CN111863862A - 发光结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发光结构，该发光结构包括基板；设置于基板上的多个发光二极管和多条控制信号线；位于第一方向的发光二极管中的部分发光二极管的第一电极与同一条控制信号线连接，发光二极管的第二电极连接至电源信号线；其中，当控制信号线的第一供电电压大于电源信号线上第二供电电压时，发光二极管导通。本发明提供的发光结构，可以提升发光结构亮度的均匀性。

Description

发光结构

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种发光结构。

背景技术

在显示技术领域，由于液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)面板本身无法产生光源，LCD必须利用位于面板背后的背光源产生亮度，才可以显示出画面。因此，大多数的LCD面板都会采用发光元件作为背光源。

在相关技术中，信号线上一般会连接有多个发光元件，一条信号线上连接的多个发光元件会通过与信号线连接的驱动芯片提供的电压信号进行发光显示。

然而，与同一条信号线连接的发光元件经常会由于分压不同，而导致每个发光元件的亮度不均匀，甚至会存在部分发光元件无法正常发光，进而使得显示亮度不均匀。

发明内容

本发明提供一种发光结构，可以提升发光结构亮度的均匀性。

一方面，本申请实施例提供一种发光结构，发光结构中包括有基板；设置于基板上的多个发光二极管和多条控制信号线；

位于第一方向的发光二极管中的部分发光二极管的第一电极与同一条控制信号线连接，发光二极管的第二电极连接至电源信号线；

其中，当控制信号线的第一供电电压大于电源信号线上第二供电电压时，发光二极管导通。

根据本发明实施例的发光结构，将发光二极管在基板上进行成行成列的排布，并将位于第一方向的发光二极管中的部分发光二极管的第一电极与同一条控制信号线连接，并将发光二极管的第二电极连接至电源信号线，由于第一方向中仅有部分发光二极管的第一电极与同一条控制信号线连接，所以在同一条控制信号线上连接有多个发光二极管的情况下，即使是距离控制信号线输入端较远的发光二极管，也不会由于压降过大的原因，出现第一供电电压小于或等于电源信号线上的第二供电电压的情况，进而可以尽量避免发光二极管无法正常发光而导致亮度不均的情况发生。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。

图1是相关技术中提供的发光结构的俯视图；

图2是本发明一个实施例提供的发光结构的第一俯视图；

图3是本发明一个实施例提供的发光结构的第二俯视图；

图4是本发明一个实施例提供的发光结构的第三俯视图；

图5是本发明一个实施例提供的发光结构的第四俯视图；

图6是本发明一实施例提供的发光结构的第一剖视图；

图7为图5中M-M方向的第一剖视图；

图8为图5中M-M方向的第二剖视图；

图9是本发明一实施例提供的发光结构的第五俯视图；

图10是本发明一实施例提供的发光结构的第六俯视图；

图11是本发明一实施例提供的发光结构的第七俯视图；

图12是本发明一实施例提供的发光结构的第八俯视图；

图13是本发明一实施例提供的发光结构的第九俯视图；

图14是本发明一实施例提供的脉冲宽度调制信号示意图；

图15是本发明另一实施例提供的脉冲宽度调制信号示意图；

图16是根据本发明一实施例提供的显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。

目前，在相关技术中，为使设置于面板中的发光二极管可以发光，均是会将发光二极管的两个电极分别连接控制信号线和电源信号线。其中，控制信号线和电源信号线为发光二极管的两级提供电压差，以使发光二极管可以发光。

请参见图1，图1是相关技术中的发光结构的俯视图。如图1所示，以控制信号线1为例，控制信号线1连接有多个的发光二极管，分别为发光二极管(Light Emitting Diode，LED)1，LED2，LED3，LED4，LED5，LED6直至LED(n)，LED(n+1)，所以在控制信号线1连接的发光二极管全部打开时，距离控制信号线1的输入端最远的发光二极管LED(n+1)就会由于压降的差异，使得与LED(n+1)的第一电极相连接的控制信号线1上的第一供电电压过小，甚至小于与LED(n+1)的第二电极相连接的电源信号线的第二供电电压。然而，如果第一供电电压小于第二供电电压，由于发光二极管正向导通的特性，就会导致发光二极管无法正常发光，进而导致发光结构的亮度不均。

为此，本发明实施例提供了一种发光结构。下面结合图2至图13对本发明实施例的发光结构进行详细描述。

应当说明的是，在本发明实施例中所涉及的第一方向可以为行方向，也可以为列方向，在第一方向为行方向的情况下，第二方向可以为列方向。在第一方向也可以为列方向，第二方向也可以为行方向。本实施例以第一方向为行方向，第二方向为列方向为例进行说明，具体请参见图2至图13。

首先，请参见图2，图2是本发明一个实施例提供的发光结构的第一俯视图。如图2所示，发光结构100包括基板10以及设置于基板10上的多个发光二极管11、多条控制信号线12和电源信号线13。其中，设置于基板10上的多个发光二极管11可以是分别按照第一方向和第二方向进行排布。

如图2所示，设置于基板10上的位于第一方向的发光二极管11中的部分发光二极管11的第一电极与同一条控制信号线12连接，发光二极管11的第二电极连接至电源信号线13。其中，在控制信号线12的第一供电电压大于电源信号线13上的第二供电电压时，发光二极管11导通。

此外，在基板上设置有连接引脚，控制信号线12和电源信号线13可以是通过连接引脚与发光二极管11相连接。其中，发光二级管11的第一电极可以为二极管的阳极，发光二极管11的第二电极可以为二极管的阴极。

在本发明的一些实施例中，控制信号线12和电源信号线13分别为发光二极管11提供电压信号。其中，控制信号线12和电源信号线13可以是为发光二极管11提供交流信号，也可以是为发光二极管11提供直流信号。

在本发明的一些实施例中，在控制信号线12和电源信号线13为发光二极管11提供的是直流电压信号时，可以是通过改变电源信号线13为发光二极管11提供的第二供电电压的电压大小，调整发光二极管11的两个电极之间的电压差，从而调整发光二极管11的亮度。其中，发光二极管11两个电极之间的电压差越大，其发光亮度就会越大。需要强调的是，控制信号线12和电源信号线13为发光二极管11提供第一电压和第二电压时，需要使得发光二极管11两个电极之间的电压差在发光二极管11的工作电压范围内。

在本发明的另一些实施例中，在控制信号线12和电源信号线13为发光二极管11提供的是交流电压信号时，可以是通过改变电源信号线13所提供的交流信号的占空比，调整发光二极管11的亮度。例如，控制信号线12和电源信号线13可以是为发光二极管11提供脉冲宽度调整信号，通过调整脉冲宽度调制信号的占空比，调整发光二极管11的亮度。

根据本发明实施例的发光结构，将发光二极管11在基板10上按照第一方向进行排布，并将位于第一方向的发光二极管11中的部分发光二极管11的第一电极与同一条控制信号线12连接，并将发光二极管11的第二电极连接至电源信号线13，由于第一方向中仅有部分发光二极管11的第一电极与同一条控制信号线12连接，所以在同一条控制信号线12上连接有多个发光二极管11的情况下，即使是距离控制信号线12输入端较远的发光二极管11，也不会由于压降过大的原因，出现第一供电电压小于或等于电源信号线13上的第二供电电压的情况，进而可以尽量避免发光二极管11无法正常发光而导致发光结构亮度不均的情况发生。

在一些实施例中，为了不仅需要实现每个发光二极管11都可以单独发光，还需要尽量的降低布线难度和布线结构，在本发明的一些实施例中还提供了另一种发光结构，具体请参见图3。

图3是本发明一个实施例提供的发光结构的第二俯视图。其中，如图3所示，位于第二方向的发光二极管11的第二电极连接至同一条电源信号线13。由此不仅可以实现每个发光二极管11都可以单独发光，还可以减少走线的数量，降低布线难度，简化布线结构。

在一些实施例中，为了可以尽量避免控制信号线12连接有多个发光二极管11，而使得控制信号线12远近端的压降差异过大，使得与发光二极管11的第一电极相连接的控制信号线12上的第一供电电压过小，甚至小于与发光二极管12的第二电极相连接的电源信号线13的第二供电电压，而导致发光二极管11无法正常发光的情况发生，为此，本发明该提供了再一种发光结构，具体请参见图4。

图4是本发明一个实施例提供的发光结构的第三俯视图。其中，如图4所示，位于第一方向的每个发光二极管11的第一电极分别和不同的控制信号线12连接。

在本发明实施例中，由于第一方向的发光二极管11的第一电极均是分别和不同的控制信号线12连接，即相当于是一条控制信号线12上仅连接有一个发光二极管11，所以发光二极管11就不会由于压降过大的原因，出现第一供电电压小于或等于电源信号线13上的第二供电电压的情况，从而可以尽量避免发光二极管11无法正常发光而导致亮度不均的情况发生。

此外，基板10中包括有发光二极管11的区域可以作为发光区LA，围绕发光区设置的即可以为非发光区PA。

在本发明的另一些实施例中，可参见图5，图5是本发明一个实施例提供的发光结构的第四俯视图。

如图5所示，在一些实施例中，在发光结构500中的位于第一方向的发光二极管11至少分别与两条控制信号线12连接的情况下，还可以是将与第一方向的发光二极管11的第一电极连接的控制信号线12通过信号传输线14连接。其中，信号传输线14的电阻值小于或等于控制信号线12的电阻值的10％。

在一些实施例中，可以是通过增加信号传输线14的厚度，使得信号传输线14的电阻值小于或等于控制信号线12的电阻值。例如，可以是选取厚度大于5微米的信号传输线14。

在另一些实施例中，还可以是选取电阻率小于控制信号线12的电阻率的材质作为信号传输线14(例如，若控制信号线12的材质为银，则信号传输线14的材质可以为铜)，以实现信号传输线14的电阻值小于或等于控制信号线12的电阻值的10％。

在本发明实施例中，由于将与位于第一方向的发光二极管11的第一电极连接的不同的控制信号线12通过信号传输线14连接，使得在向控制信号线12提供第一供电电压时，可以只需将信号传输线14与供电端连接即可，无需将每个控制信号线12均与供电端连接，进而简化布线结构。

此外，由于信号传输线14的电阻值还小于或等于控制信号线12的电阻值的10％，所以压降较小，从而不会由于信号传输线14将控制信号线12连接在一起，而使距离控制信号线12输入端较远的发光二极管11会由于压降的原因，而出现第一供电电压小于或等于电源信号线13上的第二供电电压的情况，进而可以尽量避免发光二级管11无法正常发光而导致发光结构的亮度不均的情况发生。

在本发明的另一些实施例中，发光结构还可以包括有柔性电路板，其中，柔性电路板可以是绑定于基板10上，柔性电路板中包括有信号传输线14。

在一些实施例中，柔性电路板上可以仅包括有信号传输线14，即由信号传输线14构成柔性电路板。在另一些实施例中，柔性电路中还可以不仅包括有信号传输线14，还可以包括有其他的信号线。例如，电源信号线13等。

在本发明实施例中，由于发光结构中包括含有信号传输线14的柔性电路板，并通过将柔性电路板绑定于基板上，所以使得柔性电路板上的信号传输线14的横截面积可以不受发光结构透光率的限制，所以可以将信号传输线14的横截面积设置的较大，进而使得信号传输线14的电阻值小于或等于控制信号线12的电阻值的10％。

在另一些实施例中，发光结构中包括有发光区和围绕发光区设置的非发光区，所以为了增加显示效果，在发光结构的面积大小不变的情况下，尽可能的增加发光区的面积，减少发光结构中非发光区的面积，可以是将包括有信号传输线的柔性电路板绑定至基板的背面，由此就无需增大非发光区的面积，使得在发光结构的面积大小不变的情况下，可以通过减少非发光区的面积，而增加发光区的面积。

在本发明实施例中，通过将柔性电路板绑定至基板的背面，使得发光结构中的非发光区的面积较小，相应的，在发光结构的面积大小不变的情况下，发光结构的发光区的面积就可以是很大，由此增加发光结构的有效发光区域，从而提高发光结构的发光效果。

在本发明的一些实施例中，如图6所示，图6是本发明一实施例提供的发光结构的第一剖视图。其中，该第一剖视图为沿垂直于如图5所示的发光结构500平面方向的截面示意图。

请参见图6，该发光结构500包括有发光区LA和围绕在发光区LA设置的非发光区PA。其中，发光二极管11位于发光区LA，且发光二极管11上设置有保护层50。信号传输线(图中未示出)可以是位于非发光区PA且形成于基板10上。

根据本发明实施例所提供的发光结构，由于信号传输线14位于发光结构的非发光区PA，所以信号传输线14在非发光区PA的布线不会影响到发光区的发光二极管11的透光率，从而不仅可以使得发光结构中发光二极管11的透光率不会由于信号传输线14的遮挡而影响其透光率，而且由于信号传输线14的电阻值是小于或等于控制信号线12的电阻值的10％，所以不会由于信号传输线14将控制信号线12连接在一起，而使距离控制信号线12输入端较远的发光二极管11会由于压降过大的原因，而出现第一供电电压小于或等于电源信号线13上的第二供电电压的情况，进而可以尽量避免发光二级管11无法正常发光而导致发光结构的亮度不均的情况发生，如此使得发光结构的亮度较为均匀。

此外，对于本发明实施例中所提供的发光结构中的信号传输线12和控制信号线14的布线方式可以是同层设置，也可以是不同层设置，下面分别结合图7和图8详细介绍信号传输线12与控制信号线14的布线方式。

首先，在一些实施例中，可以是将信号传输线14和控制信号线12采用同层设置的方式，如图7所示，图7为图5中M-M方向的第一剖视图。

如图7所示，基板10上形成有同一膜层的控制信号线12和信号传输线14。

在本发明实施例中，由于信号传输线14和控制信号线12同层设置，可以在不影响到发光结构的发光效果的情况下还可以降低发光结构的布线结构，简化发光结构的走线工艺。并且，信号传输线14和控制信号线12的同层设置，使得基板10上形成一个反射层。如此，在发光二极管11处于导通状态下，发光二极管11发出的光，经由信号传输线14和控制信号线12形成的反射层的反射，从而减少出光的发散程度，避免发光二极管11的能量损失。

在另一些实施例中，可以是将信号传输线14和控制信号线12采用不同层设置的方式，如图8所示，图8为图5中M-M方向的第二剖视图。

如图8所示，基板10上形成有设置在不同膜层的控制信号线12和信号传输线14，并且控制信号线12和信号传输线14之间通过孔15进行过孔连接。

在本发明实施例中，由于信号传输线14和控制信号线12通过过孔连接设置在不同的膜层上，所以可以避免同一膜层上的走线过多，而对发光结构的透光率造成影响。

在本发明的再一些实施例中，如图2所示的控制信号线12之间也可以是不同层设置，电源信号线13也可以是不同层设置，还可以是控制信号线12与电源信号线13之间不同层设置，以减少同一膜层的走线数量，尽量避免由于走线数量较多，对发光二极管的出光进行遮挡，从而对发光结构的透光率造成的影响。

接下来，请参见图9，图9是本发明一实施例提供的发光结构的第五俯视图。

如图9所示，该发光结构在如图5所示的发光结构的基础上，还可以包括微控制单元(Microcontroller Unit，MCU)16和多个第一开关元件17。

其中，第一开关元件17可以用于控制位于第一方向的发光二极管11的导通，如此，第一开关元件17的数量可以是与发光二极管11的行数相同。

在一些实施例中，如图9所示，第一开关元件17的控制端与微控制单元16连接，用于接收微控制单元16发送的控制信号，以使第一开关元件导通。第一开关元件17的第一端连接在第一电源端，第一开关元件17的第二端通过信号传输线14与控制信号线12相连。

在本发明的一些实施例中，第一开关元件17可以为薄膜晶体管或是场效应晶体管。其中，第一开关元件17的控制端可以为薄膜晶体管或场效应晶体管的栅极，第一开关元件17的第一端可以为薄膜晶体管或是场效应晶体管的源极，第一开关元件17的第二端可以为薄膜晶体管或场效应晶体管的漏极。

当薄膜晶体管或场效应晶体管的栅极接收到微控制单元16发送的控制信号后，第一电源端的电压即可通过薄膜晶体管或场效应晶体管的漏极和源极向与信号传输线14相连的控制信号线12提供第一电压，由此使得在控制信号线12上的第一供电电压大于电源信号线13上的第二供电电压的情况下，发光二极管11导通，使得发光二极管11被点亮。

在本发明的另一些实施例中，还可以是每个控制信号线12分别对应一个开关元件，具体可参见图10，图10是本发明一实施例提供的发光结构的第六俯视图。

如图10所示，该发光结构不仅可以包括如图2所示的发光二极管、控制信号线12和电源信号线13，还可以包括微控制单元16和多个第二开关元件18。

其中，第二开关元件18可以用于控制位于与同一条控制信号线12相连的发光二极管的导通，如此，第二开关元件18的数量可以是与控制信号线12的数量相同。

在本发明的一些实施例中，第二开关元件18可以为薄膜晶体管或是场效应晶体管。其中，第二开关元件18的控制端可以为薄膜晶体管或场效应晶体管的栅极，第二开关元件18的第一端可以为薄膜晶体管或是场效应晶体管的源极，第二开关元件18的第二端可以为薄膜晶体管或场效应晶体管的漏极。当薄膜晶体管或场效应晶体管的栅极接收到微控制单元16发送的控制信号后，第二开关元件18处于导通状态，电源端的电压即可通过第二开关元件18的源极和漏极向与信号传输线14相连控制信号线12提供第一电压，由此使得在控制信号线12上的第一供电电压大于电源信号线13上的第二供电电压的情况下，发光二极管导通，使得发光二极管被点亮。

在本发明的一些实施例中，可参见图11，图11是本发明一实施例提供的发光结构的第七俯视图。如图11所示的发光结构，不仅可以包括如图5所示的基板10、发光二极管11、控制信号线12、电源信号线13和信号传输线14，还可以包括第一芯片21。

如图11所示，第一芯片21和通过信号传输线14和控制信号线12连接，以用于通过控制信号线12向发光二极管11提供第一供电电压。

在本公开实施例中，通过第一芯片21向发光二极管11提供的第一供电电压，可以将第一芯片21设置与基板10上，以使得发光结构更加简单，降低工艺的繁琐程度。

在本发明的另一些实施例中，可参见图12，图12是本发明一实施例提供的发光结构的第八俯视图。如图12所示的发光结构，不仅可以包括如图1所示的基板10、发光二极管11、控制信号线12、电源信号线13和信号传输线14，还可以包括第二芯片19。

如图12所示，第二芯片19和电源信号线13连接，以用于向发光二极管11提供第二供电电压。其中，如图12所示，不同的电源信号线13可以是分别和第二芯片19的不同端口进行连接。

在另一些实施例中，还可以是配置有多个第二芯片19，将每个电源信号线13分别连接在不同的第二芯片上。

如此，通过将第二芯片19和电源信号线13进行连接，可以通过第二芯片19为发光二极管11提供不同的第二供电电压，以调整发光二极管11的亮度。

在本发明实施例中，通过第二芯片19与电源信号线13连接，可以通过电源信号线13向发光二极管11提供不同的第二供电电压，进而按照显示需求调整发光结构的发光亮度，从而使的发光结构的亮度显示可以更加均匀。

此外，还可以是直接通过脉冲宽度调整信号调整发光二极管11的亮度，具体可如图13所示。

图13是本发明一实施例提供的发光结构的第九俯视图。如图13所示，该发光结构不仅包括有如图5所示的基板10、发光二极管11、控制信号线12、多条电源信号线13、信号传输线14，还包括有第三开关元件20。

其中，第三开关元件20的第一端分别和每一条电源信号线13连接，第三开关元件20的第二端连接在第二电源端，第三开关元件20的控制端被配置为获取脉冲宽度调制信号。

在本发明的一些实施例中，第三开关元件20同样可以为薄膜晶体管或是场效应晶体管。其中，第三开关元件20的控制端可以为薄膜晶体管或场效应晶体管的栅极，第三开关元件20的第一端可以为薄膜晶体管或是场效应晶体管的源极，第三开关元件20的第二端可以为薄膜晶体管或场效应晶体管的漏极。

在本发明的一些实施例中，如图14和图15所示，可以通过调整脉冲宽度调制信号的占空比，调整发光二极管的亮度。

首先，请参见图14，图14是本发明一实施例提供的脉冲宽度调制信号示意图。

如图14所示，在第三开关元件20为高电平导通的情况下，高电平的占空比小于低电平的占空比，由此使得发光二极管11的亮度较暗。

此外，请参见图15，图15是本发明另一实施例提供的脉冲宽度调制信号示意图。

如图15所示，在第三开关元件20为高电平导通的情况下，高电平的占空比大于低电平的占空比，由此使得发光二极管11的亮度较亮。

在本发明实施例中，通过第三开关元件20的控制端获取脉冲宽度调制信号，即可按照发光结构的亮度显示需求，利用脉冲宽度调制信号对发光二极管11的亮度进行动态调整，使得对于发光结构的亮度调整更加简洁。

在本发明的另一些实施例中，还提供一种显示装置。如图16所示，图16是根据本发明一实施例提供的显示装置的结构示意图。该显示装置1600包括如上述图2至图13所示的任一个发光结构。

本发明实施例所提供的发光结构600可以为显示装置1600的背光模组，显示装置1600包括显示面板700和发光结构600，其中，发光结构600用于为显示面板700提供光源，使得显示面板700能够发光显示。

此外，显示装置1600可以为液晶显示装置，显示面板700可以包括相对设置的阵列基板701、彩膜基板702以及夹设于阵列基板701和彩膜基板701之间的液晶层703，出光面位于彩膜基板702上，背光面位于阵列基板701上，液晶层703中包括有多个液晶分子，通过控制液晶分子的偏转从而实现显示面板700的显示。

依照本发明如上文的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (14)

1.一种发光结构，其特征在于，包括：

基板；

设置于所述基板上的多个发光二极管和多条控制信号线；

位于第一方向的所述发光二极管中的部分所述发光二极管的第一电极与同一条所述控制信号线连接，所述发光二极管的第二电极连接至电源信号线；

其中，当所述控制信号线的第一供电电压大于所述电源信号线上第二供电电压时，所述发光二极管导通。

2.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，位于第二方向的所述发光二极管的第二电极连接至同一条所述电源信号线。

3.根据权利要求1或2所述的发光结构，其特征在于，第一方向中的每个发光二极管的第一电极分别和不同的控制信号线连接。

4.根据权利要求3所述的发光结构，其特征在于，所述位于第一方向的所述发光二极管至少分别与两条控制信号线连接；

其中，与位于第一方向的发光二极管的第一电极连接的不同所述控制信号线通过同一条信号传输线连接，所述信号传输线的电阻值小于或等于所述控制信号线的电阻值的10％。

5.根据权利要求4所述的发光结构，其特征在于，所述发光结构还包括：柔性电路板，绑定于所述基板上；

所述柔性电路板包括所述信号传输线。

6.根据权利要求4所述的发光结构，其特征在于，所述发光结构具有发光区以及围绕所述发光区设置的非发光区，所述发光二极管位于所述发光区，所述信号传输线位于所述非发光区且形成于所述基板上。

7.根据权利要求6所述的发光结构，其特征在于，所述信号传输线与所述控制信号线同层设置。

8.根据权利要求6所述的发光结构，其特征在于，所述信号传输线与所述控制信号线不同层设置。

9.根据权利要求4所述的发光结构，其特征在于，还包括：微控制单元和多个第一开关元件；

所述第一开关元件用于控制位于第一方向的所述发光二极管的导通，所述第一开关元件包括第一晶体管；

每个所述第一晶体管的控制端与所述微控制单元连接，每个所述第一晶体管的第一端连接在第一电源端；

每个所述第一晶体管的第二端通过所述信号传输线与所述控制信号线相连。

10.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，还包括：微控制单元和多个第二开关元件；

所述第二开关元件用于控制与同一条控制信号线连接的所述发光二极管的导通；所述第二开关元件包括第二晶体管；

每个所述第二晶体管的控制端与所述微控制单元连接，每个所述第二晶体管的第一端连接在同一电源端；

每个所述第二晶体管的第二端分别和每条所述控制信号线对应连接。

11.根据权利要求4所述的发光结构，其特征在于，还包括：第一芯片，所述第一芯片通过所述信号传输线和所述控制信号线连接，用于通过所述控制信号线向所述发光二极管提供所述第一供电电压。

12.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述发光结构还包括：

第二芯片，所述第二芯片与所述电源信号线连接，用于通过所述电源信号线向所述发光二极管提供所述第二供电电压。

13.根据权利要求2所述的发光结构，其特征在于，所述电源信号线为多条；

所述发光结构还包括第三开关元件；

每个所述第三开关元件的第一端分别和每一条电源信号线对应连接，每个所述第三开关元件的第二端连接在第二电源端；

所述第三开关元件的控制端被配置为获取脉冲宽度调制信号。

14.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-13任意一项所述的发光结构。

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