CN111856664A - 一种低成本25g短距离光电模块转换装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低成本25G短距离光电模块转换装置,包括电路单元和光路单元,电路单元包括发射驱动芯片U1、接收限幅放大芯片U2以及MCU控制芯片U3及SFP+对外接口;光路单元包括发射光路和接收光路,发射光路包括罩在发射壳体内的激光发射器、发光二极管LD芯片和背光检测PD芯片,接收光路包括罩在接收壳体内的光电探测器PIN、光电探测PIN芯片和前置放大TIA芯片。本发明通过独立的MCU芯片来专门处理外部设备与光模块之间各种数据诊断信号的沟通,满足25G高速率信号的处理,U3起监控、反馈及控制作用;本发明通过电路单元设计和光路单元改变,形成一种可直接在电路板贴装的新型COB封装技术,具有封装结构更紧凑、操作流程更简单、效率更高等优势。
Description
技术领域
本发明涉及光电转换技术领域,尤其涉及一种低成本25G短距离光电模块转换装置。
背景技术
随着近年来光纤通信行业的快速发展,高速光互联产品的竞争越来越激烈,想办法降低产品成本,是运营商及现有光纤通信市场对企业的不争事实。现有的SFP28 25G短距离多模光模块的发射和接收光路单元都是采用的同轴耦合结构的TOSA和ROSA封装方式,成本比较高昂。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种低成本25G短距离光电模块转换装置。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种低成本25G短距离光电模块转换装置,包括电路单元和光路单元,电路单元包括设置在PCBA电路板中部位置的发射驱动芯片U1、接收限幅放大芯片U2以及MCU控制芯片U3以及设置在PCBA电路板一侧边沿位置的SFP+对外接口,发射驱动芯片U1、接收限幅放大芯片U2、MCU控制芯片U3和SFP+对外接口的电源部分脚线分别通过金线与PCBA电路板上的印刷电路电性连接;
光路单元包括设置在PCBA电路板另一侧边沿位置的发射光路和接收光路,发射光路包括罩在发射壳体内的激光发射器、发光二极管LD芯片和背光检测PD芯片,激光发射器设置在发光二极管LD芯片的外围电路上,发射壳体端部嵌套有输出光纤引入套管,输出光纤引入套管内的剥皮光纤芯伸入到激光发射器内,发光二极管LD芯片外围电路中的发光二极管通过金线与激光发射器电性连接,发光二极管LD芯片用于驱动激光发射器的工作,发光二极管LD芯片通过金线连接在发射驱动芯片U1的9、10号脚线,发射驱动芯片U1用于控制发光二极管LD芯片的状态,发射驱动芯片U1通过收到外部系统设备发送进来的电信号,即差分信号TX+、TX-,电信号通过发射驱动芯片U1转发至发光二极管LD芯片转换成电流,驱动激光发射器发出光信号;
背光检测PD芯片通过金线连接在MCU控制芯片U3的16、18脚线上,背光检测PD芯片的外围电路设有用于背光检测的光电二极管,背光检测PD是负责监测和分担LD的电流,当LD的电流偏大时,PD会分担一些过来,从而减轻LD的压力, 形成一个负反馈电路工作模式;
发射壳体两侧壁的底部设有供金线通过的半圆槽,发射壳体、激光发射器、发光二极管LD芯片和背光检测PD芯片分别通过胶水贴装在PCBA电路板;
接收光路包括罩在接收壳体内的光电探测器PIN、光电探测PIN芯片和前置放大TIA芯片,光电探测器PIN设置在光电探测PIN芯片的外围电路上,发射壳体端部嵌套有输入光纤引入套管,输入光纤引入套管内的剥皮光纤芯伸入到光电探测器PIN内,光电探测PIN芯片外围电路中的光电二极管通过金线与光电探测器PIN电性连接,光电探测PIN芯片通过金线连接前置放大TIA芯片,前置放大TIA芯片通过金线连接在接收限幅放大芯片U2的14、15号脚线,
光纤引入光信号经过光电探测器PIN及光电探测PIN芯片转换而成的电信号,再经过前置放大TIA芯片初步放大后传输到接收限幅放大芯片U2,接收限幅放大芯片U2的6、7脚线通过金线与SFP+对外接口电性连接,通过 U2的输出差分信号RX+、RX-与系统设备如交换机、光电转换设备等连接;
前置放大TIA芯片的外围电路还通过金线连接在MCU控制芯片U3的12、13脚线上,通过MCU的MON1与MON2连接PCMON与BCMON来通信,提取光模块内部的DDM参数;
接收壳体两侧壁的底部设有供金线通过的半圆槽,接收壳体、光电探测器PIN、光电探测PIN芯片和前置放大TIA芯片分别通过胶水贴装在PCBA电路板;
MCU控制芯片U3通过SDA脚线和SCL脚线与SFP+对外接口电性连接,MCU控制芯片U3通过S_DATA、S_CLOCK及CSEL_3946 与发射驱动芯片U1进行数据通讯,发射驱动芯片U1通过脚线2、3将缺省或错误差分信号反馈到MCU控制芯片U3,MCU控制芯片U3通过S_DATA、S_CLOCK及CSEL_3945 与接收限幅放大芯片U2进行数据通讯,接收限幅放大芯片U2通过脚线4将LOS信号反馈到MCU控制芯片U3;
SFP+对外接口通过脚线2、3、4、5与MCU控制芯片U3连接,MCU控制芯片U3通过LOS_OUT脚线将LOS信号反馈到SFP+对外接口,SFP+对外接口通过脚线RX-、RX+与接收限幅放大芯片U2连接,SFP+对外接口通过脚线TX-、TX+与发射驱动芯片U1连接。
作为一种可替代方案,发光二极管LD芯片具体是Renesas的LD芯片NX6370,背光检测PD芯片具体是InGaAs 200μm MPD芯片。
作为另一种可替代方案,发光二极管LD芯片和背光检测PD芯片集成在一块芯片板上,该芯片板的型号选择为芯耘光电生产的XY1224芯片。
优选地,前置放大TIA芯片具体是MSC5131 25G单通道跨阻放大器,光电探测PIN芯片具体是芯耘光电生产的XY2124芯片。
优选地,激光发射器具体是指连接在发光二极管LD芯片外围电路上的VCSEL激光器;光电探测器PIN具体是指连接在光电探测PIN芯片外围电路上的PIN光敏二极管。
优选地,以上所有连接用的金线外均通过胶水封装,使金线不外漏,提高各电路连接的绝缘密封性及稳定性。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1.本发明通过独立的MCU芯片来专门处理外部设备与光模块之间各种数据诊断信号的沟通,满足25G高速率信号的处理,同时还可以加上时钟数据恢复电路,以消除时序差距;独立电路的MCU控制芯片U3,可作为数字诊断检测功能即DDM使用,可以进行设置DDM参数并对其参数进行监控和实时上报,MCU通过SDA与SCL与外部设备连接,上报光模块的DDM参数;光模块内部是通过MCU的MON1与MON2连接驱动芯片的PCMON与BCMON来通信,提取光模块内部的DDM参数,并将报警的LOS信号反馈到SFP+对外接口上的外部设备中,即MCU控制芯片U3起监控、反馈及控制作用。
2.本发明的电路单元的设计和光路单元的改变均是为了适应光模块的COB封装工艺,所谓COB技术即chip on board,属于高密度集成的阵列光引擎核心器件技术,即将芯片直接粘结在电路板上,并经过引线键合,再用树脂将COB区域密封。相比于传统同轴工艺技术,本发明的COB工艺技术将各种芯片直接粘接于PCB之上,尤其是将发光二极管LD芯片、背光检测PD芯片、光电探测PIN芯片和前置放大TIA芯片直接粘接于PCB之上,并通过发射壳体和接收壳体罩设在外,省去了同轴封装工艺中TO封装过程,也区别蝶形和现有常用的其他COB封装结构,目的是要形成一种可直接在电路板贴装的新型COB封装技术,该封装结构更紧凑、操作流程更简单、效率更高等优势。
附图说明
图1为现有LD TO-CAN封装的常规收发一体光模块的电路原理框图;
图2为本发明提出的一种低成本25G短距离光电模块转换装置的电路原理框图;
图3为本发明提出的一种低成本25G短距离光电模块转换装置的封装外观图;
图4为本发明提出的一种低成本25G短距离光电模块转换装置的封装内部结构图;
图5为本发明提出的一种低成本25G短距离光电模块转换装置中发射驱动芯片U1的电路图;
图6为本发明提出的一种低成本25G短距离光电模块转换装置中接收限幅放大芯片U2的电路图;
图7为本发明提出的一种低成本25G短距离光电模块转换装置中MCU控制芯片U3的电路图;
图8为本发明提出的一种低成本25G短距离光电模块转换装置中SFP+对外接口的电路图。
图中:1 PCBA电路板、2发射驱动芯片U1、3接收限幅放大芯片U2、4 MCU控制芯片U3、5 SFP+对外接口、6发射壳体、601激光发射器、602发光二极管LD芯片、603背光检测PD芯片、604输出光纤引入套管、7接收壳体、701光电探测器PIN、702光电探测PIN芯片、703前置放大TIA芯片、704输入光纤引入套管。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
参照图2-8,一种低成本25G短距离光电模块转换装置,包括电路单元和光路单元,电路单元包括设置在PCBA电路板1中部位置的发射驱动芯片U1、接收限幅放大芯片U2以及MCU控制芯片U3以及设置在PCBA电路板1一侧边沿位置的SFP+对外接口5,发射驱动芯片U1、接收限幅放大芯片U2、MCU控制芯片U3和SFP+对外接口5的电源部分脚线分别通过金线与PCBA电路板1上的印刷电路电性连接;光路单元包括设置在PCBA电路板1另一侧边沿位置的发射光路和接收光路,发射光路包括罩在发射壳体6内的激光发射器601、发光二极管LD芯片602和背光检测PD芯片603,激光发射器601设置在发光二极管LD芯片602的外围电路上,发射壳体6端部嵌套有输出光纤引入套管604,输出光纤引入套管604内的剥皮光纤芯伸入到激光发射器601内,发光二极管LD芯片602外围电路中的发光二极管通过金线与激光发射器601电性连接,发光二极管LD芯片602用于驱动激光发射器601的工作,发光二极管LD芯片602通过金线连接在发射驱动芯片U1的9、10号脚线,发射驱动芯片U1用于控制发光二极管LD芯片602的状态,发射驱动芯片U1通过收到外部系统设备发送进来的电信号,即差分信号TX+、TX-,电信号通过发射驱动芯片U1转发至发光二极管LD芯片602转换成电流,驱动激光发射器601发出光信号;背光检测PD芯片603通过金线连接在MCU控制芯片U3的16、18脚线上,背光检测PD芯片603的外围电路设有用于背光检测的光电二极管,背光检测PD是负责监测和分担LD的电流,当LD的电流偏大时,PD会分担一些过来,从而减轻LD的压力, 形成一个负反馈电路工作模式;发射壳体6两侧壁的底部设有供金线通过的半圆槽,发射壳体6、激光发射器601、发光二极管LD芯片602和背光检测PD芯片603分别通过胶水贴装在PCBA电路板1;接收光路包括罩在接收壳体7内的光电探测器PIN701、光电探测PIN芯片702和前置放大TIA芯片703,光电探测器PIN701设置在光电探测PIN芯片702的外围电路上,发射壳体7端部嵌套有输入光纤引入套管704,输入光纤引入套管704内的剥皮光纤芯伸入到光电探测器PIN701内,光电探测PIN芯片702外围电路中的光电二极管通过金线与光电探测器PIN701电性连接,光电探测PIN芯片702通过金线连接前置放大TIA芯片703,前置放大TIA芯片703通过金线连接在接收限幅放大芯片U2的14、15号脚线,光纤引入光信号经过光电探测器PIN701及光电探测PIN芯片702转换而成的电信号,再经过前置放大TIA芯片703初步放大后传输到接收限幅放大芯片U2,接收限幅放大芯片U2的6、7脚线通过金线与SFP+对外接口5电性连接,通过 U2的输出差分信号RX+、RX-与系统设备如交换机、光电转换设备等连接;前置放大TIA芯片703的外围电路还通过金线连接在MCU控制芯片U3的12、13脚线上,通过MCU的MON1与MON2连接PCMON与BCMON来通信,提取光模块内部的DDM参数;接收壳体7两侧壁的底部设有供金线通过的半圆槽,接收壳体7、光电探测器PIN701、光电探测PIN芯片702和前置放大TIA芯片703分别通过胶水贴装在PCBA电路板1;MCU控制芯片U3通过SDA脚线和SCL脚线与SFP+对外接口5电性连接,MCU控制芯片U3通过S_DATA、S_CLOCK及CSEL_3946 与发射驱动芯片U1进行数据通讯,发射驱动芯片U1通过脚线2、3将缺省或错误差分信号反馈到MCU控制芯片U3,MCU控制芯片U3通过S_DATA、S_CLOCK及CSEL_3945 与接收限幅放大芯片U2进行数据通讯,接收限幅放大芯片U2通过脚线4将LOS信号反馈到MCU控制芯片U3;SFP+对外接口5通过脚线2、3、4、5与MCU控制芯片U3连接,MCU控制芯片U3通过LOS_OUT脚线将LOS信号反馈到SFP+对外接口5,SFP+对外接口5通过脚线RX-、RX+与接收限幅放大芯片U2连接,SFP+对外接口5通过脚线TX-、TX+与发射驱动芯片U1连接。
由上可知,独立电路的MCU控制芯片U3,可作为数字诊断检测功能即DDM使用,可以进行设置DDM参数并对其参数进行监控和实时上报,MCU通过SDA与SCL与外部设备连接,上报光模块的DDM参数;光模块内部是通过MCU的MON1与MON2连接驱动芯片的PCMON与BCMON来通信,提取光模块内部的DDM参数,并将报警的LOS信号反馈到SFP+对外接口5上的外部设备中,即MCU控制芯片U3起监控、反馈及控制作用。
参照图5,发光二极管LD芯片602和背光检测PD芯片603集成在一块芯片板上,该芯片板的型号选择为芯耘光电生产的XY1224芯片;也可以选择LD和PD分开控制两组芯片方案,选择发光二极管LD芯片602具体是Renesas的LD芯片NX6370,背光检测PD芯片603具体是InGaAs 200μm MPD芯片。
参照图3-4,前置放大TIA芯片703具体是MSC5131 25G单通道跨阻放大器,光电探测PIN芯片702具体是芯耘光电生产的XY2124芯片;激光发射器601具体是指连接在发光二极管LD芯片602外围电路上的VCSEL激光器;光电探测器PIN701具体是指连接在光电探测PIN芯片702外围电路上的PIN光敏二极管;金线外均通过胶水封装,使金线不外漏,提高各电路连接的绝缘密封性及稳定性。
如图1所示,为现有LD TO-CAN封装的常规收发一体模块功能图。该方案主要包括电路单元和光路单元,电路单元是由发射驱动电路、接收限幅放大器以及MCU控制电路组成;光路单元由发射光路(同轴TOSA)和接收光路(同轴ROSA)组成;然后通过TOSA软板将发射驱动电路与同轴TOSA连接,通过ROSA软板与接收限幅放大器电路与同轴ROSA连接。
本发明与图1的现有LD TO-CAN封装技术主要不同体现在两处:
第一处区别——如图2所示,即光路单元的变化。在工艺上采用了COB方案,发射光路利用胶水将LD芯片和PD芯片直接贴装在光模块的PCBA上,再通过金线将光路LD和PD的chip芯片引脚直接与发射驱动电路芯片进行激光焊接打线连接;不再需要通过TOSA软板将发射驱动电路与TOSA的管座引脚连接。这样不仅省去了LD和PD的chip芯片传统同轴封装工艺中TO封装的过程(包括TO封装所用的一些其它材料,参见图3-4),还节省了TOSA的软板。同理,接收光路是利用胶水将PIN芯片和TIA芯片直接贴装在光模块的PCBA上,再通过金线将接收光路单元PIN芯片和TIA芯片chip芯片引脚直接与接收限幅放大器电路芯片进行激光焊接打线连接;不再需要通过ROSA软板将接收限幅放大器电路与ROSA的管座引脚连接。这样不仅省去了PIN和TIA芯片的传统同轴封装工艺中TO封装的过程,还节省了ROSA的软板。只需要配适配器直接去耦合光路指标,这样大大的降低了产品的成本,提高了产品的竞争力。
第二处区别——如图5-8所示,是电路单元的设计。
参照图5-8,其硬件工作原理为:发射驱动芯片U1通过收到外部系统设备发送进来的电信号,也就是上图的差分信号TX+,TX-,电信号通过发射驱动芯片U1转换成电流驱动激光器TOSA发出光信号,光信号通过光纤连接传输给接收端的光电探测器,光电探测器将探测到的光信号转成电信号,送给接收限幅放大芯片U2(也称LA)的14,15输入脚,输入的电信号再经过接收限幅放大芯片U2进行幅度放大,通过 U2的输出差分信号对6,7脚ROUT,ROUT-将电信号送给SFP+光模块的电信号接口(即金手指),金手指用于连接外部系统设备接收端口的差分信号RX+,RX-;系统设备如交换机、光电转换设备等。
其软件工作原理为:独立电路的MCU控制芯片U3,作数字诊断检测功能(即DDM)使用,可以进行设置DDM参数并对其参数进行监控和实时上报。MCU控制芯片U3通过SDA与SCL与外部设备连接,上报光模块的DDM参数;光模块内部是通过MCU的MON1与MON2连接驱动芯片的PCMON与BCMON来通信,提取光模块内部的DDM参数;
本发明的电路使用了U1、U2及U3 等3个独立的芯片,从以上过程看,光模块内部是通过MCU的MON1与MON2连接驱动芯片的PCMON与BCMON来通信,提取光模块内部的DDM参数,并将报警的LOS信号反馈到SFP+对外接口5上的外部设备中,即MCU控制芯片U3起监控、反馈及控制作用。
本发明通过独立的MCU芯片来专门处理外部设备与光模块之间各种数据诊断信号的沟通,满足25G高速率信号的处理,同时还可以加上时钟数据恢复电路,以消除时序差距。
本发明中电路单元的设计和光路单元的改变均是为了适应光模块的COB封装工艺,所谓COB技术即chip on board,属于高密度集成的阵列光引擎核心器件技术,即将芯片直接粘结在电路板上,并经过引线键合,再用树脂将COB区域密封。相比于传统同轴工艺技术,本发明的COB工艺技术将各种芯片直接粘接于PCB之上,尤其是将发光二极管LD芯片602、背光检测PD芯片603、光电探测PIN芯片702和前置放大TIA芯片703直接粘接于PCB之上,并通过发射壳体6和接收壳体7罩设在外,省去了同轴封装工艺中TO封装过程,也区别蝶形和现有常用的其他COB封装结构,目的是要形成一种可直接在电路板贴装的新型COB封装技术,该封装结构更紧凑、操作流程更简单、效率更高等优势。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种低成本25G短距离光电模块转换装置,包括电路单元和光路单元,其特征在于,所述电路单元包括设置在PCBA电路板(1)中部位置的发射驱动芯片U1(2)、接收限幅放大芯片U2(3)以及MCU控制芯片U3(4)以及设置在PCBA电路板(1)一侧边沿位置的SFP+对外接口(5),所述发射驱动芯片U1(2)、接收限幅放大芯片U2(3)、MCU控制芯片U3(4)和SFP+对外接口(5)的电源部分脚线分别通过金线与PCBA电路板(1)上的印刷电路电性连接;
所述光路单元包括设置在PCBA电路板(1)另一侧边沿位置的发射光路和接收光路,所述发射光路包括罩在发射壳体(6)内的激光发射器(601)、发光二极管LD芯片(602)和背光检测PD芯片(603),所述激光发射器(601)设置在发光二极管LD芯片(602)的外围电路上,所述发射壳体(6)端部嵌套有输出光纤引入套管(604),所述输出光纤引入套管(604)内的剥皮光纤芯伸入到激光发射器(601)内,所述发光二极管LD芯片(602)外围电路中的发光二极管通过金线与激光发射器(601)电性连接,发光二极管LD芯片(602)用于驱动激光发射器(601)的工作,所述发光二极管LD芯片(602)通过金线连接在发射驱动芯片U1(2)的9、10号脚线,发射驱动芯片U1(2)用于控制发光二极管LD芯片(602)的状态,发射驱动芯片U1(2)通过收到外部系统设备发送进来的电信号,即差分信号TX+、TX-,电信号通过发射驱动芯片U1(2)转发至发光二极管LD芯片(602)转换成电流,驱动激光发射器(601)发出光信号;
所述背光检测PD芯片(603)通过金线连接在MCU控制芯片U3(4)的16、18脚线上,所述背光检测PD芯片(603)的外围电路设有用于背光检测的光电二极管,背光检测PD是负责监测和分担LD的电流,当LD的电流偏大时,PD会分担一些过来,从而减轻LD的压力, 形成一个负反馈电路工作模式;
所述发射壳体(6)两侧壁的底部设有供金线通过的半圆槽,所述发射壳体(6)、激光发射器(601)、发光二极管LD芯片(602)和背光检测PD芯片(603)分别通过胶水贴装在PCBA电路板(1);
所述接收光路包括罩在接收壳体(7)内的光电探测器PIN(701)、光电探测PIN芯片(702)和前置放大TIA芯片(703),所述光电探测器PIN(701)设置在光电探测PIN芯片(702)的外围电路上,所述发射壳体(7)端部嵌套有输入光纤引入套管(704),所述输入光纤引入套管(704)内的剥皮光纤芯伸入到光电探测器PIN(701)内,所述光电探测PIN芯片(702)外围电路中的光电二极管通过金线与光电探测器PIN(701)电性连接,所述光电探测PIN芯片(702)通过金线连接前置放大TIA芯片(703),所述前置放大TIA芯片(703)通过金线连接在接收限幅放大芯片U2(3)的14、15号脚线,所述接收限幅放大芯片U2(3)的6、7脚线通过金线与SFP+对外接口(5)电性连接,通过 U2的输出差分信号RX+、RX-与系统设备如交换机、光电转换设备等连接;所述前置放大TIA芯片(703)的外围电路还通过金线连接在MCU控制芯片U3(4)的12、13脚线上;
所述接收壳体(7)两侧壁的底部设有供金线通过的半圆槽,所述接收壳体(7)、光电探测器PIN(701)、光电探测PIN芯片(702)和前置放大TIA芯片(703)分别通过胶水贴装在PCBA电路板(1);
所述MCU控制芯片U3(4)通过SDA脚线和SCL脚线与SFP+对外接口(5)电性连接,所述MCU控制芯片U3(4)通过S_DATA、S_CLOCK及CSEL_3946 与发射驱动芯片U1(2)进行数据通讯,所述发射驱动芯片U1(2)通过脚线2、3将缺省或错误差分信号反馈到所述MCU控制芯片U3(4),所述MCU控制芯片U3(4)通过S_DATA、S_CLOCK及CSEL_3945 与接收限幅放大芯片U2(3)进行数据通讯,所述接收限幅放大芯片U2(3)通过脚线4将LOS信号反馈到所述MCU控制芯片U3(4);
所述SFP+对外接口(5)通过脚线2、3、4、5与MCU控制芯片U3(4)连接,所述MCU控制芯片U3(4)通过LOS_OUT脚线将LOS信号反馈到SFP+对外接口(5),所述SFP+对外接口(5)通过脚线RX-、RX+与接收限幅放大芯片U2(3)连接,所述SFP+对外接口(5)通过脚线TX-、TX+与发射驱动芯片U1(2)连接。
2.根据权利要求1所述的一种低成本25G短距离光电模块转换装置,其特征在于,所述发光二极管LD芯片(602)具体是Renesas的LD芯片NX6370,所述背光检测PD芯片(603)具体是InGaAs 200μm MPD芯片。
3.根据权利要求1所述的一种低成本25G短距离光电模块转换装置,其特征在于,所述发光二极管LD芯片(602)和背光检测PD芯片(603)集成在一块芯片板上,该芯片板的型号选择为芯耘光电生产的XY1224芯片。
4.根据权利要求1所述的一种低成本25G短距离光电模块转换装置,其特征在于,所述前置放大TIA芯片(703)具体是MSC5131 25G单通道跨阻放大器,所述光电探测PIN芯片(702)具体是芯耘光电生产的XY2124芯片。
5.根据权利要求1所述的一种低成本25G短距离光电模块转换装置,其特征在于,所述激光发射器(601)具体是指连接在发光二极管LD芯片(602)外围电路上的VCSEL激光器;所述光电探测器PIN(701)具体是指连接在光电探测PIN芯片(702)外围电路上的PIN光敏二极管。
6.根据权利要求1所述的一种低成本25G短距离光电模块转换装置,其特征在于,所述金线外均通过胶水封装,使金线不外漏,提高各电路连接的绝缘密封性及稳定性。
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