CN111702560B - 一种适用于剪切增稠抛光的抛光头及抛光方法 - Google Patents

一种适用于剪切增稠抛光的抛光头及抛光方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111702560B
CN111702560B CN202010492399.5A CN202010492399A CN111702560B CN 111702560 B CN111702560 B CN 111702560B CN 202010492399 A CN202010492399 A CN 202010492399A CN 111702560 B CN111702560 B CN 111702560B
Authority
CN
China
Prior art keywords
polishing
polishing head
dynamic pressure
shear thickening
pressure effect
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010492399.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111702560A (zh
Inventor
郭江
朱志成
宋传平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dalian University of Technology
Original Assignee
Dalian University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dalian University of Technology filed Critical Dalian University of Technology
Priority to CN202010492399.5A priority Critical patent/CN111702560B/zh
Publication of CN111702560A publication Critical patent/CN111702560A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111702560B publication Critical patent/CN111702560B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B31/00Machines or devices designed for polishing or abrading surfaces on work by means of tumbling apparatus or other apparatus in which the work and/or the abrasive material is loose; Accessories therefor
    • B24B31/003Machines or devices designed for polishing or abrading surfaces on work by means of tumbling apparatus or other apparatus in which the work and/or the abrasive material is loose; Accessories therefor whereby the workpieces are mounted on a holder and are immersed in the abrasive material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes

Abstract

一种适用于剪切增稠抛光的抛光头及抛光方法,包括抛光头基体、动压效应区、约束边界、装配孔;抛光头基体为类似圆盘结构。约束边界为外缘高内周低的倾斜形状,位于抛光头基体外缘。装配孔设于抛光头基体中间。动压效应区呈圆环状并占据抛光头的主要区域,形状为楔形、抛物线形、阶梯形中的一种。抛光头基体固定在抛光杆上,抛光杆与五轴联动数控机床连接,抛光头基体在抛光杆的驱动下旋转并随抛光杆可实现任意角度的倾斜。当抛光头运动到指定加工位置,抛光头旋转带动剪切增稠抛光液转动发生剪切增稠现象,实现材料的去除。本发明可以实现剪切增稠抛光的定点局部加工并且改变抛光头转速和与工件的距离实现抛光压力控制;适用范围广、效率高、加工质量高、装置简单。

Description

一种适用于剪切增稠抛光的抛光头及抛光方法
技术领域
本发明属于精密/超精密加工领域,涉及一种可以实现剪切增稠抛光的抛光头及其抛光方法。
背景技术
近年来,随着科学技术的发展,航空航天、生物医用器械、太空监测、航海等领域取得了重大突破。在高精尖科学领域对超精密元器件的要求越来越高,在一定程度上也推动了超精密加工技术的迅速发展。研磨、抛光一般用于超精密加工的最后一道工序,其技术的优劣将直接决定最终产品的性能好坏。
由于超精密零件形状通常呈现曲面甚至复杂曲面,对抛光技术的适用性也提出了新的要求。目前的曲面抛光方法有计算机控制表面成型技术、抛光工具变形可控的曲面加工技术、抛光工具的“研抛模”柔度变化可控的曲面加工技术、离子束与等离子体的曲面加工技术等。计算机控制表面成型技术通过计算机精确规划小磨头抛光的正压力、驻留时间和抛光路径,进而实现有效地控制材料去除率,但是目前的小工具磨头不能与曲面很好吻合,不易保证面形进度;抛光工具变形可控的曲面加工技术在计算机控制表面成型技术的基础上利用抛光工具同工件接触时变形从而达到抛光工具与面形吻合,但是这种方法存在边缘效应,边缘加工质量控制难度较大;抛光工具的“研抛模”柔度变化可控的曲面加工技术通过计算机分别控制磁场、流场等方式改变研抛模的柔度来实现抛光过程的控制,但是在射流加工中急剧的压力梯度、表面张力等综合作用会导致抛光区去除不稳定,而且磁性磨粒制备成本较高;离子束与等离子体的曲面加工技术利用高能量粒子冲击工件表面的原子或分子,使其溢出表面实现材料去除,但是使用设备成本较高。在上述方法的基础上,有学者提出了一种基于非牛顿幂律流体抛光液的剪切增稠抛光方法,通过工件与抛光液的相对运动,在一定的剪切速率下使抛光液发生剪切增稠现象,抛光液形成粒子簇,利用粒子簇的微切削作用去除材料。这种抛光方法抛光效率高,可以获得少/无损伤的表面,而且抛光液原料易获得,成本低。
专利CN 201410400983.8公开了一种超声控制的剪切增稠抛光方法及其装置,通过超声波发生装置在一定的振幅和频率下带动抛光液振动,通过与工件的相对运动使得抛光液发生剪切增稠现象,实现材料的去除。专利CN 201810122104.8公开了一种高效超精密剪切增稠—化学协同抛光装置,包括抛光工具、抛光工具夹具、抛光固定盘、防尘罩及抛光液循环装置,抛光固动盘安装在防尘罩内,防尘罩上设有抛光工具夹具,此装置加工效率高,扩展了加工材料的范围。目前的剪切增稠加工方法主要针对工件的全工作面抛光,不能实现工件的局部抛光、修形。因此,亟待提出一种可实现局部区域剪切增稠抛光的抛光头及抛光方法。
发明内容
本发明的目的在于,为了克服目前的剪切增稠抛光不能实现工件定点局部加工,抛光可控性较差等难题,提供一种适用于剪切增稠抛光的抛光头及其抛光方法,本发明适用范围广、效率高、加工质量高、装置简单。
本发明为解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种适用于剪切增稠抛光的抛光头,包括抛光头基体、动压效应区、约束边界、装配孔;所述抛光头基体固定在抛光杆2上,抛光杆2与五轴联动数控机床连接,抛光头基体在抛光杆2的驱动下旋转并随抛光杆2可实现任意角度的倾斜。
所述抛光头基体为类似圆盘结构,圆盘外周面的直径为10-50mm,圆盘外周面的厚度为10-20mm。
所述约束边界为外缘高内周低的倾斜形状,倾斜面的形状为直面或抛物面中的一种,约束边界的径向横截面为类三角形结构,设置在抛光头基体的外缘上,其目的是为了增加动压效应区的动压效应,防止边缘效应对加工的影响。
所述装配孔设于抛光头基体中间,用于固定抛光头基体和抛光杆2并实现两者的刚性连接。所述装配孔为螺纹孔并与自锁螺母连接,其目的是保证抛光头1旋转时实现自锁。
所述的抛光头基体的底面为圆环状的动压效应区,动压效应区向内与装配孔边界接触,向外与约束边界接触,其沿轴向从内向外厚度增大,目的是为了当抛光头1旋转时带动周围的抛光液4运动并在抛光头1和工件3加工区域之间形成比较均匀的动压效应,增大抛光液4的动压力,从而加大抛光液4中的磨粒8对工件3的作用力。所述动压效应区的截面形状为楔形、抛物线形、阶梯形中的一种,根据动压效应区的形状的不同,抛光头包括抛物线形抛光头、阶梯形抛光头、楔形抛光头三种结构,每种结构均包括以上四部分(抛光头基体、动压效应区、约束边界、装配孔)。
如图2所示为动压效应区为抛物线形结构的抛光头,包括类似圆盘结构的抛物线形抛光头基体103、抛物线形抛光头动压效应区104、抛物线形抛光头约束边界102、抛物线形抛光头装配孔101。所述抛物线形抛光头动压效应区104中间(临近装配孔处)和边缘(临近约束边界处)的高度差为5mm-10mm。边缘处的抛物线形抛光头约束边界102同样为边缘高内周低的类三角形结构,高度差为0.2mm-5mm,径向宽度为1mm-5mm,斜面为抛物线形曲面。
如图3所示为动压效应区为阶梯形结构的抛光头,包括类似圆盘结构的阶梯形抛光头基体113、阶梯形抛光头动压效应区114、阶梯形抛光头约束边界112、阶梯形抛光头装配孔111。所述阶梯形抛光头动压效应区114中间(临近装配孔处)和边缘(临近约束边界处)的高度差为5mm-10mm,小阶梯的数量为2-10个,小阶梯的宽度和高度的比值为3-10。边缘处的阶梯形抛光头约束边界112高度差为0.2mm-5mm,径向宽度为1mm-5mm,斜面为直面。
如图4所示为动压效应区为楔形结构的抛光头,包括类似圆盘结构的楔形抛光头基体123、楔形抛光头动压效应区124、楔形抛光头约束边界122、楔形抛光头装配孔121。所述楔形抛光头动压效应区124中间(临近装配孔处)和边缘(临近约束边界处)的高度差为5mm-10mm,楔形抛光头楔形动压效应区124与水平面的倾斜角度为1°-10°。边缘处的楔形抛光头约束边界122高度差为0.2mm-5mm,径向宽度为1mm-5mm,斜面为直面。
进一步地,所述抛光头基体的材质为不锈钢、铝合金、橡胶、聚氨酯的其中一种。
一种适用于剪切增稠抛光的抛光方法,包括以下步骤:
第一步,将具有剪切增稠效应的抛光液4放入到抛光池5中,保证工件3通过夹具6定位夹紧并完全浸没在抛光液4中;
第二步,将抛光头1通过装配孔安装固定在抛光杆2上;
第三步,抛光头1通过抛光杆2移动到指定的加工位置并保证抛光头1的轴线与工件3加工区域的法线重合。
第四步,启动机床,机床主轴预设一定转速使抛光杆2带动抛光头1旋转,抛光头1带动具有剪切增稠效应的抛光液4转动,并保证产生的剪切速率可以使抛光液4发生剪切增稠效应。如图5所示,抛光头带动具有剪切增稠效应的抛光液转动,当抛光的剪切速率达到剪切增稠区间时,抛光液4中的磨粒8与剪切增稠粒子9形成粒子簇7,形成固着磨具头,增大了磨粒8对于工件3的剪切力。另一方面,抛光头1中的动压效应区形成动压效应,增大了抛光液4的动压力,从而加大了磨粒8对于工件3的接触压力,可以有效去除工件表面粗糙峰,提高了抛光效率。最终在剪切增稠效应形成的剪切力和动压力的作用下,实现材料的高效去除。当工件表面的粗糙峰被去除后,粒子簇7消失。
进一步的,所述用于剪切增稠的抛光液4包括去离子水、剪切增稠粒子9、磨粒8、防腐剂。所述剪切增稠粒子9选用多羟基聚合物,比例为25~35wt%。所述磨粒8选用氧化铝、碳化硅、金刚石、氧化铈、氧化锆中的一种或多种组合,粒径0.5~10μm,比例15~25wt%。所述防腐剂选用苯甲酸钠,比例0.2~0.5wt%。其余为去离子水。
进一步的,所述机床的主轴转速设置为500-3000rpm,抛光头1的最低点与工件3的距离为10-300μm,通过调整转速和两者的距离实现抛光动压力的控制。
与现有的发明技术相比,本发明的有益效果主要体现在:(1)本发明提出了一种适用于剪切增稠抛光的抛光头并可以实现对工件的定点局部加工,提高了剪切增稠抛光的灵活性;(2)本发明可以通过调节抛光头的转速以及抛光头和工件之间的距离来控制抛光动压力和剪切力,提高了加工的可控性;(3)本发明的抛光液具有剪切增稠效应,形成的粒子簇7增大了对磨粒8的把持力,另一方面动压效应增大了磨粒8对工件的压力,提高了抛光效率。
附图说明
图1为整个抛光装置的原理图。
图2(a)为动压效应区为楔形的抛光头结构示意图;图2(b)为动压效应区为楔形的抛光头横截面示意图。
图3(a)为动压效应区为抛物线形的抛光头结构示意图;图3(b)为动压效应区为抛物线形的抛光头横截面示意图。
图4(a)为动压效应区为阶梯形的抛光头结构示意图;图4(b)为动压效应区为阶梯形的抛光头横截面示意图。
图5为抛光原理图。
图中:1抛光头;2抛光杆;3工件;4抛光液;5抛光池;6夹具;7粒子簇;8磨粒;9剪切增稠粒子;101抛物线形抛光头装配孔;102抛物线形抛光头约束边界;103抛物线形抛光头基体;104抛物线形抛光头动压效应区;111阶梯形抛光头装配孔;112阶梯形抛光头约束边界;113阶梯形抛光头基体;114阶梯形抛光头动压效应区;121楔形抛光头装配孔;122楔形抛光头约束边界;123楔形抛光头基体;124楔形抛光头动压效应区。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如附图1至图5所示,一种适用于剪切增稠抛光的抛光头,包括抛光头基体、动压效应区、约束边界、装配孔;所述抛光头基体固定在抛光杆2上,抛光杆2与五轴联动数控机床连接,抛光头基体在抛光杆2的驱动下旋转并随抛光杆2可实现任意角度的倾斜。所述抛光头结构选用楔形抛光头。所述楔形抛光头基体123为类似圆盘结构,圆盘外周面的直径为40mm,圆盘外周面的厚度为15mm,材料选用不锈钢。所述的楔形抛光头动压效应区124向内与楔形抛光头装配孔121边界接触,向外与楔形抛光头约束边界122接触,其沿轴向从内向外厚度增大,目的是为了当抛光头1旋转时带动周围的抛光液4运动并在抛光头1和工件3加工区域之间形成比较均匀的动压效应,增大抛光液4的动压力,从而加大抛光液4中的磨粒8对工件3的作用力,所述楔形抛光头动压效应区124中间(临近装配孔处)和边缘(临近约束边界处)的高度差为8mm,与水平面的倾斜角度为3°。所述楔形抛光头约束边界122为外缘高内周低的倾斜形状,楔形抛光头约束边界122高度差为1mm,径向宽度为4mm,倾斜面的形状为直面,约束边界的径向横截面为类三角形结构,设置在楔形抛光头基体123的外缘上,其目的是为了增加楔形抛光头动压效应区124的动压效应,防止边缘效应对加工的影响。所述楔形抛光头装配孔121设于楔形抛光头基体123中间,用于固定楔形抛光头基体123和抛光杆2并实现两者的刚性连接,所述楔形抛光头装配孔121为螺纹孔并与自锁螺母连接,其目的是保证抛光头1旋转时实现自锁。
针对一种适用于剪切增稠抛光的抛光方法,包括以下步骤:
第一步,将具有剪切增稠效应的抛光液4放入到抛光池5中,保证工件3通过夹具6定位夹紧并完全浸没在抛光液4中。其中,所述用于剪切增稠的抛光液4包括去离子水、剪切增稠相、磨粒8、防腐剂。所述剪切增稠粒子9选用多羟基聚合物中的玉米淀粉,比例为20wt%。所述磨粒8选用氧化铝、粒径5μm,比例20wt%。所述防腐剂选用苯甲酸钠,比例0.3wt%。其余为去离子水。
第二步,将抛光头1通过装配孔安装固定在抛光杆2上。
第三步,抛光头1通过抛光杆2移动到指定的加工位置并保证抛光头1的轴线与工件3加工区域的法线重合。其中,抛光头1的最低点与工件3的距离为30μm。
第四步,启动机床,机床主轴转动使抛光杆2带动抛光头1旋转,抛光头1带动具有剪切增稠效应的抛光液4转动并保证产生的剪切速率可以使抛光液4发生剪切增稠效应。其中,机床的主轴转速设置为2000rpm。抛光液4中的磨粒8与剪切增稠粒子9形成粒子簇7,形成固着磨具头,增大了磨粒8对于工件3的剪切力。另一方面,抛光头1中的动压效应区形成动压效应,增大了抛光液4的液压,从而加大了磨粒8对于工件3的压力,提高了抛光效率。最终在剪切增稠效应形成的剪切力和动压力的作用下,实现材料的高效去除。
在实际加工过程中,首先根据工件3的初始面型计算出加工驻留时间和最优的加工路径。然后可以通过控制抛光液4的剪切增稠粒子和磨粒8的浓度、磨粒8粒径大小、主轴转速、抛光头1与工件3的加工距离等来控制加工效果,实现超精密的局部抛光。
以上所述实施例仅表达本发明的实施方式,但并不能因此而理解为对本发明专利的范围的限制,应当指出,对于本领域的技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些均属于本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种适用于剪切增稠抛光的抛光头,其特征在于,所述抛光头包括抛光头基体、动压效应区、约束边界、装配孔;所述抛光头基体固定在抛光杆(2)上,抛光杆(2)与五轴联动数控机床连接,抛光头基体在抛光杆(2)的驱动下旋转并随抛光杆(2)能够实现任意角度的倾斜;
所述抛光头基体为类似圆盘结构,圆盘外周面的直径为10-50mm,圆盘外周面的厚度为10-20mm;
所述约束边界设置在抛光头基体的外缘,为外缘高内周低的倾斜形状,倾斜面的形状为直面或抛物面中的一种,约束边界的径向横截面为类三角形结构;
所述装配孔设于抛光头基体中间,为螺纹孔并与自锁螺母连接,用于固定抛光头基体和抛光杆(2)并实现两者的刚性连接,且能够保证抛光头(1)旋转时实现自锁;
所述的抛光头基体的底面为圆环状的动压效应区,动压效应区向内与装配孔边界接触,向外与约束边界接触,其沿径向从内向外厚度增大;所述动压效应区的形状为楔形、抛物线形、阶梯形中的一种,根据动压效应区的形状的不同,抛光头包括抛物线形抛光头、阶梯形抛光头、楔形抛光头三种结构。
2.根据权利要求1所述的一种适用于剪切增稠抛光的抛光头,其特征在于,所述的抛物线形抛光头包括类似圆盘结构的抛物线形抛光头基体(103)、抛物线形抛光头动压效应区(104)、抛物线形抛光头约束边界(102)、抛物线形抛光头装配孔(101);所述抛物线形抛光头动压效应区(104)中间和边缘的高度差为5mm-10mm;边缘处的抛物线形抛光头约束边界(102)同样为边缘高内周低的类三角形结构,高度差为0.2mm-5mm,径向宽度为1mm-5mm,斜面为抛物线形曲面。
3.根据权利要求1所述的一种适用于剪切增稠抛光的抛光头,其特征在于,所述的阶梯形抛光头包括类似圆盘结构的阶梯形抛光头基体(113)、阶梯形抛光头动压效应区(114)、阶梯形抛光头约束边界(112)、阶梯形抛光头装配孔(111);所述阶梯形抛光头动压效应区(114)中间和边缘的高度差为5mm-10mm,小阶梯的数量为2-10个,小阶梯的宽度和高度的比值为3-10;边缘处的阶梯形抛光头约束边界(112)高度差为0.2mm-5mm,径向宽度为1mm-5mm,斜面为直面。
4.根据权利要求1所述的一种适用于剪切增稠抛光的抛光头,其特征在于,所述的楔形抛光头包括类似圆盘结构的楔形抛光头基体(123)、楔形抛光头动压效应区(124)、楔形抛光头约束边界(122)、楔形抛光头装配孔(121);所述楔形抛光头动压效应区(124)中间和边缘的高度差为5mm-10mm,楔形抛光头动压效应区(124)与水平面的倾斜角度为1°-10°;边缘处的楔形抛光头约束边界(122)高度差为0.2mm-5mm,径向宽度为1mm-5mm,斜面为直面。
5.根据权利要求1-4任一所述的一种适用于剪切增稠抛光的抛光头,其特征在于,所述抛光头基体的材质为不锈钢、铝合金、橡胶、聚氨酯的其中一种。
6.一种基于权利要求1-5任一所述的抛光头实现剪切增稠抛光的抛光方法,其特征在于,包括以下步骤:
第一步,将具有剪切增稠效应的抛光液(4)放入到抛光池(5)中,保证工件(3)通过夹具(6)定位夹紧并完全浸没在抛光液(4)中;
第二步,将抛光头(1)通过装配孔安装固定在抛光杆(2)上;
第三步,抛光头(1)通过抛光杆(2)移动到指定的加工位置并保证抛光头(1)的轴线与工件(3)加工区域的法线重合;
第四步,启动机床,机床主轴预设一定转速使抛光杆(2)带动抛光头(1)旋转,抛光头(1)带动具有剪切增稠效应的抛光液(4)转动,并保证产生的剪切速率能够使抛光液(4)发生剪切增稠效应,在剪切增稠效应形成的剪切力和动压力的作用下,实现材料的高效去除;所述机床的主轴转速设置为500-3000rpm,抛光头(1)的最低点与工件(3)的距离为10-300μm,通过调整转速和两者的距离实现抛光动压力的控制。
7.一种基于权利要求6所述的抛光头实现剪切增稠抛光的抛光方法,其特征在于,所述抛光液(4)包括去离子水、剪切增稠粒子(9)、磨粒(8)、防腐剂;所述剪切增稠粒子(9)选用多羟基聚合物,比例为25~35wt%;所述磨粒(8)选用氧化铝、碳化硅、金刚石、氧化铈、氧化锆中的一种或多种组合,粒径0.5~10μm,比例为15~25wt%;所述防腐剂选用苯甲酸钠,比例为0.2~0.5wt%;其余为去离子水。
CN202010492399.5A 2020-06-03 2020-06-03 一种适用于剪切增稠抛光的抛光头及抛光方法 Active CN111702560B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010492399.5A CN111702560B (zh) 2020-06-03 2020-06-03 一种适用于剪切增稠抛光的抛光头及抛光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010492399.5A CN111702560B (zh) 2020-06-03 2020-06-03 一种适用于剪切增稠抛光的抛光头及抛光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111702560A CN111702560A (zh) 2020-09-25
CN111702560B true CN111702560B (zh) 2021-07-02

Family

ID=72537613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010492399.5A Active CN111702560B (zh) 2020-06-03 2020-06-03 一种适用于剪切增稠抛光的抛光头及抛光方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111702560B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112171434A (zh) * 2020-09-28 2021-01-05 中国人民解放军国防科技大学 一种基于剪切增稠抛光的修形装置及方法
CN112658812B (zh) * 2020-12-18 2023-01-10 中国人民解放军国防科技大学 一种ccos剪切增稠抛光方法
CN113103070B (zh) * 2021-03-05 2022-07-26 华南理工大学 一种剪切增稠磨料流复合磨削加工微槽的方法
CN114473720B (zh) * 2022-01-27 2023-10-27 大连理工大学 一种透镜阵列光学元件抛光方法及装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11254305A (ja) * 1998-03-12 1999-09-21 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハの両面研磨方法と該研磨方法に用いるウエーハキャリア
WO2013016779A1 (en) * 2011-08-03 2013-02-07 The University Of Sydney Methods, systems and compositions for polishing
CN105033833A (zh) * 2015-08-11 2015-11-11 浙江工业大学 基于非牛顿流体剪切增稠机理的孔内壁抛光装置
CN108500741A (zh) * 2018-04-13 2018-09-07 浙江工业大学 一种定点释放化学作用的力流变抛光方法
CN108907906A (zh) * 2018-08-08 2018-11-30 西安工业大学 一种非牛顿幂律流体作为抛光介质的液浮抛光方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11254305A (ja) * 1998-03-12 1999-09-21 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハの両面研磨方法と該研磨方法に用いるウエーハキャリア
WO2013016779A1 (en) * 2011-08-03 2013-02-07 The University Of Sydney Methods, systems and compositions for polishing
CN105033833A (zh) * 2015-08-11 2015-11-11 浙江工业大学 基于非牛顿流体剪切增稠机理的孔内壁抛光装置
CN108500741A (zh) * 2018-04-13 2018-09-07 浙江工业大学 一种定点释放化学作用的力流变抛光方法
CN108907906A (zh) * 2018-08-08 2018-11-30 西安工业大学 一种非牛顿幂律流体作为抛光介质的液浮抛光方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111702560A (zh) 2020-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111702560B (zh) 一种适用于剪切增稠抛光的抛光头及抛光方法
CN111716159B (zh) 一种自由曲面的抛光方法及装置
CN113103070B (zh) 一种剪切增稠磨料流复合磨削加工微槽的方法
CN109551363B (zh) 一种内冷却磨削砂轮
CN105058254B (zh) 一种大尺寸径向超声辅助端面磨削磨盘
CN106002500A (zh) 一种增压超声空化三相磨粒流旋流抛光加工装置
CN109514358B (zh) 一种型面约束超声振动辅助旋转磨料流光整加工装置
CN204954499U (zh) 可抑制光学元件中频误差的超声振动抛光磨头装置
CN114473720A (zh) 一种透镜阵列光学元件抛光方法及装置
CN215240149U (zh) 一种半导体材料的化学机械磨抛装置
KR102068538B1 (ko) 자기유변유체를 이용한 연마장치 및 그것을 이용한 연마방법
CN209936704U (zh) 一种超声空化辅助射流抛光系统
CN105171537B (zh) 可抑制光学元件中频误差的超声振动抛光磨头装置
CN104191156B (zh) 一种利用超声波空蚀加工平板表面微坑的方法
CN210732094U (zh) 一种螺旋形流体动压抛光垫
CN113172486B (zh) 一种复合材料管状蜂窝曲面的超声辅助磨削加工方法
JPS62152674A (ja) 研削砥石の目詰り防止装置
CN110757258B (zh) 一种丝杆螺母的内螺旋滚道的加工方法
CN104608041B (zh) 涡流式孔表面滚磨光整加工装置及其加工方法
CN112109002A (zh) 一种磨料水射流抛光可调节喷头
CN215789037U (zh) 一种振动辅助磁性剪切增稠抛光装置
CN203527153U (zh) 磁流变液曲面抛光系统
CN218697304U (zh) 一种电解铣磨抛一体化加工装置
CN116922259B (zh) 超精密双面自动研磨机
Matsumura et al. Deburring of micro-scale structures machined in milling

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant