CN111863113A - 存储单元检测方法 - Google Patents

存储单元检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111863113A
CN111863113A CN201910335164.2A CN201910335164A CN111863113A CN 111863113 A CN111863113 A CN 111863113A CN 201910335164 A CN201910335164 A CN 201910335164A CN 111863113 A CN111863113 A CN 111863113A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
heating device
heating
adjusting
storage unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910335164.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111863113B (zh
Inventor
杨正杰
蓝国维
孙力
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changxin Memory Technologies Inc
Original Assignee
Changxin Memory Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changxin Memory Technologies Inc filed Critical Changxin Memory Technologies Inc
Priority to CN201910335164.2A priority Critical patent/CN111863113B/zh
Publication of CN111863113A publication Critical patent/CN111863113A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111863113B publication Critical patent/CN111863113B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Secondary Cells (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

本发明涉及存储单元检测技术领域，提出一种存储单元检测方法，用于通过一加热设备将所述存储单元加热至第一温度，该方法包括：将所述加热设备的温度调节至第二温度，所述第二温度大于所述第一温度；将所述加热设备的温度降低至所述第一温度。本公开提供的检测方法可以提高存储单元的检测效率。

Description

存储单元检测方法
技术领域
本发明涉及存储单元检测技术领域，尤其涉及一种存储单元检测方法。
背景技术
动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)是一种常见的存储器件。动态随机存取存储器一般由多个存储单元组成，每个存储单元通过一电容储存数据信号“0”或“1”。其中，每个电容存储高电平“1”的时长需要达到预设的时长，以实现动态随机存取存储器的动态存储功能。动态随机存取存储器中每个存储单元需要进行功能测试，以确定每个电容存储高电平“1”的时长能否达到预设的时长。在对存储单元进行功能测试时，需要将存储单元放置于预设温度的环境。
相关技术中，通常通过一加热设备向存储单元提供预设温度的加热环境。例如，存储单元需要在100摄氏度环境下进行功能测试时，可以将加热设备的温度调节至100摄氏度。
然而，加热设备在升温过程中，温度变化率波动较大。例如，加热设备的温度升高到100摄氏度附近后，需要进行一段较长的时间才可以将实际温度稳定在100摄氏度。因此，存储单元的检测效率较低。
需要说明的是，在上述背景技术部分发明的信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的目的在于提供一种存储单元检测方法。本公开提供的存储单元检测方法能够解决相关技术中存储单元的检测效率较低的技术问题。
本发明的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。
根据本发明的一个方面，提供一种存储单元检测方法，用于通过一加热设备将所述存储单元加热至第一温度，该方法包括：
将所述加热设备的温度调节至第二温度，所述第二温度大于所述第一温度；
将所述加热设备的温度降低至所述第一温度。
本发明的一种示例性实施例中，将所述加热设备的温度调节至第二温度，包括：
将所述加热设备的温度分一段调节至所述第二温度。
本发明的一种示例性实施例中，将所述加热设备的温度分一段调节至所述第二温度，包括：
将所述加热设备的目标温度设置为第三预设温度，所述第三预设温度大于所述第二温度。
本发明的一种示例性实施例中，将所述加热设备的温度调节至第二温度，包括：
将所述加热设备的温度分多段调节至所述第二温度。
本发明的一种示例性实施例中，将所述加热设备的温度分多段调节至所述第二温度，包括：
通过多次设置所述加热设备的目标温度逐渐将所述加热设备的温度调节到所述第二温度。
本发明的一种示例性实施例中，将所述加热设备的温度分三段调节至所述第二温度，通过多次设置所述加热设备的目标温度逐渐将所述加热设备的温度调节到所述第二温度，包括：
将所述加热设备的目标温度设置为第四预设温度；
当所述加热设备的温度到达所述第四预设温度时，将所述加热设备的目标温度设置为第五预设温度；
当所述加热设备的温度到达所述第五预设温度时，将所述加热设备的目标温度设置为第六预设温度；
其中，所述第六预设温度大于所述第二温度。
本发明的一种示例性实施例中，将所述加热设备的温度降低至所述第一温度，包括：
将所述加热设备的温度分一段降低至所述第一温度。
本发明的一种示例性实施例中，将所述加热设备的温度分一段降低至所述第一温度，包括：
将所述加热设备的目标温度设置为所述第一温度。
本发明的一种示例性实施例中，将所述加热设备的温度降低至所述第一温度，包括：
将所述加热设备的温度分多段降低至所述第一温度。
本发明的一种示例性实施例中，将所述加热设备的温度分多段降低至所述第一温度，包括：
通过多次设置所述加热设备的目标温度逐渐将所述加热设备的温度降低至所述第一温度。
本发明提供一种存储单元检测方法，用于通过一加热设备将所述存储单元加热至第一温度，该方法包括：将所述加热设备的温度调节至第二温度，所述第二温度大于所述第一温度；将所述加热设备的温度降低至所述第一温度。加热设备在降温过程中温度变化率波动较小，当加热设备的温度降低到第一温度时，加热设备的加热温度可以稳定在第一温度，从而避免了用于稳定温度的时长，进而可以提高存储单元的检测效率。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中存储单元的结构示意图；
图2为相关技术中加热设备的温度变化图；
图3为本公开存储单元检测方法一种示例性实施例的流程图；
图4为本公开存储单元检测方法一种示例性实施例中加热设备温度变化图；
图5为本公开存储单元检测方法另一种示例性实施例中加热设备温度变化图；
图6为一种加热设备的温度变化图；
图7为本公开存储单元检测方法另一种示例性实施例中加热设备温度变化图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本发明将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语，例如“高”“低”“顶”“底”“左”“右”等也作具有类似含义。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
如图1所示，为相关技术中存储单元的结构示意图。存储单元包括开关晶体管T和存储电容C。其中，开关晶体管T的控制端与字线WL(word line)连接，第一端与数据线BL连接，存储电容C连接于接地端GND与开关晶体管T第二端之间，其中，接地端也可以为其他电位端。当字线WL上的信号导通开关晶体管T时，数据线BL可以向存储电容C写入高电平信号“1”，当字线WL上的信号关断开关晶体管T后，存储电容C上的电荷随时间慢慢泄漏。存储电容C从高电平信号“1”漏电到低电平信号“0”之间的时间即为存储电容C的数据存储时间。其中，存储电容C的数据存储时间需要大于预设的时间，才能实现动态随机存取存储器的动态存储功能。相关技术中，需要通过加热设备提供不同温度环境，以对存储电容C的数据存储时间进行检查。
如图2所示，为相关技术中，加热设备的温度变化图。该加热设备可以向存储单元提供T1温度的温度环境。如图2所示，在t0-t1时间段，加热设备的温度提高到T1；在t1-t2时间段，加热设备由于自身特性，其温度出现较强的波动；直到t3时刻以后加热设备的温度稳定，此时可以进行存储单元检测。然而，t1-t2时间段会严重影响存储单元的检测效率。
基于此，本公开提供一种存储单元检测方法，用于通过一加热设备将所述存储单元加热至第一温度，如图3所示，为本公开存储单元检测方法一种示例性实施例的流程图。该方法包括：
步骤S1：将所述加热设备的温度调节至第二温度，所述第二温度大于所述第一温度；
步骤S2：将所述加热设备的温度降低至所述第一温度。
其中，加热设备的温度指加热设备用于加热对象物的实际温度。
如图4所示，为本公开存储单元检测方法一种示例性实施例中加热设备温度变化图。在t0-t1时间段，加热设备的温度升高到第二温度T2；在t1-t2时间段，加热设备的温度降低到第一温度T1；由于加热设备在降温过程中温度变化率波动较小，在t2时刻以后，加热设备的温度趋于平稳，此时，可以对存储单元进行检查。
本示例性实施例提供一种存储单元检测方法，用于通过一加热设备将所述存储单元加热至第一温度，该方法包括：将所述加热设备的温度调节至第二温度，所述第二温度大于所述第一温度；将所述加热设备的温度降低至所述第一温度。加热设备在降温过程中温度变化率波动较小，当加热设备的温度降低到第一温度时，加热设备的加热温可以稳定在第一温度，从而避免了用于稳定温度的时长，进而可以提高存储单元的检测效率。
以下对上述步骤进行详细说明：
本示例性实施例中，步骤S1：将所述加热设备的温度调节至第二温度可以包括：将所述加热设备的温度分一段调节至所述第二温度。其中，将所述加热设备的温度分一段调节至所述第二温度可以具体指，通过一次设置加热设备的目标温度将加热设备的温度升高到第二温度。例如，如图5所示，为本公开存储单元检测方法另一种示例性实施例中加热设备温度变化图。加热设备的目标温度可以设置为第二温度T2，在t0-t1时间段，加热设备的温度可以直接升高到第二温度T2。其中，加热设备的目标温度是指加热设备的设置值，该目标温度表征加热设备需要到达的的目标温度，并不是加热设备的实际温度。
步骤S2将所述加热设备的温度降低至所述第一温度可以包括：将所述加热设备的温度分一段降低至所述第一温度。其中，将所述加热设备的温度分一段降低至所述第一预设温可以具体指通过一次设置加热设备的目标温度将加热设备的温度降低至所述第一温度。如图5所示，t2-t3时间段，加热设备的温度可以直接降低到第一温度T1。t1-t2时间段可以为加热设备目标温度的设定时间，该时间段温度基本稳定在T2左右。
加热设备存在老化等问题，如图6所示，为一种加热设备的温度变化图。如图6所示，该加热设备的目标温度设置为第二温度T2，由于加热设备的老化问题，加热设备的温度从t0-t1时间到达T0后，加热设备的温度将会出现平缓增加时段，甚至加热设备的温度将不会增加。如果将加热设备的目标温度设置为第二温度，加热设备的温度达到第二温度所需的时间较长。本示例性实施例中，将所述加热设备的温度分一段调节至所述第二温度还可以包括：将所述加热设备的目标温度设置为第三预设温度，所述第三预设温度大于所述第二温度。该设置可以加快加热设备的温度达到第二温度。
本示例性实施例中，步骤S1将所述加热设备的温度调节至第二温度，还可以包括：将所述加热设备的温度分多段调节至所述第二温度。将所述加热设备的温度分多段调节至所述第二温度具体指，通过多次设置加热设备的目标温度逐渐将加热设备的温度升高到第二温度。本示例性实施例以“将所述加热设备的温度分三段调节至所述第二温度”为例进行说明，如图7所示，为本公开存储单元检测方法另一种示例性实施例中加热设备温度变化图。在t0时刻，可以将所述加热设备的目标温度设置为第四预设温度T4；在t0-t1时间段，加热设备的温度升高到第四预设温度T4；在t1-t2时间段，加热设备的温度基本不变化，同时在该时间段将加热设备的目标温度设置为第五预设温度T5；在t2-t3时间段，加热设备的温度升高至第五预设温度T5；在t3-t4时间段加热设备的温度基本不变化，同时在该时间段将加热设备的目标温度设置为第二温度T2；在t4-t5时间段，温度升高至第二温度T2。
应该理解的是，考虑到加热设备老化等问题，同样可以在t0时刻，将加热设备的目标温度设置为大于第四预设温度T4；在t1-t2时间段，将加热设备的目标温度设置为大于第五预设温度T5；在t3-t4时间段，将加热设备的目标温度设置为大于第二温度T2。
本示例性实施例中，将所述加热设备的温度降低至所述第一温度还可以包括：将所述加热设备的温度分多段降低至所述第一温度。将所述加热设备的温度分多段降低至所述第一温度，具体可以包括：通过设置响应次数的所述加热设备的目标温度逐渐将所述加热设备的温度降低至所述第一温度。本示例性实施例以“将所述加热设备的温度分三段降低至所述第一温度”为例进行说明，如图7所示，在t5-t6时间段，加热设备的温度稳定在第二温度T2，同时在该时段将加热设备的目标温度设置为第七预设温度T7；在t6-t7时间段，加热设备的温度降低至第七预设温度T7；在t7-t8时间段，加热设备的温度稳定在第七预设温度T7，同时在该时段将加热设备的目标温度设置为第八预设温度T8；在t8-t9时间段，加热设备的温度降低至第八预设温度T8；在t9-t10时间段，加热设备的温度稳定在第八预设温度T8，同时在该时段将加热设备的目标温度设置为第一温度T1；在t10-t11时间段，加热设备的温度降低至第一温度T1。在t11时刻以后，加热设备的温度稳定在第一温度T1，此时可以对存储单元进行检查。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其他实施例。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由权利要求指出。
应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限。

Claims (10)

1.一种存储单元检测方法，用于通过一加热设备将所述存储单元加热至第一温度，其特征在于，包括：
将所述加热设备的温度调节至第二温度，所述第二温度大于所述第一温度；
将所述加热设备的温度降低至所述第一温度。
2.根据权利要求1所述的存储单元检测方法，其特征在于，将所述加热设备的温度调节至第二温度，包括：
将所述加热设备的温度分一段调节至所述第二温度。
3.根据权利要求2所述的存储单元检测方法，其特征在于，将所述加热设备的温度分一段调节至所述第二温度，包括：
将所述加热设备的目标温度设置为第三预设温度，所述第三预设温度大于所述第二温度。
4.根据权利要求1所述的存储单元检测方法，其特征在于，将所述加热设备的温度调节至第二温度，包括：
将所述加热设备的温度分多段调节至所述第二温度。
5.根据权利要求4所述的存储单元检测方法，其特征在于，将所述加热设备的温度分多段调节至所述第二温度，包括：
通过多次设置所述加热设备的目标温度逐渐将所述加热设备的温度调节到所述第二温度。
6.根据权利要求5所述的存储单元检测方法，其特征在于，将所述加热设备的温度分多段调节至所述第二温度，包括：将所述加热设备的温度分三段调节至所述第二温度；
通过多次设置所述加热设备的目标温度逐渐将所述加热设备的温度调节到所述第二温度，包括：
将所述加热设备的目标温度设置为第四预设温度；
当所述加热设备的温度到达所述第四预设温度时，将所述加热设备的目标温度设置为第五预设温度；
当所述加热设备的温度到达所述第五预设温度时，将所述加热设备的目标温度设置为第六预设温度；
其中，所述第六预设温度大于所述第二温度。
7.根据权利要求1所述的存储单元检测方法，其特征在于，将所述加热设备的温度降低至所述第一温度，包括：
将所述加热设备的温度分一段降低至所述第一温度。
8.根据权利要求7所述的存储单元检测方法，其特征在于，将所述加热设备的温度分一段降低至所述第一温度，包括：
将所述加热设备的目标温度设置为所述第一温度。
9.根据权利要求1所述的存储单元检测方法，其特征在于，将所述加热设备的温度降低至所述第一温度，包括：
将所述加热设备的温度分多段降低至所述第一温度。
10.根据权利要求8所述的存储单元检测方法，其特征在于，将所述加热设备的温度分多段降低至所述第一温度，包括：
通过多次设置所述加热设备的目标温度逐渐将所述加热设备的温度降低至所述第一温度。
CN201910335164.2A 2019-04-24 2019-04-24 存储单元检测方法 Active CN111863113B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910335164.2A CN111863113B (zh) 2019-04-24 2019-04-24 存储单元检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910335164.2A CN111863113B (zh) 2019-04-24 2019-04-24 存储单元检测方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111863113A true CN111863113A (zh) 2020-10-30
CN111863113B CN111863113B (zh) 2023-05-16

Family

ID=72952271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910335164.2A Active CN111863113B (zh) 2019-04-24 2019-04-24 存储单元检测方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111863113B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200641571A (en) * 2005-05-26 2006-12-01 Qing-Hai Tu Curvilinear heating device and method
US20080046110A1 (en) * 2004-12-27 2008-02-21 Hitachi Kokusai Electric Inc. Temperature Regulating Method, Thermal Processing System and Semiconductor Device Manufacturing Method
CN102354244A (zh) * 2011-06-16 2012-02-15 北京七星华创电子股份有限公司 半导体热处理工艺温度前馈补偿方法
CN104010785A (zh) * 2012-09-04 2014-08-27 夏普株式会社 温度控制序列确定装置、成型装置、程序、记录介质及温度控制序列确定方法
CN206557555U (zh) * 2017-01-12 2017-10-13 北京长征天民高科技有限公司 一种温度控制设备
CN109407718A (zh) * 2018-09-29 2019-03-01 广州万孚生物技术股份有限公司 试剂卡温控方法、装置、设备、计算机设备及存储介质

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080046110A1 (en) * 2004-12-27 2008-02-21 Hitachi Kokusai Electric Inc. Temperature Regulating Method, Thermal Processing System and Semiconductor Device Manufacturing Method
TW200641571A (en) * 2005-05-26 2006-12-01 Qing-Hai Tu Curvilinear heating device and method
CN102354244A (zh) * 2011-06-16 2012-02-15 北京七星华创电子股份有限公司 半导体热处理工艺温度前馈补偿方法
CN104010785A (zh) * 2012-09-04 2014-08-27 夏普株式会社 温度控制序列确定装置、成型装置、程序、记录介质及温度控制序列确定方法
US20140312519A1 (en) * 2012-09-04 2014-10-23 Sharp Kabushiki Kaisha Temperature control sequence determination device, molding device, recording medium, and temperature control sequence determination method
CN206557555U (zh) * 2017-01-12 2017-10-13 北京长征天民高科技有限公司 一种温度控制设备
CN109407718A (zh) * 2018-09-29 2019-03-01 广州万孚生物技术股份有限公司 试剂卡温控方法、装置、设备、计算机设备及存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
CN111863113B (zh) 2023-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8971126B2 (en) Charge loss compensation methods and apparatus
US10074422B1 (en) 2T1C ferro-electric random access memory cell
US9195587B2 (en) Enhanced dynamic read process with single-level cell segmentation
US8355276B2 (en) Controlling voltage levels applied to access devices when accessing storage cells in a memory
US10157685B2 (en) Memory device and operating method thereof
CN114187956B (zh) 存储器预充电时长边界的测试方法、装置、设备及存储介质
US10127988B2 (en) Temperature compensation in memory sensing
US5689467A (en) Apparatus and method for reducing test time of the data retention parameter in a dynamic random access memory
EP3891614B1 (en) Electronic apparatus and method of managing read levels of flash memory
CN108777156A (zh) 一种闪存数据处理方法及装置
US7330387B2 (en) Integrated semiconductor memory device
CN111863113A (zh) 存储单元检测方法
US20110026313A1 (en) Transistor-based memory cell and related operating methods
US9455023B1 (en) Wordline under-driving using a virtual power network
CN111863105A (zh) 存储单元检测方法及存储器检测方法
US7085185B2 (en) Circuit and method for controlling an access to an integrated memory
US9627044B2 (en) Offset detection
JPWO2004077442A1 (ja) 半導体記憶装置及びデータ読み出し方法
US10504581B1 (en) Memory apparatus and operating method thereof
CN116959544B (zh) 校验电流的设置方法、操作校验方法及相关设备
KR102159260B1 (ko) Stt-mram에서의 결함 mtj 셀 스크린 방법 및 시스템
US20020136071A1 (en) Method for testing memory cell in semiconductor device
US6999359B2 (en) Method for screening failure of memory cell transistor
US20030206446A1 (en) System for setting reference cell threshold voltage in a memory device
CN117409848A (zh) 存储装置的测试方法、测试装置及计算机可读存储介质

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant