CN111698821A - 基座、基座偏压的调整方法和等离子体发生装置 - Google Patents

Abstract

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及基座、基座偏压的调整方法和等离子体发生装置。该基座包括金属盘，该金属盘包括互相绝缘设置的至少两个子盘，每一子盘均与射频源和偏压电源连接，基座还设置有偏压电源的调整电路，所有子盘均与调整电路连接，调整电路用于：以所有子盘中绝对值最小的偏压电源的直流偏压值为基准电压值，将施加至其他子盘的偏压电源的直流偏压值调节至与基准电压值相比在一设定范围内。其通过对基座上的电场分布进行调整，即通过自动检测并比较偏压电源的直流偏压值来调整各子盘所施加偏压电源的直流偏压值的大小，对基座上的偏压电源分区进行自动调整，从而实现整个基座区域刻蚀的均匀性调整，改善对晶圆刻蚀的均匀性。

Description

基座、基座偏压的调整方法和等离子体发生装置

技术领域

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种基座、基座偏压的调整方法和等离子体发生装置。

背景技术

在半导体制造工艺中，电感耦合等离子体发生装置(ICP)可以在较低工作气压下获得高密度的等离子体，而且结构简单、造价低，同时可以对产生等离子体的射频源(决定等离子体密度)与基座射频源(决定入射到晶圆上的粒子能量)独立控制，因此广泛应用于等离子体刻蚀(IC)、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、微电子机械系统(MEMS)和发光二极管(LED)等工艺中。

在气相沉积工艺中的电感耦合等离子体发生装置，作为预清洗(Preclean)腔室，刻蚀速率和均匀性是其重要的技术指标，通常采用SiO₂晶圆(Wafer)作为标定对象。在实际应用中，刻蚀速率控制是较易实现的，而刻蚀均匀性的影响因素则很多，比如反应腔体的形状、上下电极的功率配比、气体流场分布、基座上的电场分布等等，是考察设备性能的重要参数。

如图1所示，基座的金属盘11(Top Plate)为梯形凹面，凹面深度主要取决于待处理的晶圆13的径向刻蚀速率的分布。为了保证刻蚀速率勿下降过多，对刻蚀速率进行调节的一种方式为：对下电极的射频耦合效率进行控制，包括对梯形深度取值范围进行控制以及在凹面处喷涂绝缘层12。待处理的晶圆13放在绝缘层12上，利用金属盘11与晶圆13之间的绝缘层12，增加了中心区域的阻抗，从而降低了中心区域的射频耦合效率，达到降低中心区域刻蚀速率的目的。同时，未被绝缘层12覆盖的区域由于电场较强，有利于提高离子的轰击能量，从而提高刻蚀速率，最终实现晶圆13刻蚀均匀性的改善。

然而，针对不同的工艺，金属盘上凹面的尺寸是不一样的，采用上述实现刻蚀均匀性的控制方式，势必导致需要多种金属盘而造成研发成本的增加和加工周期的增长。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中上述不足，提供一种基座、基座偏压的调整方法和等离子体发生装置，可以针对不同的工艺需要自动调整基座偏压的大小，改善对晶圆刻蚀的均匀性。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是该基座，包括金属盘，其中，所述金属盘包括互相绝缘设置的至少两个子盘，每一所述子盘均与射频源和偏压电源连接，所述基座还设置有所述偏压电源的调整电路，所有所述子盘均与所述调整电路连接，所述调整电路用于：以所有所述子盘中绝对值最小的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值为基准电压值，将施加至其他所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值调节至与所述基准电压值相比在一设定范围内。

优选的是，所述调整电路包括偏压检测模块、控制模块、补偿模块和保护模块，其中：

所述偏压检测模块，其数量与所述子盘的数量相同，每一所述偏压检测模块与一所述子盘连接，用于获取每一所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值，并将所述偏压电源的直流偏压值传送至所述控制模块；

所述控制模块，用于对所有所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值进行比较，计算绝对值最小的所述偏压电源的直流偏压值与其他直流偏压值之间的压差；

所述补偿模块，用于根据所述压差，生成对应的直流补偿偏压；

所述保护模块，设置于所述射频源与所述补偿模块之间，至少用于将所述直流补偿偏压传输到对应的所述子盘上。

优选的是，所述偏压检测模块包括电压获取部、滤波部和运算放大部，其中：

所述电压获取部，与所述子盘连接，包括根据与所述偏压检测模块连接的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值大小设置的分压电阻，通过所述分压电阻确定所述分压电阻分压的比例，以获得正电压形式的所述偏压电源的直流偏压值；

所述滤波部，用于对所述偏压电源滤除直流以外的信号，并将滤波后的所述偏压电源传输至所述运算放大部；

所述运算放大部，用于将所述偏压电源的直流偏压值调整至所述控制模块的处理范围内。

优选的是，各所述子盘的所述偏压电源为负压，处于相对内侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值小于处于外侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值，所述调整电路用于将处于相对内侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值调整为与处于外侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值相等。

优选的是，相邻的所述子盘之间设置有绝缘隔离层，所述绝缘隔离层包括陶瓷层或石英层。

一种基座偏压的调整方法，所述基座包括金属盘，所述方法用于对包括互相绝缘设置的至少两个子盘的所述金属盘的偏压进行调整，每一所述子盘均与射频源和偏压电源连接，其中，以所有所述子盘中所述偏压电源绝对值最小的所述子盘的偏压电源的直流偏压值为基准电压值，将施加至其他所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值调节至与所述基准电压值相比在一设定范围内。

优选的是，包括步骤：

获取每一所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值；

对所有所述子盘的偏压电源进行比较，并计算绝对值最小的所述偏压电源的直流偏压值与其他直流偏压值之间的压差；

根据所述压差，生成对应的直流补偿偏压；

将所述直流补偿偏压传输到对应的所述子盘上。

优选的是，获取每一所述子盘的偏压电源的直流偏压值的步骤，包括：

根据所述子盘的所述偏压电源大小确定分压的比例，获得正电压形式的所述偏压电源；

对所述偏压电源滤除直流以外的信号；

隔绝射频源，并将滤波后的所述偏压电源的直流偏压值的范围进行调整。

优选的是，各所述子盘的所述偏压电源为负压，处于相对内侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值小于处于外侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值，将处于相对内侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值调整为与处于外侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值相等。

一种等离子体发生装置，包括反应腔室和设于所述反应腔室内的基座，所述基座与射频源电连接，其中，所述基座为上述的基座。

本发明的有益效果是：

通过对基座上的电场分布进行调整，也就是通过自动检测并比较偏压电源的直流偏压值来调整各子盘所施加偏压电源的直流偏压值的大小，对基座上的偏压电源分区进行自动调整，实现在不同的工艺和不同的晶圆设计参数条件下，实时、快速完成刻蚀速率的调整，从而实现整个基座区域刻蚀的均匀性调整，改善对晶圆刻蚀的均匀性。

附图说明

图1为现有技术中金属盘的剖面示意图；

图2为本发明实施例1中金属盘的一种结构的剖面示意图；

图3为图2中金属盘的俯视图；

图4为本发明实施例1中偏压电源的调整电路的结构框图；

图5为图4中调整电路的偏压检测模块的电路原理图；

图6为本发明实施例1中金属盘与调整电路的连接示意图；

图7为本发明实施例1中基座的偏压电源的调整方法的流程图；

图8为本发明实施例2中金属盘的另一种结构的剖面示意图；

图9为图8中金属盘的俯视图；

附图标识中：

11-金属盘；12-绝缘层；13-晶圆；110-子盘；A-外环盘；B-内环盘；C-中环盘；

2-调整电路；21-偏压检测模块；211-电压获取部；212-滤波部；213-运算放大部；22-模数转换模块；23-控制模块；24-补偿模块；25-保护模块；

31-隔直电容；

4-射频源。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明基座、基座偏压的调整方法和等离子体发生装置作进一步详细描述。

发明人对刻蚀均匀性的影响因素进行了细致分析，发现：反应腔体的形状是固定的，而气体流场分布受反应腔体的形状限制，因此气体流场分布相当于也是固定的；上下电极的功率配比主要受射频源控制，而对射频源的控制复杂且受限因素众多，难以实现高精度调配。因此，本发明的技术构思在于：根据电压是形成电场的主要控制因素，通过对基座上的电场分布进行调整，也就是对基座上的偏压电源分区进行自动调整，实现分区刻蚀速率的控制，从而实现整个基座区域刻蚀的均匀性调整。

实施例1：

本实施例提供一种基座，该基座通过对金属盘增加偏压电源的调整电路，在降低中心刻蚀速率的同时，还可以针对多种工艺自动调整基座的直流(DC)自偏压大小，调整刻蚀均匀性。从而，在保证离子轰击能量的同时，提高刻蚀速率，并实现晶圆刻蚀均匀性的改善。

对于刻蚀均匀性的控制，本实施例的基座在金属盘与射频源之间增加偏压电源的调整电路。如图2所示，该基座包括金属盘11，金属盘11包括互相绝缘设置的至少两个子盘110，子盘110同心嵌套，每一子盘110均与射频源4和偏压电源连接。基座还设置有偏压电源的调整电路2，所有子盘110均与调整电路2连接，调整电路2用于对子盘110的偏压电源进行调节，以将施加至各子盘110的偏压电源的直流偏压值大小调节为趋于一致；其中，将施加至各子盘110的偏压电源的直流偏压值大小调节为趋于一致是，以所有子盘110中绝对值最小的子盘110的偏压电源的直流偏压值为基准电压值，将施加至其他子盘110的偏压电源的直流偏压值调节至与基准电压值相比在一设定范围内。

偏压电源是在工艺过程中施加在子盘110上的电源，正极一般接到真空室上，正极一般接到子盘110上。通常情况下真空室接地，由于大地一般被认为是零电位，这里的各子盘110的偏压电源为负压，其大小会影响离子轰击待处理的晶圆13表面的能量，因此改变偏压电源的直流偏压值将会有效改变刻蚀速率的大小，偏压电源的直流偏压值的绝对值越小，刻蚀速率越慢。因此，可以将各子盘110之间的直流偏压值的差值调节至最大电压(也就是负压的绝对值最小的电压)的±1％范围内。

在该基座中，处于相对内侧的子盘110的偏压电源的直流偏压值小于处于外侧子盘110的偏压电源的直流偏压值，例如，处于中心区域的内环盘B的偏压电源的直流偏压值的大小为-220V，处于边缘区域的外环盘A的偏压电源的直流偏压值的大小为-200V，可以将各子盘之间的偏压电源的直流偏压值的差值调节至[-202V，-198V]范围内。优选的是，将处于相对内侧的圆环盘110的偏压电源的直流偏压值调整为与处于外侧子盘110的偏压电源的直流偏压值相等。由此，只要在这里加入一个正的直流电压(例如+20V)，就会使中心区域的刻蚀速率变慢，从而改善对晶圆刻蚀的均匀性。优选的是，将处于相对内侧的子盘110的偏压电源的直流偏压值调整为与处于外侧子盘110的偏压电源的直流偏压值相等。

例如，作为预清洗(Preclean)腔室，其工作原理是通过射频功率的作用，将低气压的反应气体(常见气体如氩气)激发为等离子体，等离子体中含有大量的电子、离子和激发态的原子等活性基团，其中的离子在射频电场中获得足够的能量，对晶圆表面进行物理轰击，从而将晶圆表面以及沟槽底部的残留物和金属氧化物清除。预清洗作为物理气相沉积(PVD)工艺的一部分，能明显提升所沉积膜的附着力，有利于后续金属薄膜沉积的有效进行，否则晶圆表面以及沟槽底部的这些残留物和金属氧化物会明显提高电路的电阻，从而提高电路的热损耗，降低半导体芯片的性能。

本实施例中的金属盘11的结构参考图2、图3所示。基座的金属盘11由两个子盘110构成，分别为外环盘A、内环盘B，两者之间不导通，之间可以加入陶瓷或者石英起到绝缘作用。由于基座中心区域的刻蚀速率比较高，因此在内环盘B加上一个偏压电源，用来调节其上的偏压电源的直流偏压值。

在该基座中，调整电路2包括偏压检测模块、控制模块、补偿模块和保护模块。由于偏压检测模块获取的直流偏压值为模拟量，调整电路还包括模数转换模块，模数转换模块设置于偏压检测模块和控制模块之间。如图4所示，调整电路2包括偏压检测模块21、模数转换模块22、控制模块23、补偿模块24和保护模块25，其中：

偏压检测模块21，其数量与子盘110的数量相同，且每一偏压检测模块21与一子盘110连接，用于获取每一子盘110的模拟量的偏压电源的直流偏压值，并将偏压电源的直流偏压值传送至模数转换模块；

模数转换模块22，用于将子盘110的偏压电源的直流偏压值转换为数字量的电压信号，并将数字量的电压信号传送至控制模块23；根据模数转换模块22的通道数量，可以将一个偏压检测模块21连接到一个模数转换模块22，或者将两个以上偏压检测模块21连接到一个模数转换模块22，这里不做限制；

控制模块23，用于对所有子盘110的偏压电源的直流偏压值进行比较，即将数字电压信号进行比较，计算绝对值最小的直流偏压值与其他直流偏压值之间的压差，即计算处于相对内侧的子盘110的偏压电源的直流偏压值相对于处于外侧子盘110的偏压电源的直流偏压值的压差；

补偿模块24，用于根据压差，生成对应的直流补偿偏压；

保护模块25，设置于射频源与补偿模块之间，用于隔绝射频源4与补偿模块24，并将直流补偿偏压传输到对应的子盘110上，也即施加到对应的处于相对内侧的子盘110上。这里的保护模块25优选滤波功能模块，用于防止射频源4对调整电路造成影响。

以下将以具体电路示例偏压电源检测部分的结构，如图5所示，偏压检测模块21包括电压获取部211、滤波部212和运算放大部213，其中：

电压获取部211，与子盘110连接，包括根据与偏压检测模块21连接的子盘110的偏压电源的直流偏压值大小设置的分压电阻，通过分压电阻确定分压电阻分压的比例，以获得正电压形式的偏压电源的直流偏压值；

滤波部212，用于对偏压电源滤除直流以外的信号，并将滤波后的偏压电源传输至运算放大部213；

运算放大部213，与模数转换模块22连接，用于将偏压电源的直流偏压值调整至控制模块23的处理范围内。

在偏压检测模块21中，首先根据偏压电源的直流偏压值大小来确定分压电阻R1分压的比例，确保分压部分小于12V，因为控制模块23(例如数字信号处理器DSP、单片机MCU等控制芯片)接收的信号只能为正，而偏压电源为负压；然后经过滤波，滤除直流以外的信号，保证输出的信号为直流；之后经过运算放大器，把这个信号调整到控制模块23能接收的信号范围内，即通过模数转换模块22就能把模拟量的电压信号转换为数字量的电压信号并传送给控制模块23，控制模块23自动处理这个电压信号并计算出真实的偏压电源的直流偏压值大小。控制模块23中的内置算法计算不同子盘的偏压电源的直流偏压值，并比较其压差值，然后由控制模块23控制补偿模块24补偿这个压差值。

优选的是，根据与金属盘11的中心距离的不同，子盘110具有不同的环盘宽，多个子盘110形成平滑过渡的凹部表面。相邻的子盘110之间设置有绝缘隔离层(图2、图3中未示出))，绝缘隔离层包括陶瓷层或石英层。

由于工艺的多样性和晶圆13的多样性，该基座结构将金属盘11划分为多个子盘110，且在每个子盘110上可施加不同的偏压电源，因此可实现偏压电源的直流偏压值大小的多样性；并且，通过对每个子盘110的偏压电源的直流偏压值进行监控和自动调整，可获得较好的刻蚀均匀性，扩大基座的使用的范围。

如图6所示，每一子盘110与射频源4连接，且互相绝缘的子盘110与射频源4之间设置有隔直电容31，以保证各子盘110之间的电性独立。

相应的，本实施例还提供一种基座偏压的调整方法，基座包括金属盘，方法用于对包括互相绝缘设置的至少两个子盘的金属盘的偏压进行调整，每一子盘均与射频源和偏压电源连接。该基座偏压的调整方法用于以所有子盘中绝对值最小的偏压电源的直流偏压值为基准电压值，将施加至其他子盘的偏压电源的直流偏压值调节至与基准电压值相比在一设定范围内。如图7所示，该基座偏压的调整方法包括步骤：

步骤S1)：获取每一子盘的偏压电源的直流偏压值。

在该步骤中，通过偏压检测模块21测得模拟量的偏压电源的电压。

由于偏压检测模块21获取的直流偏压值为模拟量，该步骤还包括将子盘的模拟量的偏压电源转换为数字量的电压信号。即，通过模数转换模块22将模拟量的电压信号转换为数字量的电压信号并传送到控制模块23。

步骤S2)：对所有子盘的偏压电源的直流偏压值进行比较，并计算绝对值最小的偏压电源的直流偏压值与其他直流偏压值之间的压差。

在该步骤中，控制模块23比较内环盘B和外环盘A的偏压电源的直流偏压值大小，判断内环盘B和外环盘A的偏压电源是否相同：如果相同，则无需进行直流补偿；如果不同，则控制模块23计算二者之间的压差。

步骤S3)：在内环盘B和外环盘A的偏压电源不同时，根据压差，生成对应的直流补偿偏压。

在该步骤中，补偿模块24对负偏压小(即电压绝对值大)的直流偏压值的子盘110进行电压补偿，生成对应的直流补偿偏压。

步骤S4)：将直流补偿偏压传输到对应的子盘上。

在该步骤中，通过保护模块25的滤波功能，隔绝射频源与补偿模块24，并将直流补偿偏压施加到对应的处于相对内侧的子盘110上，防止射频源对调整电路造成影响。

其中，步骤S1)中获取每一子盘110的偏压电源的直流偏压值的步骤，包括：

根据子盘的偏压电源的直流偏压值大小确定分压的比例，即根据偏压检测模块21连接的子盘110的偏压电源的直流偏压值大小设置的分压电阻，通过分压电阻确定分压比例，获得正电压形式的偏压电源；

对偏压电源滤除直流以外的信号；

将滤波后的偏压电源的直流偏压值的范围进行调整，具体为调整至控制模块23的处理范围内。

优选的是，各子盘的偏压电源为负压，处于相对内侧的子盘的偏压电源的直流偏压值小于处于外侧的子盘的偏压电源的直流偏压值，将处于相对内侧的子盘的偏压电源的直流偏压值调整为与处于外侧的子盘的偏压电源的直流偏压值相等。

结合上述的调整电路结构及其调整方法，该基座的工作原理为：偏压检测模块21检测每个子盘110的模拟量的偏压电源，再通过模数转换模块22把检测到的模拟量的偏压电源转换为数字量的电压信号，然后通过控制模块23(比如数字信号处理器DSP、单片机MCU等控制芯片)比较内环盘B和外环盘A的偏压电源的直流偏压值的压差值，然后由控制模块23控制直流补偿模块24生成对应的直流补偿偏压，在内环盘B补偿正偏压电源，补偿的正偏压电源的值为测量出来的压差值，从而调整内环盘B的刻蚀速率，改善对晶圆刻蚀的均匀性。

本实施例示例的基座及其基座偏压的调整方法，可以在不同的工艺和不同的晶圆设计参数条件下，通过自动检测并比较偏压电源的直流偏压值来调整各子盘所施加偏压电源的直流偏压值的大小，从而实时、快速完成刻蚀速率的调整，改善对晶圆刻蚀的均匀性。

实施例2：

作为本发明的另一方面，本实施例中的基座也可以设置为多于内环盘和外环盘的多环盘结构，并在每一环盘上均施加不同的正电压，使得刻蚀速率更加的均匀。

如图8、图9所示，该基座的金属盘11划分为外环盘A、中环盘C、内环盘B，每个环盘之间不导通，之间可以加入陶瓷或者石英起到绝缘作用。

同样的，该基座可设置偏压电源的调整电路2，在每一子盘110上均先通过偏压检测模块21进行偏压电源检测，接着通过控制模块23比较检测出来的三个子盘110上的偏压电源的直流偏压值的压差值，然后通过补偿模块24分别给中环盘C、内环盘B施加电压补偿，改善对晶圆刻蚀的均匀性。比如外环盘A上偏压电源的直流偏压值的大小为-200V，中环盘C上偏压电源的直流偏压值的大小为-220V，内环盘B上偏压电源的直流偏压值的大小为-240V，则在中环盘C上补偿20V，内环盘B上补偿40V，使得三个子盘上的偏压电源的直流偏压值的大小相等，从而改善对晶圆刻蚀的均匀性。

容易理解的是，根据实施例1、实施例2的示例，可以将基座中的金属盘根据需求划分为不止两个子盘、三个子盘的多个子盘，并对每一子盘的偏压电源的直流偏压值均进行检测，以所有子盘中绝对值最小的偏压电源的直流偏压值为基准电压值，将施加至其他子盘的偏压电源的直流偏压值调节至与基准电压值相比在一设定范围内，比如将处于相对内侧的子盘的偏压电源的直流偏压值调整为与处于外侧子盘的偏压电源的直流偏压值相等。

可见，该基座及其基座偏压的调整方法，可以在不同的工艺和不同的晶圆设计参数条件下，通过自动检测并比较偏压电源的直流偏压值来调整各子盘所施加偏压电源的直流偏压值的大小，从而实时、快速完成刻蚀速率的调整，改善对晶圆刻蚀的均匀性，尤其适于在预清洗工艺中自动调整偏压电源的应用。

实施例3：

作为本发明的另一方面，本实施例提供一种等离子体发生装置，包括反应腔室和设于反应腔室内的基座，基座与射频源电连接，其中的基座为实施例1或实施例2中的基座。

该等离子体发生装置适用于刻蚀设备、物理气相沉积设备、化学气相沉积设备中的任一种。也就是说，该基座以及基座偏压的调整方法可以用于在预清洗环境下检测偏压电源实现自动补偿功能，用于在包括PVD、CVD等在内的环境下检测基座电压或基座上的靶材电压实现自动补偿功能，同样可以用于在具有法拉第腔室的预清洗腔室中检测偏压电源实现自动补偿功能，这里不做限制。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种基座，包括金属盘，其特征在于，所述金属盘包括互相绝缘设置的至少两个子盘，每一所述子盘均与射频源和偏压电源连接，所述基座还设置有所述偏压电源的调整电路，所有所述子盘均与所述调整电路连接，所述调整电路用于：以所有所述子盘中绝对值最小的所述偏压电源的直流偏压值为基准电压值，将施加至其他所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值调节至与所述基准电压值相比在一设定范围内。

2.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述调整电路包括偏压检测模块、控制模块、补偿模块和保护模块，其中：

所述偏压检测模块，其数量与所述子盘的数量相同，每一所述偏压检测模块与一所述子盘连接，用于获取每一所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值，并将所述偏压电源的直流偏压值传送至所述控制模块；

所述控制模块，用于对所有所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值进行比较，计算绝对值最小的所述偏压电源的直流偏压值与其他直流偏压值之间的压差；

所述补偿模块，用于根据所述压差，生成对应的直流补偿偏压；

所述保护模块，设置于所述射频源与所述补偿模块之间，至少用于将所述直流补偿偏压传输到对应的所述子盘上。

3.根据权利要求2所述的基座，其特征在于，所述偏压检测模块包括电压获取部、滤波部和运算放大部，其中：

所述电压获取部，与所述子盘连接，包括根据与所述偏压检测模块连接的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值大小设置的分压电阻，通过所述分压电阻确定所述分压电阻分压的比例，以获得正电压形式的所述偏压电源的直流偏压值；

所述滤波部，用于对所述偏压电源滤除直流以外的信号，并将滤波后的所述偏压电源传输至所述运算放大部；

所述运算放大部，用于将所述偏压电源的直流偏压值调整至所述控制模块的处理范围内。

4.根据权利要求1-3任一项所述的基座，其特征在于，各所述子盘的所述偏压电源为负压，处于相对内侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值小于处于外侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值，所述调整电路用于将处于相对内侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值调整为与处于外侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值相等。

5.根据权利要求1-3任一项所述的基座，其特征在于，相邻的所述子盘之间设置有绝缘隔离层，所述绝缘隔离层包括陶瓷层或石英层。

6.一种基座偏压的调整方法，所述基座包括金属盘，所述方法用于对包括互相绝缘设置的至少两个子盘的所述金属盘的偏压进行调整，每一所述子盘均与射频源和偏压电源连接，其特征在于，以所有所述子盘中绝对值最小的所述偏压电源的直流偏压值为基准电压值，将施加至其他所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值调节至与所述基准电压值相比在一设定范围内。

7.根据权利要求6所述的调整方法，其特征在于，包括步骤：

获取每一所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值；

对所有所述子盘的偏压电源的直流偏压值进行比较，并计算绝对值最小的所述偏压电源的直流偏压值与其他直流偏压值之间的压差；

根据所述压差，生成对应的直流补偿偏压；

将所述直流补偿偏压传输到对应的所述子盘上。

8.根据权利要求7所述的调整方法，其特征在于，获取每一所述子盘的偏压电源的直流偏压值的步骤，包括：

根据所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值大小确定分压的比例，获得正电压形式的所述偏压电源；

对所述偏压电源滤除直流以外的信号；

隔绝射频源，并将滤波后的所述偏压电源的直流偏压值的范围进行调整。

9.根据权利要求6所述的调整方法，其特征在于，各所述子盘的所述偏压电源为负压，处于相对内侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值小于处于外侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值，将处于相对内侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值调整为与处于外侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值相等。

10.一种等离子体发生装置，包括反应腔室和设于所述反应腔室内的基座，所述基座与射频源电连接，其特征在于，所述基座为权利要求1-5任一项所述的基座。

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