CN111917297A - 铜离子杀毒电源电路 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种铜离子杀毒电源电路，第一开关电路分别与第一电频输入电路以及供电电压电连接，第三开关电路分别与第二电频输入电路以及供电电压电连接，第二开关电路以及第四开关电路分别脉冲信号输入电路电连接，第一开关电路以及第二开关电路分别与电源连接座的一连接端电连接，第三开关电路以及第四开关电路分别与电源连接座的另一连接端电连接。本发明通过第一电频输入电路控制第一开关电路的断开或导通，第二电频输入电路控制第三开关电路的断开或导通，脉冲信号输入电路控制第二开关电路以及第四开关电路的断开或导通，从而实现电源连接座位置的电流流向。
Description
技术领域
本发明属于杀毒设备的技术领域，尤其涉及铜离子杀毒电源电路。
背景技术
金属离子消毒的作用方式是由于真菌细胞能够富集金属离子，吸附在真菌表面的金属离子破坏了细胞膜的功能而进入细胞内部，使某些细胞成分逸出，干扰细胞代谢过程或干扰各种酶的作用，使其失去应有的生物功能，最后导致细胞的死亡。许多重金属离子如铁、锰、锌、铅、锡、汞、铜、镉等都具有较强的杀菌能力。现有的铜离子杀毒设备一般通过电化学原理将铜单质电极置于电解池中通过通电实现铜离子的释放。待电极完全消耗尽时，更换一对新的电极便可继续使用，电极不能高效利用，易造成一定浪费。
发明内容
针对上述问题，本发明提供一种可以实现铜离子回收以提高铜离子利用率的铜离子杀毒电源电路。
本发明公开了一种铜离子杀毒电源电路，包括第一电频输入电路、第二电频输入电路、第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路、脉冲信号输入电路以及电源连接座，所述第一开关电路分别与所述第一电频输入电路以及供电电压电连接，所述第三开关电路分别与所述第二电频输入电路以及供电电压电连接，所述第二开关电路以及所述第四开关电路分别所述脉冲信号输入电路电连接，所述第一开关电路以及所述第二开关电路分别与所述电源连接座的一连接端电连接，所述第三开关电路以及所述第四开关电路分别与所述电源连接座的另一连接端电连接。
优选地，所述第一电频输入电路包括第一电阻、第二电阻以及第一三极管，所述第一电阻的输入端输入电频信号，所述第一电阻的输出端分别与所述第二电阻的输入端以及所述第一三极管的基极电连接，所述第二电阻的输出端以及所述第一三极管的发射极均接地，所述第一三极管的集电极与所述第一开关电路电连接。
优选地，所述第二电频输入电路包括第三电阻、第四电阻以及第二三极管，所述第三电阻的输入端输入电频信号，所述第三电阻的输出端分别与所述第四电阻的输入端以及所述第二三极管的基极电连接，所述第四电阻的输出端以及所述第二三极管的发射极均接地，所述第二三极管的集电极与所述第三开关电路电连接。
优选地，所述第一开关电路包括第三三极管以及第一MOS管，所述第三三极管的发射极以及基极分别接入稳定电压，且所述第三三极管的基极与所述第一三极管的集电极电连接，所述第三三极管的集电极与所述第一MOS管的栅极电连接，所述第一MOS管的漏极分别接入供电电压，所述第一MOS管的源极与所述电源连接座的一连接端电连接。
优选地，所述第三开关电路包括第四三极管以及第三MOS管，所述第四三极管的发射极以及基极分别接入稳定电压，且所述第四三极管的基极与所述第二三极管的集电极电连接，所述第四三极管的集电极与所述第三MOS管的栅极电连接，所述第三MOS管的漏极分别接入供电电压，所述第三MOS管的源极与所述电源连接座的另一连接端电连接。
优选地，所述第二开关电路包括第二MOS管，所述第二MOS管的栅极与所述脉冲信号输入电路电连接，所述第二MOS管的漏极与所述电源连接座的一连接端电连接，所述第二MOS管的源极接地。
优选地，所述第四开关电路包括第四MOS管，所述第四MOS管的栅极与所述脉冲信号输入电路电连接，所述第四MOS管的漏极与所述电源连接座的另一连接端电连接，所述第四MOS管的源极接地。
优选地，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管以及所述第四MOS管均为N沟道MOS管。
优选地，所述铜离子杀毒电源电路还包括滤杂波电路，所述滤杂波电路包括第五电阻以及第一电容，所述第五电阻的一端以及所述第一电容并联接入所述第二MOS管的源极以及所述第四MOS管的源极，所述第五电阻的另一端以及所述第一电容的另一端均接地。
优选地，所述脉冲信号输入电路包括第一放大芯片、第二放大芯片、第一二极管、第二二极管以及脉冲信号发射端，所述脉冲信号发射端分别与第一二极管的输入端、第二二极管的输入端、第一放大芯片的一引脚以及第二放大芯片的一引脚电连接，所述第一二极管的输出端与所述第一三极管的集电极电连接，所述第二二极管的输出端与所述第二三极管的集电极电连接，所述第一放大芯片的另一引脚与所述第二MOS管的栅极电连接，所述第二放大芯片的另一引脚与所述第四MOS管的栅极电连接。
从上述本发明实施例可知，本发明通过第一电频输入电路控制第一开关电路的断开或导通，第二电频输入电路控制第三开关电路的断开或导通，脉冲信号输入电路控制第二开关电路以及第四开关电路的断开或导通，从而实现电源连接座位置的电流流向。具体地，当第一电频输入电路输入高电平时，第一开关电路导通，当第二电频输入电路输入低电平，第三开关电路断开，此时脉冲信号输入电路控制第二开关电路断开，第四开关电路闭合，供电电压经由第一开关电路输入至电源连接座的一连接端，并从电源连接座的另一连接端输出至第四开关电路形成闭合回路。当第一电频输入电路输入低电平时，第一开关电路断开，当第二电频输入电路输入高电平，第三开关电路导通，此时脉冲信号输入电路控制第二开关电路导通，第四开关电路断开，供电电压经由第三开关电路输入至电源连接座的另一连接端，并从电源连接座的一连接端输出至第二开关电路形成闭合回路。本方案的电源电路能够进行电流输出方向的换向，从而可以及时将铜离子进行回收，增加电极的使用效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明铜离子杀毒电源电路的原理示意图。
具体实施方式
为使得本发明的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明公开了一种铜离子杀毒电源电路，包括第一电频输入电路、第二电频输入电路、第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路、脉冲信号输入电路以及电源连接座，第一开关电路分别与第一电频输入电路以及供电电压电连接，第三开关电路分别与第二电频输入电路以及供电电压电连接，第二开关电路以及第四开关电路分别脉冲信号输入电路电连接，第一开关电路以及第二开关电路分别与电源连接座的一连接端电连接，第三开关电路以及第四开关电路分别与电源连接座的另一连接端电连接。
相较于现有技术，本发明通过第一电频输入电路控制第一开关电路的断开或导通，第二电频输入电路控制第三开关电路的断开或导通，脉冲信号输入电路控制第二开关电路以及第四开关电路的断开或导通，从而实现电源连接座位置的电流流向。具体地，当第一电频输入电路输入高电平时，第一开关电路导通，当第二电频输入电路输入低电平，第三开关电路断开，此时脉冲信号输入电路控制第二开关电路断开，第四开关电路闭合，供电电压经由第一开关电路输入至电源连接座的一连接端，并从电源连接座的另一连接端输出至第四开关电路形成闭合回路。当第一电频输入电路输入低电平时，第一开关电路断开，当第二电频输入电路输入高电平，第三开关电路导通，此时脉冲信号输入电路控制第二开关电路导通，第四开关电路断开，供电电压经由第三开关电路输入至电源连接座的另一连接端，并从电源连接座的一连接端输出至第二开关电路形成闭合回路。本方案的电源电路能够进行电流输出方向的换向，从而可以及时将铜离子进行回收，增加电极的使用效率。
在本实施例中，第一电频输入电路包括第一电阻R1、第二电阻R2以及第一三极管Q1，第一电阻R1的输入端输入电频信号，第一电阻R1的输出端分别与第二电阻R2的输入端以及第一三极管Q1的基极电连接，第二电阻R2的输出端以及第一三极管Q1的发射极均接地，第一三极管Q1的集电极与第一开关电路电连接。第一开关电路包括第三三极管Q3以及第一MOS管Q4，第三三极管Q3的发射极以及基极分别接入稳定电压+12V，且第三三极管Q3的基极与第一三极管Q1的集电极电连接，第三三极管Q3的集电极与第一MOS管Q4的栅极电连接，第一MOS管Q4的漏极分别接入供电电压+20VDC，第一MOS管Q4的源极与电源连接座的一连接端电连接。Q1的集电极与Q3的基极之间设有电阻R3，Q3的基极与输入的稳定电压+12V之间设有电阻R4，Q4的栅极与供电电压之间设有电阻R5，电阻R3、R4以及R5主要用于分压以及保护Q3、Q4的运行。当第一电阻R1收到的电频信号为高电平，则Q1导通。+12V电压可以通过Q1接地，从而+12V输入Q3基极，使得Q3导通，+12V输入Q4栅极，使得Q4导通，从而+20VDC可以通过Q4传递至电源连接座的一连接端。反之，若第一电阻R1收到的电频信号为低电平，则Q1断开、Q3断开，Q4断开。
在本实施例中，第二电频输入电路包括第三电阻R6、第四电阻R7以及第二三极管Q2，第三电阻R6的输入端输入电频信号，第三电阻R6的输出端分别与第四电阻R7的输入端以及第二三极管Q2的基极电连接，第四电阻R7的输出端以及第二三极管Q2的发射极均接地，第二三极管Q2的集电极与第三开关电路电连接。第三开关电路包括第四三极管Q5以及第三MOS管Q6，第四三极管Q5的发射极以及基极分别接入稳定电压，且第四三极管Q5的基极与第二三极管Q2的集电极电连接，第四三极管Q5的集电极与第三MOS管Q6的栅极电连接，第三MOS管Q6的漏极分别接入供电电压，第三MOS管Q6的源极与电源连接座的另一连接端电连接。Q2的集电极与Q5的基极之间设有电阻R8，Q5的基极与输入的稳定电压+12V之间设有电阻R9，Q6的栅极与供电电压之间设有电阻R10，电阻R8、R9以及R10主要用于分压以及保护Q5、Q6的运行。当第三电阻R6收到的电频信号为高电平，则Q2导通。+12V电压可以通过Q2接地，从而+12V输入Q5基极，使得Q5导通，+12V输入Q6栅极，使得Q6导通，从而+20VDC可以通过Q6传递至电源连接座的一连接端。反之，若第三电阻R6收到的电频信号为低电平，则Q2断开、Q5断开，Q6断开。
在本实施例中，脉冲信号输入电路包括第一放大芯片U1、第二放大芯片U2、第一二极管D1、第二二极管D2以及脉冲信号发射端，脉冲信号发射端通过电阻R11分别与第一二极管D1的输入端以及第一放大芯片U1的第三引脚电连接，脉冲信号发射端通过电阻R12分别与第二二极管D2的输入端以及第二放大芯片U2的第三引脚电连接，第一二极管D1的输出端与第一三极管Q1的集电极电连接，第二二极管D2的输出端与第二三极管Q2的集电极电连接。当Q1导通时，D1的输出端电压大于输入端电压，即不导通，则电阻R11不导通，第一放大芯片U1不输出信号；当Q1断开时，D1的输出端电压小于输入端电压，导通，则电阻R11导通，第一放大芯片U1输出放大的电频信号；当Q2导通时，D2的输出端电压大于输入端电压，即不导通，则电阻R12不导通，第二放大芯片U2不输出，当Q2断开时，D2的输出端电压小于输入端电压，导通，则电阻R12导通，第一放大芯片U2输出放大的电频信号。
在本实施例中，第二开关电路包括第二MOS管Q7，第二MOS管Q7的栅极通过电阻R14与U1的第五引脚电连接，并通过R15接地，第二MOS管Q7的漏极与电源连接座的一连接端电连接，第二MOS管Q7的源极接地。第四开关电路包括第四MOS管Q8，第四MOS管Q8的栅极通过电阻R16与U2的第五引脚电连接，并通过R17接地；第四MOS管Q8的漏极与电源连接座的另一连接端电连接，第四MOS管Q8的源极接地。当Q1导通、Q2不导通时，Q7不接收U1的电频信号从而不导通，Q8接收U2的放大电频信号从而导通，电源连接座的一连接端通过Q4输入电流，然后从另一连接端输出电流至Q8接地，以形成闭合回路；反之，则电源连接座的一连接端通过Q6输入电流，然后从另一连接端输出电流至Q7接地，以形成闭合回路，实现电流的换向过程。
在本实施例中，第一MOS管Q4、第二MOS管Q7、第三MOS管Q6以及第四MOS管Q8均为N沟道MOS管。使用四个N沟道MOS管不易漏电，性能更加稳定。
在本实施例中，铜离子杀毒电源电路还包括滤杂波电路，滤杂波电路包括第五电阻R18以及第一电容C1，第五电阻R18的一端以及第一电容C1并联接入第二MOS管Q7的源极以及第四MOS管Q8的源极，第五电阻R18的另一端以及第一电容C1的另一端均接地。第一电容C1以及第五电阻R18的设置可以尽量减少流入电源连接座的杂波，提高电源效率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
以上为对本发明所提供的技术方案的描述，对于本领域的技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种铜离子杀毒电源电路，其特征在于，包括第一电频输入电路、第二电频输入电路、第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路、脉冲信号输入电路以及电源连接座，所述第一开关电路分别与所述第一电频输入电路以及供电电压电连接，所述第三开关电路分别与所述第二电频输入电路以及供电电压电连接，所述第二开关电路以及所述第四开关电路分别所述脉冲信号输入电路电连接，所述第一开关电路以及所述第二开关电路分别与所述电源连接座的一连接端电连接，所述第三开关电路以及所述第四开关电路分别与所述电源连接座的另一连接端电连接。
2.根据权利要求1所述的铜离子杀毒电源电路，其特征在于，所述第一电频输入电路包括第一电阻、第二电阻以及第一三极管，所述第一电阻的输入端输入电频信号，所述第一电阻的输出端分别与所述第二电阻的输入端以及所述第一三极管的基极电连接，所述第二电阻的输出端以及所述第一三极管的发射极均接地，所述第一三极管的集电极与所述第一开关电路电连接。
3.根据权利要求2所述的铜离子杀毒电源电路，其特征在于，所述第二电频输入电路包括第三电阻、第四电阻以及第二三极管，所述第三电阻的输入端输入电频信号，所述第三电阻的输出端分别与所述第四电阻的输入端以及所述第二三极管的基极电连接，所述第四电阻的输出端以及所述第二三极管的发射极均接地，所述第二三极管的集电极与所述第三开关电路电连接。
4.根据权利要求3所述的铜离子杀毒电源电路，其特征在于，所述第一开关电路包括第三三极管以及第一MOS管，所述第三三极管的发射极以及基极分别接入稳定电压，且所述第三三极管的基极与所述第一三极管的集电极电连接，所述第三三极管的集电极与所述第一MOS管的栅极电连接，所述第一MOS管的漏极分别接入供电电压，所述第一MOS管的源极与所述电源连接座的一连接端电连接。
5.根据权利要求4所述的铜离子杀毒电源电路，其特征在于，所述第三开关电路包括第四三极管以及第三MOS管，所述第四三极管的发射极以及基极分别接入稳定电压，且所述第四三极管的基极与所述第二三极管的集电极电连接，所述第四三极管的集电极与所述第三MOS管的栅极电连接，所述第三MOS管的漏极分别接入供电电压，所述第三MOS管的源极与所述电源连接座的另一连接端电连接。
6.根据权利要求5所述的铜离子杀毒电源电路，其特征在于，所述第二开关电路包括第二MOS管，所述第二MOS管的栅极与所述脉冲信号输入电路电连接，所述第二MOS管的漏极与所述电源连接座的一连接端电连接，所述第二MOS管的源极接地。
7.根据权利要求6所述的铜离子杀毒电源电路，其特征在于，所述第四开关电路包括第四MOS管，所述第四MOS管的栅极与所述脉冲信号输入电路电连接，所述第四MOS管的漏极与所述电源连接座的另一连接端电连接，所述第四MOS管的源极接地。
8.根据权利要求7所述的铜离子杀毒电源电路，其特征在于，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管以及所述第四MOS管均为N沟道MOS管。
9.根据权利要求7所述的铜离子杀毒电源电路，其特征在于，所述铜离子杀毒电源电路还包括滤杂波电路，所述滤杂波电路包括第五电阻以及第一电容，所述第五电阻的一端以及所述第一电容并联接入所述第二MOS管的源极以及所述第四MOS管的源极，所述第五电阻的另一端以及所述第一电容的另一端均接地。
10.根据权利要求8中所述的铜离子杀毒电源电路，其特征在于，所述脉冲信号输入电路包括第一放大芯片、第二放大芯片、第一二极管、第二二极管以及脉冲信号发射端，所述脉冲信号发射端分别与第一二极管的输入端、第二二极管的输入端、第一放大芯片的一引脚以及第二放大芯片的一引脚电连接，所述第一二极管的输出端与所述第一三极管的集电极电连接，所述第二二极管的输出端与所述第二三极管的集电极电连接，所述第一放大芯片的另一引脚与所述第二MOS管的栅极电连接，所述第二放大芯片的另一引脚与所述第四MOS管的栅极电连接。
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