CN111668360A - 倒装式高压led晶片组、植物补光用led光源及光照设备 - Google Patents

倒装式高压led晶片组、植物补光用led光源及光照设备 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种倒装式高压LED晶片组、植物补光用LED光源及光照设备，所述植物补光用LED光源包括基板、高压LED晶片组、第一胶粉层和第二胶粉层；通过控制第一胶粉层的透明胶黏介质和红色荧光粒子的重量比，以及厚度；同时控制第二胶粉层的透明胶黏介质和黄色荧光粒子的重量比和厚度，使得植物补光用正装高压LED光源在单位时间内发射的红光:蓝光:绿光的光子数比例为65～95:5～30:5～25之间。本发明的植物补光用LED光源自身工作电压高，容易实现封装成品工作电压接近市电，提高了电源的效率，由于工作电流低，其在成品应用中的线路损耗也将明显低于传统DCLED晶片；同时植物补光用LED光源减少了芯片的固晶和键合数量，有利于降低封装的成本。

Description

倒装式高压LED晶片组、植物补光用LED光源及光照设备
技术领域
本发明涉及一种倒装式高压LED晶片组、植物补光用LED光源及光照设备，属于设施农业光照技术领域。
背景技术
LED植物光照系统是设施农业的核心技术装备，为植物生产提供光合能量和光照信号。LED作为新型光源的植物生理响应机制已经被广泛揭示，应用的生物学基础已非常明确。当前LED植物生长灯具通常采用红、蓝光2种LED光源或用红、白光2种LED光源混合制作植物生长灯具。传统的低压LED光源和灯具本身固有的弊端，包括驱动电源寿命短、转换效率低，低压LED散热性不好，不能在大电流下工作等。LED照明装置中，芯片光效、封装方式、驱动效率影响到LED照明装置的发光效率。对于包含LED芯片(和/或一个或多个其他固态发光器件)的设备来说，最佳性能的驱动技术是具有“高电压、低电流”而非“低电压、高电流”。一般的小型LED芯片在20～30mA的电流和3V的电压下运行，但是一般的电源芯片在350mA和3V运行。
由此，现有技术中的低压LED存在以下缺点：
一是植物灯的红蓝灯色谱比例一般在5：1-10：1之间为宜，通常可选7-8：1的比例。在蓝光LED个数较少的前提下将红光LED均匀配置，或即使将蓝光LED的光发射角度调整成最优，红光与蓝光的光质混合不充分，因此易发生光质分布不均匀。
二是需外加功率较大的驱动电源，电能转化效率低。传统的氮化镓基发光二极管工作在直流电压下，电压范围在2.9-3.5V，工作电流通常为20mA。为了让发光二极管达到普通照明所需的亮度，一般要将LED晶片的工作电流提高到lOOmA以上，目前常用的有100mA，350mA和700mA。目前的市用电力系统是以交流高压为主，因此需要使用降压变压器或整流器等电能转换方式来提供稳定的电流源，以控制LED发光。如果采用大电流的高功率LED晶片，驱动装置中需要一个较大的驱动电源，但驱动电源的可靠性不高(2万小时左右)且寿命一般都低于LED光源(长达5-10万小时)的寿命，成为LED照明装置寿命的主要瓶颈。
并且在交流市电转化为直流电时，会有一部分电力损耗，导致LED的工作效率降低；同时，这些外加的变压器或整流器会增加整体制造成本，占用空间而影响照明工具的外观，产生热量而降低LED长期使用的安全性。而且，外加电路本身的使用寿命较LED为短，因而降低了LED在应用上的整体使用寿命。
三是功率型LED灯具，其通常工作在大电流下，电流扩展问题严重影响其性能，光出射率低，增加功耗。电流扩展不均容易导致电流拥挤，大大降低器件的发光效率。在LED灯串数量固定不变时，当LED驱动系统的电源输入端输入的交流电压升高，在系统电流没有增加的情况下，功率管的阻值将会变大，导致功率管的功耗增加而发热严重，如芯片内温度升高到触发过温调节时，则会使系统的总功率先上升后下降，从而出现功率不稳定，波动严重的问题；大电流驱动导致的线损也比较高，大电流注入下芯片的结温上升进而影响发光效率。从而导致能耗增加，灯具散热负担也增加，需要设计结构复杂的散热结构或额外配置散热器来降温，导致成本居高不下，使得植物LED灯具的价格难以下降。
此外，交流电是市电AC220V，存在电压不稳定现象，电压波动很大，高达有时会在280V以上，而通过电阻限流，电流也会有很大波动，不能有效的恒流而保护LED，并且电阻会发热，消耗电能，降低光效。而且产品的封装应用上增加了电路产品体积及组装、打线、人工等成本。
发明内容
本发明目的是提供一种倒装式高压LED晶片组和植物补光用LED光源，其通过高压LED晶片组使得该植物补光用LED光源能够工作在高压下，解决了上述技术问题。
本发明解决技术问题采用如下技术方案：一种倒装式高压LED晶片组，其包括：多个LED晶片，所述LED晶片为倒装式LED晶片；所述倒装式LED晶片包括衬底层、依次层叠在所述衬底层下方的N-GaN层、发光层、P-GaN层和透明导电层；所述LED晶片上还设有P电极焊盘和N电极焊盘，且P电极焊盘和N电极焊盘在芯片同一侧，所述P电极焊盘设于所述透明导电层上，所述N电极焊盘设于所述N-GaN层上，且P电极焊盘与N电极焊盘两者间相互电隔离；所述每个LED晶片倒装焊接在基板上，并通过基板上的印刷电路进行互联；
所述LED晶片以串联方式连接，LED晶片的P电极焊盘与另一个LED晶片的N电极焊盘连接；
或者，LED晶片以先串联方式后并联方式连接，至少包括两个并联的LED晶片组，所述LED晶片组内部的LED晶片的P电极焊盘和N电极焊盘通过连接电极相互串联连接；
或者，LED晶片以先并联方式后串联方式连接，至少包括两个串联的LED晶片组，所述LED晶片组内部的LED晶片P电极焊盘和N电极焊盘通过连接电极相互并联连接。
本发明解决技术问题还采用如下技术方案：一种植物补光用LED光源，其包括基板、高压LED晶片组、第一胶粉层和第二胶粉层；
所述高压LED晶片组为上述的倒装式高压LED晶片组；所述LED晶片为蓝光LED晶片和/或紫外LED晶片；
所述基板上形成有绝缘层，所述绝缘层上形成有印刷电路，所述高压LED晶片的P电极焊盘和N电极焊盘焊接在印刷电路上；
在所述LED晶片的上方覆盖有第一胶粉层；所述第一胶粉层将LED晶片固定于所述基板上，且其为透明胶黏介质和红色荧光粒子的混合物；
所述第二胶粉层覆盖于所述第一胶粉层上，并完整包裹所述第一胶粉层；所述第二胶粉层为透明胶黏介质和黄色荧光粒子的混合物；
通过控制第一胶粉层的透明胶黏介质和红色荧光粒子的重量比，以及该第一胶粉层的厚度；同时控制第二胶粉层的透明胶黏介质和黄色荧光粒子的重量比，以及该第二胶粉层的厚度，使得植物补光用正装高压LED光源在单位时间内发射的红光:蓝光:绿光的光子数比例为65～95:5～30:5～25之间；或者在单位时间内发射的红光:蓝光:绿光:紫外光的光子数比例为70～95:5～30:5～25:1～5之间。
本发明解决技术问题还采用如下技术方案：一种植物补光用LED光源，其包括基板、高压LED晶片组、第一胶粉层和第二胶粉层；
所述高压LED晶片组为上述的倒装式高压LED晶片组；所述LED晶片为蓝光LED晶片和/或紫外LED晶片；
所述基板上形成有绝缘层，所述绝缘层上形成有印刷电路，所述高压LED晶片的P电极焊盘和N电极焊盘通过共晶焊、键合或导电胶粘接方式焊接在带印刷电路的基板上；
在所述LED晶片的上方覆盖有第一胶粉层；所述第一胶粉层将LED晶片固定于所述基板上，且其为透明胶黏介质和红色荧光粒子的混合物；
所述第二胶粉层覆盖于所述第一胶粉层上，并完整包裹所述第一胶粉层；所述第二胶粉层为透明胶黏介质和红外荧光粒子的混合物；
通过控制第一胶粉层的透明胶黏介质和红色荧光粒子的重量比，以及该第一胶粉层的厚度；同时控制第二胶粉层的透明胶黏介质和红外荧光粒子的重量比，以及该第二胶粉层的厚度，使得植物补光用正装高压LED光源在单位时间内发射红光:蓝光:红外光的光子数的比例为65～95:5～30:1～15之间；或者在单位时间内发射的红光:蓝光:红外光:紫外光的光子数比例为70～95:5～30:1～15:1～10之间。
可选的，由所述蓝光LED晶片和紫外LED晶片所发出的蓝光和紫外光，通过第一胶粉层和第二胶粉层中的荧光粒子，波长转换后形成匹配于光合作用曲线的光谱，适用于植物生长的不同生长阶段的光照需求；
其中，当第二胶粉层包括黄色荧光粒子时，所述蓝光LED晶片发出的光为主波长范围为400nm至480nm的蓝光，且第一胶粉层和第二胶粉层的红色荧光粒子和黄色荧光粒子分别受到蓝光激发产生主波长范围为600nm至680nm的红光以及主波长范围为490nm至590nm的绿光，未受激发的蓝光和受激发转换的光形成匹配于植物光合作用光谱特征的光谱；
当第二胶粉层包括红外荧光粒子时，所述蓝光LED晶片发出的光为主波长范围为400nm至480nm的蓝光，且第一胶粉层和第二胶粉层的红色荧光粒子和红外荧光粒子分别受到LED蓝光激发产生主波长范围为600nm至680nm的红光以及主波长范围为700nm至750nm红外光，未受激发的蓝光和受激发转换的光形成符合植物光合作用曲线特征且有助于调控植物形态和花期的光谱；
当第二胶粉层包括黄色荧光粒子时，所述紫外LED晶片发出的光为主波长范围为320nm至400nm的紫外光，且第一胶粉层和第二胶粉层的红色荧光粒子和黄色荧光粒子分别受到紫外光激发产生主波长范围为600nm至680nm的红光以及主波长范围为490nm至590nm的绿光，未受激发的紫外光和受激发转换的光形成符合植物光合作用曲线特征的光谱；
当第二胶粉层包括红外荧光粒子时，所述紫外LED晶片发出的光为主波长范围为320nm至400nm的紫外光，且第一胶粉层和第二胶粉层的红色银光粒子和红外荧光粒子分别受到紫外光激发产生主波长范围为600nm至680nm的红光以及主波长范围为700nm至700nm的红外光，未受激发的紫外光和受激发转换的光形成符合植物光合作用曲线特征有助于调控植物形态和花期的光谱。
可选的，所述蓝光LED晶片为在400nm～480nm范围内具有发光峰的LED晶片或其不同波长LED晶片组合，所述紫外LED晶片为波长在320nm～400nm的范围内拥有发光峰的LED晶片或其不同波长LED晶片组合。
可选的，所述倒装式LED晶片的工作电压为9-220V，多个倒装式LED晶片串联和/或并联连接，由外部直流或交流电压驱动，所述驱动电压等于或接近外接AC或DC工作电压。
本发明解决技术问题还采用如下技术方案：一种光照设备，其包括上述的植物补光用LED光源。
可选的，所述的光照设备还包括LED驱动器；
所述LED驱动器与高压LED晶片组连接；所述LED驱动器用于驱动所述高压LED晶片组；所述LED驱动器与外接AC或DC电源相连通。
可选的，所述的光照设备还包括电连接器；
所述电连接器与高压LED晶片组连接，所述电连接器与外接AC或DC电源相连通。
本发明具有如下有益效果：本发明的植物补光用LED光源自身工作电压高，容易实现封装成品工作电压接近市电，提高了驱动电源的转换效率，降低驱动电源的成本；工作电流低，其在成品应用中的线路损耗也将明显低于传统DC LED晶片；工作电流小，产生的热量少，热阻降低，提高光效的稳定性和LED光源的寿命；此外，植物补光用LED光源减少了芯片的固晶和键合数量，有利于降低封装的成本。
附图说明
图1为本发明的植物补光用LED光源的结构示意图；
图中标记示意为：1-基板；2-绝缘层；3-印刷电路；4-LED晶片；5-第一胶粉层；6-第二胶粉层。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本发明的技术方案作进一步阐述。
实施例1
本实施例提供一种倒装式高压LED晶片组，其包括：多个LED晶片，所述LED晶片为倒装式LED晶片；所述倒装式LED晶片包括衬底层、依次层叠在所述衬底层下方的N-GaN层、发光层、P-GaN层和透明导电层；所述LED晶片上还设有P电极焊盘和N电极焊盘，且P电极焊盘和N电极焊盘在芯片同一侧，所述P电极焊盘设于所述透明导电层上，所述N电极焊盘设于所述N-GaN层上，且P电极焊盘与N电极焊盘两者间相互电隔离；所述每个LED晶片倒装焊接在基板上，并通过基板上的印刷电路进行互联；
所述LED晶片以串联方式连接，LED晶片的P电极焊盘与另一个LED晶片的N电极焊盘连接；
或者，LED晶片以先串联方式后并联方式连接，至少包括两个并联的LED晶片组，所述LED晶片组内部的LED晶片的P电极焊盘和N电极焊盘通过连接电极相互串联连接；
或者，LED晶片以先并联方式后串联方式连接，至少包括两个串联的LED晶片组，所述LED晶片组内部的LED晶片P电极焊盘和N电极焊盘通过连接电极相互并联连接。
实施例2
本实施例提供了一种植物补光用LED光源，其包括基板、高压LED晶片组、第一胶粉层和第二胶粉层。
所述高压LED晶片组采用实施例1中所述的倒装式高压LED晶片组；即包括多个串联和/或并联连接的LED晶片，本实施例中，所述LED晶片从包括以下项的组中选择的任一项：半导体发光二极管；有机发光二极管OLED；量子点发光二极管QLED和微发光二极管Micro-LED；更优选地，所述LED晶片为蓝光LED晶片和/或紫外LED晶片，所述蓝光LED晶片为在400nm～480nm范围内具有发光峰的LED晶片或其不同波长LED晶片组合，所述紫外LED晶片为波长在320nm～400nm的范围内拥有发光峰的LED晶片或其不同波长LED晶片组合。其中，本发明中的“高压”指经过LED光源的电压降至少是所述LED光源中的一个LED发光器件的电压阵的三倍以上。
所述基板上形成有绝缘层，所述绝缘层上形成有印刷电路，所述高压LED晶片的P电极焊盘和N电极焊盘焊接在印刷电路上；从而通过该印刷电路实现LED晶片的串联和并联。
在所述LED晶片的上方覆盖有第一胶粉层；本实施例中，所述第一胶粉层将LED晶片固定于所述基板上，且其为透明胶黏介质和红色荧光粒子的混合物，其中，所述透明胶黏介质和红色荧光粒子的重量比为100:10-150，并且可以选择100:50，或者100:100作为优选方案。
所述第二胶粉层覆盖于所述第一胶粉层上，并完整包裹所述第一胶粉层；本实施例中，所述第二胶粉层为透明胶黏介质和黄色荧光粒子的混合物，其中，所述透明胶黏介质和黄色荧光粒子的重量比为100:40-60，并且优选地，所述透明胶黏介质和黄色荧光粒子的重量比为100:50。
其中，所述第二胶粉层中还可以掺杂部分绿光荧光粒子，以使得所述蓝光LED晶片所产生的蓝光和紫外LED晶片所产生的紫外光在激光绿光荧光粒子时，产生绿光。作为一种优选，所述绿光荧光粒子与黄色荧光粒子的质量比可以设置为1:1。
由所述蓝光LED晶片和紫外LED晶片所发出的蓝光和紫外光，通过第一胶粉层和第二胶粉层中的荧光粒子，波长转换后形成匹配于光合作用曲线的光谱，适用于植物生长的不同生长阶段的光照需求。
其中，所述蓝光LED晶片发出的光为主波长范围为400nm至480nm的蓝光，且第一胶粉层和第二胶粉层的红色荧光粒子和黄色荧光粒子分别受到蓝光激发产生主波长范围为600nm至680nm的红光以及主波长范围为490nm至590nm的绿光，未受激发的蓝光和受激发转换的光形成匹配于植物光合作用光谱特征的光谱。
所述紫外LED晶片发出的光为主波长范围为320nm至400nm的紫外光，且第一胶粉层和第二胶粉层的红色荧光粒子和黄色荧光粒子分别受到紫外光激发产生主波长范围为600nm至680nm的红光以及主波长范围为490nm至590nm的绿光，未受激发的紫外光和受激发转换的光形成符合植物光合作用曲线特征的光谱；
优选地，所述红色荧光粒子为被Mn4+活化的氟锗酸盐荧光体、在组成中具有选自碱土金属元素中的至少一种元素、和选自碱金属元素中的至少一种元素，包含被Eu2+活化的如铝酸盐、硅酸盐、磷酸盐类荧光体、在组成中具有选自Sr和Ca中的至少一种元素和Al，包含被Eu2+活化的氮化硅的荧光体如CaAlSiN3：Eu系荧光体、包含被Eu2+活化的Ca或Sr的硫化物的荧光体、和在组成中具有选自碱金属元素和铵离子NH4 +中的至少一种元素或离子、和选自第4族元素或第14族元素中的至少一种元素，包含被Mn4+活化的氟化物的荧光体如K2SiF6中的至少一种或者其组合。
优选地，所述红色荧光粒子如含Eu2+活氮化物红色荧光粒子、Mn4+掺杂的K2SiF6红色荧光粒子，能够使得其发射主波长为660nm±20nm红光，且其质量比为4:1。
本实施例中，通过控制第一胶粉层的透明胶黏介质和红色荧光粒子的重量比，以及该第一胶粉层的厚度；同时控制第二胶粉层的透明胶黏介质和黄色荧光粒子的重量比，以及该第二胶粉层的厚度，使得植物补光用正装高压LED光源在单位时间内发射的红光:蓝光的光子数的比例为65～95:5～35之间；或者在单位时间内发射的红光:蓝光:绿光的光子数比例为65～95:5～30:5～25之间；或者在单位时间内发射的红光:蓝光:紫外光的光子数比例为70～95:5～30:1～5之间。
优选地，所述第一胶粉层的厚度可以设置为0.6mm-1.0mm；所述第二胶粉层的厚度可以设置为1cm-1.5cm，以使得光子通量密度的比例在上述范围内。
而且，所述第一胶粉层和/或第二胶粉层中还掺杂有蓝色荧光粒子，从而使得紫外LED晶片能够激光蓝色荧光粒子产生主波长范围为400nm至480nm的蓝光，以在紫外LED晶片占总的LED晶片的比例较大时，通过蓝光荧光粒子所产生的蓝光，降低紫外光的光子数，提高蓝光的光子数。
优选地，所述蓝色荧光粒子在第一胶粉层和第二胶粉层的含量可以为第一胶粉层和第二胶粉层总重量的10％-30％。
本实施例中，所述LED晶片为倒装式LED晶片，所述LED晶片包括衬底层、依次层叠在所述衬底层下方的N-GaN层、发光层、P-GaN层和透明导电层；所述LED晶片上还设有P电极焊盘和N电极焊盘，所述P电极焊盘设于所述透明导电层上，所述N电极焊盘设于所述N-GaN层上；且P电极焊盘与N电极焊盘两者间相互电隔离；所述每个LED晶片倒装焊接在基板上，并通过基板上的印刷电路进行互联。
所述倒装式LED晶片的工作电压为9-220V，多个倒装式LED晶片串联和/或并联连接，由外部直流或交流电压驱动，驱动电压等于或接近外接AC或DC工作电压。
具体地，所述LED晶片以串联方式连接，LED晶片的P电极焊盘与另一个LED晶片的N电极焊盘连接；
或者，LED晶片以先串联方式后并联方式连接，至少包括两个并联的LED晶片组，所述LED晶片组内部的LED晶片的P电极焊盘和N电极焊盘通过连接电极相互串联连接；
或者，LED晶片以先并联方式后串联方式连接，至少包括两个串联的LED晶片组，所述LED晶片组内部的LED晶片P电极焊盘和N电极焊盘通过连接电极相互并联连接。
本实施例中，考虑到部分荧光粒子需要工作在低温的环境，因此，第一胶粉层和LED晶片之间可以设置隔热层；而且，所述第一胶粉层和第二胶粉层之间可以设置透明树脂、硅胶等具有较好散热性能的层。
作为另一种实现形式，本实施例中，可以通过在所述高压LED晶片组覆盖单一的胶粉层来实现，此时，可将透明胶黏介质、红色荧光粉和黄色荧光粉的混合物覆盖高压LED晶片组，使得植物补光用正装高压LED光源在单位时间内发射的红光:蓝光:绿光的光子数比例为65～95:5～30:5～25之间；或者在单位时间内发射的红光:蓝光:绿光:紫外光的光子数比例为70～95:5～30:5～25:1～5之间。
本发明的植物补光用LED光源自身工作电压高，容易实现封装成品工作电压接近市电，提高了驱动电源的转换效率，由于工作电流低，其在成品应用中的线路损耗也将明显低于传统DC LED晶片；工作电流小，产生的热量少，热阻降低，提高光效的稳定性和LED光源的寿命；此外，植物补光用LED光源减少了芯片的固晶和键合数量，有利于降低封装的成本。
植物补光用LED光源相较于一般将多颗发光二极管以打线方式串接实现的高压二极管可得到较低的热阻，在灯具的制作上可采用较小的散热模块。
高压LED晶片组采用低电流驱动，提高了高压LED器件的可靠性，降低了应用过程中的线路损耗：同时还可大幅度降低对散热外壳和散热系统的设计要求，降低封装成本。
植物补光用LED光源具有两优点：一，提高LED光源出光效率，有效降低发光二极管照明灯具驱动成本和灯具的重量；二，高电压、小电流工作，降低发热，从而降低对散热系统的要求，灯具结构可以节省散热材料。
同时，植物补光用LED光源只需高压线性恒流源就能工作，高压线性恒流电源无变压器、无电解电容器，解决普通LED的驱动电源和电解电容器的寿命问题。
采用植物补光用LED光源来开发照明产品，可以将驱动电源大大简化，总体功耗也可大幅度降低，从而大幅度降低散热外壳的设计要求，也意味着照明灯具的成本有效降低。
实施例3
本实施例提供了一种植物补光用LED光源，其与实施例1的不同之处在于，使用红外荧光粒子替换黄色荧光粒子，此时：
所述透明胶黏介质和红外荧光粒子的重量比为100:40-60，并且优选地，所述透明胶黏介质和红外荧光粒子的重量比为100:50。
本实施例中，通过控制第一胶粉层的透明胶黏介质和红色荧光粒子的重量比，以及该第一胶粉层的厚度；同时控制第二胶粉层的透明胶黏介质和红外荧光粒子的重量比，以及该第二胶粉层的厚度，使得植物补光用正装高压LED光源在单位时间内发射的红光:蓝光的光子数的比例为70～95:5～30之间；或者在单位时间内发射的红光:蓝光:红外光的光子数的比例为65～95:5～30:1～15之间；或者在单位时间内发射的红光:蓝光:紫外光的光子数比例为70～95:5～30:1～10之间。
其中，所述第二胶粉层中还可以掺杂部分绿光荧光粒子，以使得所述蓝光LED晶片所产生的蓝光和紫外LED晶片所产生的紫外光在激光绿光荧光粒子时，产生绿光。作为一种优选，所述绿光荧光粒子与红外荧光粒子的质量比可以设置为1:1。
优选地，所述第一胶粉层的厚度可以设置为0.6mm-1.0mm；所述第二胶粉层的厚度可以设置为1cm-1.5cm，以使得光子通量密度的比例在上述范围内。
由所述蓝光LED晶片和紫外LED晶片所发出的蓝光和紫外光，通过第一胶粉层和第二胶粉层中的荧光粒子，波长转换后形成匹配于光合作用曲线的光谱，适用于植物生长的不同生长阶段的光照需求。
所述蓝光LED晶片发出的光为主波长范围为400nm至480nm的蓝光，且第一胶粉层和第二胶粉层的红色荧光粒子和红外荧光粒子分别受到LED蓝光激发产生主波长范围为600nm至680nm的红光以及主波长范围为700nm至750nm红外光，未受激发的蓝光和受激发转换的光形成符合植物光合作用曲线特征且有助于调控植物形态和花期的光谱。
所述紫外LED晶片发出的光为主波长范围为320nm至400nm的紫外光，且第一胶粉层和第二胶粉层的红色银光粒子和红外荧光粒子分别受到紫外光激发产生主波长范围为600nm至680nm的红光以及主波长范围为700nm至700nm的红外光，未受激发的紫外光和受激发转换的光形成符合植物光合作用曲线特征有助于调控植物形态和花期的光谱。
蓝光LED晶片在400nm～480nm范围内具有发光峰，或者为在400nm～480nm的范围内拥有发光峰的多波长蓝光LED晶片组合。
所述红色荧光粒子采用YAGG、YAGG:Ce3+、YAG:Eu2+、氮化物红色荧光粒子、Mn4+掺杂的K2SiF6和K2SnF6深红色荧光粒子其中的一种或者它们的组合。
所述红外荧光粒子为Cr3+、Ce3+、Yb3+多掺杂的YAG近红外荧光粒子其中的一种或者它们的组合，如Y3Al5O12:Cr,Ce,Yb。
所述透明胶黏介质为硅胶、环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲醋(PMMA)、聚碳酸醋(PC)，或感光胶体中的一种或者多种组合。根据不同的需要，固晶过程和灌封过程采用相应的胶。
本实施例中，考虑到部分荧光粒子需要工作在低温的环境，因此，第一胶粉层和LED晶片之间可以设置隔热层；而且，所述第一胶粉层和第二胶粉层之间可以设置透明树脂、硅胶等具有较好散热性能的层。
作为另一种实现形式，本实施例中，可以通过在所述高压LED晶片组覆盖单一的胶粉层来实现，此时，可将透明胶黏介质、红色荧光粉和红外荧光粉的混合物覆盖高压LED晶片组，使得植物补光用正装高压LED光源在单位时间内发射红光:蓝光:红外光的光子数的比例为65～95:5～30:1～15之间；或者在单位时间内发射的红光:蓝光:红外光:紫外光的光子数比例为70～95:5～30:1～15:1～10之间。
实施例4
本实施例提供一种光照设备，其包括实施例1至2中的植物补光用LED光源。
而且，所述光照设备还包括电连接器和LED驱动器。
所述基板可以采用氮化铝、铜基板、铜合金基板、氧化铝、环氧树脂模塑料、碳化硅、金刚石、硅、石墨铝基板、铝铁合金基板中、高导热塑料基板或铝包塑基板的一种制备，其中，氮化铝、氮化棚、氧化铝、环氧树脂模塑料、碳化硅、金刚石、硅、石墨或纳米碳材料等材质制备的为不透明基板；透明玻璃、透明蓝宝石、透明石英玻璃、透明陶瓷或透明塑料等材质制备的为透明基板。
所述LED驱动器与高压LED晶片组连接；所述LED驱动器连接于基板的印刷电路，用于驱动所述高压LED晶片组；所述LED驱动器与外接AC或DC电源相连通。
所述电连接器与高压LED晶片组连接，所述电连接器与外接AC或DC电源相连通，以通过电连接器从电网等供电设备取电，并直接驱动高压LED晶片组。
所述植物补光用正装高压LED光源和光照设备，在一种或多种下述应用中被使用：人工气候箱、光照培养箱、植物工厂、组培室、设施农业等。
以上实施例的先后顺序仅为便于描述，不代表实施例的优劣。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (9)

1.一种倒装式高压LED晶片组，其特征在于，包括：多个LED晶片，所述LED晶片为倒装式LED晶片；所述倒装式LED晶片包括衬底层、依次层叠在所述衬底层下方的N-GaN层、发光层、P-GaN层和透明导电层；所述LED晶片上还设有P电极焊盘和N电极焊盘，且P电极焊盘和N电极焊盘在芯片同一侧，所述P电极焊盘设于所述透明导电层上，所述N电极焊盘设于所述N-GaN层上，且P电极焊盘与N电极焊盘两者间相互电隔离；所述每个LED晶片倒装焊接在基板上，并通过基板上的印刷电路进行互联；
所述LED晶片以串联方式连接，LED晶片的P电极焊盘与另一个LED晶片的N电极焊盘连接；
或者，LED晶片以先串联方式后并联方式连接，至少包括两个并联的LED晶片组，所述LED晶片组内部的LED晶片的P电极焊盘和N电极焊盘通过连接电极相互串联连接；
或者，LED晶片以先并联方式后串联方式连接，至少包括两个串联的LED晶片组，所述LED晶片组内部的LED晶片P电极焊盘和N电极焊盘通过连接电极相互并联连接。
2.一种植物补光用LED光源，其特征在于，包括基板、高压LED晶片组、第一胶粉层和第二胶粉层；
所述高压LED晶片组为权利要求1中所述的倒装式高压LED晶片组；所述LED晶片为蓝光LED晶片和/或紫外LED晶片；
所述基板上形成有绝缘层，所述绝缘层上形成有印刷电路，所述高压LED晶片的P电极焊盘和N电极焊盘通过共晶焊、键合或导电胶粘接的方式焊接在印刷电路上；
在所述LED晶片的上方覆盖有第一胶粉层；所述第一胶粉层将LED晶片固定于所述基板上，且其为透明胶黏介质和红色荧光粒子的混合物；
所述第二胶粉层覆盖于所述第一胶粉层上，并完整包裹所述第一胶粉层；所述第二胶粉层为透明胶黏介质和黄色荧光粒子的混合物；
通过控制第一胶粉层的透明胶黏介质和红色荧光粒子的重量比，以及该第一胶粉层的厚度；同时控制第二胶粉层的透明胶黏介质和黄色荧光粒子的重量比，以及该第二胶粉层的厚度，使得植物补光用正装高压LED光源在单位时间内发射的红光:蓝光:绿光的光子数比例为65～95:5～30:5～25之间；或者在单位时间内发射的红光:蓝光:绿光:紫外光的光子数比例为70～95:5～30:5～25:1～5之间。
3.一种植物补光用LED光源，其特征在于，包括基板、高压LED晶片组、第一胶粉层和第二胶粉层；
所述高压LED晶片组为权利要求1中所述的倒装式高压LED晶片组；所述LED晶片为蓝光LED晶片和/或紫外LED晶片；
所述基板上形成有绝缘层，所述绝缘层上形成有印刷电路，所述高压LED晶片的P电极焊盘和N电极焊盘通过共晶焊、键合或导电胶粘接方式焊接在印刷电路上；
在所述LED晶片的上方覆盖有第一胶粉层；所述第一胶粉层将LED晶片固定于所述基板上，且其为透明胶黏介质和红色荧光粒子的混合物；
所述第二胶粉层覆盖于所述第一胶粉层上，并完整包裹所述第一胶粉层；所述第二胶粉层为透明胶黏介质和红外荧光粒子的混合物；
通过控制第一胶粉层的透明胶黏介质和红色荧光粒子的重量比，以及该第一胶粉层的厚度；同时控制第二胶粉层的透明胶黏介质和红外荧光粒子的重量比，以及该第二胶粉层的厚度，使得植物补光用正装高压LED光源在单位时间内发射红光:蓝光:红外光的光子数的比例为65～95:5～30:1～15之间；或者在单位时间内发射的红光:蓝光:红外光:紫外光的光子数比例为70～95:5～30:1～15:1～10之间。
4.根据权利要求2或3所述的植物补光用LED光源，其特征在于，由所述蓝光LED晶片和紫外LED晶片所发出的蓝光和紫外光，通过第一胶粉层和第二胶粉层中的荧光粒子，波长转换后形成匹配于光合作用曲线的光谱，适用于植物生长的不同生长阶段的光照需求；
其中，当第二胶粉层包括黄色荧光粒子时，所述蓝光LED晶片发出的光为主波长范围为400nm至480nm的蓝光，且第一胶粉层和第二胶粉层的红色荧光粒子和黄色荧光粒子分别受到蓝光激发产生主波长范围为600nm至680nm的红光以及主波长范围为490nm至590nm的绿光，未受激发的蓝光和受激发转换的光形成匹配于植物光合作用光谱特征的光谱；
当第二胶粉层包括红外荧光粒子时，所述蓝光LED晶片发出的光为主波长范围为400nm至480nm的蓝光，且第一胶粉层和第二胶粉层的红色荧光粒子和红外荧光粒子分别受到LED蓝光激发产生主波长范围为600nm至680nm的红光以及主波长范围为700nm至750nm红外光，未受激发的蓝光和受激发转换的光形成符合植物光合作用曲线特征且有助于调控植物形态和花期的光谱；
当第二胶粉层包括黄色荧光粒子时，所述紫外LED晶片发出的光为主波长范围为320nm至400nm的紫外光，且第一胶粉层和第二胶粉层的红色荧光粒子和黄色荧光粒子分别受到紫外光激发产生主波长范围为600nm至680nm的红光以及主波长范围为490nm至590nm的绿光，未受激发的紫外光和受激发转换的光形成符合植物光合作用曲线特征的光谱；
当第二胶粉层包括红外荧光粒子时，所述紫外LED晶片发出的光为主波长范围为320nm至400nm的紫外光，且第一胶粉层和第二胶粉层的红色银光粒子和红外荧光粒子分别受到紫外光激发产生主波长范围为600nm至680nm的红光以及主波长范围为700nm至700nm的红外光，未受激发的紫外光和受激发转换的光形成符合植物光合作用曲线特征有助于调控植物形态和花期的光谱。
5.根据权利要求4所述的植物补光用LED光源，其特征在于，所述蓝光LED晶片为在400nm～480nm范围内具有发光峰的LED晶片或其不同波长LED晶片组合，所述紫外LED晶片为波长在320nm～400nm的范围内拥有发光峰的LED晶片或其不同波长LED晶片组合。
6.根据权利要求5所述的植物补光用LED光源，其特征在于，所述倒装式LED晶片的工作电压为9-220V，多个倒装式LED晶片串联和/或并联连接，由外部直流或交流电压驱动，驱动电压等于或接近外接AC或DC工作电压。
7.一种光照设备，其特征在于，包括权利要求1-6之一中的植物补光用LED光源。
8.根据权利要求7所述的光照设备，其特征在于，还包括LED驱动器；
所述LED驱动器与高压LED晶片组连接；所述LED驱动器用于驱动所述高压LED晶片组；所述LED驱动器与外接AC或DC电源相连通。
9.根据权利要求7所述的光照设备，其特征在于，还包括电连接器；
所述电连接器与高压LED晶片组连接，所述电连接器与外接AC或DC电源相连通。
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