CN111719096B - 一种银氧化镉合金材料微复合加工工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及合金材料技术领域，具体涉及一种银氧化镉合金材料微复合加工工艺。包括如下步骤：S1、取一银氧化镉线材，依次进行轧扁、第一次退火处理、第一次拉丝定寸、清洗抛光；S2、将纯银带材与步骤S1制得的银氧化镉带材通过可控气氛进行第一次微复合处理，然后依次进行第二次退火处理、第二次拉丝定寸、清洗抛光；S3、将C1020/C7521合金带材与步骤S2制得的银氧化镉复纯银带材通过可控气氛进行第二次微复合处理，然后依次进行第三退火处理、轧制成型、清洗、第三次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉合金材料。本发明的微复合加工工艺操作方便简单，生产效率高，生产成本低，且制得的产品稳定性好，利用率高，可适用于大规模生产。
Description
技术领域
本发明涉及合金材料技术领域，具体涉及一种银氧化镉合金材料微复合加工工艺。
背景技术
金属复合材料具有较高的强度、耐磨性、耐候性和尺寸稳定性，被认为是具有发展前途的先进材料。而对于金属复合材料，目前市面上存在粉末冶金发、热等静压法、挤压铸造法等制备方式，但成型工艺不够完善，且制得的金属复合材料的塑性较低，利用率较低。
发明内容
为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本发明的目的在于提供一种银氧化镉合金材料微复合加工工艺，该加工工艺操作方便简单，生产效率高，生产成本低，且制得的产品稳定性好，利用率高，可适用于大规模生产。
本发明的目的在于提供一种银氧化镉合金材料，该材料稳定性高，层间不易出现分离现象，利用率高。
本发明的目的通过下述技术方案实现：一种银氧化镉合金材料微复合加工工艺，包括如下步骤：
S1、银氧化镉线材处理：取一银氧化镉线材，依次进行轧扁、第一次退火处理、第一次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉带材；
S2、第一次微复合处理：将纯银带材与步骤S1制得的银氧化镉带材通过可控气氛进行第一次微复合处理，然后依次进行第二次退火处理、第二次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉复纯银带材；
S3、第二次微复合处理：将C1020/C7521合金带材与步骤S2制得的银氧化镉复纯银带材通过可控气氛进行第二次微复合处理，然后依次进行第三退火处理、轧制成型、清洗、第三次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉合金材料。
本发明的微复合加工工艺中，通过对银氧化镉线材进行轧扁，使其形成带材结构，易于与后续的纯银带材相复合，然后经过退火处理，消除加工硬化，再而经过拉丝定寸、清洗抛光制成银氧化镉带材，使得其与后续的纯银带材能复合稳定，不易出现层间分离现象。而纯银带材在银氧化镉合金材料产品中其过渡层作用，复合至银氧化镉带材表面后进行退火处理，使得纯银相均匀扩散于银氧化镉带材表面，复合稳定。再而经过拉丝定寸、清洗抛光制成银氧化镉复纯银带材，便于后续与C1020/C7521合金带材微复合。
与C1020/C7521合金带材微复合时，C1020合金面与纯银相面相复合，复合后的退火处理促进C1020合金相与纯银相相扩散，提高微复合的稳定性，不易出现层间分离现象；然后再经过轧制成型、清洗、第三次拉丝定寸、清洗抛光，则制成银氧化镉合金材料。
优选的，所述步骤S1中，轧扁处理将银氧化镉线材轧扁至厚度为1.8-2.0mm，第一次退火处理在氢气氛围中进行，温度为450-550℃，退火速度为2.0m/min；所述步骤S1中，第一次拉丝定寸至银氧化镉带材厚度为1.7-1.9mm。
本发明通过将银氧化镉线材轧扁至特定厚度，能提高其后续与纯银带材的复合稳定性，控制第一次退火处理在氢气氛围中，并严格控制退火温度和速度，能避免银氧化镉线材及纯银带材在高温含氧环境中发生氧化现象，提高纯银相在银氧化镉带材表面的扩散均匀性，提高微复合稳定性，避免出现层间分离现象；而严格限定第一次拉丝定寸的银氧化镉带材厚度，能提高其后续与C1020/C7521合金带材的复合稳定性，厚度过厚则降低了复合的层间稳定性，复合效果降低，层间容易出现分离现象。
优选的，所述步骤S2中，纯银带材的厚度为0.1-0.2mm；所述步骤S2中，第一次微复合处理在氢气保护气氛中进行，温度为680-720℃，并加压复合至厚度为1.3-1.5mm。
本发明的纯银带材作为过渡层，起到起到银氧化镉带材与C1020/C7521合金带材之间的复合稳定性，而严格控制纯银带材的厚度，能使其在微复合和退火条件下纯银相扩散于银氧化镉带材表面和C1020/C7521合金带材的C1020表面，进而实现微复合；同时控制在氢气氛围中进行微复合处理，并严格控制微复合过程的温度，避免银氧化镉带材、纯银带材在高温含氧环境中发生氧化现象，避免影响纯银相的退火扩散。最后控制其加压复合厚度，能提高银氧化镉复纯银带材后续与C1020/C7521合金带材的复合稳定性，厚度过厚则降低了复合的层间稳定性，复合效果降低，层间容易出现分离现象。
优选的，所述步骤S2中，第二次退火处理在氢气氛围中进行，温度为530-580℃，退火速度为2.0m/min；所述步骤S2中，第二次拉丝定寸至厚度为1.2-1.4mm。
本发明在氢气氛围中进行退火处理，并严格控制退火温度和速度，避免银氧化镉带材、纯银带材在高温含氧环境中发生氧化现象，避免影响纯银相的退火扩散。而严格限定第二次拉丝定寸的银氧化镉带材厚度，能提高其后续与C1020/C7521合金带材的复合稳定性，厚度过厚则降低了复合的层间稳定性，复合效果降低，层间容易出现分离现象。
优选的，所述步骤S3中，C1020/C7521合金带材的厚度为0.8-1.2mm；所述步骤S3中，第二次微复合处理在氢气保护气氛中进行，温度为630-680℃，并加压复合至厚度为1.2-1.4mm。
本发明控制在氢气氛围中进行第二次微复合处理，并严格控制微复合过程的温度，避免银氧化镉带材、纯银带材、C1020/C7521合金带材在高温含氧环境中发生氧化现象，避免影响纯银相在银氧化镉带材表面、C1020/C7521合金带材的C1020面的退火扩散。最后控制其加压复合厚度，能提高产品的复合稳定性，厚度过厚则降低了复合的层间稳定性，复合效果降低，层间容易出现分离现象。
优选的，所述步骤S3中，第三次退火处理在氢气氛围中进行，温度为530-580℃，退火速度为2.0m/min；轧制成型为将材料置于模具中轧制至厚度为1.1-1.3mm，第三次拉丝定寸至厚度为1.0-1.2mm。
本发明通过控制第二次退火处理在氢气氛围中，并严格控制退火温度和速度，能避免银氧化镉线材、纯银带材、C1020/C7521合金带材在高温含氧环境中发生氧化现象，并提高纯银相在银氧化镉带材表面、C1020/C7521合金带材的C1020面的退火扩散均匀性，提高微复合稳定性，避免出现层间分离现象。并通过轧制和拉丝定寸处理，使制得的银氧化镉合金材料产品厚度较薄，层间稳定性较高。
优选的，所述步骤S3中，所述C1020/C7521合金带材通过如下步骤制得：
分别取一C1020带材和一C7521带材，通过可控气氛进行微复合处理，然后依次进行退火处理、拉丝定寸、清洗抛光，制得C1020/C7521合金带材。
所述退火处理在氢气保护气氛中进行，温度为550-600℃；拉丝定寸至厚度为0.8-1.2mm。
本发明的C1020/C7521合金带材同样通过微复合制备，并通过退火处理提高合金相的扩散，使得C1020带材和C7521带材之间稳定性高，不易出现层间分离现象。
本发明的另一目的通过下述技术方案实现：一种由上所述的银氧化镉合金材料微复合加工工艺制得的银氧化镉合金材料，包括由上至下依次设置的银氧化镉层、纯银层、C1020层和C7521层。
优选的，所述银氧化镉层的厚度为0.40-0.45mm，所述纯银层的厚度为0.006-0.01mm，所述C1020层的厚度为0.26-0.30mm，所述C7521层的厚度为0.008-0.012mm。
本发明通过上述微复合方式步骤制备银氧化镉合金材料，操作方便简单，生产效率高，生产成本低，且制得的产品稳定性好，利用率高，可适用于大规模生产。
其中，银氧化镉线材为Φ2.4软态，通过轧扁后形成扁平状带材，然后通过第一次退火处理，消除其加工硬化，促进其后续与纯银微复合的贴合度，经过清洗抛光清洁其表面，避免杂质影响其与纯银微复合的贴合度，此过程制得的银氧化镉带材利用率达到99.7％，成材率达99％。
而银氧化镉带材与纯银带材在氢气氛围中微复合后，经过第二次退火处理扩散退火，促进银氧化镉带材的合金相与纯银带材相扩散，提高两者的贴合度，经过清洗抛光清洁其表面，避免杂质影响银氧化镉复纯银带材与C1020/C7521合金微复合的贴合度，此过程制得的银氧化镉带材利用率达到99％，成材率达98％。
而银氧化镉复纯银带材与C1020/C7521合金在氢气氛围中微复合后，经过第三次退火处理扩散退火，促进合金相的扩散，提高银氧化镉复纯银带材与C1020/C7521合金微复合的贴合度，此过程制得的银氧化镉带材利用率达到98％，成材率达97％。
制成的银氧化镉合金材料模具轧辊轧制成型，制得所需形状结构的银氧化镉合金产品，实用性高。
本发明的有益效果在于：本发明的微复合加工工艺操作方便简单，生产效率高，生产成本低，且制得的产品稳定性好，利用率高，可适用于大规模生产。
附图说明
图1是本发明的部分截面示意图；
附图标记为：1—银氧化镉层、2—纯银层、3—C1020层、4—C7521层。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例及附图1对本发明作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本发明的限定。
实施例1
见附图1，一种银氧化镉合金材料微复合加工工艺，包括如下步骤：
S1、银氧化镉线材处理：取一银氧化镉线材，依次进行轧扁、第一次退火处理、第一次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉带材；
S2、第一次微复合处理：将纯银带材与步骤S1制得的银氧化镉带材通过可控气氛进行第一次微复合处理，然后依次进行第二次退火处理、第二次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉复纯银带材；
S3、第二次微复合处理：将C1020/C7521合金带材与步骤S2制得的银氧化镉复纯银带材通过可控气氛进行第二次微复合处理，然后依次进行第三退火处理、轧制成型、清洗、第三次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉合金材料。
所述步骤S1中，轧扁处理将银氧化镉线材轧扁至厚度为1.8mm，第一次退火处理在氢气氛围中进行，温度为450℃，退火速度为2.0m/min；所述步骤S1中，第一次拉丝定寸至银氧化镉带材厚度为1.7mm。
所述步骤S2中，纯银带材的厚度为0.1mm；所述步骤S2中，第一次微复合处理在氢气保护气氛中进行，温度为680℃，并加压复合至厚度为1.3mm。
所述步骤S2中，第二次退火处理在氢气氛围中进行，温度为530℃，退火速度为2.0m/min；所述步骤S2中，第二次拉丝定寸至厚度为1.2mm。
所述步骤S3中，C1020/C7521合金带材的厚度为0.8mm；所述步骤S3中，第二次微复合处理在氢气保护气氛中进行，温度为630℃，并加压复合至厚度为1.2mm。
所述步骤S3中，第三次退火处理在氢气氛围中进行，温度为530℃，退火速度为2.0m/min；轧制成型为将材料置于模具中轧制至厚度为1.1mm，第三次拉丝定寸至厚度为1.0mm。
所述步骤S3中，所述C1020/C7521合金带材通过如下步骤制得：
分别取一C1020带材和一C7521带材，通过可控气氛进行微复合处理，然后依次进行退火处理、拉丝定寸、清洗抛光，制得C1020/C7521合金带材。
所述退火处理在氢气保护气氛中进行，温度为550℃；拉丝定寸至厚度为0.8mm。
一种由上所述的银氧化镉合金材料微复合加工工艺制得的银氧化镉合金材料，包括由上至下依次设置的银氧化镉层1、纯银层1、C1020层1和C7521层1。
所述银氧化镉层1的厚度为0.40mm，所述纯银层1的厚度为0.006mm，所述C1020层1的厚度为0.26mm，所述C7521层1的厚度为0.008mm。
实施例2
一种银氧化镉合金材料微复合加工工艺，包括如下步骤：
S1、银氧化镉线材处理：取一银氧化镉线材，依次进行轧扁、第一次退火处理、第一次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉带材；
S2、第一次微复合处理：将纯银带材与步骤S1制得的银氧化镉带材通过可控气氛进行第一次微复合处理，然后依次进行第二次退火处理、第二次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉复纯银带材；
S3、第二次微复合处理：将C1020/C7521合金带材与步骤S2制得的银氧化镉复纯银带材通过可控气氛进行第二次微复合处理，然后依次进行第三退火处理、轧制成型、清洗、第三次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉合金材料。
所述步骤S1中，轧扁处理将银氧化镉线材轧扁至厚度为1.8mm，第一次退火处理在氢气氛围中进行，温度为480℃，退火速度为2.0m/min；所述步骤S1中，第一次拉丝定寸至银氧化镉带材厚度为1.7mm。
所述步骤S2中，纯银带材的厚度为0.12mm；所述步骤S2中，第一次微复合处理在氢气保护气氛中进行，温度为690℃，并加压复合至厚度为1.3mm。
所述步骤S2中，第二次退火处理在氢气氛围中进行，温度为540℃，退火速度为2.0m/min；所述步骤S2中，第二次拉丝定寸至厚度为1.2mm。
所述步骤S3中，C1020/C7521合金带材的厚度为0.9mm；所述步骤S3中，第二次微复合处理在氢气保护气氛中进行，温度为640℃，并加压复合至厚度为1.2mm。
所述步骤S3中，第三次退火处理在氢气氛围中进行，温度为540℃，退火速度为2.0m/min；轧制成型为将材料置于模具中轧制至厚度为1.1mm，第三次拉丝定寸至厚度为1.0mm。
所述步骤S3中，所述C1020/C7521合金带材通过如下步骤制得：
分别取一C1020带材和一C7521带材，通过可控气氛进行微复合处理，然后依次进行退火处理、拉丝定寸、清洗抛光，制得C1020/C7521合金带材。
所述退火处理在氢气保护气氛中进行，温度为560℃；拉丝定寸至厚度为0.9mm。
一种由上所述的银氧化镉合金材料微复合加工工艺制得的银氧化镉合金材料，包括由上至下依次设置的银氧化镉层1、纯银层1、C1020层1和C7521层1。
所述银氧化镉层1的厚度为0.41mm，所述纯银层1的厚度为0.007mm，所述C1020层1的厚度为0.27mm，所述C7521层1的厚度为0.009mm。
实施例3
一种银氧化镉合金材料微复合加工工艺，包括如下步骤：
S1、银氧化镉线材处理：取一银氧化镉线材，依次进行轧扁、第一次退火处理、第一次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉带材；
S2、第一次微复合处理：将纯银带材与步骤S1制得的银氧化镉带材通过可控气氛进行第一次微复合处理，然后依次进行第二次退火处理、第二次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉复纯银带材；
S3、第二次微复合处理：将C1020/C7521合金带材与步骤S2制得的银氧化镉复纯银带材通过可控气氛进行第二次微复合处理，然后依次进行第三退火处理、轧制成型、清洗、第三次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉合金材料。
所述步骤S1中，轧扁处理将银氧化镉线材轧扁至厚度为1.9mm，第一次退火处理在氢气氛围中进行，温度为500℃，退火速度为2.0m/min；所述步骤S1中，第一次拉丝定寸至银氧化镉带材厚度为1.8mm。
所述步骤S2中，纯银带材的厚度为0.15mm；所述步骤S2中，第一次微复合处理在氢气保护气氛中进行，温度为700℃，并加压复合至厚度为1.4mm。
所述步骤S2中，第二次退火处理在氢气氛围中进行，温度为550℃，退火速度为2.0m/min；所述步骤S2中，第二次拉丝定寸至厚度为1.3mm。
所述步骤S3中，C1020/C7521合金带材的厚度为1.0mm；所述步骤S3中，第二次微复合处理在氢气保护气氛中进行，温度为650℃，并加压复合至厚度为1.3mm。
所述步骤S3中，第三次退火处理在氢气氛围中进行，温度为550℃，退火速度为2.0m/min；轧制成型为将材料置于模具中轧制至厚度为1.2mm，第三次拉丝定寸至厚度为1.1mm。
所述步骤S3中，所述C1020/C7521合金带材通过如下步骤制得：
分别取一C1020带材和一C7521带材，通过可控气氛进行微复合处理，然后依次进行退火处理、拉丝定寸、清洗抛光，制得C1020/C7521合金带材。
所述退火处理在氢气保护气氛中进行，温度为570℃；拉丝定寸至厚度为1.0mm。
一种由上所述的银氧化镉合金材料微复合加工工艺制得的银氧化镉合金材料，包括由上至下依次设置的银氧化镉层1、纯银层1、C1020层1和C7521层1。
所述银氧化镉层1的厚度为0.43mm，所述纯银层1的厚度为0.008mm，所述C1020层1的厚度为0.29mm，所述C7521层1的厚度为0.010mm。
实施例4
一种银氧化镉合金材料微复合加工工艺，包括如下步骤：
S1、银氧化镉线材处理：取一银氧化镉线材，依次进行轧扁、第一次退火处理、第一次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉带材；
S2、第一次微复合处理：将纯银带材与步骤S1制得的银氧化镉带材通过可控气氛进行第一次微复合处理，然后依次进行第二次退火处理、第二次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉复纯银带材；
S3、第二次微复合处理：将C1020/C7521合金带材与步骤S2制得的银氧化镉复纯银带材通过可控气氛进行第二次微复合处理，然后依次进行第三退火处理、轧制成型、清洗、第三次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉合金材料。
所述步骤S1中，轧扁处理将银氧化镉线材轧扁至厚度为1.9mm，第一次退
火处理在氢气氛围中进行，温度为530℃，退火速度为2.0m/min；所述步骤S1中，第一次拉丝定寸至银氧化镉带材厚度为1.8mm。
所述步骤S2中，纯银带材的厚度为0.18mm；所述步骤S2中，第一次微复合处理在氢气保护气氛中进行，温度为710℃，并加压复合至厚度为1.4mm。
所述步骤S2中，第二次退火处理在氢气氛围中进行，温度为560℃，退火速度为2.0m/min；所述步骤S2中，第二次拉丝定寸至厚度为1.3mm。
所述步骤S3中，C1020/C7521合金带材的厚度为1.1mm；所述步骤S3中，第二次微复合处理在氢气保护气氛中进行，温度为660℃，并加压复合至厚度为1.3mm。
所述步骤S3中，第三次退火处理在氢气氛围中进行，温度为560℃，退火速度为2.0m/min；轧制成型为将材料置于模具中轧制至厚度为1.2mm，第三次拉丝定寸至厚度为1.1mm。
所述步骤S3中，所述C1020/C7521合金带材通过如下步骤制得：
分别取一C1020带材和一C7521带材，通过可控气氛进行微复合处理，然后依次进行退火处理、拉丝定寸、清洗抛光，制得C1020/C7521合金带材。
所述退火处理在氢气保护气氛中进行，温度为580℃；拉丝定寸至厚度为1.1mm。
一种由上所述的银氧化镉合金材料微复合加工工艺制得的银氧化镉合金材料，包括由上至下依次设置的银氧化镉层1、纯银层1、C1020层1和C7521层1。
所述银氧化镉层1的厚度为0.44mm，所述纯银层1的厚度为0.009mm，所述C1020层1的厚度为0.28mm，所述C7521层1的厚度为0.011mm。
实施例5
一种银氧化镉合金材料微复合加工工艺，包括如下步骤：
S1、银氧化镉线材处理：取一银氧化镉线材，依次进行轧扁、第一次退火处理、第一次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉带材；
S2、第一次微复合处理：将纯银带材与步骤S1制得的银氧化镉带材通过可控气氛进行第一次微复合处理，然后依次进行第二次退火处理、第二次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉复纯银带材；
S3、第二次微复合处理：将C1020/C7521合金带材与步骤S2制得的银氧化镉复纯银带材通过可控气氛进行第二次微复合处理，然后依次进行第三退火处理、轧制成型、清洗、第三次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉合金材料。
所述步骤S1中，轧扁处理将银氧化镉线材轧扁至厚度为2.0mm，第一次退火处理在氢气氛围中进行，温度为550℃，退火速度为2.0m/min；所述步骤S1中，第一次拉丝定寸至银氧化镉带材厚度为1.9mm。
所述步骤S2中，纯银带材的厚度为0.2mm；所述步骤S2中，第一次微复合处理在氢气保护气氛中进行，温度为720℃，并加压复合至厚度为1.5mm。
所述步骤S2中，第二次退火处理在氢气氛围中进行，温度为580℃，退火速度为2.0m/min；所述步骤S2中，第二次拉丝定寸至厚度为1.4mm。
所述步骤S3中，C1020/C7521合金带材的厚度为1.2mm；所述步骤S3中，第二次微复合处理在氢气保护气氛中进行，温度为680℃，并加压复合至厚度为1.4mm。
所述步骤S3中，第三次退火处理在氢气氛围中进行，温度为580℃，退火速度为2.0m/min；轧制成型为将材料置于模具中轧制至厚度为1.3mm，第三次拉丝定寸至厚度为1.2mm。
所述步骤S3中，所述C1020/C7521合金带材通过如下步骤制得：
分别取一C1020带材和一C7521带材，通过可控气氛进行微复合处理，然后依次进行退火处理、拉丝定寸、清洗抛光，制得C1020/C7521合金带材。
所述退火处理在氢气保护气氛中进行，温度为600℃；拉丝定寸至厚度为1.2mm。
一种由上所述的银氧化镉合金材料微复合加工工艺制得的银氧化镉合金材料，包括由上至下依次设置的银氧化镉层1、纯银层1、C1020层1和C7521层1。
所述银氧化镉层1的厚度为0.45mm，所述纯银层1的厚度为0.01mm，所述C1020层1的厚度为0.30mm，所述C7521层1的厚度为0.012mm。
对比例1
本对比例与上述实施例3的区别在于：
一种银氧化镉合金材料微复合加工工艺，包括如下步骤：
S1、银氧化镉线材处理：取一银氧化镉线材，依次进行轧扁、第一次退火处理、第一次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉带材；
S2、微复合处理：将C1020/C7521合金带材与与步骤S1制得的银氧化镉带材通过可控气氛进行微复合处理，然后依次进行第二次退火处理、轧制成型、清洗、第二次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉合金材料。
所述步骤S1中，轧扁处理将银氧化镉线材轧扁至厚度为1.9mm，第一次退火处理在氢气氛围中进行，温度为500℃，退火速度为2.0m/min；所述步骤S1中，第一次拉丝定寸至银氧化镉带材厚度为1.8mm。
所述步骤S2中，C1020/C7521合金带材的厚度为1.0mm；所述步骤S3中，微复合处理在氢气保护气氛中进行，温度为650℃，并加压复合至厚度为1.3mm。
所述步骤S2中，第二次退火处理在氢气氛围中进行，温度为550℃，退火速度为2.0m/min；轧制成型为将材料置于模具中轧制至厚度为1.2mm，第三次拉丝定寸至厚度为1.1mm。
所述步骤S2中，所述C1020/C7521合金带材通过如下步骤制得：
分别取一C1020带材和一C7521带材，通过可控气氛进行微复合处理，然后依次进行退火处理、拉丝定寸、清洗抛光，制得C1020/C7521合金带材。
所述退火处理在氢气保护气氛中进行，温度为570℃；拉丝定寸至厚度为1.0mm。
一种由上所述的银氧化镉合金材料微复合加工工艺制得的银氧化镉合金材料，包括由上至下依次设置的银氧化镉层1、C1020层1和C7521层1。
所述银氧化镉层1的厚度为0.43mm，所述C1020层1的厚度为0.29mm，所述C7521层1的厚度为0.010mm。
对比例2
本对比例与上述实施例3的区别在于：
一种银氧化镉合金材料的制备工艺，包括如下步骤：
S1、银氧化镉线材处理：取一银氧化镉线材，依次进行轧扁、第一次退火处理、第一次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉带材；
S2、复合处理，取纯银带材和C1020/C7521合金带材，将步骤S1制得的银氧化镉带材与纯银带材、C1020/C7521合金带材依次叠放，然后依次进行第二次退火处理、轧制成型、清洗、第二次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉合金材料。
所述步骤S1中，轧扁处理将银氧化镉线材轧扁至厚度为1.9mm，第一次退火处理在氢气氛围中进行，温度为500℃，退火速度为2.0m/min；所述步骤S1中，第一次拉丝定寸至银氧化镉带材厚度为1.8mm。
所述步骤S2中，纯银带材的厚度为0.15mm，C1020/C7521合金带材的厚度为1.0mm。
所述步骤S2中，第二次退火处理在氢气氛围中进行，温度为550℃，退火速度为2.0m/min；轧制成型为将材料置于模具中轧制至厚度为1.2mm，第二次拉丝定寸至厚度为1.1mm。
所述步骤S2中，所述C1020/C7521合金带材通过如下步骤制得：
分别取一C1020带材和一C7521带材，通过可控气氛进行微复合处理，然后依次进行退火处理、拉丝定寸、清洗抛光，制得C1020/C7521合金带材。
所述退火处理在氢气保护气氛中进行，温度为570℃；拉丝定寸至厚度为1.0mm。
一种由上所述的银氧化镉合金材料制备工艺制得的银氧化镉合金材料，包括由上至下依次设置的银氧化镉层1、纯银层1、C1020层1和C7521层1。
所述银氧化镉层1的厚度为0.43mm，所述纯银层1的厚度为0.008mm，所述C1020层1的厚度为0.29mm，所述C7521层1的厚度为0.010mm。
分别对上述实施例3和对比例1-2制得的银氧化镉合金材料进行抗拉强度、断后伸长率和边缘分离观察，测试结果如下所示：
由上述数据及现象可知，本申请通过对银氧化镉带材-纯银带材先进行微复合制备银氧化镉复纯银带材，再与C1020/C7521合金带材再一次微复合处理，制得的银氧化镉合金材料产品稳定性高，抗拉强度高，伸长率佳，且不存在层间分离或中部复合不稳而产生的鼓起现象。
而对比例1的方案中并不含有纯银带材，制得的产品抗拉强度、断后伸长率均降低，且边缘出现层间的轻微分离现象，中部出现轻微鼓起，说明银氧化镉带材与C1020/C7521合金带材的直接微复合处理，产品的层间复合稳定性较低，且产品性能降低。表明本发明通过对银氧化镉带材-纯银带材先进行微复合制备银氧化镉复纯银带材，再与C1020/C7521合金带材再一次微复合处理，并严格控制各步骤的退火处理参数及微复合处理参数，使得纯银相向银氧化镉带材表面、C1020/C7521合金带材的C1020面扩散，提高了层间的复合稳定性。
而对比例2的方案中并不采用微复合工艺，而将银氧化镉带材、纯银带材、C1020/C7521合金带材层叠后直接通过退火、轧制处理，制得的产品抗拉强度、断后伸长率均明显降低，且边缘出现层间分离现象，中部出现鼓起现象，说明对银氧化镉带材、纯银带材、C1020/C7521合金带材直接采用层叠后退火处理及轧制处理，产品的边缘及中部的贴合性较低，容易出现层间分离现象，并导致产品的强度降低。表明本发明通过对银氧化镉带材-纯银带材先进行微复合制备银氧化镉复纯银带材，再与C1020/C7521合金带材再一次微复合处理，并严格控制各步骤的退火处理参数及微复合处理参数，使得纯银相向银氧化镉带材表面、C1020/C7521合金带材的C1020面扩散，提高了层间的复合稳定性。
上述实施例为本发明较佳的实现方案，除此之外，本发明还可以其它方式实现，在不脱离本发明构思的前提下任何显而易见的替换均在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种银氧化镉合金材料微复合加工工艺，其特征在于：包括如下步骤：
S1、银氧化镉线材处理：取一银氧化镉线材，依次进行轧扁、第一次退火处理、第一次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉带材；
S2、第一次微复合处理：将纯银带材与步骤S1制得的银氧化镉带材通过可控气氛进行第一次微复合处理，然后依次进行第二次退火处理、第二次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉复纯银带材；
S3、第二次微复合处理：将C1020/C7521合金带材与步骤S2制得的银氧化镉复纯银带材通过可控气氛进行第二次微复合处理，然后依次进行第三退火处理、轧制成型、清洗、第三次拉丝定寸、清洗抛光，制得银氧化镉合金材料；
所述步骤S3中，所述C1020/C7521合金带材通过如下步骤制得：
分别取一C1020带材和一C7521带材，通过可控气氛进行微复合处理，然后依次进行退火处理、拉丝定寸、清洗抛光，制得C1020/C7521合金带材；
所述退火处理在氢气保护气氛中进行，温度为550-600℃。
2.根据权利要求1所述的一种银氧化镉合金材料微复合加工工艺，其特征在于：所述步骤S1中，轧扁处理将银氧化镉线材轧扁至厚度为1.8-2.0mm，第一次退火处理在氢气氛围中进行，温度为450-550℃，退火速度为2.0m/min；所述步骤S1中，第一次拉丝定寸至银氧化镉带材厚度为1.7-1.9mm。
3.根据权利要求1所述的一种银氧化镉合金材料微复合加工工艺，其特征在于：所述步骤S2中，纯银带材的厚度为0.1-0.2mm；所述步骤S2中，第一次微复合处理在氢气保护气氛中进行，温度为680-720℃，并加压复合至厚度为1.3-1.5mm。
4.根据权利要求1所述的一种银氧化镉合金材料微复合加工工艺，其特征在于：所述步骤S2中，第二次退火处理在氢气氛围中进行，温度为530-580℃，退火速度为2.0m/min；所述步骤S2中，第二次拉丝定寸至厚度为1.2-1.4mm。
5.根据权利要求1所述的一种银氧化镉合金材料微复合加工工艺，其特征在于：所述步骤S3中，C1020/C7521合金带材的厚度为0.8-1.2mm；所述步骤S3中，第二次微复合处理在氢气保护气氛中进行，温度为630-680℃，并加压复合至厚度为1.2-1.4mm。
6.根据权利要求1所述的一种银氧化镉合金材料微复合加工工艺，其特征在于：所述步骤S3中，第三次退火处理在氢气氛围中进行，温度为530-580℃，退火速度为2.0m/min；轧制成型为将材料置于模具中轧制至厚度为1.1-1.3mm，第三次拉丝定寸至厚度为1.0-1.2mm。
7.根据权利要求1所述的一种银氧化镉合金材料微复合加工工艺，其特征在于：所述步骤S3中，C1020带材和C7521带材微复合及退火处理后，拉丝定寸至厚度为0.8-1.2mm。
8.一种由权利要求1-7任一项所述的银氧化镉合金材料微复合加工工艺制得的银氧化镉合金材料，其特征在于：包括由上至下依次设置的银氧化镉层、纯银层、C1020层和C7521层。
9.根据权利要求8所述的一种银氧化镉合金材料，其特征在于：所述银氧化镉层的厚度为0.40-0.45mm，所述纯银层的厚度为0.006-0.01mm，所述C1020层的厚度为0.26-0.30mm，所述C7521层的厚度为0.008-0.012mm。
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