CN111668336A - 一种360度超大广角紫外探测器 - Google Patents
一种360度超大广角紫外探测器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111668336A CN111668336A CN202010471887.8A CN202010471887A CN111668336A CN 111668336 A CN111668336 A CN 111668336A CN 202010471887 A CN202010471887 A CN 202010471887A CN 111668336 A CN111668336 A CN 111668336A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ultraviolet
- array
- wide
- angle
- flexible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000825 ultraviolet detection Methods 0.000 claims abstract description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 15
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 9
- 238000000233 ultraviolet lithography Methods 0.000 claims description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 claims description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010865 sewage Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0403—Mechanical elements; Supports for optical elements; Scanning arrangements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种360度超大广角紫外探测器，属于紫外探测技术领域，包括紫外探测阵列、支撑体，所述紫外探测阵列的阵列结构与所述支撑体的外形结构相匹配；所述紫外探测阵列为基于宽禁带半导体材料的柔性探测材料制备而成；所述支撑体用于支撑固定所述紫外探测阵列，所述紫外探测阵列的阵列单元均匀分布于所述支撑体的侧壁上并将所述侧壁全面覆盖，实现360度超大广角紫外探测。本发明的360度超大广角紫外探测器，对紫外探测阵列结构和探测器外形结构进行设计，采用柔性宽禁带半导体材料，使360度超大广角紫外探测器的制备成为可能，实现了探测载荷质量轻量化，并为实现超大广角高灵敏导弹逼近系统的研制奠定器件基础。
Description
技术领域
本发明涉及紫外探测技术领域，具体涉及一种360度超大广角紫外探测器。
背景技术
紫外探测技术是继激光和红外探测技术之后兴起的又一军民两用的探测技术，现代化的紫外探测技术是一个集紫外探测器、光学设计、微机械加工和集成电路等多学科为一体的精密探测系统。由于其具有虚警率低、隐蔽性好和抗电磁干扰能力强等优点，目前已广泛应用于污水净化紫外线检测、火灾监测、导弹预警、紫外通讯以及臭氧层空洞检测等诸多领域。近年来，宽禁带半导体紫外探测器因其体积小、重量轻、工作时不需滤光片、无需制冷等优点被认为是可以取代真空光电倍增管和Si光电倍增管的第三代紫外探测器。
目前，机载导弹逼近告警系统的单一探测器件的探测角度有限，通常在机首和机尾安装两个探测器实现对导弹迎头攻击和尾追攻击的探测。尤其是紫外探测器，空气中背景噪声低，对红外制导导弹的检测具有高的灵敏度和低的虚警率，在军事领域已经得到了广泛的应用。例如美国劳洛尔公司生产的AAR-47凝视型紫外被动告警系统，采用四个探测器可实现方位360°、水平120°的探测。法国DDM-Prime每个探测头可覆盖180°方位。我国武装战斗机都在垂尾根部减速伞整流罩两侧各安装了一个导弹逼近告警系统，为飞机后半球提供预警。伴随着战斗机多功能载荷的增加以及小型无人机的发展，对探测载荷质量的要求也朝着轻量化的目标迈进。为此，实现360°超大广角探测器就可以利用单一探测器代替多个探测器，是实现载荷轻量化的有效途径。而柔性发光器件可以实现任意角度弯折，更加有利于360超大广角探测的实现。目前，针对可360°广角探测的紫外器件尚没有研究报道。
鉴于此，急需研究一种360度超大广角紫外探测器，实现探测载荷质量轻量化，并为实现超大广角高灵敏导弹逼近系统的研制奠定器件基础。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的上述缺陷，提供一种360度超大广角紫外探测器，采用单一探测器代替多个探测器就可实现360度探测，实现了探测载荷质量轻量化，并为实现超大广角高灵敏导弹逼近系统的研制奠定器件基础。
本发明的目的可通过以下的技术措施来实现：
本发明提供了一种360度超大广角紫外探测器，包括紫外探测阵列、支撑体，所述紫外探测阵列的阵列结构与所述支撑体的外形结构相匹配；
所述紫外探测阵列为基于宽禁带半导体材料的柔性探测材料制备而成；所述支撑体用于支撑固定所述紫外探测阵列，所述紫外探测阵列的阵列单元均匀分布于所述支撑体的侧壁上并将所述侧壁全面覆盖，实现360度超大广角紫外探测。
进一步地，所述紫外阵列探测阵列的阵列单元形状为长方形，所述支撑体的外形为圆柱形。
进一步地，所述紫外阵列探测阵列的阵列单元形状为三角形，所述支撑体的外形为圆锥形。
进一步地，所述紫外阵列探测阵列的阵列单元形状为梯形，所述支撑体的外形为截角圆锥形。
进一步地，所述紫外探测阵列的制备方法如下：
步骤1：生长柔性宽禁带半导体材料；
步骤2：在柔性宽禁带半导体材料上，采用半导体工艺、lift-off制备出所述紫外探测阵列的阵列结构；
步骤3：将所述阵列结构转移到柔性衬底上；
步骤4：在各个阵列结构单元上，采用半导体工艺、lift-off制备电极，利用金丝球焊机进行探测系统引线封装。
进一步地，所述紫外探测阵列的制备方法如下：
步骤1：生长柔性宽禁带半导体材料；
步骤2：将所述柔性宽禁带半导体材料转移到柔性衬底上；
步骤3：在所述柔性宽禁带半导体材料上，采用半导体工艺、lift-off制备出所述紫外探测阵列的阵列结构；
步骤4：在各个阵列结构单元上，采用半导体工艺、lift-off制备电极，利用金丝球焊机进行探测系统引线封装。
进一步地，采用范德华外延法生长柔性宽禁带半导体材料。
进一步地，所述半导体工艺为紫外光刻、反应离子刻蚀、纳米压印、电子束刻蚀中的任意一种。
进一步地，将所述阵列结构转移到柔性衬底上的方法为干法转移或湿法转移；将所述柔性宽禁带半导体材料转移到柔性衬底上的方法为干法转移或湿法转移。
进一步地，所述紫外探测阵列的制备方法步骤4中，所述电极为插指电极或者两端电极；所述电极为欧姆电极或者肖特基电极。
本发明的360度超大广角紫外探测器，对紫外探测阵列结构和探测器外形结构进行设计，采用柔性宽禁带半导体材料，使360度超大广角紫外探测器的制备成为可能。与传统探测器相比，本发明的360度超大广角紫外探测器具有如下有益效果：(1)探测角度更大，可以实现360超大广角范围内的紫外信号探测；(2)采用柔性宽禁带半导体材料，利用其柔性特点，紫外探测阵列可以附着在任意衬底上，衬底的选择性更强，例如可以选择轻质衬底以减小探测器的质量，并且基于器件的柔韧性可以实现该探测器与其应用设备的高度集成。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本发明的实施例1圆柱形360度超大广角紫外探测器的结构示意图；
图2是本发明的实施例2圆锥形360度超大广角紫外探测器的结构示意图；
图3是本发明的实施例3截角圆锥形360度超大广角紫外探测器的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不限定本发明。
为了使本揭示内容的叙述更加详尽与完备，下文针对本发明的实施方式与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本发明具体实施例的唯一形式。实施方式中涵盖了多个具体实施例的特征以及用以建构与操作这些具体实施例的方法步骤与其顺序。然而，亦可利用其它具体实施例来达成相同或均等的功能与步骤顺序。
本发明提供了一种360度超大广角紫外探测器，包括紫外探测阵列、支撑体，所述紫外探测阵列的阵列结构与所述支撑体的外形结构相匹配；
所述紫外探测阵列为基于宽禁带半导体材料的柔性探测材料制备而成；所述支撑体用于支撑固定所述紫外探测阵列，所述紫外探测阵列的阵列单元均匀分布于所述支撑体的侧壁上并将所述侧壁全面覆盖，实现360度超大广角紫外探测。
其中，基于宽禁带半导体材料的柔性探测材料的选择，可以为氮化镓、氮化铝、氧化锌等材料。可以对紫外探测阵列结构和探测器外形结构进行设计。例如所述紫外阵列探测阵列的阵列单元形状为长方形，所述支撑体的外形为圆柱形；或者所述紫外阵列探测阵列的阵列单元形状为三角形，所述支撑体的外形为圆锥形；或者所述紫外阵列探测阵列的阵列单元形状为梯形，所述支撑体的外形为截角圆锥形。
其中，所述紫外探测阵列的制备方法如下：
步骤1：生长柔性宽禁带半导体材料；
步骤2：在柔性宽禁带半导体材料上，采用半导体工艺、lift-off制备出所述紫外探测阵列的阵列结构；
步骤3：将所述阵列结构转移到柔性衬底上；
步骤4：在各个阵列结构单元上，采用半导体工艺、lift-off制备电极，利用金丝球焊机进行探测系统引线封装。
或者，所述紫外探测阵列的制备方法还可以如下：
步骤1：生长柔性宽禁带半导体材料；
步骤2：将所述柔性宽禁带半导体材料转移到柔性衬底上；
步骤3：在所述柔性宽禁带半导体材料上，采用半导体工艺、lift-off制备出所述紫外探测阵列的阵列结构；
步骤4：在各个阵列结构单元上，采用半导体工艺、lift-off制备电极，利用金丝球焊机进行探测系统引线封装。
所述紫外探测阵列的制备方法步骤1中，宽禁带半导体材料的制备方法是任意可以实现柔性材料的制备方法，例如可以采用范德华外延法生长柔性宽禁带半导体材料。所述半导体工艺为紫外光刻、反应离子刻蚀、纳米压印、电子束刻蚀中的任意一种。将所述阵列结构转移到柔性衬底上的方法为干法转移或湿法转移；将所述柔性宽禁带半导体材料转移到柔性衬底上的方法为干法转移或湿法转移。所述紫外探测阵列的制备方法步骤4中，所述电极可以为插指电极或者两端电极，所述电极也可以为欧姆电极或者肖特基电极。
实施例1
圆柱形360度超大广角紫外探测器，如图1所示，制备过程如下：
先采用范德华外延法生长柔性宽禁带半导体材料，再在柔性宽禁带半导体材料上，采用紫外光刻、lift-off制备出长方形紫外探测阵列的阵列结构，之后采用干法转移法将所述阵列结构转移到柔性衬底上，接着在各个阵列结构单元上，采用紫外光刻、lift-off制备电极，利用金丝球焊机进行探测系统引线封装得到紫外探测阵列，最后将紫外探测阵列固定到圆柱形支撑体侧壁上，同时固定一个单独的紫外探测器在圆柱形支撑体顶端。
实施例2
圆锥形360度超大广角紫外探测器，如图2所示，制备过程如下：
先采用范德华外延法生长柔性宽禁带半导体材料，再在柔性宽禁带半导体材料上，采用紫外光刻、lift-off制备出三角形紫外探测阵列的阵列结构，之后采用干法转移法将所述阵列结构转移到柔性衬底上，接着在各个阵列结构单元上，采用紫外光刻、lift-off制备电极，利用金丝球焊机进行探测系统引线封装得到紫外探测阵列，最后将紫外探测阵列固定到圆锥形支撑体侧壁上。
实施例3
截角圆锥形360度超大广角紫外探测器，如图3所示，制备过程如下：
先采用范德华外延法生长柔性宽禁带半导体材料，再在柔性宽禁带半导体材料上，采用紫外光刻、lift-off制备出梯形紫外探测阵列的阵列结构，之后采用干法转移法将所述阵列结构转移到柔性衬底上，接着在各个阵列结构单元上，采用紫外光刻、lift-off制备电极，利用金丝球焊机进行探测系统引线封装得到紫外探测阵列，最后将紫外探测阵列固定到截角圆锥形支撑体侧壁上，同时固定一个单独的紫外探测器在截角圆锥形支撑体顶端。
本发明的360度超大广角紫外探测器，对紫外探测阵列结构和探测器外形结构进行设计，采用柔性宽禁带半导体材料，使360度超大广角紫外探测器的制备成为可能。与传统探测器相比，本发明的360度超大广角紫外探测器具有如下有益效果：(1)探测角度更大，可以实现360超大广角范围内的紫外信号探测；(2)采用柔性宽禁带半导体材料，利用其柔性特点，紫外探测阵列可以附着在任意衬底上，衬底的选择性更强，例如可以选择轻质衬底以减小探测器的质量，并且基于器件的柔韧性可以实现该探测器与其应用设备的高度集成。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种360度超大广角紫外探测器，其特征在于，包括紫外探测阵列、支撑体，所述紫外探测阵列的阵列结构与所述支撑体的外形结构相匹配；
所述紫外探测阵列为基于宽禁带半导体材料的柔性探测材料制备而成；所述支撑体用于支撑固定所述紫外探测阵列，所述紫外探测阵列的阵列单元均匀分布于所述支撑体的侧壁上并将所述侧壁全面覆盖，实现360度超大广角紫外探测。
2.根据权利要求1所述的360度超大广角紫外探测器，其特征在于，所述紫外阵列探测阵列的阵列单元形状为长方形，所述支撑体的外形为圆柱形。
3.根据权利要求1所述的360度超大广角紫外探测器，其特征在于，所述紫外阵列探测阵列的阵列单元形状为三角形，所述支撑体的外形为圆锥形。
4.根据权利要求1所述的360度超大广角紫外探测器，其特征在于，所述紫外阵列探测阵列的阵列单元形状为梯形，所述支撑体的外形为截角圆锥形。
5.根据权利要求1所述的360度超大广角紫外探测器，其特征在于，所述紫外探测阵列的制备方法如下：
步骤1：生长柔性宽禁带半导体材料；
步骤2：在柔性宽禁带半导体材料上，采用半导体工艺、lift-off制备出所述紫外探测阵列的阵列结构；
步骤3：将所述阵列结构转移到柔性衬底上；
步骤4：在各个阵列结构单元上，采用半导体工艺、lift-off制备电极，利用金丝球焊机进行探测系统引线封装。
6.根据权利要求1所述的360度超大广角紫外探测器，其特征在于，所述紫外探测阵列的制备方法如下：
步骤1：生长柔性宽禁带半导体材料；
步骤2：将所述柔性宽禁带半导体材料转移到柔性衬底上；
步骤3：在所述柔性宽禁带半导体材料上，采用半导体工艺、lift-off制备出所述紫外探测阵列的阵列结构；
步骤4：在各个阵列结构单元上，采用半导体工艺、lift-off制备电极，利用金丝球焊机进行探测系统引线封装。
7.根据权利要求5或6所述的360度超大广角紫外探测器，其特征在于，所述紫外探测阵列的制备方法步骤1中，采用范德华外延法生长柔性宽禁带半导体材料。
8.根据权利要求5或6所述的360度超大广角紫外探测器，其特征在于，所述半导体工艺为紫外光刻、反应离子刻蚀、纳米压印、电子束刻蚀中的任意一种。
9.根据权利要求5或6所述的360度超大广角紫外探测器，其特征在于，将所述阵列结构转移到柔性衬底上的方法为干法转移或湿法转移；
将所述柔性宽禁带半导体材料转移到柔性衬底上的方法为干法转移或湿法转移。
10.根据权利要求5或6所述的360度超大广角紫外探测器，其特征在于，所述电极为插指电极或者两端电极；所述电极为欧姆电极或者肖特基电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010471887.8A CN111668336A (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 一种360度超大广角紫外探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010471887.8A CN111668336A (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 一种360度超大广角紫外探测器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111668336A true CN111668336A (zh) | 2020-09-15 |
Family
ID=72385224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010471887.8A Pending CN111668336A (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 一种360度超大广角紫外探测器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111668336A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113594370A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-11-02 | 华中科技大学 | 一种全方位成像的CsPbCl3球面紫外探测器及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140103211A1 (en) * | 2012-10-16 | 2014-04-17 | Thomas E. Darcie | Interlaced terahertz transceiver using plasmonic resonance |
| CN104300028A (zh) * | 2014-08-08 | 2015-01-21 | 浙江大学 | 以氟化石墨烯为吸收层的紫外雪崩光电探测器及制备方法 |
| CN106324007A (zh) * | 2016-10-11 | 2017-01-11 | 上海洞舟实业有限公司 | 一种柔性电致发光x射线记忆探针 |
| CN107046084A (zh) * | 2017-04-06 | 2017-08-15 | 大连理工大学 | 一种基于柔性聚合物衬底的ZnO紫外探测器的制备方法 |
| CN109920875A (zh) * | 2017-12-12 | 2019-06-21 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 日盲紫外探测器、其制作方法与应用 |
-
2020
- 2020-05-29 CN CN202010471887.8A patent/CN111668336A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140103211A1 (en) * | 2012-10-16 | 2014-04-17 | Thomas E. Darcie | Interlaced terahertz transceiver using plasmonic resonance |
| CN104300028A (zh) * | 2014-08-08 | 2015-01-21 | 浙江大学 | 以氟化石墨烯为吸收层的紫外雪崩光电探测器及制备方法 |
| CN106324007A (zh) * | 2016-10-11 | 2017-01-11 | 上海洞舟实业有限公司 | 一种柔性电致发光x射线记忆探针 |
| CN107046084A (zh) * | 2017-04-06 | 2017-08-15 | 大连理工大学 | 一种基于柔性聚合物衬底的ZnO紫外探测器的制备方法 |
| CN109920875A (zh) * | 2017-12-12 | 2019-06-21 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 日盲紫外探测器、其制作方法与应用 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| YOU WU 等: "Review of improved spectral response of ultraviolet photodetectors by surface plasmon", 《CHIN.PHYS.B》 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113594370A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-11-02 | 华中科技大学 | 一种全方位成像的CsPbCl3球面紫外探测器及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109920875B (zh) | 日盲紫外探测器、其制作方法与应用 | |
| US20030189235A1 (en) | Photoelectric conversion element and photoelectric conversion device | |
| CN106405491B (zh) | 基于软件无线电的无人机监测系统 | |
| CN111668336A (zh) | 一种360度超大广角紫外探测器 | |
| CN109524430B (zh) | 多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片 | |
| CN106910786A (zh) | 一种量子点增强的纳米线以及紫外光电探测器 | |
| CN106684200A (zh) | 一种三色红外探测器的制备方法 | |
| CN104183692A (zh) | 一种基于特异材料增强响应率的超导纳米线单光子探测器 | |
| KR20190013800A (ko) | 나노와이어를 갖는 광음극 및 이러한 광음극의 생산 방법 | |
| CN109659398B (zh) | 一种AlGaN基背入式MSM紫外焦平面阵列成像系统的制备方法 | |
| CN111189548A (zh) | 一种多波段红外探测器及带通光窗的制备方法 | |
| CN106153202B (zh) | 一种非制冷宽波段红外探测器 | |
| CN108630769A (zh) | 一种nBn型InAlSb红外探测器材料及其制备方法，红外探测器 | |
| CN109103336B (zh) | 一种基于头发上的柔性紫外光电探测器及其制备方法 | |
| WO2010126287A1 (en) | Photodiodes with surface plasmon couplers | |
| CN107331672B (zh) | 一种微透镜阵列的集成非平面紫外光电探测器 | |
| CN114335232B (zh) | 双色异质结光电晶体管及其制备方法 | |
| CN205607540U (zh) | 一种基于石墨烯的微测辐射热计 | |
| CN113284970B (zh) | 碳纳米管超宽带光电探测器及其制备方法 | |
| CN114449186B (zh) | 一种石墨烯基便携式多功能双目红外夜视仪 | |
| CN112201722A (zh) | 多波段探测结构及其制作方法 | |
| CN113140651A (zh) | 一种石墨烯基低空机载红外遥感仪 | |
| CN112864269A (zh) | 一种基于电场分布调控的高增益紫外雪崩探测器及其制备方法 | |
| CN106409964B (zh) | 一种石墨烯基碲镉汞材料及其制备方法 | |
| Raturi et al. | Smart sensor systems for military and aerospace applications |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200915 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |