CN111741583B - 一种一体化桌面式中子发生器 - Google Patents

Abstract

本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种一体化桌面式中子发生器。包括设置在移动柜(72)的桌面上的D+离子源和直管型的冷却液导流管(3)，冷却液导流管(3)的顶端设置高压输入模块(19)，尾端设置靶电极(6)；还包括直筒型的真空腔(5)，真空腔(5)的一端与D+离子源的尾端密封连接，另一端与冷却液导流管(3)的尾端密封连接，靶电极(6)在真空腔(5)内；高压输入模块(19)为靶电极(6)提供高压电，冷却液导流管(3)为靶电极(6)提供冷却，D+离子源向靶电极(6)发射D+离子束，使靶电极(6)上产生中子。该中子发生器的中子的产生可以远程控制，结构可以拆分，主要耗材是可维修的靶片、离子源，寿命基本不受限制。

Description

一种一体化桌面式中子发生器

技术领域

本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种一体化桌面式中子发生器。

背景技术

对于一些大学院校和科研院所，需要一种便于核物理实验或者开展教学研究的中子源装置，要求该装置既能提供较高产额的中子，又能提供实验仪器和样品摆放的平台和空间。

现阶段，随着中子的应用范围日益扩大，对中子源的需求逐渐增多，要求也逐步提高。比如利用中子活化分析在线检测煤或者水泥等物质的元素成分需要用到热中子，通常采用²⁵²Cf放射源，要求中子源强度达到1E8以上，但是由于该种强度的放射源难以获得，需要进口，又因为放射源的长期高强度放射性，具有极高的危险性，管理非常不便，另外该放射源的半衰期只有2年半，需要每隔一年或者两年重新补充一枚以满足检测要求，造成放射源越来越多，除了增加成本外，还增加了管理和放射源处理的困难。因此，需要一种可控的中子源代替它，目前国际上逐步采用高产额的D-D中子发生器代替放射源用于煤或者水泥等物质生产的元素活化分析检测。

产生中子的装置很多，比如反应堆、加速器、中子管、发生器、同位素放射源等。反应堆和加速器由于体积庞大不利于应用，目前应用较广泛的是同位素中子源和中子管。同位素中子源具有长期放射性，危险性较高，属于不可控中子源，管理不便，而且具有半衰期，强度有限，应用受到较大的限制。中子管中子产额低、寿命大多只有几百小时，目前的应用大多局限于石油测井。

现已有多种形式的中子发生器公开并申请了专利。例如：1、中国专利CN102548181A(申请公布日：2012年7月4日)公布了一个小直径射频驱动氘氘中子管，其特点是体积小、中子产额较高，缺点是寿命短，小于1000小时，属于一次性产品，不具有可维修性。2、中国专利CN102548181A(申请公布日：2012年12月24日)公布了一个小型高产额氘氘中子发生器，该专利给出了4个实施方案：1)D束能量100keV，D束流强100mA，采用纯钛靶，靶上束流功率10kw；2)将方案1中的D束流强提高到400mA，采用陶瓷靶，靶上束流功率40kw；3)D束能量200keV，束流强1000mA，采用纯钛靶，靶上束流功率200kw；4)将方案3中的钛靶换成陶瓷靶，束流提高到4000mA，靶上束流功率8000kw。以上四种实施方案从理论上讲，可以实现DD中子产额大于10¹¹s^-1，甚至可达10¹²s^-1，但上述方案无论是从离子源产生所述束流强度的可能性来说，还是对于靶的冷却方法来说，仅仅存在理论上的可能，基本上无法实现。3、中国专利CN203748097U(授权公告日2014年7月3日)公布了小型定向中子发生器方案，仅存在理论上的可能，实现起来非常困难，而且该种发生器体积大、寿命短。4、中国专利CN203761670U(授权公告日2014年8月6日)公布了一个采用栅极的一种中子发生器方案，其特点是采用栅极有效抑制二次电子反向加速，产额低、寿命短。

中国专利CN105407621A(申请公布日2016年3月16日)公布了一种紧凑型D-D中子发生器，其特点是中子产额可大于1×10⁸s^-1量级，但是其尺寸较大，造成使用中子的最小距离增加，使得有效中子产额降低，即样品处中子注量率降低；另外该发明使用的离子源是双等离子源，这种类型的离子源使用寿命只有100小时左右，影响发生器使用的连续性，质子比只有40％左右，有效束流强度较低；靶的冷却采用纯水，纯水经过一段时间的使用后其电阻率会降低，需要重新纯化或者更换，另外纯水最大电阻率只有18MΩ,需要很长的导流管才能达到绝缘要求，造成系统结构复杂、可靠性降低。

发明内容

本发明的目的是为核物理科学研究工作发明一种体积小、中子产额高、集成化程度高的桌面式可控中子源(即中子发生器)。该种中子源可应用于中子辐照、中子单粒子效应测试、中子活化元素分析等领域。该种中子源将发生器主体、电源、冷却设备、真空设备集成为一体，产生中子的主体部分安装在桌面上，桌面平整，能够承重，可以用做实验平台，在该平台上可以放置实验仪器、屏蔽体和样品，并可以在实验室内水平移动。

为达到以上目的，本发明采用的技术方案是一种一体化桌面式中子发生器，其中包括设置在移动柜的桌面上的D+离子源和直管型的冷却液导流管，所述冷却液导流管的顶端设置高压输入模块，尾端设置靶电极；还包括直筒型的真空腔，所述真空腔的一端与所述D+离子源的尾端密封连接，另一端与所述冷却液导流管的尾端密封连接，所述靶电极位于所述真空腔内；所述高压输入模块为所述靶电极提供高压电，所述冷却液导流管为所述靶电极提供冷却，所述D+离子源向所述靶电极发射D+离子束，使得所述靶电极上产生中子。

进一步，

所述靶电极外部为光滑的外壳体，内部设有靶片，所述冷却液导流管内部设有能够通过冷却液的循环流道，用于为所述靶片制冷；所述高压输入模块通过贯穿在所述冷却液导流管内部的高压连接杆向所述靶电极提供高压电；

还包括设置在所述移动柜桌面下方的柜体内的分子泵机组、真空计、射频电源、阳极电源、配电箱、加速高压电源、循环冷却机，所述加速高压电源用于为所述高压输入模块提供高压电，所述循环冷却机用于为所述冷却液导流管提供循环的冷却液，所述射频电源用于为所述D+离子源提供电源，所述分子泵机组用于为所述真空腔抽真空，所述真空计用于测量所述真空腔内的真空度，所述配电箱用于为中子发生器中的各个用电设备供电；还包括用于控制所述加速高压电源、所述循环冷却机、所述射频电源、所述真空计、所述阳极电源、所述配电箱、所述分子泵机组工作的控制系统，所述控制系统通过电脑远程控制；

所述分子泵机组还用于对所述真空腔进行支撑，进而实现对所述冷却液导流管和所述D+离子源的支撑；

还包括设置在所述移动柜底部的若干个万向轮，用于所述移动柜的移动。

进一步，

所述靶电极包括由靶基座和电极组成的外表光滑的圆柱形的所述外壳体，设置在所述靶基座上、位于所述外壳体内部的靶片，所述靶基座上设有冷却液通道，所述电极上设有束流通道；

所述靶基座为铜质材料，为圆柱形，一端设有所述冷却液通道，另一端为设有靶片开口的斜面，所述斜面和所述冷却液通道之间构成靶基内腔；所述冷却液通道位于所述外壳体的一端为圆弧型的开口，表面光滑、无尖锐的棱角；所述电极为不锈钢圆筒，一端为所述束流通道，为圆弧型的开口，表面光滑、无尖锐的棱角，另一端为带内螺纹的开口，与所述靶基座通过螺纹连接；

所述斜面的角度为45度，所述靶片密封设置在所述靶片开口上，所述靶片与所述斜面之间为绝缘密封连接；

所述靶片开口的朝向所述束流通道的一侧的边沿设有凹槽，所述靶片设置在所述凹槽内；所述靶片与所述凹槽之间设有第四密封圈，所述靶片通过压环压紧在所述第四密封圈上，实现所述靶片与所述斜面之间的绝缘密封连接；

所述高压连接杆的尾端穿过所述冷却液通道延伸到所述靶基内腔内，所述高压连接杆的尾端成L形，连接在所述靶基座的侧壁上；所述高压连接杆为不锈钢材质；所述高压连接杆的顶端设置有用于连接高压电的高压接头；所述高压接头为铜质；

还包括连接在所述压环和所述靶基座之间的电阻；

还包括设置在所述电极内的一对第一永磁铁，磁场强度为200高斯，所述第一永磁铁为长方形薄片,通过铁片支架设置在所述电极内,位于所述斜面和所述束流通道之间的位置，所述第一永磁铁的N极和S极相对设置。

进一步，

所述第四密封圈的材质为聚四氟乙烯，厚度大于所述凹槽深度；所述斜面上设有若干螺纹孔，所述压环与所述斜面之间通过螺钉和所述螺纹孔实行连接，所述螺钉外围套有胶木绝缘套管；

所述靶片为圆片形钼片，直径小于所述凹槽的直径，所述靶片的一面镀钛后吸附氘或者氚，形成氘靶或者氚靶；

所述压环为不锈钢圆环，外直径与所述靶片等径，内直径大于所述靶片的活性区，所述压环的环面设有用于安装所述螺钉的螺钉通孔。

进一步，

所述冷却液导流管包括外管和设置在所述外管内的内管，所述内管的顶端位于所述外管内部，所述外管的内壁和所述内管的外壁之间的空间以及所述内管的内部空间共同构成所述循环流道；所述内管的顶端的外壁与所述外管的内壁密封连接，所述内管和所述外管的尾端设置在所述靶电极上，所述外管与所述靶电极密封连接，并用于对所述靶电极进行支撑；所述外管和所述内管的材质为石英玻璃；

所述外管的尾端设置在所述冷却液通道内，所述外管尾端的开口的外壁与所述冷却液通道之间密封连接；所述内管尾端的开口延伸至所述靶基内腔内；

所述高压连接杆的主体贯穿在所述内管内部，所述高压连接杆的顶端的所述高压接头延伸至所述外管的顶端之外；

还包括设置在所述外管的顶端的外壁上的绝缘外螺纹环，所述绝缘外螺纹环的外壁设有外螺纹；

还包括设置在所述外管的顶端上的绝缘螺纹塞，所述高压连接杆的顶端的所述高压接头穿过所述绝缘螺纹塞延伸至所述外管的顶端之外，所述绝缘螺纹塞用于封堵述外管的顶端，所述绝缘螺纹塞与所述高压连接杆之间为密封连接；

还包括第二压盖，所述第二压盖用于配合所述绝缘外螺纹环的外螺纹将所述绝缘螺纹塞压紧在所述外管的顶端上；

还包括设置在所述第二压盖与所述绝缘外螺纹环之间的第一密封圈，用于实现所述第二压盖与所述绝缘外螺纹环之间的密封；

还包括冷却液输入管，所述冷却液输入管的输出一端穿过所述外管的侧壁与所述内管连通，所述冷却液输入管的输入一端用于连接所述循环冷却机的出口，所述冷却液输入管与所述外管的侧壁之间为密封连接；还包括冷却液输出管，所述冷却液输出管的输入一端与所述外管连通，所述冷却液输出管的输出一端用于排出所述冷却液；

所述冷却液输入管和所述冷却液输出管设置在靠近所述内管的顶端的位置上，所述冷却液输入管和所述冷却液输出管垂直于所述外管，且相对的位于所述外管的两侧；所述冷却液输入管和所述冷却液输出管分别通过一根聚乙烯管密封连接一个水管的快接接头连接所述循环冷却机的出口和入口，所述聚乙烯管垂直设置在所述移动柜的桌面上；

在所述冷却液导流管上设有法兰盘，用于与所述真空腔的密封连接，所述法兰盘为不锈钢材质；所述冷却液导流管通过上压环和下压环穿设在所述法兰盘的圆心上；所述上压环和所述下压环套在所述冷却液导流管外表面，通过第一压盖压紧在所述法兰盘上，所述第一压盖通过螺纹与所述法兰盘连接；所述上压环与所述下压环之间设置第二密封圈，所述下压环与所述法兰盘之间设置第三密封圈，通过所述第二密封圈和所述第三密封圈实现所述冷却液导流管与所述法兰盘之间的密封。

进一步，

所述绝缘螺纹塞和所述第二压盖的材质为聚四氟乙烯，所述绝缘外螺纹环的材质为有机玻璃；所述冷却液输入管和所述冷却液输出管的材质为石英玻璃；所述冷却液为氟化液。

进一步，

所述高压输入模块包括内部设有高压线的T形绝缘子，所述高压连接杆的顶端的所述高压接头设置在所述T形绝缘子内并与所述高压线连接；所述高压线与所述加速高压电源相连；

所述高压接头通过所述绝缘螺纹塞和所述T形绝缘子的螺纹与所述T形绝缘子密封连接；所述高压接头的侧面设有凹槽；所述高压线的顶端设置圆头铜帽，所述高压线通过活套塞设置在所述T形绝缘子内，所述圆头铜帽通过绝缘固定塞固定在所述T形绝缘子内；所述圆头铜帽设置在所述高压接头的所述凹槽内，实现所述高压接头与所述高压线的连接；所述活套塞与所述T形绝缘子通过螺纹密封连接；

所述T形绝缘子和所述绝缘固定塞和所述活套塞的材质为聚四氟乙烯。

进一步，

所述的D+离子源包括尾端设有引出结构、顶端与氘气钢瓶相连的放电管，所述放电管的尾端设有圆盘形的离子源底盘，所述引出结构位于所述离子源底盘中心，处于所述真空腔内，正对所述靶电极的所述束流通道；还包括套装在所述放电管的外表面的电容耦合环和设置在所述放电管的顶端的阳极探针；

所述引出结构位于所述放电管的轴线上，由铝电极和石英套管组成，所述铝电极为中心带圆孔的圆柱体，所述圆孔为束流引出孔道，孔径为2mm；所述石英套管套装在所述铝电极外面，所述石英套管的孔径为5mm；

还包括设置在所述放电管外围的屏蔽盒，所述放电管的顶端和尾端位于所述屏蔽盒之外，所述屏蔽盒为铝质，在所述屏蔽盒上设有若干散热孔。

进一步，

所述离子源底盘采用不锈钢制作，所述离子源底盘的一侧通过第三压盖和压片与所述放电管的尾端连接，所述第三压盖与所述离子源底盘之间通过螺纹连接；所述放电管的尾端上设有第五密封圈，在所述第三压盖和所述压片的作用下实现所述放电管与所述离子源底盘之间的密封；所述离子源底盘的另一侧用于与所述真空腔连接；所述离子源底盘内部为圆形的夹层，所述离子源底盘侧边沿设有与所述夹层连通的进水口和出水口，所述进水口与所述冷却液输出管的输出一端连通，所述出水口与所述循环冷却机的入口连通；所述冷却液通过所述进水口进入所述夹层，对所述引出结构进行冷却，然后从所述出水口排出回流至所述循环冷却机的入口；

所述放电管采用高纯石英玻璃制作，所述放电管的尾端为平底，所述尾端的中心设有圆孔，所述圆孔用于套装在所述引出结构的所述石英套管上；所述放电管的顶端设有进气管，所述进气管通过真空橡皮管与所述氘气钢瓶相连，用于向所述放电管内输入氘气；所述阳极探针设置在所述放电管的顶端的中心位置，与所述阳极电源相连，用于加载引出电压；所述阳极探针采用钨棒制作；

所述进气管与所述氘气钢瓶之间还设有气体流量控制器，所述气体流量控制器采用针阀控制气体流量，所述气体流量控制器两端分别用所述真空橡皮管连接所述氘气钢瓶和放电管的所述进气管；所述氘气钢瓶上设有气压表，所述氘气钢瓶安装在气体流量控制箱内，所述气体流量控制箱设置在所述移动柜的桌面下方的柜体内；

