CN111817014A - 一种变周期可重构有源频率选择表面单元 - Google Patents

Abstract

本发明是一种变周期可重构有源频率选择表面单元，包括M×N个周期排列二维谐振单元，每个谐振单元包括第一PIN二极管、第二PIN二极管、第三PIN二极管、第四PIN二极管、第五PIN二极管和第六PIN二极管以及由下而上依次层叠设置的第一介质层、第一金属层、第二介质层；第二介质层的上表面分别设置有十字型的第三金属片、矩形的第四金属片、矩形的第五金属片、矩形的第六金属片、矩形的第七金属片、矩形的第八金属片、矩形的第九金属片、T型的第十金属片、T型的第十一金属片和L型的第十二金属片，该种变周期可重构有源频率选择表面单元通过控制六组PIN二极管的通断组实现一个频到另一个频点的吸波切换，制造工艺简单，具有重要的应用前景。

Description

一种变周期可重构有源频率选择表面单元

技术领域

本发明涉及无线通信技术领域，具体的说是一种变周期可重构有源频率选择表面单元。

背景技术

选择频率表面FSS是由周期性排布的金属贴片或缝隙组成，具有良好的空间滤波特性，能够在传输带内电磁波的同时反射带外电磁波。因其独特的滤波作用，近年来被广泛用于卫星通信、电磁兼容等多个领域。

传统的无源FSS由于结构固定，功能和应用场合受到限制，无法实现多功能用途。有源频率选择表面AFSS能够通过改变外加激励，比如电场强度以及电压大小等来改变FSS的电磁特性，从而实现多种功能。在AFSS的基础上加载PIN二极管等有源器件可实现具有可重构特性的频率选择表面，通过改变PIN二极管的通断来实现不同的电磁特性。PIN二极管作为一种微波视频开关，具有体积小、响应速度快、价格便宜等优点。

虽然AFSS在一定应用领域具有较好的适用性，但由于其功能单一，在某些电磁环境复杂、功能需求多样化场合无法满足需求。因此，可重构多功能AFSS的研究具有重要的研究价值和意义。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种变周期可重构有源频率选择表面单元，采用拓扑结构设计，通过控制PIN二极管的通断来改变有源频率选择表面结构，实现两种吸波频率的切换。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种变周期可重构有源频率选择表面单元，包括M×N个周期排列二维谐振单元，其特征在于：每个谐振单元包括由下而上依次层叠设置第一介质层、第一金属层和第二介质层；所述的第二介质层上表面中部设置有十字形第三金属片，所述的第二介质层上表面左侧边缘设置有矩形的第四金属片，所述的第二介质层上表面后侧边缘设置有矩形的第五金属片，所述的第二介质层上表面右侧边缘设置有矩形的第九金属片，所述的第二介质层上表面前侧边缘设置有矩形的第八金属片，所述的第二介质层上表面左前角设置有矩形的第六金属片，所述的第二介质层上表面右前角设置有L形的第十二金属片，所述的第二介质层上表面右后角设置有矩形的第七金属片；

第三金属片的左臂与第四金属片相对设置，第一PIN二极管D1一端与第三金属片的左臂连接，第一PIN二极管D1另一端与第四金属片连接；第三金属片的后臂与第五金属片相对设置，第三PIN二极管D3一端与第三金属片的后臂连接，第三PIN二极管D3另一端与第五金属片连接；第三金属片的右臂与T形的第十金属片的竖臂相对设置，第十金属片的横臂与第九金属片相对设置，第二PIN二极管D2一端与第三金属片的右臂连接，第二PIN二极管D2另一端与第十金属片的竖臂连接，第六PIN二极管D6一端与第十金属片横臂连接，第六PIN二极管D6另一端与第九金属片连接，第三金属片的前臂与T形的第十一金属片的竖臂相对设置，第十一金属片的横臂与第八金属片相对设置，第四PIN二极管D4一端与第三金属片的前臂连接，第四PIN二极管D4另一端与第十一金属片的竖臂连接，第五PIN二极管D5一端与第十一金属片横臂连接，第五PIN二极管D5另一端与第八金属片连接；

第一PIN二极管D1与第三金属片左臂的连接端、第三PIN二极管D3与第三金属片后臂的连接端、第二PIN二极管D2与第三金属片右臂的连接端、第四PIN二极管D4与第三金属片前臂的连接端、第五PIN二极管D5与第八金属片的连接端、第六PIN二极管D6与第十金属片的连接端的极性均相同；

第一金属片分别与第十金属片和第五金属片导电连接，第二金属片分别与第四金属片和第十一金属片导电连接，所述的第三金属片与第一金属层导电连接，通过控制施加在第一金属片、第二金属片和第一金属层的电压控制第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2、第三PIN二极管D3、第四PIN二极管D4、第五PIN二极管D5、第六PIN二极管D6的通断状态。

任意一谐振单元的第十二金属片能够与前侧相邻谐振单元的第七金属片、右侧相邻谐振单元的第六金属片相互连接形成十字结构；任意一谐振单元的第十一金属片能够与前侧相邻谐振单元的第五金属片相互连接形成T形结构；任意一谐振单元的第九金属片能够与右侧相邻谐振单元的第四金属片相互连接形成T形结构。

所述的第一介质层开设有第十五通孔、第十六通孔、第十七通孔和第十八通孔，所述的第一金属层开设有第六通孔、第七通孔、第八通孔、第九通孔和第五通孔，所述的第三金属片开设有第十通孔，所述的第四金属片开设有第十三通孔，所述的第五金属片开设有第十二通孔，所述的第十金属片开设有第十一通孔，所述的第十一金属片开设有第十四通孔；所述的第一金属片开设有第一通孔和第二通孔，所述的第二金属片开设有第三通孔和第四通孔；

所述的第十一通孔穿过第二介质层与第六通孔、第十五通孔和第一通孔同轴设置，所述的第十二通孔穿过第二介质层与第七通孔、第十六通孔和第二通孔同轴设置，所述的第十三通孔穿过第二介质层与第八通孔、第十七通孔和第三通孔同轴设置，所述的第十四通孔穿过第二介质层与第九通孔、第十八通孔和第四通孔同轴设置，所述的第十四通孔穿过第二介质层与第五通孔同轴设置。

所述的第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2、第六PIN二极管D6和第三金属片左臂的中心轴、第三金属片右臂的中心轴、第十金属片的中心轴同轴设置；

所述的第三PIN极管D3、第四PIN二极管D4、第五PIN二极管D5和第三金属片前臂的中心轴、第三金属片后臂的中心轴、第十一金属片的中心轴同轴设置。

所述的第三金属片的左臂与第四金属片相对设置，第一PIN二极管D1负极与第三金属片的左臂连接，第一PIN二极管D1正极与第四金属片连接；

第三金属片的后臂与第五金属片相对设置，第三PIN极管D3负极与第三金属片的后臂连接，第三PIN二极管D3正极与第五金属片连接；

第三金属片的右臂与T形的第十金属片的竖臂相对设置，第十金属片的横臂与第九金属片相对设置，第二PIN二极管D2负极与第三金属片的右臂连接，第二PIN二极管D2正极与第十金属片的竖臂连接，第六PIN二极管D6负极与第十金属片横臂连接，第六PIN二极管D6正极与第九金属片连接，

第三金属片的前臂与T形的第十一金属片的竖臂相对设置，第十一金属片的横臂与第八金属片相对设置，第四PIN二极管D4负极与第三金属片的前臂连接，第四PIN二极管D4正极与第十一金属片的竖臂连接，第五PIN二极管D5负极与第十一金属片横臂连接，第五PIN二极管D5正极与第八金属片连接，

