CN111654901B - 休眠唤醒方法及系统 - Google Patents

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CN111654901B CN202010572804.4A CN202010572804A CN111654901B CN 111654901 B CN111654901 B CN 111654901B CN 202010572804 A CN202010572804 A CN 202010572804A CN 111654901 B CN111654901 B CN 111654901B
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Abstract

本申请涉及一种休眠唤醒方法及系统。上述休眠唤醒系统，包括控制器、比较电路以及充放电电路。比较电路的输出端与控制器连接。比较电路的第一输入端用于输入基准电压。充放电电路的第一电位端与比较电路的第二输入端连接，用于将充放电电路当前电位输出至第二输入端。充放电电路的受控端与控制器连接。其中，控制器用于在进入休眠模式前控制充放电电路进行放电以使第二输入端的电压小于基准电压，还用于在进入休眠模式后控制充放电电路进行充电；比较电路用于在第二输入端的电压大于基准电压时通过输出端输出唤醒信号。控制器通过控制充放电电路的充放电的状态，进而实现了灵活控制自身的休眠时间及工作状态。

Description

休眠唤醒方法及系统
技术领域
本申请涉及电路控制领域，特别是涉及一种休眠唤醒方法及系统。
背景技术
随着物联网技术的发展，无线传感器应用越来越广泛，但是功耗高的问题一直是制约传感器大规模应用的瓶颈。目前传感器的工作模式一般采用短时间正常工作加长时间休眠相间隔的模式，以降低功耗，延长传感器使用时间。在传感器休眠期间的功耗是无用处的浪费，因此，必须尽可能减小传感器休眠期间的功耗。
目前市面上的低功耗MCU一般都存在多种休眠模式，但是对于最深程度的休眠模式，通常采用外部周期信号唤醒MCU，唤醒间隔无法自行调控。
发明内容
基于此，针对传统的控制器无法自行控制工作状态的问题，本申请提供一种休眠唤醒方法及系统。
一种休眠唤醒系统，包括：
控制器；
比较电路，所述比较电路的第一输入端用于输入基准电压，输出端与所述控制器连接；以及
充放电电路，所述充放电电路的第一电位端与所述比较电路的第二输入端连接，用于将所述充放电电路当前电位输出至所述第二输入端，所述充放电电路的受控端与所述控制器连接；
其中，所述控制器用于在进入休眠模式前控制所述充放电电路进行放电以使所述第二输入端的电压小于所述基准电压，还用于在进入休眠模式后控制所述充放电电路进行充电；所述比较电路用于在所述第二输入端的电压大于所述基准电压时通过所述输出端输出唤醒信号。
在其中一个实施例中，还包括：
供电电源，所述供电电源的正极分别与所述比较电路的第二输入端和所述充放电电路的第一电位端连接，所述供电电源的负极与所述充放电电路的第二电位端连接；所述控制器控制所述充放电电路进行充电是通过所述供电电源的正极充电，所述控制器控制所述充放电电路进行放电是通过所述供电电源的负极放电。
在其中一个实施例中，还包括：
限流元件，所述限流元件的第一端与所述供电电源的正极连接，所述限流元件的第二端分别与所述比较电路的第二输入端和所述充放电电路的第一电位端连接。
在其中一个实施例中，所述充放电电路包括：
开关管，所述开关管的输入端与所述供电电源的负极连接，所述开关管的输出端与所述控制器连接，所述充放电电路的受控端为所述开关管的受控端；
负载，一端与所述开关管的受控端连接，另一端与所述限流元件的第二端连接；以及
电容，一端与所述限流元件的第二端连接作为所述第一电位端，另一端与所述供电电源的负极连接；
所述控制器控制所述充放电电路进行充电是控制所述开关管关断，使得供电电源的正极对所述电容充电；所述控制器控制所述充放电电路进行放电是控制所述开关管导通，使得所述电容的电能通过所述负载和开关管流至所述供电电源的负极进行放电。
在其中一个实施例中，所述限流元件为限流电阻或者限流电感。
一种休眠唤醒方法，包括：
控制器在进入休眠模式前控制充放电电路进行放电，使充放电电路的电位放电至小于基准电压；
所述控制器在进入休眠模式时控制所述充放电电路进行充电；
在所述充放电电路充电至电位大于基准电压时输出唤醒信号；
当所述控制器接收到所述唤醒信号后，所述控制器进入工作模式。
在其中一个实施例中，所述控制器在进入休眠模式前控制充放电电路进行放电，使充放电电路的电位放电至小于基准电压的步骤之后包括：
判断所述充放电电路放电时间是否达到预设时间；
当所述充放电电路放电时间达到预设时间时，所述控制器进入休眠模式。
在其中一个实施例中，还包括：
获取所述控制器所需的休眠时间；
根据所述控制器在进入休眠模式前控制充放电电路进行放电的步骤中的放电速度和所述休眠时间，设置所述预设时间。
在其中一个实施例中，所述控制器在进入休眠模式时控制所述充放电电路进行充电的步骤包括所述控制器的开关控制端发送低电平信号控制所述充放电电路进行充电；所述控制器在进入休眠模式前控制充放电电路进行放电的步骤包括所述控制器的开关控制端发送高电平信号控制所述充放电电路进行放电。
在其中一个实施例中，所述充放电电路包括：
开关管，所述开关管的输入端与供电电源的负极连接，所述开关管的输出端与所述控制器连接，所述充放电电路的受控端为所述开关管的受控端；
负载，一端与所述开关管的受控端连接，另一端与所述供电电源的正极连接；以及
电容，一端与所述供电电源的正极连接，另一端与所述供电电源的负极连接；
所述控制器在进入休眠模式时控制所述充放电电路进行充电的步骤包括所述控制器的开关控制端发送低电平信号控制所述开关管关断，以控制所述电容处于充电状态；
所述控制器在进入休眠模式前控制充放电电路进行放电的步骤包括所述控制器的开关控制端发送高电平信号控制所述开关管导通，以控制所述电容处于放电状态。
上述休眠唤醒系统，包括控制器、比较电路以及充放电电路。所述比较电路的输出端与所述控制器连接。所述比较电路的第一输入端用于输入基准电压。所述充放电电路的第一电位端与所述比较电路的第二输入端连接，用于将所述充放电电路当前电位输出至所述第二输入端。所述充放电电路的受控端与所述控制器连接。其中，所述控制器用于在进入休眠模式前控制所述充放电电路进行放电以使所述第二输入端的电压小于所述基准电压，还用于在进入休眠模式后控制所述充放电电路进行充电；所述比较电路用于在所述第二输入端的电压大于所述基准电压时通过所述输出端输出唤醒信号。所述控制器通过控制充放电电路的充放电的状态，进而实现了灵活控制自身的休眠时间及工作状态。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一个实施例提供的休眠唤醒系统的结构示意图；
图2为本申请另一个实施例提供的休眠唤醒系统的结构示意图；
图3为本申请一个实施例提供的休眠唤醒方法流程图；
图4为本申请另一个实施例提供的休眠唤醒方法流程图；
图5为本申请一个实施例提供的开关管导通时间t1与休眠时间t2的关系图。
主要元件附图标号说明
控制器10
比较电路20
充放电电路30
开关管31
负载32
电容33
供电电源40
限流元件50
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。
可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本申请的范围的情况下，可以将第一获取模块称为第二获取模块，且类似地，可将第二获取模块称为第一获取模块。第一获取模块和第二获取模块两者都是获取模块，但其不是同一个获取模块。
需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参见图1，本申请提供一种休眠唤醒系统。所述休眠唤醒系统包括控制器10、比较电路20以及充放电电路30。所述控制器10具有一个唤醒输入端和一个开关控制端。所述比较电路20的输出端与所述控制器10的唤醒输入端连接。所述充放电电路30的第一电位端与所述比较电路20的第二输入端连接。所述充放电电路30的受控端与所述控制器10的开关控制端连接。其中，所述控制器10用于在进入休眠模式前控制所述充放电电路30进行放电以使所述第二输入端的电压小于所述基准电压，还用于在进入休眠模式后控制所述充放电电路30进行充电；所述比较电路20用于在所述第二输入端的电压大于所述基准电压时通过所述输出端10输出唤醒信号。
可以理解的是，所述控制器10的类型不做具体限定，只要所述控制器10具有至少一个唤醒输入端和至少一个开关控制端即可。可选地，所述唤醒输入端可以为高电平唤醒输入端。所述唤醒输入端还可以为低电平唤醒输入端。可选地，所述控制器10为nRF52832芯片。此时，所述nRF52832芯片具有深度休眠模式，且提供外部引脚高电平唤醒方式。所述nRF52832芯片具有至少一个开关控制端。所述开关控制端可以为电平输出的引脚用于输出高电平或者低电平。
可以理解的是，所述比较电路20的结构不做具体限定，只要可根据所述充放电电路30的输出电压，输出唤醒信号即可。当所述控制器10的唤醒输入端为高电平唤醒输入端时，所述唤醒信号为高电平。当所述控制器10的唤醒输入端为低电平唤醒输入端时，所述唤醒信号为低电平。可选地，比较电路20为运算放大器，所述比较电路20的第二输入端可以为同相输入端。所述比较电路20的第一输入端可以为反相输入端。
可以理解的是，所述充放电电路30的结构不做具体限定，只要可以被所述控制器10控制，进而完成相应的充电或者放电工作即可。可选地，当所述控制器10的开关控制端输出高电平时，所述充放电电路30进行放电，进而使得所述充放电电路30的输出电压下降。当所述控制器10的开关控制端输出低电平时，所述充放电电路30进行充电，进而使得所述充放电电路30的输出电压上升。
当所述控制器10处于正常工作期间，所述控制器10的开关控制端控制所述充放电电路30处于充电状态。当所述控制器10进入休眠模式之前，所述控制器10的开关控制端控制所述充放电电路30处于放电状态。所述充放电电路30放电一段时间后，所述控制器10的开关控制端控制所述充放电电路30进入充电状态。并且，此时所述控制器10立即进入深度休眠模式。在所述控制器10处于深度休眠模式期间，所述充放电电路30处于充电状态，当所述充放电电路30的输出电压大于基准电压时，所述比较电路20的输出端输出唤醒信号，唤醒所述控制器10。通过所述控制器10的开关控制端控制所述充放电电路30处于放电状态的时间，可以控制所述控制器10进入休眠模式前所述充放电电路30的剩余电压，进而控制所述控制器10处于休眠模式的时间。
本实施例中，上述休眠唤醒系统，包括控制器10、比较电路20以及充放电电路30。所述比较电路20的第一输入端用于输入基准电压。所述充放电电路30的第一电位端与所述比较电路20的第二输入端连接，用于将所述充放电电路30当前电位输出至所述第二输入端。所述充放电电路30的受控端与所述控制器10连接。其中，所述控制器10用于在进入休眠模式前控制所述充放电电路30进行放电以使所述第二输入端的电压小于所述基准电压，还用于在进入休眠模式后控制所述充放电电路30进行充电；所述比较电路20用于在所述第二输入端的电压大于所述基准电压时通过所述输出端输出唤醒信号。所述控制器10通过控制充放电电路30的充放电的状态，进而实现了灵活控制自身的休眠时间及工作状态。
请一并参见图2，在其中一个实施例中，所述休眠唤醒系统还包括供电电源40。
所述供电电源40的正极分别与所述比较电路20的第二输入端和所述充放电电路30的第一电位端连接。所述供电电源40的负极与所述充放电电路30的第二电位端连接。可以通过所述供电电源40对所述充放电电路30进行充电。所述控制器10控制所述充放电电路30进行充电是通过所述供电电源40的正极充电，所述控制器10控制所述充放电电路30进行放电是通过所述供电电源40的负极放电。
在其中一个实施例中，所述休眠唤醒系统还包括限流元件50。所述限流元件50的第一端与所述供电电源40的正极连接，所述限流元件50的第二端分别与所述比较电路20的第二输入端和所述充放电电路30的第一电位端连接。可选地，所述限流元件50可以为限流电阻、限流电感或者其他限流元件50。所述限流元件50可以防止供电电源40对所述充放电电路30进行充电时电流过大。
在其中一个实施例中，所述充放电电路30包括开关管31、负载32以及电容33。
所述开关管31的输入端与所述供电电源40的负极连接，所述开关管31的输出端与所述控制器10的开关控制端连接。所述充放电电路30的受控端为所述开关管31的受控端。所述负载32的一端与所述开关管31的受控端连接。所述负载32的另一端与所述限流元件50的第二端连接。所述电容33的一端与所述限流元件50的第二端连接作为所述第一电位端。所述电容33的另一端与所述供电电源40的负极连接。所述控制器10控制所述充放电电路30进行充电是控制所述开关管31关断，使得供电电源40的正极对所述电容充电；所述控制器10控制所述充放电电路30进行放电是控制所述开关管31导通，使得所述电容33的电能通过所述负载32和开关管31流至所述供电电源40的负极进行放电。
可以理解的是，所述开关管31的类型不做具体限定，可选地，所述开关管31为NMOSFET(N沟道金属氧化物半导体场效应管)。所述负载32可以为负载电阻。
当所述控制器10处于正常工作期间，所述控制器10的开关控制端输出低电平，使得所述开关管31处于关断状态，进而控制所述电容33处于充电状态。当所述控制器10进入休眠模式之前，所述控制器10的开关控制端输出高电平，使得所述开关管31处于导通状态，进而控制所述电容33处于放电状态，以使得所述电容33向所述负载32充电。所述电容33放电一段时间后，所述控制器10的开关控制端输出低电平，使得所述开关管31处于关断状态，进而控制所述电容33处于充电状态。并且，此时所述控制器10立即进入深度休眠模式。在所述控制器10处于深度休眠模式期间，所述电容33处于充电状态，当所述电容33的输出电压大于所述基准电压时，所述比较电路20的输出端输出唤醒信号，唤醒所述控制器10。通过所述控制器10的开关控制端控制所述开关管31导通时间，可以控制所述控制器10进入休眠模式前所述电容33的剩余电压，进而控制所述控制器10处于休眠模式的时间。
请参见图3，本申请提供一种休眠唤醒方法。所述休眠唤醒方法包括：
S10，控制器10在进入休眠模式前控制充放电电路30进行放电，使充放电电路30的电位放电至小于基准电压。
步骤S10中，所述控制器10的类型不做具体限定，只要所述控制器10具有至少一个唤醒输入端和至少一个开关控制端即可。可选地，所述唤醒输入端可以为高电平唤醒输入端。所述唤醒输入端还可以为低电平唤醒输入端。可选地，所述控制器10为nRF52832芯片。此时，所述nRF52832芯片具有深度休眠模式，且提供外部引脚高电平唤醒方式。所述nRF52832芯片具有至少一个开关控制端。所述开关控制端可以为电平输出的引脚用于输出高电平或者低电平。
可选地，所述充放电电路30的结构不做具体限定，只要可以被所述控制器10控制，进而完成相应的充电或者放电工作即可。可选地，当所述控制器10的开关控制端输出高电平时，所述充放电电路30进行放电，进而使得所述充放电电路30的输出电压下降。
在其中一个实施例中，所述充放电电路30包括开关管31、负载32以及电容33。
所述开关管31的输入端与所述供电电源40的负极连接，所述开关管31的输出端与所述控制器10的开关控制端连接。所述负载32的一端与所述开关管31的受控端连接。所述负载32的另一端与所述限流元件50的第二端连接。所述电容33的一端与所述限流元件50的第二端连接。所述电容33的另一端与所述供电电源40的负极连接。
可以理解的是，所述开关管31的类型不做具体限定，可选地，所述开关管31为可控开关管。所述负载32可以为负载电阻。
可选地，当所述控制器10处于正常工作期间，所述控制器10的开关控制端输出低电平，使得所述开关管31处于关断状态，进而控制所述电容33处于充电状态。当所述控制器10进入休眠模式之前，所述控制器10的开关控制端输出高电平，使得所述开关管31处于导通状态，进而控制所述电容33处于放电状态，以使得所述电容33向所述负载32充电。
S20，所述控制器10在进入休眠模式时控制所述充放电电路30进行充电。
步骤S20中，当所述控制器10的开关控制端输出低电平时，所述充放电电路30进行充电，进而使得所述充放电电路30的输出电压上升。
当所述控制器10处于深度休眠模式后，所述控制器10的开关控制端控制所述电容33进行充电。可选地，当所述控制器10的开关控制端发送低电平信号时，所述充放电电路30进行充电。当所述控制器10的开关控制端发送高电平信号时，所述充放电电路30进行放电。
S30，在所述充放电电路30充电至电位大于基准电压时输出唤醒信号。
步骤30中，可以通过比较电路20输出唤醒信号。所述比较电路20的输出端与所述控制器10的唤醒输入端连接。所述充放电电路30的第一电位端与所述比较电路20的第二输入端连接。所述充放电电路30的受控端与所述控制器10的开关控制端连接。其中，所述控制器10通过所述开关控制端控制所述充放电电路30进行充电或者放电。所述比较电路20可根据所述充放电电路30的输出电压，输出唤醒信号。
所述比较电路20的结构不做具体限定，只要可根据所述充放电电路30的输出电压，输出唤醒信号即可。当所述控制器10的唤醒输入端为高电平唤醒输入端时，所述唤醒信号为高电平。当所述控制器10的唤醒输入端为低电平唤醒输入端时，所述唤醒信号为低电平。可选地，比较电路20为运算放大器，所述比较电路20的第二输入端可以为同相输入端。所述比较电路20的第二输入端可以为反相输入端。
S40，当所述控制器10接收到所述唤醒信号后，所述控制器10进入工作模式。
步骤S40中，通过所述控制器10的开关控制端控制所述充放电电路30处于放电状态的时间，可以控制所述控制器10进入休眠模式前所述充放电电路30的剩余电压，进而控制所述控制器10处于休眠模式的时间。
本实施例中，所述控制器10通过所述开关控制端控制所述充放电电路30进行充电或者放电。所述比较电路20可根据所述充放电电路30的输出电压，输出唤醒信号。当所述控制器10进入休眠模式后，所述控制器10控制所述充放电电路30进行充电，并当所述充放电电路30的输出电压大于所述基准电压时，比较电路20的输出端输出唤醒信号，并发送至所述控制器10的唤醒输入端，以唤醒所述控制器10。所述控制器10通过控制充放电电路30的充放电的状态，进而实现了灵活控制自身的休眠时间及工作状态。
请一并参见图4，在其中一个实施例中，所述控制器在进入休眠模式前控制充放电电路进行放电，使充放电电路的电位放电至小于基准电压的步骤之后包括：
S50，判断所述充放电电路30放电时间是否达到预设时间。步骤S50中，所述预设时间由所述控制器10控制。可以根据所述控制器所需的休眠时间和所述控制器在进入休眠模式前控制充放电电路进行放电的步骤中的放电速度设置所述预设时间。通过改变所述预设时间，控制所述控制器10的休眠时间。通过所述控制器10的开关控制端控制所述充放电电路30处于放电状态的时间，可以控制所述控制器10进入休眠模式前所述充放电电路30的剩余电压，进而控制所述控制器10处于休眠模式的时间。
S60，当所述充放电电路30放电时间达到预设时间时，所述控制器10进入休眠模式。步骤S60中，当所述控制器10进入休眠模式的同时，所述控制器10开始执行步骤S10。
可选地，当所述控制器10处于正常工作期间，所述控制器10的开关控制端输出低电平，使得所述开关管31处于关断状态，进而控制所述电容33处于充电状态。当所述控制器10进入休眠模式之前，所述控制器10的开关控制端输出高电平，使得所述开关管31处于导通状态，进而控制所述电容33处于放电状态，以使得所述电容33向所述负载32充电。所述电容33放电一段时间后，所述控制器10的开关控制端输出低电平，使得所述开关管31处于关断状态，进而控制所述电容33处于充电状态。并且，此时所述控制器10立即进入深度休眠模式。在所述控制器10处于深度休眠模式期间，所述电容33处于充电状态，当所述电容33的输出电压大于所述基准电压时，所述比较电路20的输出端输出唤醒信号，唤醒所述控制器10。所述阈值电压为所述比较电路20连接的基准电压。通过所述控制器10的开关控制端控制所述开关管31导通时间，可以控制所述控制器10进入休眠模式前所述电容33的剩余电压，进而控制所述控制器10处于休眠模式的时间。
本实施例中，通过所述控制器10的开关控制端控制所述充放电电路30处于放电状态的时间，可以控制所述控制器10进入休眠模式前所述充放电电路30的剩余电压，进而控制所述控制器10处于休眠模式的时间。
本申请提供一种休眠唤醒系统。所述休眠唤醒系统包括一个nRF52832芯片、两个电阻、一个电容、一个运算放大器和一个可控的开关管。
所述nRF52832芯片具有深度休眠模式，而且提供外部引脚高电平唤醒方式。且nRF52832芯片具有至少一个电平输出的引脚。所述第一电阻的一端与供电电源的正极连接，另一端与电容的一端连接。同时所述第一电阻的另一端连接到运算放大器的同相输入端。所述运算放大器的反相输入端接参考电压Vref。所述运算放大器的输出端接nRF52832芯片的高电平唤醒输入引脚。所述电容的另一端与供电电源负极连接。所述可控的开关管先与第二电阻串联后再与电容并联。所述nRF52832芯片的电平输出引脚与可控开关管的控制端相连。
所述nRF52832芯片处于正常工作期间，控制电平输出引脚输出低电平，使得可控开关管处于关断状态。所述nRF52832芯片在进入休眠模式前，控制电平输出引脚输出高电平，使得可控开关管处于导通状态，并持续一段时间，使得所述电容上电压下降。之后所述nRF52832芯片又控制电平输出引脚输出低电平，使得可控开关管处于关断状态，并立即进入深度休眠模式。
在所述nRF52832芯片深度睡眠期间，供电电源通过第一电阻对所述电容进行充电，当电容电压达到参考电压Vref后，所述运算放大器输出高电平，唤醒nRF52832芯片，进入下一个工作循环。
通过控制nRF52832芯片工作期间可控开关管导通时间，来控制进入休眠前电容的剩余电压，达到控制休眠时间长短的效果。
假设第一电阻的阻值为R1，第二电阻的阻值为R2，电容的容值为C，供电电压为Vcc，参考电压为Vref，电容电压为uc，则MCU控制开关管导通时间与休眠时间的关系计算如下：
由基尔霍夫电流定理可知：
Figure BDA0002550263400000151
求出MCU进入休眠时刻电容电压uc1与开关管导通时间t1的关系
Figure BDA0002550263400000152
MCU进入休眠后，开关管关断，供电电源开始对电容充电，电容电压从uc1逐步升高，直至达到参考电压Vref，再根据基尔霍夫定理可知：
Figure BDA0002550263400000153
求出休眠时间t2，
Figure BDA0002550263400000154
得到开关管导通时间t1与休眠时间t2的关系为
Figure BDA0002550263400000155
假设Vcc＝3.3V，Vref＝3V，R1＝10MΩ，R2＝10Ω，C＝1μF，则开关管导通时间t1与休眠时间t2的关系如图5所示，图5表明可以通过MCU控制开关管导通时间，来控制MCU的休眠时间。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种休眠唤醒系统，其特征在于，包括：
控制器；
比较电路，所述比较电路的第一输入端用于输入基准电压，输出端与所述控制器连接；以及
充放电电路，所述充放电电路的第一电位端与所述比较电路的第二输入端连接，用于将所述充放电电路当前电位输出至所述第二输入端，所述充放电电路的受控端与所述控制器连接；
其中，所述控制器用于在进入休眠模式前控制所述充放电电路进行放电以使所述第二输入端的电压小于所述基准电压，还用于在进入休眠模式后控制所述充放电电路进行充电；所述比较电路用于在所述第二输入端的电压大于所述基准电压时通过所述输出端输出唤醒信号；
所述充放电电路包括：
开关管，所述开关管的输入端与供电电源的负极连接，所述开关管的输出端与所述控制器连接，所述充放电电路的受控端为所述开关管的受控端；
负载，一端与所述开关管的受控端连接，另一端与限流元件的第二端连接；以及
电容，一端与所述限流元件的第二端连接作为所述第一电位端，另一端与所述供电电源的负极连接；
所述控制器控制所述充放电电路进行充电是控制所述开关管关断，使得供电电源的正极对所述电容充电；所述控制器控制所述充放电电路进行放电是控制所述开关管导通，使得所述电容的电能通过所述负载和开关管流至所述供电电源的负极进行放电。
2.根据权利要求1所述的休眠唤醒系统，其特征在于，还包括：
供电电源，所述供电电源的正极分别与所述比较电路的第二输入端和所述充放电电路的第一电位端连接，所述供电电源的负极与所述充放电电路的第二电位端连接；所述控制器控制所述充放电电路进行充电是通过所述供电电源的正极充电，所述控制器控制所述充放电电路进行放电是通过所述供电电源的负极放电。
3.根据权利要求2所述的休眠唤醒系统，其特征在于，还包括：
限流元件，所述限流元件的第一端与所述供电电源的正极连接，所述限流元件的第二端分别与所述比较电路的第二输入端和所述充放电电路的第一电位端连接。
4.根据权利要求1所述的休眠唤醒系统，其特征在于，所述比较电路包括运算放大器。
5.一种休眠唤醒方法，其特征在于，包括：
控制器在进入休眠模式前控制充放电电路进行放电，使充放电电路的电位放电至小于基准电压；
所述控制器在进入休眠模式时控制所述充放电电路进行充电；
在所述充放电电路充电至电位大于基准电压时输出唤醒信号；
当所述控制器接收到所述唤醒信号后，所述控制器进入工作模式；
其中，所述充放电电路包括：
开关管，所述开关管的输入端与供电电源的负极连接，所述开关管的输出端与所述控制器连接；
负载，一端与所述开关管的受控端连接，另一端与所述供电电源的正极连接；以及
电容，一端与所述供电电源的正极连接，另一端与所述供电电源的负极连接；
所述控制器在进入休眠模式时控制所述充放电电路进行充电的步骤包括所述控制器的开关控制端发送低电平信号控制所述开关管关断，以控制所述电容处于充电状态；
所述控制器在进入休眠模式前控制充放电电路进行放电的步骤包括所述控制器的开关控制端发送高电平信号控制所述开关管导通，以控制所述电容处于放电状态。
6.根据权利要求5所述的休眠唤醒方法，其特征在于，所述控制器在进入休眠模式前控制充放电电路进行放电，使充放电电路的电位放电至小于基准电压的步骤之后包括：
判断所述充放电电路放电时间是否达到预设时间；
当所述充放电电路放电时间达到预设时间时，所述控制器进入休眠模式。
7.根据权利要求6所述的休眠唤醒方法，其特征在于，还包括：
获取所述控制器所需的休眠时间；
根据所述控制器在进入休眠模式前控制充放电电路进行放电的步骤中的放电速度和所述休眠时间，设置所述预设时间。
8.根据权利要求5所述的休眠唤醒方法，其特征在于，所述控制器在进入休眠模式时控制所述充放电电路进行充电的步骤包括所述控制器的开关控制端发送低电平信号控制所述充放电电路进行充电；所述控制器在进入休眠模式前控制充放电电路进行放电的步骤包括所述控制器的开关控制端发送高电平信号控制所述充放电电路进行放电。
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