所述气体流量控制器由所述控制系统进行控制。

进一步，

所述电容耦合环为两个尺寸相同的铜环，分开套装在所述放电管的外表面，还包括与所述电容耦合环相连的射频电源匹配器，通过功率输出线与所述射频电源匹配器相连的射频电源；所述射频电源匹配器设置在所述屏蔽盒内部底部，所述射频电源通过所述射频电源匹配器和所述电容耦合环将功率馈入所述放电管中；所述射频电源的输出频率为108MHz、最大功率200W；

所述屏蔽盒上安装所述功率输出线的接头，用于连接所述射频电源匹配器和所述射频电源；还包括套装在所述放电管外的环形的第二永磁铁，所述第二永磁铁设置在所述屏蔽盒内部，靠近所述放电管的尾端，用于产生轴向磁场；

还包括设置在所述屏蔽盒内部的冷却风扇，用于所述屏蔽盒内部的散热。

进一步，

所述真空腔为不锈钢圆筒，一端设置第一法兰，用于与所述冷却液导流管上的所述法兰盘相配合，实现所述冷却液导流管与所述真空腔的密封连接；另一端设置第二法兰，用于与所述离子源底盘相配合，实现所述D+离子源与所述真空腔的密封连接；所述第一法兰与所述法兰盘之间以及所述第二法兰与所述离子源底盘之间均通过螺钉连接并使用密封圈实现密封；

还包括垂直设置在所述真空腔侧壁上的直管型、不锈钢材质的第三法兰，所述第三法兰的一端与所述真空腔连通，另一端通过过渡管与所述分子泵机组密封连接，实现所述分子泵机组对所述真空腔的抽真空；所述第三法兰与所述过渡管相连的端口为国际标准ISO63型，该端口通过C形卡实现连接，并通过橡胶密封圈实现密封；

还包括设置在所述第三法兰上的真空测量管，用于与所述真空计相连，实现对所述真空腔的真空度的测量；所述第三法兰上设置第四法兰，所述真空测量管通过所述第四法兰密封设置在所述第三法兰上，所述第四法兰为快接法兰。

进一步，所述真空腔水平放置，与所述移动柜的桌面平行；所述第三法兰连接在所述靠近所述真空腔的所述第一法兰一端的侧壁上。

进一步，还包括设置在所述移动柜的桌面上的靶电极调节座，所述靶电极调节座上设置有若干个顶丝，所述T形绝缘子设置在所述靶电极调节座内，通过调节所述顶丝能够调节所述T形绝缘子的位置，进而实现对所述靶电极在所述真空腔内的位置的调节。

本发明的有益效果在于：

1.功率馈入：使气体电离的高频功率馈入方式有电容耦合和电感耦合两种方式，对于电容耦合高频功率的馈入通常采用外接两台电源的高频振荡器，这种功率馈入方式使得系统所需电源增加，本发明采用射频电源馈入高频功率，只需一台射频电源，无需振荡器，减少了一台电源，同时减小了系统尺寸。

2.干扰屏蔽：由于高频振荡器是一个开放式的天线，不断向外发射高频功率，对外部电源、信号传输等设备发射干扰信号，使其难以稳定工作，要完全解决干扰除了需要屏蔽离子的源放电管外，还需屏蔽振荡器，屏蔽振荡器不仅具有一定的技术难度，还会增大离子源和系统尺寸，要投入额外的设备和技术，目前并没有报道对高频离子源采取屏蔽的有效措施。本发明由于采用了射频电源馈入高频功率的方式，只需屏蔽离子源的放电管9，使得对干扰信号的屏蔽难度降低，通过将放电管9安装在屏蔽盒8内的方法，有效解决了离子源向外发送干扰信号的不利问题。

3.外加磁场：现有的D+离子源都采用了外加电源的电磁线圈磁场，这种磁场的产生方式需要电源、电磁线圈尺寸大、重量大，优点是磁场强度可调。本发明经过大量实验研究，发明了适用于小型中子发生器的永磁型磁场结构(即第二永磁铁54)，不需要外接电源，不需要冷却，磁体尺寸和重量减小了一个数量级以上。

4.引出结构的冷却：现有的D+离子源采用的是通过风扇冷却离子源底盘，然后由离子源底盘传热，带走引出结构上的热量，这种散热方式传热慢，造成引出结构使用寿命短，而引出结构是影响离子源寿命的一个主要因素，本发明对离子源底盘7进行了设计，采用外接循环冷却水的方式，对引出结构55进行强制制冷，有效提高引出结构55的冷却效果，从而提高了离子源的使用寿命。

5.本发明所提供的离子源引出束流强度大于2.5mA，质子比大于75％。离子源的平均使用寿命达到1000小时以上。

6.冷却液导流管3采用石英玻璃制作，因为石英玻璃在绝缘等级上与陶瓷和聚四氟乙烯相当，机械强度和真空性能与陶瓷相当，优于聚四氟乙烯，电击穿电压达到35kV/mm，利于焊接，机械强度高，容易加工成冷却液导流管3所需的小尺寸的循环流道的结构。再加上石英玻璃与金属很容易粘接形成牢固的整体，使其容易跟靶电极6密封连接。

7.氟化液具有良好绝缘性能、流动性能和导热性能，三个性能均优于变压器油，流动性能与水相当，导热性能仅次于水。无毒无味，不挥发，不侵蚀。是绝佳的绝缘冷却液，可减小、简化中子发生器的系统结构和体积。由氟化液和冷却液导流管3组成的绝缘体的绝缘层厚度达到10毫米以上，体击穿电压大于300kV。

8.整个冷却结构(冷却液导流管3)处于真空中的部分横截面最大尺寸只有20mm，相比于陶瓷等其它结构材料组成的冷却结构，在横截面尺寸上小2倍以上，使得靶电极6的结构设计简化，尺寸缩小，同时使得真空腔5的直径缩小，有宜于中子发生器系统尺寸的缩小。

9.靶电极6组装完成后是一个端面为圆弧状的圆柱，所有不规则结构和尖端都在靶电极6内部，保证了电场分布的均匀性。

10.将靶基座38与冷却液导流管3粘接，冷却液将通过冷却液导流管3的内管29导向靶片42，对靶片42冷却，然后通过靶片42下方的靶基内腔43流入冷却液导流管3的内管29和外管28之间的循环流道导出，对靶片42实现循环冷却。

11.束流为D+粒子，打在靶片42的靶面上的正电荷将通过电阻44流向电极39，在靶面和电极39之间形成电压差，产生方向由靶面指向电极39的内壁的电力线，形成自抑制电场，靶面上产生的二次电子在该电场作用下反向运动，打到靶面消失掉。阻止二次电子向加速场区运动。

12.电极39内壁的第一永磁铁46产生的横向磁场，使靶面产生的二次电子在向加速场区运动的过程中发生偏转，打到电极39的内壁上消失掉，阻止其进入加速场区。

13.自抑制电场和第一永磁铁46产生的横向磁场对二次电子起到双层抑制的作用，抑制效果非常好，而且能起到双保险的作用，即一个失效，另一个还能起作用。

14.靶电极6尺寸小，功能全，抑制二次电子效果显著。

15.靶片42上能承载3.5mA以上、能量为130keV的D+束流。

16.DD中子产额达到1E8，DT中子产额达到1E10。

17.实现了中子发生器主体与电源等附件一体化。

18.本发明采用氘氘聚变和氘氚聚变两种核反应可以分别产生能量为2.5MeV和14MeV的单能快中子，中子的产生可以远程控制，中子发生器的结构可以拆分，主要的耗材是氘靶或者氚靶、离子源等，具有可维修性，寿命基本不受限制，2.5MeV中子产额大于1E8，14MeV中子产额大于1E10，中子产额高于大部分现有的中子管，尺寸略大于中子管，中子产额和尺寸满足元素活化分析检测要求，能够跟活化分析装置组装在一起，形成一体化检测装置。

附图说明

图1是本发明具体实施方式中所述的一体化桌面式中子发生器的示意图；

图2是本发明具体实施方式中所述的一体化桌面式中子发生器的主体部分的示意图(主体部分由高压输入模块19、冷却液导流管3、靶电极6、真空腔5、分子泵机组18、D+离子源组成)；

图3是本发明具体实施方式中所述的D+离子源的局部放大示意图(即图2中的A区域)；

图4是本发明具体实施方式中所述的D+离子源的示意图；

图5是本发明具体实施方式中所述的一体化桌面式中子发生器的高压单元部分的示意图(高压单元部分包括高压输入模块19、冷却液导流管3、靶电极6)；

图6是本发明具体实施方式中所述的冷却液导流管3的局部放大示意图(即图5中的B区域)；

图7是本发明具体实施方式中所述的冷却液导流管3的局部放大示意图(即图5中的C区域)；

图8是本发明具体实施方式中所述的靶电极6的示意图(即图5中的D区域)；

图9是本发明具体实施方式中所述的靶电极6的局部放大示意图(即图8中的E区域)；

图10是本发明具体实施方式中所述的移动柜72以及附件的示意图；

图11是本发明具体实施方式中所述的移动柜72的侧视图；

图中：1-高压线，2-T形绝缘子，3-冷却液导流管，4-法兰盘，5-真空腔，6-靶电极，7-离子源底盘，8-屏蔽盒，9-放电管，10-阳极探针，11-进气管，12-射频电源匹配器，13-气体流量控制器，14-氘气钢瓶，15-过渡管，16-真空测量管，17-分子泵风扇，18-分子泵机组，19-高压输入模块，20-活套塞，21-绝缘固定塞，22-圆头铜帽，23-高压接头，24-绝缘螺纹塞，25-高压连接杆，26-冷却液输入管，27-冷却液输出管，28-外管，29-内管，30-第一压盖，31-上压环，32-下压环，33-第二压盖，34-绝缘外螺纹环，35-第一密封圈，36-第二密封圈，37-第三密封圈，38-靶基座，39-电极，40-斜面，41-靶片开口，42-靶片，43-靶基内腔，44-电阻，45-螺钉，46-第一永磁铁，47-铁片支架，48-冷却液通道，49-束流通道，50-压环，51-第四密封圈，52-胶木绝缘套管，53-电容耦合环，54-第二永磁铁，55-引出结构，56-夹层，57-进水口，58-出水口，59-冷却风扇，60-第五密封圈，61-第三压盖，62-射频电源匹配器输出口，63-射频电源匹配器输入口，64-真空计，65-射频电源，66-阳极电源，67-配电箱，68-加速高压电源，69-循环冷却机，70-靶电极调节座，71-顶丝，72-移动柜，73-万向轮。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述。

如图1、图2、图10、图11所示，本发明提供的一种一体化桌面式中子发生器，包括设置在移动柜72的桌面上的D+离子源和直管型的冷却液导流管3，真空腔5、高压输入模块19。还包括设置在移动柜72桌面下方的柜体内的分子泵机组18、真空计64、射频电源65、阳极电源66、配电箱67、加速高压电源68、循环冷却机69，加速高压电源68用于为高压输入模块19提供高压电，循环冷却机69用于为冷却液导流管3提供循环的冷却液，射频电源65用于为D+离子源提供电源，分子泵机组18用于为真空腔5抽真空，真空计64用于测量真空腔5内的真空度，阳极电源66用于为阳极探针10供电，配电箱67用于为中子发生器中的各个用电设备供电；还包括用于控制加速高压电源68、循环冷却机69、射频电源65、阳极电源66、配电箱67、真空计64、分子泵机组18工作的控制系统，控制系统通过电脑远程控制；移动柜72的柜体由三个箱体组成，依次分别放置循环冷却机69、分子泵机组18、电源及控制系统(包括真空计64、射频电源65、阳极电源66、配电箱67、加速高压电源68)；分子泵机组18还用于对真空腔5进行支撑，进而实现对冷却液导流管3和D+离子源的支撑。移动柜72底部设置若干个万向轮73，用于移动柜72的移动。

冷却液导流管3的顶端设置高压输入模块19，尾端设置靶电极6；真空腔5的一端与D+离子源的尾端密封连接，另一端与冷却液导流管3的尾端密封连接，靶电极6位于真空腔5内；高压输入模块19为靶电极6提供高压电，冷却液导流管3为靶电极6提供冷却，D+离子源向靶电极6发射D+离子束，使得靶电极6上产生中子。

如图5、图8所示，靶电极6外部为光滑的外壳体，内部设有靶片42，冷却液导流管3内部设有能够通过冷却液的循环流道，用于为靶片42制冷；高压输入模块19通过贯穿在冷却液导流管3内部的高压连接杆25向靶电极6提供高压电。

如图8所示，靶电极6包括高压连接杆25、靶基座38、靶片42、电阻44、电极39、第一永磁铁46等部件。

靶基座38和电极39组成外表光滑的圆柱形的外壳体，靶片42设置在靶基座38上、位于外壳体内部，靶基座38上设有冷却液通道48，电极39上设有束流通道49，用于通过由离子源产生的D+束流。

靶基座38为铜质材料，为圆柱形，一端设有冷却液通道48(冷却液通道48用于与绝缘的冷却液导流管3粘接，向靶基座38上的靶片42输送冷却液，对靶片42进行冷却)，另一端为设有靶片开口41的斜面40，并设有外螺纹；斜面40和冷却液通道48之间构成靶基内腔43；冷却液通道48位于外壳体的一端为圆弧型的开口，表面光滑、无尖锐的棱角。

电极39为不锈钢圆筒(由圆筒形不锈钢棒加工而成)，一端为束流通道49，为圆弧型的开口，表面光滑、无尖锐的棱角，另一端为带内螺纹(与靶基座38的外螺纹相适应)的开口，与靶基座38通过螺纹连接。

斜面40的角度为45度，靶片42密封设置在靶片开口41上，靶片42与斜面40之间为绝缘密封连接；靶片42的直径为40mm，冷却液通道48的直径为30mm，束流通道49的直径为18mm，外壳体的外径为52mm，内径为46mm，长度150mm；电极39构成外壳体的主体部分(即电极39的外径为52mm，内径为46mm)。

如图9所示，靶片开口41的朝向束流通道49的一侧的边沿设有凹槽，靶片42设置在凹槽内；靶片42与凹槽之间设有第四密封圈51，靶片42通过压环50压紧在第四密封圈51上，实现靶片42与斜面40之间的绝缘密封连接(靶片42与斜面40之间不接触)，安装顺序是依次在凹槽内安装第四密封圈51、靶片42和压环50，压环50和靶基座38之间采用绝缘的螺钉45连接，使靶片42和斜面40(即靶基座38)之间实现绝缘密封。

第四密封圈51为绝缘密封圈，材质为聚四氟乙烯，厚度大于凹槽深度。

斜面40上设有均匀设置的若干螺纹孔。

靶片42为圆片形钼片，直径小于凹槽的直径，靶片42的一面镀钛后吸附氘或者氚，形成氘靶或者氚靶。

压环50为不锈钢圆环，外径与靶片42等径，内径大于靶片42的活性区，压环50的环面设有用于安装螺钉45的螺钉通孔。

压环50与斜面40之间通过螺钉45和螺纹孔实行连接，螺钉45外围套有胶木绝缘套管52。安装时靶片42不接触靶基座38，胶木绝缘套管52放置在压环50的螺钉通孔内，最后用螺钉45压紧压环50，使靶片42与靶基座38之间实现绝缘密封。

电阻44连接在压环50和靶基座38之间，电阻44的阻值为300kΩ。

高压连接杆25的尾端穿过靶基座38的冷却液通道48延伸到靶基内腔43内，高压连接杆25的尾端成L形，通过焊接连接在靶基座38的侧壁上；高压连接杆25的材质为不锈钢，用于与高压线1连接，给靶电极6输送加速高压。高压连接杆25的顶端设置有用于连接高压电的高压接头23；高压接头23为铜质。

第一永磁铁46为两片，形状为长方形薄片，通过半圆形的铁片支架47设置在电极39内，磁场强度为200高斯。第一永磁铁46位于斜面40和束流通道49之间的位置，第一永磁铁46的N极和S极相对设置。

如图5所示，冷却液导流管3包括绝缘螺纹塞24、第二压盖33、冷却液输出管27、绝缘外螺纹环34、第一密封圈35、冷却液输入管26、外管28、内管29等部件。

内管29设置在外管28内，内管29的顶端(即远离靶电极6的一端)位于外管28内部(靠近外管28的顶端)，外管28的内壁和内管29的外壁之间的空间以及内管29的内部空间共同构成循环流道；内管29的顶端的外壁与外管28的(顶端附近的)内壁密封连接(即密封循环流道的一端)，内管29和外管28的尾端设置在靶电极6上，外管28与靶电极6密封连接，并用于对靶电极6进行支撑；外管28和内管29的材质为石英玻璃。

外管28的外直径为20mm，内直径为14mm，管壁厚度为3mm，长度大于等于500mm，两端开口磨平；内管29的外直径为10mm，内直径为6mm，管壁厚度为2mm，长度大于等于490mm，两端开口磨平。

如图8所示，外管28的尾端设置在靶电极6的冷却液通道48内，外管28尾端的开口的外壁与冷却液通道48之间通过使用AB胶粘接的方式密封连接；内管29尾端的开口延伸至靶基内腔43内，内管29尾端的开口与外管28尾端的开口之间相距20mm左右。

靶电极6上的高压连接杆25的主体贯穿在内管29内部，高压连接杆25的顶端的高压接头23延伸至外管28的顶端之外(也就是延伸到冷却液导流管3的顶端之外)。

绝缘螺纹塞24、第二压盖33、绝缘外螺纹环34设置在外管28的顶端，用于外管28的顶端的密封和高压连接杆25的固定；

绝缘外螺纹环34设置在外管28的顶端的外壁上，绝缘外螺纹环34的外壁设有外螺纹；

绝缘螺纹塞24设置在外管28的顶端上，高压连接杆25的顶端的高压接头23穿过绝缘螺纹塞24延伸至外管28的顶端之外，绝缘螺纹塞24用于封堵述外管28的顶端，绝缘螺纹塞24与高压连接杆25之间为密封连接；

第二压盖33用于配合绝缘外螺纹环34的外螺纹将绝缘螺纹塞24压紧在外管28的顶端上；

第一密封圈35设置在第二压盖33与绝缘外螺纹环34之间，用于实现第二压盖33与绝缘外螺纹环34之间的密封。

绝缘螺纹塞24和第二压盖33的材质为聚四氟乙烯，绝缘外螺纹环34的材质为有机玻璃，绝缘外螺纹环34通过粘接设置在外管28上。

如图6所示，冷却液输入管26的输出一端穿过外管28的侧壁与内管29连通，冷却液输入管26的输入一端用于连接循环冷却机69的出口，冷却液输入管26与外管28的侧壁之间为密封连接；冷却液输出管27的输入一端与外管28连通，冷却液输出管27的输出一端用于排出冷却液。冷却液首先经冷却液输入管26进入内管29导流到靶基内腔43内对靶片42进行冷却，再由内管29和外管28之间的循环流道流经冷却液输出管27排出。

冷却液输入管26和冷却液输出管27设置在靠近内管29的顶端的位置上，冷却液输入管26和冷却液输出管27垂直于外管28，且相对的位于外管28的两侧；冷却液输入管26和冷却液输出管27分别通过一根聚乙烯管密封连接一个水管的快接接头连接循环冷却机69的出口和入口，聚乙烯管垂直设置在移动柜72的桌面上；

在冷却液导流管3上设有法兰盘4，用于与真空腔5的密封连接，法兰盘4为不锈钢材质；冷却液导流管3通过上压环31和下压环32穿设在法兰盘4的圆心上；上压环31和下压环32套在冷却液导流管3外表面，通过第一压盖30压紧在法兰盘4上，第一压盖30通过螺纹与法兰盘4连接；上压环31与下压环32之间设置第二密封圈36，下压环32与法兰盘4之间设置第三密封圈37，通过第二密封圈36和第三密封圈37实现冷却液导流管3与法兰盘4之间的密封。第二密封圈36和第三密封圈37的材质为真空橡皮，形成的密封形式为真空柱密封。

冷却液输入管26和冷却液输出管27的材质为石英玻璃，外直径为10mm，内直径为6mm，管壁厚度为2mm，长度大于等于100mm；冷却液为流动性和绝缘性能很高的氟化液。

如图5所示，高压输入模块19包括内部设有高压线1的T形绝缘子2，高压连接杆25的顶端的高压接头23设置在T形绝缘子2内并与高压线1连接；高压线1与加速高压电源68相连。

高压接头23通过绝缘螺纹塞24和T形绝缘子2的螺纹与T形绝缘子2密封连接；高压接头23的侧面设有半圆形的凹槽；高压线1的顶端设置圆头铜帽22(即高压线1的多股金属线芯套上圆头铜帽22并焊接牢固)，高压线1通过活套塞20设置在T形绝缘子2内，圆头铜帽22通过绝缘固定塞21固定在T形绝缘子2内；圆头铜帽22设置在高压接头23的凹槽内，实现高压接头23与高压线1的连接；活套塞20与T形绝缘子2通过螺纹密封连接；高压线1、T形绝缘子2和高压接头23成为一个整体。

T形绝缘子2、绝缘固定塞21和活套塞20的材料为聚四氟乙烯。活套塞20为管状，穿过桌面与固定在分子泵机组18上表面的航空接头通过抱卡固定连接。

如图2、图3、图4所示，D+离子源包括放电管9、阳极探针10、氘气钢瓶14、进气管11、电容耦合环53、第二永磁铁54、射频电源65、离子源底盘7、引出结构55等部件。

放电管9采用高纯石英玻璃制作，引出结构55设置在放电管9尾端，放电管9顶端与氘气钢瓶14相连。放电管9的尾端为平底，尾端的中心设有圆孔，圆孔用于套装在引出结构55的石英套管上；

进气管11设置在放电管9的顶端，进气管11通过焊接设置在放电管9的顶端的侧面位置，进气管11通过真空橡皮管与氘气钢瓶14相连，用于向放电管9内输入氘气；阳极探针10通过焊接设置在放电管9的顶端的中心位置，与阳极电源66相连，用于加载引出电压；阳极探针10采用钨棒制作。

圆盘形的离子源底盘7设置在放电管9的尾端。引出结构55位于离子源底盘7中心，处于真空腔5内，正对靶电极6的束流通道49；电容耦合环53套装在放电管9的外表面上；阳极探针10设置在放电管9的顶端。

引出结构55位于放电管9的轴线上，由铝电极和石英套管组成，铝电极为中心带圆孔的圆柱体，圆孔为束流引出孔道，孔径为2mm；石英套管套装在铝电极外面，滑配安装，石英套管的孔径为5mm。

如图3所示，离子源底盘7采用304不锈钢制作，厚度为12mm，离子源底盘7的一侧通过第三压盖61和压片与放电管9的尾端连接。第三压盖61和压片起到固定放电管9的作用，第三压盖61与离子源底盘7之间通过螺纹连接；放电管9的尾端上设有第五密封圈60，在第三压盖61和压片的压紧作用下实现放电管9与离子源底盘7之间的密封；离子源底盘7的另一侧用于与真空腔5连接；离子源底盘7内部为圆形的夹层56，作为冷却水层，离子源底盘7的侧边沿设有与夹层56连通的进水口57和出水口58，进水口57与冷却液导流管3上的冷却液输出管27的输出一端连通，出水口58与循环冷却机69的入口连通；冷却液通过进水口57进入夹层56，对引出结构55进行强制冷却，然后从出水口58排出，回流至循环冷却机69的入口。

进气管11与氘气钢瓶14之间还设有气体流量控制器13，气体流量控制器13采用针阀精确控制气体流量，气体流量控制器13两端分别用真空橡皮管连接氘气钢瓶14和放电管9的进气管11；氘气钢瓶14上设有气压表，氘气钢瓶14安装在气体流量控制箱内，气体流量控制箱设置在移动柜72的桌面下方的柜体内。氘气由氘气钢瓶14通过减压阀(减压阀设置在氘气钢瓶14上)和气体流量控制器13经放电管9上的进气管11流入放电管9内；

气体流量控制器13由控制系统进行控制。

还包括设置在放电管9外围的屏蔽盒8，放电管9的顶端和尾端位于屏蔽盒8之外，屏蔽盒8为一个铝质的盒子，在屏蔽盒8上设有若干散热孔，散热孔的孔径为6mm。

电容耦合环53为两个尺寸相同的铜环，分开一定距离套装在放电管9的外表面，还包括与电容耦合环53相连的射频电源匹配器12(射频电源匹配器12的射频电源匹配器输出口62与电容耦合环53相连，用于高频功率的输出)，与射频电源匹配器12相连的射频电源65(射频电源匹配器12的射频电源匹配器输入口63与射频电源65相连，用于高频功率的馈入)，射频电源匹配器12为PSG-Mini型匹配器，射频电源匹配器12与射频电源65通过功率输出线相连；射频电源匹配器12设置在屏蔽盒8内部底部，射频电源65通过射频电源匹配器12和电容耦合环53将功率馈入放电管9中(即射频电源馈入高频功率方式)；射频电源65的输出频率为108MHz、最大功率200W，型号为RSG200；屏蔽盒8上安装功率输出线的接头，用于连接射频电源匹配器12和射频电源65。

环形的第二永磁铁54套装在放电管9外，构成永磁型磁场结构，第二永磁铁54设置在屏蔽盒8内部，靠近放电管9的尾端，用于产生轴向磁场，磁场强度为2000高斯。第二永磁铁54的外直径为100mm，内直径为60mm，厚度为20mm。第二永磁铁54安装在屏蔽盒8底部中心位置，安装时放电管9穿过屏蔽盒8两个端面的中心孔，使第二永磁铁54的中心、放电管9的中心和屏蔽盒8的两个端面中心重合。

还包括设置在屏蔽盒8内部的冷却风扇59，用于屏蔽盒8内部的散热，带走放电管9工作时产生的热量。

如图2所示，真空腔5为不锈钢圆筒，一端设置第一法兰，用于与冷却液导流管3上的法兰盘4相配合，实现冷却液导流管3与真空腔5的密封连接；另一端设置第二法兰，用于与离子源底盘7相配合，实现D+离子源与真空腔5的密封连接；第一法兰与法兰盘4之间以及第二法兰与离子源底盘7之间均通过螺钉连接并使用密封圈实现密封；

还包括垂直焊接设置在真空腔5侧壁上的直管型、不锈钢材质的第三法兰，第三法兰的一端与真空腔5连通，另一端通过过渡管15与分子泵机组18密封连接，实现分子泵机组18对真空腔5的抽真空；第三法兰与过渡管15相连的端口为国际标准ISO63型，该端口通过C形卡实现连接，并通过橡胶密封圈实现密封；

还包括焊接设置在第三法兰上的真空测量管16，用于与真空计64相连，实现对真空腔5的真空度的测量；第三法兰上设置第四法兰，真空测量管16通过第四法兰密封设置在第三法兰上，第四法兰为KF40快接法兰。

真空腔5腔体和端面内直径为130mm，外直径为138mm；法兰盘4、离子源底盘7、第一法兰、第二法兰的外直径均为160mm，真空腔5长度为420mm；真空腔5水平放置，与移动柜72的桌面平行；第三法兰连接在靠近真空腔5的第一法兰一端的侧壁上，距离第一法兰130mm,第三法兰的长度为100mm。

如图1、图10、图11所示，还包括设置在移动柜72的桌面上的靶电极调节座70，靶电极调节座70上设置有若干个顶丝71，T形绝缘子2设置在靶电极调节座70内，通过调节顶丝71能够调节T形绝缘子2的位置，进而实现对靶电极6在真空腔5内的位置的调节。

分子泵机组18的抽速为100L/m，接口采用ISO63国际标准接口，分子泵机组18还设有分子泵风扇17，用于冷却分子泵机组18。

加速高压电源68采用-150kV/10mA箱式高压电源，其高压输出线(即高压线1)与主体部分的高压接头23连接。

控制系统采用电脑进行远程控制，控制程序采用C##编写，整个系统的控制有两种模式，一种是维护模式，用于开发人员对系统进行诊断和调试；另一种是运行模式，采用一键式启停，便于用户使用。在运行过程中，系统参数可以随时保存和调用。

循环冷却机69采用型号为CA120的500W小型循环冷却机。

移动柜72内还设有控制面板，控制面板可以控制循环冷却机69的机械泵和分子泵机组18的分子泵的启停，以及系统真空度(真空腔5的真空度)的显示。

本发明的工作原理：

中子是由靶电极6的靶片42上产生的，其工作原理是：运行状态时，分子泵机组18将真空腔5内真空抽至10^-4Pa量级，靶电极6上通过高压输入模块19加载-120kV左右的高压，由气体流量控制器13向放电管9内输入一定气压的氘气，然后通过射频电源65向电容耦合环53馈入高频功率(高频电场)，使放电管9内的氘气电离，使放电管9内的游离电子在电场作用下往复运动，获得与管内气体分子碰撞几率，同时由于轴向磁场的存在，使电子运动变成往复螺旋运动，增加电子与气体分子碰撞的几率，使原子外围电子剥离，使其电离，产生D+，同时产生更多的电子，产生的电子再次使气体电离，经过一定时间的电离过程后，气体电离达到平衡并逐渐形成D+等离子体，在引出结构55的上方形成等离子面，经阳极电源66(高压电源)向阳极探针10加载正直流高压后，电离产生的D+将通过阳极探针10和引出结构55之间形成的电场作用下由引出结构55的孔道引出到离子源底盘7后端的真空腔5中，D+束流会在电场作用下加速提高能量，然后打靶发生D-D或者D-T核反应，产生中子。靶片42为氘靶将产生2.5MeV中子，靶片42为氚靶将产生14MeV中子。

冷却液从循环冷却机69的出口导入冷却液输入管26后流入内管29，然后喷向靶片42的背面，冷却液填满靶基内腔43后回流到内管29与外管28之间的循环流道，通过冷却液输出管27流出，通过进水口57进入离子源底盘7的夹层56对引出结构55进行冷却，然后从出水口58回流到循环冷却机69内，从而形成冷却液回路。构成冷却液导流管3的石英玻璃管的总厚度为5mm(外管28和内管29的壁厚的和)，冷却液层厚3mm，冷却液和石英玻璃管的击穿电压均可达到30kV/mm，使得冷却液导流管3的体击穿电压可达到200kV以上。

本发明所述的装置并不限于具体实施方式中所述的实施例，本领域技术人员根据本发明的技术方案得出其他的实施方式，同样属于本发明的技术创新范围。

Claims (11)

1.一种一体化桌面式中子发生器，其特征是：包括设置在移动柜（72）的桌面上的D+离子源和直管型的冷却液导流管（3），所述冷却液导流管（3）的顶端设置高压输入模块（19），尾端设置靶电极（6）；还包括直筒型的真空腔（5），所述真空腔（5）的一端与所述D+离子源的尾端密封连接，另一端与所述冷却液导流管（3）的尾端密封连接，所述靶电极（6）位于所述真空腔（5）内；所述高压输入模块（19）为所述靶电极（6）提供高压电，所述冷却液导流管（3）为所述靶电极（6）提供冷却，所述D+离子源向所述靶电极（6）发射D+离子束，使得所述靶电极（6）上产生中子；

所述靶电极（6）外部为光滑的外壳体，内部设有靶片（42），所述冷却液导流管（3）内部设有能够通过冷却液的循环流道，用于为所述靶片（42）制冷；所述高压输入模块（19）通过贯穿在所述冷却液导流管（3）内部的高压连接杆（25）向所述靶电极（6）提供高压电；

还包括设置在所述移动柜（72）桌面下方的柜体内的分子泵机组（18）、真空计（64）、射频电源（65）、阳极电源（66）、配电箱（67）、加速高压电源（68）、循环冷却机（69），所述加速高压电源（68）用于为所述高压输入模块（19）提供高压电，所述循环冷却机（69）用于为所述冷却液导流管（3）提供循环的冷却液，所述射频电源（65）用于为所述D+离子源提供电源，所述分子泵机组（18）用于为所述真空腔（5）抽真空，所述真空计（64）用于测量所述真空腔（5）内的真空度，所述配电箱（67）用于为中子发生器中的各个用电设备供电；还包括用于控制所述加速高压电源（68）、所述循环冷却机（69）、所述射频电源（65）、所述真空计（64）、所述阳极电源（66）、所述配电箱（67）、所述分子泵机组（18）工作的控制系统，所述控制系统通过电脑远程控制；

所述分子泵机组（18）还用于对所述真空腔（5）进行支撑，进而实现对所述冷却液导流管（3）和所述D+离子源的支撑；

还包括设置在所述移动柜（72）底部的若干个万向轮（73），用于所述移动柜（72）的移动；

所述靶电极（6）包括由靶基座（38）和电极（39）组成的外表光滑的圆柱形的所述外壳体，设置在所述靶基座（38）上、位于所述外壳体内部的靶片（42），所述靶基座（38）上设有冷却液通道（48），所述电极（39）上设有束流通道（49）；

所述靶基座（38）为铜质材料，为圆柱形，一端设有所述冷却液通道（48），另一端为设有靶片开口（41）的斜面（40），所述斜面（40）和所述冷却液通道（48）之间构成靶基内腔（43）；所述冷却液通道（48）位于所述外壳体的一端为圆弧型的开口，表面光滑、无尖锐的棱角；所述电极（39）为不锈钢圆筒，一端为所述束流通道（49），为圆弧型的开口，表面光滑、无尖锐的棱角，另一端为带内螺纹的开口，与所述靶基座（38）通过螺纹连接；

所述斜面（40）的角度为45度，所述靶片（42）密封设置在所述靶片开口（41）上，所述靶片（42）与所述斜面（40）之间为绝缘密封连接；

所述靶片开口（41）的朝向所述束流通道（49）的一侧的边沿设有凹槽，所述靶片（42）设置在所述凹槽内；所述靶片（42）与所述凹槽之间设有第四密封圈（51），所述靶片（42）通过压环（50）压紧在所述第四密封圈（51）上，实现所述靶片（42）与所述斜面（40）之间的绝缘密封连接；

所述高压连接杆（25）的尾端穿过所述冷却液通道（48）延伸到所述靶基内腔（43）内，所述高压连接杆（25）的尾端成L形，连接在所述靶基座（38）的侧壁上；所述高压连接杆（25）为不锈钢材质；所述高压连接杆（25）的顶端设置有用于连接高压电的高压接头（23）；所述高压接头（23）为铜质；

还包括连接在所述压环（50）和所述靶基座（38）之间的电阻（44）；

还包括设置在所述电极（39）内的一对第一永磁铁（46），磁场强度为200高斯，所述第一永磁铁（46）为长方形薄片,通过铁片支架（47）设置在所述电极（39）内,位于所述斜面（40）和所述束流通道（49）之间的位置，所述第一永磁铁（46）的N极和S极相对设置；

所述冷却液导流管（3）包括外管（28）和设置在所述外管（28）内的内管（29），所述内管（29）的顶端位于所述外管（28）内部，所述外管（28）的内壁和所述内管（29）的外壁之间的空间以及所述内管（29）的内部空间共同构成所述循环流道；所述内管（29）的顶端的外壁与所述外管（28）的内壁密封连接，所述内管（29）和所述外管（28）的尾端设置在所述靶电极（6）上，所述外管（28）与所述靶电极（6）密封连接，并用于对所述靶电极（6）进行支撑；所述外管（28）和所述内管（29）的材质为石英玻璃；

所述外管（28）的尾端设置在所述冷却液通道（48）内，所述外管（28）尾端的开口的外壁与所述冷却液通道（48）之间密封连接；所述内管（29）尾端的开口延伸至所述靶基内腔（43）内；

所述高压连接杆（25）的主体贯穿在所述内管（29）内部，所述高压连接杆（25）的顶端的所述高压接头（23）延伸至所述外管（28）的顶端之外。

2.如权利要求1所述的一种一体化桌面式中子发生器，其特征是：

所述第四密封圈（51）的材质为聚四氟乙烯，厚度大于所述凹槽深度；所述斜面（40）上设有若干螺纹孔，所述压环（50）与所述斜面（40）之间通过螺钉（45）和所述螺纹孔实行连接，所述螺钉（45）外围套有胶木绝缘套管（52）；

所述靶片（42）为圆片形钼片，直径小于所述凹槽的直径，所述靶片（42）的一面镀钛后吸附氘或者氚，形成氘靶或者氚靶；

所述压环（50）为不锈钢圆环，外直径与所述靶片（42）等径，内直径大于所述靶片（42）的活性区，所述压环（50）的环面设有用于安装所述螺钉（45）的螺钉通孔。

3.如权利要求1所述的一种一体化桌面式中子发生器，其特征是：

还包括设置在所述外管（28）的顶端的外壁上的绝缘外螺纹环（34），所述绝缘外螺纹环（34）的外壁设有外螺纹；

还包括设置在所述外管（28）的顶端上的绝缘螺纹塞（24），所述高压连接杆（25）的顶端的所述高压接头（23）穿过所述绝缘螺纹塞（24）延伸至所述外管（28）的顶端之外，所述绝缘螺纹塞（24）用于封堵述外管（28）的顶端，所述绝缘螺纹塞（24）与所述高压连接杆（25）之间为密封连接；

还包括第二压盖（33），所述第二压盖（33）用于配合所述绝缘外螺纹环（34）的外螺纹将所述绝缘螺纹塞（24）压紧在所述外管（28）的顶端上；

还包括设置在所述第二压盖（33）与所述绝缘外螺纹环（34）之间的第一密封圈（35），用于实现所述第二压盖（33）与所述绝缘外螺纹环（34）之间的密封；

还包括冷却液输入管（26），所述冷却液输入管（26）的输出一端穿过所述外管（28）的侧壁与所述内管（29）连通，所述冷却液输入管（26）的输入一端用于连接所述循环冷却机（69）的出口，所述冷却液输入管（26）与所述外管（28）的侧壁之间为密封连接；还包括冷却液输出管（27），所述冷却液输出管（27）的输入一端与所述外管（28）连通，所述冷却液输出管（27）的输出一端用于排出所述冷却液；

所述冷却液输入管（26）和所述冷却液输出管（27）设置在靠近所述内管（29）的顶端的位置上，所述冷却液输入管（26）和所述冷却液输出管（27）垂直于所述外管（28），且相对的位于所述外管（28）的两侧；所述冷却液输入管（26）和所述冷却液输出管（27）分别通过一根聚乙烯管密封连接一个水管的快接接头连接所述循环冷却机（69）的出口和入口，所述聚乙烯管垂直设置在所述移动柜（72）的桌面上；

在所述冷却液导流管（3）上设有法兰盘（4），用于与所述真空腔（5）的密封连接，所述法兰盘（4）为不锈钢材质；所述冷却液导流管（3）通过上压环（31）和下压环（32）穿设在所述法兰盘（4）的圆心上；所述上压环（31）和所述下压环（32）套在所述冷却液导流管（3）外表面，通过第一压盖（30）压紧在所述法兰盘（4）上，所述第一压盖（30）通过螺纹与所述法兰盘（4）连接；所述上压环（31）与所述下压环（32）之间设置第二密封圈（36），所述下压环（32）与所述法兰盘（4）之间设置第三密封圈（37），通过所述第二密封圈（36）和所述第三密封圈（37）实现所述冷却液导流管（3）与所述法兰盘（4）之间的密封。

4.如权利要求3所述的一种一体化桌面式中子发生器，其特征是：

所述绝缘螺纹塞（24）和所述第二压盖（33）的材质为聚四氟乙烯，所述绝缘外螺纹环（34）的材质为有机玻璃；所述冷却液输入管（26）和所述冷却液输出管（27）的材质为石英玻璃；所述冷却液为氟化液。

5.如权利要求3所述的一种一体化桌面式中子发生器，其特征是：

所述高压输入模块（19）包括内部设有高压线（1）的T形绝缘子（2），所述高压连接杆（25）的顶端的所述高压接头（23）设置在所述T形绝缘子（2）内并与所述高压线（1）连接；所述高压线（1）与所述加速高压电源（68）相连；

所述高压接头（23）通过所述绝缘螺纹塞（24）和所述T形绝缘子（2）的螺纹与所述T形绝缘子（2）密封连接；所述高压接头（23）的侧面设有凹槽；所述高压线（1）的顶端设置圆头铜帽（22），所述高压线（1）通过活套塞（20）设置在所述T形绝缘子（2）内，所述圆头铜帽（22）通过绝缘固定塞（21）固定在所述T形绝缘子（2）内；所述圆头铜帽（22）设置在所述高压接头（23）的所述凹槽内，实现所述高压接头（23）与所述高压线（1）的连接；所述活套塞（20）与所述T形绝缘子（2）通过螺纹密封连接；

所述T形绝缘子（2）和所述绝缘固定塞（21）和所述活套塞（20）的材质为聚四氟乙烯。

6.如权利要求5所述的一种一体化桌面式中子发生器，其特征是：

所述的D+离子源包括尾端设有引出结构（55）、顶端与氘气钢瓶（14）相连的放电管（9），所述放电管（9）的尾端设有圆盘形的离子源底盘（7），所述引出结构（55）位于所述离子源底盘（7）中心，处于所述真空腔（5）内，正对所述靶电极（6）的所述束流通道（49）；还包括套装在所述放电管（9）的外表面的电容耦合环（53）和设置在所述放电管（9）的顶端的阳极探针（10）；

所述引出结构（55）位于所述放电管（9）的轴线上，由铝电极和石英套管组成，所述铝电极为中心带圆孔的圆柱体，所述圆孔为束流引出孔道，孔径为2mm；所述石英套管套装在所述铝电极外面，所述石英套管的孔径为5mm；

还包括设置在所述放电管（9）外围的屏蔽盒（8），所述放电管（9）的顶端和尾端位于所述屏蔽盒（8）之外，所述屏蔽盒（8）为铝质，在所述屏蔽盒（8）上设有若干散热孔。

7.如权利要求6所述的一种一体化桌面式中子发生器，其特征是：

所述离子源底盘（7）采用不锈钢制作，所述离子源底盘（7）的一侧通过第三压盖（61）和压片与所述放电管（9）的尾端连接，所述第三压盖（61）与所述离子源底盘（7）之间通过螺纹连接；所述放电管（9）的尾端上设有第五密封圈（60），在所述第三压盖（61）和所述压片的作用下实现所述放电管（9）与所述离子源底盘（7）之间的密封；所述离子源底盘（7）的另一侧用于与所述真空腔（5）连接；所述离子源底盘（7）内部为圆形的夹层（56），所述离子源底盘（7）侧边沿设有与所述夹层（56）连通的进水口（57）和出水口（58），所述进水口（57）与所述冷却液输出管（27）的输出一端连通，所述出水口（58）与所述循环冷却机（69）的入口连通；所述冷却液通过所述进水口（57）进入所述夹层（56），对所述引出结构（55）进行冷却，然后从所述出水口（58）排出回流至所述循环冷却机（69）的入口；

所述放电管（9）采用高纯石英玻璃制作，所述放电管（9）的尾端为平底，所述尾端的中心设有圆孔，所述放电管（9）的尾端的所述圆孔用于套装在所述引出结构（55）的所述石英套管上；所述放电管（9）的顶端设有进气管（11），所述进气管（11）通过真空橡皮管与所述氘气钢瓶（14）相连，用于向所述放电管（9）内输入氘气；所述阳极探针（10）设置在所述放电管（9）的顶端的中心位置，与所述阳极电源（66）相连，用于加载引出电压；所述阳极探针（10）采用钨棒制作；

所述进气管（11）与所述氘气钢瓶（14）之间还设有气体流量控制器（13），所述气体流量控制器（13）采用针阀控制气体流量，所述气体流量控制器（13）两端分别用所述真空橡皮管连接所述氘气钢瓶（14）和放电管（9）的所述进气管（11）；所述氘气钢瓶（14）上设有气压表，所述氘气钢瓶（14）安装在气体流量控制箱内，所述气体流量控制箱设置在所述移动柜（72）的桌面下方的柜体内；

所述气体流量控制器（13）由所述控制系统进行控制。

8.如权利要求6所述的一种一体化桌面式中子发生器，其特征是：

所述电容耦合环（53）为两个尺寸相同的铜环，分开套装在所述放电管（9）的外表面，还包括与所述电容耦合环（53）相连的射频电源匹配器（12），通过功率输出线与所述射频电源匹配器（12）相连的射频电源（65）；所述射频电源匹配器（12）设置在所述屏蔽盒（8）内部底部，所述射频电源（65）通过所述射频电源匹配器（12）和所述电容耦合环（53）将功率馈入所述放电管（9）中；所述射频电源（65）的输出频率为108MHz、最大功率200W；

所述屏蔽盒（8）上安装所述功率输出线的接头，用于连接所述射频电源匹配器（12）和所述射频电源（65）；还包括套装在所述放电管（9）外的环形的第二永磁铁（54），所述第二永磁铁（54）设置在所述屏蔽盒（8）内部，靠近所述放电管（9）的尾端，用于产生轴向磁场；

还包括设置在所述屏蔽盒（8）内部的冷却风扇（59），用于所述屏蔽盒（8）内部的散热。

9.如权利要求7所述的一种一体化桌面式中子发生器，其特征是：

所述真空腔（5）为不锈钢圆筒，一端设置第一法兰，用于与所述冷却液导流管（3）上的所述法兰盘（4）相配合，实现所述冷却液导流管（3）与所述真空腔（5）的密封连接；另一端设置第二法兰，用于与所述离子源底盘（7）相配合，实现所述D+离子源与所述真空腔（5）的密封连接；所述第一法兰与所述法兰盘（4）之间以及所述第二法兰与所述离子源底盘（7）之间均通过螺钉连接并使用密封圈实现密封；

还包括垂直设置在所述真空腔（5）侧壁上的直管型、不锈钢材质的第三法兰，所述第三法兰的一端与所述真空腔（5）连通，另一端通过过渡管（15）与所述分子泵机组（18）密封连接，实现所述分子泵机组（18）对所述真空腔（5）的抽真空；所述第三法兰与所述过渡管（15）相连的端口为国际标准ISO63型，该端口通过C形卡实现连接，并通过橡胶密封圈实现密封；

还包括设置在所述第三法兰上的真空测量管（16），用于与所述真空计（64）相连，实现对所述真空腔（5）的真空度的测量；所述第三法兰上设置第四法兰，所述真空测量管（16）通过所述第四法兰密封设置在所述第三法兰上，所述第四法兰为快接法兰。

10.如权利要求9所述的一种一体化桌面式中子发生器，其特征是：所述真空腔（5）水平放置，与所述移动柜（72）的桌面平行；所述第三法兰连接在所述靠近所述真空腔（5）的所述第一法兰一端的侧壁上。

11.如权利要求5所述的一种一体化桌面式中子发生器，其特征是：还包括设置在所述移动柜（72）的桌面上的靶电极调节座（70），所述靶电极调节座（70）上设置有若干个顶丝（71），所述T形绝缘子（2）设置在所述靶电极调节座（70）内，通过调节所述顶丝（71）能够调节所述T形绝缘子（2）的位置，进而实现对所述靶电极（6）在所述真空腔（5）内的位置的调节。

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