CN111816613A - 显示面板的制作方法、显示面板母板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示面板的制作方法，包括：提供玻璃基板；在所述玻璃基板上制作第一柔性衬底，所述第一柔性衬底划分为弯折区与非弯折区，所述第一柔性衬底的弯折区掺杂有纳米颗粒；对所述第一柔性衬底与所述玻璃基板的接触面施加激光照射；将所述第一柔性衬底与所述玻璃基板剥离；在激光照射和剥离过程中，所述纳米颗粒受热分解，在所述第一柔性衬底的弯折区形成孔道。通过在第一柔性衬底的弯折区掺杂纳米颗粒，对第一柔性衬底与玻璃基板的接触面施加激光照射和将第一柔性衬底与玻璃基板剥离过程中，纳米颗粒受热分解，在第一柔性衬底的弯折区形成孔道，在不增加其他工艺步骤的前提下，提高了弯折区的耐弯折性能，提升了用户体验。

Description

显示面板的制作方法、显示面板母板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板的制作方法及显示面板母板。
背景技术
近年来，随着显示技术的不断发展，可折叠显示装置由于具有易携带、大尺寸屏幕等优势，而逐渐进入公众的视野中。
发明内容
本发明提供一种显示面板的制作方法、显示面板母板。
第一方面，本发明实施例提供一种显示面板的制作方法，该方法包括：
提供玻璃基板；
在所述玻璃基板上制作第一柔性衬底，所述第一柔性衬底划分为弯折区与非弯折区，所述第一柔性衬底的弯折区掺杂有纳米颗粒；
对所述第一柔性衬底与所述玻璃基板的接触面施加激光照射；
将所述第一柔性衬底与所述玻璃基板剥离；
在激光照射和剥离过程中，所述纳米颗粒受热分解，在所述第一柔性衬底的弯折区形成孔道。
进一步地，所述在所述玻璃基板上制作第一柔性衬底，包括：
将所述纳米颗粒分散到所述第一柔性衬底的前驱液中，并通过涂布工艺制作到所述玻璃基板上。
进一步地，所述对所述第一柔性衬底与所述玻璃基板的接触面施加激光照射，包括：
所述激光照射的温度高于所述纳米颗粒的分解温度。
进一步地，所述在所述玻璃基板上制作所述第一柔性衬底之后，在将所述第一柔性衬底与所述玻璃基板剥离之前，还包括：
在所述第一柔性衬底上制作薄膜晶体管层与显示功能层。
进一步地，在所述玻璃基板上制作所述第一柔性衬底之后，还包括：
在所述第一柔性衬底上制作第二柔性衬底。
进一步地，所述第一柔性衬底和所述第二柔性衬底的材质分别独立地选自聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯的至少一种；
优选地，所述第一柔性衬底和所述第二柔性衬底的材质相同。
进一步地，所述第一柔性衬底和所述第二柔性衬底的厚度比为1：1-1：2，且所述第二柔性衬底的厚度范围为0.8-1.2um。
进一步地，所述纳米颗粒的材质为碳酸氢钠或高锰酸钾。
进一步地，所述纳米颗粒的粒径范围为23-62nm，所述纳米颗粒在所述第一柔性衬底中的体积密度为2-10g/cm3。
第二方面，本发明实施例还提供一种显示面板母板，包括：
依次层叠设置的玻璃基板、第一柔性衬底、薄膜晶体管层与发光功能层；
所述第一柔性衬底划分为弯折区与非弯折区，所述第一柔性衬底的弯折区掺杂有纳米颗粒，所述纳米颗粒可受热分解，以在所述第一柔性衬底的弯折区形成孔道。
本发明实施例通过在第一柔性衬底的弯折区掺杂纳米颗粒，对第一柔性衬底与玻璃基板的接触面施加激光照射和将第一柔性衬底与玻璃基板剥离过程中，纳米颗粒受热分解，在第一柔性衬底的弯折区形成孔道，在不增加其他工艺步骤的前提下，提高了弯折区的耐弯折性能，提升了用户体验。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为一实施例的显示面板的制作方法流程示意图。
图2为一实施例的显示面板母板结构示意图。
图3为一实施例的显示面板母板结构示意图。
图4为一实施例的显示面板母板结构示意图。
附图标记说明：101-玻璃基板；102-第一柔性衬底；103-第二柔性衬底；104-薄膜晶体管层；105-发光功能层；1021-第一柔性衬底的弯折区；1022-第一柔性衬底的非弯折区；1023-纳米颗粒。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的特征可以相互结合。
发明人在制备显示面板的过程中发现，柔性衬底的弯折区由于经历多次弯折与展平的步骤，弯折区容易产生褶皱导致失效，影响用户体验。发明人注意到，可以将弯折区的结构进行改进，提升弯折区的耐弯折性能。
第一方面，本申请实施例提供一种显示面板的制作方法，具体地，请参照图1与图2，首先，提供玻璃基板101，在玻璃基板101上制作第一柔性衬底102，第一柔性衬底102划分为弯折区1021与非弯折区1022，第一柔性衬底102的弯折区1021掺杂有纳米颗粒1023。对第一柔性衬底102与玻璃基板101的接触面施加激光照射，并将第一柔性衬底102与玻璃基板101剥离，在激光照射和剥离的过程中，纳米颗粒1023受热分解，在第一柔性衬底102的弯折区1021形成孔道。
需要注意的是，第一柔性衬底102的弯折区1021掺杂有纳米颗粒1023，第一柔性衬底102可通过涂布工艺制作到玻璃基板101上，在将第一柔性衬底102的前驱液涂布到玻璃基板101上前，可预先将纳米颗粒1023分散到第一柔性衬底102的前驱液中，再将分散有纳米颗粒1023的第一柔性衬底102的前驱液涂布到玻璃基板101上。也可以通过反复多次涂布的工艺，先将第一柔性衬底102的前驱液涂布到玻璃基板101上，再将分散有纳米颗粒1023的液体涂布到玻璃基板101上。也可以先将分散有纳米颗粒1023的液体涂布到玻璃基板101上，再将第一柔性衬底102的前驱液涂布到玻璃基板101上。当然，也可以不仅限于涂布等工艺，本发明实施例对此不做限定，只要能实现第一柔性衬底102的弯折区1021掺杂有纳米颗粒1023即可。
另外，在激光照射和剥离的过程中，纳米颗粒1023分解。需要注意的是，纳米颗粒1023受热分解，施加激光照射后，激光照射为纳米颗粒1023提供热量，激光照射的温度需要高于纳米颗粒1023的分解温度。要想保证纳米颗粒1023仅在施加激光照射之后才开始分解，还需要保证第一柔性衬底102的固化温度低于纳米颗粒1023的分解温度，避免纳米颗粒1023在第一柔性衬底102的固化过程中就分解掉。
请继续参照图1与图3，在玻璃基板101上制作第一柔性衬底102之后，在将第一柔性衬底102与玻璃基板101剥离之前，还包括：在第一柔性衬底102上制作薄膜晶体管层104与显示功能层105。需要注意的是，在制作薄膜晶体管层104与显示功能层105之后，在模组段工艺之前，将第一柔性衬底102与玻璃基板101剥离，进而进行下一段的模组工艺。
在本发明的一个实施例中，请继续参照图1与图4，提供玻璃基板101，在玻璃基板101上制作第一柔性衬底102，在第一柔性衬底102上制作第二柔性衬底103，在第二柔性衬底103上制作薄膜晶体管层104与显示功能层105。第一柔性衬底102划分为弯折区1021与非弯折区1022，第一柔性衬底102的弯折区1021掺杂有纳米颗粒1023，对第一柔性衬底102与玻璃基板101的接触面施加激光照射，并将第一柔性衬底102与玻璃基板101剥离。在激光照射和剥离过程中，纳米颗粒1023受热分解，在第一柔性衬底102的弯折区1021形成孔道。
第一柔性衬底102和第二柔性衬底103的材质分别独立地选自聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯的至少一种。第一柔性衬底102和第二柔性衬底103的材质可以相同，也可以不同，本发明实施例并不对此做限定。
另外，第一柔性衬底102与第二柔性衬底103的制备工艺通常包括涂布步骤与固化步骤，涂布步骤包括：将衬底的前驱液、丁内酯GBL、乳酸乙酯EL分散到溶剂丙二醇甲醚PGME中，通过涂布机涂布到玻璃基板101上，形成可流动的膜层。固化步骤通常包括：对涂布形成的膜层进行远红外线加热，在200-250℃温度下加热1小时左右进行固化，以形成柔性衬底。以柔性衬底的材质为聚酰亚胺为例，将聚酰胺酸、丁内酯GBL、乳酸乙酯EL分散到溶剂丙二醇甲醚PGME中，通过涂布机涂布到玻璃基板101上，形成可流动的聚酰胺酸膜层，再在远红外线下加热，200-250℃温度下加热1小时左右，以形成聚酰亚胺柔性衬底膜层。
需要注意的是，如果第一柔性衬底102和第二柔性衬底103的材质不同，可以将不同材质的柔性衬底材料的前驱液先后涂布到玻璃基板101上以形成两层柔性衬底。
纳米颗粒1023的材质可以选自碳酸氢钠或高锰酸钾的至少一种。碳酸氢钠受热分解为碳酸钠，二氧化碳与水，二氧化碳与水以气体的形式在第一柔性衬底102的弯折区1021形成孔，孔可以是盲孔，可以是贯穿第一柔性衬底102的弯折区1021的通孔。由于形成了二氧化碳与水蒸汽等气体，第一柔性衬底102的弯折区1021中生成了空腔或者贯穿孔道，增强了第一柔性衬底102的弯折区1021的耐弯折性能。纳米颗粒可以为高锰酸钾，高锰酸钾受热分解为锰酸钾，二氧化锰与氧气，氧气以气体的形式在第一柔性衬底102的弯折区1021形成孔，孔可以是盲孔，可以是贯穿第一柔性衬底102的弯折区1021的通孔。另外，由于柔性衬底的制作工艺过程中需要固化过程，固化为加热固化，为了保证纳米颗粒可以在后续剥离步骤中分解，可以适当降低柔性衬底的固化温度，以保证纳米颗粒仅在后续剥离过程中分解。当然，也可以合理选择纳米颗粒的材质，使得纳米颗粒的分解温度介于柔性衬底固化温度与激光照射温度二者之间，保证纳米颗粒在柔性衬底固化过程中不分解，在激光照射与剥离过程中再分解。
另外，由于纳米颗粒受热分解，生成的气体若要逸出，不仅会从第一柔性衬底102靠近玻璃基板101的表面逸出生成孔道，还会从第一柔性衬底102远离玻璃基板101的表面逸出生成孔道，然而，若纳米颗粒1023分解后的气体从第一柔性衬底102玻璃基板远离101的表面逸出生成孔道，逸出的气体会对薄膜晶体管层104和发光功能层105造成平整性的影响，进而可能影响发光效果。
进一步地，为了进一步优化方案效果，请参照图1与图4，本发明一实施例在第一柔性衬底102上制备了第二柔性衬底103，第二柔性衬底103位于第一柔性衬底102靠近所述发光功能层的一侧。第二柔性衬底103可以缓冲纳米颗粒1023分解产生的气体对薄膜晶体管层104与发光功能层105造成的平整性的影响，提升显示效果。
为了保证第二柔性衬底103的缓冲效果，发明人经过实验发现，第二柔性衬底103的厚度范围设置在0.8-1.2um之间时，第二柔性衬底103对纳米颗粒1023分解产生的气体的缓冲效果最佳，此时薄膜晶体管层104与发光功能层105的平整性良好。第一柔性衬底102和第二柔性衬底103的厚度比在1：1-1：2之间为最佳比例范围。另外，第一柔性衬底102和第二柔性衬底103的材质分别独立地选自聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯的至少一种，第一柔性衬底102和第二柔性衬底103的材质可以相同，也可以不同，本发明对此不做限定。
另外，纳米颗粒是掺杂到衬底前驱液中的，纳米颗粒的粒径若太大，会影响衬底的平整性；纳米颗粒的粒径若太小，纳米颗粒分解后产生的气体量也会少，不一定会生成空腔，对抗弯折性能的提升效果不明显，因此，纳米颗粒1023的最佳粒径范围为23-62nm，所掺杂的纳米颗粒粒径在这个范围内时，既不会影响衬底的平整性，当纳米颗粒分解产生气体时，气体逸出也不会对薄膜晶体管层104与发光功能层105的平整性造成影响。同样地，由于纳米颗粒需要提前分散到衬底的前驱体溶液中，纳米颗粒在衬底中的体积密度若太大，会影响衬底的平整性；纳米颗粒在衬底中的体积密度若太小，纳米颗粒分解后产生的气体量也会少，不一定会生成空腔，对抗弯折性能的提升效果不明显，因此，纳米颗粒在所述第一柔性衬底中的体积密度为2-10g/cm3为最佳。
另一方面，本发明的实施例提供一种显示面板母板，包括依次层叠设置的玻璃基板101、第一柔性衬底102、薄膜晶体管层104与发光功能层105；
第一柔性衬底102划分为弯折区1021与非弯折区1022，第一柔性衬底102的弯折区1021掺杂有纳米颗粒1023，纳米颗粒1023可受热分解，以在第一柔性衬底102的弯折区1021形成孔道。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供玻璃基板；
在所述玻璃基板上制作第一柔性衬底，所述第一柔性衬底划分为弯折区与非弯折区，所述第一柔性衬底的弯折区掺杂有纳米颗粒；
对所述第一柔性衬底与所述玻璃基板的接触面施加激光照射；
将所述第一柔性衬底与所述玻璃基板剥离；
在激光照射和剥离过程中，所述纳米颗粒受热分解，在所述第一柔性衬底的弯折区形成孔道。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述玻璃基板上制作第一柔性衬底，包括：
将所述纳米颗粒分散到所述第一柔性衬底的前驱液中，并通过涂布工艺制作到所述玻璃基板上。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述对所述第一柔性衬底与所述玻璃基板的接触面施加激光照射，包括：
所述激光照射的温度高于所述纳米颗粒的分解温度。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述玻璃基板上制作所述第一柔性衬底之后，在将所述第一柔性衬底与所述玻璃基板剥离之前，还包括：
在所述第一柔性衬底上制作薄膜晶体管层与显示功能层。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述玻璃基板上制作所述第一柔性衬底之后，还包括：
在所述第一柔性衬底上制作第二柔性衬底。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一柔性衬底和所述第二柔性衬底的材质分别独立地选自聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯的至少一种；
优选地，所述第一柔性衬底和所述第二柔性衬底的材质相同。
7.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一柔性衬底和所述第二柔性衬底的厚度比为1：1-1：2，且所述第二柔性衬底的厚度范围为0.8-1.2um。
8.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述纳米颗粒的材质为碳酸氢钠或高锰酸钾。
9.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述纳米颗粒的粒径范围为23-62nm，所述纳米颗粒在所述第一柔性衬底中的体积密度为2-10g/cm3。
10.一种显示面板母板，其特征在于，包括：
依次层叠设置的玻璃基板、第一柔性衬底、薄膜晶体管层与发光功能层；
所述第一柔性衬底划分为弯折区与非弯折区，所述第一柔性衬底的弯折区掺杂有纳米颗粒，所述纳米颗粒可受热分解，以在所述第一柔性衬底的弯折区形成孔道。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115974159A (zh) * 2022-12-06 2023-04-18 佛山仙湖实验室 一种图案化的氧化锰阵列的制备方法及其应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107195252A (zh) * 2017-07-13 2017-09-22 武汉天马微电子有限公司 一种柔性显示面板、显示装置及柔性显示面板的制作方法
WO2018121322A1 (zh) * 2016-12-27 2018-07-05 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示装置及其制造方法
CN109087998A (zh) * 2018-07-25 2018-12-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板及其制造方法
CN110492020A (zh) * 2019-08-29 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
KR20190135173A (ko) * 2018-05-28 2019-12-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉시블 전계발광 표시장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018121322A1 (zh) * 2016-12-27 2018-07-05 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示装置及其制造方法
CN107195252A (zh) * 2017-07-13 2017-09-22 武汉天马微电子有限公司 一种柔性显示面板、显示装置及柔性显示面板的制作方法
KR20190135173A (ko) * 2018-05-28 2019-12-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉시블 전계발광 표시장치
CN109087998A (zh) * 2018-07-25 2018-12-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板及其制造方法
CN110492020A (zh) * 2019-08-29 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115974159A (zh) * 2022-12-06 2023-04-18 佛山仙湖实验室 一种图案化的氧化锰阵列的制备方法及其应用

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