口120B的正投影还可以为圆形、三角形等其他形状，本实施方式并不对此作具体限定，可以根据实际需求设置。
值得一提的是，第二像素开口120B的密度越大（即单位面积内的第二像素开口120B的数量越多），显示面板100对于缺陷像素的检测效果越好，由于第二像素开口120B通过掩膜版的蒸镀形成，因此需要增大掩膜版的开口率，才能增大相同大小区域内的第二像素开口120B数量，而掩膜版的开口率变高一方面会降低沉积可靠性，另一方面制备难度太大，现有工艺难以制备高开口率的掩膜版，因此通过设置相邻的第二像素开口120B的间距在3微米至5微米之间，且方形的第二像素开口120B的正投影的边长在3微米至5微米之间，能够在确保区域内的第二像素开口120B数量的同时，进一步减小制备第二像素开口120B的掩膜版开口间距，满足掩膜版制作时的限制条件。
优选地，在垂直于显示面板100厚度方向的平面上，环形结构的正投影形状为矩形或菱形，第一像素开口120A的正投影的中心与环形结构的正投影的中心重合。通过此种结构的设置，有利于后续对缺陷像素发光层偏移量的计算，或对发光层阴影尺寸的计算。
请参见图3，包括主发光区201以及围绕主发光区201的过渡区202；第一像素开口120A正对主发光区201，第二像素开口120B正对过渡区202。具体的说，第一像素开口120A为正常像素必定具有的结构，通过将第一像素开口120A设置在主发光区201，且第一像素开口120A内设置发光层2，以使像素2能够正常发光，因此，阳极11通常仅位于主发光区201内；第二像素开口120B为本发明实施例特定的结构，通常并不会设置正对过渡区202的第二像素开口120B，也就是说，本发明实施例中的阳极11也不仅位于主发光区201内，还会延长至过渡区202，以使位于过渡区202的第二发光层32也能够正常发光，从而能够根据过渡区第二发光层32的发光情况检测显示面板100内的缺陷像素。可以理解的是，第一像素开口120A正投影的面积大于第二像素开口120B正投影的面积。
值得一提的是，发光层2设置在第二像素开口120B后，可以将此结构看做成一个子像素，在进行显示面板100的缺陷像素检测时，先通过LOI灯（一种光学检测设置）点亮显示面板100的屏体，再通过显微镜观察点亮的画面，观察哪些位置的小像素被点亮，从而判断像素是否为缺陷像素，并在判定像素为缺陷像素时判断缺陷像素的缺陷种类。为了便于理解，下面结合图4对本实施方式如何通过点亮的画面判断像素是否为缺陷像素，并在判定像素为缺陷像素时判断缺陷种类：
请参见图4（A），为本发明实施例显示面板100正常显示时的俯视图。从图4（A）中可以看出，第一像素开口120A对应的像素被点亮（方框具有填充则表明被点亮，方框不具有填充则表明没有被点亮），第二像素开口120B形成围绕第一像素开口120A的三个环形结构，此时最内侧的环形结构对应的像素被点亮。
请参见图4（B），为本发明实施例显示面板100发光层向右上方偏移时的俯视图。从图4（B）中可以看出，第一像素开口120A对应的像素被点亮，右上方的两个L型的结构对应的像素被点亮。不难理解，由于发光层3向右上方偏移，导致第二发光层32不会填充第一像素开口120A左侧和左下方的第二像素开口120B，而是会填充第一像素开口120A右上方的第二像素开口120B，使得右上方的两个L型的结构对应的像素被点亮。
请参见图4（C），为本发明实施例显示面板100发光层具有阴影时的俯视图。从图4（C）中可以看出，第一像素开口120A对应的像素被点亮，最内侧的环形结构对应的像素被点亮、与最内侧相邻的环形结构对应的像素也被点亮。不难理解，发光层3具有阴影，也就是说发光层32会向外扩散，导致与最内侧相邻的环形结构也会填充发光层32，从而使与最内侧相邻的环形结构对应的像素也被点亮。
请参见图4（D），为本发明实施例显示面板100发光层向右上方偏移且具有阴影时的俯视图。从图4（D）中可以看出，第一像素开口120A对应的像素被点亮，最内侧的环形结构对应的像素被点亮，右上方的两个L型的结构对应的像素被点亮。不难理解，此时图4（D）的情况为图4（B）与图4（C）的结合情况，为了避免重复，此处不再赘述。
请一并参见图4（A）至图4（D），在垂直于显示面板100厚度方向的平面上，由于每个第二像素开口120B的正投影的边长是已知的，相邻的第二像素开口120B的正投影的距离也是已知的，因此可以通过对比图4（A）和图4（B）中的填充部分的位置变化，即可得知发光层的偏移量。具体的说，假设相邻的第二像素开口120B之间的水平和垂直间距均为X，第二像素开口120B的长和宽均为Y，图4（B）发光层的偏移量为第二像素开口120B水平偏移量（从图4（B）中可以看出，第二像素开口120B的水平偏移量为X+Y）和竖直偏移量（从图4（B）中可以看出，第二像素开口120B的竖直偏移量为X+Y）的平方根，也即偏移量=
。
通过对比图4（A）和图4（C）中的填充部分的位置变化，即可得知发光层的阴影尺寸。具体的说，发光层的阴影尺寸=当前具有阴影的发光层尺寸-正常发光层尺寸，图4（A）的发光层尺寸=16Y2，图4（C）的发光层尺寸=40Y2，因此，图4（C）中发光层的阴影尺寸=图4（C）的发光层尺寸-图4（A）的发光层尺寸=24Y2。
通过对比图4（A）填充部分的中心位置与图4（D）中填充部分的中心位置的差异，即可得知发光层的偏移量。具体的说，以图4中每个图的下边界为X轴、左边界为Y轴建立平面直角坐标系，则图4（A）填充部分的中心坐标为（4X+5Y，4X+5Y），图4（D）填充部分的中心坐标为（5X+6Y，5X+6Y），则发光层的偏移量=
。
通过对比图4（A）填充部分的面积和图4（D）中填充部分的面积，即可得知发光层的阴影尺寸。具体的说，图4（A）中填充部分的面积=16Y2，图4（D）中填充部分的面积=40Y2，因此，图4（D）中发光层的阴影尺寸=图4（D）的填充部分的面积-图4（A）的填充部分的面积=24Y2。
本发明的第二实施方式涉及一种显示面板，包括：衬底基板、以及设置于所述衬底基板上的上述实施例提及的像素结构。
其中，显示面板可以为柔性有机发光显示面板或者非柔性有机发光显示面板。该有机发光显示面板的发光模式可以是顶发光、底发光或者双面发光。
显示面板还可以封装在显示装置中，显示装置可以应用在智能穿戴设备(如智能手环、智能手表)中，也可以应用在智能手机、平板电脑、显示器等设备中。
本发明的第三实施方式涉及一种显示面板的检测方法，本实施方式的具体流程如图5所示，包括：
S301：提供上述实施例的显示面板或显示装置。
具体的说，显示面板包括基板、设置在基板上的像素，像素包括依次层叠设置的阳极和像素界定层；像素界定层在正对阳极的区域设有像素开口，像素开口包括第一像素开口和第二像素开口，第二像素开口为多个，多个第二像素开口间隔设置，形成围绕第一像素开口的环形结构；还包括发光层，发光层包括设置在第一像素开口中的第一发光层、以及设置在部分第二像素开口中的第二发光层；显示装置包括上述的显示面板。
S302：获取显示面板或显示装置的显示画面。
具体的说，本实施方式可以通过LOI灯（一种光学检测设置）点亮显示面板的屏体，再通过显微镜观察点亮的显示画面。可以理解的是，本实施方式并不对所述显示画面的获取方式作具体限定，可以根据实际需求选择其他能够获取显示画面的方式。
S303：根据显示画面判断显示面板或显示装置是否存在缺陷像素，在判定存在缺陷像素时，执行步骤S304；否则，结束流程。
具体的说，本实施方式可以通过如下方式判断显示面板或显示装置是否存在缺陷像素：获取多个第二像素开口中具有发光层的发光第二像素开口的位置，其中，第二像素开口对应的区域发光则第二像素开口中具有发光层；根据所述发光第二像素开口的位置判断像素是否为缺陷像素，并在判定像素为缺陷像素时，根据所述发光第二像素开口的位置确定所述缺陷种类。可以理解的是，更具体的判断细节已在前述实施例中描述，为了避免重复，此种不再赘述。
S304：根据显示画面确定缺陷像素的缺陷种类。
具体的说，缺陷种类包括以下之一或其任意组合：发光层偏位、发光层具有阴影。
为了便于理解，下面对本实施方式中如何检测进行具体的说明：
1、采用正常的工艺流程在检测基板上制备阳极之前的膜层。
2、采用本实施例特定的掩膜版制备阳极和像素界定层（阳极延伸至图4所示的过渡区202，像素界定层在过渡区具有多个第二像素开口120B）。
3、发光层蒸镀量产前或过程中投入检测基板，蒸镀采用正常工艺。
4、完成蒸镀工艺，传送进LOI机台检测。
5、根据LOI拍到的照片，计算偏位尺寸和阴影大小。
本发明的实施方式相对于现有技术而言，像素界定层在正对阳极的区域设有像素开口，像素开口包括第一像素开口和多个第二像素开口，且多个第二像素开口间隔设置并形成围绕第一像素开口的环形结构，显示面板还包括发光层，发光层位于所述第一像素开口和至少部分所述第二像素开口内，以形成与所述第一像素开口和至少部分所述第二像素开口一一对应的子像素。需要说明的是，第一像素开口为正常像素必定具有的结构，通过在第一像素开口内设置发光层，以使像素能够正常发光；第二像素开口为本发明实施例特有的结构，在显示面板的制备过程中，发光层未发生偏位、发光层发生偏位以及发光层具有阴影均会导致第二发光层设置在不同的第二像素开口中，因此能够通过发光层设置在哪些第二像素开口中得知像素是否存在缺陷以及缺陷种类。此外，将第二像素开口设计成围绕第一像素开口的环形结构，使得发光层无论发生哪个方向上的偏移均能够根据发光层的设置位置准确得知，从而能够准确检测显示面板是否存在缺陷像素。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阳极；
像素界定层，设置于所述阳极表面，所述像素界定层在正对所述阳极的区域设有像素开口，所述像素开口包括第一像素开口和第二像素开口，所述第二像素开口为多个，多个所述第二像素开口间隔设置，形成围绕所述第一像素开口的环形结构，所述第一像素开口和多个所述第二像素开口对应同一阳极；
发光层，位于所述第一像素开口和至少部分所述第二像素开口内，以形成与所述第一像素开口和至少部分所述第二像素开口一一对应的子像素。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述环形结构为多个，多个所述环形结构在垂直于所述显示面板厚度方向的方向上间隔设置。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述显示面板厚度方向的平面上，所述第二像素开口的正投影形状包括以下之一或其任意组合：圆形、方形、三角形。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述显示面板厚度方向的平面上，所述环形结构的正投影形状为矩形或菱形，所述第一像素开口的正投影的中心与所述环形结构的正投影的中心重合。
5.根据权利要求3任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第二像素开口的正投影形状为方形，所述方形的边长在3微米至5微米之间。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一像素开口正投影的面积大于所述第二像素开口正投影的面积。
7.根据权利要求1至6任一项所述的显示面板，其特征在于，相邻的所述第二像素开口的间距在3微米至5微米之间。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至7任一项所述的显示面板。
9.一种显示面板的检测方法，其特征在于，包括：
提供如权利要求1至7任一项所述的显示面板，或权利要求8所述的显示装置；
获取所述显示面板或所述显示装置的显示画面；
根据所述显示画面判断所述显示面板或所述显示装置是否存在缺陷像素，并在判定所述显示面板或所述显示装置存在缺陷像素时，确定所述缺陷像素的缺陷种类，其中，所述缺陷种类至少包括发光层偏位或发光层具有阴影。
10.根据权利要求9所述的显示面板的检测方法，其特征在于，所述根据所述显示画面判断所述显示面板或所述显示装置是否存在缺陷像素，包括：
获取多个第二像素开口中具有发光层的发光第二像素开口的位置，其中，第二像素开口对应的区域发光则第二像素开口中具有发光层；
根据所述发光第二像素开口的位置判断像素是否为缺陷像素，并在判定像素为缺陷像素时，根据所述发光第二像素开口的位置确定所述缺陷种类。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010894798.4A CN111933680B (zh) | 2020-08-31 | 2020-08-31 | 显示面板、显示装置及显示面板的检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010894798.4A CN111933680B (zh) | 2020-08-31 | 2020-08-31 | 显示面板、显示装置及显示面板的检测方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111933680A CN111933680A (zh) | 2020-11-13 |
| CN111933680B true CN111933680B (zh) | 2022-08-05 |
Family
ID=73309743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010894798.4A Active CN111933680B (zh) | 2020-08-31 | 2020-08-31 | 显示面板、显示装置及显示面板的检测方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111933680B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190022100A (ko) * | 2017-08-25 | 2019-03-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 |
| CN110911467A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-03-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示面板及其制备方法、显示装置 |
| WO2020124423A1 (zh) * | 2018-12-19 | 2020-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN111564484A (zh) * | 2020-05-22 | 2020-08-21 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板以其加工方法、显示装置 |
-
2020
- 2020-08-31 CN CN202010894798.4A patent/CN111933680B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190022100A (ko) * | 2017-08-25 | 2019-03-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 |
| WO2020124423A1 (zh) * | 2018-12-19 | 2020-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN110911467A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-03-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111564484A (zh) * | 2020-05-22 | 2020-08-21 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板以其加工方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111933680A (zh) | 2020-11-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20220352299A1 (en) | Display panel, manufacturing method thereof, and display device | |
| CN112313802B (zh) | 显示基板、精细金属掩模板组以及制作方法 | |
| EP3748680A1 (en) | Pixel arrangement structure | |
| JP4825903B2 (ja) | 有機ｅｌ素子の発光層を蒸着する方法、該蒸着方法を含む有機ｅｌ素子の製造方法、及びその製造方法により製造された有機ｅｌ素子 | |
| US20190131358A1 (en) | Oled array substrate and manufacturing method thereof, and display device | |
| CN106449717B (zh) | 有机电致发光器件基板、显示装置及制造方法 | |
| CN104112824A (zh) | 一种oled显示器件及其制备方法、蒸镀用掩模板 | |
| KR20150005845A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| CN104733506B (zh) | 一种电致发光显示器件及显示装置 | |
| EP3203522A1 (en) | Oled display substrate, oled display device and mask plate | |
| CN111599851B (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
| CN110828534B (zh) | 一种像素排列结构，显示面板及掩膜板组 | |
| US11626560B2 (en) | Pixel structure, display substrate, mask and evaporation method | |
| CN108878496B (zh) | 有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置 | |
| CN104867963A (zh) | 有机发光显示基板及其制作方法、有机发光显示装置 | |
| KR20120041510A (ko) | 유기전계 발광소자 및 이를 제조하기 위한 쉐도우 마스크 | |
| CN102354702A (zh) | 一种有机发光显示器的像素结构 | |
| CN110634909A (zh) | 一种显示基板、显示面板及显示装置 | |
| US9502689B2 (en) | Organic light emitting display and method of manufacturing the same | |
| CN111933680B (zh) | 显示面板、显示装置及显示面板的检测方法 | |
| JP2018507526A (ja) | ディスプレイパネル | |
| JP2006147182A (ja) | 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネルおよび蒸着マスク | |
| CN111697025B (zh) | Oled显示器件、显示面板、显示装置以及制造方法 | |
| CN110600519B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| US11889739B2 (en) | OLED with electron transport layer within insulating layer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |