CN111599730A - 刻蚀液供给装置及方法 - Google Patents

刻蚀液供给装置及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111599730A
CN111599730A CN202010577055.4A CN202010577055A CN111599730A CN 111599730 A CN111599730 A CN 111599730A CN 202010577055 A CN202010577055 A CN 202010577055A CN 111599730 A CN111599730 A CN 111599730A
Authority
CN
China
Prior art keywords
liquid medicine
liquid
etching
etching liquid
main
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010577055.4A
Other languages
English (en)
Inventor
倪加其
徐友峰
李虎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN202010577055.4A priority Critical patent/CN111599730A/zh
Publication of CN111599730A publication Critical patent/CN111599730A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/08—Etching
    • C30B33/10—Etching in solutions or melts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Abstract

本发明提供一种刻蚀液供给装置及方法，所述刻蚀液供给装置包括主药液槽、辅助药液槽及氧气注入单元，所述氧气注入单元被配置为向所述辅助药液槽中的刻蚀液注入氧气，以使所述辅助药液槽中的刻蚀液保持预定的氧浓度；所述主药液槽与所述辅助药液槽连通，所述辅助药液槽中的刻蚀液用于供给所述主药液槽，所述主药液槽中的刻蚀液用于与作业腔保持刻蚀液的交换。如此配置，可使主药液槽中的刻蚀液保持稳定的氧浓度，提高刻蚀液的刻蚀速率稳定性，实现晶圆刻蚀后其厚度及平整度的有效控制，还可延长作业腔的使用周期。

Description

刻蚀液供给装置及方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种刻蚀液供给装置及方法。
背景技术
背照式图像传感器(BSI)芯片制造中，晶圆硅减薄后其厚度及其平整性对器件的性能具有非常关键的影响，需要刻蚀液对硅的刻蚀速率具有较高的稳定性。目前，工业主流的刻蚀设备采用TMAH(四甲基氢氧化铵)作为刻蚀液，新的TMAH刻蚀液具有较低的氧浓度，而随着刻蚀作业的进行或放置时间的增加，TMAH刻蚀液的氧浓度逐渐升高。TMAH对硅的刻蚀速率随刻蚀液中溶解的氧浓度升高而降低，由此导致刻蚀液的刻蚀速率稳定性较差，以至不同批次的晶圆硅减薄厚度出现差异，严重影响器件性能的稳定性，增加工艺难度。
此外，在硅刻蚀工艺中，TMAH刻蚀液不断刻蚀晶圆表面的硅，形成含硅的杂质，污染刻蚀液。当刻蚀液中杂质浓度达到工艺要求的上限后，需要在刻蚀设备中更换刻蚀液，更换刻蚀液的过程涉及到排出旧刻蚀液、注入新刻蚀液、对刻蚀液加热和温度校正等过程，该过程周期较长且影响设备使用效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种刻蚀液供给装置及方法，以解决刻蚀液对晶圆刻蚀速率稳定性较差的问题。
为解决上述技术问题，基于本发明的一个方面，本发明，提供一种刻蚀液供给装置，包括：主药液槽、辅助药液槽及氧气注入单元，
所述氧气注入单元被配置为向所述辅助药液槽中的刻蚀液注入氧气，以使所述辅助药液槽中的刻蚀液保持预定的氧浓度；
所述主药液槽与所述辅助药液槽连通，所述辅助药液槽中的刻蚀液用于供给所述主药液槽，所述主药液槽中的刻蚀液用于与作业腔保持刻蚀液的交换。
可选的，所述主药液槽包括硅浓度传感单元，所述硅浓度传感单元用于检测所述主药液槽中的刻蚀液的硅浓度值；当所述硅浓度传感单元所检测的硅浓度值达到第一预定值时，所述主药液槽用于排出一部分的刻蚀液，所述辅助药液槽用于向所述主药液槽供给与所述主药液槽排出的体积相等的刻蚀液。
可选的，所述主药液槽包括氧浓度传感单元，所述氧浓度传感单元用于检测所述主药液槽中的刻蚀液的氧浓度值；当所述氧浓度传感单元所检测到的氧浓度值偏离预设范围时，所述主药液槽用于排出一部分的刻蚀液，所述辅助药液槽用于向所述主药液槽供给与所述主药液槽排出的体积相等的刻蚀液。
可选的，所述刻蚀液供给装置还包括温控单元，所述温控单元被配置为调节所述辅助药液槽中的刻蚀液的温度至第二预定值，以及调节所述主药液槽中的刻蚀液的温度至所述第二预定值。
可选的，所述主药液槽被配置为按预定时间间隔排出一部分的刻蚀液，所述辅助药液槽被配置为向所述主药液槽供给与所述主药液槽排出的体积相等的刻蚀液。
基于本发明的另一个方面，本发明还提供一种刻蚀液供给方法，包括，
向辅助药液槽注入氧气，使所述辅助药液槽中的刻蚀液保持预定的氧浓度；
将所述辅助药液槽中的刻蚀液输送至主药液槽；
利用所述主药液槽中的刻蚀液与作业腔保持刻蚀液的交换；
可选的，所述刻蚀液供给方法还包括：获取所述主药液槽中的刻蚀液的硅浓度值；当所述硅浓度值达到第一预定值时，控制所述主药液槽排出一部分的刻蚀液，并由所述辅助药液槽向所述主药液槽补充与所述主药液槽排出的体积相等的刻蚀液。
可选的，所述刻蚀液供给方法还包括：获取所述主药液槽中的刻蚀液的氧浓度值；当所述氧浓度值偏离预设范围时，控制所述主药液槽排出一部分的刻蚀液，并由所述辅助药液槽向所述主药液槽补充与所述主药液槽排出的体积相等的刻蚀液。
可选的，所述刻蚀液供给方法还包括：将所述辅助药液槽中的刻蚀液的温度调节至第二预定值，以及将所述主药液槽中的刻蚀液的温度调节至所述第二预定值。
可选的，所述刻蚀液供给方法还包括：控制所述主药液槽按预定时间间隔排出一部分的刻蚀液，并由所述辅助药液槽向所述主要液槽补充与所述主药液槽排出的体积相等的刻蚀液。
综上所述，在本发明提供的刻蚀液供给装置及方法中，所述刻蚀液供给装置包括主药液槽、辅助药液槽及氧气注入单元，所述氧气注入单元向辅助药液槽中的刻蚀液注入氧气，以使辅助药液槽中的刻蚀液保持预定的氧浓度；主药液槽与辅助药液槽连通，并将辅助药液槽中的刻蚀液供给主药液槽，所述主药液槽中的刻蚀液用于与作业腔保持刻蚀液的交换。如此配置，通过设置辅助药液槽作为刻蚀液的缓冲容置槽，通过氧气注入单元向辅助药液槽注入氧气，使辅助药液槽中的刻蚀液能够被调节到预定的氧浓度。进而，利用辅助药液槽向主药液槽供给刻蚀液，可使主药液槽中的刻蚀液保持稳定的氧浓度，提高刻蚀液的刻蚀速率稳定性，实现晶圆刻蚀后其厚度及平整度的有效控制，还可延长作业腔的使用周期。
附图说明
本领域的普通技术人员应当理解，提供的附图用于更好地理解本发明，而不对本发明的范围构成任何限定。其中：
图1是本发明一实施例的刻蚀液供给装置的示意图；
图2是本发明一实施例的刻蚀液供给方法的流程图。
附图中：
10-主药液槽；11-硅浓度传感单元；12-氧浓度传感单元；20-辅助药液槽；21-氧气注入单元；30-作业腔；40-温控单元；50-刻蚀液供给端；60-药液管。
具体实施方式
为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
如在本说明书和所附权利要求书中所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”包括复数对象，除非内容另外明确指出外。如在本说明书和所附权利要求中所使用的，术语“或”通常是以包括“和/或”的含义而进行使用的，除非内容另外明确指出外。
本发明提供一种刻蚀液供给装置及方法，以解决刻蚀液对晶圆刻蚀速率稳定性较差的问题。
以下请参考附图进行描述。
请参考图1和图2，其中，图1是本发明一实施例的刻蚀液供给装置的示意图，图2是本发明一实施例的刻蚀液供给方法的流程图。
请参考图1，本实施例提供一种刻蚀液供给装置，其包括主药液槽10、辅助药液槽20及氧气注入单元21，所述氧气注入单元21被配置为向所述辅助药液槽20中的刻蚀液注入氧气，以使所述辅助药液槽20中的刻蚀液保持在预定的氧浓度；所述主药液槽10与所述辅助药液槽20连通，所述辅助药液槽中20中的刻蚀液用于供给所述主药液槽10，所述主药液槽10中的刻蚀液用于与作业腔30保持刻蚀液的交换。在一个示范性的实施例中，辅助药液槽20还与刻蚀液供给端50连通，刻蚀液供给端50用于向辅助药液槽20提供原始的刻蚀液，主药液槽10通过药液管60与辅助药液槽20连通；主药液槽10中的刻蚀液用于与至少一个作业腔30保持刻蚀液的交换。较佳的，主药液槽10与多个作业腔30(图1示出四个作业腔30)保持刻蚀液的交换，如此，可实现多个作业腔30同时刻蚀晶圆，提高晶圆的产量。由于主药液槽10中需要直接与作业腔30连通并进行刻蚀液的交换，因此如直接对其进行注氧，则容易产生氧浓度的波动而影响刻蚀的效果。故而本实施例采用独立设置的辅助药液槽20，在该辅助药液槽20中注氧调节氧浓度，形成缓冲，辅助药液槽20中完成氧浓度调节后的刻蚀液通过药液管60输送给主药液槽10，可以确保主药液槽10中的刻蚀液始终保持稳定的氧浓度。在一个较佳的实施例中，所述预定的氧浓度被配置为，氧浓度处于饱和状态。在另一些实施例中，预定的氧浓度被配置为实际工艺要求控制的范围内。本领域技术人员可根据实际对预定的氧浓度进行不同的设定。
基于本实施例提供的一种刻蚀液供给装置，请参考图2，本实施例相应地提供一种刻蚀液供给方法，所述刻蚀液供给方法包括：
S10：向辅助药液槽注入氧气，使所述辅助药液槽中的刻蚀液保持预定的氧浓度；
S20：将所述辅助药液槽中的刻蚀液输送至主药液槽；
S30：利用所述主药液槽中的刻蚀液与作业腔保持刻蚀液的交换。
可选的，所述刻蚀液为TMAH(四甲基氢氧化铵)。TMAH刻蚀液中，四甲基铵离子较大，可不扩散地进入晶格中，且TMAH对氧化硅的选择性高。在其他一些实施例中，刻蚀液还可选择KOH溶液、肼等，本领域技术人员可根据实际工艺要求选择。
进一步地，所述刻蚀液供给装置还包括温控单元40，所述温控单元40被配置为调节所述辅助药液槽20中的刻蚀液至第二预定值，以及调节所述主药液槽10中的刻蚀液至所述第二预定值。
相应地，所述刻蚀液供给方法还包括：
S21：将所述辅助药液槽中的刻蚀液的温度调至第二预定值，以及调节所述主药液槽中的刻蚀液的温度至第二预定值。
如此配置，使主药液槽10中的刻蚀液保持在稳定的温度，防止辅助药液槽20向主药液槽10输送新的刻蚀液时，主药液槽10中的刻蚀液的出现温度波动的情况。由于刻蚀液的刻蚀速率随温度的升高而增加，故进一步可提高刻蚀工艺的稳定性。在一个较佳的实施例中，第二预定值的范围控制在70℃～90℃。在其它一些实施例中，第二预定值可根据实际工艺要求范围进行设定。
更进一步地，所述温控单元40还可用于调节药液管60中的刻蚀液的温度至第二预定值。在实际工艺中，药液管60还可用于对刻蚀液进行保温，且药液管60应尽量短，从而缩短辅助药液槽20中的刻蚀液至主药液槽10之间的传输距离，加强对刻蚀液的温度的控制效果。温控单元40还可包括第一温控模块、第二温控模块及第三温控模块，其中，第一温控单元用于调节辅助药液槽20中刻蚀液的温度至第二预定值，第二温控单元用于调节主药液槽10中的刻蚀液的温度至第二预定值，第三温控单元用于调节药液管60中的刻蚀液的温度至第二预定值。
进一步地，所述主药液槽10包括硅浓度传感单元11，所述硅浓度传感单元11用于检测所述主药液槽10中的刻蚀液的硅浓度值；当所述硅浓度传感单元11所检测到的硅浓度值达到第一预定值时，所述主药液槽10用于排出一部分的刻蚀液，所述辅助药液槽20用于向所述主药液槽10供给与所述主药液槽10排出的体积相等的刻蚀液。
相应地，所述刻蚀液供给方法还包括：
S22：获取所述主药液槽中的刻蚀液的硅浓度值；当所述硅浓度值达到第一预定值时，控制所述主药液槽排出一部分的刻蚀液，并由所述辅助药液槽向所述主药液槽补充与所述主药液槽排出的体积相等的刻蚀液。
一般的，随着刻蚀的进程，主药液槽中的硅浓度会逐渐上升，硅浓度传感单元11检测主药液槽10中的刻蚀液的实时硅浓度，所述第一预定值可根据工艺要求设定一硅浓度值触发点，当硅浓度检测到的硅浓度值达到硅浓度值触发点时，主药液槽10排出一部分刻蚀液，随后辅助药液槽20向主药液槽10输送主药液槽10排出的相同体积的刻蚀液。需理解，这里一部分刻蚀液的体积可根据实际进行设定。如此配置，主药液槽10通过少量多次排出及补充刻蚀液，避免主药液槽10一次性更换所有刻蚀液，从而节省更换刻蚀液的时间，并将主药液槽10中的刻蚀液的杂质硅浓度控制在工艺要求的范围内。
进一步地，所述主药液槽10包括氧浓度传感单元12，所述氧浓度传感单元12用于检测所述主药液槽10中的刻蚀液的氧浓度值；当所述氧浓度传感单元12所检测到的氧浓度值偏离预设范围时，所述主药液槽10用于排出一部分的刻蚀液，所述辅助药液槽20用于向所述主药液槽10供给与所述主药液槽10排出的体积相等的刻蚀液。
相应地，所述刻蚀液供给方法还包括：
S23：获取所述主药液槽中的刻蚀液的氧浓度值；当所述氧浓度值偏离预设范围时，控制所述主药液槽排出一部分的刻蚀液，并由所述辅助药液槽向所述主药液槽补充与所述主药液槽排出的体积相等的刻蚀液。
在实际工艺中，主药液槽10中的刻蚀液的氧浓度随作业腔30作业的时间或随刻蚀液在主药液槽10中放置的时间增加而升高，严重影响刻蚀液对晶圆的刻蚀速率稳定性。通过设置氧浓度传感单元12检测主药液槽10中的刻蚀液，当氧浓度值偏离预设范围时，主药液槽排出一部分的刻蚀液，并由所述辅助药液槽20向所述主药液槽10补充刻蚀液，通过少量多次的排放和补充，将主药液槽10中刻蚀液的氧浓度控制在预设范围内，使刻蚀液的对晶圆的刻蚀速率稳定。
更进一步地，所述辅助药液槽20包括第二氧浓度传感单元(未图示)，其用于检测辅助药液槽20中刻蚀液的氧浓度值；当第二氧浓度传感单元所检测的氧浓度值偏离预设范围时，所述氧气注入单元12用于向辅助药液槽20中注入氧气，以使辅助药液槽20中的刻蚀液的氧浓度值达到预定的氧浓度。
进一步地，所述主药液槽10被配置为按预定时间间隔排出一部分的刻蚀液，所述辅助药液槽20被配置为向所述主药液槽10供给与所述主药液槽10排出的体积相等的刻蚀液。
相应地，所述刻蚀液供给方法还包括：
S24：控制所述主药液槽按预定时间间隔排出一部分的刻蚀液，并由所述辅助药液槽向所述主要液槽补充与所述主药液槽排出的体积相等的刻蚀液。
具体实施时，本领域技术人员可根据实际对时间间隔和排出的刻蚀液的体积进行设置。如此设置，可实现主药液槽10少量多次排出及补充刻蚀液，避免主药液槽10一次性更换所有刻蚀液，从而节省更换刻蚀液的时间，提高相关刻蚀设备的使用率。
需要说明的是，在实际工艺中，步骤S21可在S20后进行，也可在步骤S21、S22或S23之后进行。
综上所述，在本发明提供的刻蚀液供给装置及方法中，所述刻蚀液供给装置包括主药液槽、辅助药液槽及氧气注入单元，所述氧气注入单元向辅助药液槽中的刻蚀液注入氧气，以使辅助药液槽中的刻蚀液保持预定的氧浓度；主药液槽与辅助药液槽连通，并将辅助药液槽中的刻蚀液供给主药液槽，所述主药液槽中的刻蚀液用于与作业腔保持刻蚀液的交换。如此配置，通过设置辅助药液槽作为刻蚀液的缓冲容置槽，通过氧气注入单元向辅助药液槽注入氧气，使辅助药液槽中的刻蚀液能够被调节到预定的氧浓度。进而，利用辅助药液槽向主药液槽供给刻蚀液，可使主药液槽中的刻蚀液保持预定的氧浓度，提高刻蚀液的刻蚀速率稳定性，实现晶圆刻蚀后其厚度及平整度的有效控制，还可延长作业腔的使用周期
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (10)

1.一种刻蚀液供给装置，其特征在于，包括：主药液槽、辅助药液槽及氧气注入单元，
所述氧气注入单元被配置为向所述辅助药液槽中的刻蚀液注入氧气，以使所述辅助药液槽中的刻蚀液保持预定的氧浓度；
所述主药液槽与所述辅助药液槽连通，所述辅助药液槽中的刻蚀液用于供给所述主药液槽，所述主药液槽中的刻蚀液用于与作业腔保持刻蚀液的交换。
2.根据权利要求1所述的刻蚀液供给装置，其特征在于：所述主药液槽包括硅浓度传感单元，所述硅浓度传感单元用于检测所述主药液槽中的刻蚀液的硅浓度值；当所述硅浓度传感单元所检测到的硅浓度值达到第一预定值时，所述主药液槽用于排出一部分的刻蚀液，所述辅助药液槽用于向所述主药液槽供给与所述主药液槽排出的体积相等的刻蚀液。
3.根据权利要求1所述的刻蚀液供给装置，其特征在于：所述主药液槽包括氧浓度传感单元，所述氧浓度传感单元用于检测所述主药液槽中的刻蚀液的氧浓度值；当所述氧浓度传感单元所检测到的氧浓度值偏离预设范围时，所述主药液槽用于排出一部分的刻蚀液，所述辅助药液槽用于向所述主药液槽供给与所述主药液槽排出的体积相等的刻蚀液。
4.根据泉流要求1所述的刻蚀液供给装置，其特征在于：所述刻蚀液供给装置还包括温控单元，所述温控单元被配置为调节所述辅助药液槽中的刻蚀液的温度至第二预定值，以及调节所述主药液槽中的刻蚀液的温度至所述第二预定值。
5.根据权利要求1所述的刻蚀液供给装置，其特征在于：所述主药液槽被配置为按预定时间间隔排出一部分的刻蚀液，所述辅助药液槽被配置为向所述主药液槽供给与所述主药液槽排出的体积相等的刻蚀液。
6.一种刻蚀液供给方法，其特征在于，包括：
向辅助药液槽注入氧气，使所述辅助药液槽中的刻蚀液保持预定的氧浓度；
将所述辅助药液槽中的刻蚀液输送至主药液槽；
利用所述主药液槽中的刻蚀液与作业腔保持刻蚀液的交换。
7.根据权利要求6所述的刻蚀液供给方法，其特征在于：所述刻蚀液供给方法还包括：获取所述主药液槽中刻蚀液的硅浓度值；
当所述硅浓度值达到第一预定值时，控制所述主药液槽排出一部分的刻蚀液，并自所述辅助药液槽向所述主药液槽补充与所述主药液槽排出的体积相等的刻蚀液。
8.根据权利要求6所述的刻蚀液供给方法，其特征在于：所述刻蚀液供给方法还包括：获取所述主药液槽中的刻蚀液的氧浓度值；
当所述氧浓度值偏离预设范围时，控制所述主药液槽排出一部分的刻蚀液，并自所述辅助药液槽向所述主药液槽补充与所述主药液槽排出的体积相等的刻蚀液。
9.根据权利要求6所述的刻蚀液供给方法，其特征在于：所述刻蚀液供给方法还包括：
将所述辅助药液槽中的刻蚀液的温度调节至第二预定值，以及将所述主药液槽中的刻蚀液的温度调节至所述第二预定值。
10.根据权利要求6所述的刻蚀液供给方法，其特征在于：所述刻蚀液供给方法还包括：
控制所述主药液槽按预定时间间隔排出一部分的刻蚀液，并自所述辅助药液槽向所述主药液槽补充与所述主药液槽排出的体积相等的刻蚀液。
CN202010577055.4A 2020-06-22 2020-06-22 刻蚀液供给装置及方法 Pending CN111599730A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010577055.4A CN111599730A (zh) 2020-06-22 2020-06-22 刻蚀液供给装置及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010577055.4A CN111599730A (zh) 2020-06-22 2020-06-22 刻蚀液供给装置及方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111599730A true CN111599730A (zh) 2020-08-28

Family

ID=72184719

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010577055.4A Pending CN111599730A (zh) 2020-06-22 2020-06-22 刻蚀液供给装置及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111599730A (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1127424A (zh) * 1994-12-19 1996-07-24 富士通株式会社 半导体衬底清洗方法与半导体器件制造方法
CN201186953Y (zh) * 2008-04-30 2009-01-28 深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司 多生产线微蚀药液集中供给装置
CN103426795A (zh) * 2012-05-15 2013-12-04 大日本网屏制造株式会社 基板处理用的药液生成方法、生成单元及基板处理系统
CN204558428U (zh) * 2015-03-19 2015-08-12 信利（惠州）智能显示有限公司 湿刻装置
JP2015227480A (ja) * 2014-05-30 2015-12-17 住友金属鉱山株式会社 化学処理装置及びその制御方法
JP2016021599A (ja) * 2015-11-02 2016-02-04 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
US20180082869A1 (en) * 2016-09-16 2018-03-22 Toshiba Memory Corporation Substrate processing device and method of manufacturing semiconductor device
CN110581095A (zh) * 2019-09-27 2019-12-17 中国科学院微电子研究所 一种刻蚀装置及刻蚀方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1127424A (zh) * 1994-12-19 1996-07-24 富士通株式会社 半导体衬底清洗方法与半导体器件制造方法
CN201186953Y (zh) * 2008-04-30 2009-01-28 深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司 多生产线微蚀药液集中供给装置
CN103426795A (zh) * 2012-05-15 2013-12-04 大日本网屏制造株式会社 基板处理用的药液生成方法、生成单元及基板处理系统
JP2015227480A (ja) * 2014-05-30 2015-12-17 住友金属鉱山株式会社 化学処理装置及びその制御方法
CN204558428U (zh) * 2015-03-19 2015-08-12 信利（惠州）智能显示有限公司 湿刻装置
JP2016021599A (ja) * 2015-11-02 2016-02-04 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
US20180082869A1 (en) * 2016-09-16 2018-03-22 Toshiba Memory Corporation Substrate processing device and method of manufacturing semiconductor device
CN110581095A (zh) * 2019-09-27 2019-12-17 中国科学院微电子研究所 一种刻蚀装置及刻蚀方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10186436B2 (en) Substrate processing system and substrate processing method
CN1914710A (zh) 在基片处理过程中选择性蚀刻氮化硅的系统和方法
US10710030B2 (en) Gas solution production apparatus
JP2016513887A (ja) 加熱されたエッチング液を提供するためのプロセシングシステムおよび方法
CN1763913A (zh) 衬底处理装置及衬底处理方法
US7910014B2 (en) Method and system for improving wet chemical bath process stability and productivity in semiconductor manufacturing
CN110528085B (zh) 一种控制源瓶压力的控制装置及方法
US20200312682A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
EP3747535B1 (en) Gas dissolution supply apparatus and gas dissolution supply method
CN111599730A (zh) 刻蚀液供给装置及方法
US10332762B2 (en) Chemical liquid supply apparatus and semiconductor processing apparatus having the same
US9005464B2 (en) Tool for manufacturing semiconductor structures and method of use
JP2018019089A (ja) 基板処理用の薬液生成方法、基板処理用の薬液生成ユニット、基板処理方法、および基板処理システム
JP2008047785A (ja) 半導体装置の製造方法
CN103367223A (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
US10840081B2 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
KR20180118063A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN107068802A (zh) 提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置及其处理方法
KR102384077B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN215815802U (zh) 湿法刻蚀设备
KR100442580B1 (ko) 반도체 제조용 챔버의 배기시스템
US9514952B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus
CN113223915B (zh) 腔室维护后降低钼含量的方法
US20240071794A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN216213296U (zh) 半导体材料掺杂用扩散装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200828

RJ01 Rejection of invention patent application after publication