CN111668213A - 一种心率检测芯片及其制备方法、可穿戴设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种心率检测芯片及其制备方法、可穿戴设备，其中，心率检测芯片包括：发光区域和光电检测区域，发光区域包括至少一个发光二极管，光电检测区域包括至少一个光电二极管；心率检测芯片包括：衬底；第一掺杂层，设置于衬底上的一侧；第一掺杂层包括图案化的发光二极管的第一掺杂部和光电二极管的第一掺杂部；有源层，设置于第一掺杂层远离衬底的一侧；有源层包括图案化的发光二极管的发光部和光电二极管的光电转换部；第二掺杂层，设置于有源层远离第一掺杂层的一侧；第二掺杂层包括图案化的发光二极管的第二掺杂部和光电二极管的第二掺杂部。本发明提供的技术方案，以解决现有心率检测产品的成本和功耗较大的问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种心率检测芯片及其制备方法、可穿戴设备。
背景技术
随着移动互联网的进步，日益增多的可穿戴电子产品出现在人们的生活中，例如智能手环、手表、腕带等等。其中，可穿戴电子产品大部分都具有人体特征监测功能。早期，心率检测采用心率胸带实现，心率胸带的原理是通过心率带两侧的电极测量皮肤中的心动电流或者电势的周期变化。该电流非常微小，很容易受到外界皮肤中的其它电流噪音信号的干扰。此外皮肤与心率胸带之间的摩擦也会产生噪声信号。
目前，市场上多数智能手环、智能手表都具有心率检测功能，用户的心率检测大部分采用光电式测量来实现，光电式检测相比于早期采用心率带等检测手段，受到的局限性以及不适感更小。其原理是利用红光二极管或者绿光二极管等发光器件发光通过皮肤后反射到光电传感器上吸收，通常血管对于光线有一定的吸收，特别对绿光的吸收比较显著，那么在持续的测量中，由于血液会随着脉搏的波动在血管中聚集和流动，那么反射的光线也会随着血管中吸光的程度呈现周期性的变化。将该微弱的光电信号经过放大处理可以从中提取出脉搏等信息。根据此原理可以制作出用于心率监测的可穿戴设备。
由于光电式测量目前都是采用分立的元器件，即发光器件和光电传感器为分立的元件，这样一方面使得最终产品的成本高于单片集成的元器件。另一方面由于分立元件在传导的时候光路上发生的衰减使得光电心率传感器的功耗相对于单片集成的元器件有所增大，从而减少了产品的续航时间。
发明内容
本发明实施例提供了一种心率检测芯片及其制备方法、可穿戴设备，以解决现有心率检测产品的成本和功耗较大的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种心率检测芯片，包括发光区域和光电检测区域，所述发光区域包括至少一个发光二极管，所述光电检测区域包括至少一个光电二极管；
所述心率检测芯片包括：衬底；
第一掺杂层，设置于所述衬底上的一侧；所述第一掺杂层包括图案化的所述发光二极管的第一掺杂部和所述光电二极管的第一掺杂部；
有源层，设置于所述第一掺杂层远离所述衬底的一侧；所述有源层包括图案化的所述发光二极管的发光部和所述光电二极管的光电转换部；
第二掺杂层，设置于所述有源层远离所述第一掺杂层的一侧；所述第二掺杂层包括图案化的所述发光二极管的第二掺杂部和所述光电二极管的第二掺杂部。
第二方面，本发明实施例还提供了一种心率检测芯片的制备方法，所述心率检测芯片包括发光区域和光电检测区域，所述发光区域用于形成至少一个发光二极管，所述光电检测区域用于形成至少一个光电二极管，所述心率检测芯片的制作方法包括：
提供衬底；依次在所述衬底上形成第一掺杂层、有源层和第二掺杂层；
通过深刻蚀工艺对所述第一掺杂层、所述有源层和所述第二掺杂层进行图形化处理，以在所述发光区域定义所述发光二极管的图形，并在所述光电检测区域定义所述光电二极管的图形。
第三方面，本发明实施例还提供了一种可穿戴设备，包括：本发明任意实施例提供的心率检测芯片；
柔性底材，所述心率检测芯片封装于所述柔性底材上。
本发明中，将发光二极管和光电二极管集成预同一芯片，具体的，心率检测芯片可以设置发光区域和光电检测区域，发光区域设置有至少一个发光二极管，光电检测区域设置有至少一个光电二极管，心率检测芯片包括在衬底上依次形成的第一掺杂层、有源层以及第二掺杂层，并且第一掺杂层同时设置有光电二极管的第一掺杂部和发光二极管的第一掺杂部，有源层同时设置有光电二极管的光电转换部和发光二极管的发光部，第二掺杂层同时设置有光电二极管的第二掺杂部和发光二极管的第二掺杂部，从而实现将发光二极管和光电二极管在心率检测芯片上的集成，而不需要将发光二极管和光电二极管分别设置两个不同芯片上，有效节约心率检测芯片的制作成本，并且集成设置的发光二极管和光电二极管距离较近，使得发光二极管发出的光经皮肤反射传输至光电二极管时光路损耗较小，从而降低光电二极管的功耗，延长整个心率检测芯片的续航时间。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种心率检测芯片的平面俯视图；
图2是本发明实施例提供的一种心率检测芯片的剖面结构示意图；
图3是本发明实施例提供的另一种心率检测芯片的平面俯视图；
图4是本发明实施例提供的另一种心率检测芯片的剖面结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种心率检测芯片的制备方法的流程示意图；
图6是本发明实施例提供的另一种心率检测芯片的制备方法的流程示意图；
图7是本发明实施例提供的一种可穿戴设备的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本发明实施例提供了一种心率检测芯片，包括发光区域和光电检测区域，发光区域包括至少一个发光二极管，光电检测区域包括至少一个光电二极管；
心率检测芯片包括：衬底；
第一掺杂层，设置于衬底上的一侧；第一掺杂层包括图案化的发光二极管的第一掺杂部和光电二极管的第一掺杂部；
有源层，设置于第一掺杂层远离衬底的一侧；有源层包括图案化的发光二极管的发光部和光电二极管的光电转换部；
第二掺杂层，设置于有源层远离第一掺杂层的一侧；第二掺杂层包括图案化的发光二极管的第二掺杂部和光电二极管的第二掺杂部。
本发明实施例中，将发光二极管和光电二极管集成预同一芯片，具体的，心率检测芯片可以设置发光区域和光电检测区域，发光区域设置有至少一个发光二极管，光电检测区域设置有至少一个光电二极管，心率检测芯片包括在衬底上依次形成的第一掺杂层、有源层以及第二掺杂层，并且第一掺杂层同时设置有光电二极管的第一掺杂部和发光二极管的第一掺杂部，有源层同时设置有光电二极管的光电转换部和发光二极管的发光部，第二掺杂层同时设置有光电二极管的第二掺杂部和发光二极管的第二掺杂部，从而实现将发光二极管和光电二极管在心率检测芯片上的集成，而不需要将发光二极管和光电二极管分别设置两个不同芯片上，有效节约心率检测芯片的制作成本，并且集成设置的发光二极管和光电二极管距离较近，使得发光二极管发出的光经皮肤反射传输至光电二极管时光路损耗较小，从而降低光电二极管的功耗，延长整个心率检测芯片的续航时间。
以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1是本发明实施例提供的一种心率检测芯片的平面俯视图，图2是本发明实施例提供的一种心率检测芯片的剖面结构示意图。如图1和图2所示，在心率检测芯片所在平面内，同时集成有发光二极管和光电二极管的心率检测芯片可划分为两个部分：发光区域11a和光电检测区域11b；发光区域11a设置有至少一个发光二极管111，光电检测区域11b设置有至少一个光电二极管112。本实施例对发光区域11a的发光二极管的个数，以及光电检测区域11b的光电二极管112的个数不进行限定，示例性的，发光区域11a仅设置一个发光二极管111，光电检测区域11b仅设置一个光电二极管112。
如图1和图2所示，在垂直心率检测芯片所在平面方向上，心率检测芯片包括依次设置在衬底15上的第一掺杂层12、有源层13以及第二掺杂层14，第一掺杂层12同时设置有光电二极管112的第一掺杂部122和发光二极管111的第一掺杂部121，有源层13同时设置有光电二极管112的光电转换部132和发光二极管111的发光部131，第二掺杂层14同时设置有光电二极管112的第二掺杂部142和发光二极管111的第二掺杂部141，从而实现将发光二极管111和光电二极管112在心率检测芯片上的集成。其中，发光二极管111的发光部131可包括多个量子阱，使得发光二极管111的第一掺杂部121和第二掺杂部141输入的电子和空穴在发光部131复合发出光子。光电二极管112的光电转换部132可包括多个量子阱，能够接收来自外界的光线辐射并产生感应电流，并由光电二极管112的第一掺杂部122和第二掺杂部142输出至外部电路。
第一掺杂层12、有源层13以及第二掺杂层14中图案化过程，即为通过预设图案定义发光二极管111和光电二极管112的尺寸的过程，从而限定发光二极管111和光电二极管112的位置和尺寸。发光二极管111和光电二极管112可以根据需要设计成任意比例的尺寸，该尺寸可以根据具体的应用特点来决定。并且在图案化过程中，第一掺杂层12、有源层13以及第二掺杂层14同时被刻蚀，形成的刻蚀图案完全相同，并且本实施例可通过深刻蚀的方式将第一掺杂层12、有源层13以及第二掺杂层14等多个结构层做好物理分割。
本实施例中，光电二极管112和发光二极管111集成于同一芯片，距离较近，则发光二极管111发出的光线经皮肤反射能够很快传输至光电二极管112，并且光路损耗较小，使得光电二极管112接收更强的光线信号，提高检测可靠性，节约光电二极管112的功耗，从而整体上延长了整个心率检测芯片的续航时间。此外，单片集成光电二极管112和发光二极管111的工艺能够大大减低芯片制作成本，提高可靠性。在心率检测芯片的实际检测过程中，发光二极管111发出预设波长的光线至用户目标区域的皮肤，光电二极管112收集用户皮肤反射的反射光，并根据反射光确定皮肤的血液容积变化数据，使得外部电路能够通过血液容积变化数据确定心率数据。可选的，发光二极管111可发出红光、绿光或蓝光，使得血管容易对发光二极管111发出的光线进行吸收，此外，发光二极管111还可以包括其他颜色波段的光线，本实施例对此不进行限定。
本实施例中，心率检测芯片可用于指尖、手腕等区域接收皮肤反射光，还可以置于手表、手环等可穿戴产品上进行心率监测，或者可以用于移动电话、平板电脑等可以手持的装置上面或者作为指纹模块的整合体一起封装作为心率检测装置。
继续参考图2，可选的，发光区域11a可以设置于中心区域；光电检测区域11b可以围绕发光区域设置。则发光区域11a散向四周的光线大部分皆可由用户皮肤反射至光电检测区域11b，提高心率检测的精准性，节约光电二极管的功耗。此外，继续参考图3，图3是本发明实施例提供的另一种心率检测芯片的平面俯视图，可选的，发光区域11a也可以设置于整个心率检测芯片的边缘或几何角区域，本实施例对此不进行限定。
可选的，继续参考图2，心率检测芯片还可以包括：缓冲层(图2中未示出)；缓冲层可以设置于衬底15和第一掺杂层12之间。本实施中衬底15可以为蓝宝石材料，缓冲层可选取非掺杂的氮化镓，缓冲层在衬底15和第一掺杂层12之间起到缓冲作用。
可选的，继续参考图2，第一掺杂层12可以为N型掺杂层；第二掺杂层14可以为P型掺杂层。或者，第一掺杂层12可以为P型掺杂层；第二掺杂层14可以为N型掺杂层。其中，N型掺杂层可以为N型掺杂的氮化镓，P型掺杂层为P型掺杂的氮化镓。
参考图4，图4是本发明实施例提供的另一种心率检测芯片的剖面结构示意图。可选的，心率检测芯片还可以包括：电流扩散层16；电流扩散层16设置于第二掺杂层14远离有源层13的一侧；使得电流扩散层16电流均匀。
为防止光电二极管112和发光二极管111出现电流在元件表面发生电流聚集，可在第二掺杂层14远离有源层13的一侧沉积电流扩散层16，使得电流在元件表面均匀分布，提高空穴和电子的复合效率。
继续参考图4，可选的，心率检测芯片还可以包括：绝缘层和反射层(绝缘层和反射层先后沉积形成结构17；绝缘层设置于电流扩散层16远离第二掺杂层14的一侧；反射层设置于绝缘层远离电流扩散层16的一侧，用于将发光二极管111发出的光反射至心率检测芯片靠近衬底15的一侧。
反射层能有效增强发光二极管111发出的光反射至光电二极管112的效率，可选的，反射层可以为分布式布拉格反射层，分布式布拉格反射层包括堆叠多层不同折射率的薄膜，使得各层反射光发生干涉，得到强烈的放射光。
绝缘层远离电流扩散层16的一侧可形成有反射层，绝缘层可采用等离子体增强化学的气相沉积法沉积形成，通过用等离子体增强化学的气相沉积法形成的绝缘层成膜速度快、质量好，且不易龟裂。
继续参考图4，可选的，心率检测芯片还可以包括：电极层18；电极层18设置于反射层远离绝缘层的一侧；电极层18形成有发光二极管111的第一电极181和第二电极182，以及光电二极管112的第一电极183和第二电极184；发光二极管111的第一电极181通过依次穿过反射层、绝缘层、电流扩散层16、第二掺杂层141和有源层13的第一通孔171与发光二极管111的第一掺杂部121连接；发光二极管111的第二电极182通过依次穿过反射层和绝缘层的第二通孔172与电流扩散层16连接；光电二极管112的第一电极183通过依次穿过反射层、绝缘层、电流扩散层16、第二掺杂层14和有源层13的第三通孔173与光电二极管112的第一掺杂部122连接；光电二极管112的第二电极184通过依次穿过反射层和绝缘层的第四通孔174与电流扩散层16连接。
绝缘层17能够有效将电流扩散层16和电极层18隔离，如图4所示，电极层18设置于反射层远离绝缘层的一侧，电极层18形成有发光二极管111的第一电极181和第二电极182，发光二极管111的第一电极181穿过第一通孔171与第一掺杂部121连接，或者也可以在形成电极层18之前，在第一掺杂部121形成支撑端子19，支撑端子19连接第一掺杂部121和第一电极181，从而降低第一电极181的设置高度。发光二极管111的第二电极182穿过第二通孔与电流扩散层16，从而实现与第二掺杂部141的连接。同理，电极层18形成有光电二极管112的第一电极183和第二电极184，光电二极管112的第一电极183穿过第三通孔173与第一掺杂部122连接，或者也可以在形成电极层18之前，在第一掺杂部122形成支撑端子19，支撑端子19连接第一掺杂部122和第一电极183，从而降低第一电极183的设置高度。光电二极管112的第二电极184穿过第四通孔174与电流扩散层16，从而实现与第二掺杂部142的连接。
需要注意的是，第一通孔171和第三通孔173均依次穿过反射层、绝缘层、电流扩散层16、第二掺杂层141和有源层13，第二通孔172和第四通孔174均穿过反射层和绝缘层。上述通孔的形成工艺为在形成电极层18之前，本实施例可通过光刻胶曝光显影形成上述第一通孔171、第二通孔172、第三通孔173和第四通孔174预定义过孔图案，并通过感应耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀上述各个通孔。感应耦合等离子体刻蚀工艺是一种重要的干法刻蚀工艺，具有较高的刻蚀速度和更好的各向异性特性。
可选的，在形成上述各个通孔之后，通过光刻胶曝光显影出各个电极的图形，并通过电子束蒸镀方式形成发光二极管111的第一电极181和第二电极182，以及光电二极管112的第一电极183和第二电极184，至此，在一个芯片上同时集成了发光二极管111和光电二极管112。之后将上述衬底15剥离形成的芯片可封装于电子设备中用于进行心率检测。
基于同一构思，本发明实施例还提供一种心率检测芯片的制备方法，心率检测芯片包括发光区域和光电检测区域，发光区域用于形成至少一个发光二极管，所述光电检测区域用于形成至少一个光电二极管，图5是本发明实施例提供的一种心率检测芯片的制备方法的流程示意图，如图5所示，本实施例的方法包括如下步骤：
步骤S110、提供衬底。
步骤S120、依次在衬底上形成第一掺杂层、有源层和第二掺杂层。
步骤S130、通过深刻蚀工艺对第一掺杂层、有源层和第二掺杂层进行图形化处理，以在发光区域定义发光二极管的图形，并在光电检测区域定义光电二极管的图形。
本实施例中，在衬底上的第一掺杂层、有源层和第二掺杂层等外延层进行刻蚀以定义光电二极管和发光二极管时，可采用深刻蚀工艺同时对第一掺杂层、有源层和第二掺杂层进行刻蚀，提高刻蚀效率。
本发明实施例中，将发光二极管和光电二极管集成预同一芯片，具体的，心率检测芯片可以设置发光区域和光电检测区域，发光区域设置有至少一个发光二极管，光电检测区域设置有至少一个光电二极管，心率检测芯片包括在衬底上依次形成的第一掺杂层、有源层以及第二掺杂层，并且第一掺杂层同时设置有光电二极管的第一掺杂部和发光二极管的第一掺杂部，有源层同时设置有光电二极管的光电转换部和发光二极管的发光部，第二掺杂层同时设置有光电二极管的第二掺杂部和发光二极管的第二掺杂部，从而实现将发光二极管和光电二极管在心率检测芯片上的集成，而不需要将发光二极管和光电二极管分别设置两个不同芯片上，有效节约心率检测芯片的制作成本，并且集成设置的发光二极管和光电二极管距离较近，使得发光二极管发出的光经皮肤反射传输至光电二极管时光路损耗较小，从而降低光电二极管的功耗，延长整个心率检测芯片的续航时间，提高检测灵敏度。
如图6所示，图6是本发明实施例提供的另一种心率检测芯片的制备方法的流程示意图。可选的，在发光区域定义出发光二极管的图形，并在光电检测区域定义光电二极管的图形之后，还可以包括如下步骤：
S210、在第二掺杂层上沉积电流扩散层。
可选的，继续参考图4，在形成电流扩散层之后，则在深刻蚀工艺形成的第一掺杂层12和有源层13之间的台阶区形成支撑端子19，支撑端子19与有源层13、第二掺杂层14以及电流扩散层16绝缘设置。从而使得后续在通孔上形成发光二极管111的第一电极181，或者形成光电二极管112的第一电极183时，支撑端子19与对应第一电极电连接。
S220、在电流扩散层上通过等离子体增强化学的气相沉积法形成绝缘层。
S230、在绝缘层上沉积反射层。
S240、通过感应耦合等离子体刻蚀工艺，在反射层、绝缘层、电流扩散层、第二掺杂层和有源层上形成第一通孔和第三通孔，在反射层和绝缘层上形成第二通孔和第四通孔。
S250、在反射层上形成光刻胶层，并通过曝光显影工艺形成发光二极管的第一电极和第二电极的镂空图案，以及光电二极管的第一电极和第二电极的镂空图案。
S260、通过电子束蒸镀工艺形成述发光二极管的第一电极和第二电极，以及光电二极管的第一电极和第二电极；发光二极管的第一电极通过第一通孔与发光二极管的第一掺杂层连接；发光二极管的第二电极通过第二通孔与电流扩散层连接；光电二极管的第一电极通过第三通孔与光电二极管的第一掺杂层连接；光电二极管的第二电极通过第四通孔与电流扩散层连接。
本实施例中，具体限定了一种心率检测芯片的一种制作工艺，限定了心率检测芯片的各个膜层的制作工艺，形成可靠性高，集成度高、功耗低的芯片，上述发光二极管和光电二极管的集成设置，提高了心率检测的精准性，提高用户使用体验。
在上述实施例的基础上，可选的，通过电子束蒸镀工艺形成述发光二极管的第一电极和第二电极，以及光电二极管的第一电极和第二电极之后，还可以包括：通过激光剥离技术将衬底剥离，则心率检测芯片后续可封装于其他电子设备中，例如，手机等移动设备，或者可穿戴设备等。
本发明实施例还提供一种可穿戴设备。图7是本发明实施例提供的一种可穿戴设备的结构示意图，如图7所示，本发明实施例提供的可穿戴设备包括：本发明任意实施例的心率检测芯片1；
柔性底材2，心率检测芯片1封装于柔性底材2上。使得心率检测芯片具备弯曲特性。便于用户进行佩戴。此外，该心率检测芯片还可以同其他生物特征识别芯片同时封装于柔性底材2上，实现多功能集成的可穿戴设备。可选的，可穿戴设备可以为如图7中所示的智能手环，也可以为手表、腕带、鞋子、头盔、拐杖、智能戒指或智能项链等，本实施例对此不作特殊限定。
需要注意的是，本实施例中心率检测芯片1可以封装于柔性底材上，以形成便于用户穿戴的可穿戴设备，也可以封装于非柔性底材上，以实现心率检测芯片与更多可穿戴设备或其他电子设备的集成，本实施例对心率检测芯片封装的衬底不进行限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (11)
1.一种心率检测芯片，其特征在于，包括发光区域和光电检测区域，所述发光区域包括至少一个发光二极管，所述光电检测区域包括至少一个光电二极管；
所述心率检测芯片包括：衬底；
第一掺杂层，设置于所述衬底上的一侧；所述第一掺杂层包括图案化的所述发光二极管的第一掺杂部和所述光电二极管的第一掺杂部；
有源层，设置于所述第一掺杂层远离所述衬底的一侧；所述有源层包括图案化的所述发光二极管的发光部和所述光电二极管的光电转换部；
第二掺杂层，设置于所述有源层远离所述第一掺杂层的一侧；所述第二掺杂层包括图案化的所述发光二极管的第二掺杂部和所述光电二极管的第二掺杂部。
2.根据权利要求1所述的心率检测芯片，其特征在于，所述第一掺杂层为N型掺杂层；所述第二掺杂层为P型掺杂层。
3.根据权利要求1所述的心率检测芯片，其特征在于，还包括：缓冲层；
所述缓冲层设置于所述衬底和所述第一掺杂层之间。
4.根据权利要求1所述的心率检测芯片，其特征在于，还包括：电流扩散层；所述电流扩散层设置于所述第二掺杂层远离所述有源层的一侧；使得所述电流扩散层电流均匀。
5.根据权利要求4所述的心率检测芯片，其特征在于，还包括：反射层和绝缘层；
所述绝缘层设置于所述电流扩散层远离所述第二掺杂层的一侧；所述反射层设置于所述绝缘层远离所述电流扩散层的一侧，用于将所述发光二极管发出的光反射至所述心率检测芯片靠近所述衬底的一侧。
6.根据权利要求5所述的心率检测芯片，其特征在于，还包括：电极层；所述电极层设置于所述反射层远离所述绝缘层的一侧；
所述电极层形成有所述发光二极管的第一电极和第二电极，以及所述光电二极管的第一电极和第二电极；
所述发光二极管的第一电极通过依次穿过所述反射层、所述绝缘层、所述电流扩散层、所述第二掺杂层和所述有源层的第一通孔与所述发光二极管的第一掺杂部连接；所述发光二极管的第二电极通过依次穿过所述反射层和所述绝缘层的第二通孔与所述电流扩散层连接；
所述光电二极管的第一电极通过依次穿过所述反射层、所述绝缘层、所述电流扩散层、所述第二掺杂层和所述有源层的第三通孔与所述光电二极管的第一掺杂部连接；所述光电二极管的第二电极通过依次穿过所述反射层和所述绝缘层的第四通孔与所述电流扩散层连接。
7.根据权利要求1所述的心率检测芯片，其特征在于，所述发光区域设置于中心区域；所述光电检测区域围绕所述发光区域设置。
8.一种心率检测芯片的制备方法，其特征在于，所述心率检测芯片包括发光区域和光电检测区域，所述发光区域用于形成至少一个发光二极管，所述光电检测区域用于形成至少一个光电二极管，所述心率检测芯片的制作方法包括：
提供衬底；依次在所述衬底上形成第一掺杂层、有源层和第二掺杂层；
通过深刻蚀工艺对所述第一掺杂层、所述有源层和所述第二掺杂层进行图形化处理，以在所述发光区域定义所述发光二极管的图形，并在所述光电检测区域定义所述光电二极管的图形。
9.根据权利要求8所述的心率检测芯片的制备方法，其特征在于，还包括：
在所述第二掺杂层上沉积电流扩散层；
在所述电流扩散层上通过等离子体增强化学的气相沉积法形成绝缘层；
在所述绝缘层上沉积反射层；
通过感应耦合等离子体刻蚀工艺，在所述反射层、所述绝缘层、所述电流扩散层、所述第二掺杂层和所述有源层上形成第一通孔和第三通孔，在所述反射层和所述绝缘层上形成第二通孔和第四通孔；
在所述反射层上形成光刻胶层，并通过曝光显影工艺形成所述发光二极管的第一电极和第二电极的镂空图案，以及所述光电二极管的第一电极和第二电极的镂空图案；
通过电子束蒸镀工艺形成所述述发光二极管的第一电极和第二电极，以及所述光电二极管的第一电极和第二电极；所述发光二极管的第一电极通过第一通孔与所述发光二极管的第一掺杂层连接；所述发光二极管的第二电极通过第二通孔与所述电流扩散层连接；所述光电二极管的第一电极通过第三通孔与所述光电二极管的第一掺杂层连接；所述光电二极管的第二电极通过第四通孔与所述电流扩散层连接。
10.根据权利要求9所述的心率检测芯片的制备方法，其特征在于，通过电子束蒸镀工艺形成所述述发光二极管的第一电极和第二电极，以及所述光电二极管的第一电极和第二电极之后，还包括：
通过激光剥离技术将所述衬底剥离。
11.一种可穿戴设备，其特征在于，包括：上述权利要求1-7任一项所述的心率检测芯片；
柔性底材，所述心率检测芯片封装于所述柔性底材上。
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