CN111799357A - 一种具有锡焊盘的led芯片的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于半导体发光二极管技术领域,涉及一种具有锡焊盘的LED芯片的制备方法。本发明采用锡焊盘工艺制作的MiniLED芯片,可以制作10um以上的锡厚度焊盘,优于蒸镀作业厚度。可以使芯片直接应用于各类基板上使用,达到较好的成品率和返修能力。
Description
技术领域
本发明属于半导体发光二极管技术领域,涉及一种具有锡焊盘的LED芯片的制备方法。
背景技术
直下式背光的产品已开始成为主流,将MiniLED芯片贴片到相应的各类基板上并具有较好的成品率及返工作业能力,已成为MiniLED应用的重要开发需求之一,若使用较为常见的锡膏固晶工艺成品率较低,使用AuSn焊盘工艺价格昂贵且不具备返修能力,因此对于锡焊盘的工艺制备尤为重要。Mini LED芯片可直接贴片在基板上,制作所需的锡厚度进行固晶,且有较好的良率和返修能力,解决应用端的低良率难题。
发明内容
采用锡焊盘工艺制作的MiniLED芯片,可以制作10um以上的锡厚度焊盘,优于蒸镀作业厚度。芯片可直接应用到各类基板上,良品率优于锡膏固晶工,且具有较好的基板芯片返工作业。
本发明的目的在于通过倒装MiniLED芯片制作锡焊盘,可以使芯片直接应用于各类基板上使用,达到较好的成品率和返修能力。
本发明的技术方案:
一种具有锡焊盘的LED芯片的制备方法,包括以下步骤:
S1、提供一衬底,依次在衬底上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层,形成LED晶圆;
S2、使用光刻胶形成MESA图层,以MESA图层为掩模对LED晶圆进行ICP刻蚀,形成N型半导体台面并去除光刻胶;
S3、在LED晶圆上沉积电流阻挡层CBL,使用光刻胶进行CBL光刻,在光刻胶层上形成CBL图层;对CBL图层进行电流阻挡层刻蚀,形成与CBL图层相对应的电流阻挡层,并去除光刻胶;
S4、在LED晶圆上沉积ITO透明导电层,使用光刻胶进行ITO光刻,形成所需ITO图层,以ITO图层为掩模对ITO透明导电层进行ITO刻蚀,去除光刻胶漏出底层ITO透明导电层;
S5、制作隔离槽,使用光刻胶进行Isolation光刻,在光刻胶上形成Isolation图层,以Isolation图层为掩模进行ICP刻蚀,刻蚀到衬底上形成隔离槽并去除光刻胶;
S6、使用光刻胶先进行光刻,沉积制作P电极和N电极再去除光刻胶;
S7、沉积SiO2及Ti3O5交替组成的DBR布拉格反射层PV,DBR厚度在2~6um;
S8、使用光刻胶进行PV光刻,在光刻胶上形成PV图层,以PV图层为掩模进行ICP刻蚀,刻蚀到PN电极层,去除PV光刻后的光刻胶;
S9、使用光刻胶进行焊盘层光刻,沉积PN焊盘,去除光刻胶;
S10、使用电镀方式进行锡焊盘制作:
(1)采用高粘度负性光刻胶进行锡焊盘图形光刻,光刻胶厚度大于20um,为所需制作锡焊盘厚度的1.2倍以上;
(2)电镀Ni层和SnAgCu合金层的锡焊盘,Ni层厚度设定在1~10um,锡焊盘整体厚度在20um~150um之间;
(3)电镀结束后进行光刻胶去除;
(4)对于电镀锡焊盘制作有表面为平面形貌或弧状形貌,制作完成后进行切割制作成芯粒。
S12、芯粒使用时,在相应基板上涂布助焊剂,芯粒放在相应位置后进行回流,回流温度在220℃~270℃之间。
本发明的有益效果:Mini LED芯片可直接贴片在基板上,制作所需的锡厚度进行固晶,且有较好的良率和返修能力,解决应用端的低良率难题。
附图说明
图1是现有的Mini LED设计示意图。
图2是具有锡焊盘的MiniLED设计示意图。
图3是现有的Mini LED设计剖面图。
图4是具有平面锡焊盘的MiniLED设计剖面图。
图5是具有弧面锡焊盘的MiniLED设计剖面图。
具体实施方式
以下结合附图和技术方案,进一步说明本发明的具体实施方式。
一种具有锡焊盘的LED芯片的制备方法,包括以下步骤:
S1、提供一LED晶圆,晶圆包含在衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层;
S2、使用光刻胶,形成MESA图层的图案,MESA图案根据不同需求进行设计,以MESA图层为掩模对LED晶圆进行ICP刻蚀,刻蚀深度为1~1.6um,形成N型半导体台面并去除光刻胶;
S3、在LED晶圆上沉积电流阻挡层CBL,CBL为SiO2,TiO2,或SiO2和TiO2叠层结构,厚度为50nm~1000nm,使用光刻胶进行CBL光刻,胶厚一般为2~5um,形成CBL图层;对CBL图层进行电流阻挡层刻蚀,形成与CBL图层相对应的电流阻挡层,并去除光刻胶;
S4、在LED晶圆上沉积ITO透明导电层,沉积方式可以是蒸镀,也可以是溅射方式,厚度为20nm~200nm,使用光刻胶进行ITO光刻,形成所需ITO图层,以ITO图层为掩模对ITO透明导电层进行ITO刻蚀,去除光刻胶漏出底层ITO透明导电层;
S5、制作隔离槽(Isolation),使用光刻胶进行Isolation光刻,在光刻胶上形成Isolation图形层,以Isolation图层为掩模进行ICP刻蚀,刻蚀到衬底形成隔离槽并去除光刻胶,Isolation的角度在20~60度;角度过大会导致后面膜层披覆问题,角度过小会占用较多外延层面积导致光电性变差。
S6、使用光刻胶先进行光刻,光刻胶厚度一般为电极厚度的1.2倍以上,然后蒸镀沉积方式制作P电极和N电极再去除光刻胶;PN电极的厚度为1000nm~3000nm。
S7、沉积SiO2及Ti3O5交替组成的DBR布拉格反射层PV,沉积温度为23℃~200℃,DBR厚度一般在2000nm~6000nm,太薄会缺少反射效果,太厚会需要较多的刻蚀时间;
S8、使用光刻胶进行PV光刻,在光刻胶上形成PV图形层,以PV图层为掩模进行ICP刻蚀,刻蚀到漏出PN电极层,去除PV光刻后的光刻胶;
S9、使用光刻胶进行焊盘层光刻,沉积PN焊盘,去除光刻胶;
S10、使用电镀方式进行在PN焊盘上再进行锡焊盘制作:
(1)采用高粘度负性光刻胶进行锡焊盘图形光刻,光刻胶厚度一般大于20um,为所需制作锡焊盘厚度的1.2倍以上;
(2)采用电镀方式进行锡焊盘制作,电镀Ni层和SnAgCu合金层的焊盘,Ni层厚度设定在1~10um,焊盘整体厚度在20um~150um之间;
(3)电镀结束后进行光刻胶去除;
(4)对于电镀锡焊盘可以制作有表面为平面形貌的如图4,也可制作表面为弧状形貌的如图5;
以上为锡焊盘的制作过程,制作完成后可进行切割制作成芯粒。
S12、芯粒使用时,在相应基板上涂布助焊剂,芯粒放在相应位置后进行回流,回流温度可在220℃~270℃之间。
Claims (1)
1.一种具有锡焊盘的LED芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、提供一衬底,依次在衬底上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层,形成LED晶圆;
S2、使用光刻胶形成MESA图层,以MESA图层为掩模对LED晶圆进行ICP刻蚀,形成N型半导体台面并去除光刻胶;
S3、在LED晶圆上沉积电流阻挡层CBL,使用光刻胶进行CBL光刻,在光刻胶层上形成CBL图层;对CBL图层进行电流阻挡层刻蚀,形成与CBL图层相对应的电流阻挡层,并去除光刻胶;
S4、在LED晶圆上沉积ITO透明导电层,使用光刻胶进行ITO光刻,形成所需ITO图层,以ITO图层为掩模对ITO透明导电层进行ITO刻蚀,去除光刻胶漏出底层ITO透明导电层;
S5、制作隔离槽,使用光刻胶进行Isolation光刻,在光刻胶上形成Isolation图层,以Isolation图层为掩模进行ICP刻蚀,刻蚀到衬底上形成隔离槽并去除光刻胶;
S6、使用光刻胶先进行光刻,沉积制作P电极和N电极再去除光刻胶;
S7、沉积SiO2及Ti3O5交替组成的DBR布拉格反射层PV,DBR厚度在2~6um;
S8、使用光刻胶进行PV光刻,在光刻胶上形成PV图层,以PV图层为掩模进行ICP刻蚀,刻蚀到PN电极层,去除PV光刻后的光刻胶;
S9、使用光刻胶进行焊盘层光刻,沉积PN焊盘,去除光刻胶;
S10、使用电镀方式进行锡焊盘制作:
(1)采用高粘度负性光刻胶进行锡焊盘图形光刻,光刻胶厚度大于20um,为所需制作锡焊盘厚度的1.2倍以上;
(2)电镀Ni层和SnAgCu合金层的锡焊盘,Ni层厚度设定在1~10um,锡焊盘整体厚度在20um~150um之间;
(3)电镀结束后进行光刻胶去除;
(4)对于电镀锡焊盘制作有表面为平面形貌或弧状形貌,制作完成后进行切割制作成芯粒;
S12、芯粒使用时,在相应基板上涂布助焊剂,芯粒放在相应位置后进行回流,回流温度在220℃~270℃之间。
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