CN111736250B - 一种黑膜窄带滤光片及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种黑膜窄带滤光片及其制备方法，属于镀膜技术领域。滤光片包括玻璃基底、设于玻璃基底一侧的窄带通膜系、以及设于玻璃基底另一侧的长波通膜系；长波通膜系包括从下往上逐层交替沉积的氢氧化硅/氮氢化硅膜层和氧化硅膜层；窄带通膜系包括从下往上逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢氧化硅/氮氢化硅膜层。方法包括：采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧沉积上述长波通膜系，并在玻璃基底另一侧沉积上述窄带通膜系。本发明在入射角为0°时，934‑962nm谱段具有高透过率，在350‑901nm谱段、1000‑1100nm谱段截止；入射角为30°时，925‑951nm谱段具有高透过率；同时窄带面在入射角为6°时，反射在400‑700波段平均反射低于5％。

Description

一种黑膜窄带滤光片及其制备方法
技术领域
本发明属于镀膜技术领域，具体涉及一种黑膜窄带滤光片及其制备方法。
背景技术
目前手机等电子产品的摄像头接收器模组中，亟需一种满足以下要求的滤光片：
(1)入射角为0°时，在934-962nm谱段具有高透过率；入射角为30°时，925-951nm谱段具有高透过率；
(2)入射角为0°时，在350-901nm谱段、1000-1100nm谱段具有抑制光信号通过的作用，同时在400-700nm谱段具有抑制光信号反射的作用，以减少信号噪声的影响；
(3)产品外观为黑色，能够避免有色光反射形成光点，以减小对外观的影响；
(4)在低温(-40℃)、高温(+85℃)、高湿(90％)及冷热循环变化的环境长时间放置后仍然可以使用。
(5)基底厚度小(≤0.3mm)，以满足模组整体结构的微型化要求。
(6)在轻微外力反复摩擦(压力<5N)下，膜层无损伤。
(7)在酒精乙醚混合液(酒精:乙醚＝1:2)轻微反复擦拭下，膜层无损伤。
(8)在高温纯水(>95℃)里浸泡2小时以上，拉膜(使用CT-18胶带)后膜层无脱落。
在先发明申请CN201910165758.3公开了滤光片及其制备方法，并具体公开了滤光片包括透明基底以及分别设置在所述透明基底两侧的第一长波通膜系和第二长波通膜系；所述第一长波通膜系和所述第二长波通膜系均包括交替叠加的高折射率膜层和低折射率膜层。该发明仅得到830-950nm透过近红外滤光片，且不具备低反射性。
发明内容
本发明针对现有技术存在的问题，提出了一种黑膜窄带滤光片及其制备方法，在入射角为0°时，934-962nm谱段具有高透过率，在350-901nm谱段、1000-1100nm谱段截止；入射角为30°时，925-951nm谱段具有高透过率；同时窄带面在入射角为6°时，反射在400-700波段平均反射低于5％且窄带面外观为黑色。
本发明是通过以下技术方案得以实现的：
本发明一种黑膜窄带滤光片，包括玻璃基底、设于玻璃基底一侧的窄带通膜系、以及设于玻璃基底另一侧的长波通膜系；所述长波通膜系包括从下往上逐层交替沉积的氢氧化硅/氮氧化硅层和氧化硅膜层；所述窄带通膜系包括从下往上逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢氧化硅/氮氧化硅膜层。
所述滤光片采用高折射率的氢氧化硅/氮氧化硅膜层和低折射率的氧化硅膜层交替叠加组成，膜层数较少，膜层厚度能够满足在超薄基底(基底厚度为0.2mm以上,)两个表面上的镀制要求。本发明提供一种可见光超低反947nm高透且窄带面外观为黑色的滤光片。
作为优选，所述氢氧化硅/氮氧化硅膜层或所述氧化硅膜层的基本厚度为窄带通膜系光学厚度中心波长的四分之一。
作为优选，所所述长波通膜系和所述窄带通膜系均通过磁控溅射方法镀膜完成。
作为优选，所所述长波通膜系的膜系结构为0.67(0.5HL0.5H)^14，过渡带中心波长为865nm，H层为氢氧化硅/氮氧化硅层，0.5H表示氢氧化硅/氮氧化硅厚度为0.5个基本厚度，L为氧化硅层，表示氧化硅厚度为1个基本厚度，14为基本膜堆(0.5HL0.5H)的周期数。
作为优选，所述窄带通膜系的膜系结构为HL2HLHL，中心波长为947nm，H层为氢氧化硅/氮氧化硅层，H表示氢氧化硅/氮氧化硅厚度为1个基本厚度，L为氧化硅层，表示氧化硅厚度为1个基本厚度，有5个以HL2HLHL为周期基本膜堆。
一种黑膜窄带滤光片制备方法，在真空溅射镀膜机中实现，方法包括：
步骤S01，将玻璃基底放入低真空腔室中并抽真空；
步骤S02，将玻璃基底放入高真空腔室中并抽真空；
步骤S03，用射频源发出的等离子体轰击玻璃基底表面；
步骤S04，采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧沉积长波通膜系，所述长波通膜系包括从下往上逐层交替沉积的氢氧化硅/氮氧化硅膜层和氧化硅膜层；
步骤S05，采用磁控溅射方法在玻璃基底另一侧沉积窄带通膜系，所述窄带通膜系包括从下往上逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢氧化硅/氮氧化硅膜层；
步骤S06，将玻璃基底自然冷却至室温，得到黑膜窄带滤光片。
本发明方法简单，能制得可见光超低反947nm高透且窄带面外观为黑色的近红外滤光片。
作为优选，所述步骤S04包括：
步骤S41，进行氢氧化硅/氮氧化硅膜层沉积，第一射频氧化源工作，工作气体Ar流量为50-500sccm，H2流量为10-100sccm,O2流量为0-50sccm/N2流量为0-50sccm，溅射源功率为5kw-12kw，氧化源功率为2kw-4kw膜层沉积速率为0.3-0.7nm/s；
步骤S42，进行氧化硅膜层沉积，第二射频氧化源工作，工作气体Ar流量为50-500sccm，O2流量为100-500sccm,溅射源功率为5kw-12kw，氧化源功率为2kw-4kw膜层沉积速率为0.5-1.2nm/s；
步骤S43，按此方式循环步骤S41-S42直到最后一层。
作为优选，所述步骤S05包括：
步骤S51，进行氧化硅膜层沉积，第二射频氧化源工作，工作气体Ar流量为50-500sccm，O2流量为100-500sccm,溅射源功率为5kw-12kw，氧化源功率为2kw-4kw膜层沉积速率为0.5-1.2nm/s；
步骤S52，进行氢氧化硅/氮氧化硅膜层沉积，第一射频氧化源工作，工作气体Ar流量为50-500sccm，H2流量为10-100sccm,O2流量为0-50sccm/N2流量为0-50sccm，溅射源功率为5kw-12kw，氧化源功率为2kw-4kw膜层沉积速率为0.3-0.7nm/s；
步骤S53，按此方式循环步骤S51-S52直到最后第二层；
步骤S54，最后一层进行氧化硅膜层沉积。
作为优选，制备的黑膜窄带滤光片在入射角为0°时，934-962nm谱段具有高透过率，在350-901nm谱段、1000-1100nm谱段截止；入射角为30°时，925-951nm谱段具有高透过率；窄带面在入射角为6°时，反射在400-700波段且平均反射低于5％。
本发明具有以下有益效果：
本发明一种黑膜窄带滤光片及其制备方法：
1.提供了一种可见光超低反947nm透过近红外滤光片，所述滤光片达到优良技术指标：入射角为0°时，934-962nm谱段具有平均透过率≥95％，同时在350-901nm谱段、1000-1100nm谱段截止，截止区域内平均透过率＜0.001％，入射角为30°时，925-951nm谱段具有平均透过率≥95％，同时窄带面在入射角为6°时，反射在400-700波段平均反射低于5％且镀窄带面外观为黑色的近红外滤光片。可大大改进该谱段滤光片的通带及截止带的特性，满足摄像头模组的使用要求。
2.所述滤光片采用高折射率的氢氧化硅/氮氧化硅膜层和低折射率的氧化硅膜层交替叠加组成，膜层数较少，膜层厚度能够满足在超薄基底(厚度为0.3mm以下)两个表面上的镀制要求，所述滤光片满足低温(-40℃)、高温(+85℃)、高湿(90％)环境下工作等使用要求。
3.本发明方法通过选择适当的制备材料和条件可得本发明所述的滤光片。
附图说明
图1为本发明一种黑膜窄带滤光片制备方法的流程图；
图2为本发明一种黑膜窄带滤光片的长波通的理论透射光谱图；
图3为本发明一种黑膜窄带滤光片的窄带的理论透射光谱图；
图4为本发明一种黑膜窄带滤光片的双面镀完膜层后滤光片的透射理论光谱图；
图5为本发明一种黑膜窄带滤光片的窄带面的理论反射光谱图；
图6为对本发明一种黑膜窄带滤光片性能测试后的透射光谱图；
图7为对本发明一种黑膜窄带滤光片性能测试后的窄带面的反射光谱图。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。
本发明一种黑膜窄带滤光片包括玻璃基底、设于玻璃基底一侧的窄带通膜系、以及设于玻璃基底另一侧的长波通膜系。所述长波通膜系包括从下往上逐层交替沉积的氢氧化硅膜层和氧化硅膜层；所述窄带通膜系包括从下往上逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢氧化硅/氮氧化硅膜层。
所述玻璃基底的厚度>0.2mm，玻璃基底的平行度＜30°。所述玻璃基底的材质包括玻璃、石英、蓝宝石或硅酸盐等光学常用玻璃。
所述长波通膜系可通过磁控溅射方法镀膜完成，利用现有的真空溅射镀膜机实现。也可以通过真空蒸发和离子辅助镀膜方式实现，所述长波通膜系的结构为0.67(0.5HL0.5H)^14，过渡带中心波长为865nm，H层为氢氧化硅/氮氧化硅层，0.5H表示氢氧化硅/氮氧化硅厚度为0.5个基本厚度，L为氧化硅层，表示氧化硅厚度为1个基本厚度，14为基本膜堆(0.5HL0.5H)的周期数。
所述窄带通膜系可通过磁控溅射方法镀膜完成，利用现有的真空溅射镀膜机实现。所述窄带通膜系的结构为HL2HLHL，中心波长为947nm，H层为氢氧化硅/氮氧化硅层，H表示氢氧化硅/氮氧化硅厚度为1个基本厚度，L为氧化硅层，表示氧化硅厚度为1个基本厚度，有5个以HL2HLHL为周期基本膜堆。所述窄带通膜系不局限于此结构，也可为HL2HL或HL2HLHLHL等基本结构。
所述基本厚度为窄带通膜系光学厚度中心波长的四分之一。
优选的，采用Macleod/TFC/Opticlayer等光学设计软件对所述长波通膜系的结构进行优化，得到的长波通膜系，如表一所示；其中层数为1的膜层沉积在玻璃基底上，为长波通膜系的最内层；层数为28的膜层为长波通膜系的最外层。此表所列SIOH同SINH的膜层效果相同。
表一长波通膜系的参数表
层数 膜层材料 膜层材料折射率 膜层物理厚度/<u>nm</u>
1 SIOH 3.44 28.22
2 SIO2 1.46 77.55
3 SIOH 3.44 54.6
4 SIO2 1.46 110
5 SIOH 3.44 43.77
6 SIO2 1.46 89.81
7 SIOH 3.44 54.65
8 SIO2 1.46 113.11
9 SIOH 3.44 48.86
10 SIO2 1.46 90.21
11 SIOH 3.44 50.63
12 SIO2 1.46 115.12
13 SIOH 3.44 50.83
14 SIO2 1.46 96.6
15 SIOH 3.44 47.09
16 SIO2 1.46 116.52
17 SIOH 3.44 41.21
18 SIO2 1.46 133.09
19 SIOH 3.44 42.18
20 SIO2 1.46 43.37
21 SIOH 3.44 108.45
22 SIO2 1.46 168.19
23 SIOH 3.44 10.97
24 SIO2 1.46 151.71
25 SIOH 3.44 48.15
26 SIO2 1.46 115.38
27 SIOH 3.44 10.44
28 SIO2 1.46 43.03
优选的，Macleod/TFC/Opticlayer等光学设计软件对所述窄带通膜系的结构进行优化，得到的窄带通膜系，如表二所示；其中层数为1的膜层沉积在玻璃基底上，为带通膜系的最内层；层数为41的膜层为窄带通膜系的最外层。此表所列SIOH同SINH的膜层效果相同。
表二窄带通膜系的参数表
层数 膜层材料 膜层材料折射率 膜层物理厚度/<u>rm</u>
1 SIO2 1.46 167.53
2 SIOH 3.44 106.24
3 SIO2 1.46 88.44
4 SIOH 3.44 20.01
5 SIO2 1.46 50.09
6 SIOH 3.44 106.67
7 SIO2 1.46 151.89
8 SIOH 3.44 81.67
9 SIO2 1.46 134.5
10 SIOH 3.44 162.45
11 SIO2 1.46 32.51
12 SIOH 3.44 103.45
13 SIO2 1.46 120.56
14 SIOH 3.44 84.73
15 SIO2 1.46 164.77
16 SIOH 3.44 440
17 SIO2 1.46 39.44
18 SIOH 3.44 86.59
19 SIO2 1.46 99.46
20 SIOH 3.44 90.01
21 SIO2 1.46 104.21
22 SIOH 3.44 434
23 SIO2 1.46 58.99
24 SIOH 3.44 108.11
25 SIO2 1.46 102.91
26 SIOH 3.44 103.66
27 SIO2 1.46 68.29
28 SIOH 3.44 443
29 SIO2 1.46 55.34
30 SIOH 3.44 86.91
31 SIO2 1.46 171.58
32 SIOH 3.44 95.48
33 SIO2 1.46 8.73
34 SIOH 3.44 319.17
35 SIO2 1.46 14.6
36 SIOH 3.44 22.84
37 SIO2 1.46 17.15
38 SIOH 3.44 70.6
39 SIO2 1.46 19.16
40 SIOH 3.44 7.02
41 SIO2 1.46 77.74
如图1，本发明提出一种黑膜窄带滤光片制备方法，可用于制备上述黑膜窄带滤光片。该方法在真空溅射镀膜机中实现。方法包括：
步骤S01，将玻璃基底放入低真空腔室中并抽真空；
步骤S02，将玻璃基底放入高真空腔室中并抽真空；
步骤S03，用射频源发出的等离子体轰击玻璃基底表面；
步骤S04，采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧沉积长波通膜系，所述长波通膜系包括从下往上逐层交替沉积的氢氧化硅/氢氧化硅膜层和氧化硅膜层；
步骤S05，采用磁控溅射方法在玻璃基底另一侧沉积窄带通膜系，所述窄带通膜系包括从下往上逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢氧化硅/氢氧化硅膜层；
步骤S06，将玻璃基底自然冷却至室温，得到黑膜窄带滤光片。
所述步骤S01具体包括：将清洗干净的玻璃基底(厚度>0.2mm)放入清洁的低真空腔室中并抽真空至5.0E-0Pa。
所述步骤S02具体包括：将玻璃基底搬入高真空腔室中并抽真空至1.0E-03Pa以下一定值。
所述步骤S03具体包括：用射频源发出的等离子体轰击基片表面0.5-10min，射频源功率为2-4kw，射频源工作气体为Ar，气体流量为50-500sccm。靶材气体为Ar，气体流量为每对靶材30-300sccm。
所述步骤S04包括：
步骤S41，进行氢氧化硅/氮氧化硅膜层沉积，射频氧化源功率为2kw-4kw工作气体Ar流量为50-500sccm，H2流量为10-100sccm,O2流量为0-50sccm/N2流量为0-50sccm，溅射源靶材功率为5kw-12kw，靶材气体Ar流量为30-300sccm.
步骤S42，进行氧化硅膜层沉积，射频氧化源功率为2kw-4kw,工作气体Ar流量为50-500sccm,O2流量为100-500sccm,溅射源靶材功率为5kw-12kw，靶材气体Ar流量为30-300sccm.
步骤S43，按此方式循环步骤S41-S42直到最后一层。
具体地，氢氧化硅/氮氧化硅的溅射速率为0.3-0.7nm/s，氧化硅的溅射速率为0.5-1.2nm/s；靶材采用99.999％纯度的硅靶，在此条件下，真空溅射镀膜机按照步骤S41-S43进行逐层沉积镀膜。
其中步骤中不限于充入氧气，还可充入氮气，氮气量为0-50sccm；或者也可以不充入气体。是否掺杂其他气体还是不掺杂气体，旨在于能够获得制备的滤光片能够满足本发明折射率的要求。
所述步骤S05包括：
步骤S51，进行氧化硅膜层沉积，射频氧化源功率为2kw-4kw,工作气体Ar流量为50-500sccm,O2流量为100-500sccm,溅射源靶材功率为5kw-12kw，靶材气体Ar流量为30-300sccm.；
步骤S52，进行氢氧化硅/氮氧化硅膜层沉积，射频氧化源功率为2kw-4kw工作气体Ar流量为50-500sccm，H2流量为10-100sccm,O2流量为0-50sccm/N2流量为0-50sccm，溅射源靶材功率为5kw-12kw，靶材气体Ar流量为30-300sccm.
步骤S53，按此方式循环步骤S51-S52直到最后第二层；
步骤S54，最后一层进行氧化硅膜层沉积。
具体地，氢氧化硅/氮氧化硅的溅射速率为0.3-0.7nm/s，氧化硅的溅射速率为0.5-1.2nm/s；靶材采用99.999％纯度的硅靶。
所述步骤S06具体包括：玻璃基底自然冷却至室温得到一种本实施例所述的可见光超低反947nm高透且窄带面外观为黑色的近红外透过滤光片。
采用Macleod软件对表一中数据分析可得长波通膜系的理论透射光谱图，如图2所示，结果表明入射角为0°时，长波通膜系在350-825nm谱段宽截止，在910-1100nm谱段具有高透过率。入射角为30°时，长波通膜系在910-1100nm谱段具有高透过率。
采用Macleod/TFC/Opticlayer等光学设计软件对表二中数据分析可得带通膜系的理论透射光谱图，结果表明窄带通膜系，入射角为0°时，在350-635nm谱段816-910nm谱段980-1140nm谱段截止，入射角为0°时，934-962nm谱段具有高透过率；入射角为30°时在926-951nm谱段具有高透过率(如图3所示)。且窄带面外观为黑色，入射角为6°时，400-700nm谱段具有超低反射(如图5所示)。
双面镀完膜层后滤光片的透射理论光谱图(如图4所示)。
本实施例所述滤光片采用日本光驰公司的NSP-1650真空溅射镀膜机进行制备，具体步骤如下：
(1)用吸尘器清除镀膜机LL真空室内的杂质，将经过超声清洗的干净的玻璃基底安装到镀膜夹具上并快速装入干净的真空室，抽真空至5.0EPa；将镀膜夹具交换到PR成膜室，真空抽至1.0E-3Pa以下的一定值，开始成膜。
(2)用射频源发出的等离子体轰击基片表面0.5-10min，射频源功率为2-4kw，射频源工作气体为Ar，气体流量为50-500sccm。靶材气体为Ar，气体流量为每对靶材30-300sccm。
采用磁控溅射方法，在基底的一侧逐层交替沉积长波通膜系中的氢氧化硅/氮氧化硅膜层和氧化硅膜层，直至完成所述膜系的沉积；在基底的另一测逐层交替沉积另一侧窄带通膜系中的氢氧化硅/氮氧化硅膜层和氧化硅膜层，直至完成所述膜系的沉积
(3)基底自然冷却至室温，得到一种本实施例所述的可见光超低反947nm高透且窄带面外观为黑色的近红外滤光片。
(4)对所述滤光片进行如下性能测试：
采用美国Agilent公司的Cary 7000通用型分光光度计，测得所述滤光片的透射光谱(如图6所示)，测得所述滤光片的可见光波段窄带面反射光谱(如图7所示)。所述滤光片在入射角为0°时，934-962nm谱段具有高透过率，入射角为30°时，925-951nm谱段具有高透过率，所述滤光片在入射角为0°时，934-962nm谱段内的平均透过率为95％以上；入射角为30°时，925-951nm谱段内的平均透过率为95％以上。入射角为0°时，在350-901nm谱段、1000-1100nm谱段内的平均透过率为0.001％以下。入射角为6°时,在350-901nm谱段内的平均反射率为5％以下。且窄带面外观为黑色。
在上述光谱规格中，中心波长可以进行移动，透过带宽宽度可以加宽或缩窄，截止波长可以变化等进行优化设计更改。上述所述光谱规格，不局限于此规格，透过带宽和截止带波长变化+/-10nm,皆可以实现。
本领域的技术人员应理解，上述描述及附图中所示的本发明的实施例只作为举例而并不限制本发明。本发明的目的已经完整有效地实现。本发明的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本发明的实施方式可以有任何变形或修改。

Claims (7)

1.一种黑膜窄带滤光片，其特征在于，包括玻璃基底、设于玻璃基底一侧的窄带通膜系、以及设于玻璃基底另一侧的长波通膜系；所述长波通膜系包括从下往上逐层交替沉积的氢氧化硅/氮氢化硅膜层和氧化硅膜层；所述窄带通膜系包括从下往上逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢氧化硅/氮氢化硅膜层；所述长波通膜系的膜系结构为0.67(0.5HL0.5H)^14，过渡带中心波长为865nm，H层为氢氧化硅/氮氢化硅层，0.5H表示氢氧化硅/氮氢化硅厚度为0.5个基本厚度，L为氧化硅层，表示氧化硅厚度为1个基本厚度，14为基本膜堆(0.5HL0.5H)的周期数；所述窄带通膜系的膜系结构为HL2HLHL，中心波长为947nm，H层为氢氧化硅层/氮氢化硅，H表示氢氧化硅/氮氢化硅厚度为1个基本厚度，L为氧化硅层，表示氧化硅厚度为1个基本厚度，有5个以HL2HLHL为周期基本膜堆。
2.根据权利要求1所述的一种黑膜窄带滤光片，其特征在于，所述氢氧化硅/氮氢化硅膜层或所述氧化硅膜层的基本厚度为窄带通膜系光学厚度中心波长的四分之一。
3.根据权利要求1所述的一种黑膜窄带滤光片，其特征在于，所述长波通膜系和所述窄带通膜系均通过磁控溅射方法镀膜完成。
4.一种黑膜窄带滤光片制备方法，在真空溅射镀膜机中实现，用于制备如权利要求1所述的黑膜窄带滤光片，其特征在于，方法包括：
步骤S01，将玻璃基底放入低真空腔室中并抽真空；
步骤S02，将玻璃基底放入高真空腔室中并抽真空；
步骤S03，用射频源发出的等离子体轰击玻璃基底表面；
步骤S04，采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧沉积长波通膜系，所述长波通膜系包括从下往上逐层交替沉积的氢氧化硅/氮氧化硅膜层和氧化硅膜层；
步骤S05，采用磁控溅射方法在玻璃基底另一侧沉积窄带通膜系，所述窄带通膜系包括从下往上逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢氧化硅/氮氧化硅膜层；
步骤S06，将玻璃基底自然冷却至室温，得到黑膜窄带滤光片。
5.根据权利要求4所述的一种黑膜窄带滤光片制备方法，其特征在于，所述步骤S04包括： 步骤S41，进行氢氧化硅/氮氧化硅膜层沉积，第一射频氧化源工作，工作气体Ar流量为50-500sccm，H2流量为10-100sccm,O2流量为0-50sccm/N2流量为0-50sccm，膜层沉积速率为0.3-0.7nm/s；
步骤S42，进行氧化硅膜层沉积，第二射频氧化源工作，工作气体Ar流量为50-500sccm，O2流量为100-500ccm；
步骤S43，按此方式循环步骤S41-S42直到最后一层。
6.根据权利要求4所述的一种黑膜窄带滤光片制备方法，其特征在于，所述步骤S05包括： 步骤S51，进行氧化硅膜层沉积，第二射频氧化源工作，工作气体Ar流量为50-500sccm，O2流量为100-500ccm；
步骤S52，进行氢氧化硅/氮氧化硅膜层沉积，第一射频氧化源工作，工作气体Ar流量为50-500sccm，H2流量为10-100sccm,O2流量为0-50sccm/N2流量为0-50sccm，膜层沉积速率为0.3-0.7nm/s；
步骤S53，按此方式循环步骤S51-S52直到最后第二层；
步骤S54，最后一层进行氧化硅膜层沉积。
7.根据权利要求4所述的一种黑膜窄带滤光片制备方法，其特征在于，制备的黑膜窄带滤光片在入射角为0°时，934-962nm谱段具有高透过率，在350-901nm谱段、1000-1100nm谱段截止；入射角为30°时，925-951nm谱段具有高透过率；窄带面在入射角为6°时，反射在400-700波段且平均反射低于5％。
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