CN111613522A - 一种将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法 - Google Patents
一种将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111613522A CN111613522A CN202010384034.0A CN202010384034A CN111613522A CN 111613522 A CN111613522 A CN 111613522A CN 202010384034 A CN202010384034 A CN 202010384034A CN 111613522 A CN111613522 A CN 111613522A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transition metal
- micro
- nano photonic
- integrating
- nano
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 63
- -1 transition metal chalcogenide Chemical class 0.000 title claims abstract description 60
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 42
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 5
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 15
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 5
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910003091 WCl6 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910021381 transition metal chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 12
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 16
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 8
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 5
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- ROUIDRHELGULJS-UHFFFAOYSA-N bis(selanylidene)tungsten Chemical compound [Se]=[W]=[Se] ROUIDRHELGULJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02568—Chalcogenide semiconducting materials not being oxides, e.g. ternary compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/305—Sulfides, selenides, or tellurides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法，将过渡金属前驱物放置在石英舟内，硅或氮化硅基底的微纳光子器件放置在石英舟上；将硫族元素前驱物置于管式炉石英管内。通过利用化学气相沉积法在微纳光子器件上直接生长过渡金属硫族化合物，可将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成，且材料层数可控，光学和电学特性良好。该方法极大地优化了工艺流程，节省了工艺成本，适合于规模化生产集成有过渡金属硫族化合物的微纳光子器件。
Description
技术领域
本发明属于化合物与微纳光子器件集成的方法，涉及一种将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法，是通过化学气相沉积方法将过渡金属硫族化合物直接生长于微纳光子器件上，构成集成器件。
背景技术
近年来，二维层状过渡金属硫族化合物以其独特的光学、电学和光电性质在光子学、电子学以及光电领域等具有巨大的应用潜力，成为当前材料研究的热点之一。不同于石墨烯的零带隙缺陷，单层过渡金属硫族化合物具有直接带隙，且该类材料按照原子排布的不同可表现出半导体、金属以及拓扑的材料性质。因此，过渡金属硫族化合物不仅可以应用于电子学领域，如晶体管、传感器、柔性电子及逻辑电子学，还可应用于能源技术和工程材料，如太阳能电池、纳米复合材料。以二硫化钼为代表，其单层材料表现出与体材料截然不同的光学、电学性质。在光学方面，体材料的光致发光现象并不明显，而少层的二硫化钼却具有很强的光致发光性，且随着层数的减少，其光致发光性逐渐增强，当减薄至单层时可获得最强的光致发光性，因而可应用于光探测和光致发光领域(如光电探测器、光电发射器)。此外，奇数层的二硫化钼具有较强的二阶非线性光学响应，而偶数层材料满足空间反对称，无二阶非线性光学响应。此外，单层过渡金属硫族化合物的独特谷极化特性在谷电子学领域有着较好的发展前景。
为进一步优化过渡金属硫族化合物中光与物质相互耦合效率以及光响应频谱的可调谐能力，研究人员通常将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件结合起来。微纳光子器件是一种尺度在微纳米级别的结构或材料，包括各种光学微腔、表面等离激元、超构表面或超材料等。微纳光子器件具有效尺寸小、集成度高的优点。通过将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成，可以利用微纳光子结构的局域场增强、共振滤波以及对结构参数、周围环境的灵敏特性，对过渡金属硫族化合物中光与物质相互耦合进行改进和提高，并将过渡金属硫族化合物的器件应用进行拓展。如可以将过渡金属硫族化合物集成到微纳光子器件上，进而形成光电子集成芯片，以在光电子集成芯片上发挥过渡金属硫族化合物的优异光学和电学特性。目前，基于过渡金属硫族化合物与微纳光子器件的集成器件已有许多应用，如：单层二硒化钨与光子晶体微腔集成的低阈值纳米激光器；利用单层二硫化钼与表面等离激元银纳米线的复合结构实现对二次谐波的增强；以及单层二硫化钼与光子晶体微腔集成的微型有机挥发性气体传感器等。可以预见，过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成将成为一种趋势。
但是，如何大规模地实现过渡金属硫族化合物与微纳光子器件的集成是一项亟待解决问题。目前，惯用的集成方法主要有两种途径：一种是先利用机械剥离法制备材料，再通过微转移的技术将剥离的材料转移到微纳光子器件上来进行集成。但是这种方法存在许多不足：首先机械剥离法制备材料的效率低下，且结果具有随机性，无法重复；其次，微纳光子器件的尺度为微纳米尺度，对转移设备的精度要求很高，转移的难度大、成功率低。这些不足使得该途径只能应用于科学研究，无法实现工业上的规模制备。第二种途径则是利用化学气相沉积法生长材料，再利用湿法转移技术将生长的材料转移到微纳光子器件上。化学气相沉积法是一种可大量制备过渡金属硫族化合物的方法，该途径有效解决了机械剥离法制备材料的效率低下问题。但后续仍需要进行转移，且在湿法转移的过程中，材料需要与溶液接触，使得材料产生褶皱，且会对材料进行二次污染，从而导致材料的光学性质和电学性质受到影响。
发明内容
要解决的技术问题
为了避免现有技术的不足之处，本发明提出一种将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法，将二者进行集成，解决现有的两种集成途径的不足。
技术方案
一种将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法，其特征在于利用化学气相沉积法在微纳光子器件上直接生长过渡金属硫族化合物，步骤如下：
步骤1：将过渡金属前驱物放置在石英舟内；
步骤2：将硅或氮化硅基底的微纳光子器件放置在石英舟上，作为生长衬底；
步骤3：将硫族元素前驱物置于管式炉石英管内；
步骤4、利用化学气相沉积法在微纳光子器件上直接生长过渡金属硫族化合物：在管式炉石英管中持续通入氢氩混合气体，依气流方向将石英舟放入高温管式炉的石英管内；
调整温度从室温上升到825℃，保温5分钟，随后自然降至室温，得到过渡金属硫族化合物与微纳光子器件的集成器件。
在石英管内，石英舟气体的进入方向设有另一个石英舟，石英舟内放置卤族元素前驱物。
所述从室温上升到825℃的升温速率为30℃-50℃/min。
所述管式炉石英管中持续通入100-200sccm的氢氩混合气体。
所述氩气与氢气体积比为4︰1。
所述过渡金属元素前驱物包括但不限于：过渡金属氧化物或氯化物WCl6，或是与熔融盐混合物。
所述硫族元素前驱物包括但不限于：硫族元素单质中的一种或是两种混合物。
所述过渡金属氧化物包括但不限于：WO3或MoO3。
所述熔融盐包括但不限于：NaCl、KCl、KI的混合物。
所述硫族元素单质包括但不限于：S、Se、Te中的一种或是两种混合。
有益效果
本发明提出的一种将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法，通过利用化学气相沉积法在微纳光子器件上直接生长过渡金属硫族化合物，可将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成，且材料层数可控，光学和电学特性良好。该方法极大地优化了工艺流程，节省了工艺成本，适合于规模化生产集成有过渡金属硫族化合物的微纳光子器件。
有益效果
1.该方法使用化学气相沉积法生长过渡金属硫族化合物，生长的材料光学、电学性质良好，并且通过控制化学气相沉积系统中的温度、反应时间、前驱物量、前驱物种类、氩氢气混合比等条件，可以实现对金属硫族化合物的层数的可控制备；
2.通过在微纳光子器件上直接生长二维过渡金属硫族化合物进行集成，无需进行转移等过程，避免了转移过程中对材料的污染，极大地优化了工艺过程，节省了工艺成本，适合于规模化生产。
3.本发明采用化学气相沉积法在微纳光子器件上直接生长过渡金属硫族化合物，原料主要使用氩氢混合气体，金属前驱物和卤族元素粉末，这些原料易得，且成本低，制备过程简单。
本发明制备的过渡金属硫族化合物与微纳光子器件的集成器件，材料与微纳光子器件的贴合度更好，耦合效率高，有利于提高器件的各项性能。
附图说明
图1为实施例使用的化学气相沉积示意图。
图2为该方法制备的单层二硫化钨与氮化硅光子晶体微腔的集成器件的光学显微镜图。
图3为该方法制备的单层二硫化钨与氮化硅光子晶体微腔集成器件中单层二硫化钨的荧光光谱。
图4为该方法制备的单层二硫化钨与氮化硅光子晶体微腔集成器件中单层二硫化钨的拉曼光谱。
具体实施方式
现结合实施例、附图对本发明作进一步描述：
实施例1：
一个单层二硫化钨与氮化硅光子晶体的集成器件，其具体步骤为：
步骤1：将三氧化钨和氯化钠混合粉末放置在第二石英舟2内；
步骤2：将硅或氮化硅基底的微纳光子器件放置在石英舟上，作为生长衬底；
步骤3：将硫粉置于管式炉石英管内；
步骤4、利用化学气相沉积法在微纳光子器件上直接生长过渡金属硫族化合物：在管式炉石英管中持续通入200sccm的氢氩混合气体，依气流方向将石英舟放入高温管式炉的石英管内；所述氩气与氢气体积比为4︰1；
调整温度，以30℃-50℃/min的升温速率从室温上升到825℃，保温5分钟，随后自然降至室温，得到过渡金属硫族化合物与微纳光子器件的集成器件。
实施例2：
步骤1：将三氧化钨和氯化钠混合粉末放置在第二石英舟2内；
步骤2：将硅或氮化硅基底的微纳光子器件放置在石英舟上，作为生长衬底；
步骤3：将硫粉置于管式炉石英管内；在石英管内，石英舟气体的进入方向设有另一个第一石英舟1，第一石英舟2内放置卤族元素前驱物；
步骤4、利用化学气相沉积法在微纳光子器件上直接生长过渡金属硫族化合物：在管式炉石英管中持续通入200sccm的氢氩混合气体，依气流方向将石英舟放入高温管式炉的石英管内；所述氩气与氢气体积比为4︰1；
调整温度，以30℃/min的升温速率从室温上升到825℃，保温5分钟，随后自然降至室温，得到过渡金属硫族化合物与微纳光子器件的集成器件。
通过上述步骤可以得到单层二硫化钨与硅/氮化硅基底的光子晶体微腔的集成器件，通过光学显微镜对其进行观察，结果如图2所示，可以观察到二硫化钨完全覆盖在光子晶体上，表明该方法成功实现了将单层二硫化钨与氮化硅光子晶体微腔相集成。图3和图4分别是该部分二硫化钨的荧光光谱和拉曼光谱，可以看出其光学性质良好，并且单层二硫化钨的发光与光子晶体腔的共振模式实现了良好的耦合。
实施例3～6：
在实施例1或2的步骤4中，改变升温速率为50℃/min或40℃/min；
实施例7～10：
在实施例1或2的步骤4中，改变在管式炉石英管中持续通入100sccm或150sccm的氢氩混合气体。
其他实施例：
改变过渡金属元素前驱物，可以是一种过渡金属氧化物(如WO3，MoO3等)或氯化物(如WCl6等)，或是与熔融盐(如NaCl、KCl、KI等)的混合物等，为化学气相沉积过程中提供金属元素，具体根据所生长的过渡金属硫族化合物的不同来确定。
执行上述实施例1～10的过程，得到过渡金属硫族化合物与微纳光子器件的集成器件。
改变硫族元素前驱物，可以为硫族元素单质(如S、Se、Te)中的一种或是两种混合，为化学气相沉积过程中提硫族具体根据所生长的过渡金属硫族化合物的不同来确定。
执行上述实施例1～10的过程，得到过渡金属硫族化合物与微纳光子器件的集成器件。
所使用的高温管式炉，可以为单温区高温管式炉或多温区高温管式炉。
Claims (10)
1.一种将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法，其特征在于利用化学气相沉积法在微纳光子器件上直接生长过渡金属硫族化合物，步骤如下：
步骤1：将过渡金属前驱物放置在石英舟内；
步骤2：将硅或氮化硅基底的微纳光子器件放置在石英舟上，作为生长衬底；
步骤3：将硫族元素前驱物置于管式炉石英管内；
步骤4、利用化学气相沉积法在微纳光子器件上直接生长过渡金属硫族化合物：在管式炉石英管中持续通入氢氩混合气体，依气流方向将石英舟放入高温管式炉的石英管内；
调整温度从室温上升到825℃，保温5分钟，随后自然降至室温，得到过渡金属硫族化合物与微纳光子器件的集成器件。
2.根据权利要求1所述将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法，其特征在于：在石英管内，石英舟气体的进入方向设有另一个石英舟，石英舟内放置卤族元素前驱物。
3.根据权利要求1或2所述将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法，其特征在于：所述从室温上升到825℃的升温速率为30℃-50℃/min。
4.根据权利要求1或2所述将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法，其特征在于：所述管式炉石英管中持续通入100-200sccm的氢氩混合气体。
5.根据权利要求1或2或3所述将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法，其特征在于：所述氩气与氢气体积比为4︰1。
6.根据权利要求1所述将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法，其特征在于：所述过渡金属元素前驱物包括但不限于：过渡金属氧化物或氯化物WCl6，或是与熔融盐混合物。
7.根据权利要求1所述将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法，其特征在于：所述硫族元素前驱物包括但不限于：硫族元素单质中的一种或是两种混合物。
8.根据权利要求6所述将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法，其特征在于：所述过渡金属氧化物包括但不限于：WO3或MoO3。
9.根据权利要求6所述将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法，其特征在于：所述熔融盐包括但不限于：NaCl、KCl、KI的混合物。
10.根据权利要求7所述将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法，其特征在于：所述硫族元素单质包括但不限于：S、Se、Te中的一种或是两种混合。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010384034.0A CN111613522A (zh) | 2020-05-08 | 2020-05-08 | 一种将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010384034.0A CN111613522A (zh) | 2020-05-08 | 2020-05-08 | 一种将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111613522A true CN111613522A (zh) | 2020-09-01 |
Family
ID=72196672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010384034.0A Pending CN111613522A (zh) | 2020-05-08 | 2020-05-08 | 一种将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111613522A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114855144A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-08-05 | 清华-伯克利深圳学院筹备办公室 | 一种过渡金属硫族化合物薄层材料及其制备方法和应用 |
| CN114975654A (zh) * | 2022-03-17 | 2022-08-30 | 西北工业大学 | 一种基于化学气相沉积二硫化钨的光电探测器及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109267036A (zh) * | 2018-11-01 | 2019-01-25 | 西北大学 | 一种二碲化钨纳米线材料的制备及二碲化钨纳米线材料 |
| CN110554455A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-12-10 | 北京大学 | 一种快速制备过渡金属硫族化合物复合光纤材料的方法 |
| CN110568546A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-12-13 | 北京大学 | 一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法 |
| US20210358533A1 (en) * | 2018-09-06 | 2021-11-18 | National University Of Singapore | A continuous thin film of a metal chalcogenide |
-
2020
- 2020-05-08 CN CN202010384034.0A patent/CN111613522A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210358533A1 (en) * | 2018-09-06 | 2021-11-18 | National University Of Singapore | A continuous thin film of a metal chalcogenide |
| CN109267036A (zh) * | 2018-11-01 | 2019-01-25 | 西北大学 | 一种二碲化钨纳米线材料的制备及二碲化钨纳米线材料 |
| CN110554455A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-12-10 | 北京大学 | 一种快速制备过渡金属硫族化合物复合光纤材料的方法 |
| CN110568546A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-12-13 | 北京大学 | 一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 王俊，张晓艳，张赛锋，赵培均，张龙: "二维非线性光学材料与器件研究进展", 《中国激光》 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114975654A (zh) * | 2022-03-17 | 2022-08-30 | 西北工业大学 | 一种基于化学气相沉积二硫化钨的光电探测器及其制备方法 |
| CN114855144A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-08-05 | 清华-伯克利深圳学院筹备办公室 | 一种过渡金属硫族化合物薄层材料及其制备方法和应用 |
| CN114855144B (zh) * | 2022-04-29 | 2023-11-17 | 清华-伯克利深圳学院筹备办公室 | 一种过渡金属硫族化合物薄层材料及其制备方法和应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Cao et al. | Progress of lead‐free halide perovskites: from material synthesis to photodetector application | |
| Imran et al. | Halide perovskite–lead chalcohalide nanocrystal heterostructures | |
| Jia et al. | Lateral Monolayer MoSe2–WSe2 p–n Heterojunctions with Giant Built‐In Potentials | |
| Dasgupta et al. | Atomic layer deposition of lead sulfide quantum dots on nanowire surfaces | |
| Hsieh et al. | Nanophotonic switch: gold-in-Ga2O3 peapod nanowires | |
| CN110568546B (zh) | 一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法 | |
| Chen et al. | Organometallically anisotropic growth of ultralong Sb2Se3 nanowires with highly enhanced photothermal response | |
| CN111613522A (zh) | 一种将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法 | |
| Piyadasa et al. | Band structure engineering strategies of metal oxide semiconductor nanowires and related nanostructures: A review | |
| Chandrasekar et al. | Solution-phase, template-free synthesis of PbI 2 and MAPbI 3 nano/microtubes for high-sensitivity photodetectors | |
| Wu et al. | Large-area synthesis and photoelectric properties of few-layer MoSe2 on molybdenum foils | |
| Patel et al. | X-ray diffraction analysis of hexagonal klockmannite CuSe nanoparticles for photodetectors under UV light | |
| Chen et al. | In situ inward epitaxial growth of bulk macroporous single crystals | |
| Xue et al. | Review on nanomaterials synthesized by vapor transport method: growth and their related applications | |
| Choi et al. | Large-scale self-limiting synthesis of monolayer MoS2 via proximity evaporation from Mo films | |
| Lan et al. | Preparation and promising optoelectronic applications of lead halide perovskite patterned structures: A review | |
| Xiang et al. | Progress on growth of metal halide perovskites by vapor-phase synthesis and their applications | |
| Krbal et al. | Improved ordering of quasi-two-dimensional mos2 via an amorphous-to-crystal transition initiated from amorphous sulfur-rich MoS2+ x | |
| Zhai et al. | Synthesis and Cathodoluminescence of Morphology-Tunable SiO2 Nanotubes and ZnS/SiO2 Core− Shell Structures Using CdSe Nanocrystals as the Seeds | |
| Tariq et al. | Effect of copper doping on plasmonic nanofilms for high performance photovoltaic energy applications | |
| Faisal et al. | Conductivity modification of ZnO NRs films via gold coating for temperature sensor application | |
| CN113718227B (zh) | 一类二维层状三元化合物及其制备方法 | |
| Min et al. | Research progress of low-dimensional perovskites: synthesis, properties and optoelectronic applications | |
| Mu et al. | Tilted epitaxial ZnO nanospears on Si (001) by chemical bath deposition | |
| Lei et al. | Synthesis of vertically-aligned large-area MoS2 nanofilm and its application in MoS2/Si heterostructure photodetector |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200901 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |