CN111694462B - 触摸感测单元和包括该触摸感测单元的显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种触摸感测单元和包括该触摸感测单元的显示装置。该触摸感测单元包括：基体层，包括触摸感测区域和触摸外围区域；触摸电极，设置在触摸感测区域中；触摸线，设置在触摸外围区域中并电连接到触摸电极；检查垫，设置在位于触摸外围区域的一侧处的垫区域中；以及检查薄膜晶体管，设置在垫区域中并电连接到触摸线和检查垫。

Description

触摸感测单元和包括该触摸感测单元的显示装置
本申请要求于2019年3月15日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0030001号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
发明构思的示例性实施例涉及一种触摸感测单元、一种包括该触摸感测单元的显示装置以及一种使该触摸感测单元老化的方法。
背景技术
显示装置被用于各种电子电器(诸如智能电话、平板PC、数码相机、笔记本计算机、导航仪和电视)中以向用户显示图像或提供图像。显示装置包括用于产生并显示图像的显示面板以及各种输入器件。
近来，在智能电话和平板PC的领域中，识别触摸输入的触摸感测单元已广泛用于显示装置中。在制造触摸感测单元的工艺中，由于异物可能在触摸电极之间发生短路，从而引起触摸感测单元的故障。为了防止由于异物引起的短路并克服此故障，可以使用其中将预定电压施加到触摸感测单元的老化方法。
发明内容
根据发明构思的示例性实施例，一种触摸感测单元包括：基体层，包括触摸感测区域和触摸外围区域；触摸电极，设置在触摸感测区域中；触摸线，设置在触摸外围区域中并电连接到触摸电极；检查垫，设置在位于触摸外围区域的一侧处的垫区域中；检查薄膜晶体管，设置在垫区域中并电连接到触摸线和检查垫。
触摸线可以包括在第一方向上顺序地布置在垫区域中的多条触摸线，并且检查薄膜晶体管可以仅设置在所述多条触摸线中的奇数触摸线上。
触摸线可以包括在第一方向上顺序地布置在垫区域中的第一驱动线、第二驱动线和第三驱动线，检查垫可以包括连接到第一驱动线的第一检查垫、连接到第二驱动线的第二检查垫和连接到第三驱动线的第三检查垫，检查薄膜晶体管可以包括第一检查薄膜晶体管、第二检查薄膜晶体管、第三检查薄膜晶体管和第四检查薄膜晶体管，第一检查薄膜晶体管的第一电极可以连接到第一驱动线，第一检查薄膜晶体管的第二电极可以连接到第一检查垫。
第二检查薄膜晶体管的第一电极可以连接到第三驱动线，第二检查薄膜晶体管的第二电极可以连接到第三检查垫。
触摸线还可以包括在第一方向上顺序地布置在垫区域中的第一感测线、第二感测线和第三感测线，检查垫可以包括连接到第一感测线的第四检查垫、连接到第二感测线的第五检查垫和连接到第三感测线的第六检查垫，并且第三检查薄膜晶体管的第一电极可以连接到第一感测线，第三检查薄膜晶体管的第二电极可以连接到第四检查垫。
第四检查薄膜晶体管的第一电极可以连接到第三感测线，并且第四检查薄膜晶体管的第二电极可以连接到第六检查垫。
检查垫还可以包括第七检查垫，并且第七检查垫可以连接到第一检查薄膜晶体管、第二检查薄膜晶体管、第三检查薄膜晶体管和第四检查薄膜晶体管中的每个检查薄膜晶体管的控制电极。
检查薄膜晶体管还可以包括第五检查薄膜晶体管和第六检查薄膜晶体管，第五检查薄膜晶体管的第一电极可以连接到第二驱动线，第五检查薄膜晶体管的第二电极可以连接到第二检查垫。
第六检查薄膜晶体管的第一电极可以连接到第二感测线，第六检查薄膜晶体管的第二电极可以连接到第五检查垫。
检查垫还可以包括第八检查垫，第八检查垫可以连接到第五检查薄膜晶体管和第六检查薄膜晶体管中的每个检查薄膜晶体管的控制电极。
触摸感测单元还可以包括设置在触摸线与检查薄膜晶体管之间并电连接到触摸线和检查薄膜晶体管的触摸垫。
触摸感测单元还可以包括设置在检查薄膜晶体管与检查垫之间并电连接到检查薄膜晶体管和检查垫的触摸垫。
根据发明构思的示例性实施例，一种显示装置可以包括：基底，包括显示区域和非显示区域；薄膜晶体管层，设置在基底上并且包括驱动薄膜晶体管和检查薄膜晶体管；发光元件层，设置在薄膜晶体管层上；以及触摸感测单元，设置在发光元件层上。驱动薄膜晶体管可以设置在显示区域中，检查薄膜晶体管可以设置在非显示区域中并且与驱动薄膜晶体管位于同一层上。
触摸感测单元可以包括触摸线，触摸线电连接到检查薄膜晶体管。
根据发明构思的示例性实施例，一种使触摸感测单元老化的方法可以包括：将栅极截止电压施加到连接到第一节点的第一节点检查垫；以及将第一老化信号输入到连接到多条触摸线的检查垫以在所述多条触摸线之间形成电位差。
可以在第一方向上顺序地布置所述多条触摸线，可以将检查薄膜晶体管仅连接到所述多条触摸线中的奇数触摸线，并且可以将栅极截止电压施加到连接到第一节点的检查薄膜晶体管。
所述多条触摸线可以包括在第一方向上顺序地布置的第一驱动线、第二驱动线和第三驱动线，检查垫可以包括连接到第一驱动线的第一检查垫、连接到第二驱动线的第二检查垫和连接到第三驱动线的第三检查垫，检查薄膜晶体管可以包括第一检查薄膜晶体管和第二检查薄膜晶体管，第一检查薄膜晶体管连接到第一驱动线和第一检查垫，第二检查薄膜晶体管连接到第三驱动线和第三检查垫。
所述多条触摸线还可以包括在第一方向上顺序地布置的第一感测线、第二感测线和第三感测线，检查垫还可以包括连接到第一感测线的第四检查垫、连接到第二感测线的第五检查垫和连接到第三感测线的第六检查垫，并且检查薄膜晶体管还可以包括第三检查薄膜晶体管和第四检查薄膜晶体管，第三检查薄膜晶体管连接到第一感测线和第四检查垫，第四检查薄膜晶体管连接到第三感测线和第六检查垫。
第一检查薄膜晶体管、第二检查薄膜晶体管、第三检查薄膜晶体管和第四检查薄膜晶体管中的每个检查薄膜晶体管的控制电极可以连接到第一节点。
该方法还可以包括：将栅极导通电压施加到连接到第一节点的第一节点检查垫；以及将第一老化信号施加到第一检查垫至第三检查垫中的每个检查垫，并且将第二老化信号施加到第四检查垫至第六检查垫中的每个检查垫。
附图说明
通过参照附图详细描述发明构思的示例性实施例，发明构思的以上和其它方面以及特征将变得更加明显。
图1是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的透视图。
图2是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的平面图。
图3是沿着根据发明构思的示例性实施例的图2的线I-I'截取的剖视图。
图4是示出根据发明构思的示例性实施例的图3的显示单元的平面图。
图5是示出根据发明构思的示例性实施例的图3的触摸感测单元的平面图。
图6是示出根据发明构思的示例性实施例的图3的触摸感测单元的平面图。
图7是示出根据发明构思的示例性实施例的触摸垫(pad，或称为“焊盘”)与检查垫的连接关系的示意图。
图8是示出根据发明构思的示例性实施例的触摸垫与检查垫的连接关系的示意图。
图9是示出根据发明构思的示例性实施例的第一老化进行的状态的示意图。
图10是示出根据发明构思的示例性实施例的第二老化进行的状态的示意图。
图11是示出根据发明构思的示例性实施例的其中第一老化和第二老化进行的工艺的流程图。
图12是示出根据发明构思的示例性实施例的触摸垫与检查垫的连接关系的示意图。
图13是示出根据发明构思的示例性实施例的触摸垫与检查垫的连接关系的示意图。
图14是示出根据发明构思的示例性实施例的第一老化进行的状态的示意图。
图15是示出根据发明构思的示例性实施例的第二老化进行的状态的示意图。
图16是示出根据发明构思的示例性实施例的第二老化进行的状态的示意图。
图17是沿着根据发明构思的示例性实施例的图2的线II-II'截取的剖视图。
图18是沿着根据发明构思的示例性实施例的图2的线III-III'截取的剖视图。
具体实施方式
发明构思的示例性实施例提供了一种触摸感测单元以及包括该触摸感测单元的显示装置，该触摸感测单元不仅可以防止触摸电极之间的短路，而且可以通过使用老化方法来防止触摸布线之间的短路。
发明构思的示例性实施例还提供了一种不仅可以防止触摸电极之间的短路而且可以防止触摸布线之间的短路的老化方法。
在下文中将参照附图更充分地描述发明构思的示例性实施例。贯穿本申请，同样的附图标记可以表示同样的元件。
在此使用的术语仅出于描述特定示例性实施例的目的，并不旨在成为发明构思的限制。如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式的“一”、“一个(者/种)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。
将理解的是，尽管在此可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离发明构思的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称作第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了便于描述，在此可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面”、“在……上方”、“上面”等的空间相对术语，来描述如图中所示的一个元件或特征与另一(另一些)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语旨在包含除了在图中描绘的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(旋转90度或者在其它方位处)，并对在此使用的空间相对描述语做出相应的解释。
图1是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的透视图。图2是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的平面图。
在本说明书中，“在……上”、“在……之上”、“顶部”、“上侧”或“上表面”是指相对于显示面板100的向上方向，例如，Z轴方向，“在……之下”、“下面”、“底部”、“下侧”或“下表面”是指相对于显示面板100的向下方向，例如，与Z轴方向相反的方向。此外，“左”、“右”、“上”和“下”是指当从平面观看显示面板100时的方向。例如，“左”是指与X轴方向相反的方向，“右”是指X轴方向，“上”是指Y轴方向，“下”是指与Y轴方向相反的方向。
参照图1和图2，显示装置10是用于显示运动图像或静止图像的装置。显示装置10可以用作诸如电视、笔记本、监视器、广告牌和物联网的各种产品以及诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航器和超移动PC(UMPC)的便携式电子电器的显示屏。显示装置10可以是有机发光显示(LED)装置、液晶显示装置、等离子体显示装置、场发射显示装置、电泳显示装置、电润湿显示装置、量子点发射显示装置或微型LED显示装置中的任何一个。在下文中，将假设显示装置10是有机发光显示装置来描述显示装置10，但是发明构思不限于此。
根据发明构思的示例性实施例的显示装置10包括显示面板100。
显示面板100可以包括主区域MA和从主区域MA的一侧突出的垫区域PDA。
主区域MA可以具有矩形平面形状，该矩形平面形状具有在第一方向(X轴方向)上的短边和在第二方向(Y轴方向)上的长边。在第一方向(X轴方向)上的短边与在第二方向(Y轴方向)上的长边交汇的角可以形成为具有预定曲率的倒圆形状或具有直角形状。主区域MA的平面形状不限于矩形形状，并且可以形成为另一多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。主区域MA可以形成为平坦的，但是不限于此，并且可以包括形成在左端和右端处的弯曲部分。在这种情况下，弯曲部分可以具有恒定的曲率或可变的曲率。
主区域MA可以包括形成像素以显示图像的显示区域DA和作为显示区域DA的外围区域的非显示区域NDA。
在显示区域DA中，不仅可以布置像素，而且可以布置连接到像素的扫描线、数据线和电源线。当主区域MA包括弯曲部分时，显示区域DA可以设置在弯曲部分中。在这种情况下，甚至在弯曲部分上也可以看到显示面板100的图像。
非显示区域NDA可以被限定为从显示区域DA的外侧到显示面板100的边缘的区域。在非显示区域NDA中，可以布置用于将扫描信号施加到扫描线的扫描驱动器110(见图4)以及用于将数据线连接到显示驱动电路200(见图4)的连接线。
垫区域PDA可以从主区域MA的一侧突出。例如，如图2中所示，垫区域PDA可以从主区域MA的下侧突出。垫区域PDA在第一方向(X轴方向)上的长度可以短于主区域MA在第一方向(X轴方向)上的长度。然而，发明构思不限于此。在发明构思的示例性实施例中，垫区域PDA在第一方向(X轴方向)上的长度也可以长于主区域MA在第一方向(X轴方向)上的长度。
显示面板100可以形成为是柔性的，使得显示面板100可以弯曲、弯折、折叠或卷曲。在这种情况下，显示面板100可以在厚度方向(Z轴方向)上弯曲。在显示面板100弯曲之前，显示面板100的垫区域PDA的一侧面向上(例如，在Z轴方向上)，但是在显示面板100弯曲后，显示面板100的垫区域PDA的一侧面向下(例如，在与Z轴方向相反的方向上)。因此，由于垫区域PDA设置在主区域MA下方，所以垫区域PDA可以与主区域MA叠置。
显示面板100的垫区域PDA可以设置有电连接到显示驱动电路200(见图4)和电路板的垫。
图3是沿着根据发明构思的示例性实施例的图2的线I-I'截取的剖视图。
参照图3，显示装置10可以包括显示单元DU和触摸感测单元TDU。显示单元DU可以包括基底SUB、设置在基底SUB上的薄膜晶体管层TFTL、设置在薄膜晶体管层TFTL上的发光元件层EML以及设置在发光元件层EML上的薄膜封装层TFEL。触摸感测单元TDU可以设置在薄膜封装层TFEL上。
基底SUB可以包括诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料。聚合物树脂的示例可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(CAT)、乙酸丙酸纤维素(CAP)或它们的组合。可选地，基底SUB可以包括金属材料。
基底SUB可以是刚性基底或能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性基底。当基底SUB是柔性基底时，基底SUB可以由聚酰亚胺(PI)形成，但是发明构思不限于此。
薄膜晶体管层TFTL可以设置在基底SUB上。薄膜晶体管层TFTL不仅可以设置有每个像素的薄膜晶体管，而且可以设置有扫描线、数据线、电源线、扫描控制线以及用于连接垫和数据线的布线。每个薄膜晶体管可以包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极。当如图4中所示扫描驱动器110形成在显示面板100的非显示区域NDA中时，扫描驱动器110可以包括薄膜晶体管。
薄膜晶体管层TFTL可以设置在显示区域DA和非显示区域NDA中。例如，薄膜晶体管层TFTL的每个像素的薄膜晶体管、扫描线、数据线和电源线可以设置在显示区域DA中。此外，薄膜晶体管层TFTL的扫描控制线和连接线可以设置在非显示区域NDA中。薄膜晶体管层TFTL还可以包括连接到触摸感测单元TDU的检查垫的检查薄膜晶体管。
发光元件层EML可以设置在薄膜晶体管层TFTL上。发光元件层EML可以包括各自包括第一电极(或称为阳极电极)、发光层和第二电极(或称为阴极电极)的像素以及限定像素的像素限定膜。发光层可以是包括有机材料的有机发光层。在这种情况下，发光层可以包括空穴传输层、有机发光层和电子传输层。当预定的电压通过薄膜晶体管层TFTL的薄膜晶体管被施加到第一电极并且阴极电压被施加到第二电极时，空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层被转移到有机发光层，并且彼此结合以发光。发光元件层EML的像素可以布置在显示区域DA中。
薄膜封装层TFEL可以设置在发光元件层EML上。薄膜封装层TFEL用于防止氧或湿气渗透到发光元件层EML中。为了这个目的，薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机膜。无机膜可以是氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层，但是不限于此。此外，薄膜封装层TFEL用于保护发光元件层EML不受诸如灰尘的异物的影响。为了这个目的，薄膜封装层TFEL可以包括至少一个有机膜。有机膜可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂，但是发明构思不限于此。
薄膜封装层TFEL可以设置在显示区域DA和非显示区域NDA两者中。例如，薄膜封装层TFEL可以设置为覆盖显示区域DA和非显示区域NDA中的发光元件层EML，并且覆盖显示区域DA和非显示区域NDA中的薄膜晶体管层TFTL。
触摸感测单元TDU可以设置在薄膜封装层TFEL上。例如，薄膜封装层TFEL的一部分可以用作触摸感测单元TDU的基体层。与当包括触摸感测单元TDU的单独的触摸面板附着到薄膜封装层TFEL上时相比，当触摸感测单元TDU直接设置在薄膜封装层TFEL上时，显示装置10的厚度可以减小。
触摸感测单元TDU可以包括用于通过电容方法感测用户的触摸的触摸电极以及用于连接触摸电极和垫的触摸线。例如，触摸感测单元TDU可以通过自电容方法或互电容方法来感测用户的触摸。
触摸感测单元TDU的触摸电极可以布置在与显示区域DA叠置的触摸感测区域TSA中(如图5中所示)。触摸感测单元TDU的触摸线可以布置在与非显示区域NDA叠置的触摸外围区域TPA中(如图5中所示)。
覆盖窗可以另外设置在触摸感测单元TDU上。在这种情况下，覆盖窗可以通过诸如光学透明粘合剂(OCA)的透明粘合构件附着到触摸感测单元TDU上。
图4是示出根据发明构思的示例性实施例的图3的显示单元的平面图。
为了便于解释，图4示出了包括像素P、扫描线SL、数据线DL、电源线PL、扫描控制线SCL、扫描驱动器110、显示驱动电路200和显示垫DP的显示单元DU。
参照图4，扫描线SL、数据线DL、电源线PL和像素P布置在显示区域DA中。扫描线SL可以在第二方向(Y轴方向)上基本平行地布置，数据线DL可以在与第二方向(Y轴方向)相交的第一方向(X轴方向)上基本平行地布置。电源线PL可以包括在第二方向(Y轴方向)上与数据线DL平行设置的至少一条线和在第一方向(X轴方向)上从所述至少一条线分支的多条线。
每个像素P可以连接到扫描线SL中的至少一条、数据线DL中的一条和电源线PL中的一条。每个像素P可以包括包含驱动晶体管和至少一个开关晶体管的薄膜晶体管、有机发光二极管以及电容器。当多个像素P中的每个像素P从扫描线SL的一条扫描线SL接收扫描信号时，所述像素P可以从数据线DL的一条数据线DL接收数据电压，并且可以响应于施加到栅电极的数据电压将驱动电流供应到有机发光二极管以发光。
扫描驱动器110通过至少一条扫描控制线SCL连接到显示驱动电路200。显示驱动电路200输出用于驱动显示面板100的信号和电压。例如，显示驱动电路200可以将数据电压供应到数据线DL。此外，显示驱动电路200可以将电源电压供应到电源线PL，并且可以将扫描控制信号供应到扫描驱动器110。显示驱动电路200可以形成为集成电路(IC)，并且可以在垫区域PDA中通过玻璃上芯片(COG)法、塑料上芯片(COP)法或超声结合法被安装在显示面板100上。然而，发明构思不限于此。例如，显示驱动电路200可以安装在电路板上。扫描驱动器110可以从显示驱动电路200接收扫描控制信号，可以根据扫描控制信号产生扫描信号，并且可以将扫描信号供应到扫描线SL。
尽管在图4中示出了非显示区域NDA中的扫描驱动器110位于显示区域DA的左外侧处，但是发明构思不限于此。例如，扫描驱动器110可以设置在位于显示区域DA的左外侧和右外侧处的非显示区域NDA中。
显示驱动电路200连接到显示垫DP以接收数字视频数据和时序信号。显示驱动电路200将数字视频数据转换成模拟正/负数据电压，并且通过连接线LL将模拟正/负数据电压供应到数据线DL。显示驱动电路200产生用于控制扫描驱动器110的扫描控制信号并通过扫描控制线SCL供应用于控制扫描驱动器110的扫描控制信号。通过扫描驱动器110的扫描信号来选择数据电压将被供应到的像素P，并且数据电压被供应到选择的像素P。显示驱动电路200可以形成为集成电路(IC)，并且可以通过COG法、COP法或超声结合法被附着到基底SUB上。
图5是示出根据发明构思的示例性实施例的图3的触摸感测单元的平面图，图6是示出根据发明构思的示例性实施例的图3的触摸感测单元的平面图。
为了便于解释，图5和图6示出了触摸电极TE和RE、触摸线TL和RL、触摸垫TP和检查垫EP。
参照图5，触摸感测单元TDU包括用于感测用户的触摸的触摸感测区域TSA和设置在触摸感测区域TSA周围的触摸外围区域TPA。触摸感测区域TSA可以与显示单元DU的显示区域DA叠置，触摸外围区域TPA可以与显示单元DU的非显示区域NDA叠置。
触摸电极TE和RE可以布置在触摸感测区域TSA中。触摸电极TE和RE可以包括在第一方向(X轴方向)上电连接的感测电极RE和在与第一方向(X轴方向)相交的第二方向(Y轴方向)上电连接的驱动电极TE。尽管图5中示出了感测电极RE和驱动电极TE呈菱形平面形状布置，但是发明构思不限于此。
为了防止感测电极RE和驱动电极TE在它们的相交区域中的短路，在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE可以通过连接电极BE彼此电连接。在这种情况下，驱动电极TE和感测电极RE可以布置在一层上，并且连接电极BE可以与驱动电极TE和感测电极RE设置在不同的层上。在第一方向(X轴方向)上电连接的感测电极RE可以与在第二方向(Y轴方向)上电连接的驱动电极TE电绝缘。
触摸线TL和RL可以布置在触摸外围区域TPA中。触摸线TL和RL可以通过与触摸电极TE和RE的工艺相同的工艺形成。例如，触摸线TL和RL以及触摸电极TE和RE可以由相同材料形成在同一层中。因此，触摸线TL和RL中的每条可以直接连接到触摸电极TE和RE中的每个。在其它示例中，驱动线TL可以间接地连接到驱动电极TE，感测线RL可以间接地连接到感测电极RE。触摸线TL和RL中的每条可以通过一个接触孔连接到线连接电极，并且线连接电极可以通过另一接触孔连接到触摸电极TE和RE中的每个。触摸线TL和RL可以包括连接到感测电极RE的感测线RL以及连接到驱动电极TE的第一侧驱动线TL1-1和第二侧驱动线TL1-2。
布置在触摸感测区域TSA的右侧处的感测电极RE可以连接到感测线RL。例如，在第一方向(X轴方向)上电连接的感测电极RE之中，设置在感测电极RE的右端处的感测电极RE可以连接到感测线RL。感测线RL可以连接到布置在第一垫区域PDA1中的触摸垫TP。布置在第一垫区域PDA1中的触摸垫TP可以通过连接线CNL分别连接到布置在第一垫区域PDA1中的检查垫EP。
检查薄膜晶体管ETFT可以布置在布置于第一垫区域PDA1中的连接线CNL上。例如，检查薄膜晶体管ETFT可以设置在布置于第一垫区域PDA1中的连接线CNL之中的在与第一方向(X轴方向)相反的方向上的奇数连接线CNL上。然而，发明构思不限于此。在发明构思的示例性实施例中，检查薄膜晶体管ETFT可以设置在布置于第一垫区域PDA1中的连接线CNL之中的在与第一方向(X轴方向)相反的方向上的偶数连接线CNL上。此外，在发明构思的示例性实施例中，检查薄膜晶体管ETFT可以设置在布置于第一垫区域PDA1中的连接线CNL中的一些连接线CNL上，并且可以不设置在布置于第一垫区域PDA1中的连接线CNL中的其它连接线CNL上。在这种情况下，其上设置有检查薄膜晶体管ETFT的连接线CNL和其上未设置检查薄膜晶体管ETFT的连接线CNL可以不规则地分布。
布置在触摸感测区域TSA下方的驱动电极TE可以连接到第一侧驱动线TL1-1，布置在触摸感测区域TSA之上的驱动电极TE可以连接到第二侧驱动线TL1-2。例如，设置于在第二方向(Y轴方向)上电连接的驱动电极TE的下端处的驱动电极TE可以连接到第一侧驱动线TL1-1，并且设置于在第二方向(Y轴方向)上电连接的驱动电极TE的上端处的驱动电极TE可以连接到第二侧驱动线TL1-2。第二侧驱动线TL1-2可以经由触摸感测区域TSA的左外侧连接到在触摸感测区域TSA的上侧处的驱动电极TE。第一侧驱动线TL1-1和第二侧驱动线TL1-2可以连接到布置在第二垫区域PDA2中的触摸垫TP。布置在第二垫区域PDA2中的触摸垫TP可以通过连接线CNL连接到布置在第二垫区域PDA2中的检查垫EP。
检查薄膜晶体管ETFT可以布置在布置于第二垫区域PDA2中的连接线CNL上。例如，检查薄膜晶体管ETFT可以设置在布置于第二垫区域PDA2中的连接线CNL之中的在与第一方向(X轴方向)相反的方向上的奇数连接线CNL上。然而，发明构思不限于此。在发明构思的示例性实施例中，检查薄膜晶体管ETFT可以设置在布置于第二垫区域PDA2中的连接线CNL之中的在与第一方向(X轴方向)相反的方向上的偶数连接线CNL上。此外，在发明构思的示例性实施例中，检查薄膜晶体管ETFT可以设置在布置于第二垫区域PDA2中的连接线CNL中的一些连接线CNL上，而可以不设置在布置于第二垫区域PDA2中的连接线CNL中的其它连接线CNL上。在这种情况下，其上设置有检查薄膜晶体管ETFT的连接线CNL和其上未设置检查薄膜晶体管ETFT的连接线CNL可以不规则地分布。
稍后将更详细地描述检查薄膜晶体管ETFT、连接线CNL和检查垫EP的布置结构。
触摸电极TE和RE可以通过互电容方法或自电容方法来驱动。首先，当触摸电极TE和RE通过互电容方法来驱动时，驱动信号通过第一侧驱动线TL1-1和第二侧驱动线TL1-2被供应到驱动电极TE以使感测电极RE和驱动电极TE的相交区域中形成的互电容充电。然后，通过感测线RL来测量感测电极RE的互电容的电荷变化量，并且根据感测电极RE的电荷变化量来确定是否执行了触摸输入。驱动信号可以是具有多个驱动脉冲的信号。
第二，当触摸电极TE和RE通过自电容方法来驱动时，驱动信号通过第一侧驱动线TL1-1、第二侧驱动线TL1-2和感测线RL被供应到驱动电极TE和感测电极RE两者以使驱动电极TE和感测电极RE的自电容充电。然后，通过第一侧驱动线TL1-1、第二侧驱动线TL1-2和感测线RL来测量驱动电极TE和感测电极RE的自电容的电荷变化量，并且根据自电容的电荷变化量确定是否执行了触摸输入。
如图5中所示，驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE可以形成为网格形状的电极。当如图3中所示包括驱动电极TE和感测电极RE的触摸感测单元TDU直接形成在薄膜封装层TFEL上时，发光元件层EML的第二电极与触摸感测单元TDU的驱动电极TE或感测电极RE之间的距离很近，因此在发光元件层EML的第二电极与触摸感测单元TDU的驱动电极TE或感测电极RE之间会形成非常大的寄生电容。因此，与将驱动电极TE和感测电极RE形成为诸如ITO层或IZO层的透明氧化物导电层的非图案电极相比，将驱动电极TE和感测电极RE形成为网格形状的电极可以减小寄生电容。
第一保护线GL1可以设置在设置于感测线RL的最外部处的感测线RL的外侧。第一接地线GRL1可以设置在第一保护线GL1的外侧。换句话说，第一保护线GL1可以设置在位于感测线RL的右端处的感测线RL的右侧处，并且第一接地线GRL1可以设置在第一保护线GL1的右侧处。
第二保护线GL2设置在设置于感测线RL的最里面处的感测线RL与设置于第一侧驱动线TL1-1的右端处的第一侧驱动线TL1-1之间。第二保护线GL2可以设置在设置于第一侧驱动线TL1-1的右端处的第一侧驱动线TL1-1与第二接地线GRL2之间。第三保护线GL3可以设置在设置于感测线RL的最里面处的感测线RL与第二接地线GRL2之间。第二接地线GRL2可以连接到第一垫区域PDA1的最左面的触摸垫和第二垫区域PDA2的最右面的触摸垫。
第四保护线GL4可以设置在设置于第二侧驱动线TL1-2的最外面处的第二侧驱动线TL1-2的外侧。第三接地线GRL3可以设置在第四保护线GL4的外侧。换句话说，第四保护线GL4可以设置在设置于第二侧驱动线TL1-2的左端和上端上的第二侧驱动线TL1-2的左侧和上侧处，第三接地线GRL3可以设置在第四保护线GL4的左侧和上侧处。
第五保护线GL5可以设置在设置于第二侧驱动线TL1-2的最里面处的第二侧驱动线TL1-2的内侧。换句话说，第五保护线GL5可以设置在设置于第二侧驱动线TL1-2的右端处的第二侧驱动线TL1-2与触摸电极TE和RE之间。
根据参照图5的示例性实施例，第一接地线GRL1、第二接地线GRL2和第三接地线GRL3分别设置在显示面板100的右侧、下侧以及左侧和上侧的最外面的位置处。接地电压被施加到第一接地线GRL1、第二接地线GRL2和第三接地线GRL3。因此，当静电从外部被施加时，静电可能被释放到第一接地线GRL1、第二接地线GRL2和第三接地线GRL3。
此外，根据参照图5的示例性实施例，由于第一保护线GL1设置在最外面的感测线RL与第一接地线GRL1之间，因此第一保护线GL1可以用于使第一接地线GRL1的电压变化对最外面的感测线RL的影响最小化。第二保护线GL2设置在最里面的感测线RL与最外面的第一侧驱动线TL1-1之间。因此，第二保护线GL2可以用于使电压变化对最里面的感测线RL和最外面的第一侧驱动线TL1-1的影响最小化。由于第三保护线GL3设置在最里面的感测线RL与第二接地线GRL2之间，因此第三保护线GL3可以用于使第二接地线GRL2的电压变化对最里面的感测线RL的影响最小化。由于第四保护线GL4设置在最外面的第二侧驱动线TL1-2与第三接地线GRL3之间，因此第四保护线GL4可以用于使第三接地线GRL3的电压变化对最外面的第二侧驱动线TL1-2的影响最小化。由于第五保护线GL5设置在最里面的第二侧驱动线TL1-2与触摸电极TE和RE之间，因此第五保护线GL5可以用于使最里面的第二侧驱动线TL1-2与触摸电极TE和RE对彼此的影响最小化。
当触摸电极TE和RE通过互电容方法来驱动时，接地电压可以被施加到第一保护线GL1、第二保护线GL2、第三保护线GL3、第四保护线GL4和第五保护线GL5。当触摸电极TE和RE通过自电容方法来驱动时，与施加到第一侧驱动线TL1-1、第二侧驱动线TL1-2和感测线RL的驱动信号相同的驱动信号可以被施加到第一保护线GL1、第二保护线GL2、第三保护线GL3、第四保护线GL4和第五保护线GL5。
参照图6，在发明构思的示例性实施例中，触摸感测单元TDU_1可以具有单布线结构。例如，感测电极RE可以连接到设置于触摸感测区域TSA的左侧和右侧处的感测线RL。例如，在第一方向(X轴方向)上电连接的感测电极RE可以交替地连接到在第二方向(Y轴方向)上设置在右侧和左侧处的感测线RL，设置在左侧处的感测线RL可以连接到布置在第二垫区域PDA2中的触摸垫TP，设置在右侧处的感测线RL可以连接到布置在第一垫区域PDA1中的触摸垫TP。然而，发明构思不限于此。在发明构思的示例性实施例中，在第二方向(Y轴方向)上与垫区域PDA1和垫区域PDA2相邻的感测电极RE可以分别连接到设置在左侧处的感测线RL以连接到布置在第二垫区域PDA2中的触摸垫TP，并且在第二方向(Y轴方向)上在距垫区域PDA1和垫区域PDA2相对远的区域中的感测电极RE可以分别连接到设置在右侧处的感测线RL以连接到布置在第一垫区域PDA1中的触摸垫TP。
驱动电极TE可以分别连接到驱动线TL以连接到布置在第二垫区域PDA2中的触摸垫TP，所述驱动电极TE设置于在触摸感测区域TSA中在第二方向(Y轴方向)上电连接的驱动电极TE的下端处。
图7是示出根据发明构思的示例性实施例的触摸垫与检查垫的连接关系的示意图，图8是示出根据发明构思的示例性实施例的触摸垫与检查垫的连接关系的示意图。为了便于解释，图7和图8仅示出了连接到第一驱动线TL1、第二驱动线TL2和第三驱动线TL3以及第一感测线RL1、第二感测线RL2和第三感测线RL3的第一触摸垫TP1、第二触摸垫TP2、第三触摸垫TP3、第四触摸垫TP4、第五触摸垫TP5和第六触摸垫TP6，但是此构造仅是示例，发明构思不限于此。
一起参照图7和图5，触摸感测单元TDU的垫区域PDA1和垫区域PDA2可以包括第一驱动线TL1、第二驱动线TL2和第三驱动线TL3、第一感测线RL1、第二感测线RL2和第三感测线RL3、第一触摸垫TP1、第二触摸垫TP2、第三触摸垫TP3、第四触摸垫TP4、第五触摸垫TP5、第六触摸垫TP6、第一检查薄膜晶体管ETFT1、第二检查薄膜晶体管ETFT2、第三检查薄膜晶体管ETFT3和第四检查薄膜晶体管ETFT4以及第一检查垫EP1、第二检查垫EP2、第三检查垫EP3、第四检查垫EP4、第五检查垫EP5、第六检查垫EP6和第七检查垫EP7。
第一驱动线TL1、第二驱动线TL2和第三驱动线TL3可以相对于第七检查垫EP7在与第一方向(X轴方向)相反的方向上顺序地布置，第一感测线RL1、第二感测线RL2和第三感测线RL3可以相对于第七检查垫EP7在第一方向(X轴方向)上顺序地布置。第一触摸垫TP1、第二触摸垫TP2和第三触摸垫TP3可以相对于第七检查垫EP7在与第一方向(X轴方向)相反的方向上顺序地布置，第四触摸垫TP4、第五触摸垫TP5和第六触摸垫TP6可以相对于第七检查垫EP7在第一方向(X轴方向)上顺序地布置。第一检查垫EP1、第二检查垫EP2和第三检查垫EP3可以相对于第七检查垫EP7在与第一方向(X轴方向)相反的方向上顺序地布置，第四检查垫EP4、第五检查垫EP5和第六检查垫EP6可以相对于第七检查垫EP7在第一方向(X轴方向)上顺序地布置。
第一驱动线TL1可以连接到第一触摸垫TP1。例如，第一驱动线TL1的一端可以连接到第一触摸垫TP1，并且第一驱动线TL1的另一端可以连接到第一列的驱动电极TE。第1_1连接线CNL1A、第1_2连接线CNL1B和第一检查薄膜晶体管ETFT1可以布置在第一触摸垫TP1与第一检查垫EP1之间。第一检查薄膜晶体管ETFT1可以是n型晶体管或p型晶体管。在下文中，将以检查薄膜晶体管ETFT1、ETFT2、ETFT3和ETFT4为p型晶体管的情况为示例进行描述，但是发明构思不限于此。
第1_1连接线CNL1A的一端可以连接到第一触摸垫TP1，第1_1连接线CNL1A的另一端可以连接到第一检查薄膜晶体管ETFT1的第一电极(源电极或漏电极)，第1_2连接线CNL1B的一端可以连接到第一检查薄膜晶体管ETFT1的第二电极(源电极或漏电极)，第1_2连接线CNL1B的另一端可以连接到第一检查垫EP1。第一检查薄膜晶体管ETFT1的控制电极(栅电极)可以连接到第一节点N1。
第二驱动线TL2可以连接到第二触摸垫TP2。例如，第二驱动线TL2的一端可以连接到第二触摸垫TP2，第二驱动线TL2的另一端可以连接到第二列的驱动电极TE。第二连接线CNL2可以设置在第二触摸垫TP2与第二检查垫EP2之间。第二连接线CNL2的一端可以连接到第二触摸垫TP2，第二连接线CNL2的另一端可以连接到第二检查垫EP2。
第三驱动线TL3可以连接到第三触摸垫TP3。例如，第三驱动线TL3的一端可以连接到第三触摸垫TP3，第三驱动线TL3的另一端可以连接到第三列的驱动电极TE。第3_1连接线CNL3A、第3_2连接线CNL3B和第二检查薄膜晶体管ETFT2可以布置在第三触摸垫TP3与第三检查垫EP3之间。第3_1连接线CNL3A的一端可以连接到第三触摸垫TP3，第3_1连接线CNL3A的另一端可以连接到第二检查薄膜晶体管ETFT2的第一电极(源电极或漏电极)，第3_2连接线CNL3B的一端可以连接到第二检查薄膜晶体管ETFT2的第二电极(源电极或漏电极)，第3_2连接线CNL3B的另一端可以连接到第三检查垫EP3。第二检查薄膜晶体管ETFT2的控制电极(栅电极)可以连接到第一节点N1。
第一感测线RL1可以连接到第四触摸垫TP4。例如，第一感测线RL1的一端可以连接到第四触摸垫TP4，并且第一感测线RL1的另一端可以连接到第一行的感测电极RE。第4_1连接线CNL4A、第4_2连接线CNL4B和第三检查薄膜晶体管ETFT3可以布置在第四触摸垫TP4与第四检查垫EP4之间。第4_1连接线CNL4A的一端可以连接到第四触摸垫TP4，第4_1连接线CNL4A的另一端可以连接到第三检查薄膜晶体管ETFT3的第一电极(源电极或漏电极)，第4_2连接线CNL4B的一端可以连接到第三检查薄膜晶体管ETFT3的第二电极(源电极或漏电极)，第4_2连接线CNL4B的另一端可以连接到第四检查垫EP4。第三检查薄膜晶体管ETFT3的控制电极(栅电极)可以连接到第一节点N1。
第二感测线RL2可以连接到第五触摸垫TP5。例如，第二感测线RL2的一端可以连接到第五触摸垫TP5，第二感测线RL2的另一端可以连接到第二行的感测电极RE。第五连接线CNL5可以布置在第五触摸垫TP5与第五检查垫EP5之间。第五连接线CNL5的一端可以连接到第五触摸垫TP5，第五连接线CNL5的另一端可以连接到第五检查垫EP5。
第三感测线RL3可以连接到第六触摸垫TP6。例如，第三感测线RL3的一端可以连接到第六触摸垫TP6，第三感测线RL3的另一端可以连接到第三行的感测电极RE。第6_1连接线CNL6A、第6_2连接线CNL6B和第四检查薄膜晶体管ETFT4可以布置在第六触摸垫TP6与第六检查垫EP6之间。第6_1连接线CNL6A的一端可以连接到第六触摸垫TP6，第6_1连接线CNL6A的另一端可以连接到第四检查薄膜晶体管ETFT4的第一电极(源电极或漏电极)，第6_2连接线CNL6B的一端可以连接到第四检查薄膜晶体管ETFT4的第二电极(源电极或漏电极)，第6_2连接线CNL6B的另一端可以连接到第六检查垫EP6。第四检查薄膜晶体管ETFT4的控制电极(栅电极)可以连接到第一节点N1。
第七检查垫EP7可以连接到第一节点N1。例如，第七检查垫EP7可以通过第七连接线CNL7连接到第一节点N1。
参照图8，在发明构思的示例性实施例中，第一驱动线TL1可以直接连接到第一检查薄膜晶体管ETFT1。例如，第一驱动线TL1的一端可以连接到第一检查薄膜晶体管ETFT1的第一电极(源电极或漏电极)，并且第一驱动线TL1的另一端可以连接到第一列的驱动电极TE。第一检查薄膜晶体管ETFT1的第二电极(漏电极或源电极)可以连接到第一触摸垫TP1，第一检查薄膜晶体管ETFT1的控制电极(栅电极)可以连接到第一节点N1，第一触摸垫TP1可以通过第一连接线CNL1连接到第一检查垫EP1。
第二驱动线TL2可以电连接到第二触摸垫TP2。例如，第二驱动线TL2的一端可以连接到第二触摸垫TP2，第二驱动线TL2的另一端可以连接到第二列的驱动电极TE。第二触摸垫TP2可以通过第二连接线CNL2连接到第二检查垫EP2。
第三驱动线TL3可以直接连接到第二检查薄膜晶体管ETFT2。例如，第三驱动线TL3的一端可以连接到第二检查薄膜晶体管ETFT2的第一电极(源电极或漏电极)，第三驱动线TL3的另一端可以连接到第三列的驱动电极TE。第二检查薄膜晶体管ETFT2的第二电极(漏电极或源电极)可以连接到第三触摸垫TP3，第二检查薄膜晶体管ETFT2的控制电极(栅电极)可以连接到第一节点N1，第三触摸垫TP3可以通过第三连接线CNL3连接到第三检查垫EP3。
第一感测线RL1可以直接连接到第三检查薄膜晶体管ETFT3。例如，第一感测线RL1的一端可以连接到第三检查薄膜晶体管ETFT3的第一电极(源电极或漏电极)，第一感测线RL1的另一端可以连接到第一行的感测电极RE。第三检查薄膜晶体管ETFT3的第二电极(漏电极或源电极)可以连接到第四触摸垫TP4，第三检查薄膜晶体管ETFT3的控制电极(栅电极)可以连接到第一节点N1，第四触摸垫TP4可以通过第四连接线CNL4连接到第四检查垫EP4。
第二感测线RL2可以电连接到第五触摸垫TP5。例如，第二感测线RL2的一端可以连接到第五触摸垫TP5，第二感测线RL2的另一端可以连接到第二行的感测电极RE。第五触摸垫TP5可以通过第五连接线CNL5连接到第五检查垫EP5。
第三感测线RL3可以直接连接到第四检查薄膜晶体管ETFT4。例如，第三感测线RL3的一端可以连接到第四检查薄膜晶体管ETFT4的第一电极(源电极或漏电极)，第三感测线RL3的另一端可以连接到第三行的感测电极RE。第四检查薄膜晶体管ETFT4的第二电极(漏电极或源电极)可以连接到第六触摸垫TP6，第四检查薄膜晶体管ETFT4的控制电极(栅电极)可以连接到第一节点N1，第六触摸垫TP6可以通过第六连接线CNL6连接到第六检查垫EP6。
第一驱动线TL1、第二驱动线TL2和第三驱动线TL3、第一感测线RL1、第二感测线RL2和第三感测线RL3、第一触摸垫TP1至第六触摸垫TP6、第一检查薄膜晶体管ETFT1、第二检查薄膜晶体管ETFT2、第三检查薄膜晶体管ETFT3和第四检查薄膜晶体管ETFT4以及第一检查垫EP1、第二检查垫EP2、第三检查垫EP3、第四检查垫EP4、第五检查垫EP5、第六检查垫EP6和第七检查垫EP7仅是示例，发明构思不限于此。
图9是示出根据发明构思的示例性实施例的第一老化进行的状态的示意图，图10是示出根据发明构思的示例性实施例的第二老化进行的状态的示意图，图11是示出根据发明构思的示例性实施例的其中第一老化和第二老化进行的工艺的流程图。
参照图9至图11，可以将老化信号CS1和CS2施加到触摸感测单元TDU的第一检查垫EP1、第二检查垫EP2、第三检查垫EP3、第四检查垫EP4、第五检查垫EP5和第六检查垫EP6，可以将栅极控制信号CST1和CST2施加到第七检查垫EP7。
老化信号CS1和CS2以及栅极控制信号CST1和CST2可以从老化信号处理器SIP供应，老化信号CS1和CS2可以是AC脉冲信号。例如，AC脉冲信号中的每个AC脉冲信号可以被选择为具有大约-25V至大约25V的电压电平。然而，发明构思不限于此，老化信号CS1和CS2可以是DC信号。
在发明构思的示例性实施例中，老化信号CS1和CS2可以包括第一老化信号CS1和第二老化信号CS2。第一老化信号CS1可以具有大约25V的电压电平，第二老化信号CS2可以具有大约-25V的电压电平。
栅极控制信号CST1和CST2可以包括第一栅极控制信号CST1和第二栅极控制信号CST2。第一栅极控制信号CST1可以是栅极导通信号，第一检查薄膜晶体管ETFT1、第二检查薄膜晶体管ETFT2、第三检查薄膜晶体管ETFT3和第四检查薄膜晶体管ETFT4可以通过第一栅极控制信号CST1来导通。第二栅极控制信号CST2可以是栅极截止信号，第一检查薄膜晶体管ETFT1、第二检查薄膜晶体管ETFT2、第三检查薄膜晶体管ETFT3和第四检查薄膜晶体管ETFT4可以通过第二栅极控制信号CST2来截止。
参照图9和图11对第一老化方法进行解释，将老化信号处理器SIP连接到触摸感测单元TDU(S10)。例如，可以将用于检查的柔性印刷电路设置在老化信号处理器SIP中，可以将用于检查的柔性印刷电路的垫部分连接到触摸感测单元TDU的检查垫EP1、EP2、EP3、EP4、EP5、EP6和EP7。
接下来，将第一栅极控制信号CST1输入到连接到第一节点N1的第七检查垫EP7(S20)。例如，可以从老化信号处理器SIP向第七检查垫EP7施加栅极导通电压。
当将栅极导通电压施加到第七检查垫EP7时，连接到第一节点N1的第一检查薄膜晶体管ETFT1、第二检查薄膜晶体管ETFT2、第三检查薄膜晶体管ETFT3和第四检查薄膜晶体管ETFT4导通(S30)。
接下来，将第一老化信号CS1输入到连接到驱动线TL的检查垫EP，将第二老化信号CS2输入到连接到感测线RL的检查垫EP(S40)。例如，将第一老化信号CS1施加到连接到第一驱动线TL1、第二驱动线TL2和第三驱动线TL3的第一检查垫EP1、第二检查垫EP2和第三检查垫EP3，将第二老化信号CS2施加到连接到第一感测线RL1、第二感测线RL2和第三感测线RL3的第四检查垫EP4、第五检查垫EP5和第六检查垫EP6。如以上描述的，第一老化信号CS1可以具有大约25V的电压电平，第二老化信号CS2可以具有大约-25V的电压电平。
因此，在连接到驱动线TL的驱动电极TE与连接到感测线RL的感测电极RE之间产生大约50V的电位差，使得第一老化在驱动电极TE与感测电极RE之间进行(S50)。通过第一老化，可以防止驱动电极TE与感测电极RE之间由于异物引起的短路。
参照图10和图11对第二老化方法进行解释，将第二栅极控制信号CST2输入到连接到第一节点N1的第七检查垫EP7(S60)。例如，可以从老化信号处理器SIP向第七检查垫EP7施加栅极截止电压。
当将栅极截止电压施加到第七检查垫EP7时，连接到第一节点N1的第一检查薄膜晶体管ETFT1、第二检查薄膜晶体管ETFT2、第三检查薄膜晶体管ETFT3和第四检查薄膜晶体管ETFT4截止(S70)。
接下来，将第一老化信号CS1输入到连接到驱动线TL的检查垫EP和连接到感测线RL的检查垫EP中的每个检查垫EP(S80)。例如，将第一老化信号CS1施加到连接到第一驱动线TL1、第二驱动线TL2和第三驱动线TL3的第一检查垫EP1、第二检查垫EP2和第三检查垫EP3以及连接到第一感测线RL1、第二感测线RL2和第三感测线RL3的第四检查垫EP4、第五检查垫EP5和第六检查垫EP6。然而，发明构思不限于此。在发明构思的示例性实施例中，也可以将第二老化信号CS2施加到连接到第一驱动线TL1、第二驱动线TL2和第三驱动线TL3的第一检查垫EP1、第二检查垫EP2和第三检查垫EP3以及连接到第一感测线RL1、第二感测线RL2和第三感测线RL3的第四检查垫EP4、第五检查垫EP5和第六检查垫EP6。
当第一检查薄膜晶体管ETFT1、第二检查薄膜晶体管ETFT2、第三检查薄膜晶体管ETFT3和第四检查薄膜晶体管ETFT4截止时，第一老化信号CS1未被施加到第一驱动线TL1、第三驱动线TL3、第一感测线RL1和第三感测线RL3，第一老化信号CS1被施加到第二驱动线TL2和第二感测线RL2。因此，在第一驱动线TL1、第二驱动线TL2和第三驱动线TL3之间产生电压差，并且在第一感测线RL1、第二感测线RL2和第三感测线RL3之间产生电压差，使得用于驱动线TL和感测线RL的第二老化进行(S90)。通过第二老化，可以防止驱动电极TE与感测电极RE之间由于异物引起的短路。
尽管在图11中示出了执行第一老化然后执行第二老化，但是发明构思不限于此。在发明构思的示例性实施例中，可以执行第二老化然后可以执行第一老化。此外，在发明构思的示例性实施例中，可以在单独的工艺步骤中各自执行第一老化和第二老化。
图12是示出根据发明构思的示例性实施例的触摸垫与检查垫的连接关系的示意图，图13是示出根据发明构思的示例性实施例的触摸垫与检查垫的连接关系的示意图。图12和图13的示例性实施例与前面提及的图7和图8的示例性实施例不同之处在于还设置有第五检查薄膜晶体管ETFT5、第六检查薄膜晶体管ETFT6以及与第五检查薄膜晶体管ETFT5和第六检查薄膜晶体管ETFT6连接的第八检查垫EP8。在下文中，将省略对第一驱动线TL1和第三驱动线TL3、第一感测线RL1和第三感测线RL3以及第一检查垫EP1、第三检查垫EP3、第四检查垫EP4、第六检查垫EP6和第七检查垫EP7的连接关系的描述，所述描述与图7和图8的示例性实施例的描述重复，并且将主要描述差异，诸如第二驱动线TL2、第二感测线RL2以及第二检查垫EP2、第五检查垫EP5和第八检查垫EP8。
第二驱动线TL2可以连接到第二触摸垫TP2。第2_1连接线CNL2A、第2_2连接线CNL2B和第五检查薄膜晶体管ETFT5可以布置在第二触摸垫TP2与第二检查垫EP2之间。第2_1连接线CNL2A的一端可以连接到第二触摸垫TP2，第2_1连接线CNL2A的另一端可以连接到第五检查薄膜晶体管ETFT5的第一电极(源电极或漏电极)。第2_2连接线CNL2B的一端可以连接到第五检查薄膜晶体管ETFT5的第二电极(漏电极或源电极)，并且第2_2连接线CNL2B的另一端可以连接到第二检查垫EP2。第五检查薄膜晶体管ETFT5的控制电极(栅电极)可以连接到第二节点N2。
第二感测线RL2可以连接到第五触摸垫TP5。第5_1连接线CNL5A、第5_2连接线CNL5B和第六检查薄膜晶体管ETFT6可以布置在第五触摸垫TP5与第五检查垫EP5之间。第5_1连接线CNL5A的一端可以连接到第五触摸垫TP5，第5_1连接线CNL5A的另一端可以连接到第六检查薄膜晶体管ETFT6的第一电极(源电极或漏电极)。第5_2连接线CNL5B的一端可以连接到第六检查薄膜晶体管ETFT6的第二电极(漏电极或源电极)，第5_2连接线CNL5B的另一端可以连接到第五检查垫EP5。第六检查薄膜晶体管ETFT6的控制电极(栅电极)可以连接到第二节点N2。
第八检查垫EP8可以连接到第二节点N2。例如，第八检查垫EP8可以通过第八连接线CNL8连接到第二节点N2。
参照图13，在发明构思的示例性实施例中，第二驱动线TL2可以直接连接到第五检查薄膜晶体管ETFT5。例如，第二驱动线TL2的一端可以连接到第五检查薄膜晶体管ETFT5的第一电极(源电极或漏电极)，第五检查薄膜晶体管ETFT5的第二电极(漏电极或源电极)可以连接到第二触摸垫TP2，第五检查薄膜晶体管ETFT5的控制电极(栅电极)可以连接到第二节点N2，第二触摸垫TP2可以通过第二连接线CNL2连接到第二检查垫EP2。
第二感测线RL2可以直接连接到第六检查薄膜晶体管ETFT6。例如，第二感测线RL2的一端可以连接到第六检查薄膜晶体管ETFT6的第一电极(源电极或漏电极)，第六检查薄膜晶体管ETFT6的第二电极(漏电极或源电极)可以连接到第五触摸垫TP5，第六检查薄膜晶体管ETFT6的控制电极(栅电极)可以连接到第二节点N2，第五触摸垫TP5可以通过第五连接线CNL5连接到第五检查垫EP5。
如以上描述的，当检查薄膜晶体管ETFT设置在驱动线TL和感测线RL上时，能够减少老化期间根据连接到驱动线TL和感测线RL的检查薄膜晶体管ETFT的存在或不存在而产生的噪声。
图14是示出根据发明构思的示例性实施例的第一老化进行的状态的示意图，图15是示出根据发明构思的示例性实施例的第二老化进行的状态的示意图，图16是示出根据发明构思的示例性实施例的第二老化进行的状态的示意图。图14至图16的示例性实施例与前面提及的图9和图10的示例性实施例的不同之处在于还设置有第五检查薄膜晶体管ETFT5、第六检查薄膜晶体管ETFT6以及与第五检查薄膜晶体管ETFT5和第六检查薄膜晶体管ETFT6连接的第八检查垫EP8。在下文中，将省略与图9和图10的示例性实施例的描述重复的描述，并且将主要描述差异。
参照图14至图16，可以将老化信号CS1和CS2施加到触摸感测单元TDU的第一检查垫EP1、第二检查垫EP2、第三检查垫EP3、第四检查垫EP4、第五检查垫EP5和第六检查垫EP6，并且可以将栅极控制信号CST1和CST2施加到第七检查垫EP7和第八检查垫EP8。
参照图14，可以将第一栅极控制信号CST1输入到连接到第一节点N1的第七检查垫EP7和连接到第二节点N2的第八检查垫EP8。例如，可以从老化信号处理器SIP向第七检查垫EP7和第八检查垫EP8施加栅极导通电压。第七检查垫EP7可以被称为第一节点检查垫，第八检查垫EP8可以被称为第二节点检查垫。
当将栅极导通电压施加到第七检查垫EP7和第八检查垫EP8时，连接到第一节点N1的第一检查薄膜晶体管ETFT1、第二检查薄膜晶体管ETFT2、第三检查薄膜晶体管ETFT3和第四检查薄膜晶体管ETFT4以及连接到第二节点N2的第五检查薄膜晶体管ETFT5和第六检查薄膜晶体管ETFT6导通。
接下来，将第一老化信号CS1输入到连接到驱动线TL的检查垫EP，将第二老化信号CS2输入到连接到感测线RL的检查垫EP以在连接到驱动线TL的驱动电极TE与连接到感测线RL的感测电极RE之间产生电位差，使得第一老化可以在驱动电极TE与感测电极RE之间进行。通过第一老化，可以防止驱动电极TE与感测电极RE之间由于异物引起的短路。
参考图15对示例性实施例的第二老化方法进行解释，将第二栅极控制信号CST2输入到连接到第一节点N1的第七检查垫EP7，将第一栅极控制信号CST1输入到连接到第二节点N2的第八检查垫EP8。例如，可以从老化信号处理器SIP向第七检查垫EP7施加栅极截止电压，并且可以从老化信号处理器SIP向第八检查垫EP8施加栅极导通电压。
当将栅极截止电压施加到第七检查垫EP7时，连接到第一节点N1的第一检查薄膜晶体管ETFT1、第二检查薄膜晶体管ETFT2、第三检查薄膜晶体管ETFT3和第四检查薄膜晶体管ETFT4截止，当将栅极导通电压施加到第八检查垫EP8时，连接到第二节点N2的第五检查薄膜晶体管ETFT5和第六检查薄膜晶体管ETFT6导通。
当将第一老化信号CS1输入到连接到驱动线TL的检查垫EP和连接到感测线RL的检查垫EP中的每个检查垫EP时，第一老化信号CS1未被施加到第一驱动线TL1、第三驱动线TL3、第一感测线RL1和第三感测线RL3，第一老化信号CS1被施加到第二驱动线TL2和第二感测线RL2。因此，在第一驱动线TL1、第二驱动线TL2和第三驱动线TL3之间产生电压差，在第一感测线RL1、第二感测线RL2和第三感测线RL3之间产生电压差，使得用于驱动线TL和感测线RL的第二老化可以进行。通过第二老化，可以防止驱动电极TE与感测电极RE之间由于异物引起的短路。
参考图16对示例性实施例的第二老化方法进行解释，将第一栅极控制信号CST1输入到连接到第一节点N1的第七检查垫EP7，将第二栅极控制信号CST2输入到连接到第二节点N2的第八检查垫EP8。例如，可以从老化信号处理器SIP向第七检查垫EP7施加栅极导通电压，并且可以从老化信号处理器SIP向第八检查垫EP8施加栅极截止电压。
当将栅极导通电压施加到第七检查垫EP7时，连接到第一节点N1的第一检查薄膜晶体管ETFT1、第二检查薄膜晶体管ETFT2、第三检查薄膜晶体管ETFT3和第四检查薄膜晶体管ETFT4导通，当将栅极截止电压施加到第八检查垫EP8时，连接到第二节点N2的第五检查薄膜晶体管ETFT5和第六检查薄膜晶体管ETFT6截止。
当将第一老化信号CS1输入到连接到驱动线TL的检查垫EP和连接到感测线RL的检查垫EP中的每个检查垫EP时，第一老化信号CS1被施加到第一驱动线TL1、第三驱动线TL3、第一感测线RL1和第三感测线RL3，第一老化信号CS1未被施加到第二驱动线TL2和第二感测线RL2。因此，在第一驱动线TL1、第二驱动线TL2和第三驱动线TL3之间产生电压差，在第一感测线RL1、第二感测线RL2和第三感测线RL3之间产生电压差，使得用于驱动线TL和感测线RL的第二老化可以进行。
图17是沿着根据发明构思的示例性实施例的图2的线II-II'截取的剖视图，图18是沿着根据发明构思的示例性实施例的图2的线III-III'截取的剖视图。
一起参照图17和图18，薄膜晶体管层TFTL形成在基底SUB上。薄膜晶体管层TFTL可以包括驱动薄膜晶体管DTFT、检查薄膜晶体管ETFT、触摸垫TP、检查垫EP、栅极绝缘膜220、层间绝缘膜230、保护膜240和平坦化膜250。
第一缓冲膜可以形成在基底SUB的一个表面上。第一缓冲膜形成在基底SUB的一个表面上以保护驱动薄膜晶体管DTFT、检查薄膜晶体管ETFT和发光元件免于湿气通过容易受湿气渗透的基底SUB渗透。第一缓冲膜可以由多个交替层叠的无机膜形成。例如，第一缓冲膜可以由其中一个或更多个无机层交替层叠的多层膜形成，所述一个或更多个无机层包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的一种或更多种。可以省略第一缓冲膜。
驱动薄膜晶体管DTFT和检查薄膜晶体管ETFT形成在第一缓冲膜上。驱动薄膜晶体管DTFT和检查薄膜晶体管ETFT中的每个包括有源层211、栅电极212、源电极214和漏电极215。尽管在图17和图18中示出了驱动薄膜晶体管DTFT和检查薄膜晶体管ETFT中的每个以其中栅电极212位于有源层211上的顶栅方式形成，应当注意的是，发明构思不限于此。换句话说，驱动薄膜晶体管DTFT和检查薄膜晶体管ETFT中的每个可以以其中栅电极212位于有源层211之下的底栅方式形成，或者可以以其中栅电极212位于有源层211上且位于有源层211之下两者的双栅方式形成。开关薄膜晶体管也可以布置在第一缓冲膜上。
有源层211形成在第一缓冲膜上。有源层211可以由硅基半导体材料或氧化物半导体材料形成。用于阻挡入射在有源层211上的外部光的阻光层可以形成在第一缓冲膜与有源层211之间。
栅极绝缘膜220可以形成在有源层211上。栅极绝缘膜220可以由无机层(例如，氧化硅(SiOx)层、氮氧化硅(SiON)层、氮化硅(SiNx)层或它们的多层)形成。
栅电极212和栅极线可以形成在栅极绝缘膜220上。栅电极212和栅极线可以由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种或它们的合金的单层或多层形成。
层间绝缘膜230可以形成在栅电极212和栅极线上。层间绝缘膜230可以由无机层(例如，氧化硅(SiOx)层、氮氧化硅(SiON)层、氮化硅(SiNx)层或它们的多层)形成。
源电极214、漏电极215、数据线、触摸垫TP和检查垫EP可以形成在层间绝缘膜230上。源电极214和漏电极215中的每个可以通过穿透栅极绝缘膜220和层间绝缘膜230的接触孔连接到有源层211。源电极214、漏电极215、数据线以及触摸垫TP和检查垫EP可以由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种或它们的合金的单层或多层形成。
用于使驱动薄膜晶体管DTFT和检查薄膜晶体管ETFT绝缘的保护膜240可以形成在源电极214、漏电极215、数据线、触摸垫TP和检查垫EP上。保护膜240可以由无机层(例如，氧化硅(SiOx)层、氮氧化硅(SiON)层、氮化硅(SiNx)层或它们的多层)形成。
用于使由于驱动薄膜晶体管DTFT和检查薄膜晶体管ETFT引起的台阶平坦化的平坦化膜250可以形成在保护膜240上。平坦化膜250可以由包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机膜形成。保护膜240可以包括用于使驱动薄膜晶体管DTFT的源电极214暴露的第一接触孔CT1、用于使检查薄膜晶体管ETFT的源电极214和漏电极215暴露的第二接触孔CT2和第三接触孔CT3、用于使检查垫EP暴露的第四接触孔CT4、用于使触摸垫TP暴露的第五接触孔CT5。触摸线TL可以分别通过第三接触孔CT3和第五接触孔CT5连接到检查薄膜晶体管ETFT的漏电极215和触摸垫TP，连接线CNL可以分别通过第二接触孔CT2和第四接触孔CT4连接到检查薄膜晶体管ETFT的源电极214和检查垫EP。
坝340可以在触摸垫TP与驱动薄膜晶体管DTFT之间形成在保护膜240上。坝340可以用于挡住薄膜封装层TFEL的有机膜282。
发光元件层EML形成在薄膜晶体管层TFTL上。发光元件层EML包括发光元件260和堤270。
发光元件260和堤270形成在平坦化膜250上。每个发光元件260可以包括阳极电极261、发光层262和阴极电极263。尽管图17中示出了阳极电极261设置在发光层262下方，阴极电极263设置在发光层262之上，但是发明构思不限于此。在发明构思的示例性实施例中，阳极电极261可以设置在发光层262之上，阴极电极263可以设置在发光层262下方。
阳极电极261可以形成在平坦化膜250上。阳极电极261通过穿透保护膜240和平坦化膜250的第一接触孔CT1连接到驱动薄膜晶体管DTFT的源电极214。阳极电极261可以由具有高反射率的金属材料形成，诸如铝和钛的层叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的层叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金或APC和ITO的层叠结构(ITO/APC/ITO)。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。ITO表示氧化铟锡。
堤270可以在平坦化膜250上形成为划分阳极电极261以限定子像素。堤270可以形成为覆盖阳极电极261的边缘。
每个子像素是指阳极电极261、发光层262和阴极电极263顺序地层叠的区域，来自于阳极电极261的空穴和来自于阴极电极263的电子在发光层262中彼此结合以发光。
发光层262形成在阳极电极261和堤270上。发光层262可以是包括有机材料并发射预定颜色的光的有机发光层。当发光层262是发射白光的白色发光层时，发光层262可以是共同地形成在子像素中的公共层。在这种情况下，发光层262可以形成为具有两个堆叠或更多的串联结构。每个堆叠可以包括空穴传输层、至少一个发光层和电子传输层。
电荷产生层可以形成在堆叠之间。电荷产生层可以包括与底部的堆叠相邻定位的n型电荷产生层以及形成在n型电荷产生层上并与顶部的堆叠相邻定位的p型电荷产生层。n型电荷产生层将电子注入到底部堆叠中，p型电荷产生层将空穴注入到顶部堆叠中。n型电荷产生层可以是其中具有电子传输能力的有机主体材料掺杂有碱金属(诸如Li、Na、K或Cs)或碱土金属(诸如Mg、Sr、Ba或Ra)的有机层。p型电荷产生层可以是其中具有电子传输能力的有机主体材料掺杂有掺杂剂的有机层。
阴极电极263形成在发光层262上。阴极电极263可以形成为覆盖发光层262。阴极电极263可以是共同地形成在子像素中的公共层。
阴极电极263可以由诸如ITO或IZO的透明导电材料(TCO)(其是透光的)或者诸如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金的半透射导电材料形成。当阴极电极263由半透射导电材料形成时，可以通过微腔提高发光效率。盖层可以形成在阴极电极263上。
薄膜封装层TFEL形成在发光元件层EML上。薄膜封装层TFEL包括封装膜280。封装膜280可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜以防止氧或湿气渗透到发光层262和阴极电极263中。例如，如图17和图18中所示，封装膜280可以包括第一无机膜281和第二无机膜283以及插置在第一无机膜281与第二无机膜283之间的有机膜282。第一无机膜281和第二无机膜283中的每个可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝或氧化钛形成。有机膜282可以形成为具有约7μm至8μm的足够的厚度以防止颗粒穿透封装膜280并进入发光层262和阴极电极263。
第二缓冲膜31形成在薄膜封装层TFEL上。第二缓冲膜31可以形成为覆盖封装膜280。在发明构思的示例性实施例中，第二缓冲膜31可以形成为覆盖触摸垫TP、检查薄膜晶体管ETFT和检查垫EP。第二缓冲膜31可以由无机膜或有机膜形成。当第二缓冲膜31由无机膜形成时，第二缓冲膜31可以由氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜或它们的多层形成。当第二缓冲膜31由有机膜形成时，可以对第二缓冲膜31进行等离子体处理以增大第二缓冲膜31的表面粗糙度。在这种情况下，可以增大第二缓冲膜31的与连接电极BE接触的面积以增大第二缓冲膜31与连接电极BE之间的界面粘合力。
触摸感测单元TDU形成在第二缓冲膜31上。触摸感测单元TDU包括连接电极BE、驱动电极TE、感测电极RE和触摸绝缘膜43。
驱动电极TE和感测电极RE可以设置在同一层上，连接电极BE可以与驱动电极TE和感测电极RE设置在不同的层上。驱动电极TE和感测电极RE彼此间隔开并且彼此电绝缘。触摸绝缘膜43包括触摸无机膜294和触摸有机膜295。
例如，连接电极BE可以形成在第二缓冲膜31上。每个连接电极BE可以由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一个或它们的合金的单层或多层形成。
触摸无机膜294可以形成在连接电极BE上。触摸无机膜294可以由无机层(例如，氧化硅(SiOx)层、氮氧化硅(SiON)层、氮化硅(SiNx)层或它们的多层)形成。
触摸有机膜295可以形成在触摸无机膜294上。由于连接电极BE与触摸无机膜294之间的界面粘合力高于连接电极BE与触摸有机膜295之间的界面粘合力，所以当触摸无机膜294形成在连接电极BE与触摸有机膜295之间时，能够在连接电极BE与触摸有机膜295之间防止触摸有机膜295的翘起。
驱动电极TE和感测电极RE可以形成在触摸有机膜295上。如图17中所示，驱动电极TE可以通过穿透触摸无机膜294和触摸有机膜295以使连接电极BE暴露的第六接触孔CT6连接到连接电极BE。因此，由于驱动电极TE使用驱动电极TE与感测电极RE的相交区域中的连接电极BE来彼此连接，所以驱动电极TE和感测电极RE彼此不短路。驱动电极TE和感测电极RE可以被布置为与堤270叠置以防止子像素的开口区域减小。
驱动线TL可以从驱动电极TE延伸，感测线RL可以从感测电极RE延伸。
驱动电极TE、感测电极RE、驱动线TL和感测线RL可以由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或它们的合金的单层或多层形成。
用于使由于驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE引起的台阶平坦化的覆层296可以形成在驱动电极TE和感测电极RE上。
如以上描述的，发明构思的示例性实施例提供了一种触摸感测单元、包括该触摸感测单元的显示装置以及使触摸感测单元老化的方法，该触摸感测单元能够通过布置连接到检查垫的检查薄膜晶体管来防止触摸布线之间以及触摸电极之间的短路。
虽然已经参照发明构思的示例性实施例示出并描述了发明构思，但是对于本领域普通技术人员将明显的是，在不脱离如权利要求中所阐述的发明构思的范围和精神的情况下，可以对发明构思做出形式和细节上的各种修改、增加和替换。

Claims (9)

1.一种触摸感测单元，所述触摸感测单元包括：
基体层，包括触摸感测区域和触摸外围区域；
触摸电极，设置在所述触摸感测区域中；
触摸线，设置在所述触摸外围区域中并电连接到所述触摸电极；
检查垫，设置在位于所述触摸外围区域的一侧处的垫区域中；以及
检查薄膜晶体管，设置在所述垫区域中并电连接到所述触摸线和所述检查垫，
其中，所述触摸线包括第一驱动线、第二驱动线和第三驱动线，所述第一驱动线、所述第二驱动线和所述第三驱动线在第一方向上顺序地布置在所述垫区域中，
所述检查垫包括第一检查垫、第二检查垫和第三检查垫，所述第一检查垫连接到所述第一驱动线，所述第二检查垫连接到所述第二驱动线，所述第三检查垫连接到所述第三驱动线，
所述检查薄膜晶体管包括第一检查薄膜晶体管，并且
所述第一检查薄膜晶体管的第一电极连接到所述第一驱动线，并且所述第一检查薄膜晶体管的第二电极连接到所述第一检查垫。
2.根据权利要求1所述的触摸感测单元，
其中，所述触摸线包括多条触摸线，所述多条触摸线在第一方向上顺序地布置在所述垫区域中，并且
所述检查薄膜晶体管仅设置在所述多条触摸线中的奇数触摸线上。
3.根据权利要求1所述的触摸感测单元，
其中，所述检查薄膜晶体管还包括第二检查薄膜晶体管。
4.根据权利要求3所述的触摸感测单元，
其中，所述第二检查薄膜晶体管的第一电极连接到所述第三驱动线，并且所述第二检查薄膜晶体管的第二电极连接到所述第三检查垫。
5.根据权利要求4所述的触摸感测单元，
其中，所述检查薄膜晶体管还包括第三检查薄膜晶体管，
所述触摸线还包括第一感测线、第二感测线和第三感测线，所述第一感测线、所述第二感测线和所述第三感测线在所述第一方向上顺序地布置在所述垫区域中，
所述检查垫包括第四检查垫、第五检查垫和第六检查垫，所述第四检查垫连接到所述第一感测线，所述第五检查垫连接到所述第二感测线，所述第六检查垫连接到所述第三感测线，并且
所述第三检查薄膜晶体管的第一电极连接到所述第一感测线，并且所述第三检查薄膜晶体管的第二电极连接到所述第四检查垫。
6.根据权利要求5所述的触摸感测单元，
其中，所述检查薄膜晶体管还包括第四检查薄膜晶体管，
所述第四检查薄膜晶体管的第一电极连接到所述第三感测线，并且
所述第四检查薄膜晶体管的第二电极连接到所述第六检查垫。
7.根据权利要求6所述的触摸感测单元，
其中，所述检查垫还包括第七检查垫，并且
所述第七检查垫连接到所述第一检查薄膜晶体管、所述第二检查薄膜晶体管、所述第三检查薄膜晶体管和所述第四检查薄膜晶体管中的每个检查薄膜晶体管的控制电极。
8.根据权利要求7所述的触摸感测单元，
其中，所述检查薄膜晶体管还包括第五检查薄膜晶体管和第六检查薄膜晶体管，并且
所述第五检查薄膜晶体管的第一电极连接到所述第二驱动线，并且所述第五检查薄膜晶体管的第二电极连接到所述第二检查垫。
9.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和非显示区域；
薄膜晶体管层，设置在所述基底上，并且包括驱动薄膜晶体管和检查薄膜晶体管；
发光元件层，设置在所述薄膜晶体管层上；以及
触摸感测单元，设置在所述发光元件层上，
其中，所述驱动薄膜晶体管设置在所述显示区域中，并且所述检查薄膜晶体管设置在所述非显示区域中并且与所述驱动薄膜晶体管位于同一层上，并且
其中，所述触摸感测单元包括触摸线，并且所述触摸线电连接到所述检查薄膜晶体管。
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