CN111628645A - 集成驱动器以及电压转换器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种集成驱动器以及一种电压转换器，所述集成驱动器应用于包括开关电容变换电路的所述电压转换器，当所述电压转换器刚启动时，所述第一类型的功率晶体管承受的电压为输入电压，通过将所述第一类型的功率晶体管设置为GaN晶体管，以使得所述第一类型的功率晶体管的安全性更为可靠。

Description

集成驱动器以及电压转换器
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种集成驱动器以及一种电压转换器。
背景技术
现有的开关电容类的DC/DC变换器，其在启动之前或刚启动时，连接在所述变换器的输入端和参考地之间的第一个晶体管所承受的电压为输入电压，而在正常工作时，所述第一个晶体管所承受的电压小于所述的输入电压。现有的技术中将所述第一个晶体管与其它晶体管设置为同一类型晶体管，会对第一个晶体管的安全性造成影响，且不利于系统的高效性。
发明内容
有鉴于此，本发明提出一种集成驱动器以及一种电压转换器，通过将第一类型的功率晶体管设置为GaN晶体管，以使得所述第一类型的功率晶体管的安全性更为可靠。
根据本发明的第一方面，提出一种集成驱动器，应用于包括开关电容变换电路的电压转换器，包括：第一晶片，包括第一类型功率晶体管；第二晶片，包括至少一个第二类型功率晶体管，所述第一类型功率晶体管的耐压性能高于所述第二类型功率晶体管的耐压性能；所述第一晶片和所述第二晶片串联耦接在所述电压转换器的高电位端和低电位端，使得所述第一类型功率晶体管接收高电压信号。
优选地，所述第一类型功率晶体管被设置为GaN晶体管。
本发明的第二方面，提出一种集成驱动器，应用于包括开关电容变换电路的电压转换器，包括：第一晶片，包括第一类型功率晶体管和至少一个第二类型功率晶体管，所述第一类型功率晶体管的耐压性能高于所述第二类型功率晶体管的耐压性能；所述第一晶片耦接在所述电压转换器的高电位端和低电位端，使得所述第一类型功率晶体管接收高电压信号。
优选地，所述第一类型功率晶体管和至少一个所述第二类型功率晶体管共用衬底。
优选地，所述第一类型功率晶体管为Si基GaN功率晶体管。
优选地，所述第一类型功率晶体管的耐压性能为所述第一类型功率晶体管的漏源击穿电压，所述第二类型功率晶体管的耐压性能为所述第二类型功率晶体管的漏源击穿电压。
优选地，所述第一类型功率晶体管的导通电阻小于所述第二类型功率晶体管的导通电阻。
优选地，所述第一类型功率晶体管的寄生电容小于所述第二类型功率晶体管的寄生电容。
优选地，所述第二类型功率晶体管被设置为Si晶体管。
优选地，所述电压转换器包括:所述第一类型功率晶体管，其第一端与所述电压转换器的输入端相连；以及开关和电容网络，所述开关和电容网络连接在所述第一类型功率晶体管的第二端和参考地之间。
优选地，所述第一类型功率晶体管承受的最大电压为所述电压转换器的输入电压。
优选地，当所述电压转换器启动之前，所述第一类型功率晶体管承受的电压大于所述第二类型功率晶体管承受的电压。
优选地，在所述电压转换器启动之前，所述第一类型功率晶体管的第二端经所述开关和电容网络至所述参考地的路径为零电位。
优选地，所述第一类型功率晶体管在所述电压转换器正常工作时所承受的电压小于其在所述电压转换器的启动之前所承受的电压。
优选地，所述开关和电容网络包括串联连接在所述第一类型功率晶体管的第二端和所述参考地之间的多个所述第二类型功率晶体管。
优选地，所述开关和电容网络还包括至少一组并联设置的串联在所述电压转换器的输出端和参考地之间的两个第二类型功率晶体管。
优选地，所述开关和电容网络还包括：N组串联连接在开关节点和地电位之间的飞跨电容和第二类型功率晶体管，所述开关节点为相邻的两个功率晶体管管之间的公共连接点，N大于等于1；N+1个电感，其中，一电感连接在最后一个开关节点和输出端之间，剩余电感连接在串联连接的飞跨电容和第二类型功率晶体管的公共连接点和输出正端之间，所述最后一个开关节点为与所述参考地相邻串联连接的两个第二类型功率晶体管的公共连接点。
优选地，所述开关和电容网络还包括：串联连接在开关节点和地电位之间的第一类型飞跨电容和第二类型功率晶体管，所述开关节点为相邻的两个功率晶体管之间的公共连接点；连接在串联连接的第一类型飞跨电容和第二类型功率晶体管的公共连接点和输出正端之间的第一类型电感；连接在最后一个开关节点和输出正端之间的第二类型电感；第二类型飞跨电容，连接在开关节点和所述第二类型电感的一端，其中，所述最后一个开关节点为与所述参考地相邻串联连接的两个第二类型功率晶体管的公共连接点。
优选地，所述电压转换器还包括至少一个飞跨电容，至少部分所述飞跨电容与对应的功率晶体管并联。
优选地，所述飞跨电容位于所述第一晶片和所述第二晶片外部。
优选地，所述飞跨电容通过与对应的开关节点引脚相连以实现与所述第一晶片和第二晶片的连接。
优选地，所述电压转换器还包括一开关型功率级电路，所述开关型功率级电路包括至少一个磁性元件，所述开关型功率级电路复用至少两个所述第二类功率晶体管或一个所述第一类功率晶体管和一个所述第二类功率晶体管。
优选地，所述至少一个磁性元件被封装在所述第一晶片和第二晶片的上方。
优选地，所述至少一个磁性元件中的每个磁性元件通过与其对应的两个复用功率晶体管的开关节点引脚和输出引脚相连以实现与所述第一晶片和第二晶片的连接。
优选地，还包括一控制电路，被配置为以PWM方式、PFM方式或PWM/PFM混合方式控制被复用功率晶体管以调节输出电压。
优选地，所述控制电路位于所述第一晶片或所述第二晶片上。
优选地，所述控制电路位于第三晶片上。
根据本发明的第三方面，提供一种电压转换器，包括所述的集成驱动器，其中，所述第一类型功率晶体管，其第一端与所述电压转换器的输入端相连，以及还包括开关和电容网络，所述开关和电容网络连接在所述第一类型功率晶体管的第二端和参考地之间。
优选地，所述开关和电容网络包括串联连接在所述第一类型功率晶体管的第二端和所述参考地之间的多个所述第二类型功率晶体管。
优选地，还包括开关型功率级电路，所述开关型功率级电路包括至少一个磁性元件，以及复用两个所述第二类功率晶体管或一个所述第一类功率晶体管和一个所述第二类功率晶体管。
根据本发明提供的集成驱动器和电压转换器，所述集成驱动器应用于包括开关电容变换电路的所述电压转换器，当所述电压转换器刚启动时，所述第一类型的功率晶体管承受的电压为输入电压，通过将所述第一类型的功率晶体管设置为GaN晶体管，以使得所述第一类型的功率晶体管的安全性更为可靠，同时将所述第二类型的功率晶体管设置为Si晶体管，使得集成驱动器的系统具有更高的效率。
附图说明
图1为根据本发明第一实施例的电压转换器的电路图；
图2为根据本发明第二实施例的电压转换器的电路图；
图3为根据本发明第三实施例的电压转换器的电路图；
图4为根据本发明第四实施例的电压转换器的电路图；
图5为根据本发明第五实施例的电压转换器的电路图；
图6为根据本发明第六实施例的电压转换器的电路图；
图7为根据本发明第七实施例的电压转换器的电路图。
具体实施方式
以下将参照附图更详细地描述本发明。在各个附图中，相同的组成部分采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。为了简明起见，可以在一幅图中描述经过数个步骤后获得的结构。在下文中描述了本发明的许多特定的细节，例如每个组成部分的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本发明。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本发明。
本发明公开了一种集成驱动器，应用于包括开关电容变换电路的电压转换器，包括：第一晶片，包括第一类型功率晶体管；第二晶片，包括至少一个第二类型功率晶体管，所述第一类型功率晶体管的耐压性能高于所述第二类型功率晶体管的耐压性能；所述第一晶片和所述第二晶片串联耦接在所述电压转换器的高电位端和低电位端，使得所述第一类型功率晶体管接收高电压信号。其中，所述第一类型功率晶体管被设置为GaN功率晶体管。在本实施例中，所述高电位端为所述电压转换器的输入端，所述低电位端为所述电压转换器的接地端。
当然在其他实施例中，所述集成驱动器也可以只包括一个晶片，具体地，所述集成驱动器包括：第一晶片，包括第一类型功率晶体管和至少一个第二类型功率晶体管，所述第一类型功率晶体管的耐压性能高于所述第二类型功率晶体管的耐压性能；所述第一晶片耦接在所述电压转换器的高电位端和低电位端，使得所述第一类型功率晶体管接收高电压信号。其中，所述第一类型功率晶体管和至少一个所述第二类型功率晶体管共用衬底。所述第一类型功率晶体管为Si基GaN功率晶体管。
其中，所述第二类型功率晶体管被设置为Si晶体管。所述第一类型功率晶体管的耐压性能为所述第一类型功率晶体管的漏源击穿电压，所述第二类型功率晶体管的耐压性能为所述第二类型功率晶体管的漏源击穿电压。另外，在相同的耐压等级下，所述第一类型功率晶体管的导通电阻小于所述第二类型功率晶体管的导通电阻，所述第一类型功率晶体管的寄生电容小于所述第二类型功率晶体管的寄生电容。尤其在耐压等级大于40V时，所述第一类型功率晶体管的导通电阻和寄生电容比第二类型功率晶体管更小。
具体地，如图1所示为根据本发明第一实施例的电压转换器的电路图，所述电压转换器包括所述集成驱动器，所述电压转换器包括第一类型功率晶体管Q1，输出电容Co以及开关和电容网络，其中，所述第一类型功率晶体管Q1的第一端与所述电压转换器的输入端相连；所述开关和电容网络连接在所述第一类型功率晶体管的第二端和参考地之间；所述输出电容Co连接在所述电压转换器的输出端和所述参考地之间。所述开关和电容网络包括所述至少一个第二类型功率晶体管和至少一个飞跨电容，所述飞跨电容为符合所述开关电容变换电路的结构连接方式。如图2所示，为根据本发明第二实施例的电压转换器的电路图，所述电压转换器还包括一开关型功率级电路，所述开关型功率级电路包括一磁性元件，所述开关型功率级电路复用至少两个所述第二类功率晶体管或一个第一类功率晶体管和一个第二类功率晶体管。其中，所述磁性元件为电感，所述磁性元件连接在所述开关和电容网络和所述输出端之间。所述电压转换器还包括一控制电路，被配置为以PWM方式、PFM方式或PWM/PFM混合方式控制被复用功率晶体管以调节输出电压。
当然，在其他实施例中，所述电压转换器也可包括并联在输入端和参考地之间的多相结构，即每一相结构都包括串联在输入端和参考地之间的第一类型功率晶体管Q1以及开关和电容网络。其中，每一相结构中的第一类型功率晶体管Q1都设置为GaN晶体管。
其中，所述第一类型功率晶体管Q1承受的最大电压为所述电压转换器的输入电压。当所述电压转换器启动之前，所述第一类型功率晶体管承受的电压大于所述第二类型功率晶体管承受的电压。具体地，在所述电压转换器启动之前，所述第一类型功率晶体管的第二端经所述开关和电容网络至所述参考地的路径为零电位。所述第一类型功率晶体管在所述电压转换器正常工作时所承受的电压小于其在所述电压转换器的启动之前所承受的电压，所述第二类型功率晶体管在所述电压转换器正常工作时所承受的电压小于所述第一类型功率晶体管在所述电压转换器的启动之前所承受的电压。所述开关和电容网络包括串联连接在所述第一类型功率晶体管的第二端和所述参考地之间的多个所述第二类型功率晶体管。
所述第一类型功率晶体管Q1位于所述第一晶片上，所述至少一个第二类型功率晶体管位于所述第二晶片上，此时，设置所述第一类型功率晶体管Q1为GaN功率晶体管。在另一实施例中，所述第一类型功率晶体管Q1和所述至少一个第二类型功率晶体管位于同一晶片上，即所述第一类型功率晶体管Q1和所述至少一个第二类型功率晶体管共用一个衬底，此时，设置所述第一类型功率晶体管Q1为Si基GaN功率晶体管。其中，所述至少一个飞跨电容位于所述第一晶片和所述第二晶片外部，所述至少一个飞跨电容通过与对应的开关节点引脚相连以实现与所述第一晶片和第二晶片的连接。所述至少一个磁性元件被封装在所述第一晶片和第二晶片的上方，所述至少一个磁性元件中的每个磁性元件通过与其复用的两个功率晶体管的开关节点引脚和输出引脚相连以实现与所述第一晶片和第二晶片的连接。所述控制电路位于所述第一晶片或所述第二晶片上。当然，所述控制电路也可以位于第三晶片上。
具体地，如图3所示，为根据本发明第三实施例的电压转换器的电路图，所述开关和电容网络包括串联连接在所述第一类型功率晶体管Q1的第二端和所述参考地之间的多个所述第二类型功率晶体管Q2，Q3和Q4。所述第一类型功率晶体管和多个所述第二类型功率晶体管形成至少一个第一开关组，其中，每个所述开关组包括两个串联连接的晶体管。在本实施例中，晶体管Q1和晶体管Q2为一组第一开关组，晶体管Q3和晶体管Q4为一组第一开关组。所述开关和电容网络还包括一第一飞跨电容C1和输出电容Co，所述第一飞跨电容C1并联在所述晶体管Q1和晶体管Q2的公共节点以及晶体管Q3和晶体管Q4的公共节点之间；所述输出电容Co并联在所述两组第一开关组的公共节点(即晶体管Q2和晶体管Q3的公共节点)与参考地之间。当所述电压转换器稳定工作时，所述晶体管Q1～Q4所承受的电压均为1/2Vin，但在所述电压转换器未启动之前或刚启动时，输出电压Vout和第一飞跨电容C1两端的电压都为0V，此时，所述第一类型功率晶体管Q1所承受的电压为输入电压Vin。
如图4所示，为根据本发明第四实施例的电压转换器的电路图，与图3实施例的电压转换器不同的是，所述电压转换器包括一开关型功率级电路，所述开关型功率级电路还包括一第二飞跨电容C2和电感L0。其中，所述第二飞跨电容C2并联在所述两组第一开关组的公共节点(即晶体管Q2和晶体管Q3的公共节点)与参考地之间，所述电感L0连接在晶体管Q3和晶体管Q4的公共节点与输出端之间，输出电容Co连接在输出端(所述电感L0的第二端)和参考地之间。所述开关型功率级电路至少复用一组第一开关组。在本实施例中，所述开关变换器复用晶体管Q3和晶体管Q4。所述电压转换器还包括一控制电路(图中未示出)，被配置为以PWM方式、PFM方式或PWM/PFM混合方式控制被复用功率晶体管以调节输出电压。
在其他实施例中，所述开关和电容网络包括一变压器电路，用于替换所述电感L0，以形成隔离式开关型功率级电路，所述变压器电路的原边电路连接在所述晶体管Q3和晶体管Q4的公共节点和参考地之间。所述原边电路包括串联连接的电感、原边线圈和谐振电容。所述变压器还包括与原边线圈耦合的副边线圈以及整流电路。对所述电压变换器结构的简单变化，在此不作任何限制。如图5所示，为根据本发明第五实施例的电压转换器的电路图，所述开关和电容网络包括串联连接在所述第一类型功率晶体管Q1的第二端和所述参考地之间的多个所述第二类型功率晶体管，在此为晶体管Q2-Q6。其中第二类型功率晶体管Q5和Q6形成的第一开关组并联连接在输出端和参考地之间。所述开关和电容网络还包括并联设置的至少一个第二开关组，且所述至少一个第二开关组和与参考地相连的第一开关组(在此为包括Q5和Q6的开关组)并联。所述第二开关组包括串联在所述电压转换器的输出端和参考地之间的两个第二类型功率晶体管。具体地，在本实施例中,所述开关和电容网络包括并联设置的两个第二开关组，每个第二开关组包括串联在所述电压转换器的输出端和参考地之间的两个第二类型功率晶体管，分别为串联的晶体管Q7和Q8，以及串联的晶体管Q9和Q10。所述开关和电容网络还包括至少一个第三飞跨电容，在此分别为C3，C4和C5，所述第三飞跨电容C3，C4和C5的一端分别与并联在输出端口和参考地之间的所述第一开关组中相邻晶体管(Q5和Q6)的公共连接点中的一个和第二开关组中两个晶体管(Q7和Q8，Q9和Q10)的公共连接点中相应的一个相连，另一端分别与连接在输入端和输出端之间的晶体管(Q1-Q4)的公共连接点相连。
如图6所示，为根据本发明第六实施例的电压转换器的电路图，所述开关和电容网络包括串联连接在所述第一类型功率晶体管Q1的第二端和所述参考地之间的多个所述第二类型功率晶体管，在此为晶体管Q2-Q5。所述与参考地连接的第二类型功率晶体管Q5不参与形成第一开关组。所述开关和电容网络还包括N组串联连接在开关节点和地电位之间的飞跨电容和第二类型功率晶体管，所述开关节点为相邻的两个功率晶体管之间的公共连接点，N大于等于1；N+1个电感，其中，一电感连接在最后一个开关节点和输出正端之间，剩余电感连接在串联连接的飞跨电容和第二类型功率晶体管的公共连接点和输出正端之间，所述最后一个开关节点为与所述参考地相邻串联连接的两个第二类型功率晶体管的公共连接点。
具体地，在本实施例中，所述开关和电容网络包括三组串联连接在开关节点和地电位之间的飞跨电容C6，C7和C8和第二类型功率晶体管Q6，Q7和Q8，所述开关节点为串联连接在输入端和参考地之间除了晶体管Q5之外的相邻的两个晶体管之间的公共连接点；还包括四个电感L01-L04，其中，一个电感L01连接在最后一个开关节点(晶体管Q4和晶体管Q4的公共连接点)和输出正端之间，剩余电感L02-L04连接在串联连接的飞跨电容C6，C7和C8和第二类型功率晶体管Q6，Q7和Q8的公共连接点和输出正端之间。
如图7所示，为根据本发明第七实施例的电压转换器的电路图，所述开关和电容网络包括串联连接在所述第一类型功率晶体管Q1的第二端和所述参考地之间的多个所述第二类型功率晶体管，在此为晶体管Q2-Q5。其中，所述与参考地连接的第二类型功率晶体管Q5不参与形成第一开关组。所述开关和电容网络还包括：串联连接在开关节点和地电位之间的第一类型飞跨电容和第二类型功率晶体管，所述开关节点为相邻的两个功率晶体管之间的公共连接点；连接在串联连接的第一类型飞跨电容和第二类型功率晶体管的公共连接点和输出正端之间的第一类型电感；连接在最后一个开关节点和输出正端之间的第二类型电感；第二类型飞跨电容，连接在开关节点和所述第二类型电感的一端，其中，所述最后一个开关节点为与所述参考地相邻串联连接的两个第二类型功率晶体管的公共连接点。
具体地，在本实施例中，第二类型功率晶体管Q5的第一端为第一节点。所述开关和电容网络包括第二类型功率晶体管Q6，第一类型飞跨电容C9和C10，第二类型飞跨电容C11，第一类型电感L05。其中，所述第二类型功率晶体管Q6耦接在所述电压转换器的输出正端和参考地之间，所述第二类型功率晶体管Q6的第一端为第二节点；第一类型飞跨电容C9和C10分别与除晶体管Q5之外串联连接在输入端和参考地之间的其他奇数位的晶体管的第二端和第二节点之间；第二类型飞跨电容C11与除晶体管Q5之外串联连接在输入端和参考地之间的其他偶数位的晶体管的第二端和第一节点之间。其中所述第一节点和所述第二节点分别通过一磁性元件与输出正端相连。
以上所述实施例中的电压转换器在未启动之前或刚启动时，所述第一类型的功率晶体管承受的电压都为所述电压转换器的输入电压，所述第一类型功率晶体管的第二端经所述开关和电容网络至所述参考地的路径为零电位。以上所述飞跨电容都位于所述第一晶片和所述第二晶片外部，通过与对应的开关节点引脚相连以实现与所述第一晶片和第二晶片的连接。所述每个磁性元件通过与其对应的两个复用功率晶体管的开关节点引脚和输出引脚相连以实现与所述第一晶片和第二晶片的连接。
根据本发明提供的集成驱动器，其应用于包括开关电容变换电路的电压转换器，当所述电压转换器刚启动时，所述第一类型的功率晶体管承受的电压为输入电压，通过将所述第一类型的功率晶体管设置为GaN晶体管，以使得所述第一类型的功率晶体管的安全性更为可靠，同时将所述第二类型的功率晶体管设置为Si晶体管，使得集成驱动器的系统具有更高的效率。
依照本发明的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (30)

1.一种集成驱动器，应用于包括开关电容变换电路的电压转换器，包括：
第一晶片，包括第一类型功率晶体管；
第二晶片，包括至少一个第二类型功率晶体管，所述第一类型功率晶体管的耐压性能高于所述第二类型功率晶体管的耐压性能；
所述第一晶片和所述第二晶片串联耦接在所述电压转换器的高电位端和低电位端，使得所述第一类型功率晶体管接收高电压信号。
2.根据权利要求1所述的集成驱动器，其中，所述第一类型功率晶体管被设置为GaN晶体管。
3.一种集成驱动器，应用于包括开关电容变换电路的电压转换器，包括：
第一晶片，包括第一类型功率晶体管和至少一个第二类型功率晶体管，所述第一类型功率晶体管的耐压性能高于所述第二类型功率晶体管的耐压性能；
所述第一晶片耦接在所述电压转换器的高电位端和低电位端，使得所述第一类型功率晶体管接收高电压信号。
4.根据权利要求3所述的集成驱动器，其中，所述第一类型功率晶体管和至少一个所述第二类型功率晶体管共用衬底。
5.根据权利要求3所述的集成驱动器，其中，所述第一类型功率晶体管为Si基GaN功率晶体管。
6.根据权利要求1或3所述的集成驱动器，所述第一类型功率晶体管的耐压性能为所述第一类型功率晶体管的漏源击穿电压，所述第二类型功率晶体管的耐压性能为所述第二类型功率晶体管的漏源击穿电压。
7.根据权利要求1或3所述的集成驱动器，其中，所述第一类型功率晶体管的导通电阻小于所述第二类型功率晶体管的导通电阻。
8.根据权利要求1或3所述的集成驱动器，其中，所述第一类型功率晶体管的寄生电容小于所述第二类型功率晶体管的寄生电容。
9.根据权利要求1或3所述的集成驱动器，其中，所述第二类型功率晶体管被设置为Si晶体管。
10.根据权利要求1或3所述的集成驱动器，其中，所述电压转换器包括:
所述第一类型功率晶体管，其第一端与所述电压转换器的输入端相连；以及
开关和电容网络，所述开关和电容网络连接在所述第一类型功率晶体管的第二端和参考地之间。
11.根据权利要求10所述的集成驱动器，其中，所述第一类型功率晶体管承受的最大电压为所述电压转换器的输入电压。
12.根据权利要求10所述的集成驱动器，其中，当所述电压转换器启动之前，所述第一类型功率晶体管承受的电压大于所述第二类型功率晶体管承受的电压。
13.根据权利要求10所述的集成驱动器，其中，在所述电压转换器启动之前，所述第一类型功率晶体管的第二端经所述开关和电容网络至所述参考地的路径为零电位。
14.根据权利要求10所述的集成驱动器，其中，所述第一类型功率晶体管在所述电压转换器正常工作时所承受的电压小于其在所述电压转换器的启动之前所承受的电压。
15.根据权利要求10所述的集成驱动器，其中，所述开关和电容网络包括串联连接在所述第一类型功率晶体管的第二端和所述参考地之间的多个所述第二类型功率晶体管。
16.根据权利要求15所述的集成驱动器，其中，所述开关和电容网络还包括至少一组并联设置的串联在所述电压转换器的输出端和参考地之间的两个第二类型功率晶体管。
17.根据权利要求15所述的集成驱动器，其中，所述开关和电容网络还包括：
N组串联连接在开关节点和地电位之间的飞跨电容和第二类型功率晶体管，所述开关节点为相邻的两个功率晶体管之间的公共连接点，N大于等于1；
N+1个电感，其中，一电感连接在最后一个开关节点和输出正端之间，剩余电感连接在串联连接的飞跨电容和第二类型功率晶体管的公共连接点和输出正端之间，所述最后一个开关节点为与所述参考地相邻串联连接的两个第二类型功率晶体管的公共连接点。
18.根据权利要求15所述的集成驱动器，其中，所述开关和电容网络还包括：串联连接在开关节点和地电位之间的第一类型飞跨电容和第二类型功率晶体管，所述开关节点为相邻的两个功率晶体管之间的公共连接点；
连接在串联连接的第一类型飞跨电容和第二类型功率晶体管的公共连接点和输出正端之间的第一类型电感；
连接在最后一个开关节点和输出正端之间的第二类型电感；
第二类型飞跨电容，连接在开关节点和所述第二类型电感的一端，
其中，所述最后一个开关节点为与所述参考地相邻串联连接的两个第二类型功率晶体管的公共连接点。
19.根据权利要求16所述的集成驱动器，其中，所述电压转换器还包括至少一个飞跨电容，至少部分所述飞跨电容与对应的功率晶体管并联。
20.根据权利要求17、18或19所述的集成驱动器，其中，所述飞跨电容位于所述第一晶片和所述第二晶片外部。
21.根据权利要求20所述的集成驱动器，其中，所述飞跨电容通过与对应的开关节点引脚相连以实现与所述第一晶片和第二晶片的连接。
22.根据权利要求10所述的集成驱动器，所述电压转换器还包括一开关型功率级电路，所述开关型功率级电路包括至少一个磁性元件，所述开关型功率级电路复用至少两个所述第二类功率晶体管或一个所述第一类功率晶体管和一个所述第二类功率晶体管。
23.根据权利要求22所述的集成驱动器，其中，所述至少一个磁性元件被封装在所述第一晶片和第二晶片的上方。
24.根据权利要求22所述的集成驱动器，其中，所述至少一个磁性元件中的每个磁性元件通过与其对应的两个复用功率晶体管的开关节点引脚和输出引脚相连以实现与所述第一晶片和第二晶片的连接。
25.根据权利要求22所述的集成驱动器，还包括一控制电路，被配置为以PWM方式、PFM方式或PWM/PFM混合方式控制被复用功率晶体管以调节输出电压。
26.根据权利要求25所述的集成驱动器，其中，所述控制电路位于所述第一晶片或所述第二晶片上。
27.根据权利要求25所述的集成驱动器，其中，所述控制电路位于第三晶片上。
28.一种电压转换器，包括权1或权3所述的集成驱动器，其中，
所述第一类型功率晶体管，其第一端与所述电压转换器的输入端相连，以及
还包括开关和电容网络，所述开关和电容网络连接在所述第一类型功率晶体管的第二端和参考地之间。
29.根据权利要求28所述的电压转换器，其中，所述开关和电容网络包括串联连接在所述第一类型功率晶体管的第二端和所述参考地之间的多个所述第二类型功率晶体管。
30.根据权利要求29所述的电压转换器，其中，还包括开关型功率级电路，所述开关型功率级电路包括至少一个磁性元件，以及复用两个所述第二类功率晶体管或一个所述第一类功率晶体管和一个所述第二类功率晶体管。
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