CN111614916A - 色度计暗噪信号处理方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种色度计暗噪信号处理方法及系统，该色度计暗噪信号处理方法包括：获取入射至传感器中曝光区的被测光束的光谱强度并获取传感器中遮蔽区的暗噪强度；基于遮蔽区的暗噪强度对曝光区子像素的预设暗噪值进行修正，得到曝光区子像素的修正后的暗噪强度；将所述光谱强度与修正后的暗噪强度对应的光强之间的差值确定为所述被测光束的光强。本发明用以解决由于暗电流强度发生改变而导致所测得的光谱强度产生较大误差的问题。

Description

色度计暗噪信号处理方法及系统

技术领域

本发明涉及色度计领域，尤其涉及一种色度计暗噪信号处理方法及系统。

背景技术

色度计是用于测量和表征发光体相对人眼感知的仪器，其检测的成果称为色度(CHROMATICITY)。为提高仪器在工业量产使用时的生产节拍，并降低企业生产成本，需要提高光谱型色度计在低亮度下的测量速度，由此需要缩减光谱的采集时间。但是，光谱采集时间的缩短必然会降低光谱的信噪比，而光谱的信噪比是衡量测量仪器性能的重要指标，即有效信号与无效信号之间的比值，信噪比越高则说明仪器的测量数据越可靠。

一般而言，传感器的有效信号会随着信号来源的强弱、积分时间的大小有较大的动态范围，而噪声受外界信号和积分时间的影响比较小。因此，当有效信号较大时，信噪比越大，仪器数据越可靠；反之，有效信号较小时，信噪比越小，仪器数据的可靠性越低。

光谱仪是色度计中将光信号转化为电信号的仪器，照射至光谱仪传感器上的光信号越强，流过传感器上的电流越强。光谱型色度计的光谱噪声主要来源于电荷耦合器件图像传感器(Charge Coupled Device，简称CCD)的暗电流，所谓暗电流是指CCD在无光条件下的内部电流，该暗电流对应的光强会被纳入光谱强度的计算中。因此，为提升信噪比，必须抑制光谱噪声，也即在计算光谱强度时需要精确地去除暗电流部分对应的光强。

可以理解的是，CCD中所有的像素均存在固定的暗电流强度，在通过CCD对被测光束的光强进行测量时，仅通过去除固定的暗电流强度对应的光强确定光谱强度。但是，在实际测量过程中，可能会由于外界环境如温度等的变化而导致暗电流强度发生变化，由此，导致所测得的光谱强度存在比较大的误差。

由此，有必要提供一种色度计暗噪信号处理方法，以降低光谱强度的测量误差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种色度计暗噪信号处理方法及系统，用以解决现有技术中由于暗电流强度发生改变而导致所测得的光谱强度产生较大误差的问题。

本发明的进一步目的是降低被测光束的光强的极差，以有效地提高色度计测量时的重复性精度。

为实现上述目的，本发明是这样实现的：

第一方面，本发明提供一种色度计暗噪信号处理方法，包括：

获取入射至传感器中曝光区的被测光束的光谱强度并获取传感器中遮蔽区的暗噪强度；

基于遮蔽区的暗噪强度对曝光区子像素的预设暗噪值进行修正，得到曝光区子像素的修正后的暗噪强度；

将所述光谱强度与修正后的暗噪强度之间的差值确定为所述被测光束的光强。

作为本发明的进一步改进，基于遮蔽区的暗噪强度对曝光区子像素的预设暗噪值进行修正，得到传感器中子像素的修正后的暗噪强度，包括：

将遮蔽区的暗噪强度与遮蔽区的预设暗噪值之间的差值确定为所述曝光区的暗噪修正值；

基于所述暗噪修正值对所述曝光区子像素的预设暗噪值进行修正，得到所述曝光区子像素的修正后的暗噪强度。

作为本发明的进一步改进，还包括：

重复获取传感器中遮蔽区的暗噪强度，以基于遮蔽区的预设暗噪值分别与不同时刻获取的遮蔽区的暗噪强度确定每一时刻对应的曝光区的暗噪修正值；

基于每一时刻对应的曝光区的暗噪修正值求取曝光区的暗噪修正值的平均值，以基于暗噪修正值的平均值对曝光区子像素的预设暗噪值进行修正。

作为本发明的进一步改进，在重复获取传感器中遮蔽区的暗噪强度，以基于不同时刻获取的遮蔽区的暗噪强度与遮蔽区的预设暗噪值确定每一时刻对应的曝光区的暗噪修正值之后，并在基于每一时刻对应的曝光区的暗噪修正值求取曝光区的暗噪修正值的平均值之前，包括：

将每一时刻对应的曝光区的暗噪修正值存储于数据存储装置中。

作为本发明的进一步改进，获取传感器中遮蔽区的暗噪强度，包括：

获取遮蔽区子像素的暗噪强度，并对遮蔽区子像素的暗噪强度求取平均以得到遮蔽区的暗噪强度平均值；

将所述暗噪强度平均值确定为所述遮蔽区的暗噪强度。

作为本发明的进一步改进，获取传感器中遮蔽区的暗噪强度，包括：

获取遮蔽区子像素的暗噪强度；

选取遮蔽区的目标波段对应的子像素的暗噪强度作为所述遮蔽区的暗噪强度。

本发明还提供一种色度计暗噪信号处理系统，包括：

光谱仪，获取传感器中遮蔽区的暗噪强度并获取入射至传感器中曝光区的被测光束的光谱强度；

处理单元，基于遮蔽区的暗噪强度对曝光区子像素的预设暗噪值进行修正，得到传感器中子像素的修正后的暗噪强度；

所述光谱仪用于将所述光谱强度与修正后的暗噪强度对应的光强之间的差值确定为所述被测光束的光强。

作为本发明的进一步改进，所述处理单元配置成：

将遮蔽区的暗噪强度与传感器中遮蔽区的预设暗噪值之间的差值确定为所述传感器中子像素的暗噪修正值，并基于所述暗噪修正值对所述曝光区子像素的预设暗噪值进行修正，得到所述传感器中子像素的修正后的暗噪强度。

作为本发明的进一步改进，所述光谱仪还配置成重复获取传感器中遮蔽区的暗噪强度；

所述处理单元还配置成基于遮蔽区的预设暗噪值分别与不同时刻获取的遮蔽区的暗噪强度确定每一时刻对应的子像素的暗噪修正值，并基于每一时刻对应的子像素的暗噪修正值求取子像素的暗噪修正值的平均值，以根据暗噪修正值的平均值对曝光区子像素的预设暗噪值进行修正。

作为本发明的进一步改进，还包括：

数据存储装置，用于存储每一时刻对应的子像素的暗噪修正值。

本发明的有益效果为：

本发明的色度计暗噪信号处理方法以及色度计暗噪信号处理系统通过所获取的遮蔽区的暗噪强度对传感器中每一子像素的预设暗噪值进行修正，以根据所测得的曝光区对应的光谱强度与修正后得到的每一子像素的暗噪强度所对应的光强确定被测光束的光强。由此，通过遮蔽区的暗噪强度对每一子像素的预设暗噪值(即理论暗噪值)进行补偿，以补偿由于环境变化带来的传感器暗电流强度所产生的变化，从而解决了由于暗电流强度发生改变而导致所测得的光谱强度产生较大误差的问题。

本发明的色度计暗噪信号处理方法以及色度计暗噪信号处理系统通过对重复获取的暗噪修正值Dummy进行求平均，以通过暗噪修正值的平均值对传感器中子像素的预设暗噪值进行修正。从而可以明显地降低被测光束的光强的极差，以有效地提高色度计测量时的重复性精度。

附图说明

图1为本发明一个实施例的色度计暗噪信号处理方法的示意性流程图；

图2为本发明一个实施例的色度计暗噪信号处理系统的示意性结构框图；

图3为本发明一个实施例的理论暗噪值与积分时间的示意性关系曲线图；

图4为本发明另一个实施例的色度计暗噪信号处理方法的示意性流程图；

图5为本发明再一个实施例的色度计暗噪信号处理方法的示意性流程图；

图6为本发明再一个实施例的色度计暗噪信号处理方法的示意性流程图；

图7为本发明一个实施例的传感器中子像素所接收的强度值与子像素的示意性关系曲线图；

图8为本发明一个实施例的在不同温度下同一子像素的理论暗噪值、暗噪强度分别与积分时间的示意性关系曲线图；

图9为本发明一个实施例的在不同温度下未修正时所测得的被测光束的相对光强与传感器中子像素的示意性关系曲线图；

图10为本发明一个实施例的在不同温度下修正后所测得的被测光束的相对光强与传感器中子像素的示意性关系曲线图；

图11为本发明再一个实施例的色度计暗噪信号处理方法的示意性流程图。

具体实施方式

下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本发明的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本发明的保护范围之内。

以下结合附图，详细说明本发明各实施例提供的技术方案。

本发明实施例提供一种色度计暗噪信号处理方法，应用于色度计暗噪信号处理系统中，结合图1和图2进行说明，色度计暗噪信号处理方法包括：

步骤102.获取入射至传感器30中曝光区302的被测光束P的光谱强度并获取传感器30中遮蔽区301的暗噪强度A。

其中，被测光束P经过光谱仪100中的光栅10进行分光后入射至传感器30，被测光束P分光后入射至传感器30所形成的光路区域即为被测光束P的入射区域40。光谱仪100中配置有在用于遮挡被测光束P部分线束的遮光机构20，以通过遮光机构20使被测光束P无法入射至传感器30中的每一子像素上。由此，传感器30中未暴露于被测光束P入射区域40的子像素构成传感器30的遮蔽区301(遮蔽区301接收不到被测光束P，但能反馈暗电流)，传感器30中暴露于被测光束P入射区域40的子像素构成传感器30的曝光区302。

需要说明的是，遮蔽区301的暗噪强度A是指测量的单个子像素所对应的暗噪强度。

A可以解释为包含遮蔽区301中每一子像素对应的暗噪强度的集合或包含遮蔽区301中部分子像素分别对应的暗噪强度的集合，即A＝A(1)＝{A1,A2,A3,…,An}，或A＝A(2)＝{A3,…,An}，其中，

n为遮光区301中子像素的数量，其中，集合A中所包含的子像素对应的暗噪强度为实际测量值。

步骤104.基于遮蔽区301的暗噪强度A对曝光区302子像素的预设暗噪值B0进行修正，得到曝光区302子像素的修正后的暗噪强度B。值得注意的是，在一次测量过程中，只需对曝光区302子像素的预设暗噪值B0进行修正即可。在多次测量过程中，可对传感器中所有子像素的预设暗噪值B0进行修正，以在多次测量时在所有子像素的预设暗噪值B0修正的基础上进行多次修正的操作过程。

其中，B0可以解释为包含曝光区302中每一子像素对应的预设暗噪值的集合，即B0＝{B01,B02,…B0m}。B可以解释为包含曝光区302中每一子像素对应的修正后的暗噪强度的集合，即B＝{B1,B2,…Bm}。m为曝光区302中子像素的数量。

需要说明的是，传感器在探测不同波长的分光束过程中，通过采集子像素于一定曝光时间内的电流强度获取相应曝光时间下光谱仪所接收的信号的强度。经理论分析得知，暗噪值与t大致遵循Dk＝at+b的函数关系，如图3所示。其中，Dk为理论暗噪值(也即曝光区302每一子像素的预设暗噪值B0)，图3中由“*”绘制的曲线表示子像素(光线波长为550nm)的暗噪强度A与积分时间的关系图，由“—”绘制的曲线表示基于函数关系式Dk＝at+b拟合的关系图。

由此可知，在不考虑温度和其他外界因素的影响下，以某一间隔积分时间对暗电流进行采集，可拟合出每一子像素暗电流相对积分时间的关系图，并确定对应的a、b值。如此，在后续每次进行测量时，已知当前测量的积分时间，以函数关系式Dk＝at+b即可计算出每一子像素的理论暗噪值(预设暗噪值B0)。现有技术中一般将每一子像素的理论暗噪值作为每一子像素的固定暗电流对应的光强进行暗噪扣除，但是，随着温度等外界环境的变化，显然会导致每一子像素的理论暗噪值发生改变。由此，需要对每一子像素的理论暗噪值(即预设暗噪值B0)进行修正。

具体地，如图4所示，步骤104的具体操作步骤可包括：

步骤402.将遮蔽区301的暗噪强度A与遮蔽区301的预设暗噪值A0之间的差值确定为曝光区302的暗噪修正值Dummy，即Dummy＝A-A0。其中，预设暗噪值A0为遮蔽区301对应的子像素的理论暗噪值，Dummy为暗噪强度A与理论暗噪值之间的差值。

A0可以解释为包含遮蔽区301中每一子像素对应的子像素的理论暗噪值的集合，A0＝{A01,A02,A03,…,A0n}，A0包含有集合{A03,…,A0n}，

具体地，确定曝光区302中子像素的暗噪修正值Dummy的具体操作过程可以为：

将集合A中各个子像素(所有子像素或基于需求所提取的部分子像素)的暗噪强度分别与遮蔽区301中对应子像素的预设暗噪值的差值作为曝光区302各子像素的暗噪修正值dummy，即，将集合A(1)中各子像素的暗噪强度分别对应与集合A0中各子像素的预设暗噪值的差值作为曝光区302各子像素的暗噪修正值dummy，或将集合A(2)中各子像素的暗噪强度分别与集合{A03,…,A0n}中对应子像素的预设暗噪值差值作为曝光区302各子像素的暗噪修正值dummy。然后，将各个子像素的暗噪修正值dummy的平均值确定为曝光区302各子像素的暗噪修正值Dummy。

当然，结合图5进行说明，为了提高所获取的遮蔽区301的暗噪强度A的精度，在一个优选的实施例中，获取传感器中遮蔽区的暗噪强度A的操作过程可以包括：

步骤502.获取遮蔽区301子像素的暗噪强度，并对遮蔽区301子像素的暗噪强度求取平均以得到确定遮蔽区301的暗噪强度平均值。

步骤504.将暗噪强度平均值确定为遮蔽区301的暗噪强度A。

结合图6进行说明，在另一个优选的实施例中，获取传感器中遮蔽区的暗噪强度A，包括：

步骤602.获取遮蔽区301子像素的暗噪强度；

步骤604.选取遮蔽区301的目标波段对应的子像素的暗噪强度作为遮蔽区的暗噪强度A。

需要说明的是，在图5或图6的实施例中，暗噪强度A是指经过二次处理(如平均处理或选择处理)后的测量值。

应理解，遮蔽区301的暗噪强度A可根据遮蔽区301中每一子像素的暗噪强度所得到的暗噪强度平均值进行确定。也可以在获取遮蔽区301中每一子像素的暗噪强度后，从遮蔽区301选择目标波段对应的子像素的暗噪强度确定为遮蔽区301的暗噪强度A。一般而言，遮蔽区301为传感器中所接收到的有效光谱波段前后10nm无光范围的区域，假设硬件的有效波段为380～780nm，则遮蔽区收集的光谱波段(即目标波段)可以为370～380nm或者780～790nm。其中，有效光谱波段与遮蔽区对应的暗噪值之间的关系如图7所示，纵坐标表示传感器中子像素所接收的强度值(即光强)，横坐标表示像素点也即子像素。如此，可选取遮蔽区301的目标波段对应的子像素的暗噪强度作为遮蔽区301的暗噪强度A。值得注意的是，遮蔽区301的目标波段对应的子像素可能为多个，此时，可对所选取的遮蔽区301目标波段对应的子像素的暗噪强度做平均，并将平均后得到的暗噪强度确定为遮蔽区301的暗噪强度A。

需要说明的是，对应于通过图5或图6所示的方式所确定的暗噪强度,A，传感器30中遮蔽区301的预设暗噪值A0则是指遮蔽区301中各个子像素(或基于需求所提取的部分子像素)的理论暗噪值的平均值，以通过将所获取的遮蔽区301的暗噪强度A与遮蔽区301的预设暗噪值A0之间的差值确定为曝光区302各子像素的暗噪修正值Dummy。当然，也可以通过求取遮蔽区301的暗噪强度A与遮蔽区301中每一子像素对应的预设暗噪值A0求差，以得到遮蔽区301中每一子像素的暗噪修正值，并将遮蔽区301中所有子像素的暗噪修正值的均值确定为传感器中每一子像素的暗噪修正值Dummy。

步骤404.基于暗噪修正值Dummy对曝光区子像素的预设暗噪值B0进行修正，得到曝光区302中子像素的修正后的暗噪强度B，即B＝B0+Dummy，也可以表示为Dk'＝at+b+Dummy，此时，Dk’表示修正后对应的暗噪强度。

应理解，通过采集的传感器上遮蔽区301的暗噪强度A与遮蔽区301的预设暗噪值A0间的差值(即每一子像素的暗噪修正值Dummy)对曝光区子像素的预设暗噪值B0进行修正，以通过修正后得到的暗噪强度B进行暗噪扣除，从而补偿由于环境变化带来的传感器暗噪强度产生变化的问题。

如图8所示，在不同温度下，同一子像素(光线波长为550nm)的暗噪值与积分时间的关系图。不难发现，随着温度的改变，基于Dk＝at+b+D u m m关系拟合的曲线有所偏差。同时，可发现，通过暗噪修正值Dummy对子像素的预设暗噪值B0修正后，暗噪强度A的曲线与基于Dk＝at+b+Dummy关系拟合的曲线几乎重叠，从而有效地补偿了由于环境变化带来的传感器暗电流强度产生变化的问题。

步骤106.将光谱强度与修正后的暗噪强度B之间的差值确定为被测光束P的光强。

图9和图10均是通过改变环境温度(温差大于10℃)，每隔10min采集一组光谱，将30组光谱数据叠画在一个坐标系的曲线图。不难发现，图9中30组的光谱重合性较差，图10中30组的光谱重合性较好。通过对比图9和图10可以发现，在未通过暗噪修正值Dummy对子像素的预设暗噪值B0进行修正时，所测得的传感器暗噪强度会随着温度的不同产生变化，从而导致被测光束的光强的抖动比较大。通过本发明实施例的色度计暗噪信号处理方法中暗噪修正值Dummy对子像素的预设暗噪值B0进行修正后，在长时间不同温度环境下测试的光谱基本趋于一致，不因温漂而产生强度的明显变化。图9和图10中，横坐标表示像素点(即子像素)，纵坐标表示被测光束的相对强度(即归一化后的光强)。

可以理解的是，本发明实施例的色度计暗噪信号处理方法通过所获取的遮蔽区的暗噪强度对传感器中每一子像素的预设暗噪值进行修正，以根据所测得的曝光区对应的光谱强度与修正后得到的每一子像素的暗噪强度确定被测光束P的光强。由此，通过遮蔽区的暗噪强度对每一子像素的预设暗噪值进行补偿，以补偿由于环境变化带来的传感器暗电流强度所产生的变化，从而解决了由于暗电流强度发生改变而导致所测得的光谱强度产生极大误差的问题。

可以理解的是，在通过暗噪修正值Dummy进行修正后，在长时间不同温度环境的测试下，所测得的被测光束的光强基本趋于一致，不因温漂而产生上下跳动。但由于引入Dummy本身波动，可能会在短时间内引起光强跳动的极差变大，由此，可能会降低色度计测量时的重复性水平。为解决该技术问题，如图11所示，本发明实施例的色度计暗噪信号处理方法还包括：

步骤1102.重复获取传感器中遮蔽区的暗噪强度，以基于遮蔽区的预设暗噪值分别与不同时刻获取的遮蔽区的暗噪强度确定每一时刻对应的曝光区的暗噪修正值Dummy。

步骤1104.基于每一时刻对应的曝光区的暗噪修正值求取曝光区的暗噪修正值的平均值，以基于暗噪修正值的平均值对曝光区子像素的预设暗噪值进行修正。

在步骤1102之后并在步骤1104之前的操作可包括：

步骤1103.将每一时刻对应的曝光区的暗噪修正值存储于数据存储装置中。通过将所获取的每一时刻对应的曝光区的暗噪修正值存储于数据存储装置中，以根据实际需求从数据存储装置提取不同时刻对应的曝光区的暗噪修正值。其中，数据存储装置可以为数据库、数据缓存单元等等。

由此可见，通过对不同时刻获取的暗噪修正值Dummy进行求平均，以通过暗噪修正值的平均值对曝光区子像素的预设暗噪值进行修正。从而可以明显地降低被测光束的光强的极差，以有效地提高色度计测量时的重复性精度。

本发明实施例还提供一种色度计暗噪信号处理系统，如图2所示，该色度计暗噪信号处理系统包括：光谱仪100，获取传感器30中遮蔽区301的暗噪强度A并获取入射至传感器30中曝光区302的被测光束P的光谱强度；处理单元200，基于遮蔽区301的暗噪强度对曝光区302子像素的预设暗噪值B0进行修正，得到曝光区302子像素的修正后的暗噪强度B；光谱仪100用于将光谱强度与修正后的暗噪强度之间的差值确定为被测光束的光强。

其中，光谱仪100中配置有光栅10，遮光机构20，传感器30。被测光束P经过光谱仪100中的光栅10进行分光后入射至传感器30，被测光束P分光后入射至传感器30所形成的光路区域即为被测光束P的入射区域40。光谱仪100中配置有在用于遮挡被测光束P部分线束的遮光机构20，以通过遮光机构20使被测光束P无法入射至传感器30中的每一子像素上。由此，传感器30中未暴露于被测光束P入射区域40的子像素构成传感器30的遮蔽区301(遮蔽区301接收不到被测光束P，但能反馈暗电流)，传感器30中暴露于被测光束P入射区域40的子像素构成传感器30的曝光区302。

具体地，处理单元200还配置成：将遮蔽区301的暗噪强度A与遮蔽区301的预设暗噪值A0之间的差值确定为曝光区302的暗噪修正值Dummy，并基于暗噪修正值对曝光区子像素的预设暗噪值B0进行修正，得到曝光区302子像素的修正后的暗噪强度B。即Dummy＝A-A0，B＝B0+Dummy。

通过对比图9和图10可以发现，在未通过暗噪修正值Dummy对子像素的预设暗噪值B0进行修正时，所测得的传感器暗噪强度会随着温度的不同产生变化，从而导致被测光束的光强的抖动比较大。通过本发明实施例的色度计暗噪信号处理方法中暗噪修正值Dummy对子像素的预设暗噪值B0进行修正后，在长时间不同温度环境下测试的光谱基本趋于一致，不因温漂而产生强度的明显变化。图9和图10中，横坐标表示像素点(即子像素)，纵坐标表示被测光束的相对强度(即归一化后的光强)。

可以理解的是，本发明实施例的色度计暗噪信号处理系统通过所获取的遮蔽区301的暗噪强度对传感器30中每一子像素的预设暗噪值进行修正，以根据所测得的曝光区302对应的光谱强度与修正后得到的每一子像素的暗噪强度确定被测光束P的光强。由此，通过遮蔽区的暗噪强度对每一子像素的预设暗噪值进行补偿，以补偿由于环境变化带来的传感器暗电流强度所产生的变化，从而解决了由于暗电流强度发生改变而导致所测得的光谱强度产生极大误差的问题。

可以理解的是，在通过暗噪修正值Dummy进行修正后，在长时间不同温度环境的测试下，所测得的被测光束的光强基本趋于一致，不因温漂而产生上下跳动。但由于引入Dummy本身波动，可能会在短时间内引起光强跳动的极差变大，由此，可能会降低色度计测量时的重复性水平。

为解决该技术问题，在上述实施例中，色度计暗噪信号处理系统的光谱仪100还配置成重复获取传感器30中遮蔽区301的暗噪强度；处理单元200还配置成基于遮蔽区301的预设暗噪值分别与不同时刻获取的遮蔽区301的暗噪强度确定每一时刻对应的曝光区的暗噪修正值，并基于每一时刻对应的曝光区的暗噪修正值求取曝光区的暗噪修正值的平均值，以根据暗噪修正值的平均值对曝光区子像素的预设暗噪值进行修正。色度计暗噪信号处理系统还配置有数据存储装置300，用于存储每一时刻对应的曝光区的暗噪修正值。如此，通过对不同时刻获取的暗噪修正值Dummy进行求平均，以通过暗噪修正值的平均值对曝光区子像素的预设暗噪值进行修正。从而可以明显地降低被测光束的光强的极差，以有效地提高色度计测量时的重复性精度。

本发明实施例所涉及的传感器可以为CCD传感器，也可以为其他能够实现色度计暗噪信号处理的传感器，不限于本发明实施例所限定的范围。

需要说明的是，本发明实施例所揭示的色度计暗噪信号处理方法中与色度计暗噪信号处理系统中相同部分的技术方案，请参色度计暗噪信号处理方法的实施例，在此不再赘述。

优选地，本发明实施例还提供一种终端设备，其可包括处理器，存储器，存储在存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述图1，4-6，11所示的方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。上述处理器可为ASIC、FPGA、CPU、MCU或者其他具有指令处理功能的物理硬件或者虚拟设备；上述存储器选自RAM、DRAM、FeRAM、NVDIMM、SSD、RAID0～7或者数据中心。

本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述图1，4-6，11所示的方法的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。其中，所述的计算机可读存储介质，如只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等。

上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (10)

1.一种色度计暗噪信号处理方法，其特征在于，所述色度计暗噪信号处理方法包括：

获取入射至传感器中曝光区的被测光束的光谱强度并获取传感器中遮蔽区的暗噪强度；

基于遮蔽区的暗噪强度对曝光区子像素的预设暗噪值进行修正，得到曝光区子像素的修正后的暗噪强度；

将所述光谱强度与修正后的暗噪强度之间的差值确定为所述被测光束的光强。

2.根据权利要求1所述的色度计暗噪信号处理方法，其特征在于，基于遮蔽区的暗噪强度对曝光区子像素的预设暗噪值进行修正，得到传感器中子像素的修正后的暗噪强度，包括：

将遮蔽区的暗噪强度与遮蔽区的预设暗噪值之间的差值确定为所述曝光区的暗噪修正值；

基于所述暗噪修正值对所述曝光区子像素的预设暗噪值进行修正，得到所述曝光区子像素的修正后的暗噪强度。

3.根据权利要求2所述的色度计暗噪信号处理方法，其特征在于，还包括：

重复获取传感器中遮蔽区的暗噪强度，以基于遮蔽区的预设暗噪值分别与不同时刻获取的遮蔽区的暗噪强度确定每一时刻对应的曝光区的暗噪修正值；

基于每一时刻对应的曝光区的暗噪修正值求取曝光区的暗噪修正值的平均值，以基于暗噪修正值的平均值对曝光区子像素的预设暗噪值进行修正。

4.根据权利要求3所述的色度计暗噪信号处理方法，其特征在于，在重复获取传感器中遮蔽区的暗噪强度，以基于不同时刻获取的遮蔽区的暗噪强度与遮蔽区的预设暗噪值确定每一时刻对应的曝光区的暗噪修正值之后，并在基于每一时刻对应的曝光区的暗噪修正值求取曝光区的暗噪修正值的平均值之前，包括：

将每一时刻对应的曝光区的暗噪修正值存储于数据存储装置中。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的色度计暗噪信号处理方法，其特征在于，获取传感器中遮蔽区的暗噪强度，包括：

获取遮蔽区子像素的暗噪强度，并对遮蔽区子像素的暗噪强度求取平均以得到遮蔽区的暗噪强度平均值；

将所述暗噪强度平均值确定为所述遮蔽区的暗噪强度。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的色度计暗噪信号处理方法，其特征在于，获取传感器中遮蔽区的暗噪强度，包括：

获取遮蔽区子像素的暗噪强度；

选取遮蔽区的目标波段对应的子像素的暗噪强度作为所述遮蔽区的暗噪强度。

7.一种色度计暗噪信号处理系统，其特征在于，包括：

光谱仪，获取传感器中遮蔽区的暗噪强度并获取入射至传感器中曝光区的被测光束的光谱强度；

处理单元，基于遮蔽区的暗噪强度对曝光区子像素的预设暗噪值进行修正，得到传感器中子像素的修正后的暗噪强度；

所述光谱仪用于将所述光谱强度与修正后的暗噪强度对应的光强之间的差值确定为所述被测光束的光强。

8.根据权利要求7所述的色度计暗噪信号处理系统，其特征在于，所述处理单元配置成：

将遮蔽区的暗噪强度与传感器中遮蔽区的预设暗噪值之间的差值确定为所述传感器中子像素的暗噪修正值，并基于所述暗噪修正值对所述曝光区子像素的预设暗噪值进行修正，得到所述传感器中子像素的修正后的暗噪强度。

9.根据权利要求8所述的色度计暗噪信号处理系统，其特征在于，

所述光谱仪还配置成重复获取传感器中遮蔽区的暗噪强度；

所述处理单元还配置成基于遮蔽区的预设暗噪值分别与不同时刻获取的遮蔽区的暗噪强度确定每一时刻对应的子像素的暗噪修正值，并基于每一时刻对应的子像素的暗噪修正值求取子像素的暗噪修正值的平均值，以根据暗噪修正值的平均值对曝光区子像素的预设暗噪值进行修正。

10.根据权利要求9所述的色度计暗噪信号处理系统，其特征在于，还包括：

数据存储装置，用于存储每一时刻对应的子像素的暗噪修正值。

Images