所述的第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2、第三PIN极管D3、第四PIN二极管D4、第五PIN二极管D5、第六PIN二极管D6采用SMP1302型号二极管，所述的第一介质层和第二介质层均采用F4BM2.2材料制成。

该种变周期可重构有源频率选择表面单元能够产生的有益效果为：采用一种特殊的拓扑结构设计，通过控制PIN二极管的通断来改变所述有源频率选择表面结构，得到不同的阵列结构，达到两种吸波频率的切换。

附图说明

图1为本发明一种变周期可重构有源频率选择表面单元的阵列示意图。

图2为本发明一种变周期可重构有源频率选择表面单元的第二介质层结构示意图。

图3为本发明一种变周期可重构有源频率选择表面单元的第二介质层平面示意图。

图4为本发明一种变周期可重构有源频率选择表面单元的第一金属层结构示意图。

图5为本发明一种变周期可重构有源频率选择表面单元的第一介质层结构示意图。

图6为本发明一种变周期可重构有源频率选择表面单元的第一金属片和第二金属片结构示意图。

图7为本发明一种变周期可重构有源频率选择表面单元在第一状态下的S参数图。

图8为本发明一种变周期可重构有源频率选择表面单元在第二状态下的S参数图。

说明书附图标记：1、第一单元；2、第二单元；3、第三单元；4、第四单元；5、第五单元；11、第一介质层；12、第一金属层；13、第二介质层；21、第一金属片；22、第二金属片；23、第三金属片；24、第四金属片；25、第五金属片；26、第六金属片；27、第七金属片；28、第八金属片；29、第九金属片；210、第十金属片；211、第十一金属片；212、第十二金属片；111、第一通孔；112、第二通孔；113、第三通孔；114、第四通孔；115、第五通孔；116、第六通孔；117、第七通孔；119、第八通孔；119、第九通孔；1110、第十通孔；1111、第十一通孔；1112、第十二通孔；1113、第十三通孔；1114、第十四通孔；31、第十五通孔；32、第十六通孔；33、第十七通孔；34、第十八通孔。

具体实施方式

以下结合说明书附图和具体优选的实施例对本发明作进一步描述。

一种变周期可重构有源频率选择表面单元，如图1所示，包括M×N个周期排列二维谐振单元，所述的M和N均为不小于2的正整数，每个谐振单元包括由下而上依次层叠设置第一介质层11、第一金属层12和第二介质层13；如图2和图3所示，第二介质层13上表面中部设置有十字形第三金属片23，所述的第二介质层13上表面左侧边缘设置有矩形的第四金属片24，所述的第二介质层13上表面后侧边缘设置有矩形的第五金属片25，所述的第二介质层13上表面右侧边缘设置有矩形的第九金属片29，所述的第二介质层13上表面前侧边缘设置有矩形的第八金属片28，所述的第二介质层13上表面左前角设置有矩形的第六金属片26，所述的第二介质层13上表面右前角设置有L形的第十二金属片212，所述的第二介质层13上表面右后角设置有矩形的第七金属片27；

第三金属片23的左臂与第四金属片24相对设置，第一PIN二极管D1一端与第三金属片23的左臂连接，第一PIN二极管D1另一端与第四金属片24连接；第三金属片23的后臂与第五金属片25相对设置，第三PIN二极管D3一端与第三金属片23的后臂连接，第三PIN二极管D3另一端与第五金属片25连接；第三金属片23的右臂与T形的第十金属片210的竖臂相对设置，第十金属片210的横臂与第九金属片29相对设置，第二PIN二极管D2一端与第三金属片23的右臂连接，第二PIN二极管D2另一端与第十金属片210的竖臂连接，第六PIN二极管D6一端与第十金属片210横臂连接，第六PIN二极管D6另一端与第九金属片29连接，第三金属片23的前臂与T形的第十一金属片211的竖臂相对设置，第十一金属片211的横臂与第八金属片28相对设置，第四PIN二极管D4一端与第三金属片23的前臂连接，第四PIN二极管D4另一端与第十一金属片211的竖臂连接，第五PIN二极管D5一端与第十一金属片211横臂连接，第五PIN二极管D5另一端与第八金属片28连接；任意一谐振单元的第十二金属片212能够与前侧相邻谐振单元的第七金属片27、右侧相邻谐振单元的第六金属片26相互连接形成十字结构；任意一谐振单元的第十一金属片211能够与前侧相邻谐振单元的第五金属片25相互连接形成T形结构；任意一谐振单元的第九金属片29能够与右侧相邻谐振单元的第四金属片24相互连接形成T形结构。

进一步的，任意一谐振单元的第十二金属片212能够与前侧相邻谐振单元的第七金属片27、右侧相邻谐振单元的第六金属片26相互连接形成十字结构与该谐振单元内的第三金属片23的十字结构相同，任意相邻两谐振单元的金属片拼接形成的T形结构均与第十一金属片211和第十金属片210的T形结构相同，通过PIN二极管连接的两组T形结构金属片可以通过横臂相互拼接形成一组与第三金属片23相同的十字结构，即在M×N个周期阵列表面中，每个T形结构金属片均为十字形结构金属片的二分之一。

本实施例中，第一介质层11、第一金属层12、第二介质层13的长宽尺寸均为19mm×19mm，第三金属片23的臂宽均为2b=4.4mm，第三金属片23的整体长宽均为2a=8.6mm，第三金属片23的侧壁与相邻金属片的间距为c=0.9mm，任意一PIN二极管与金属片的连接点位于连接点所在金属片侧边的中点。

本实施例中，第一金属片21分别与第十金属片210和第五金属片25导电连接，第二金属片22分别与第四金属片24和第十一金属片211导电连接，所述的第三金属片23与第一金属层12导电连接，通过控制施加在第一金属片21、第二金属片22和第一金属层12的电压控制第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2、第三PIN二极管D3、第四PIN二极管D4、第五PIN二极管D5、第六PIN二极管D6的通断状态。

进一步的，所述的第一介质层11开设有第十五通孔31、第十六通孔32、第十七通孔33和第十八通孔34，所述的第一金属层12开设有第六通孔116、第七通孔117、第八通孔118、第九通孔119和第五通孔115，所述的第三金属片23开设有第十通孔1110，所述的第四金属片24开设有第十三通孔1113，所述的第五金属片25开设有第十二通孔1112，所述的第十金属片210开设有第十一通孔1111，所述的第十一金属片211开设有第十四通孔1114；所述的第一金属片21开设有第一通孔111和第二通孔112，所述的第二金属片22开设有第三通孔113和第四通孔114；所述的第十一通孔1111穿过第二介质层13与第六通孔116、第十五通孔31和第一通孔111同轴设置，所述的第十二通孔1112穿过第二介质层13与第七通孔117、第十六通孔32和第二通孔112同轴设置，所述的第十三通孔1113穿过第二介质层13与第八通孔118、第十七通孔33和第三通孔113同轴设置，所述的第十四通孔1114穿过第二介质层13与第九通孔119、第十八通孔34和第四通孔114同轴设置，所述的第十四通孔1114穿过第二介质层13与第五通孔115同轴设置。

由于电路设置需要，导电金属顺次穿过第一金属片21、介质层11、第一金属层12和第二介质层13同轴设置的通孔，实现第一金属片21分别与第十金属片210和第五金属片25的连接，在此过程中，该组导电金属虽然穿过第一金属层12通过却不与第一金属层12接触。同理，导电金属也可以实现第二金属片22分别与第四金属片24和第十一金属片211导电连接。导电金属顺次穿过第五通孔115和第十通孔1110实现第三金属片23与第一金属层12的导电连接。

一般情况下，第六通孔116、第七通孔117、第八通孔118、第九通孔119的孔径均为0.7mm，且通孔内壁不设置导电材料，其余通孔均采用孔径0.25mm，通孔内壁设置导电材料，其中导电材料用于连接导电金属，实现导电的稳定性，，第六通孔116、第七通孔117、第八通孔118、第九通孔119采用较大尺寸孔径且不设置导电材料用于在导电金属穿过通孔时避开接触。

在任意一个谐振单元内，第一PIN二极管D1与第三金属片23左臂的连接端、第三PIN二极管D3与第三金属片23后臂的连接端、第二PIN二极管D2与第三金属片23右臂的连接端、第四PIN二极管D4与第三金属片23前臂的连接端、第五PIN二极管D5与第八金属片28的连接端、第六PIN二极管D6与第十金属片210的连接端的极性均相同；此时通过控制施加在第一金属片21、第二金属片22和第一金属层12的电压控制两种吸波频率的切换。

以图1所示的PIN二极管连接方式为例，第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2、第六PIN二极管D6和第三金属片23左臂的中心轴、第三金属片23右臂的中心轴、第十金属片210的中心轴同轴设置；所述的第三PIN极管D3、第四PIN二极管D4、第五PIN二极管D5和第三金属片23前臂的中心轴、第三金属片23后臂的中心轴、第十一金属片211的中心轴同轴设置。

所述的第三金属片23的左臂与第四金属片24相对设置，第一PIN二极管D1负极与第三金属片23的左臂连接，第一PIN二极管D1正极与第四金属片24连接；

第三金属片23的后臂与第五金属片25相对设置，第三PIN极管D3负极与第三金属片23的后臂连接，第三PIN二极管D3正极与第五金属片25连接；

第三金属片23的右臂与T形的第十金属片210的竖臂相对设置，第十金属片210的横臂与第九金属片29相对设置，第二PIN二极管D2负极与第三金属片23的右臂连接，第二PIN二极管D2正极与第十金属片210的竖臂连接，第六PIN二极管D6负极与第十金属片210横臂连接，第六PIN二极管D6正极与第九金属片29连接，

第三金属片23的前臂与T形的第十一金属片211的竖臂相对设置，第十一金属片211的横臂与第八金属片28相对设置，第四PIN二极管D4负极与第三金属片23的前臂连接，第四PIN二极管D4正极与第十一金属片211的竖臂连接，第五PIN二极管D5负极与第十一金属片211横臂连接，第五PIN二极管D5正极与第八金属片28连接。

当第一金属片21和所述第二金属片22均外加正5v电压，第一金属层12接地时，此时在一个单元结构内，第一PIN二极管D1导通、第二PIN二极管D2导通、第三PIN二极管D3导通、第四PIN二极管D4导通、第五PIN二极管D5断开、第六PIN二极管D6断开；单元结构呈现耶路撒冷十字型，记为状态一。当第一金属片21接地，第二金属片22外加正5v电压，第一金属层12悬空时，此时在一个单元结构内，第一PIN二极管D1截止、第二PIN二极管D2截止、第三PIN二极管D3截止、第四PIN二极管D4截止、第五PIN二极管D5导通、第六PIN二极管D6导通；单元结构呈现十字型，记为状态二。

任意一个第一单元1的右侧相邻单元为第二单元2，前侧相邻单元为第三单元3左侧相邻单元为第四单元4，后侧相邻单元为第五单元5；在状态一时，耶路撒冷十字由所述第一单元1的所述金属片23、所述第一单元1的所述金属片210、所述第一单元1的所述金属片211、所第一单元1的所述金属片24和所述单元4的所述金属片29、所述第一单元1的所述金属片25和所述单元5的金属片28构成，所述第一单元1的所述金属212和所述第三单元3的所述金属片27以及所述第二单元2的所述金属片26构成十字型，所述阵列由所述状态1的耶路撒冷十字和十字构成。在状态二时，十字型由所述第一单元1的所述金属片23、所述第一单元1的所述金属片210和所述第一单元1的所述金属29以及所述第二单元2的所述金属片24、所述第一单元1的所述金属片211和所述金属片28以及所述第三单元3的所述金属片25、所述第一单元1的所述金属片24和所述第四单元4的所述金属片29以及所述第四单元4的所述金属片210、所述第一单元1的所述金属片25和所述第五单元5的所述金属片28和所述第五单元5的所述金属片211构成，所述阵列由所述状态2的十字构成。

通过CST软件仿真得到状态一和状态二两种状态下的S参数，其中状态一的S参数如图7所示，状态二的S参数如图8所示。从上述仿真结果可以看出，在设想通过控制PIN二极管的通断，改变器件的单元结构，实现不同功能，如频率选择、极化转换、工作频率可重构等。并且，所述有源频率选择表面具有小型化的特点。

当上述情况中的第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2、第三PIN极管D3、第四PIN二极管D4、第五PIN二极管D5、第六PIN二极管D6均反接时，只需要第一金属片21和所述第二金属片22均接地，第一金属层12接+5V电压，即可实现状态一。同理，只需要第一金属片21加正5v电压，第二金属片22接地，第一金属层12悬空，即可实现状态二。

本实施例中，第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2、第三PIN极管D3、第四PIN二极管D4、第五PIN二极管D5、第六PIN二极管D6采用SMP1302型号二极管，所述的第一介质层11和第二介质层13均采用F4BM2.2材料制成，各个金属片均采用PEC覆铜制成。

以上仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理前提下的若干改进和润饰，应视为本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种变周期可重构有源频率选择表面单元，包括M×N个周期排列二维谐振单元，其特征在于：每个谐振单元包括由下而上依次层叠设置第一介质层、第一金属层和第二介质层；所述的第二介质层上表面中部设置有十字形第三金属片，所述的第二介质层上表面左侧边缘设置有矩形的第四金属片，所述的第二介质层上表面后侧边缘设置有矩形的第五金属片，所述的第二介质层上表面右侧边缘设置有矩形的第九金属片，所述的第二介质层上表面前侧边缘设置有矩形的第八金属片，所述的第二介质层上表面左前角设置有矩形的第六金属片，所述的第二介质层上表面右前角设置有L形的第十二金属片，所述的第二介质层上表面右后角设置有矩形的第七金属片；

第三金属片的左臂与第四金属片相对设置，第一PIN二极管D1一端与第三金属片的左臂连接，第一PIN二极管D1另一端与第四金属片连接；第三金属片的后臂与第五金属片相对设置，第三PIN二极管D3一端与第三金属片的后臂连接，第三PIN二极管D3另一端与第五金属片连接；第三金属片的右臂与T形的第十金属片的竖臂相对设置，第十金属片的横臂与第九金属片相对设置，第二PIN二极管D2一端与第三金属片的右臂连接，第二PIN二极管D2另一端与第十金属片的竖臂连接，第六PIN二极管D6一端与第十金属片横臂连接，第六PIN二极管D6另一端与第九金属片连接，第三金属片的前臂与T形的第十一金属片的竖臂相对设置，第十一金属片的横臂与第八金属片相对设置，第四PIN二极管D4一端与第三金属片的前臂连接，第四PIN二极管D4另一端与第十一金属片的竖臂连接，第五PIN二极管D5一端与第十一金属片横臂连接，第五PIN二极管D5另一端与第八金属片连接；

第一PIN二极管D1与第三金属片左臂的连接端、第三PIN二极管D3与第三金属片后臂的连接端、第二PIN二极管D2与第三金属片右臂的连接端、第四PIN二极管D4与第三金属片前臂的连接端、第五PIN二极管D5与第八金属片的连接端、第六PIN二极管D6与第十金属片的连接端的极性均相同；

第一金属片分别与第十金属片和第五金属片导电连接，第二金属片分别与第四金属片和第十一金属片导电连接，所述的第三金属片与第一金属层导电连接，通过控制施加在第一金属片、第二金属片和第一金属层的电压控制第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2、第三PIN二极管D3、第四PIN二极管D4、第五PIN二极管D5、第六PIN二极管D6的通断状态。

2.如权利要求1所述的一种变周期可重构有源频率选择表面单元，其特征在于：任意一谐振单元的第十二金属片能够与前侧相邻谐振单元的第七金属片、右侧相邻谐振单元的第六金属片相互连接形成十字结构；任意一谐振单元的第十一金属片能够与前侧相邻谐振单元的第五金属片相互连接形成T形结构；任意一谐振单元的第九金属片能够与右侧相邻谐振单元的第四金属片相互连接形成T形结构。

3.如权利要求2所述的一种变周期可重构有源频率选择表面单元，其特征在于：所述的第一介质层开设有第十五通孔、第十六通孔、第十七通孔和第十八通孔，所述的第一金属层开设有第六通孔、第七通孔、第八通孔、第九通孔和第五通孔，所述的第三金属片开设有第十通孔，所述的第四金属片开设有第十三通孔，所述的第五金属片开设有第十二通孔，所述的第十金属片开设有第十一通孔，所述的第十一金属片开设有第十四通孔；所述的第一金属片开设有第一通孔和第二通孔，所述的第二金属片开设有第三通孔和第四通孔；

所述的第十一通孔穿过第二介质层与第六通孔、第十五通孔和第一通孔同轴设置，所述的第十二通孔穿过第二介质层与第七通孔、第十六通孔和第二通孔同轴设置，所述的第十三通孔穿过第二介质层与第八通孔、第十七通孔和第三通孔同轴设置，所述的第十四通孔穿过第二介质层与第九通孔、第十八通孔和第四通孔同轴设置，所述的第十四通孔穿过第二介质层与第五通孔同轴设置。

4.如权利要求2所述的一种变周期可重构有源频率选择表面单元，其特征在于：所述的第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2、第六PIN二极管D6和第三金属片左臂的中心轴、第三金属片右臂的中心轴、第十金属片的中心轴同轴设置；

所述的第三PIN极管D3、第四PIN二极管D4、第五PIN二极管D5和第三金属片前臂的中心轴、第三金属片后臂的中心轴、第十一金属片的中心轴同轴设置。

5.如权利要求4所述的一种变周期可重构有源频率选择表面单元，其特征在于：所述的第三金属片的左臂与第四金属片相对设置，第一PIN二极管D1负极与第三金属片的左臂连接，第一PIN二极管D1正极与第四金属片连接；

第三金属片的后臂与第五金属片相对设置，第三PIN极管D3负极与第三金属片的后臂连接，第三PIN二极管D3正极与第五金属片连接；

第三金属片的右臂与T形的第十金属片的竖臂相对设置，第十金属片的横臂与第九金属片相对设置，第二PIN二极管D2负极与第三金属片的右臂连接，第二PIN二极管D2正极与第十金属片的竖臂连接，第六PIN二极管D6负极与第十金属片横臂连接，第六PIN二极管D6正极与第九金属片连接；

第三金属片的前臂与T形的第十一金属片的竖臂相对设置，第十一金属片的横臂与第八金属片相对设置，第四PIN二极管D4负极与第三金属片的前臂连接，第四PIN二极管D4正极与第十一金属片的竖臂连接，第五PIN二极管D5负极与第十一金属片横臂连接，第五PIN二极管D5正极与第八金属片连接。

6.如权利要求2所述的一种变周期可重构有源频率选择表面单元，其特征在于：所述的第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2、第三PIN极管D3、第四PIN二极管D4、第五PIN二极管D5、第六PIN二极管D6采用SMP1302型号二极管，所述的第一介质层和第二介质层均采用F4BM2.2材料制成。

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